CN105720085B - 一种像素结构、显示面板及制作方法 - Google Patents

一种像素结构、显示面板及制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105720085B
CN105720085B CN201610208652.3A CN201610208652A CN105720085B CN 105720085 B CN105720085 B CN 105720085B CN 201610208652 A CN201610208652 A CN 201610208652A CN 105720085 B CN105720085 B CN 105720085B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
pixel
pixel structure
pixel defining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610208652.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105720085A (zh
Inventor
陈亚文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd filed Critical Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority to CN201610208652.3A priority Critical patent/CN105720085B/zh
Publication of CN105720085A publication Critical patent/CN105720085A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105720085B publication Critical patent/CN105720085B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种像素结构、显示面板及制作方法。所述像素结构包括：TFT基板、位于TFT基板上的像素界定层、位于相邻像素界定层形成的开口区内的第一电极、位于第一电极上的发光层、位于像素界定层和发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极与像素界定层的交界处设置有垫高层，所述垫高层位于第一电极的底部。本发明通过在第一电极与像素界定层的交界处引入垫高层（位于第一电极底部），即在像素发光区周边区域的第一电极底端引入一层垫高层，通过所述垫高层可抬高周边区域的第一电极，从而提高此区域电场，同时抑制材料堆积，避免了膜厚增大的问题，进而提高显示面板的发光均匀性以及效率。

Description

一种像素结构、显示面板及制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、显示面板及制作方法。
背景技术
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管（OLED）由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。量子点发光二极管（QLED）由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。因此，这两种显示技术是目前显示领域发展的两个主要方向。
目前，溶液法制作OLED以及QLED是目前的研究热点，溶液法、尤其是喷墨印刷方法，能够大幅提高材料利用率，同时可实现大面积生产。但目前溶液法制作工艺存在一个难以克服的问题，即成膜均匀性，目前的工艺虽然可以有效控制咖啡环，但发光区边缘仍存在材料堆积的问题，如图1所示，在TFT基板10上形成有第一电极11、发光层13、第二电极14及像素界定层12，在发光层13与像素界定层12的边缘会发生材料堆积，膜厚增大的问题，导致显示面板的发光均匀性以及效率有所降低。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素结构、显示面板及制作方法，旨在解决现有的显示面板其发光均匀性和效率都有待提高的问题。
本发明的技术方案如下：
一种像素结构，其中，包括：TFT基板、位于TFT基板上的像素界定层、位于相邻像素界定层形成的开口区内的第一电极、位于第一电极上的发光层、位于像素界定层和发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极与像素界定层的交界处设置有垫高层，所述垫高层位于第一电极的底部。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的一部分位于开口区内，另一部分位于像素界定层内。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的高度为20-200nm。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的材质为绝缘材料，所述绝缘材料为无机材料、有机材料或负性光阻材料。
所述的像素结构，其中，所述无机材料为SiN、 SiO2、Al2O3、SrO、Ta2O5、V2O5、HfO2或TiO2；所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚a-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚碳酸亚丙酯或聚苯乙烯。
所述的像素结构，其中，所述垫高层的材质为导电材料。
所述的像素结构，其中，所述第一电极为透明金属氧化物薄膜或者导电金属薄膜。
所述的像素结构，其中，所述发光层的发光像素单位是OLED或QLED。
一种显示面板，其中，包括如上所述的像素结构。
一种像素结构的制作方法，其中，包括步骤：
A、在TFT基板上沉积垫高层，并通过构图工艺将所述垫高层图案化；
B、然后在TFT基板上沉积第一电极，并通过构图工艺将所述第一电极图案化，使图案化后的第一电极覆盖垫高层；
C、再在TFT基板上沉积像素界定层，所述垫高层位于所述第一电极与像素界定层的交界处；
D、在相邻像素界定层形成的开口区内沉积发光层；
E、在所述发光层和像素界定层上沉积第二电极，最后进行封装。
有益效果：本发明通过在第一电极与像素界定层的交界处引入垫高层（位于第一电极底部），即在像素发光区周边区域的第一电极底端引入一层垫高层，通过所述垫高层可抬高周边区域的第一电极，从而提高此区域电场，同时抑制材料堆积，避免了膜厚增大的问题，进而提高显示面板的发光均匀性以及效率。
附图说明
图1为现有技术中像素结构的结构示意图。
图2为本发明一实施例中像素结构的结构示意图。
图3为本发明中像素结构的制作方法较佳实施例的流程图。
图4至图7为本发明一实施例中像素结构在制作过程中不同状态下的剖视图。
具体实施方式
本发明提供一种像素结构、显示面板及制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，图2为本发明一种像素结构，其中，包括：TFT基板100、位于TFT基板100上的像素界定层120、位于相邻像素界定层120形成的开口区内的第一电极110、位于第一电极110上的发光层130、位于像素界定层120和发光层130上的第二电极140，其中，在所述第一电极110与像素界定层120的交界处设置有垫高层150，所述垫高层150位于第一电极110的底部。
本发明通过在所述第一电极110与像素界定层120的交界处设置垫高层150，从而抬高交界处（即像素发光区周边区域）的第一电极110的高度，增强此区域在器件工作时的电场，同时避免溶液法制备发光层时材料堆积导致的膜厚增大，最终提高整个器件的发光均匀性。
具体地，所述垫高层150的一部分位于开口区内，另一部分位于像素界定层120区域内。也就是说，所述垫高层150位于发光区边缘，这是因为，发光区边缘容易存在材料堆积的问题，而引入所述垫高层150，使得具有垫高层150的发光区周边区域的第一电极110要高于发光区中心区域，从而相应增强发光区周边区域的电场，提升发光效率；同时采用溶液法制备发光层130时还可以相应减小发光区周边区域因材料堆积引起的膜厚增大，即发光层130的材料厚度将会相应减小，所以整个发光层130材料厚度更加均匀，提高了发光均匀性。
进一步，所述垫高层150的高度优选为20-200nm，如50nm。所述垫高层150的厚度具体可根据实际的发光层130材料、厚度等情况来进行调整，当发光层130本身较厚时，那么相应增大垫高层150高度，当发光层130本身较薄时，那么相应减小垫高层150高度。
所述垫高层150的材质可以是绝缘材料，所述绝缘材料可以是无机材料、有机材料或负性光阻材料。所述无机材料可以是SiN、 SiO2、Al2O3、SrO、Ta2O5、V2O5、HfO2或TiO2等等常见的无机材料；所述有机材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚a-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚碳酸亚丙酯或聚苯乙烯等等。
另外，所述垫高层150的材质也不仅限于绝缘材料，例如选择导电材料制作所述垫高层150，即垫高层150的材质为导电材料，采用该材质的垫高层150可以提高整个发光区的电流注入均匀性，从而提升显示效果。
本发明中，所述第一电极110完全覆盖垫高层150，并与驱动TFT的S/D电极相连，当本发明的像素结构其发光器件为底发射器件时，则所述第一电极110为透明导电薄膜，例如透明金属氧化物薄膜；当发光器件为顶发射器件时，则所述第一电极110为发射导电薄膜，例如导电金属薄膜。
所述发光层130的发光像素单位是OLED或QLED。当发光像素单元为OLED时，所述的发光层130包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层，进一步优化还可包括电子阻挡层、空穴阻挡层、激子限定层等；当发光像素单元为QLED时，所述的发光层130包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层，进一步优化还可以包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层等。
本发明还提供一种显示面板，其包括如上所述的像素结构。
请参阅图3，图3为本发明一种像素结构的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：
S1、在TFT基板上沉积垫高层，并通过构图工艺将所述垫高层图案化；
S2、然后在TFT基板上沉积第一电极，并通过构图工艺将所述第一电极图案化，使图案化后的第一电极覆盖垫高层；
S3、再在TFT基板上沉积像素界定层，所述垫高层位于所述第一电极与像素界定层的交界处；
S4、在相邻像素界定层形成的开口区内沉积发光层；
S5、在所述发光层和像素界定层上沉积第二电极，最后进行封装。
结合图4至图7所示，首先在制作了TFT基板100上沉积垫高层150，并将其图案化，垫高层150的沉积位置应满足位于所述第一电极110与像素界定层120的交界处的要求（即位于像素发光区周边区域）；然后在TFT基板100上沉积第一电极110，并将其图案化，该第一电极110完全覆盖垫高层150，第一电极110与驱动TFT的S/D电极相连；再在TFT基板100上沉积像素界定层120；然后在相邻像素界定层120形成的开口区内沉积发光层130；在所述发光层130和像素界定层120上沉积第二电极140，形成如图2所示的结构，最后进行封装即可。
综上所述，本发明通过在第一电极与像素界定层的交界处引入垫高层（位于第一电极底部），即在像素发光区周边区域的第一电极底端引入一层垫高层，通过所述垫高层可抬高周边区域的第一电极，从而提高此区域电场，同时抑制材料堆积，避免了膜厚增大的问题，进而提高显示面板的发光均匀性以及效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：TFT基板、位于TFT基板上的像素界定层、位于相邻像素界定层形成的开口区内的第一电极、位于第一电极上的发光层、位于像素界定层和发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极与像素界定层的交界处设置有垫高层，所述垫高层位于第一电极的底部；所述垫高层的厚度可根据所述发光层的材料、厚度进行调整以使整个所述发光层的厚度均匀。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的一部分位于开口区内，另一部分位于像素界定层内。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的高度为20-200nm。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的材质为绝缘材料，所述绝缘材料为无机材料、有机材料或负性光阻材料。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述无机材料为SiN、SiO2、Al2O3、SrO、Ta2O5、V2O5、HfO2或TiO2；所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚a-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚碳酸亚丙酯或聚苯乙烯。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垫高层的材质为导电材料。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极为透明金属氧化物薄膜或者导电金属薄膜。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述发光层的发光像素单位是OLED或QLED。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的像素结构。
10.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在TFT基板上沉积垫高层，并通过构图工艺将所述垫高层图案化；
B、然后在TFT基板上沉积第一电极，并通过构图工艺将所述第一电极图案化，使图案化后的第一电极覆盖垫高层；
C、再在TFT基板上沉积像素界定层，所述垫高层位于所述第一电极与像素界定层的交界处；
D、在相邻像素界定层形成的开口区内沉积发光层；
E、在所述发光层和像素界定层上沉积第二电极，最后进行封装；
所述垫高层的厚度可根据所述发光层的材料、厚度进行调整以使整个所述发光层的厚度均匀。
CN201610208652.3A 2016-04-06 2016-04-06 一种像素结构、显示面板及制作方法 Active CN105720085B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610208652.3A CN105720085B (zh) 2016-04-06 2016-04-06 一种像素结构、显示面板及制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610208652.3A CN105720085B (zh) 2016-04-06 2016-04-06 一种像素结构、显示面板及制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105720085A CN105720085A (zh) 2016-06-29
CN105720085B true CN105720085B (zh) 2020-02-07

Family

ID=56160579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610208652.3A Active CN105720085B (zh) 2016-04-06 2016-04-06 一种像素结构、显示面板及制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105720085B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107689421B (zh) * 2017-03-21 2020-01-24 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素界定层及其制备方法和应用
CN107068722B (zh) * 2017-04-20 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108346677B (zh) * 2017-07-17 2019-03-12 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素结构及其制作方法
CN107819079A (zh) * 2017-10-18 2018-03-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法、有机发光显示装置
US10297780B2 (en) 2017-10-18 2019-05-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting display panel, method for fabricating the same, and organic light-emitting display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102956669A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 三星显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
CN104241329A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法
CN104752490A (zh) * 2015-04-16 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102956669A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 三星显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
CN104241329A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法
CN104752490A (zh) * 2015-04-16 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105720085A (zh) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105720085B (zh) 一种像素结构、显示面板及制作方法
CN110085648B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN106449722B (zh) 印刷型顶发射电致发光显示器及其制备方法
CN105789246B (zh) 有机发光显示装置和有机发光显示面板及其制造方法
KR101990116B1 (ko) 유기발광장치 및 그것의 제조방법
KR101901574B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101703343B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114759071A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
EP2270866B1 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
WO2015062297A1 (zh) 发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法
WO2018120362A1 (zh) Oled基板及其制作方法
CN107968107B (zh) 印刷型电致发光显示器及其制作方法
US20190157364A1 (en) Pixel Definition Layer, Array Substrate and Display Panel
CN109713009B (zh) 电致发光器件及其制作方法
WO2019201104A1 (zh) 像素单元、显示面板、显示设备及制造像素单元的方法
JP2006302874A (ja) 表示装置
JP2017152328A (ja) 表示装置
KR102096887B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
CN109285963A (zh) 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
CN117596951A (zh) 具有改善的分辨率和可靠性的电致发光器件
CN108987431B (zh) 像素结构及其制作方法
KR20220129601A (ko) 미러를 갖는 oled(organic light-emitting diode) 디스플레이 디바이스들 및 이를 제조하기 위한 방법
KR100968886B1 (ko) 유기발광 다이오드 디스플레이
US10937983B2 (en) Organic electroluminescent device and display panel
WO2024055821A9 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant