CN102956669A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层。
Description
技术领域
示例性实施方式涉及有机发光装置及其制造方法，更具体地，涉及具有改善的光致发光效率的有机发光装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示设备以低电压工作且轻便，并且具有小厚度、宽视角、高对比度、以及高响应速度。由于这些优点，它们被视为下一代设备。
发明内容
示例性实施方式提供了有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置具有由于包含两个像素电极而得到改善的光致发光效率。
示例性实施方式还提供了有机发光装置及其制造方法，在该有机发光装置中，在有机发光装置通过印刷制造时，发光部的边缘处的发光被抑制，以改善萃取光的质量。
根据示例性实施方式的一个方面，提供了一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层。
所述第一像素电极和所述第二像素电极可包括具有不同折射率的材料。
所述第二像素电极可直接位于所述第一像素电极与所述有机发光层之间，所述第一像素电极的表面和所述第二像素电极的表面直接接触。
所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第一部分可彼此直接接触，所述第一堤部的一部分可位于所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第二部分之间。
所述第一堤部的厚度可约为1μm或更小。
所述有机发光装置还可包括位于所述第一堤部上的第二堤部，所述第二堤部包括比所述第一开口更宽并使所述第二像素电极暴露的第二开口。
所述第一堤部和所述第二堤部可包括相同的有机材料。
所述第二像素电极可包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及IZO中的至少一种。
所述第二像素电极的厚度可约为100nm或更小。
所述第二像素电极可包括金属材料。
所述第二像素电极的厚度可约为10nm或更小。
根据示例性实施方式的另一个方面，提供了一种制造有机发光装置的方法，包括：在衬底上形成第一像素电极；形成覆盖所述第一像素电极的边缘的第一堤部，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；形成覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分的第二像素电极，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；形成覆盖所述第二像素电极的有机发光层；以及形成覆盖所述有机发光层的相对电极。
所述方法还可包括在所述第一堤部上形成第二堤部，使得所述第二堤部具有比所述第一开口更宽的第二开口且所述有机发光层在所述第二开口所限定的区域中覆盖所述第二像素电极。
形成所述第一堤部和所述第二堤部的步骤可包括使用半色调掩模和相同材料同时形成所述第一堤部和所述第二堤部。
形成所述第二像素电极的步骤可包括使用折射率与所述第一像素电极的材料的折射率不同的材料。
形成所述有机发光层的步骤可包括向所述第二像素电极施加液体有机材料，并进行干燥。
形成所述第二像素电极的步骤可包括使用ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及IZO中的至少一种。
形成所述第二像素电极的步骤可包括施加材料至厚度约为100nm或更小。
形成所述第二像素电极的步骤可包括使用金属材料。
形成所述第二像素电极的步骤可包括施加材料至厚度约为10nm或更小。
附图说明
通过参照附图对示例性实施方式进行详细描述，上述特征和其它特征对本领域技术人员来说将变得显而易见，在附图中：
图1示出根据示例性实施方式的有机发光装置的示意性截面视图；
图2示出用于对图1的有机发光装置的共振原理进行解释的概念性视图；
图3示出用于解释如何在图1的有机发光装置的边缘处抑制光萃取的概念性视图；
图4至9示出根据示例性实施方式的制造有机发光装置的方法的阶段的横截面视图；以及
图10示出根据其它示例性实施方式的有机发光装置的示意性截面视图。
具体实施方式
于2011年8月12日提交至韩国知识产权局的题为“Organic LightEmitting Device and Method of Manufacturing the Same（有机发光装置及其制造方法）”的第10-2011-0080652号韩国专利申请的全部内容并入本文。
现在将在下文中参照附图更加充分地描述示例性实施方式；然而，这些示例性实施方式可以表现为不同形式并且不应被解释为受限于文中所述的实施方式。相反，这些实施方式被提供，从而对本领域技术人员来说，本公开将是彻底和完整的，并且将充分覆盖本发明的范围。
在附图中，为了使图示更加清楚，可以对层和区域的尺寸进行放大。还应理解，当层（或元件）被称为位于另一个层或衬底“上”时，其可以直接位于另一个层或衬底上，或者也可以存在有中间层。此外，还应理解，当层被称为位于两个层“之间”时，其可以仅位于两个层之间，或者也可以存在一个或多个中间层。相似的参考标号自始自终都涉及相似的元件。
在下文中，将参照图1对有机发光装置的示例性实施方式进行详细描述。图1示出根据示例性实施方式的有机发光装置100的示意性截面视图。
参照图1，第一像素电极120可布置于衬底110上。
衬底110可由透明玻璃材料（例如，基本由SiO2组成的材料）形成。然而，用于形成衬底110的材料不限于此，还可以使用各种其他材料（例如，透明塑料材料或金属材料）来形成衬底110。
虽未在图1中示出，但衬底110可包括分配给每个像素的多个像素电路单元。像素电路单元中的每一个均可包括至少一个薄膜晶体管（TFT）。像素电路单元中的每一个的TFT中所包含的源电极和漏电极中的任何一个连接至第一像素电极120的至少一部分。此外，TFT可布置于与衬底110上的第一像素电极120交叠的区域中。可替换地，TFT可布置于不与第一像素电极120交叠的区域中。
形成于衬底110上的第一像素电极120可以是透明电极、半透明电极、或反射电极。当第一像素电极120是透明或半透明电极时，第一像素电极120可包括例如氧化铟锡（ITO）。氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）、以及氧化铝锌（AZO）中的至少一种。当第一像素电极120是反射电极时，第一像素电极120可包括由例如银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、和/或铬（Cr）形成的反射膜，并且例如由用于形成上述透明或半透明电极的材料形成的透明或半透明膜可形成于该反射膜上。
堤部（bank）140可形成于衬底110上，覆盖第一像素电极120的边缘120a。堤部140可包括第一堤部140a和第二堤部140b。
第一堤部140a可形成为覆盖第一像素电极120的边缘120a，并且可具有使第一像素电极120的至少一部分（例如中部）暴露的第一开口C1。第二堤部140b可布置于第一堤部140a上，并可具有使第一像素电极120和第一堤部140a的每一个的一部分暴露的第二开口C2。因此，第二开口C2可宽于第一开口C1，并且第一堤部140a和第二堤部140b之间可具有台阶。第一开口C1和第二开口C2可形成锥形形状。
根据示例性实施方式，第一堤部140a和第二堤部140b可一体地形成为一个本体并可由相同材料形成。例如，第一和第二堤部140a和140b可由亲水有机材料（例如，聚酰亚胺树脂和/或丙烯酸树脂）形成。第二堤部140b的表面可经受疏水处理，以在形成有机发光层160时防止墨水的润湿过度（flooding）。
根据其它示例性实施方式，第一堤部140a和第二堤部140b可由不同材料形成。例如，第一堤部140a可由比第二堤部140b的材料更加亲水的材料形成。然而，示例性实施方式不限于此，例如，第一堤部140a和第二堤部140b可由相同的有机材料形成并且可以将氟添加至第二堤部140b。例如，氟可以与聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂一起使用，以根据高度改变亲水性的水平。
第一堤部140a可形成为在从第一像素电极120的端部起约10μm或更少的范围内覆盖第一像素电极120的边缘120a。也就是说，第一堤部140a可与第一像素电极的边缘部分交叠从第一像素电极120的最外端朝第一像素电极120的中部延伸约10μm或更少距离。
当第一堤部140a和第二堤部140b（即，特别是第一堤部140a）由有机材料形成时，可以防止由第一堤部140a的构图对第一像素电极120的表面带来的损伤。也就是说，因为不需要在第一像素电极120的表面上形成无机材料（例如，通过溅射），故第一像素电极120的表面不会受到损伤。
第二堤部140b可限定将在通过印刷形成有机发光层160时掺杂墨水的区域。在这种情况下，如果第二堤部140b的高度太小，则液体有机掺杂材料会泄漏至第二堤部140b之外。如果第二堤部140b的高度太大，则相对电极170与有机发光层160会被第二堤部140b分隔开。例如，第二堤部140b可形成为具有约0.5μm至约3μm的高度。
因为第二像素电极150和有机发光层160形成于第一堤部140a上，所以第一堤部140a的高度可以相对较低。然而，由于第一堤部140a将第一像素电极120的边缘120a与第二像素电极150的边缘150a绝缘，故第一堤部140a可具有比第二堤部140b更低的高度。例如，第一堤部140a的高度可为约0.1μm至约0.5μm。
第二像素电极150可通过第一开口C1形成于第一像素电极120的暴露部分上并可形成于第一堤部140a的至少一部分上。第二像素电极150可由具有与第一像素电极120的折射率不同的折射率的材料形成。第二像素电极150可以是透明/半透明电极，而无论第一像素电极120是什么材料。
如果第二像素电极150是透明电极，则第二像素电极150可包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及AZO中的至少一种。如果第二像素电极150由透明金属氧化物形成，则该透明金属氧化物可以不同于第一像素电极120的透明金属氧化物，以允许第二像素电极150作为共振电极。如果第二像素电极150是透明电极，则第二像素电极150的厚度可以约为100nm或更少，例如，在几纳米至几十纳米之间的范围内。
如果第二像素电极150由金属材料形成，则例如可以使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。在这种情况下，第二像素电极150可被形成为具有约10nm或更少的厚度，例如几纳米，从而作为半透明电极。如果第二像素电极150由金属材料形成，即，以允许光从中穿透，则第二像素电极150的厚度可以小于透明的第二像素电极150的厚度。
第二像素电极150可以这样的方式形成，即，使其边缘形成于第一堤部140a上，并使其中央区域接触第一像素电极120。因此，第一堤部140a可插入第一像素电极120与第二像素电极150的边缘之间。
有机发光层160可形成于由第二开口C2限定的区域内的第二像素电极150上。有机发光层160可通过喷墨印刷或喷嘴印刷形成。在这种情况下，有机发光层160可由聚合物有机材料形成。当有机发光层160由聚合物有机材料形成时，除了有机发光层160之外，还可包括空穴传输层（HTL）。HTL可包括，例如，聚-(2,4)-乙烯-二羟基噻吩（PEDOT）或聚苯胺（PANI）。这里，可用的有机材料可以是基于聚亚苯基乙烯（PPV）或基于聚芴的聚合物有机材料。
有机发光层160的形成过程可以不限于此。例如，有机发光层160可通过沉积低分子量有机材料来形成。当有机发光层160由低分子量有机材料形成时，HTL、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）、电子注入层（EIL）可沉积在有机发光层160附近。此外，如果需要，还可以沉积各种其它层。这里，可用的有机材料可以是酞箐铜（CuPc）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺（NPB）、三-8-羟基喹啉铝（Alq3）、等等。
相对电极170可形成于有机发光层160和第二堤部140b上。相对电极170可包括Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca、以及LiF/Al中的至少一种。相对电极170还可包括辅助电极层或汇流电极，辅助电极层或汇流电极中的每一个均由透明电极形成材料形成，诸如ITO、IZO、ZnO、或In2O3。相对电极170可通过沉积或溅射形成于有机发光层160上。
在示例性实施方式中，第一像素电极120用作阳极而相对电极170用作阴极。然而，第一像素电极120和相对电极170的极性可以交换。
图2是用于对图1的有机发光装置100的共振原理进行解释的概念性视图。图2是图1的区域A的放大视图。
参照图2，第一像素电极120具有折射率n1且第二像素电极150具有折射率n2。折射率n1和n2彼此不同。在这种结构中，从有机发光层160发射的光L0的一部分入射在第二像素电极150上并且穿过第二像素电极150朝第一像素电极120传播。从有机发光层160发射的光L0的另一部分入射在第二像素电极150上并从第二像素电极150的表面朝有机发光层160反射为L1。穿过第二像素电极150朝第一像素电极120传播的该部分光可入射在第一像素电极120与第二像素电极150之间的界面上，从而被传播的光的第一部分从该界面反射，以在第二像素电极150与有机发光层160之间的界面处朝发光层160进一步折射为L2。被传播的光的第二部分穿过第一像素电极120传播，以从第一像素电极120与衬底110之间的界面反射并在与第二像素电极150的各界面处朝有机发光层160进一步折射为L3。反射光L1、L2和L3在满足布拉格（Bragg）法则的条件下构成共同干涉。也就是说，第一像素电极120和第二像素电极150形成共振结构，故可以改善有机发光装置100的光效率和色彩再现特性。
当通过印刷形成有机发光装置的传统有机发光层时，可能难以实现共振结构。具体地，由于使用溶液的工艺特征，不能精确地控制有机发光层的厚度，因此会难以根据像素的颜色来控制所产生的有机发光层的厚度。此外，当采用不同的印刷条件时，大批量生产时间（例如，生产节拍时间）会相对较长。然而，如果根据示例性实施方式的第一和第二像素电极120和150直接形成于彼此顶部，则即使在通过印刷制造有机发光层160时，也可以容易地实现共振结构。
图3是用于解释如何在图1的有机发光装置100的边缘处抑制光萃取的概念性视图。图3是图1的区域A的放大视图。
参照图3，第一像素电极120的边缘与第二像素电极150的边缘通过第一堤部140a间隔开。由于在蚀刻期间的曝光差异，第一堤部140a的边缘可形成为具有锥形形状，而第二像素电极150可与第一堤部140a的锥形表面相适应。在这种情况下，第一像素电极120可具有约200nm或更大的厚度，而第二像素电极150可具有几纳米至几十纳米的厚度，即，第一像素电极120可基本厚于第二像素电极150。
因为第二像素电极150具有几纳米至几十纳米的厚度，所以第二像素电极150可作为具有高电阻值R1、R2和R3的高电阻器，而第一像素电极120具有相对较小的电阻值R4。此外，将第一像素电极120与第二像素电极150隔开的第一堤部140a覆盖第一像素电极120的边缘，并且其厚度沿着锥形形状朝第一像素电极120的端部增加。第一堤部140a的最厚部分的高度（即厚度）可处于约0.1至约0.5μm的范围内。因此，第一堤部140a还可具有高电阻值R5。
在未形成第一堤部140a的区域中，第一像素电极120与第二像素电极150接触。在这种情况下，虽然第二像素电极150是高电阻器，但发生隧穿效应Lt，因此，空穴可以被有效地输运至有机发光层160。因此，发光可以平稳地出现在有机发光层160中。
然而，在第一堤部140a形成于第一像素电极120与第二像素电极150之间的区域中，由于第一堤部140a的高电阻R5，由第一像素电极120提供的空穴不通过第一堤部140a和第二像素电极150隧穿至有机发光层160。因此，空穴会无法到达在第一像素电极120的边缘处的有机发光层160，因此，不会发生发光。在本实施方式中，第一像素电极120被用作阳极。然而，第一像素电极120也可作为阴极，在这种情况下，第一像素电极120提供电子而不是空穴。
当通过印刷形成有机发光层160时，当干燥液体有机材料时，有机发光层160相对的边缘可具有不均匀的厚度。这会导致在有机发光层160的不均匀的边缘处出现不均匀的发光，例如，导致像素看上去具有环形带（即，咖啡环效应（coffee ring effect））。这种咖啡环效应会导致有机发光装置100的质量下降。
然而，根据示例性实施方式，发光不会出现在形成第一堤部140a的区域中，例如，在第一像素电极120和第二像素电极150的边缘处。也就是说，因为发光仅出现在第一像素电极120与第二像素电极150接触的区域中，例如，彼此接触的第一像素电极120和第二像素电极150的中部处，所以有机发光层160的边缘处的（即，位于第一像素电极120和第二像素电极150之外的）不均匀的厚度不会影响发光。因此，可防止像素被观察到具有环形带的现象，从而可改善有机发光装置100的像素质量和光致发光质量。
应注意，示例性实施方式不限于由喷墨印刷或喷嘴印刷所形成的有机发光层160。例如，当使用其他方法（例如溅射或沉积）形成有机发光层时，也可应用示例性实施方式。
图4至9示出制造图1的有机发光装置100的方法的横截面视图。在下文中，将参照图1和图4至9详细描述制造图1的有机发光装置100的方法。
参照图4，可在衬底110上形成第一像素电极120。衬底110和第一像素电极120已经在上面进行了描述。
参照图5，可在第一像素电极120上沉积绝缘材料140’，并且可使用半色调掩模M形成第一堤部140a和第二堤部140b（图6所示）。绝缘材料140’可以是有机材料，并且可以沉积在衬底110的整个表面上（例如通过旋转涂布），以覆盖第一像素电极120，例如，以完全覆盖第一像素电极120。可使用半色调掩模M通过光刻处理形成第一堤部140a和第二堤部140b。当绝缘材料140’是光敏有机材料时，可不需要单独的光刻胶。半色调掩模M涉及透射率可根据区域控制的掩膜。半色调掩模M可包括被布置为与第二堤部140b相对应的阻挡部M1、被布置为与第一堤部140a相对应的半透射部M2、以及被布置为与第一像素电极120的曝光区域相对应的透射部M3。
曝光处理通过曝光设备（未示出）使用半色调掩模M进行，随后进行显影和蚀刻，从而形成具有不同高度的第一堤部140a和第二堤部140b。即，如图6所示，在曝光处理期间，去除绝缘材料140’与半色调掩模M的透射部M3交叠的部分，以形成具有第一开口C1的第一堤部140a并使第一像素电极120暴露。类似地，去除绝缘材料140’与半色调掩模M的半透射部M2交叠的部分，以形成具有第二开口C2的第二堤部140b并使第一堤部140a的边缘暴露。然而，应注意，形成第一堤部140a和第二堤部140b的方法不限于使用半色调掩模M的方法。此外，第一堤部140a和第二堤部140b由相同有机材料形成并不是必须的。例如，第一堤部140a和第二堤部140b也可由不同有机材料形成。然而，当如上所述使用半色调掩模M或缝隙掩膜时，制造工艺可以被简化，这是因为可以使用一个掩膜过程同时形成第一堤部140和第二堤部140b。
参照图7，可在第一像素电极120和第一堤部140a的暴露部分上形成第二像素电极150。例如，第二像素电极150可以形成为顺应地遵循第一开口C1的边界，故第二像素电极150可与通过第一开口C1暴露的第一像素电极120的整个部分交叠，并可延伸以覆盖（例如，直接覆盖）第一堤部140a的边缘。
参照图8-9，墨水160’可通过喷墨印刷或喷嘴印刷施加于由第二堤部140b的第二开口C2所限定的区域，以覆盖第二像素电极150并填充（例如，完全填充）第二开口C2。墨水160’可以被干燥和/或固化，以形成有机发光层160。
再次参照图1，可在第二堤部140b上形成相对电极170，覆盖有机发光层160，从而完成有机发光装置100的制造。相对电极170可通过沉积或溅射来形成。
如上所述，第一堤部140a和第二堤部140b由有机材料形成。然而，示例性实施方式不限于此，例如，可使用无机材料来形成第一堤部140a和第二堤部140。
图10是根据另一个实施方式的有机发光装置200的横截面视图。在下文中，仅对有机发光装置100与有机发光装置200之间的不同之处进行详细介绍。
参照图10，形成为覆盖第一像素电极220的边缘的第一堤部230可由与形成于第一堤部230上的第二堤部240的材料不同的材料形成。例如，第一堤部230可由无机材料（例如，硅氮化物（SiNX）和二氧化硅（SiO2）中的至少一种）形成，而第二堤部240可由有机材料形成。
当第一堤部230由无机材料形成时，由于其高亲水特性，可以增强第一堤部230与有机发光层260之间的粘合。可通过在第一像素电极220上沉积（例如，通过旋转涂布）无机材料来形成第一堤部230，随后进行光刻胶的施加和用于构图的光刻处理。在第一堤部230被形成之后，可使用有机材料形成第二堤部240。
然而，示例性实施方式中不限于此。例如，第一堤部230和第二破散240也可由不同的有机材料形成。在这种情况下，可以防止对第一像素电极220带来的损伤（例如，可能发生在形成第一堤部230时）。虽然，在本实施方式中，第二像素电极250在第一堤部230和第二堤部240形成之后才形成，但第二像素电极250也可以在第一堤部230的形成和第二堤部240的形成之间形成。在后一种情况下，第二堤部240可以被形成为完全或不完全地暴露第二像素电极250。
此外，图10示出相对电极270仅形成在第二堤部240所限定的区域中的情况的示例。如果有机发光装置200是有源矩阵型有机发光装置，则相对电极270可作为公共电极形成于衬底210的整个表面上方。然而，如果有机发光装置200是无源矩阵型有机发光装置，如图10所示，则相对电极270可仅形成于有机发光层260上。在后一种情况下，除了起到限定发光区域的限定器的作用之外，第二堤部240还可起到分离器的作用。
根据示例性实施方式，由于包含了彼此接触的两个像素电极并形成了共振结构，有机发光装置的光致发光效率可以得到改善。此外，当通过印刷来制造有机发光装置时，可以通过抑制发光部的边缘处的发光来改善萃取光的质量。
相比之下，传统有机发光显示设备（例如，具有单个像素电极的设备）可具有较宽的光致发光波长范围，从而表现出相对较低的光致发光效率和色纯度。此外，由于从传统有机发光显示设备中的有机发光层发射的光不具有特殊定向，故在任意方向上发射的许多光子由于有机发光设备中的内部全反射而会无法到达观察者，从而降低有机发光设备的光萃取效率。
文中已经公开了示例性实施方式，虽然特定术语被采用，但它们仅被使用并且将被解读为一般性和描述性概念，并且不作为限定目的。因此，本领域技术人员应理解，在不背离如所附权利要求中所陈述的示例性实施方式的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种修改。
Claims (20)
1.一种有机发光装置，包括：
第一像素电极，布置在衬底上；
第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；
第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；
有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及
相对电极，覆盖所述有机发光层。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极包括具有不同折射率的材料。
3.如权利要求2所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极直接位于所述第一像素电极与所述有机发光层之间，所述第一像素电极的表面和所述第二像素电极的表面直接接触。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第一部分彼此直接接触，所述第一堤部的一部分位于所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第二部分之间。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一堤部的厚度为1μm或更小。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，还包括位于所述第一堤部上的第二堤部，所述第二堤部包括比所述第一开口更宽并使所述第二像素电极暴露的第二开口。
7.如权利要求6所述的有机发光装置，其中所述第一堤部和所述第二堤部包括相同的有机材料。
8.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及IZO中的至少一种。
9.如权利要求8所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极的厚度为100nm或更小。
10.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极包括金属材料。
11.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极的厚度为10nm或更小。
12.一种制造有机发光装置的方法，包括：
在衬底上形成第一像素电极；
形成覆盖所述第一像素电极的边缘的第一堤部，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；
形成覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分的第二像素电极，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；
形成覆盖所述第二像素电极的有机发光层；以及
形成覆盖所述有机发光层的相对电极。
13.如权利要求12所述的方法，还包括在所述第一堤部上形成第二堤部，使得所述第二堤部具有比所述第一开口更宽的第二开口且所述有机发光层在所述第二开口所限定的区域中覆盖所述第二像素电极。
14.如权利要求13所述的方法，其中形成所述第一堤部和所述第二堤部的步骤包括使用半色调掩模和相同材料同时形成所述第一堤部和所述第二堤部。
15.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括使用折射率与所述第一像素电极的材料的折射率不同的材料。
16.如权利要求12所述的方法，其中形成所述有机发光层的步骤包括向所述第二像素电极施加液体有机材料，并进行干燥。
17.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括使用ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及IZO中的至少一种。
18.如权利要求17所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括施加材料至厚度为100nm或更小。
19.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括使用金属材料。
20.如权利要求19所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括施加材料至厚度为10nm或更小。
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