CN220173710U - 显示装置 - Google Patents

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CN220173710U CN202321090613.XU CN202321090613U CN220173710U CN 220173710 U CN220173710 U CN 220173710U CN 202321090613 U CN202321090613 U CN 202321090613U CN 220173710 U CN220173710 U CN 220173710U
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姜叡恩
李光洙
金璱基
金承来
金贤
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Abstract

提供了显示装置。显示装置包括衬底、晶体管、与晶体管连接的第一电极、覆盖第一电极的边缘的堤层和第一绝缘层，堤层包括与第一电极重叠的开口，其中，第一绝缘层的顶表面包括与堤层的开口重叠的第一表面部分、具有比第一表面部分的距衬底的垂直距离小的距衬底的垂直距离的第二表面部分以及在第一表面部分与第二表面部分之间的第一倾斜部分，第一倾斜部分相对于第一表面部分向下倾斜。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求在韩国知识产权局于2022年5月16日提交的第10-2022-0059832号韩国专利申请和于2022年5月27日提交的第10-2022-0065596号韩国专利申请的优先权，这两个韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
诸如移动电话、个人数字助理(PDA)、计算机和大型电视的各种电子装置的开发伴随有支持这些电子装置的各种类型的显示装置的开发。例如，广泛商用的显示装置包括包含背光单元的液晶显示装置和具有分别发射不同颜色的光的颜色区域的有机发光显示装置。包括量子点颜色转换层(QD-CCL)的显示装置也在开发中。
通常，有机发光显示装置包括位于衬底上的子像素电路和有机发光二极管，而子像素电路包括薄膜晶体管，并且有机发光显示装置随着有机发光二极管发射光而操作。在衬底上形成子像素电路和有机发光二极管的工艺中，可使用利用掩模的若干光刻工艺。光刻工艺包括将掩模上的图案转印到其上沉积有诸如金属层、有机层或无机层的薄膜的衬底以在薄膜上形成期望的图案的一系列工艺。光刻工艺包括光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影和类似工艺。
最近，显示装置出于各种目的而使用。此外，由于显示装置的厚度和重量的减小，显示装置已被更广泛地使用。最近，已存在用于改善显示装置的质量的各种设计尝试。
实用新型内容
在一个方面中，本公开涉及其中可通过减少制造工艺中使用的掩模的数量来防止发光器件的缺陷的显示装置以及制造显示装置的方法。然而，本公开的范围不限于此。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而习得。
显示装置包括：衬底，包括显示区域和在显示区域外部的外围区域；薄膜晶体管，布置在显示区域中，并且包括半导体层和在半导体层上的栅电极；第一电极，电连接到薄膜晶体管；堤层，覆盖第一电极的边缘并且具有与第一电极重叠的开口；第二电极，在第一电极上；发射层，在第一电极与第二电极之间；以及第一绝缘层，在薄膜晶体管与第一电极之间，其中第一绝缘层的顶表面包括：第一表面部分，与堤层的开口重叠；第二表面部分，具有比从衬底到第一表面部分的垂直距离小的距衬底的垂直距离；以及第一倾斜部分，在第一表面部分与第二表面部分之间，第一倾斜部分相对于第一表面部分向下倾斜。第一绝缘层的顶表面还包括第二倾斜部分，在第一倾斜部分与第二表面部分之间，第二倾斜部分从第一电极的边缘向下倾斜。
第一倾斜部分相对于衬底的顶表面的角度可小于第二倾斜部分相对于衬底的顶表面的角度。
第一绝缘层可包括沿第一电极的边缘并且围绕第一电极布置的谷部分。
第二倾斜部分可包括谷部分的侧表面。
第一绝缘层的顶表面还可包括第三表面部分，第三表面部分布置在第一倾斜部分与第二倾斜部分之间，第三表面部分与第一电极重叠。
从第一电极的对应于第一倾斜部分的部分的顶表面到堤层的顶表面的垂直距离可朝向第一电极的边缘增加。
第一绝缘层可包括对应于外围区域的开口。
半导体层可包括氧化物半导体材料。
显示装置还可包括与半导体层的源极区域和漏极区域中的任一个重叠并且电连接的上电极，栅电极可与半导体层的沟道区域重叠，并且上电极可与栅电极位于相同的层。
在实施方式中，显示装置还可包括无机绝缘层，无机绝缘层覆盖栅电极和上电极，并且第一电极可经由通过无机绝缘层和第一绝缘层形成的接触孔与上电极直接接触。
在另一方面中，制造显示装置的方法包括：制备包括显示区域和在显示区域外部的外围区域的衬底；在显示区域上形成薄膜晶体管；通过使用掩模在薄膜晶体管上形成第一绝缘层，第一绝缘层具有包括第一表面部分和相对于第一表面部分向下倾斜的第一倾斜部分的顶表面；在第一绝缘层上形成第一电极；去除第一绝缘层的部分以形成第二表面部分，第二表面部分具有比从衬底到第一表面部分的垂直距离小的距衬底的垂直距离；通过去除第一绝缘层的部分而在第一倾斜部分与第二表面部分之间形成第二倾斜部分；形成覆盖第一电极的边缘并且具有与第一表面部分重叠的开口的堤层；在第一电极上形成发射层；以及在发射层上形成第二电极，其中第一倾斜部分在第一表面部分与第二表面部分之间。
掩模可包括半色调掩模或狭缝掩模。
第二倾斜部分可从第一电极的边缘向下倾斜。
第一倾斜部分和第二倾斜部分可在分开的工艺中形成。
第二倾斜部分可与第二表面部分同时形成。
第二表面部分的形成可包括灰化工艺。
该方法还可包括从外围区域去除第一绝缘层的部分。
该方法还可包括通过去除第一绝缘层的部分来形成沿第一电极的边缘并且围绕第一电极布置的谷部分。
第一绝缘层的谷部分的形成可与第二表面部分的形成同时执行。
第一倾斜部分相对于衬底的顶表面的角度可小于第二倾斜部分相对于衬底的顶表面的角度。
附图说明
根据结合附图而作出的下面的描述，本公开的某些实施方式的以上和其他的方面、特征和优点将更显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图；
图2是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图3示出了图2中所示的功能层的光学层；
图4是根据实施方式的显示装置的电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图；
图5是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图6是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图7是根据另一实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图8A至图8J是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的剖视图；
图9是根据另一实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图10A至图10F是示出根据另一实施方式的制造显示装置的方法的剖视图；以及
图11是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现将详细参照在附图中示出了其示例的实施方式，在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。相应地，下面通过参照图仅描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部的a、b和c、或它们的变体。
由于本公开允许各种修改并且可具有各种实施方式，因此将在附图中示出并且在详细描述中详细地描述特定实施方式。参照结合附图详细地描述的实施方式，将清楚地理解本公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，本公开不限于下文中公开的实施方式，并且可以各种形式来实施。
在下面的实施方式中，诸如第一和第二的术语用于将一个组件与其他组件区分开，并且不在限制的意义上来使用。
在下面的实施方式中，除非另有清楚指示，否则单数形式也包括复数形式。
在下面的实施方式中，诸如“包括”或“包含”的术语指示说明书中公开的特征或组件的存在，并且不排除添加其他特征或组件中的一个或多个的可能性。
在下面的实施方式中，当提及诸如膜、区域和组件的部分在另一部分上或上方时，该部分可直接在另一部分上，或者在它们之间可存在居间部分。
为了解释的便利，附图中的组件的尺寸可被夸大或减小。例如，由于为了解释的便利而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
在本说明书中，“A和/或B”指示A、B、或A和B。此外，在本说明书中，“A和B中的至少一个”指示A、B、或A和B。
在下面的实施方式中，布线的“在第一方向或第二方向上的延伸”包括在第一方向或第二方向上以锯齿形状或弯曲形状延伸以及以直线形状的延伸。
在下面的实施方式中，“在俯视图上”指示当从顶部观察对象部分时，并且“在剖视图上”指示当从侧面观察对象部分的剖面时。在下面的实施方式中，“重叠”包括“在俯视图上”和“在剖视图上”的重叠。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的实施方式，并且在参照附图的描述中，将向相同或对应的组件赋予相同的附图标记。
图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图。
参照图1，显示装置1可包括显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域PA。显示装置1可通过在显示区域DA中在x-y平面上二维排列的多个子像素PX的阵列来提供图像。子像素PX包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。在下文中，为了解释的便利，将描述其中第一子像素包括红色子像素Pr、第二子像素包括绿色子像素Pg并且第三子像素包括蓝色子像素Pb的情况。
红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb为从其可分别发射红色光、绿色光和蓝色光的区域，并且显示装置1可使用从子像素PX发射的光来提供图像。
外围区域PA可为不提供图像的区域，并且可完全或部分地围绕显示区域DA。焊盘部分PAD可布置在外围区域PA中。配置为向子像素电路、印刷电路板或驱动器集成电路(IC)芯片提供电信号或电力的各种布线可附接在焊盘部分PAD上。
如图1中所示，显示区域DA可具有多边形形状，诸如矩形形状。例如，显示区域DA可具有其中y方向上的长度大于x方向上的长度的矩形形状、其中y方向上的长度小于x方向上的长度的矩形形状、或正方形形状。可替代地，显示区域DA可具有诸如椭圆形或圆形的各种形状。
图2是根据实施方式的显示装置的子像素的示意性剖视图。
参照图2，显示装置1可包括位于衬底100上的电路层200。电路层200可包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3，并且第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可分别连接到发光二极管层300的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可包括包含有机材料的有机发光二极管。根据另一实施方式，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可包括包含基于无机半导体的材料的PN结二极管。当在正方向上向PN结二极管施加电压时，空穴和电子注入PN结二极管中，并且由空穴和电子的复合产生的能量被转换为光能，并且因此，发射某种颜色的光。无机发光二极管可具有约几微米至几百微米或者几纳米至几百纳米的宽度。在一些实施方式中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可包括包含量子点的发光二极管。如上所述，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的发光层可包括有机材料、无机材料或量子点，或者可包括有机材料和量子点，或者可包括无机材料和量子点。在下文中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3以有机发光二极管为前提进行描述。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可发射具有相同颜色的光。例如，从第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3发射的光(例如，蓝色光Lb)可经由发光二极管层300上的封装层400穿过功能层500。
功能层500可包括配置为在有或没有颜色转换的情况下透射从发光二极管层300发射的光(例如，蓝色光Lb)的光学单元。例如，功能层500可包括颜色转换器和透射器，颜色转换器配置为将从发光二极管层300发射的光(例如，蓝色光Lb)转换为具有其他颜色的光，透射器配置为在没有颜色转换的情况下透射从发光二极管层300发射的光(例如，蓝色光Lb)。功能层500可包括与红色子像素Pr对应的第一颜色转换器510、与绿色子像素Pg对应的第二颜色转换器520以及与蓝色子像素Pb对应的透射器530。第一颜色转换器510可将蓝色光Lb转换为红色光Lr，并且第二颜色转换器520可将蓝色光Lb转换为绿色光Lg。透射器530可在没有颜色转换的情况下透射蓝色光Lb。
颜色层600可布置在功能层500上。颜色层600可包括分别具有不同颜色的第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630。例如，第一滤色器610可包括红色滤色器，第二滤色器620可包括绿色滤色器，并且第三滤色器630可包括蓝色滤色器。
通过第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630，可改善由功能层500颜色转换的光和由功能层500透射的光的颜色纯度。此外，颜色层600可防止或最小化外部光(例如，从显示装置1外部入射到显示装置1的光)被反射以被用户识别。
显示装置1还可包括位于颜色层600上的透光基础层700。透光基础层700可包括玻璃或透光有机材料。例如，透光基础层700可包括诸如丙烯酸树脂的透光有机材料。
根据实施方式，透光基础层700为一种衬底，并且在颜色层600和功能层500形成在透光基础层700上之后，透光基础层700可与封装层400集成，使得功能层500面向封装层400。
根据另一实施方式，在功能层500和颜色层600顺序地形成在封装层400上之后，可通过在颜色层600上直接涂覆和固化来形成透光基础层700。
在一些实施方式中，诸如抗反射(AR)膜的其他光学膜可布置在透光基础层700上。
具有前述结构的显示装置1可包括能够显示视频图像或静止图像的电子装置，例如，电视、广告牌、用于影院的屏幕、监视器、平板PC、笔记本计算机和类似物。
图3示出了图2中所示的功能层500的光学单元。
参照图3，第一颜色转换器510可将入射到第一颜色转换器510的蓝色光Lb转换为红色光Lr。如图3中所示，第一颜色转换器510可包括第一光敏聚合物1151以及分散在第一光敏聚合物1151中的第一量子点1152和第一散射颗粒1153。
第一量子点1152可被蓝色光Lb激发，以各向同性地发射具有大于蓝色光Lb的波长的波长的红色光Lr。第一光敏聚合物1151可包括具有透光性的有机材料。第一散射颗粒1153可散射未被第一量子点1152吸收的蓝色光Lb，以激发更多的第一量子点1152，并且因此，提高了颜色转换的效率。第一散射颗粒1153可包括例如二氧化钛(TiO2)颗粒或金属颗粒。第一量子点1152可从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合之中来选择。
第二颜色转换器520可将入射到第二颜色转换器520的蓝色光Lb转换为绿色光Lg。如图3中所示，第二颜色转换器520可包括第二光敏聚合物1161以及分散在第二光敏聚合物1161中的第二量子点1162和第二散射颗粒1163。
第二量子点1162可被蓝色光Lb激发，以各向同性地发射具有大于蓝色光Lb的波长的波长的绿色光Lg。第二光敏聚合物1161可包括具有透光性的有机材料。
第二散射颗粒1163可散射未被第二量子点1162吸收的蓝色光Lb，以激发更多的第二量子点1162，从而提高颜色转换的效率。第二散射颗粒1163可包括例如二氧化钛(TiO2)颗粒或金属颗粒。第二量子点1162可从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合之中来选择。
透射器530可在没有颜色转换的情况下透射所接收的蓝色光Lb。如图3中所示，透射器530可包括其中分散有第三散射颗粒1173的第三光敏聚合物1171。第三光敏聚合物1171可包括具有透光性的有机材料，例如硅树脂和环氧树脂，并且可包括与第一光敏聚合物1151和第二光敏聚合物1161的材料相同的材料。第三散射颗粒1173可散射并且发射蓝色光Lb，并且可包括与第一散射颗粒1153和第二散射颗粒1163的材料相同的材料。
图4是根据实施方式的显示装置中包括的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图。图4中所示的子像素电路PC对应于上面参照图2描述的第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3，并且图4中所示的有机发光二极管OLED可对应于上面参照图2描述的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
参照图4，有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)可连接到子像素电路PC，并且有机发光二极管OLED的第二电极(例如，阴极)可连接到配置为提供公共电压ELVSS的公共电压线VSL。有机发光二极管OLED可以与从子像素电路PC提供的电流的水平对应的亮度发射光。
子像素电路PC可响应于数据信号来控制从驱动电压ELVDD经由有机发光二极管OLED流向公共电压ELVSS的电流量。子像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。
第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的每个可包括氧化物半导体晶体管或者可包括硅半导体晶体管，氧化物半导体晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层，硅半导体晶体管包括包含多晶硅的半导体层。根据薄膜晶体管的类型，第一电极可包括源电极和漏电极中的一个，并且第二电极可包括源电极和漏电极中的另一个。
第一薄膜晶体管T1的第一电极可连接到配置为提供驱动电压ELVDD的驱动电压线VDL，并且第一薄膜晶体管T1的第二电极可连接到有机发光二极管OLED的第一电极。第一薄膜晶体管T1的栅电极可连接到第一节点N1。第一薄膜晶体管T1可响应于第一节点N1的电压来控制从驱动电压ELVDD流过有机发光二极管OLED的电流量。
第二薄膜晶体管T2可包括开关晶体管。第二薄膜晶体管T2的第一电极可连接到数据线DL，并且第二薄膜晶体管T2的第二电极可连接到第一节点N1。第二薄膜晶体管T2的栅电极可连接到扫描线SL。当向扫描线SL提供扫描信号时，第二薄膜晶体管T2可导通，以将数据线DL与第一节点N1电连接。
第三薄膜晶体管T3可包括初始化晶体管和/或感测晶体管。第三薄膜晶体管T3的第一电极可连接到第二节点N2，并且第三薄膜晶体管T3的第二电极可连接到感测线ISL。第三薄膜晶体管T3的栅电极可连接到控制线CL。
存储电容器Cst可连接在第一节点N1与第二节点N2之间。例如，存储电容器Cst的第一电容器电极可连接到第一薄膜晶体管T1的栅电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极可连接到有机发光二极管OLED的第一电极。
尽管图4将第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3示出为n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，但实施方式不限于此。例如，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的至少一个可包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
尽管图4示出了三个薄膜晶体管和一个存储电容器，但本公开不限于此。子像素电路PC可包括至少四个薄膜晶体管和/或至少两个存储电容器。根据实施方式，子像素电路PC可包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
图5是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图，并且图6是图5中所示的区X的放大剖视图。图7是根据另一实施方式的显示装置的示意性剖视图。
参照图5，显示装置1可包括布置在与显示区域DA对应的衬底100上方的薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和布置在与外围区域PA对应的衬底100上方的焊盘部分PAD。薄膜晶体管TFT可对应于参照图4描述的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3中的至少一个。薄膜晶体管TFT可包括半导体层Act和栅电极G。存储电容器Cst可包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。焊盘部分PAD可包括辅助焊盘电极103和焊盘电极150。
衬底100可包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、或者柔性或可弯折的金属。当衬底100为柔性或可弯折的时，衬底100可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。衬底100可具有包括前述材料的单层或多层结构，并且多层结构还可包括无机层。在一些实施方式中，衬底100可具有包括有机材料/无机材料/有机材料的结构。
缓冲层111可减少或防止杂质、湿气或外部空气从衬底100下面的渗透，并且可在衬底100上提供平坦的表面。缓冲层111可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机混合材料，并且可具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。
显示装置1还可包括位于衬底100与缓冲层111之间的阻挡层(未示出)。阻挡层可防止或最小化来自衬底100和类似物的杂质渗透到半导体层Act中。阻挡层可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机混合材料，并且可具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。
第一下电极101、第二下电极102、第一电容器电极CE1和辅助焊盘电极103可排列在衬底100与缓冲层111之间。在一些实施方式中，第一下电极101和第二下电极102可各自包括诸如源电极、漏电极和数据线的信号布线中的任一个。
第一下电极101、第二下电极102、第一电容器电极CE1和辅助焊盘电极103可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和类似物的导电材料中的至少一种，并且可具有包括前述材料的单层或多层结构。
半导体层Act可布置在缓冲层111上。半导体层Act可与第一下电极101重叠。半导体层Act可包括氧化物半导体材料。尽管图5示出了包括氧化物半导体的半导体层Act，但在一些实施方式中，半导体层Act可包括非晶硅或多晶硅。在下文中，对其中半导体层Act包括氧化物半导体的实施方式进行描述。
半导体层Act可包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)构成的组中的至少一种材料的氧化物。例如，半导体层Act可包括InSnZnO(ITZO)半导体层或InGaZnO(IGZO)半导体层。因为氧化物半导体具有宽带隙(约3.1eV)、高载流子迁移率和低漏电流，所以即使在驱动时间长的情况下，电压降也不大。相应地，即使在低频操作期间，由于电压降引起的亮度变化也不大。
半导体层Act可包括沟道区域CH以及排列在沟道区域CH的两侧处的源极区域S和漏极区域D。
第一开口OP1和第二开口OP2可分别形成在半导体层Act的漏极区域D和源极区域S中。第一开口OP1和第二开口OP2可隔着沟道区域CH分别排列在沟道区域CH的两侧处。第一开口OP1可与第一上电极E1相邻，并且第二开口OP2可与第二上电极E2相邻。
栅极绝缘层113可布置在半导体层Act上。栅极绝缘层113可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌或类似物。
栅极绝缘层113可被图案化为与半导体层Act的部分重叠。例如，栅极绝缘层113可被图案化为覆盖少于全部的源极区域S和漏极区域D。栅极绝缘层113覆盖沟道区域CH。半导体层Act的未被栅极绝缘层113覆盖的部分可通过等离子体处理和类似方法转变为导体。半导体层Act的转变为导体的部分可包括源极区域S和漏极区域D。根据另一实施方式，栅极绝缘层113可不被图案化为与半导体层Act的部分重叠，而是可布置在衬底100的整个表面上以覆盖半导体层Act。
栅极绝缘层113可包括彼此分开的多个部分，例如，第一绝缘图案113a、第二绝缘图案113b和第三绝缘图案113c。第一绝缘图案113a和第三绝缘图案113c可分别覆盖半导体层Act的端部。第二绝缘图案113b可与沟道区域CH重叠。
在半导体层Act中，被第一绝缘图案113a、第二绝缘图案113b和第三绝缘图案113c覆盖的部分不暴露于等离子体处理，并且因此，未转变为导体，并且相应地，可具有与暴露于等离子体处理的部分的性质不同的性质。
半导体层Act的布置在第一上电极E1之下的部分可包括分别具有不同载流子浓度的第一部分(未示出)和第二部分(未示出)。第一部分可具有与源极区域S和漏极区域D中的一个的载流子浓度对应的载流子浓度。第二部分可被第一绝缘图案113a覆盖，并且具有比第一部分的载流子浓度低的载流子浓度。第二部分中包括的材料可与沟道区域CH中包括的材料相同。像沟道区域CH一样，第二部分可包括未被转变为导体的部分。第一部分可包括与第一开口OP1相邻的尾部区域AT。尾部区域AT可与半导体层Act的已转变为导体的另一部分连接。半导体层Act的布置在第二上电极E2之下的部分也可具有与半导体层Act的布置在第一上电极E1之下的部分的结构相似的结构。
存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可与半导体层Act排列在相同的层，并且可包括与半导体层Act的材料相同的材料。例如，第二电容器电极CE2可布置在缓冲层111上并且包括氧化物半导体材料。例如，第二电容器电极CE2可包括选自由In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti、Al、Cs、Ce和Zn构成的组中的至少一种材料的氧化物。
第二电容器电极CE2可不被栅极绝缘层113覆盖，并且可暴露于等离子体处理并且转变为导体。例如，第二电容器电极CE2可具有与半导体层Act的源极区域S和漏极区域D的载流子浓度相同的载流子浓度。
存储电容器Cst的第二电容器电极CE2隔着缓冲层111与第一电容器电极CE1重叠，并且可形成电容。在这种情况下，缓冲层111可充当存储电容器Cst的电介质层。
在实施方式中，如图5中所示，存储电容器Cst可被分开提供，而不是与薄膜晶体管TFT重叠。然而，实施方式不限于此。在一些实施方式中，存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。
栅电极G可布置在栅极绝缘层113上以与沟道区域CH重叠。此外，第一上电极E1、第二上电极E2和焊盘电极150可布置在栅极绝缘层113上。
第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G和焊盘电极150可包括包含Mo、Al、Cu、Ti和类似物的导电材料中的至少一种，并且可具有包括前述材料的多层结构或单层结构。例如，第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G和焊盘电极150中的每个可具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G和焊盘电极150中的每个可包括多个子层。例如，第一上电极E1可包括第一层E11、在第一层E11上的第二层E12和在第二层E12上的第三层E13。相似地，第二上电极E2可包括第一层E21、在第一层E21上的第二层E22和在第二层E22上的第三层E23。栅电极G可包括第一层G1、在第一层G1上的第二层G2和在第二层G2上的第三层G3。此外，焊盘电极150可包括第一层151、在第一层151上的第二层152和在第二层152上的第三层153。
第一上电极E1可与第一下电极101重叠。第一上电极E1可经由通过缓冲层111和栅极绝缘层113形成的第一接触孔CNT1接触第一下电极101。第一上电极E1可与半导体层Act的部分(例如，漏极区域D)电连接。半导体层Act和第一下电极101可通过第一上电极E1彼此电连接。第一上电极E1可充当配置为将半导体层Act与第一下电极101电连接的桥。
第二上电极E2可与第二下电极102重叠。第二上电极E2可经由通过缓冲层111和栅极绝缘层113形成的第二接触孔CNT2接触第二下电极102。第二上电极E2可与半导体层Act的部分(例如，源极区域S)电连接。半导体层Act和第二下电极102可通过第二上电极E2彼此电连接。第二上电极E2可充当将半导体层Act与第二下电极102电连接的桥。
焊盘电极150可与辅助焊盘电极103重叠。焊盘电极150可经由通过缓冲层111和栅极绝缘层113形成的第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4与辅助焊盘电极103连接。尽管图5示出了将焊盘电极150与辅助焊盘电极103连接的两个接触孔，但接触孔的数量可更少或更多。此外，尽管图5示出了辅助焊盘电极103，但在一些实施方式中，可省略辅助焊盘电极103。
无机绝缘层115可提供为覆盖第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G、第二电容器电极CE2和焊盘电极150。
在实施方式中，无机绝缘层115可暴露焊盘部分PAD的至少一部分。例如，无机绝缘层115的第一开口115OP1可暴露焊盘电极150的部分。无机绝缘层115可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌或类似物。无机绝缘层115可包括包含前述材料的单层或多层。
作为第一绝缘层的平坦化层117可布置在无机绝缘层115上。平坦化层117可暴露焊盘部分PAD。平坦化层117可包括对应于外围区域PA的开口，并且可不与焊盘部分PAD重叠。
作为比较例，当平坦化层在显示面板的周边处暴露时，平坦化层可充当从外部起的渗透路径，并且可能导致发光器件和类似物的劣化。其部分被暴露而未被无机绝缘层115和平坦化层117覆盖的焊盘部分PAD可与柔性印刷电路板电连接。
平坦化层117可包括包含有机材料的单层或多层。平坦化层117可包括例如通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物、它们的共混物和类似物。平坦化层117可包括包含前述材料的单层或多层。
无机绝缘层115和平坦化层117可包括配置为将薄膜晶体管TFT与第一电极310连接的第五接触孔CNT5。有机发光二极管OLED可布置在平坦化层117上。有机发光二极管OLED可包括第一电极310、发射层320和与第一电极310相对的第二电极330。
第一电极310可包括像素电极。第一电极310可经由通过平坦化层117和无机绝缘层115形成的第五接触孔CNT5连接到第一上电极E1。第一电极310可包括(半)透光电极或反射电极。在一些实施方式中，第一电极310可包括：反射层，包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、它们的化合物和类似物；以及形成在反射层上的透明电极层或半透明电极层。第一电极310可包括包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)的透明电极层或半透明电极层。第一电极310可包括单层膜、双层膜、或更多层膜。
参照图5和图6，平坦化层117的顶表面可包括彼此相邻的第一表面部分117FP1和第二表面部分117FP2。第一表面部分117FP1和第二表面部分117FP2可具有相对平坦的表面。例如，在实施方式中，第一表面部分117FP1和第二表面部分117FP2可基本上平行于衬底100的顶表面。从衬底100的顶表面到第二表面部分117FP2的垂直距离可小于从衬底100顶表面到第一表面部分117FP1的垂直距离。换句话说，平坦化层117可在对应于第一表面部分117FP1的部分中比在对应于第二表面部分117FP2的部分中厚。平坦化层117的顶表面可在第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间具有台阶。
平坦化层117的顶表面可包括位于第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间的第一倾斜部分117SP1。第一倾斜部分117SP1可相对于第一表面部分117FP1向下倾斜。第一倾斜部分117SP1可在远离第一表面部分117FP1的方向或朝向第二表面部分117FP2的方向上向下倾斜。
平坦化层117的顶表面可包括位于第一倾斜部分117SP1与第二表面部分117FP2之间的第二倾斜部分117SP2。第二倾斜部分117SP2可在远离第一倾斜部分117SP1的方向或朝向第二表面部分117FP2的方向上向下倾斜。
第一电极310可仅与平坦化层117的部分重叠。在一些实施方式中，第一电极310可与平坦化层117的第一表面部分117FP1和第一倾斜部分117SP1重叠。第一表面部分117FP1可与第一电极310的中心部分重叠。换句话说，第一表面部分117FP1可与堤层119中的开口119OP重叠。第一倾斜部分117SP1可与第一电极310的边缘310E重叠。
在一些实施方式中，第一电极310可不布置在平坦化层117的第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2上。即，第一电极310可不与第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2重叠。
在实施方式中，第二倾斜部分117SP2可从第一电极310的边缘310E向下倾斜。第二倾斜部分117SP2可在远离第一电极310(例如，第一电极310的边缘310E)的方向上向下倾斜。在平面中，第一电极310的边界可对应于平坦化层117的第二倾斜部分117SP2的边界。
第一倾斜部分117SP1相对于衬底100的顶表面的角度θ1可不同于第二倾斜部分117SP2相对于衬底100的顶表面的角度θ2。在实施方式中，第一倾斜部分117SP1相对于衬底100的顶表面的角度θ1可小于第二倾斜部分117SP2相对于衬底100的顶表面的角度θ2。例如，第二倾斜部分117SP2与衬底100的顶表面之间的角度θ2可为从约70°至约90°。在一些实施方式中，第二倾斜部分117SP2与衬底100的顶表面之间的角度θ2可为从约80°至约90°。如稍后将描述的，平坦化层117的第一倾斜部分117SP1和第二倾斜部分117SP2可在分开的工艺中形成。
在实施方式中，平坦化层117的第一表面部分117FP1、第一倾斜部分117SP1、第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2可在一方向(例如，朝向外围区域PA的方向)上顺序且连续地排列。然而，参照图7，在一些实施例中，平坦化层117的顶表面还可包括位于第一倾斜部分117SP1与第二倾斜部分117SP2之间的第三表面部分117FP3。在这种情况下，第三表面部分117FP3可为相对平坦的部分。第三表面部分117FP3可与第一电极310重叠。例如，第一电极310的边缘310E可布置在第三表面部分117FP3上。
平坦化层117可包括围绕第一电极310布置的谷部分117VY。在实施方式中，谷部分117VY可包括其中平坦化层117的至少一部分在朝向衬底100的方向(例如，-z轴方向)上凹陷的凹陷部分。在实施方式中，谷部分117VY可被提供为穿过平坦化层117的至少一部分的凹槽(或孔)。在实施方式中，在俯视图中，谷部分117VY可沿第一电极310的边缘310E布置。例如，谷部分117VY可具有围绕第一电极310的边缘310E的闭环形状。
在实施方式中，平坦化层117的第二倾斜部分117SP2可包括谷部分117VY的侧表面。此外，平坦化层117的第二表面部分117FP2可包括谷部分117VY的底表面。作为谷部分117VY的底表面的第二表面部分117FP2可与和第二表面部分117FP2相邻的第四表面部分117FP4具有台阶。第二表面部分117FP2与衬底100的顶表面之间的垂直距离可小于第四表面部分117FP4与衬底100的顶表面之间的垂直距离。如稍后将参照图8H描述的，平坦化层117的谷部分117VY、第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2可通过相同的工艺同时形成。
如图5中所示，除了朝向外围区域PA延伸的平坦化层117以外，朝向显示区域DA延伸的平坦化层117的顶表面也可具有与平坦化层117的前述形状(或结构)相同的形状(或结构)。朝向显示区域DA延伸的平坦化层117的顶表面可包括第一表面部分117FP1、低于第一表面部分117FP1并且具有台阶的第二表面部分117FP2、布置在第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间的第一倾斜部分117SP1以及布置在第一倾斜部分117SP1与第二表面部分117FP2之间并且从第一电极310的边缘310E向下倾斜的第二倾斜部分117SP2。此外，平坦化层117可包括谷部分117VY，谷部分117VY的内表面包括第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2。
堤层119可布置在平坦化层117上。堤层119可覆盖第一电极310的边缘310E，并且可具有暴露第一电极310的部分的开口119OP。堤层119可覆盖第一电极310的边缘310E，以增加第一电极310的边缘310E与位于第一电极310上方的第二电极330之间的距离，从而防止在第一电极310的边缘310E处产生的电弧和类似物。
堤层119可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂构成的组中的至少一种有机绝缘材料。
在实施方式中，堤层119可与平坦化层117的第一表面部分117FP1、第一倾斜部分117SP1、第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2重叠。堤层119的至少一部分可埋入到围绕第一电极310的边缘310E布置的谷部分117VY中。如上所述，作为谷部分117VY的底表面的第二表面部分117FP2可与第一表面部分117FP1具有台阶。相应地，与其中平坦化层不包括与第一表面部分具有台阶的第二表面部分或谷部分的实施方式相比，覆盖第一电极的边缘的堤层可具有更小的厚度。
然而，根据实施方式，平坦化层117的顶表面包括位于第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间的第一倾斜部分117SP1，并且其上布置有第一电极310的边缘310E的第一倾斜部分117SP1可相对于第一表面部分117FP1向下倾斜。相应地，从第一电极310的对应于第一倾斜部分117SP1的顶表面到堤层119的顶表面的垂直距离可朝向第一电极310的边缘310E增加。例如，在第一电极310的边缘310E处的从第一电极310的顶表面到堤层119的顶表面的垂直距离h1可大于从第一电极310的对应于第一表面部分117FP1与第一倾斜部分117SP1之间的边界的顶表面到堤层119的顶表面的垂直距离h2。
作为比较例，当平坦化层的顶表面不包括第一倾斜部分并且第一电极的边缘布置在从第一表面部分平坦地延伸的表面上时，从第一电极的顶表面到堤层的顶表面的垂直距离可朝向第一电极的边缘减小。在这种情况下，堤层可能无法适当地覆盖第一电极的边缘，并且因此，第一电极可能被布置在堤层上的第二电极短路。因此，发光器件上可能出现诸如暗点的缺陷。
然而，根据实施方式，由于平坦化层117的顶表面包括位于第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间的第一倾斜部分117SP1，因此第一电极310的布置在第一倾斜部分117SP1上的边缘310E可向下倾斜。相应地，第一电极310的边缘310E与堤层119的顶表面之间的距离可相对增加，并且堤层119可充分覆盖第一电极310的边缘310E，以防止如上所述的光发射缺陷的出现。
发射层320可布置在第一电极310上。发射层320可与堤层119的开口119OP重叠。发射层320可包括低分子材料或高分子材料，并且可发射红色光、绿色光或蓝色光。在一些实施方式中，发射层320可被图案化为对应于第一电极310中的每个。在一些实施方式中，发射层320可跨多个第一电极310一体形成。
在一些实施方式中，空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)可布置在第一电极310与发射层320之间。
第二电极330可布置在发射层320上。第二电极330可包括具有小功函数的导电材料。例如，第二电极330可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。可替代地，第二电极330还可在包括前述材料的(半)透明层上包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施方式中，第二电极330可覆盖显示区域DA的整个部分。
在一些实施方式中，电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)可布置在发射层320与第二电极330之间。
由于有机发光二极管OLED可能容易被来自外部的湿气或氧损坏，因此如稍后将参照图11描述的，封装层400可布置为覆盖并且保护有机发光二极管OLED。封装层400可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
尽管已主要描述了显示装置，但实施方式不限于此。例如，制造显示装置的方法也可被视为包括在本公开的范围中。
图8A至图8J是根据实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。更具体地，图8A至图8J是基于图5和图6的根据实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图8A，首先，可在衬底100上形成第一下电极101、第二下电极102、存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和辅助焊盘电极103。可通过图案化预备导电层(未示出)来形成第一下电极101、第二下电极102、第一电容器电极CE1和辅助焊盘电极103。光刻工艺可用于图案化预备导电层。
更具体地，可使用第一掩模在预备导电层(未示出)上曝光并且显影光致抗蚀剂层(未示出)，以形成光致抗蚀剂图案(未示出)。光致抗蚀剂可包括正型或负型。可通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻预备导电层，并且可去除光致抗蚀剂图案以形成第一下电极101、第二下电极102、存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和辅助焊盘电极103。
缓冲层111可覆盖第一下电极101、第二下电极102、存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和辅助焊盘电极103。可使用沉积方法(例如，化学气相沉积(CVD)、热化学气相沉积(TCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射、电子束蒸发和类似方法)来形成缓冲层111。
可在缓冲层111上形成半导体层Act和存储电容器Cst的预备第二电容器电极CE2'。可通过图案化预备半导体层(未示出)来形成半导体层Act和预备第二电容器电极CE2'。为了形成半导体层Act和预备第二电容器电极CE2'，可使用包括与半导体层Act和预备第二电容器电极CE2'对应的图案的第二掩模，并且例如，可使用光刻工艺。预备半导体层可包括氧化物半导体，并且可例如以CVD方法来沉积。
可在半导体层Act上形成栅极绝缘层113。可使用例如CVD、TCVD、PECVD、溅射、电子束蒸发和类似方法来形成栅极绝缘层113。
参照图8B，可部分地去除栅极绝缘层113和/或缓冲层111，以形成第一孔H1、第二孔H2、第一接触孔CNT1、第二接触孔CNT2、第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4。为了形成第一孔H1、第二孔H2和第一接触孔CNT1至第四接触孔CNT4，可使用包括与第一孔H1、第二孔H2和第一接触孔CNT1至第四接触孔CNT4对应的图案的第三掩模，并且例如，可使用光刻工艺。
可通过缓冲层111和栅极绝缘层113形成第一接触孔CNT1至第四接触孔CNT4。第一下电极101的部分可通过第一接触孔CNT1暴露，并且第二下电极102的部分可通过第二接触孔CNT2暴露。此外，辅助焊盘电极103的部分可通过第三接触孔CNT3和第四接触孔CNT4暴露。
可通过栅极绝缘层113形成第一孔H1和第二孔H2，并且第一孔H1和第二孔H2暴露半导体层Act的区域。可通过等离子体处理和类似方法将通过第一孔H1和第二孔H2暴露的半导体层Act的区域转变为导体。已转变为导体的区域可对应于半导体层Act的源极区域S和漏极区域D的部分。
等离子体处理由于处于等离子体状态的高能颗粒与材料的表面冲突而对材料的表面进行化学或物理改性。作为实施方式，在等离子体处理中，可使用选自包括氢气、氩气、氦气、氙气、氮气、氧氮气、氧气以及它们的组合气体的组中的至少一种类型的气体。
当氧化物半导体经受等离子体处理时，氧化物半导体被还原，这导致氧化物半导体中的氧缺陷，并且因此，氧空位增加。具有增加的氧空位的氧化物半导体增加了载流子浓度，并且结果，来自半导体的性质之中的阈值电压(其作为电流动时的阈值电压)的浓度在负方向上移动。这指示氧化物半导体转变为导体并且顺利地导电。
参照图8C，可在栅极绝缘层113上方形成栅电极G、第一上电极E1、第二上电极E2和焊盘电极150。可通过使用栅极光致抗蚀剂图案(未示出)图案化预备电极层(未示出)来形成栅电极G、第一上电极E1、第二上电极E2和焊盘电极150。可通过第四掩模来形成栅极光致抗蚀剂图案。
预备电极层可以沉积方法(例如，CVD、PECVD、低压CVD、PCVD、溅射、原子层沉积和类似方法)来形成。预备电极层可包括单个导电层或多个导电层。在实施方式中，预备电极层可包括第一子预备电极层、在第一子预备电极层上的第二子预备电极层以及在第二子预备电极层上的第三子预备电极层。第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G和焊盘电极150的第一层E11、E21、G1和151、第二层E12、E22、G2和152以及第三层E13、E23、G3和153可对应于预备电极层中的第一子预备电极层至第三子预备电极层的经图案化的部分。
可使用栅极光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻预备电极层。可通过蚀刻未被栅极光致抗蚀剂图案保护的部分来形成第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G和焊盘电极150。例如，蚀刻工艺可包括湿法蚀刻工艺。
在用于形成第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G和焊盘电极150的蚀刻工艺中，可部分地去除半导体层Act的通过第一孔H1和第二孔H2暴露的区域。随着半导体层Act的部分被去除，可形成暴露缓冲层111的第一开口OP1和第二开口OP2。在半导体层Act的通过第一孔H1和第二孔H2暴露的区域中，剩余区域可与第一上电极E1和第二上电极E2重叠。与第一开口OP1和第二开口OP2相邻的尾部区域AT可与半导体层Act的在后续工艺中转变为导体的另一区域连接。
在形成栅电极G、第一上电极E1、第二上电极E2和焊盘电极150之后，可使用栅极光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而不使用另一掩模来图案化栅极绝缘层113。图案化栅极绝缘层113的蚀刻工艺可包括例如干法蚀刻。已被图案化的栅极绝缘层113可包括第一绝缘图案113a、第二绝缘图案113b和第三绝缘图案113c。第一绝缘图案113a、第二绝缘图案113b和第三绝缘图案113c可在空间上和物理上彼此分离。
半导体层Act的未被已被图案化的栅极绝缘层113(即，第一绝缘图案113a、第二绝缘图案113b和第三绝缘图案113c)覆盖的区域可通过等离子体处理而转变为导体。在实施方式中，像半导体层Act一样，预备第二电容器电极CE2'包括氧化物半导体材料，并且未用已被图案化的栅极绝缘层113覆盖的预备第二电容器电极CE2'可转变成导体。即，可形成第二电容器电极CE2。
接下来，可去除(例如，剥离)栅极光致抗蚀剂图案。
参照图8D，可将无机绝缘层115形成为覆盖栅电极G、第一上电极E1、第二上电极E2、第二电容器电极CE2和焊盘电极150。无机绝缘层115可以沉积方法(例如，CVD、TCVD、PECVD、溅射、电子束蒸发和类似方法)来形成。
可在无机绝缘层115上形成预备平坦化层117'。在用于使用预备平坦化层117'形成平坦化层117的工艺中可使用第五掩模M，并且例如，可使用光刻工艺。例如，可通过涂覆预备平坦化层117'并且通过使用第五掩模M曝光并且显影预备平坦化层117'来形成平坦化层117(即，第一绝缘层)。可在显示区域DA和外围区域PA的整个区域中形成预备平坦化层117'。
在实施方式中，预备平坦化层117'可包括例如正型光致抗蚀剂。尽管图8D和图8E示出了包括正型光致抗蚀剂的预备平坦化层117'，但预备平坦化层117'也可包括负型光致抗蚀剂。在这种情况下，与其中预备平坦化层117'包括正型光致抗蚀剂的情况相反，预备平坦化层117'的被曝光区域在显影工艺之后保留，并且随着曝光量增加，平坦化层117'的剩余部分可具有更大的厚度。
在实施方式中，第五掩模M可包括半色调掩模或狭缝掩模。第五掩模M可包括阻光部分BP、第一半透光部分STP1、第二半透光部分STP2和透光部分TP。阻光部分BP可不透射光中的大部分光。第一半透光部分STP1和第二半透光部分STP2可透射光中的一些光。第一半透光部分STP1和第二半透光部分STP2可具有比阻光部分BP的透光率高的透光率。透光部分TP的透光率可大于第一半透光部分STP1和第二半透光部分STP2的透光率。在一些实施方式中，第一半透光部分STP1的透光率可不同于第二半透光部分STP2的透光率。然而，本公开不限于此，并且在一些实施方式中，第一半透光部分STP1的透光率可与第二半透光部分STP2的透光率相同。
阻光部分BP、第一半透光部分STP1、第二半透光部分STP2和透光部分TP可分别提供为复数个。在一些实施方式中，第一半透光部分STP1可与显示区域DA重叠，并且布置在阻光部分BP之间。
预备平坦化层117'可根据部分以不同的曝光量来通过第五掩模M曝光，并且预备平坦化层117'的部分可通过显影工艺而被去除。由于从预备平坦化层117'去除的部分的量根据曝光量而变化，因此可在一次形成被图案化并且根据部分而具有不同厚度的平坦化层117。
参照图8D和图8E，对应于通过第五掩模M的透光部分TP曝光的部分，平坦化层117可包括：与焊盘电极150重叠的第一开口117OP1；以及与第一上电极E1和第二上电极E2中的任一个重叠的第二开口117OP2。第一开口117OP1和第二开口117OP2可暴露无机绝缘层115的部分。
在实施方式中，平坦化层117的通过第五掩模M的第一半透光部分STP1曝光的部分可包括平坦化层117的与后续工艺中的第一电极310的边缘310E(参见图8G)重叠或与第一电极310的周边对应的部分。
平坦化层117的与通过第五掩模M的第一半透光部分STP1曝光的部分对应的顶表面可包括相对于第一表面部分117FP1向下倾斜的第一倾斜部分117SP1。如稍后将描述的，在后续工艺中，可在平坦化层117的第一倾斜部分117SP1上布置第一电极310(参见图8G)的边缘310E。
参照图8E和图8F，可使用已被图案化的平坦化层117来蚀刻无机绝缘层115。这里，蚀刻工艺可为例如干法蚀刻。在蚀刻工艺中，可去除无机绝缘层115的部分，并且因此，可形成第一开口115OP1和第二开口115OP2。无机绝缘层115的第一开口115OP1可重叠于平坦化层117的第一开口117OP1之下。无机绝缘层115的第一开口115OP1可暴露焊盘电极150。无机绝缘层115的第二开口115OP2与平坦化层117的第二开口117OP2重叠。无机绝缘层115的第二开口115OP2可暴露第一上电极E1或第二上电极E2。无机绝缘层115的第二开口115OP2和平坦化层117的第二开口117OP2可形成第五接触孔CNT5。尽管图8F中未示出，但在一些实施方式中，当去除无机绝缘层115的部分时，也可去除平坦化层117的部分，并且因此，平坦化层117的厚度可普遍地减小。
参照图8G，可在平坦化层117上形成第一电极310。为了形成第一电极310，可使用包括与第一电极310对应的图案的第六掩模，并且例如，可使用光刻工艺。
可在第一预备电极层(未示出)上形成阳极光致抗蚀剂图案(未示出)。阳极光致抗蚀剂图案可形成为第六掩模。可通过使用阳极光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻预备第一电极层来形成第一电极310。蚀刻可包括例如湿法蚀刻。
在实施方式中，可在平坦化层117的第一表面部分117FP1和第一倾斜部分117SP1上形成第一电极310。例如，第一电极310的边缘310E可与第一倾斜部分117SP1重叠。
第一电极310可经由通过平坦化层117和无机绝缘层115形成的第五接触孔CNT5与薄膜晶体管TFT的第一上电极E1接触。
参照图8H，当阳极光致抗蚀剂图案未被去除时，可部分地去除平坦化层117。例如，可通过利用其中使用氧气的灰化工艺来部分地去除平坦化层117。
通过灰化，可去除布置在外围区域PA中的平坦化层117的部分。平坦化层117可在外围区域PA(例如，焊盘部分PAD)中包括开口。保留在外围区域PA中的平坦化层117可充当渗透路径以防止发光器件的劣化。
通过灰化，可去除布置在显示区域DA中的平坦化层117的部分。可去除平坦化层117的不与第一电极310(即，阳极光致抗蚀剂图案)重叠的部分。平坦化层117的经受了灰化处理的顶表面可包括：在第一倾斜部分117SP1位于第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间的情况下与第一表面部分117FP1具有台阶的第二表面部分117FP2；以及在第一倾斜部分117SP1与第二表面部分117FP2之间的第二倾斜部分117SP2。第二表面部分117FP2可具有比从衬底100到第一表面部分117FP1的垂直距离小的垂直距离。第二倾斜部分117SP2可从第一电极310的边缘310E向下倾斜。
在实施方式中，在灰化工艺中，可形成平坦化层117的沿第一电极310的边缘310E围绕第一电极310布置的谷部分117VY。例如，第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2可分别对应于谷部分117VY的内侧表面和底表面。
在实施方式中，第二倾斜部分117SP2和第一倾斜部分117SP1可分别在分开的工艺中形成。平坦化层117的第二表面部分117FP2和第一倾斜部分117SP1可在分开的工艺中形成。例如，当可在第一电极310的形成之前执行平坦化层117的第一倾斜部分117SP1的形成时，可在第一电极310的形成之后执行第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2的形成。
随后，可去除(例如，剥离)阳极光致抗蚀剂图案。
参照图8I，可在第一电极310上形成覆盖第一电极310的边缘310E的堤层119。可在堤层119中形成暴露第一电极310的中心部分的开口119OP。为了形成堤层119，可使用包括与堤层119对应的图案的第七掩模，并且例如，可使用光刻工艺。
参照图8J，可在堤层119的开口119OP中在第一电极310上形成发射层320。可通过真空沉积、丝网印刷、喷墨印刷、激光热转印和类似方法来形成发射层320。
第二电极330可覆盖衬底100的显示区域DA。可使用沉积方法(例如，CVD、TCVD、PECVD、溅射、电子束蒸发和类似方法)来形成第二电极330。
根据实施方式，可通过使用半色调掩模来图案化平坦化层117，以使得布置在平坦化层117上的第一电极310的边缘310E向下倾斜，并且通过这样做，堤层119可充分覆盖第一电极310的边缘310E。相应地，可减少显示装置1中包括的发光器件的缺陷。此外，由于使用七个掩模来制造根据实施方式的显示装置1，因此可降低用于制造的成本，并且可提高显示装置1的生产率。
图9是根据另一实施方式的显示装置的示意性剖视图。图9是图5中所示实施方式的修改实施方式，并且在平坦化层117的形状(或结构)方面与上述实施方式不同。在下文中，将主要描述图5和图9中所示的平坦化层117中的差异，并且将省略其相同的描述。
参照图9，平坦化层117的顶表面可包括第一表面部分117FP1、第一倾斜部分117SP1、第二倾斜部分117SP2和第二表面部分117FP2。与图5中不同，平坦化层117可不包括布置在第一电极310周围的谷部分117VY(参见图5)。平坦化层117可不包括与第二表面部分117FP2具有台阶的第四表面部分117FP4(参见图5)。在实施方式中，第二表面部分117FP2可延伸到第一电极310外部的显示区域DA。在实施方式中，第二表面部分117FP2可覆盖第一电极310外部的显示区域DA的整个部分。
在这种情况下，由于第一电极310外部的平坦化层117具有相对小的厚度，因此在制造显示装置1的工艺中，例如，在其中平坦化层117附接到上面板的后续工艺中，可降低进入平坦化层117的上部的杂质可能导致裂缝的可能性。
图10A至图10F是示出根据另一实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。更具体地，图10A至图10F是顺序地示出根据另一实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。图10A至图10F示出了图8D至图8J中所示的实施方式的修改实施方式。在下文中，将主要描述包括形成平坦化层117的工艺的具有差异的工艺，并且将省略与图8D至图8J的描述相同的描述。
参照图10A，首先，可顺序地形成第一下电极101、第二下电极102、存储电容器Cst的第一电容器电极CE1、辅助焊盘电极103、缓冲层111、半导体层Act、存储电容器Cst的第二电容器电极CE2、栅极绝缘层113、第一上电极E1、第二上电极E2、栅电极G、焊盘电极150和无机绝缘层115。形成从第一下电极101、第二下电极102和第一电容器电极CE1到无机绝缘层115的工艺与上面参照图8A至图8D描述的工艺相同。
参照图10A，可在无机绝缘层115上形成预备平坦化层117'。可通过涂覆预备平坦化层117'并且使用第五掩模M'曝光并且显影预备平坦化层117'来形成平坦化层117(即，第一绝缘层)。
第五掩模M'可包括半色调掩模或狭缝掩模。第五掩模M'可包括阻光部分BP、第一半透光部分STP1、第二半透光部分STP2和透光部分TP。阻光部分BP、第一半透光部分STP1、第二半透光部分STP2和透光部分TP可分别以复数个提供。
与图8D相比，第一半透光部分STP1可具有相对大的宽度(或面积)。例如，预备平坦化层117'的通过第五掩模M'的第一半透光部分STP1曝光的部分可包括：与后续工艺中的第一电极310外部的包括第一电极310(参见图10D)的边缘的显示区域DA的整个部分对应的部分。
参照图10A和图10B，平坦化层117的与预备平坦化层117'的通过第五掩模M'的第一半透光部分STP1曝光的部分对应的顶表面可包括：相对于第一表面部分117FP1向下倾斜的第一倾斜部分117SP1。在后续工艺中，可在平坦化层117的第一倾斜部分117SP1上布置第一电极310(参见图10D)的边缘310E。
对应于平坦化层117的通过第五掩模M'的透光部分TP曝光的部分，平坦化层117可包括：与焊盘电极150重叠的第一开口117OP1；以及与第一上电极E1和第二上电极E2中的任一个重叠的第二开口117OP2。
参照图10C和图10D，可使用平坦化层117蚀刻无机绝缘层115。当通过蚀刻工艺去除无机绝缘层115的部分时，可形成暴露焊盘电极150的第一开口115OP1以及暴露第一上电极E1和第二上电极E2中的任一个的第二开口115OP2。
参照图10D，可在平坦化层117上形成第一电极310。可通过使用阳极光致抗蚀剂图案(未示出)作为蚀刻掩模蚀刻预备第一电极层来形成第一电极310。
在实施方式中，可在平坦化层117的第一表面部分117FP1和第一倾斜部分117SP1上形成第一电极310。例如，第一电极310的边缘310E可与第一倾斜部分117SP1重叠。
参照图10E，当阳极光致抗蚀剂图案未被去除时，可部分地去除平坦化层117。例如，可通过利用其中使用氧气的灰化工艺来部分地去除平坦化层117。
通过灰化，可去除布置在外围区域PA中的平坦化层117的部分。平坦化层117可包括与外围区域PA(例如，焊盘部分PAD)重叠的开口。
通过灰化，可去除布置在显示区域DA中的平坦化层117的部分。可去除平坦化层117的不与第一电极310(即，阳极光致抗蚀剂图案)重叠的部分。平坦化层117的经受了灰化处理的顶表面可包括：在第一倾斜部分117SP1位于第一表面部分117FP1与第二表面部分117FP2之间的情况下与第一表面部分117FP1具有台阶的第二表面部分117FP2；以及在第一倾斜部分117SP1与第二表面部分117FP2之间的第二倾斜部分117SP2。第二倾斜部分117SP2可从第一电极310的边缘310E向下倾斜。
在实施方式中，在灰化工艺中，可不形成沿第一电极310的边缘310E围绕第一电极310布置的谷部分117VY(参见图5)。换句话说，第二表面部分117FP2可延伸到第一电极310外部的显示区域DA。在实施方式中，第二表面部分117FP2可覆盖第一电极310外部的显示区域DA的整个部分。
参照图10F，可在第一电极310上形成覆盖第一电极310的边缘310E的堤层119。可在堤层119中形成暴露第一电极310的中心部分的开口119OP。随后，可在堤层119的开口119OP中在第一电极310上形成发射层320。可在发射层320上形成与第一电极310相对的第二电极330。第二电极330可覆盖衬底100的显示区域DA。
图11是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。图11是沿图1中所示的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。
参照图11，显示装置1包括显示区域DA和外围区域PA。衬底100可具有与显示区域DA和外围区域PA对应的区域。
参照图11中所示的显示区域DA，薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED可布置在衬底100上。已参照图5描述了其细节。
封装层400可布置在有机发光二极管OLED上。由于有机发光二极管OLED可能容易因来自外部的湿气或氧而损坏，因此封装层400可布置为覆盖并且保护有机发光二极管OLED。封装层400覆盖显示区域DA的整个部分，并且可朝向外围区域PA延伸，以覆盖外围区域PA的部分。封装层400可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。封装层400可包括第一无机封装层410、第二无机封装层430和布置在第一无机封装层410与第二无机封装层430之间的有机封装层420。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可各自包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层420可包括聚合物基材料。聚合物基材料可包括丙烯酸树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和类似物。例如，有机封装层420可包括丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯和类似物)。有机封装层420可通过固化单体或涂覆聚合物来形成。
缓冲层111和无机绝缘层115可延伸到外围区域PA。
第一坝DM1和第二坝DM2可排列在与外围区域PA对应的无机绝缘层115上。第一坝DM1和第二坝DM2可在平面上围绕显示区域DA的外部。例如，第一坝DM1可围绕显示区域DA的外部，并且第二坝DM2可围绕第一坝DM1的外部。第二坝DM2可布置在第一坝DM1与其中暴露焊盘电极150的焊盘部分PAD之间。
第一坝DM1和第二坝DM2可防止封装层400的有机封装层420溢出到衬底100的外部。在封装层400中，第一无机封装层410和第二无机封装层430可与第一坝DM1和/或第二坝DM2部分地重叠。
第一坝DM1和第二坝DM2可各自提供为多层结构。例如，第一坝DM1可包括平坦化层117的部分117P1和堤层119的部分119P1。第二坝DM2可包括平坦化层117的部分117P2和堤层119的部分119P2。在其他实施方式中，可从第一坝DM1和第二坝DM2省略前述层中的一些。
在实施方式中，第一坝DM1和第二坝DM2可与信号布线和/或电源线至少部分地重叠。例如，第一坝DM1可与第一布线104和第三布线130重叠。第二坝DM2可与第二布线105和第四布线140重叠。在实施方式中，第一布线104、第二布线105、第三布线130和第四布线140中的每个可包括电源线和信号布线中的任一个。
第一布线104和第二布线105可排列在相同的层，并且包括与第一下电极101、第二下电极102和第一电容器电极CE1的材料相同的材料。
第三布线130和第四布线140可排列在相同的层，并且包括与栅电极G、第一上电极E1和第二上电极E2的材料相同的材料。第三布线130和第四布线140可分别包括多个子层，即，第一层131和141、在第一层131和141上的第二层132和142以及在第二层132和142上的第三层133和143。第三布线130和第四布线140的第一层131和141、第二层132和142以及第三层133和143可分别与栅电极G的第一层G1、第二层G2和第三层G3排列在相同的层并且包括相同的材料。
如上所述，可实现显示装置和制造显示装置的方法，据此利用制造工艺中应用的减少数量的掩模可防止发光器件的缺陷并且具有改善的生产率。然而，本公开的范围不限于此。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅在描述意义上考虑，并且不用于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他相似特征或方面。虽然已参照图描述了一个或多个实施方式，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由随附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括显示区域和在所述显示区域外部的外围区域；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管布置在所述显示区域中，所述薄膜晶体管包括半导体层和在所述半导体层上的栅电极；
第一电极，所述第一电极电连接到所述薄膜晶体管；
堤层，所述堤层覆盖所述第一电极的边缘，并且具有与所述第一电极重叠的开口；
第二电极，所述第二电极在所述第一电极上；
发射层，所述发射层在所述第一电极与所述第二电极之间；以及
第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述薄膜晶体管与所述第一电极之间，
其中，所述第一绝缘层的顶表面包括：
第一表面部分，所述第一表面部分与所述堤层的所述开口重叠；
第二表面部分，所述第二表面部分具有比从所述衬底到所述第一表面部分的垂直距离小的距所述衬底的垂直距离；以及
第一倾斜部分，所述第一倾斜部分在所述第一表面部分与所述第二表面部分之间，所述第一倾斜部分相对于所述第一表面部分向下倾斜。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层的顶表面还包括：第二倾斜部分，所述第二倾斜部分在所述第一倾斜部分与所述第二表面部分之间，
所述第二倾斜部分从所述第一电极的所述边缘向下倾斜。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一倾斜部分相对于所述衬底的顶表面的角度小于所述第二倾斜部分相对于所述衬底的所述顶表面的角度。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括沿所述第一电极的所述边缘并且围绕所述第一电极布置的谷部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第二倾斜部分包括所述谷部分的侧表面。
6.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层的所述顶表面还包括：
第三表面部分，所述第三表面部分布置在所述第一倾斜部分与所述第二倾斜部分之间，所述第三表面部分与所述第一电极重叠。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，从所述第一电极的与所述第一倾斜部分对应的部分的顶表面到所述堤层的顶表面的垂直距离朝向所述第一电极的所述边缘增加。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括与所述外围区域对应的开口。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，还包括：与所述半导体层的源极区域和漏极区域中的任一个重叠并且电连接的上电极，
其中，所述栅电极与所述半导体层的沟道区域重叠，并且
所述上电极与所述栅电极排列在相同的层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，还包括：
无机绝缘层，所述无机绝缘层覆盖所述栅电极和所述上电极，并且
所述第一电极经由通过所述无机绝缘层和所述第一绝缘层形成的接触孔而与所述上电极直接接触。
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