CN107968107B - 印刷型电致发光显示器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种印刷型电致发光显示器及其制备方法。该印刷型电致发光显示器包括基板、驱动电路、图案化像素电极、第一像素区域层、第二像素区域层、发光层以及顶电极。基板上设有TFT阵列;基板上表面设有驱动电路以及多个图案化像素电极;第一像素区域层设在基板的上表面且覆盖各个图案化像素电极的边缘;第二像素区域层设在第一像素区域层上方,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层之间围成墨水沉积区,且不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的宽度以及高度均分别大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的宽度以及高度;各个墨水沉积区内均设有发光层,发光层的上表面沉积有顶电极。该印刷型电致发光显示器辨率高、抗干扰好。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示器领域,特别是涉及一种印刷型电致发光显示器及其制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点,是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
目前,在印刷工艺中,通过像素排列结构的优化,通过将相邻像素相同颜色子像素集中在一起,然后通过像素区域层结构的优化,扩大墨水的沉积区域,从而实现高分辨率显示器的制备。但是,当采用顶发射的器件结构时,在这种像素结构中,由于相邻相同颜色子像素间的区域层很低,因此相互之间会存在一定干扰现象,导致显示器的显示效果下降。
发明内容
基于此,有必要提供一种分辨率高,能有效的隔断顶发射器件结构中相邻相同颜色子像素间发光干扰现象的印刷型电致发光显示器及其制作方法。
一种印刷型电致发光显示器,包括基板、驱动电路、图案化像素电极、第一像素区域层、第二像素区域层、发光层以及顶电极,所述基板上设有TFT阵列;
所述基板上表面设有所述驱动电路以及多个所述图案化像素电极,相邻的所述图案化像素电极之间具有间隔;所述第一像素区域层设在所述基板的上表面且覆盖各个所述图案化像素电极的边缘;
所述第二像素区域层设在所述第一像素区域层上方,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层与相应的第一像素区域层构成的组合结构之间围成墨水沉积区,且不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的宽度以及高度均分别大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的宽度以及高度;
各个所述墨水沉积区内均设有所述发光层,所述发光层的上表面沉积有所述顶电极。
在其中一个实施例中,所述基板为玻璃基板或柔性基板。
在其中一个实施例中,所述TFT阵列包括非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列。
在其中一个实施例中,所述图案化像素电极为常规反射电极或者叠层结构反射电极;其中常规反射电极的材质为铝薄膜、银薄膜和/或铝薄膜与银薄膜的合金;所述叠层结构反射电极的材质为导电金属和/或导电金属氧化物。
在其中一个实施例中,所述第一像素区域层呈亲液性,所述第一像素区域层的厚度为100μm-300μm;
所述第二像素区域层呈疏液性,相邻不同颜色子像素间的第二像素区域层厚度为800nm-1200nm;相邻相同颜色子像素间的第二像素区域层厚度为300nm-500nm。
在其中一个实施例中,所述发光层为OLED发光层或QLED发光层。
在其中一个实施例中,所述发光层中至少包括光发射层、载流子注入层、载流子传输层、载流子限定层、激子限定层中的一层或多层。
在其中一个实施例中,所述顶电极为透明顶电极,所述顶电极的厚度为15nm-30nm。
在其中一个实施例中,所述顶电极的材质为导电金属薄膜或者导电金属氧化物薄膜,其中,所述导电金属薄膜为镁银合金和/或铝银合金,所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO和/或IZO。
本实施例还提供了一种印刷型电致发光显示器的制备方法。
一种印刷型电致发光显示器的制备方法,包括如下步骤:
S1、在基板上设置驱动电路以及多个图案化像素电极;
S2、在所述基板上制作第一像素区域层,所述第一像素区域层覆盖所有图案化像素电极的边缘区;
S3、在所述第一像素区域层上制作第二像素区域层,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层之间围成墨水沉积区,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的高度和宽度均分别对应大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的高度和宽度;
S4、在所述墨水沉积区沉积发光墨水,各个相邻相同颜色子像素内的发光墨水会相互融合形成一个整体;
S5、去除沉积的墨水中的溶剂,并烘干形成发光层;
S6、沉积透明顶电极,即形成印刷型电致发光显示器。
上述的印刷型电致发光显示器,通过于相邻相同颜色子像素的第一像素区域层上重新引入第二像素区域层,通过减小此区域第二像素区域层的高度和宽度,同样实现高分辨率印刷显示器件的制作,同时利用此较小宽度和高度的第二像素区域层避免采用顶发射器件结构时相邻相同颜色子像素间发光干扰现象。
附图说明
图1为一实施例印刷型电致发光显示器示意图;
图2为图1所示印刷型电致发光显示器制备流程图。
附图标记说明
10、印刷型电致发光显示器;100、基板;200、图案化像素电极;300、第一像素区域层;400、第二像素区域层;500、发光层;600、顶电极;20、发光墨水。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1所示,本实施例涉及了一种印刷型电致发光显示器10。该印刷型电致发光显示器10包括基板100、驱动电路、图案化像素电极200、第一像素区域层300、第二像素区域层400、发光层500以及顶电极600。
参见图1所示,基板100上设有TFT阵列。在本实施例中,基板100为玻璃基板100或柔性基板100。
进一步地,参见图1所示,TFT阵列包括非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列。
参见图1所示,基板100上表面设有驱动电路以及多个图案化像素电极200。相邻的图案化像素电极200之间具有间隔。
进一步地,图案化像素电极200为常规反射电极或者叠层结构反射电极;其中常规反射电极的材质为铝薄膜、银薄膜和/或铝薄膜与银薄膜的合金;叠层结构反射电极的材质为导电金属和/或导电金属氧化物。
参见图1所示,第一像素区域层300设在基板100的上表面且覆盖各个图案化像素电极200的边缘。
参见图1所示,第二像素区域层400设在第一像素区域层300上方,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层400与相应的第一像素区域层300构成的组合结构之间围成墨水沉积区,且不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层400的宽度以及高度均分别大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层400的宽度以及高度。
在本实施例中,第一像素区域层300呈亲液性,第一像素区域层300的厚度为100-300μm。
第二像素区域层400呈疏液性,相邻不同颜色子像素间的第二像素区域层400的厚度为800-1200nm。相邻不同颜色子像素间的第二像素区域层400的底部宽度较第一像素区域层300的顶部宽度略小,相邻不同颜色子像素间的第二像素区域层400的底部与第一像素区域层300的顶部之间存在0μm-5μm的台阶,此区域的第二像素区域层400定义了各色子像素的墨水沉积区域,呈疏水性,可以有效防止墨水溢出,造成不同颜色子像素混色,提高印刷工艺制备的产品良率。
相邻相同颜色子像素间的第二像素区域层400的厚度为300nm-500nm。相邻相同颜色子像素间的第二像素区域层400的顶部宽度小于第一像素区域层300的顶部宽度,相邻相同颜色子像素间的第二像素区域层400的顶部与第一像素区域层300的顶部之间存在10μm-20μm的台阶,且此区域的第二像素区域层400的顶部呈均匀对称弧形,即弧度的顶点位于bank底部宽度的中心线,这样墨水干燥过程中,当墨水体积减小到需要分散到各单独子像素内时,均匀对称的弧形可以均匀的分散墨水,防止墨水分散不均引起不同子像素厚度不均现象。
参见图1所示,各个墨水沉积区内均设有发光层500,发光层500的上表面沉积有顶电极600。进一步地,发光层500为OLED发光层或QLED发光层500。
在本实施例中,发光层500中至少包括光发射层、载流子注入层、载流子传输层、载流子限定层、激子限定层中的一层或多层。
优选地,顶电极600为透明顶电极600,顶电极600的厚度为15nm-30nm。顶电极600的材质为导电金属薄膜或者导电金属氧化物薄膜,其中,导电金属薄膜为镁银合金和/或铝银合金,导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO和/或IZO。
参见图1及图2所示,本实施例涉及的印刷型电致发光显示器10在制备时还涉及印刷型电致发光显示器10的制备方法。
一种印刷型电致发光显示器10的制备方法,包括如下步骤:
S1、参见图2(1)所示,在基板100上设置驱动电路以及多个图案化像素电极200。
S2、参见图2(2)所示,在基板100上制作第一像素区域层300,第一像素区域层300覆盖所有图案化像素电极200的边缘区。
S3、参见图2(3)所示,在第一像素区域层300上制作第二像素区域层400,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层400之间围成墨水沉积区,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层400的高度和宽度均分别对应大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层400的高度和宽度。
S4、参见图2(4)所示,在墨水沉积区沉积发光墨水20,各个相邻相同颜色子像素内的发光墨水20会相互融合形成一个整体。
S5、参见图2(5)所示,去除沉积的墨水中的溶剂,并烘干形成发光层500。
S6、参见图2(6)所示,沉积透明顶电极600,即形成印刷型电致发光显示器10。
上述的印刷型电致发光显示器10,通过于相邻相同颜色子像素的第一像素区域层300上重新引入第二像素区域层400,通过减小此区域第二像素区域层400的高度和宽度,同样实现高分辨率印刷显示器件的制作,同时利用此较小宽度和高度的第二像素区域层400避免采用顶发射器件结构时相邻相同颜色子像素间发光干扰现象。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种印刷型电致发光显示器,其特征在于,包括基板、驱动电路、图案化像素电极、第一像素区域层、第二像素区域层、发光层以及顶电极,所述基板上设有TFT阵列;
所述基板上表面设有所述驱动电路以及多个所述图案化像素电极,相邻的所述图案化像素电极之间具有间隔;所述第一像素区域层设在所述基板的上表面且覆盖各个所述图案化像素电极的边缘;
所述第二像素区域层设在所述第一像素区域层上方,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层与相应的第一像素区域层构成的组合结构之间围成墨水沉积区,且不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的宽度以及高度均分别大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的宽度以及高度;
各个所述墨水沉积区内均设有所述发光层,所述发光层的上表面沉积有所述顶电极。
2.根据权利要求1所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述基板为玻璃基板或柔性基板。
3.根据权利要求1所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述TFT阵列包括非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列。
4.根据权利要求1所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述图案化像素电极为常规反射电极或者叠层结构反射电极;其中常规反射电极的材质为铝薄膜、银薄膜和/或铝薄膜与银薄膜的合金;所述叠层结构反射电极的材质为导电金属和/或导电金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述第一像素区域层呈亲液性,所述第一像素区域层的厚度为100μm-300μm;
所述第二像素区域层呈疏液性,相邻不同颜色子像素间的第二像素区域层厚度为800nm-1200nm;相邻相同颜色子像素间的第二像素区域层厚度为300nm-500nm。
6.根据权利要求1所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述发光层为OLED发光层或QLED发光层。
7.根据权利要求6所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述发光层中至少包括光发射层、载流子注入层、载流子传输层、载流子限定层、激子限定层中的一层或多层。
8.根据权利要求1所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述顶电极为透明顶电极,所述顶电极的厚度为15nm-30nm。
9.根据权利要求8所述的印刷型电致发光显示器,其特征在于,所述顶电极的材质为导电金属薄膜或者导电金属氧化物薄膜,其中,所述导电金属薄膜为镁银合金和/或铝薄膜与银薄膜的合金,所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO和/或IZO。
10.一种印刷型电致发光显示器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、在基板上设置驱动电路以及多个图案化像素电极;
S2、在所述基板上制作第一像素区域层,所述第一像素区域层覆盖所有图案化像素电极的边缘区;
S3、在所述第一像素区域层上制作第二像素区域层,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层之间围成墨水沉积区,不同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的高度和宽度均分别对应大于相同颜色子像素相邻区的第二像素区域层的高度和宽度;
S4、在所述墨水沉积区沉积发光墨水,各个相邻相同颜色子像素内的发光墨水会相互融合形成一个整体;
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