KR20220037537A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 제1 화소 전극, 기판 상에 배치되며, 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구를 포함하는 화소 정의막, 화소 정의막의 개구에 의해 일부가 노출된 제1 화소 전극 상에 배치되는 제2 화소 전극, 제2 화소 전극 상에 배치되고, 금속 산화물을 함유하는 정공주입층, 정공주입층 상에 배치되는 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 특성이 개선된 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극에서 주입된 정공과 다른 전극에서 주입된 전자가 발광층에서 결합하며 광을 방출한다. 이 때, 정공을 주입하는 전극(이하 '화소 전극'이라 한다)은 각 화소마다 배치되어 독립적으로 구동할 수 있다.
한편 상기 화소 전극 상의 일부에는 화소 정의막이 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막 형성 시 상기 화소 전극 상에 유기 잔여물이 남을 수 있다. 이러한 유기 잔여물에 의해 이미지 고착과 같은 표시 특성의 불량이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 화소 전극 상에 제2 화소 전극을 배치하는 방법이 연구되고 있다.
본 발명의 일 목적은 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 제1 화소 전극, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구를 포함하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 상기 제1 화소 전극 상에 배치되는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되고, 금속 산화물을 함유하는 정공주입층, 상기 정공주입층 상에 배치되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 도전성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 또는 GZO(Gallium doped Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 개구에 의해 정의되는 상기 화소 정의막의 경사면 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 폭은 상기 화소 정의막의 상기 개구를 통해 노출된 상기 제1 화소 전극의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 두께는 30 옹스트롬 내지 100 옹스트롬일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 정공주입층의 폭은 상기 제2 화소 전극의 폭과 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속 산화물은 WOx(Tungsten Oxide), VOx(Vanadium Oxide), MoOx(Molybdenum Oxide), RhOx(Rhodium Oxide), IrOx(Iridium Oxide), NiOx(Nickel Oxide), CoOx(Cobalt Oxide) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 제1 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구가 형성된 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 상기 제1 화소 전극 상에 제2 화소 전극층을 형성하는 단계, 상기 제2 화소 전극층 상에 예비 정공주입층을 형성하는 단계, 상기 예비 정공주입층 상의 일부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 예비 정공주입층 및 상기 제2 화소 전극층을 식각한 후, 정공주입층 및 제2 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 정공주입층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광층 상에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 정공주입층 및 상기 제2 화소 전극을 형성하는 상기 단계 이후, 상기 정공주입층 상에 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 정공주입층은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속 산화물은 WOx, VOx, MoOx, RhOx, IrOx, NiOx, CoOx 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극층 및 상기 예비 정공주입층은 스퍼터링 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 개구에 의해 정의되는 상기 화소 정의막의 경사면 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 폭은 상기 화소 정의막의 상기 개구를 통해 노출된 상기 제1 화소 전극의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 두께는 30 옹스트롬 내지 100 옹스트롬일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 가교 고분자 화합물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 도전성 산화물은 ITO, IZO, FTO, AZO 또는 GZO를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구를 포함하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 상기 제1 화소 전극 상에 배치되는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되고, 금속 산화물을 함유하는 정공주입층 및 상기 정공주입층 상에 배치되는 유기 발광층을 포함할 수 있다.
상기 제2 화소 전극 상에는 상기 화소 정의막 형성 시 발생한 유기 잔여물이 없다. 이에 따라, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 상기 정공주입층은 상기 유기 잔여물의 영향을 받지 않게 된다. 따라서, 상기 제2 화소 전극을 통해 상기 정공주입층으로 이동하는 정공은 상기 유기 잔여물의 영향을 받지 않는다. 결과적으로, 이미지 고착 현상을 방지할 수 있으며 유기 발광 표시 장치의 표시 특성이 개선된다.
상기 정공주입층은 큰 일함수를 가지는 물질, 예를 들어 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 정공주입층을 통해 상기 발광층으로 이동하는 정공의 수가 많아질 수 있다. 결과적으로, 유기 발광 표시 장치의 표시 특성이 개선될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제2 화소 전극과 상기 정공주입층을 하나의 포토레지스트 패턴을 이용하여 형성할 수 있다. 이에 따라, 표시 특성이 개선된 유기 발광 표시 장치의 대량 양산이 가능할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2 화소 전극의 두께에 따른 반사율을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2 화소 전극의 두께에 따른 반사율을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)과 인접하는 회로 영역(CA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 화소들(PX)이 배치되고, 표시 영역(DA)에서 영상이 표시될 수 있다. 회로 영역(CA)에는 회로 기판, 구동 회로, 구동 배선 등이 배치될 수 있다. 예를 들어, 회로 영역(CA)에는 연성 인쇄 회로 기판(FPCB), 연성 인쇄 회로 기판(FPCB) 상에 배치되는 데이터 구동 회로(DIC) 및 데이터 구동 회로(DIC)와 화소들(PX)을 연결하는 팬아웃 배선들(FO)이 배치될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 적어도 하나의 박막 트랜지스터(미도시) 및 유기 발광층(도 2의 유기 발광층(250))을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 데이터 구동 회로(DIC)가 송신하는 데이터 구동 신호를 수신할 수 있으며, 상기 데이터 구동 신호를 상기 유기 발광층에 전달할 수 있다. 상기 유기 발광층은 상기 데이터 구동 신호에 따라 빛의 세기(예를 들어, 휘도)를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소(PX)를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 기판(200), 제1 화소 전극(210), 화소 정의막(220), 제2 화소 전극(230), 정공 주입층(240), 유기 발광층(250) 및 공통 전극(260)을 포함할 수 있다.
기판(200)은 이산화 규소(SiO2)를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 그러나 기판(200)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱재나 금속재 등 다양한 재질의 기판을 이용할 수 있다. 기판(200)에는 각 화소당 배치된 적어도 하나의 박막 트랜지스터(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극들 중 하나는 상기 제1 화소 전극(210)의 적어도 일부와 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 상기 데이터 구동 회로(DIC)가 송신하는 상기 데이터 구동 신호는 상기 박막 트랜지스터를 통해서 제1 화소 전극(210)에 전달될 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 구동 신호는 정공들이 전달되는 패턴에 의해 표현될 수 있으며, 상기 정공들은 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극을 통해 상기 제1 화소 전극(210)에 전달될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 기판(200) 상의 제1 화소 전극과 중첩된 영역에 배치되거나, 제1 화소 전극(210)이 배치된 영역 이외의 영역에 배치될 수도 있다.
제1 화소 전극(210)은 기판(200) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(210)은 투명 전극, 반투명 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 화소 전극(210)은 제1 산화물 도전층, 금속층, 제2 산화물 도전층을 차례로 적층하여 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 금속층은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 산화물 도전층 및 상기 제2 산화물 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 또는 GZO(Gallium doped Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
기판(200) 상에는 제1 화소 전극(210)의 일부를 노출시키는 개구를 포함하는 화소 정의막(220)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(220)은 이웃하는 화소들(PX)을 전기적으로 절연하며, 유기 발광층(250)의 발광 영역을 정의할 수 있다. 화소 정의막(220)은 유기 물질로 형성될 수 있다. 화소 정의막(220)은 기판(200) 및 제1 화소 전극(210) 위에 유기막을 전체적으로 도포한 후, 상기 유기막을 패터닝하여 형성될 수 있다. 이 경우 제1 화소 전극(210) 위에 화소 정의막(220) 형성 시 사용된 유기 잔여물이 남을 수 있다. 상기 유기 잔여물 상에 유기 발광층(250)이 형성되는 경우, 의해 이미지 고착과 같은 표시 특성의 불량이 발생할 수 있다. 상기 유기 잔여물을 제거하기 위해 산소 기체 및 질소 기체를 사용한 플라즈마 공정을 추가로 수행할 수 있으나, 이 경우 추가 공정이 필요할 뿐 아니라, 상기 산소 기체 및 상기 질소 기체에 의해 제1 화소 전극(210)을 이루는 상기 도전성 산화물의 전기적 특성에 영향을 미칠 수 있다.
제2 화소 전극(230)은 화소 정의막(220)의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 제1 화소 전극(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 구동 신호는 제1 화소 전극(210)을 통해서 제2 화소 전극(230)에 전달될 수 있다. 제2 화소 전극(230)과 제1 화소 전극(210)이 접촉하는 제1 면(231)에는 상기 유기 잔여물이 남아있을 수 있으며, 제1 면과 반대되는 제2 면(232)에는 상기 유기 잔여물이 존재하지 않을 수 있다. 이에 따라, 제2 화소 전극(230)의 제2 면(232) 상에 배치되는 정공 주입층(240)은 상기 유기 잔여물의 영향을 받지 않을 수 있으며, 이미지 고착과 같은 문제가 발생하지 않을 수 있다. 제2 화소 전극(230)은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 전극(230)은 ITO, IZO, FTO, AZO 또는 GZO를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(230)은 화소 정의막(220) 상의 일부에도 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 화소 전극(230)은 상기 개구에 의해 정의되는 화소 정의막(220)의 경사면 상에 배치될 수 있다. 또한, 제1 방향(DR1)으로의 제2 화소 전극(230)의 폭은 제1 방향(DR1)으로의 화소 정의막(220)의 상기 개구에 의해 노출된 제1 화소 전극(230)의 폭보다 클 수 있다. 이에 따라, 제2 화소 전극(230)의 면적이 더 넓어질 수 있으며, 상기 박막 트랜지스터로부터 전달받은 상기 데이터 구동 신호가 제2 화소 전극(230)을 통해 정공 주입층(240)으로 더 잘 전달될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(230)의 두께는 대략 30 옹스트롬 내지 대략 100 옹스트롬일 수 있다. 제1 화소 전극(210)상에 형성되는 상기 유기 잔여물의 크기는 대략 30 옹스트롬 이내이므로, 제2 화소 전극(230)의 두께가 대략 30 옹스트롬 이내일 경우, 상기 유기 잔여물이 제2 화소 전극(230)을 관통할 수 있다. 이 경우 이미지 고착과 같은 문제가 발생할 수 있다. 제2 화소 전극(230)의 두께가 대략 100 옹스트롬보다 클 경우, 유기 발광층(250)에서 방출되는 빛의 반사율이 낮아질 수 있다. 이에 대해서는 도 3을 참조하여 후술한다.
정공주입층(240)은 제2 화소 전극(230) 상에 배치되고, 금속 산화물을 함유할 수 있다. 정공주입층(240)은 일함수가 높은 금속 산화물을 함유하므로, 정공이 정공주입층(240)을 통해 유기 발광층(250)으로 전달될 때 적은 에너지를 소모할 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 전극(230)을 거쳐 정공주입층(240)으로 전달된 상기 정공을 유기 발광층(250)으로 전달하는 단계는 상기 정공이 제2 화소 전극(230)을 거쳐 정공주입층(240)으로 전달되는 제1 단계 및 정공주입층(240)을 거쳐 유기 발광층(250)으로 전달되는 제2 단계를 포함한다. 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계에서 상기 정공의 에너지 변화는 상기 정공이 제2 화소 전극(230)을 거쳐 유기 발광층(250)으로 전달될 때의 에너지 변화보다 작다. 이에 따라, 정공주입층(240)이 존재할 경우 상기 정공이 제2 화소 전극(230)으로부터 유기 발광층(250)으로 쉽게 전달될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속 산화물은 WOx(Tungsten Oxide), VOx(Vanadium Oxide), MoOx(Molybdenum Oxide), RhOx(Rhodium Oxide), IrOx(Iridium Oxide), NiOx(Nickel Oxide), CoOx(Cobalt Oxide) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 상기 정공주입층(240)의 폭은 제2 화소 전극(230)의 폭과 같을 수 있다.
유기 발광층(250)은 정공주입층(240)상에 배치될 수 있다. 공통 전극(260)은 유기 발광층(250) 상에 배치될 수 있다. 선택적으로, 공통 전극(260)은 유기 발광층(250) 및 화소 정의막(220)을 덮도록 배치될 수 있다. 유기 발광층(250)은 정공주입층(240)을 통해 전달된 정공과 공통 전극(260)을 통해 전달된 전자가 만나 여기자(excition)를 형성할 수 있다. 상기 여기자는 에너지를 방출하면서 발광할 수 있다. 선택적으로, 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광층(250)과 공통 전극(260)사이에 배치되는 전자 수송층 및 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)는 정공주입층(240)과 유기 발광층(250)사이에 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2 화소 전극의 두께에 따른 반사율을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 도 3의 그래프는 제1 화소 전극(210) 및 제1 화소 전극(210) 상에 배치된 제2 화소 전극(230) 상에 여러 파장의 빛을 조사한 후 반사된 빛을 분광측정기로 측정한 결과를 도시하였다. 비교예(Ref)는 차례로 적층된 대략 70 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층, 대략 50 옹스트롬의 두께를 갖는 Ag 층 및 대략 70 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제1 화소 전극(210)을 포함하며, 제2 화소 전극(230)을 포함하지 않는다. 제1 실험예(310)는 차례로 적층된 대략 70 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층, 대략 50 옹스트롬의 두께를 갖는 Ag 층 및 대략 20 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제1 화소 전극(210)을 포함하며, 대략 20 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제2 화소 전극(230)을 포함한다. 제2 실험예(320)는 차례로 적층된 대략 70 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층, 대략 50 옹스트롬의 두께를 갖는 Ag 층 및 대략 20 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제1 화소 전극(210)을 포함하며, 대략 70 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제2 화소 전극(230)을 포함한다. 제3 실험예(330)는 차례로 적층된 대략 70 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층, 대략 50 옹스트롬의 두께를 갖는 Ag 층 및 대략 20 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제1 화소 전극(210)을 포함하며, 대략 100 옹스트롬의 두께를 갖는 ITO 층으로 구성된 제2 화소 전극(230)을 포함한다. 도 3의 그래프를 참조할 때, 그래프의 x축 상에 도시된 빛의 파장 영역에서, 제1 실험예(310) 내지 제3 실험예(330) 모두 비교예(Ref)와 반사도에 있어 유의미한 차이가 없음을 확인할 수 있다. 제2 화소 전극(230)의 ITO 층이 100 옹스트롬보다 큰 두께를 가질 경우 상기 반사도가 감소할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층(250)에서 방출되는 빛의 일부가 제2 화소 전극(230) 및 제1 화소 전극(210)의 ITO 층에 흡수되어 유기 발광층(250)의 발광 효율이 감소할 수 있다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 기판(200) 상에 제1 화소 전극(210)을 형성할 수 있다. 제1 화소 전극(210)은 제1 산화물 도전층, 금속층, 제2 산화물 도전층을 차례로 적층하여 형성할 수 있다. 그리고, 기판(200) 상에 제1 화소 전극(210)의 일부를 노출시키는 개구가 형성된 화소 정의막(220)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(220)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(220)은 기판(200) 및 제1 화소 전극(210) 위에 유기막을 전체적으로 도포한 후, 상기 유기막을 패터닝하여 형성될 수 있다. 이 경우 화소 전극(210)위에 화소 정의막(220) 형성 시 사용된 유기 잔여물이 남을 수 있다.
도 5를 참조하면, 화소 정의막(220)의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 제1 화소 전극(210) 상에 제2 화소 전극층(530)을 형성한 후, 제2 화소 전극층(530) 상에 예비 정공주입층(540)을 형성할 수 있다. 제2 화소 전극층(530) 및 예비 정공주입층(540)은 스퍼터링 방식으로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 정공주입층(540)은 높은 일함수를 가지는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 WOx, VOx, MoOx, RhOx, IrOx, NiOx, CoOx 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속 산화물이 스퍼터링 방식으로 제2 화소 전극층(530) 상에 증착되며 예비 정공주입층(540)을 형성할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 상기 금속 산화물에 포함되는 금속 물질들(예를 들어, W, V, Mo, Rh, Ir, Ni, Co 또는 이들의 조합)이 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방식으로 제2 화소 전극층(530) 상에 증착되며 예비 정공주입층(540)을 형성할 수 있다.
도 6을 참조하면, 예비 정공주입층(540) 상의 제1 영역(6A)에 포토레지스 패턴(600)을 형성할 수 있다. 포토레지스트 패턴(600)은 빛을 받으면 경화되는 고분자 물질을 포함할 수 있다.
도 7을 참조하면, 예비 정공주입층(540) 및 제2 화소 전극층(530)을 포토레지스트 패턴(600)과 동일한 패턴으로 식각할 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(6A)상의 예비 정공주입층(540) 및 제2 화소 전극층(530)은 각각 정공주입층(240) 및 제2 화소 전극(230)이 될 수 있다. 제1 영역(6A)과 중첩되지 않는 예비 정공주입층(540) 및 제2 화소 전극층(530)은 제거될 수 있다. 포토레지스트 패턴(600)이 형성되는 영역을 조절함으로써 제2 화소 전극층(530) 및 정공주입층(240)의 영역을 조절할 수 있다. 이후, 포토레지스트 패턴(600)에 현상액을 도포하여 포토레지스트 패턴(600)을 제거할 수 있다. 이 경우, 상기 현상액이 고분자 물질을 포함하는 화소 정의막(220)과 반응할 경우 화소 정의막(220)이 부풀어 오르는 현상이 생길 수 있다. 이에 따라, 개구의 면적이 줄어들어 표시 특성이 악화될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소 정의막(220)은 가교(cross-linked) 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 상기 가교 고분자 화합물은 상기 현상액과 반응하더라도 부풀지 않을 수 있다.
도 8을 참조하면, 정공주입층(240) 상에 유기 발광층(250)을 형성할 수 있다. 이후, 유기 발광층(250) 상에 공통 전극(260)을 형성할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 유기 발광 표시 장치
200 : 기판
210 : 제1 화소 전극
220 : 화소 정의막
230 : 제2 화소 전극
240 : 정공주입층
250 : 유기 발광층
260 : 공통 전극
530 : 제2 화소 전극층
540 : 예비 정공주입층
600 : 포토레지스트 패턴
200 : 기판
210 : 제1 화소 전극
220 : 화소 정의막
230 : 제2 화소 전극
240 : 정공주입층
250 : 유기 발광층
260 : 공통 전극
530 : 제2 화소 전극층
540 : 예비 정공주입층
600 : 포토레지스트 패턴
Claims (19)
- 기판;
상기 기판 상에 배치되는 제1 화소 전극;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구를 포함하는 화소 정의막;
상기 화소 정의막의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 상기 제1 화소 전극 상에 배치되는 제2 화소 전극;
상기 제2 화소 전극 상에 배치되고, 금속 산화물을 함유하는 정공주입층;
상기 정공주입층 상에 배치되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 도전성 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 도전성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 또는 GZO(Gallium doped Zinc Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
- 제 1항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 개구에 의해 정의되는 상기 화소 정의막의 경사면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 폭은 상기 화소 정의막의 상기 개구를 통해 노출된 상기 제1 화소 전극의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 두께는 30 옹스트롬 내지 100 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 정공주입층의 폭은 상기 제2 화소 전극의 폭과 같은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물은 WOx(Tungsten Oxide), VOx(Vanadium Oxide), MoOx(Molybdenum Oxide), RhOx(Rhodium Oxide), IrOx(Iridium Oxide), NiOx(Nickel Oxide), CoOx(Cobalt Oxide) 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 기판 상에 제1 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 개구가 형성된 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막의 상기 개구에 의해 일부가 노출된 상기 제1 화소 전극 상에 제2 화소 전극층을 형성하는 단계;
상기 제2 화소 전극층 상에 예비 정공주입층을 형성하는 단계;
상기 예비 정공주입층 상의 일부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 예비 정공주입층 및 상기 제2 화소 전극층을 식각한 후, 정공주입층 및 제2 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 정공주입층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 9항에 있어서, 상기 정공주입층 및 상기 제2 화소 전극을 형성하는 상기 단계 이후,
상기 정공주입층 상에 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 9항에 있어서, 상기 정공주입층은 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 금속 산화물은 WOx, VOx, MoOx, RhOx, IrOx, NiOx, CoOx 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 제2 화소 전극층 및 상기 예비 정공주입층은 스퍼터링 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 상기 개구에 의해 정의되는 상기 화소 정의막의 경사면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 폭은 상기 화소 정의막의 상기 개구를 통해 노출된 상기 제1 화소 전극의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 제2 화소 전극의 두께는 30 옹스트롬 내지 100 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 화소 정의막은 가교 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 도전성 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 도전성 산화물은 ITO, IZO, FTO, AZO 또는 GZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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