CN112786803A - Oled背板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种OLED背板，包括：衬底、阵列结构层、同层设置于所述阵列结构层上的源漏极金属层及反射金属层、设置于所述反射金属层上的第一氧化铟锡层、设置于所述阵列结构层上的钝化层、设置于所述钝化层上的第二氧化铟锡层以及像素限定层；其中，所述钝化层还具有第一开口结构，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；所述第二氧化铟锡层完全覆盖位于第一开口结构内的部分所述第一氧化铟锡层；所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第二氧化铟锡层经由所述钝化层上的第一过孔与所述源漏极金属层电连接。

Description

OLED背板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板采用自发光器件，具有外观轻薄、功耗低、视角宽等优点，已成为显示领域极具发展潜力的技术。顶发光OLED器件的发光效率及发光波长准确控制，一直是OLED器件研发的难题。影响它的主要因素之一是：OLED器件腔长的控制(一般指阳极底部反射电极至阴极之间的距离)。由于微腔效应的影响，OLED器件中的各子像素(sub-pixel)的发光效率及波普位置均不是最佳化，尤其对出光波普的位置精度影响较大,导致OLED器件的寿命，效率较低。
目前顶发光OLED器件的阳极一般为反射金属层与透明导电膜组成的结构，通常由一张光罩完成。其中，透明导电膜一般为低膜厚的氧化铟锡(150埃米)。通常依靠OLED有机材料的本身厚度调节腔长比较困难，因此阳极结构上的导电膜的厚度对腔长的调节有着重要作用。本领域技术人员通过对顶发光OLED器件的最佳效率进行模拟，得出当透明导电膜的厚度约为800埃米时，顶发光OLED器件的发光效率最高。
现有技术对OLED器件腔长的弥补主要有两种方案：第(1)：将透明导电膜加厚至800埃米；但透明导电膜加厚至400埃米以上时易结晶，导致蚀刻残留，特别是沉积在反射金属层基底上(一般是Ag或Al或其他反射金属)时，结晶越发严重，无法正常蚀刻；第(2)：在透明导电膜与反射金属层之间增加透明材料层(Spacer)，如SiO或其他透明有机材料，但其图形化需要引入光罩工艺(Photo)、化学气相沉积工艺(CVD)以及蚀刻处理工艺等，制程复杂，不利于量产可行性。
因此，有必要提供一种OLED背板及其制备方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本申请提供一种OLED背板及其制备方法，以解决现有的OLED背板及其制备方法，通过增加透明导电膜膜厚对OLED器件的腔长进行弥补时，造成透明导电膜蚀刻困难的技术问题。
为达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：
本申请实施例提供一种OLED背板，包括：衬底、设置于所述衬底上的阵列结构层、同层设置于所述阵列结构层上的源漏极金属层及反射金属层、设置于所述反射金属层上的第一氧化铟锡层、设置于所述阵列结构层上的钝化层、设置于所述钝化层上的第二氧化铟锡层以及像素限定层；
其中，所述钝化层分别覆盖所述源漏极金属层以及部分所述第一氧化铟锡层，所述钝化层还具有第一开口结构，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；所述第二氧化铟锡层完全覆盖位于所述第一开口结构内的部分所述第一氧化铟锡层，所述像素限定层覆盖部分所述第二氧化铟锡层；所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第二氧化铟锡层经由所述钝化层上的第一过孔与所述源漏极金属层电连接。
在一些实施例中，所述第一氧化铟锡层的厚度小于或等于
Figure BDA0002882413270000021
所述第二氧化铟锡层的厚度大于或等于
Figure BDA0002882413270000022
在一些实施例中，所述反射金属层的材料为银或铝。
在一些实施例中，所述阵列结构层包括：同层设置于所述衬底上的第一遮光金属层以及第二遮光金属层、设置于所述衬底上并完全覆盖所述第一遮光金属层以及所述第二遮光金属层的缓冲层、同层设置于所述缓冲层上的第一半导体层以及第二半导体层、设置于所述第一半导体层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极金属层以及设置于所述缓冲层上并完全覆盖所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层的层间绝缘层；
其中，所述第一半导体层对应设置于所述第一遮光金属层上方，所述第二半导体层对应设置于所述第二遮光金属层上方；所述第二半导体层与所述第二遮光金属层形成第一电容。
在一些实施例中，所述层间绝缘层上开设有第二过孔以及第三过孔，所述源漏极金属层通过所述第二过孔与所述第一半导体层的边缘两端电连接，所述源漏极金属层还通过所述第三过孔与所述第一遮光金属层电连接。
在一些实施例中，所述第一遮光金属层以及所述第二遮光金属层选自Mo金属层、Mo/Al/Mo金属层、Mo/Cu金属层、Ni/Cu/Ni金属层、MoTiNi/Cu/MoTiNi金属层、NiCr/Cu/NiCr金属层以及CuNb金属层中的任意一种；所述源漏极金属层以及所述栅极金属层的材料均为银或铜。
在一些实施例中，所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层以及所述钝化层的材料为硅氧化物或者硅氮化物中的至少一种；所述第一半导体层以及所述第二半导体层的材料为氧化物半导体、低温多晶硅或者非晶硅中的任意一种。
本申请实施例还提供一种如上所述OLED背板的制备方法，所述方法包括：
S10，在一衬底上依次沉积阵列结构层的各膜层，并对所述阵列结构层中的第一半导体层进行导体化处理；
S20，在所述阵列结构层上分别沉积一层金属薄膜，所述金属薄膜经图案化后形成间隔设置的源漏极金属层以及反射金属层，并在所述反射金属层上沉积第一氧化铟锡层；
S30，在所述阵列结构层上沉积一层无机绝缘薄膜形成钝化层，所述钝化层经蚀刻后形成第一过孔以及第一开口结构，所述第一过孔暴露出部分所述源漏极金属层，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；
S40，在所述钝化层上沉积第二氧化铟锡层，所述第二氧化铟锡层经由所述第一开口结构与部分所述第一氧化铟锡层电连接，所述第二氧化铟锡层还通过所述第一过孔与所述源漏极金属层电连接；
S50，在所述钝化层上形成一图形化的像素定义层，所述像素定义层覆盖部分所述第二氧化铟锡层并暴露出所述第一开口结构。
在一些实施例中，所述S20中，所述源漏极金属层、所述反射金属层以及所述第一氧化铟锡层经同一蚀刻处理工艺制成，所述蚀刻处理工艺包括半色调掩膜版工艺。
在一些实施例中，所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第一氧化铟锡层的厚度小于或等于
Figure BDA0002882413270000041
所述第二氧化铟锡层的厚度大于或等于
Figure BDA0002882413270000042
本申请实施例所提供的OLED背板及其制备方法，将阳极中的透明导电膜设置成下层氧化铟锡膜以及上层氧化铟锡膜，使位于反射金属层上的下层氧化铟锡膜的厚度小于或者等于400埃米且透明导电膜的总膜厚达到了800埃米，调控了OLED器件腔长的同时，避免了透明导电膜加厚后在反射金属层上蚀刻困难的问题，进一步改善了OLED器件的发光效率和发光光谱精度，更进一步增强了OLED器件的寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式进行详细描述。
图1为本申请实施例提供的OLED背板的截面结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED背板的制备方法的步骤流程图。
图3A-3E为本申请实施例提供的OLED背板的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
本申请提供一种OLED背板及其制备方法，为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例针对现有的OLED背板及其制备方法，通过增加透明导电膜膜厚对OLED器件的腔长进行弥补时，造成透明导电膜在反射金属层上蚀刻困难的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本申请实施例提供的OLED背板的截面结构示意图。所述OLED背板包括：衬底11、设置于所述衬底11上的阵列结构层12、同层设置于所述阵列结构层12上的源漏极金属层(包括漏级金属层131以及源极金属层132)及反射金属层141、设置于所述反射金属层141上的第一氧化铟锡层142、设置于所述阵列结构层12上的钝化层15、设置于所述钝化层15上的第二氧化铟锡层143以及像素限定层16；
其中，所述钝化层15分别覆盖所述源漏极金属层以及部分所述第一氧化铟锡层142，所述钝化层15还具有第一开口结构152，所述第一开口结构152暴露出部分所述第一氧化铟锡层142；所述第二氧化铟锡层143完全覆盖位于所述第一开口结构152内的部分所述第一氧化铟锡层142，所述像素限定层16覆盖部分所述第二氧化铟锡层143；所述反射金属层141、所述第一氧化铟锡层142以及所述第二氧化铟锡层143构成所述OLED背板的阳极，所述第二氧化铟锡层143经由所述钝化层15上的第一过孔151与所述源漏极金属层电连接。
具体地，所述阵列结构层12包括：同层设置于所述衬底11上的第一遮光金属层1211以及第二遮光金属层1212、设置于所述衬底11上并完全覆盖所述第一遮光金属层1211以及所述第二遮光金属层1212的缓冲层122、同层设置于所述缓冲层122上的第一半导体层1231以及第二半导体层1232、设置于所述第一半导体层1231上的栅极绝缘层124、设置于所述栅极绝缘层124上的栅极金属层125以及设置于所述缓冲层122上并完全覆盖所述第一半导体层1231、所述第二半导体层1232、所述栅极绝缘层124以及所述栅极金属层125的层间绝缘层126。
进一步地，所述层间绝缘层126上开设有第二过孔1261以及第三过孔1262，所述源漏极金属层通过所述第二过孔1261与所述第一半导体层1231的边缘两端电连接，所述源漏极金属层还通过所述第三过孔1262与所述第一遮光金属层1231电连接。
具体地，所述第一氧化铟锡层142的厚度小于或等于
Figure BDA0002882413270000051
所述第二氧化铟锡层143的厚度大于或等于
Figure BDA0002882413270000052
优选地，所述第一氧化铟锡层142的厚度为
Figure BDA0002882413270000053
所述第二氧化铟锡层143的厚度为
Figure BDA0002882413270000054
即所述OLED器件的阳极中的透明导电膜厚度达到
Figure BDA0002882413270000055
Figure BDA0002882413270000056
此时所述OLED器件的腔长能使所述OLED器件的发光效率达到最优。
由于所述第一氧化铟锡层142的厚度小于或等于
Figure BDA0002882413270000057
因此在所述反射金属层141上制备所述第一氧化铟锡层142时，蚀刻不残留。所述第二氧化铟锡层143沉积于所述钝化层15上，所述第二氧化铟锡层143在所述钝化层15上的蚀刻安全厚度可达
Figure BDA0002882413270000058
优选地，所述钝化层15的材料为硅氮化物、硅氧化物或其他有机材料中的一种。
具体地，所述源漏极金属层、所述反射金属层141以及所述第一氧化铟锡层142经同一蚀刻处理工艺制成，所述蚀刻处理工艺包括半色调掩膜版工艺；所述半色调掩膜版工艺仅使用一张半色调掩膜版光罩。所述蚀刻处理工艺还可以使用两张光罩完成，优选半色调掩膜版工艺制程完成。
具体地，所述第一遮光金属层1211以及所述第二遮光金属层1212选自Mo金属层、Mo/Al/Mo金属层、Mo/Cu金属层、Ni/Cu/Ni金属层、MoTiNi/Cu/MoTiNi金属层、NiCr/Cu/NiCr金属层以及CuNb金属层中的任意一种；所述源漏极金属层(包括漏极金属层131以及源极金属层132)以及所述栅极金属层125的材料均为银或铜，所述反射金属层141的材料也为银或铝。
具体地，所述缓冲层122、所述栅极绝缘层124以及所述层间绝缘层126的材料为硅氧化物或者硅氮化物中的至少一种；所述第一半导体层1231以及所述第二半导体层1232的材料为氧化物半导体、低温多晶硅或者非晶硅中的任意一种。所述氧化物半导体优选为铟锌氧化物(IZO)、镓铟氧化物(IGO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)以及铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。
在制备完所述OLED背板后，在所述第一开口区域152依次制备OLED发光层以及阴极金属层，最后得到顶发光背板。
进一步地，所述OLED背板可应用于喷墨打印型白色有机发光二极体(IJP-WOLED)，也可用于蒸镀型白色有机发光二极体，与其对应的所述像素定义层16分别为疏水性挡墙材料和常规非疏水性挡墙材料，与其对应的发光有机材料分别为蒸镀型有机材料和有机发光喷墨。
如图2所示，本申请实施例还提供一种如上所述OLED背板的制备方法，所述方法具体包括：
S10，在一衬底11上依次沉积阵列结构层12的各膜层，并对所述阵列结构层12中的第一半导体层1231进行导体化处理。
具体地，所述S10还包括：
首先，提供一衬底11，所述衬底11例如可以为塑料基板或者玻璃基板。之后，在所述衬底11上镀上第一金属薄膜，通过一道光罩将所述第一金属薄膜经图案化后形成第一遮光金属层1211以及第二遮光金属层1212；优选地，所述第二遮光金属层1212用于充当第一电容的下电极板，所述第一遮光金属层1211用于对薄膜晶体管(TFT)的沟道进行遮光，所述第一遮光金属层1211以及所述第二遮光金属层1212选自Mo金属层、Mo/Al/Mo金属层、Mo/Cu金属层、Ni/Cu/Ni金属层、MoTiNi/Cu/MoTiNi金属层、NiCr/Cu/NiCr金属层以及CuNb金属层中的任意一种。
然后，在所述衬底11上沉积缓冲层122，所述缓冲层122完全覆盖第一遮光金属层1211以及第二遮光金属层1212，所述缓冲层122的材料为硅氧化物或者硅氮化物中的至少一种。
之后，在缓冲层122上沉积一层半导体薄膜，所述半导体薄膜通过一道光罩经图案化后形成间隔设置的第一半导体层1231以及第二半导体层1232，并对所述第一半导体层1231的边缘两端进行导体化处理；其中，所述第一半导体层1231充当薄膜晶体管(TFT)的有源层，所述第二半导体层1232充当第一电容的上电极板。优选地，所述第一半导体层1231以及所述第二半导体层1232的材料为氧化物半导体、低温多晶硅或者非晶硅中的任意一种。所述氧化物半导体优选为铟锌氧化物(IZO)、镓铟氧化物(IGO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)以及铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。
再之后，在所述第一半导体层1231上依次层叠制备栅极绝缘层124以及栅极金属层125。所述栅极绝缘层124的材料为硅氧化物或者硅氮化物中的至少一种。所述栅极金属层125的材料均为银或铜或其他反射率高的金属材料。最后，在所述缓冲层122上沉积一层无机薄膜形成层间绝缘层126，所述层间绝缘层126的材料为硅氧化物或者硅氮化物中的至少一种，如图3A所示。
S20，在所述阵列结构层12上分别沉积一层金属薄膜，所述金属薄膜经图案化后形成间隔设置的源漏极金属层以及反射金属层141，并在所述反射金属层141上沉积第一氧化铟锡层142。
具体地，所述S20还包括：
首先，在所述阵列结构层12上分别沉积一层金属薄膜，所述金属薄膜经图案化后形成间隔设置的源漏极金属层以及反射金属层141，并在所述反射金属层141上沉积第一氧化铟锡层142。其中，所述第一氧化铟锡层142的厚度小于或等于
Figure BDA0002882413270000071
优选地，所述第一氧化铟锡层142的厚度为
Figure BDA0002882413270000072
Figure BDA0002882413270000073
由于所述第一氧化铟锡层142的厚度小于或等于
Figure BDA0002882413270000074
因此在所述反射金属层141上制备所述第一氧化铟锡层142时，蚀刻不残留。
具体地，所述源漏极金属层、所述反射金属层141以及所述第一氧化铟锡层142经同一蚀刻处理工艺制成，所述蚀刻处理工艺包括半色调掩膜版工艺；所述半色调掩膜版工艺仅使用一张半色调掩膜版光罩。所述蚀刻处理工艺还可以使用两张光罩完成，优选半色调掩膜版工艺制程完成。优选地，所述反射金属层141的材料与所述源漏极金属层的材料相同，为银或铜或其他反射率高的金属材料。
具体地，所述所述层间绝缘层126上开设有第二过孔1261以及第三过孔1262，所述源极金属层132以及所述漏极金属层131分别通过所述第二过孔1261与所述第一半导体层1231的边缘两端电连接，所述源极金属层132还通过所述第三过孔1262与所述第一遮光金属层1231电连接，如图3B所示。
S30，在所述阵列结构层12上沉积一层无机绝缘薄膜形成钝化层15，所述钝化层15经蚀刻后形成第一过孔151以及第一开口结构152，所述第一过孔151暴露出部分所述源漏极金属层，所述第一开口结构152暴露出部分所述第一氧化铟锡层142。
具体地，所述S30还包括：
首先，在所述阵列结构层12上沉积一层无机绝缘薄膜形成钝化层15，所述钝化层15经蚀刻后形成第一过孔151以及第一开口结构152，所述第一过孔151暴露出部分所述源漏极金属层，所述第一开口结构152暴露出部分所述第一氧化铟锡层142。其中，所述钝化层15的材料为硅氮化物、硅氧化物或其他有机材料中的一种，如图3C所示。
S40，在所述钝化层15上沉积第二氧化铟锡层143，所述第二氧化铟锡层143经由所述第一开口结构152与部分所述第一氧化铟锡层142电连接，所述第二氧化铟锡层143还通过所述第一过孔151与所述源漏极金属层电连接。
具体地，所述S40还包括：
首先，所述钝化层15上沉积第二氧化铟锡层143，所述第二氧化铟锡层143经由所述第一开口结构152与部分所述第一氧化铟锡层142电连接，所述第二氧化铟锡层143还通过所述第一过孔151与所述源漏极金属层电连接。其中，所述第二氧化铟锡层143的厚度大于或等于
Figure BDA0002882413270000081
所述反射金属层141、所述第一氧化铟锡层142以及所述第二氧化铟锡层143构成所述OLED背板的阳极。优选地，所述第一氧化铟锡层142的厚度为
Figure BDA0002882413270000091
时，所述第二氧化铟锡层143的厚度为
Figure BDA0002882413270000092
即所述OLED器件的阳极中的透明导电膜厚度达到
Figure BDA0002882413270000093
此时所述OLED器件的腔长能使所述OLED器件的发光效率达到最优，如图3D所示。
S50，在所述钝化层15上形成一图形化的像素定义层16，所述像素定义层16覆盖部分所述第二氧化铟锡层143并暴露出所述第一开口结构152。
具体地，所述S50还包括：
首先，在所述钝化层15上形成一图形化的像素定义层16，所述像素定义层16覆盖部分所述第二氧化铟锡层143并暴露出所述第一开口结构152，如图3E所示。
在制备完所述OLED背板后，在所述第一开口区域152依次制备OLED发光层以及阴极金属层，最后得到顶发光背板。进一步地，所述OLED背板可应用于喷墨打印型白色有机发光二极体(IJP-WOLED)，也可用于蒸镀型白色有机发光二极体，与其对应的所述像素定义层16分别为疏水性挡墙材料和常规非疏水性挡墙材料，与其对应的发光有机材料分别为蒸镀型有机材料和有机发光喷墨。
综上所述，本申请实施例所提供的OLED背板及其制备方法，将阳极中的透明导电膜设置成下层氧化铟锡膜以及上层氧化铟锡膜，使位于反射金属层上的下层氧化铟锡膜的厚度小于或者等于400埃米且透明导电膜的总膜厚达到了800埃米，调控了OLED器件腔长的同时，避免了透明导电膜加厚后在反射金属层上蚀刻困难的问题，进一步改善了OLED器件的发光效率和发光光谱精度，更进一步增强了OLED器件的寿命。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED背板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED背板，其特征在于，包括：
衬底；
阵列结构层，设置于所述衬底上；
源漏极金属层及反射金属层，同层设置于所述阵列结构层上；
第一氧化铟锡层，设置于所述反射金属层上；
钝化层，设置于所述阵列结构层上，并分别覆盖所述源漏极金属层以及部分所述第一氧化铟锡层，所述钝化层还具有第一开口结构，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；
第二氧化铟锡层，设置于所述钝化层上并完全覆盖位于所述第一开口结构内的部分所述第一氧化铟锡层；
像素限定层，设置于所述钝化层上并覆盖部分所述第二氧化铟锡层；
其中，所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第二氧化铟锡层经由所述钝化层上的第一过孔与所述源漏极金属层电连接。
2.根据权利要求1所述的OLED背板，其特征在于，所述第一氧化铟锡层的厚度小于或等于
Figure FDA0002882413260000011
所述第二氧化铟锡层的厚度大于或等于
Figure FDA0002882413260000012
3.根据权利要求2所述的OLED背板，其特征在于，所述反射金属层的材料为银或铝。
4.根据权利要求3所述的OLED背板，其特征在于，所述阵列结构层包括：
第一遮光金属层以及第二遮光金属层，同层设置于所述衬底上；
缓冲层，设置于所述衬底上并完全覆盖所述第一遮光金属层以及所述第二遮光金属层；
第一半导体层以及第二半导体层，同层设置于所述缓冲层上，所述第一半导体层对应设置于所述第一遮光金属层上方，所述第二半导体层对应设置于所述第二遮光金属层上方；
栅极绝缘层，设置于所述第一半导体层上；
栅极金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置于所述缓冲层上并完全覆盖所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层；
其中，所述第二半导体层与所述第二遮光金属层形成第一电容。
5.根据权利要求4所述的OLED背板，其特征在于，所述层间绝缘层上开设有第二过孔以及第三过孔，所述源漏极金属层通过所述第二过孔与所述第一半导体层的边缘两端电连接，所述源漏极金属层还通过所述第三过孔与所述第一遮光金属层电连接。
6.根据权利要求4所述的OLED背板，其特征在于，所述第一遮光金属层以及所述第二遮光金属层选自Mo金属层、Mo/Al/Mo金属层、Mo/Cu金属层、Ni/Cu/Ni金属层、MoTiNi/Cu/MoTiNi金属层、NiCr/Cu/NiCr金属层以及CuNb金属层中的任意一种；所述源漏极金属层以及所述栅极金属层的材料均为银或铜。
7.根据权利要求4所述的OLED背板，其特征在于，所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层以及所述钝化层的材料为硅氧化物或者硅氮化物中的至少一种；所述第一半导体层以及所述第二半导体层的材料为氧化物半导体、低温多晶硅或者非晶硅中的任意一种。
8.一种如权利要求1-7所述OLED背板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，在一衬底上依次沉积阵列结构层的各膜层，并对所述阵列结构层中的第一半导体层进行导体化处理；
S20，在所述阵列结构层上分别沉积一层金属薄膜，所述金属薄膜经图案化后形成间隔设置的源漏极金属层以及反射金属层，并在所述反射金属层上沉积第一氧化铟锡层；
S30，在所述阵列结构层上沉积一层无机绝缘薄膜形成钝化层，所述钝化层经蚀刻后形成第一过孔以及第一开口结构，所述第一过孔暴露出部分所述源漏极金属层，所述第一开口结构暴露出部分所述第一氧化铟锡层；
S40，在所述钝化层上沉积第二氧化铟锡层，所述第二氧化铟锡层经由所述第一开口结构与部分所述第一氧化铟锡层电连接，所述第二氧化铟锡层还通过所述第一过孔与所述源漏极金属层电连接；
S50，在所述钝化层上形成一图形化的像素定义层，所述像素定义层覆盖部分所述第二氧化铟锡层并暴露出所述第一开口结构。
9.根据权利要求8所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述源漏极金属层、所述反射金属层以及所述第一氧化铟锡层经同一蚀刻处理工艺制成，所述蚀刻处理工艺包括半色调掩膜版工艺。
10.根据权利要求8所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，所述反射金属层、所述第一氧化铟锡层以及所述第二氧化铟锡层构成所述OLED背板的阳极，所述第一氧化铟锡层的厚度小于或等于
Figure FDA0002882413260000031
所述第二氧化铟锡层的厚度大于或等于
Figure FDA0002882413260000032
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