CN104681736A - 一种oled单元及其制造方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED单元及其制造方法、显示面板,属于显示技术领域。所述OLED单元包括:第一电极层、电致发光单元和第二电极层,电致发光单元位于第一电极层和第二电极层之间;电致发光单元包括至少一个发光层,每个发光层对应两个像素区域,第二电极层包括像素区域;发光层在第二电极层中的投影区域与其对应的两个像素区域重叠。本发明通过使一个发光层可以对应两个像素区域,减少OLED单元中的发光层的数量且增加了发光层的面积,从而降低发光层和像素区域的对位难度,避免显示面板出现混色现象。

Description

一种OLED单元及其制造方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种OLED单元及其制造方法、显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)单元是一种具有自发光特征的有机二极管,其是制造显示屏的重要材料。例如,显示面板是显示屏的重要组成部件,而显示面板就是由大量的OLED单元组成。
目前,OLED单元的结构包括:阳极层、电致发光单元和阴极层,电致发光单元位于阳极层和阴极层之间,电致发光单元包括多个发光层,阳极层包括每个发光层对应的一个像素区域,发光层在阳极层上的投影区域与该发光层对应的像素区域重叠。以及,OLED单元的制造过程为:先分别制造阳极层和电致发光单元,对阳极层和电致发光单元进行对位操作,使电致发光单元上的任一发光层在阳极层上的投影区域与该发光层对应的像素区域重叠,在电致发光单元远离阳极层的一侧添加阴极层。
发明人发现现有技术至少存在以下问题:
随着显示面板的分辨率的提高,需要在相同尺寸的显示面板上放更多的OLED单元,使得OLED单元的体积变的越来越小,对阳极层和电致发光单元进行对位操作时很容易使发光层和其对应的像素区域产生错位,这些错位的OLED单元组成的显示面板在显示时会出现混色现象。
发明内容
为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种OLED单元及其制造方法、显示面板。所述技术方案如下:
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光二极管OLED单元,所述OLED单元包括:
第一电极层、电致发光单元和第二电极层,所述电致发光单元位于所述第一电极层和所述第二电极层之间;
所述电致发光单元包括至少一个发光层,每个发光层对应两个像素区域,所述第二电极层包括所述像素区域;
所述发光层在所述第二电极层中的投影区域与其对应的两个像素区域重叠。
可选地,所述发光层对应的两个像素区域的厚度不同。
可选地,所述发光层对应的两个像素区域之间的间隔距离在0至30微米之间。
可选地,所述电致发光单元包括两个发光层,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于发出红色光和绿色光,另一个发光层对应的两个像素区域分别用于发出蓝色光和绿色光。
可选地,用于发出蓝色光的像素区域的氧化铟锡ITO透明电极的厚度小于用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度;
用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度小于用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度。
可选地,所述用于发出蓝色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在25至35纳米的范围内;所述用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在45至55纳米的范围内;所述用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在85至95纳米的范围内。
可选地,电致发光单元还包括:电子传输层和空穴传输层;
所述至少一个发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间;所述电子传输层靠近第一电极层;所述空穴传输层靠近第二电极层。
第二方面,本发明实施例提供了一种制造有机发光二极管OLED单元的方法,所述方法包括:
在基板上形成第二电极层,所述第二电极层为包括多个像素区域的图案;
在所述基板上通过构图工艺形成包括至少一个发光层的图案,其中每个发光层对应第二电极层中的两个像素区域,每个发光层在所述第二电极层中的投影区域与其对应的每个像素区域重叠;
在所述基板上形成第一电极层。
可选地,所述发光层对应的两个像素区域之间的间隔距离在0至30微米之间。
可选地,在所述基板上形成的发光层包括两个,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于产生红色光和绿色光,另一个发光层对应的两个像素区域分别用于产生蓝色光和绿色光。
可选地,用于发出蓝色光的像素区域的氧化铟锡ITO透明电极的厚度小于用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度;
用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度小于用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度。
可选地,所述用于发出蓝色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在25至35纳米的范围内;所述用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在45至55纳米的范围内;所述用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在85至95纳米的范围内。
第三方面,本发明实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括至少一个上述的OLED单元。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明实施例提供的OLED单元及其制造方法、显示面板,由于一个发光层可以对应两个像素区域,减少OLED单元中的发光层的数量,以及增大了发光层的面积,从而降低发光层和像素区域的对位难度,避免显示面板出现混色现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的OLED单元的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的OLED单元的另一结构示意图;
图3是本发明实施例提供的OLED单元的又一结构示意图;
图4是本发明实施例提供的OLED单元的优选实施例的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的OLED单元制造方法的流程图;
图6是本发明实施例提供的OLED单元制造方法的详细流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。
本实施例提供了一种OLED单元,结构如图1所示,该OLED单元包括:
第一电极层10、电致发光单元20和第二电极层30,电致发光单元20位于第一电极层10和第二电极层20之间。
电致发光单元20包括至少一个发光层,每个发光层对应两个像素区域,第二电极层30包括每个发光层对应的两个像素区域。
发光层在第二电极层30中的投影区域与其对应的两个像素区域重叠。
本发明实施例提供的OLED单元,由于一个发光层可以对应两个像素区域,减少OLED单元中的发光层的数量,以及增大了发光层的面积,从而降低发光层和像素区域的对位难度,避免显示面板出现混色现象。
在OLED单元产生光时,第一电极层10和第二电极层30分别连接至电源的负极和正极,然后第一电极层10产生电子并传输给发光层,第二电极层30产生空穴并传输给发光层;在发光层中电子和空穴结合成高能态的激子,由于高能态的激子不稳定,很容易跃迁为低能态的激子并释放能量,且在释放能量时产生波长在一定范围的光;对于每个像素区域,该像素区域可以从产生的光中选择一波段的光,将该波段的光射出OLED单元。
第一电极层10为OLED单元的阴极层,第一电极层10具有良好的导电性、良好的化学及形态稳定性等特征,与第二电极层30形成微腔,从而改变发光层产生的光颜色。制造第一电极层10的材料可以为金属或金属合金,金属可以为银、铝、镁、钙或锂等,合金可以为镁银、镁铝、镁钙等。
电致发光单元20包括至少一个发光层,发光层产生的光是由多种不同颜色的光混合而成,每种颜色的光波长不同。该发光层对应两个像素区域,每个像素区域对应一种颜色的光,即每个像素区域可以从该发光层产生的光中选择其对应的一种颜色光。该两个像素区域分别对应的颜色光都包含在该发光层产生的光中。例如,假设在发光层对应两个像素区域中,其中一个对应绿色光,另一个对应蓝色光,该发光层产生的光中至少包括绿色光和蓝色光。
不同厚度的像素区域对应的颜色光不同,像素区域对应的颜色光的波长与像素区域的厚度成正比,即像素区域的厚度越厚,该像素区域对应的颜色光的波长越长,该发光层对应的两个像素区域的厚度不同,所以该发光层对应的两个像素区域可以从该发光层产生的光中分别选择两种不同颜色光。
其中,红色光、绿色光和蓝色光为三种基本颜色光,在本实施例中,可以设置每个像素区域对应一种基本颜色光。所以可以控制OLED单元中不同的像素区域,使OLED单元发出一种或多种基本颜色光,且发出的多种基本颜色光可以混合出除红色光、绿色光和蓝色光以外的其他颜色光。
制作发光层的材料,发光材料可以为荧光材料或磷光材料等。每种发光材料发出的颜色光不同,所以对于任一个发光层以及该发光层对应的两个像素区域,该发光层中至少包括能够发出该两个像素区域分别对应的颜色光的发光材料。例如,假设在发光层对应两个像素区域中,其中一个对应绿色光,另一个对应蓝色光,该发光层至少包括能够发出绿色光的发光材料和能够发出蓝色光的发光材料。
对于任一个发光层,该发光层对应的两个像素区域的间隔可以为0至30微米。比如,该发光层对应的两个像素区域的间隔可以为5微米、10微米、15微米、20微米、25微米或者30微米。该间隔距离较小,可以减少OLED单元的体积,增大单位面积内显示面板中放入的OLED单元的数量,从而提高显示面板的像素密度。
优选的,该发光层在第二电极层30上的投影区域可以包括其对应的两个像素区域。
由于一个发光层可以对应两个像素区域,减少OLED单元中的发光层的数量,以及增大了发光层的面积,从而降低发光层和像素区域的对位难度,避免显示面板出现混色现象。
参见图2,显示了第二电极层30包括的每个像素区域的结构。该像素区域包括ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)透明电极和反射电极,该ITO透明电极位于该像素区域对应的发光层和该反射电极之间,该ITO透明电极对应一种颜色光,该ITO透明电极可以与电源正极相连,当与电源正极相连时,ITO透明电极可以产生空穴,向该反射电极和该像素区域对应的发光层发出产生的空穴。
该反射电极将该ITO透明电极发向于自身的空穴反射给该像素区域对应的发光层。
该像素区域对应的发光层产生光,将该发光层产生的光照射到该ITO透明电极,该ITO透明电极从该发光层产生的光中选择其对应的颜色光,将选择的颜色光透过该反射电极发出去。
在本实施例中,该ITO透明电极对应一种基本颜色光,当该ITO透明电极对应的基本颜色光为绿色光时,该ITO透明电极的厚度可以在45至55纳米的范围内,例如厚度可以为45、50或者55纳米;当该ITO透明电极对应的基本颜色光为蓝色光时,该ITO透明电极的厚度可以在25至35纳米的范围内,例如厚度可以为25、30或者35纳米;当该ITO透明电极对应的基本颜色光为红色光时,该ITO透明电极的厚度可以在85至95纳米的范围内,例如可以为85、90或者95纳米。
进一步地,如图3所示,电致发光单元20还包括:电子传输层23和空穴传输层24。至少一个发光层位于电子传输层23和空穴传输层24之间;电子传输层23靠近第一电极层10;空穴传输层24靠近第二电极层30。
电子传输层23用于接收第一电极层10发出的电子,并将接收的电子传输给电致发光单元中的发光层。电子传输层23具有较高的电子传导性,能够快速地将第一电子层10产生的电子传输给发光层,提高电子传输速率。
制作电子传输层23的材料可以包括金属有机配合物或邻菲咯啉(1,10-Phenanthroline monohydrate)类材料,该电子传输层23的厚度可以为20至40纳米,例如,电子传输层23的厚度为20纳米、25纳米、30纳米、35纳米或40纳米等。
空穴传输层24用于接收第二电极层30注入的空穴,并将接收空穴传输给发光层。空穴传输层24具有较高的空穴传导性,能够快速地将第二电子层30产生的空穴传输给发光层,提高空穴传输速率。
制作空穴传输层24的材料可以为三芳胺类材料,空穴传输层24的厚度可以为50至120纳米,例如,空穴传输层24的厚度可以为50纳米、60纳米、70纳米、80纳米、90纳米、100纳、110纳米或120纳米等。
优选的,为了提高显示面板的分辨率,需要OLED单元发出RGBG排列光,即要求OLED单元发出红色光、绿色光、蓝色光和绿色光组成的一排光,所以电致发光单元20可以包括两个发光层,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于从该发光层产生的光中选择并发出红色光和绿色光,另一发光层对应的两个像素区域分别用于从该另一发光层产生的光中选择并发出蓝色光和绿色光。仅使用2个发光层就可以实现RGBG的排列,相对于现有RGBG排列中需使用4个发光层来说,降低了生产成本。
例如,参见图4,电致发光单元20包括两个发光层,分别为第一电光单元21和第二发光层22,第一发光层21和第二发光层22并列设置在电致发光单元20中。
第一发光层21在第二电极层30对应第一像素区域31和第二像素区域32,第一像素区域31中的ITO透明电极的厚度和第二像素区域32的ITO透明电极的厚度不同,第一像素区域31的ITO透明电极的厚度为90纳米且对应的颜色光为红色光,第二像素区域32的ITO透明电极的厚度为50纳米且对应的颜色光为绿色光。
第二发光层22在第二电极层30上对应第三像素区域33和第四像素区域34。第三像素区域33的ITO透明电极的厚度和第四像素区域34的ITO透明电极的厚度不同,第三像素区域33的ITO透明电极的厚度为30纳米且对应的颜色光为蓝色光,第四像素区域34的ITO透明电极的厚度为50纳米且对应的颜色光为绿色光。
其中,第一发光层21可以产生光并照射到第一像素区域31的ITO透明电极和第二像素区域32的ITO透明电极。第一像素区域31的ITO透明电极从该第一发光层21产生的光中选择其对应的红色光并透过第一像素区域31的反射电极发出去。第二像素区域32的ITO透明电极从该第一发光层21产生光中选择其对应的绿色光并透过第二像素区域32的反射电极发出去。
第二发光层22可以产生光并照射到第三像素区域33的ITO透明电极和第四像素区域34的ITO透明电极。第三像素区域33的ITO透明电极从该第二发光层22产生的光中选择其对应的蓝色光并透过第三像素区域33的反射电极发出去。第四像素区域34的ITO透明电极从该第二发光层22产生的光中选择其对应的绿色光并透过第四像素区域34的反射电极发出去。这样图4所示的OLED单元便发出由红色光、绿色光、蓝色光和绿色光组成的RGBG排列光。
当然第一像素区域31、第二像素区域32、第三像素区域33和第四像素区域34还可以分成两行或者四行进行排列,此处不一一列举。或者,一个OLED单元中还可以包含至少一个产生红色光的像素区域、两个产生绿色光的像素区域或一个产生蓝色光的像素区域,例如,一个像素单元可以包括两组红绿蓝绿像素区域,其排列顺序可以形如RRGGBBGG等等。当然这也仅是一种举例说明,本实施例对一个OLED单元内的像素区域的个数及像素区域的排列方式并不作限制。
需要说明的是,本发明实施例附图所示为包含一个像素的OLED单元,一个像素分别包括第一发光层21和第二发光层22,以及与第一发光层对应的、产生红色光的第一像素区域31和产生绿色光的第二像素区域32,和与第二发光层22对应的、产生蓝色光的第三像素区域33和产生绿色光的第四像素区域34,本领域技术人员可以想到,在实际加工过程中的显示面板通常包含有以矩阵形式排列的多个像素。
本实施例还提供一种显示面板,包括至少一个上述的任意一种OLED单元。具有与本发明上述实施例提供的OLED单元相同的有益效果,由于OLED单元在上述实施例中已经进行了详细说明,此处不再赘述。
本实施例提供的显示面板,由于一个发光层可以对应两个像素区域,减少OLED单元中的发光层的数量,以及增大了发光层的面积,从而降低发光层和像素区域的对位难度,避免显示面板出现混色现象。
本实施例提供的制造OLED单元的方法,流程如图5所示,可以应用于上述实施例中所提供的OLED单元的生产,该方法包括:
步骤100、在基板上形成第二电极层,第二电极层为包括多个像素区域的图案。
步骤101、在基板上通过构图工艺形成包括至少一个发光层的图案,其中每个发光层对应第二电极层中的两个像素区域,每个发光层在第二电极层中的投影区域与其对应的每个像素区域重叠。
步骤102、在基板上形成第一电极层。
在本发明实施例中,构图工艺具体可以采用现有的任意一种能够实现图案化的基板生产工艺,例如,构图工艺可以采用掩膜曝光工艺或蒸镀工艺。
该基板的制作材料可以包括玻璃或柔性材料,其中,柔性材料可以包括聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的至少一种。示例的,在本实施例中,基板的材料可以采用玻璃,采用这样一种透明材料在保证了OLED单元发光效率的同时可进一步提高OLED单元的坚固性。
本发明实施例提供的OLED单元的制造方法,由于一个发光层可以对应两个像素区域,减少OLED单元中的发光层的数量,以及增大了发光层的面积,从而降低发光层和像素区域的对位难度,避免显示面板出现混色现象。
以下对如图4所示的OLED单元的制作过程进行详细说明。如图6所示,具体的步骤包括:
步骤200、在基板上刻蚀多个像素区域形成第二电极层30。
在第二电极层30中任意发光层所对应的两个像素区域的间隔距离在0至30微米之间,比如:某发光层对应的两个像素区域的间隔可以为5微米、10微米、15微米、20微米、25微米或者30微米。该间隔距离较小,可以减少OLED单元的体积,增大单位面积内显示面板中放入的OLED单元的数量,从而提高显示面板的像素密度。
在第二电极层30中任意相邻的两个像素区域的厚度也不同,且第二电极层30中的每个像素区域对应一种颜色光,该像素区域的厚度与其对应的颜色光的波长成正比。当有光照射到该像素区域时,该像素区域可以从该光中选择其对应的颜色光,发出选择的颜色光并过滤掉未选择的颜色光。
为了使OLED单元发出RGBG排列光,需要在基板上刻蚀四个像素区域,例如,参见图4,该四个像素区域分别为第一像素区域31、第二像素区域32、第三像素区域33和第四像素区域34;通过给第一像素区域31、第二像素区域32、第三像素区域33和第四像素区域34刻蚀不完全相同的厚度,使得第一像素区域31、第二像素区域32、第三像素区域33和第四像素区域34分别对应不同颜色光。其中,第一像素区域对应红色光、第二像素区域对应绿色光、第三像素区域对应蓝色光和第四像素区域对应绿色光。
步骤201、在第二电极层30上方,通过蒸镀工艺形成空穴传输层24。
其中,形成空穴传输层24的厚度可以为50至120纳米。
步骤202、在空穴传输层24上方,通过一次构图工艺形成至少一个发光层,该至少一个发光层中的每个发光层对应第二电极层30中的两个像素区域,且该发光层在第二电极层30上投影区域与该两个像素区域重叠。
优选的,在本步骤中,形成的发光层的数目可以为两个,例如,参见图4,该两个发光层分别为第一发光层21和第二发光层22。
第一发光层21对应的两个像素区域分别为第一像素区域31和第二像素区域32,第一发光层21在第二电极层中的投影区域与第一像素区域31和第二像素区域32重叠。优选的,该投影区域可以包括第一像素区域31和第二像素区域32。
第二发光层22对应的两个像素区域分别为第三像素区域33和第四像素区域,且第二发光层22在第二电极层30中的投影区域与第三像素区域31和第四像素区域32重叠。优选的,该投影区域可以包括第三像素区域31和第四像素区域。
步骤203、在形成的每个发光层的上方,通过蒸镀工艺形成电子传输层23。
其中,电子传输层23的厚度可以为20至40纳米。
步骤204、在电子传输层23的上方,通过蒸镀工艺或溅射的方法形成第一电极层10,以完成OLED单元的制作。
其中,形成第一电极层10的厚度可以为80至120纳米。
其中,第一电极层10是阴极。
在本实施例中,蒸镀工艺的条件可以为在气压为1×10-5至9×10-3Pa的真空腔内对基板进行蒸镀处理。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种有机发光二极管OLED单元,其特征在于,所述OLED单元包括:
第一电极层、电致发光单元和第二电极层,所述电致发光单元位于所述第一电极层和所述第二电极层之间;
所述电致发光单元包括至少一个发光层,每个发光层对应两个像素区域,所述第二电极层包括所述像素区域;
所述发光层在所述第二电极层中的投影区域与其对应的两个像素区域重叠。
2.根据权利要求1所述的OLED单元,其特征在于,所述发光层对应的两个像素区域的厚度不同。
3.根据权利要求1或2所述的OLED单元,其特征在于,所述发光层对应的两个像素区域之间的间隔距离在0至30微米之间。
4.根据权利要求1或2所述的OLED单元,其特征在于,
所述电致发光单元包括两个发光层,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于发出红色光和绿色光,另一个发光层对应的两个像素区域分别用于发出蓝色光和绿色光。
5.根据权利要求4所述的OLED单元,其特征在于,
用于发出蓝色光的像素区域的氧化铟锡ITO透明电极的厚度小于用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度;
用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度小于用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度。
6.根据权利要求5所述的OLED单元,其特征在于,
所述用于发出蓝色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在25至35纳米的范围内;所述用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在45至55纳米的范围内;所述用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在85至95纳米的范围内。
7.根据权利要求1或2所述的OLED单元,其特征在于,电致发光单元还包括:电子传输层和空穴传输层;
所述至少一个发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间;所述电子传输层靠近第一电极层;所述空穴传输层靠近第二电极层。
8.一种制造有机发光二极管OLED单元的方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上形成第二电极层,所述第二电极层为包括多个像素区域的图案;
在所述基板上通过构图工艺形成包括至少一个发光层的图案,其中每个发光层对应第二电极层中的两个像素区域,每个发光层在所述第二电极层中的投影区域与其对应的每个像素区域重叠;
在所述基板上形成第一电极层。
9.根据权利要求8所述的制造OLED单元的方法,其特征在于,所述发光层对应的两个像素区域之间的间隔距离在0至30微米之间。
10.根据权利要求8或9所述的制造OLED单元的方法,其特征在于,
在所述基板上形成的发光层包括两个,其中一个发光层对应的两个像素区域分别用于产生红色光和绿色光,另一个发光层对应的两个像素区域分别用于产生蓝色光和绿色光。
11.根据权利要求10所述的制造OLED单元的方法,其特征在于,
用于发出蓝色光的像素区域的氧化铟锡ITO透明电极的厚度小于用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度;
用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度小于用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度。
12.根据权利要求11所述的制造OLED单元的方法,其特征在于,
所述用于发出蓝色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在25至35纳米的范围内;所述用于发出绿色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在45至55纳米的范围内;所述用于发出红色光的像素区域的ITO透明电极的厚度在85至95纳米的范围内。
13.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括至少一个如权利要求1-6任一项所述的OLED单元。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016127641A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Oled unit and fabrication method thereof, display panel and display apparatus
WO2017045136A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting pixel, display panel and display apparatus containing the same, and method for forming the same
CN107437588A (zh) * 2016-05-25 2017-12-05 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN108258012A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
WO2018205734A1 (en) * 2017-05-12 2018-11-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and apparatus, driving method and fabricating method thereof
CN111969123A (zh) * 2020-08-17 2020-11-20 维沃移动通信有限公司 显示模组和电子设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489632A (zh) * 2016-01-15 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101262724A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
CN102428756A (zh) * 2009-05-20 2012-04-25 佳能株式会社 用于制造有机电致发光显示设备的方法
CN102593150A (zh) * 2011-12-05 2012-07-18 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的像素结构
CN203325976U (zh) * 2013-07-04 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及显示装置
CN204102903U (zh) * 2014-09-30 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其显示装置
CN104319281A (zh) * 2014-10-28 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种像素显示方法及其显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004335207A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機el素子とその製造方法
JP2005054862A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Smc Corp アクチュエータ
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
US7436113B2 (en) * 2005-04-25 2008-10-14 Eastman Kodak Company Multicolor OLED displays
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
KR101960759B1 (ko) * 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US8981640B2 (en) * 2011-05-11 2015-03-17 Universal Display Corporation Simplified patterned light panel
TW201324891A (zh) * 2011-12-05 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
JP6099420B2 (ja) * 2013-02-08 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI580014B (zh) * 2013-09-20 2017-04-21 Joled Inc Display devices and electronic machines
CN104681736A (zh) * 2015-02-10 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种oled单元及其制造方法、显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101262724A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
CN102428756A (zh) * 2009-05-20 2012-04-25 佳能株式会社 用于制造有机电致发光显示设备的方法
CN102593150A (zh) * 2011-12-05 2012-07-18 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的像素结构
CN203325976U (zh) * 2013-07-04 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及显示装置
CN204102903U (zh) * 2014-09-30 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其显示装置
CN104319281A (zh) * 2014-10-28 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种像素显示方法及其显示装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016127641A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Oled unit and fabrication method thereof, display panel and display apparatus
WO2017045136A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting pixel, display panel and display apparatus containing the same, and method for forming the same
US10134824B2 (en) 2015-09-15 2018-11-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting pixel including four sub-pixels having adjusted microcavity distances
CN107437588A (zh) * 2016-05-25 2017-12-05 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN107437588B (zh) * 2016-05-25 2022-02-15 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN108258012A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
CN108258012B (zh) * 2016-12-29 2023-03-31 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
WO2018205734A1 (en) * 2017-05-12 2018-11-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and apparatus, driving method and fabricating method thereof
US11374070B2 (en) 2017-05-12 2022-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and apparatus having a connecting electrode in an electrode connecting region
CN111969123A (zh) * 2020-08-17 2020-11-20 维沃移动通信有限公司 显示模组和电子设备

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