CN105720085B - 一种像素结构、显示面板及制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种像素结构、显示面板及制作方法。所述像素结构包括：TFT基板、位于TFT基板上的像素界定层、位于相邻像素界定层形成的开口区内的第一电极、位于第一电极上的发光层、位于像素界定层和发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极与像素界定层的交界处设置有垫高层，所述垫高层位于第一电极的底部。本发明通过在第一电极与像素界定层的交界处引入垫高层（位于第一电极底部），即在像素发光区周边区域的第一电极底端引入一层垫高层，通过所述垫高层可抬高周边区域的第一电极，从而提高此区域电场，同时抑制材料堆积，避免了膜厚增大的问题，进而提高显示面板的发光均匀性以及效率。

Description

一种像素结构、显示面板及制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、显示面板及制作方法。
背景技术
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管（OLED）由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。量子点发光二极管（QLED）由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。因此，这两种显示技术是目前显示领域发展的两个主要方向。
目前，溶液法制作OLED以及QLED是目前的研究热点，溶液法、尤其是喷墨印刷方法，能够大幅提高材料利用率，同时可实现大面积生产。但目前溶液法制作工艺存在一个难以克服的问题，即成膜均匀性，目前的工艺虽然可以有效控制咖啡环，但发光区边缘仍存在材料堆积的问题，如图1所示，在TFT基板10上形成有第一电极11、发光层13、第二电极14及像素界定层12，在发光层13与像素界定层12的边缘会发生材料堆积，膜厚增大的问题，导致显示面板的发光均匀性以及效率有所降低。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素结构、显示面板及制作方法，旨在解决现有的显示面板其发光均匀性和效率都有待提高的问题。
本发明的技术方案如下：
一种像素结构，其中，包括：TFT基板、位于TFT基板上的像素界定层、位于相邻像素界定层形成的开口区内的第一电极、位于第一电极上的发光层、位于像素界定层和发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极与像素界定层的交界处设置有垫高层，所述垫高层位于第一电极的底部。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的一部分位于开口区内，另一部分位于像素界定层内。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的高度为20-200nm。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的材质为绝缘材料，所述绝缘材料为无机材料、有机材料或负性光阻材料。
所述的像素结构，其中，所述无机材料为SiN、 SiO2、Al2O3、SrO、Ta2O5、V2O5、HfO2或TiO2；所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚a-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚碳酸亚丙酯或聚苯乙烯。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的材质为导电材料。
所述的像素结构，其中，所述第一电极为透明金属氧化物薄膜或者导电金属薄膜。
所述的像素结构，其中，所述发光层的发光像素单位是OLED或QLED。
一种显示面板，其中，包括如上所述的像素结构。
一种像素结构的制作方法，其中，包括步骤：
A、在TFT基板上沉积垫高层，并通过构图工艺将所述垫高层图案化；
B、然后在TFT基板上沉积第一电极，并通过构图工艺将所述第一电极图案化，使图案化后的第一电极覆盖垫高层；
C、再在TFT基板上沉积像素界定层，所述垫高层位于所述第一电极与像素界定层的交界处；
D、在相邻像素界定层形成的开口区内沉积发光层；
E、在所述发光层和像素界定层上沉积第二电极，最后进行封装。
有益效果：本发明通过在第一电极与像素界定层的交界处引入垫高层（位于第一电极底部），即在像素发光区周边区域的第一电极底端引入一层垫高层，通过所述垫高层可抬高周边区域的第一电极，从而提高此区域电场，同时抑制材料堆积，避免了膜厚增大的问题，进而提高显示面板的发光均匀性以及效率。
附图说明
图1为现有技术中像素结构的结构示意图。
图2为本发明一实施例中像素结构的结构示意图。
图3为本发明中像素结构的制作方法较佳实施例的流程图。
图4至图7为本发明一实施例中像素结构在制作过程中不同状态下的剖视图。
具体实施方式
本发明提供一种像素结构、显示面板及制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，图2为本发明一种像素结构，其中，包括：TFT基板100、位于TFT基板100上的像素界定层120、位于相邻像素界定层120形成的开口区内的第一电极110、位于第一电极110上的发光层130、位于像素界定层120和发光层130上的第二电极140，其中，在所述第一电极110与像素界定层120的交界处设置有垫高层150，所述垫高层150位于第一电极110的底部。
本发明通过在所述第一电极110与像素界定层120的交界处设置垫高层150，从而抬高交界处（即像素发光区周边区域）的第一电极110的高度，增强此区域在器件工作时的电场，同时避免溶液法制备发光层时材料堆积导致的膜厚增大，最终提高整个器件的发光均匀性。
具体地，所述垫高层150的一部分位于开口区内，另一部分位于像素界定层120区域内。也就是说，所述垫高层150位于发光区边缘，这是因为，发光区边缘容易存在材料堆积的问题，而引入所述垫高层150，使得具有垫高层150的发光区周边区域的第一电极110要高于发光区中心区域，从而相应增强发光区周边区域的电场，提升发光效率；同时采用溶液法制备发光层130时还可以相应减小发光区周边区域因材料堆积引起的膜厚增大，即发光层130的材料厚度将会相应减小，所以整个发光层130材料厚度更加均匀，提高了发光均匀性。
进一步，所述垫高层150的高度优选为20-200nm，如50nm。所述垫高层150的厚度具体可根据实际的发光层130材料、厚度等情况来进行调整，当发光层130本身较厚时，那么相应增大垫高层150高度，当发光层130本身较薄时，那么相应减小垫高层150高度。
所述垫高层150的材质可以是绝缘材料，所述绝缘材料可以是无机材料、有机材料或负性光阻材料。所述无机材料可以是SiN、 SiO2、Al2O3、SrO、Ta2O5、V2O5、HfO2或TiO2等等常见的无机材料；所述有机材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚a-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚碳酸亚丙酯或聚苯乙烯等等。
另外，所述垫高层150的材质也不仅限于绝缘材料，例如选择导电材料制作所述垫高层150，即垫高层150的材质为导电材料，采用该材质的垫高层150可以提高整个发光区的电流注入均匀性，从而提升显示效果。
本发明中，所述第一电极110完全覆盖垫高层150，并与驱动TFT的S/D电极相连，当本发明的像素结构其发光器件为底发射器件时，则所述第一电极110为透明导电薄膜，例如透明金属氧化物薄膜；当发光器件为顶发射器件时，则所述第一电极110为发射导电薄膜，例如导电金属薄膜。
所述发光层130的发光像素单位是OLED或QLED。当发光像素单元为OLED时，所述的发光层130包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层，进一步优化还可包括电子阻挡层、空穴阻挡层、激子限定层等；当发光像素单元为QLED时，所述的发光层130包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层，进一步优化还可以包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层等。
本发明还提供一种显示面板，其包括如上所述的像素结构。
请参阅图3，图3为本发明一种像素结构的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：
S1、在TFT基板上沉积垫高层，并通过构图工艺将所述垫高层图案化；
S2、然后在TFT基板上沉积第一电极，并通过构图工艺将所述第一电极图案化，使图案化后的第一电极覆盖垫高层；
S3、再在TFT基板上沉积像素界定层，所述垫高层位于所述第一电极与像素界定层的交界处；
S4、在相邻像素界定层形成的开口区内沉积发光层；
S5、在所述发光层和像素界定层上沉积第二电极，最后进行封装。
结合图4至图7所示，首先在制作了TFT基板100上沉积垫高层150，并将其图案化，垫高层150的沉积位置应满足位于所述第一电极110与像素界定层120的交界处的要求（即位于像素发光区周边区域）；然后在TFT基板100上沉积第一电极110，并将其图案化，该第一电极110完全覆盖垫高层150，第一电极110与驱动TFT的S/D电极相连；再在TFT基板100上沉积像素界定层120；然后在相邻像素界定层120形成的开口区内沉积发光层130；在所述发光层130和像素界定层120上沉积第二电极140，形成如图2所示的结构，最后进行封装即可。
综上所述，本发明通过在第一电极与像素界定层的交界处引入垫高层（位于第一电极底部），即在像素发光区周边区域的第一电极底端引入一层垫高层，通过所述垫高层可抬高周边区域的第一电极，从而提高此区域电场，同时抑制材料堆积，避免了膜厚增大的问题，进而提高显示面板的发光均匀性以及效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：TFT基板、位于TFT基板上的像素界定层、位于相邻像素界定层形成的开口区内的第一电极、位于第一电极上的发光层、位于像素界定层和发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极与像素界定层的交界处设置有垫高层，所述垫高层位于第一电极的底部；所述垫高层的厚度可根据所述发光层的材料、厚度进行调整以使整个所述发光层的厚度均匀。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的一部分位于开口区内，另一部分位于像素界定层内。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的高度为20-200nm。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的材质为绝缘材料，所述绝缘材料为无机材料、有机材料或负性光阻材料。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述无机材料为SiN、SiO2、Al2O3、SrO、Ta2O5、V2O5、HfO2或TiO2；所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚a-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚碳酸亚丙酯或聚苯乙烯。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的材质为导电材料。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极为透明金属氧化物薄膜或者导电金属薄膜。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述发光层的发光像素单位是OLED或QLED。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的像素结构。
10.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在TFT基板上沉积垫高层，并通过构图工艺将所述垫高层图案化；
B、然后在TFT基板上沉积第一电极，并通过构图工艺将所述第一电极图案化，使图案化后的第一电极覆盖垫高层；
C、再在TFT基板上沉积像素界定层，所述垫高层位于所述第一电极与像素界定层的交界处；
D、在相邻像素界定层形成的开口区内沉积发光层；
E、在所述发光层和像素界定层上沉积第二电极，最后进行封装；
所述垫高层的厚度可根据所述发光层的材料、厚度进行调整以使整个所述发光层的厚度均匀。
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