CN106856203B - 一种顶发射显示发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种顶发射显示发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种顶发射显示发光器件及其制备方法，包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素bank，所述像素bank覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，所述辅助电极边缘区域的像素bank形成倒角状的tape角，所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。本发明由于将辅助电极边缘区域的像素bank的tape角设置成倒角状，从而在蒸镀功能层时形成裸露的辅助电极区，随后在沉积的顶电极会覆盖暴露出来的辅助电极，从而形成顶电极与辅助电极的相连结构，本发明的结构大大简化的制作工艺，提高了制作效率。

Description

一种顶发射显示发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种顶发射显示发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，而量子点发光二极管（QLED）具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，所以上述两种器件是目前显示器件研究的两个主要方向。其中，顶发射型器件由于可以获得更大的开口率，近年来成为了研究的热点。但是，顶发射器件由于需要增加光的透过率，顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，电压降严重，会引起显示器的发光不均匀现象。
为了改善发光均匀性，往往会引入与顶电极相连通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶电极的电压降，以改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的，因此不能制作在发光区域上。目前，辅助电极往往通过光刻工艺或者精细金属掩膜制备，制作工艺对位精度要求高，且金属掩膜则会随着面板尺寸的增大在重力作用下形成应力弯曲，导致对位不准的问题。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种顶发射显示发光器件及其制备方法，旨在解决现有顶发射显示发光器件的辅助电极结构无法简化工艺的问题。
本发明的技术方案如下：
一种顶发射显示发光器件，其中，包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素bank，所述像素bank覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，所述辅助电极边缘区域的像素bank形成倒角状的tape角，所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极，所述像素电极上方依次设置有发光层、功能层和顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述像素电极边缘区域的像素bank的tape角为30-60°。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述辅助电极边缘区域的像素bank的tape角大于90°。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述发光层为聚合物发光层或小分子发光层。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述功能层依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及激子阻挡层；或者，所述功能层依次包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层以及激子阻挡层。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述像素电极包括反射金属薄薄与位于反射金属薄膜上方的透明导电薄膜。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述反射金属薄薄为Al、Ag或其合金。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述透明导电薄膜为ITO或IZO。
所述的顶发射显示发光器件，其中，所述基板为刚性基板或柔性基板。
一种如上所述的顶发射显示发光器件的制备方法，其中，包括步骤：
A、提供一基板，并在基板上制作图案化的像素电极以及辅助电极；
B、在基板上制作像素bank，所述像素bank覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，其中，辅助电极边缘区域的像素bank成倒角状的tape角；
C、在像素电极上沉积发光层；
D、在显示区域蒸镀功能层；
E、最后采用ALD工艺沉积顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。
有益效果：本发明的辅助电极边缘区域的像素bank具有倒角状的接触角，在蒸镀功能层时，由于蒸镀工艺的台阶覆盖性较差，所以功能层无法完全覆盖倒角状接触角下端的辅助电极，从而形成裸露的辅助电极区，随后通过ALD沉积顶电极，由于ALD良好的台阶覆盖性，沉积的顶电极会覆盖暴露出来的辅助电极，从而形成顶电极与辅助电极的相连结构，本发明的结构大大简化的制作工艺，提高了制作效率。
附图说明
图1为本发明一种顶发射显示发光器件较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明一种顶发射显示发光器件的制备方法较佳实施例的流程图。
图3至图5为本发明一种顶发射显示发光器件的制备方法较佳实施例的不同状态结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种顶发射显示发光器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明一种顶发射显示发光器件，其中，包括基板10、位于基板10上的像素电极11、位于基板10上的辅助电极12、以及位于基板10上用于分隔像素电极11和辅助电极12的像素bank 13，所述像素bank 13覆盖像素电极11边缘区域以及辅助电极12边缘区域，所述辅助电极12边缘区域的像素bank 13形成倒角状的tapeβ，所述辅助电极12上方依次设置有功能层15和顶电极16，所述像素电极11上方依次设置有发光层14、功能层15和顶电极16，且倒角状的tape角β下端的辅助电极12与其上方的顶电极16相连。
本发明通过在制作像素电极11的同时制作辅助电极12，像素电极11和辅助电极12在像素bank 13中均具有开口，即所述像素bank 13覆盖像素电极11边缘区域以及辅助电极12边缘区域，从而露出像素电极11以及辅助电极12，同时辅助电极12边缘区域的像素bank13具有倒角状的tape角β，由于常规的蒸镀工艺具有较差的台阶覆盖性，因此在沉积功能层15时，具有倒角状tape角β下端的辅助电极12不能完全被功能层15覆盖，最终采用ALD工艺（原子层沉积工艺）沉积顶电极16时，由于ALD良好的台阶覆盖性，顶电极16会与倒角状tape角β下端的露出的辅助电极12相连，从而形成具有辅助电极12的顶发射型显示发光器件的制备。
其中的像素电极11和辅助电极12优选采用相同的材料以及工艺制备，且在同一道工序中完成，不同的是，二者边缘的像素bank 13的tape角不同。其中，像素电极11边缘区域的像素bank 13的tape角α为小角度的tape角，其tape角α为30-60°，如45°，在实施功能层15的沉积时，功能层15会完全覆盖小角度tape角下端的像素电极11，所以后续像素电极11与顶电极16不会相连，而辅助电极12边缘区域的像素bank 13的tape角β为倒角状，其tape角β大于90°，所以在实施功能层15的沉积时，功能层15不会完全覆盖倒角状tape角β下端的辅助电极12，而在ALD工艺沉积顶电极16时，顶电极16与露出的辅助电极12相连。
所述基板10可以是刚性基板或柔性基板，其中的刚性基板为玻璃基板等，柔性基板可以是PET基板，在基板10上具有像素电极图案，当显示面板为PM(被动式)面板时，其不具有驱动TFT阵列，当显示面板为AM(主动式)面板时，基板10上具有驱动TFT阵列。
所述像素电极11为反射电极。另外，所述像素电极11具有双层结构，即像素电极11包括反射金属薄薄与位于反射金属薄膜上方的透明导电薄膜，其中反射金属薄膜为Al、Ag或其合金，透明导电薄膜为ITO或IZO等透明导电金属氧化物。在反射金属薄膜上端覆盖透明导电薄膜的目的是防止后续采用ALD工艺制作顶电极16时，反射金属薄膜被氧化而在表面形成绝缘性氧化层，这种绝缘性氧化层会影响顶电极16与辅助电极12的连通。
所述像素bank 13为本领域常规材料制备，如常规的一些负性光阻材料。
所述发光层14为聚合物发光层或小分子发光层。所述聚合物发光层的材料包括但不限于：P-PPV、MEH-PPV、PFB、F8BT等可溶液加工的聚合物发光材料，所述小分子发光层包括可溶液加工的荧光小分子发光材料、磷光小分子材料以及延迟态荧光小分子材料及相应的掺杂主体材料。所述发光层14采用蒸镀或印刷工艺制备。
根据器件结构的优化，在所述发光层14上可制作不同的功能层15，优选的，所述发光层14与像素电极11之间引入空穴注入层和空穴传输层，以分别提高像素电极11与发光层14之间的空穴注入以及传输。且根据顶发射显示发光器件所采用的器件结构不同，即正装结构或倒置结构，功能层各不一样，当采用正装结构时，所述功能层15依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及激子阻挡层；当采用倒置结构时，所述功能层15依次包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层以及激子阻挡层。
所述功能层15采用蒸镀工艺制备，所述功能层15为器件中所有的发光像素单元共用。由于蒸镀工艺的台阶覆盖性较差，因此辅助电极12由于周边的像素bank 13tape角β为倒角状，因此蒸镀的功能层15无法完全覆盖辅助电极12，即只是部分覆盖辅助电极12，当采用ALD工艺沉积顶电极16时，由于ALD工艺的良好台阶覆盖性，从而形成顶电极16与辅助电极12的连通。
所述顶电极16为透明电极，如ITO或IZO等透明导电金属氧化物，采用ALD工艺制备，由于ALD良好的台阶覆盖性，顶电极16能够覆盖倒角状tape角β下端的辅助电极12，形成与辅助电极12的连通。
请参阅图2，图2为本发明还提供一种如上所述的顶发射显示发光器件的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤：
S1、提供一基板，并在基板上制作图案化的像素电极以及辅助电极；
结合图3所示，先准备一基板10，在基板上采用相同的工艺和材料制作像素电极11以及辅助电极12。
S2、在基板上制作像素bank，所述像素bank覆盖像素电极以及辅助电极边缘区域，其中，辅助电极边缘区域的像素bank成倒角状的tape角；
如图3所示，像素bank 13将像素电极11与辅助电极12分隔，且像素电极11所在区域的像素bank 13其开口较大，所以形成的tape角较小，tape角范围在30-60°，辅助电极12所在区域的像素bank 13开口较小，所以形成的tape角较大，tape角大于90°。
S3、在像素电极上沉积发光层；
如图4所示，像素电极11上制作发光层14，以形成像素发光区。
S4、在显示区域蒸镀功能层；
如图5所示，在制作功能层时，由于是在基板整个显示区域都蒸镀功能层，所以功能层在沉积到像素电极11所在区域之外，也会沉积到辅助电极12所在区域，但由于蒸镀工艺的台阶覆盖性较差，所以功能层15无法完全覆盖辅助电极12，使辅助电极12的部分区域裸露在外。
S5、最后采用ALD工艺沉积顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。最后制得的顶发射显示发光器件。
如图1所示，由于ALD工艺其台阶覆盖性较好，能够完全覆盖辅助电极12，从而使得顶电极16与辅助电极12连通。
综上所述，本发明的辅助电极边缘区域的像素bank具有倒角状的tape角，在蒸镀功能层时，由于蒸镀工艺的台阶覆盖性较差，所以功能层无法完全覆盖倒角状tape角下端的辅助电极，从而形成裸露的辅助电极区，随后通过ALD沉积顶电极，由于ALD良好的台阶覆盖性，沉积的顶电极会覆盖暴露出来的辅助电极，从而形成顶电极与辅助电极的相连结构，本发明的结构大大简化的制作工艺，提高了制作效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种顶发射显示发光器件，其特征在于，包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素界定层，所述像素界定层覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，所述辅助电极边缘区域的像素界定层形成倒角状的夹角，所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极，所述像素电极上方依次设置有发光层、功能层和顶电极，且倒角状的夹角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连；
所述辅助电极边缘区域的像素界定层的夹角大于90°。
2.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述像素电极边缘区域的像素界定层的夹角为30-60°。
3.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述发光层为聚合物发光层或小分子发光层。
4.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述功能层依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及激子阻挡层；或者，所述功能层依次包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层以及激子阻挡层。
5.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述像素电极包括反射金属薄膜与位于反射金属薄膜上方的透明导电薄膜。
6.根据权利要求5所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述反射金属薄膜为Al、Ag或其合金。
7.根据权利要求5所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述透明导电薄膜为ITO或IZO。
8.根据权利要求1所述的顶发射显示发光器件，其特征在于，所述基板为刚性基板或柔性基板。
9.一种如权利要求1所述的顶发射显示发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、提供一基板，并在基板上制作图案化的像素电极以及辅助电极；
B、在基板上制作像素界定层，所述像素界定层覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，其中，辅助电极边缘区域的像素界定层成倒角状的夹角；
C、在像素电极上沉积发光层；
D、在显示区域蒸镀功能层；
E、最后采用ALD工艺沉积顶电极，且倒角状的夹角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。
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