CN110148612A - 有机发光二极管显示面板及其制作方法 - Google Patents

有机发光二极管显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110148612A
CN110148612A CN201910353617.4A CN201910353617A CN110148612A CN 110148612 A CN110148612 A CN 110148612A CN 201910353617 A CN201910353617 A CN 201910353617A CN 110148612 A CN110148612 A CN 110148612A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
cathode layer
display panel
cathode
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910353617.4A
Other languages
English (en)
Inventor
赵媛媛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910353617.4A priority Critical patent/CN110148612A/zh
Publication of CN110148612A publication Critical patent/CN110148612A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机发光二极管显示面板,包括:基板、像素定义层、阳极层、发光层、电子传输层、阴极层以及反射层;所述阴极层设置在所述电子传输层上面,包括两种不同的厚度;所述反射层设置在所述阴极层上面,用于提高出光率;有益效果:与现有技术相比,本申请所提供的有机发光二极管显示面板及其制作方法,采用一种新的蒸镀工艺,将显示面板中的阴极层分成第一阴极层和第二阴极层,所述第一阴极层设置在所述像素层正上方,所述第一阴极层的厚度小于所述第二阴极层的厚度,在保证所述有机发光二极管显示面板出光率的同时降低显示面板的功耗,此外,还在所述第一阴极层和所述第二阴极层上沉积所述反射层,提高了出光率。

Description

有机发光二极管显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示面板及其制作方法。
背景技术
有机电致发光器件(organic light-emitting devices,OLEDs)由于具有能主动发光、可在低温下工作、发光响应速度快、视角广、效率高、可制作柔性显现器件、驱动电压及能耗低等优点吸引了全球众多显示厂商的目光,被认为是下一代的显示技术。
随着新型显示技术的飞速发展,OLED显示器被赋予了更多的期待,例如更广的色域、更高的对比度、更低的能耗、更高的分辨率等。在当前主流的面板结构中,为了减少阴极对于出光的吸收,降低出光效率的损失,通常会将阴极厚度制作得较薄,但阴极厚度太薄会使其电阻升高,即显示面板上的压降(IR drop)上升,为保证显示面板显示亮度均一性需升高外接电压,最终导致显示面板的功耗增加。
因此,现有的有机发光二极管显示面板技术中,还存在有机发光二极管显示面板的阴极厚度过低使得电阻升高,从而使得显示面板的压降上升,最终导致显示面板的功耗增加或是阴极厚度过高降低了出光率的问题,急需改进。
发明内容
本申请涉及一种有机发光二极管显示面板及其制作方法,用于解决现有技术中存在的显示面板的阴极厚度过低使得电阻升高,从而使得显示面板的压降上升,最终导致显示面板的功耗增加或是阴极厚度过高降低了出光率的问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供的一种有机发光二极管显示面板,包括:基板、像素定义层、阳极层、发光层、电子传输层、阴极层以及反射层;其中,
所述基板设置在所述整个显示面板的底部;
所述像素定义层设置在所述基板的上面;
所述阳极层设置在所述基板与所述像素定义层上面;
所述发光层设置在所述阳极层上面;
所述电子传输层设置在所述发光层上面;
所述阴极层设置在所述电子传输层上面,包括两种不同的厚度;
所述反射层设置在所述阴极层上面,用于提高出光率。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述有机发光二极管显示面板为顶发光型有机发光二极管显示面板。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述阴极层分为第一阴极层和第二阴极层。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第一阴极层的厚度小于所述第二阴极层的厚度。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第一阴极层的厚度为120nm,所述第二阴极层的厚度为380nm。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第一阴极层与所述第二阴极层采用蒸镀工艺制成。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第二阴极层采用硫作为蒸镀掩膜版。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述阳极采用镁、银合金所组成的半透明材料。
本申请还提供一种有机发光二极管显示面板的制作方法,所述有机发光二极管显示面板包括:基板、像素定义层、阳极层、发光层、电子传输层、第一阴极层以及第二阴极层,该方法包括如下步骤:
S10,提供一基板;
S20,在所述基板上依次沉积所述像素定义层、所述阳极层、所述发光层以及所述电子传输层;
S30,在所述电子传输层上蒸镀所述阴极层,使得所述阴极层至少包括两种不同的厚度;
S40,在所述第一阴极层和所述第二阴极层上沉积反射层。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,步骤“S30”如下:
S301,在所述电子传输层上蒸镀所述第一阴极层,使得所述第一阴极层的厚度达到120nm;
S302,采用高精度掩膜版在所述第一阴极层上蒸镀一层硫,使得所述硫层仅覆盖在像素层上方;
S303,在所述第一阴极层上面,所述硫层未覆盖的区域蒸镀所述第二阴极层,使得所述第二阴极层的厚度达到380nm;
S304,加热,使得所述硫层升华。
有益效果:与现有技术相比,本申请所提供的有机发光二极管显示面板及其制作方法,采用一种新的蒸镀工艺,将显示面板中的阴极层分成第一阴极层和第二阴极层,所述第一阴极层设置在所述像素层正上方,所述第一阴极层的厚度小于所述第二阴极层的厚度,在保证所述有机发光二极管显示面板出光率的同时降低显示面板的功耗,此外,还在所述第一阴极层和所述第二阴极层上沉积所述反射层,提高了出光率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的有机发光二极管显示面板的结构示意图。
图2-10为本申请实施例提供的有机发光二极管显示面板的制作工艺示意图。
图11为本申请实施例提供的有机发光二极管显示面板制作方法的第一流程示意图。
图12为本申请实施例提供的有机发光二极管显示面板制作方法的第二流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法,具体参阅图1-12。
参阅图1,为本申请实施例提供的有机发光二极管显示面板的结构示意图。包括:基板1,像素定义层2,阳极层3,发光层4(图中未示出),电子传输层5,第一阴极层61,第二阴极层62,反射层8;其中,所述发光层4又分为绿色发光层41,蓝色发光层42以及红色发光层43。
本申请提供的一种有机发光二极管显示面板,包括:基板1、像素定义层2、阳极层3、发光层4、电子传输层5、阴极层6(图中未示出)以及反射层8;其中,所述基板1设置在所述整个显示面板的底部;所述像素定义层2设置在所述基板1的上面;所述阳极层3设置在所述基板1与所述像素定义层2上面;所述发光层4设置在所述阳极层3上面;所述电子传输层5设置在所述发光层4上面;所述阴极层6设置在所述电子传输层5上面,包括两种不同的厚度;所述反射层8设置在所述阴极层6上面,用于提高出光率。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述有机发光二极管显示面板为顶发光型有机发光二极管显示面板。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,由于阴极厚度较薄时,会使得电阻升高,显示面板的压降上升,从而使得显示面板显示亮度的均一性受到影响,还会影响显示面板的功耗。为了较少阴极对于出光的吸收,降低出光效率的损失,既保证显示面板的压降不会受到阴极厚度的影响上升,又不会增加显示面板的功耗,本申请特将显示面板内的阴极设置成两种不同的厚度,即所述阴极层6分为第一阴极层61和第二阴极层62。这样,在保证出光效率的同时还可以降低显示面板的功耗。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第一阴极层61的厚度小于所述第二阴极层62的厚度。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第一阴极层61的厚度为120nm,所述第二阴极层62的厚度为380nm。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第一阴极层61与所述第二阴极层62采用蒸镀工艺制成。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述第二阴极层62采用硫作为蒸镀掩膜版。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述阳极3采用镁、银合金所组成的半透明材料。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述发光层4分为绿色发光层41、蓝色发光层42和红色发光层43。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,所述反射层(Capping layer),做在金属阴极上面,目的是提高出光,要求折射率大,吸光系数小。所述阳极层也可以看成一种反射层,将OLED发出的光全部反射出去。
本申请还提供一种有机发光二极管显示面板的制作方法,所述有机发光二极管显示面板包括:基板、像素定义层、阳极层、发光层、电子传输层、第一阴极层以及第二阴极层,该方法包括如下步骤:S10,提供一基板;S20,在所述基板上依次沉积所述像素定义层、所述阳极层、所述发光层以及所述电子传输层;S30,在所述电子传输层上蒸镀所述阴极层,使得所述阴极层至少包括两种不同的厚度;S40,在所述第一阴极层和所述第二阴极层上沉积反射层。
根据本申请实施例提供的一优选实施例,步骤“S30”如下:S301,在所述电子传输层上蒸镀所述第一阴极层,使得所述第一阴极层的厚度达到120nm;S302,采用高精度掩膜版在所述第一阴极层上蒸镀一层硫,使得所述硫层仅覆盖在像素层上方;S303,在所述第一阴极层上面,所述硫层未覆盖的区域蒸镀所述第二阴极层,使得所述第二阴极层的厚度达到380nm;S304,加热,使得所述硫层升华。
有益效果:与现有技术相比,本申请所提供的有机发光二极管显示面板及其制作方法,采用一种新的蒸镀工艺,将显示面板中的阴极层分成第一阴极层和第二阴极层,所述第一阴极层设置在所述像素层正上方,所述第一阴极层的厚度小于所述第二阴极层的厚度,在保证所述有机发光二极管显示面板出光率的同时降低显示面板的功耗,此外,还在所述第一阴极层和所述第二阴极层上沉积所述反射层,提高了器件的出光率。
以上对本申请实施例所提供的一种有机发光二极管显示面板及其制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括:基板、像素定义层、阳极层、发光层、电子传输层、阴极层以及反射层;其中,
所述基板设置在所述整个显示面板的底部;
所述像素定义层设置在所述基板的上面;
所述阳极层设置在所述基板与所述像素定义层上面;
所述发光层设置在所述阳极层上面;
所述电子传输层设置在所述发光层上面;
所述阴极层设置在所述电子传输层上面,包括两种不同的厚度;
所述反射层设置在所述阴极层上面,用于提高出光率。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板为顶发光型有机发光二极管显示面板。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述阴极层分为第一阴极层和第二阴极层。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一阴极层的厚度小于所述第二阴极层的厚度。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一阴极层的厚度为120nm,所述第二阴极层的厚度为380nm。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一阴极层与所述第二阴极层采用蒸镀工艺制成。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二阴极层采用硫作为蒸镀掩膜版。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述阳极采用镁、银合金所组成的半透明材料。
9.一种有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板包括:基板、像素定义层、阳极层、发光层、电子传输层、第一阴极层以及第二阴极层,该方法包括如下步骤:
S10,提供一基板;
S20,在所述基板上依次沉积所述像素定义层、所述阳极层、所述发光层以及所述电子传输层;
S30,在所述电子传输层上蒸镀所述阴极层,使得所述阴极层至少包括两种不同的厚度;
S40,在所述第一阴极层和所述第二阴极层上沉积反射层。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,步骤“S30”如下:
S301,在所述电子传输层上蒸镀所述第一阴极层,使得所述第一阴极层的厚度达到120nm;
S302,采用高精度掩膜版在所述第一阴极层上蒸镀一层硫,使得所述硫层仅覆盖像素层上方;
S303,在所述第一阴极层上面,所述硫层未覆盖的区域蒸镀所述第二阴极层,使得所述第二阴极层的厚度达到380nm;
S304,加热,使得所述硫层升华。
CN201910353617.4A 2019-04-29 2019-04-29 有机发光二极管显示面板及其制作方法 Pending CN110148612A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910353617.4A CN110148612A (zh) 2019-04-29 2019-04-29 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910353617.4A CN110148612A (zh) 2019-04-29 2019-04-29 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110148612A true CN110148612A (zh) 2019-08-20

Family

ID=67593934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910353617.4A Pending CN110148612A (zh) 2019-04-29 2019-04-29 有机发光二极管显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110148612A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110534662A (zh) * 2019-09-04 2019-12-03 云谷(固安)科技有限公司 柔性屏体及其制备方法、显示装置
CN110581229A (zh) * 2019-09-11 2019-12-17 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN110611048A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN112864338A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示设备及制作方法
CN113193018A (zh) * 2021-04-21 2021-07-30 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板和oled显示装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221975A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 索尼株式会社 显示装置
CN102956669A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 三星显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
US20140291648A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device
CN104218055A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104362257A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备
CN104576705A (zh) * 2015-01-27 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
CN106941113A (zh) * 2017-05-15 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN107154415A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 上海和辉光电有限公司 一种oled显示装置
CN107359274A (zh) * 2017-06-27 2017-11-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN107425131A (zh) * 2017-09-13 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种woled器件及其制作方法
CN107968110A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN108538896A (zh) * 2018-04-26 2018-09-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及oled显示面板
CN108550713A (zh) * 2018-04-28 2018-09-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置
CN108983528A (zh) * 2018-07-16 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 像素单元及其制造方法、显示控制方法、显示面板
CN109599507A (zh) * 2018-12-13 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器的制备方法
CN109599420A (zh) * 2018-10-23 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221975A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 索尼株式会社 显示装置
CN102956669A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 三星显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
US20140291648A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device
CN104218055A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104362257A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备
CN104576705A (zh) * 2015-01-27 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
CN107154415A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 上海和辉光电有限公司 一种oled显示装置
CN106941113A (zh) * 2017-05-15 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN107359274A (zh) * 2017-06-27 2017-11-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN107425131A (zh) * 2017-09-13 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种woled器件及其制作方法
CN107968110A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN108538896A (zh) * 2018-04-26 2018-09-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及oled显示面板
CN108550713A (zh) * 2018-04-28 2018-09-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置
CN108983528A (zh) * 2018-07-16 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 像素单元及其制造方法、显示控制方法、显示面板
CN109599420A (zh) * 2018-10-23 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109599507A (zh) * 2018-12-13 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器的制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110611048A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
WO2021036205A1 (zh) * 2019-08-29 2021-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110534662A (zh) * 2019-09-04 2019-12-03 云谷(固安)科技有限公司 柔性屏体及其制备方法、显示装置
CN110581229A (zh) * 2019-09-11 2019-12-17 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112864338A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示设备及制作方法
US11950442B2 (en) 2021-01-12 2024-04-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and electronic apparatus
CN113193018A (zh) * 2021-04-21 2021-07-30 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板和oled显示装置
US11974458B2 (en) 2021-04-21 2024-04-30 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110148612A (zh) 有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN110048005B (zh) 一种oled显示器件及其制备方法
CN109742107B (zh) Oled器件及其制备方法和显示面板
CN105789260B (zh) 一种透明显示面板及其制备方法
CN104103672B (zh) 一种oled单元及其制作方法、oled显示面板、oled显示设备
EP3255673B1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN112002821B (zh) Oled显示面板以及电子装置
CN107819080A (zh) 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN104037359A (zh) 一种oled阴极结构及其制造方法
US11024676B2 (en) Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof, and display device
CN110265441B (zh) 一种显示面板及其显示装置
CN106856203B (zh) 一种顶发射显示发光器件及其制备方法
US20180108871A1 (en) Manufacturing method for led display panel and led display panel
US20210233981A1 (en) Display Backplane, Manufacturing Method thereof, and Display Device
CN110265568B (zh) 一种显示器件及其制备方法
CN104319351A (zh) Oled阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN104681736A (zh) 一种oled单元及其制造方法、显示面板
CN110707141A (zh) 有机发光显示基板及显示装置
CN108987431B (zh) 像素结构及其制作方法
CN106910766A (zh) 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
US11223031B2 (en) Full color display module and manufacturing method of same
EP2030482B1 (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
CN108258023B (zh) 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN111584584B (zh) 显示面板及显示装置
CN104218158A (zh) 有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190820