CN114300641B - 一种有机发光显示装置制作方法及有机发光显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种有机发光显示装置制作方法及有机发光显示装置，涉及显示技术领域，本申请所提供的有机发光显示装置制作方法，主要对阳极电极层的设置过程进行改进，在本申请所提供的技术方案当中，首先在阵列基板上设置部分构成第一阳极电极层的第一金属层后再设置像素定义层，在设置像素定义层后，于对应像素开口内对第一阳极电极层进行去除工艺，清理掉由于像素定义层制作而形成于第一阳极电极层表面的异物，之后，再在像素开口内设置与第一阳极电极层相连接的第二阳极电极层。本申请对阳极电极层表面的异物进行了有效清除，降低了出现显示装置出现暗点的风险。

Description

一种有机发光显示装置制作方法及有机发光显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示装置制作方法及有机发光显示装置。

背景技术

有机发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应等优势，在显示领域、照明领域以及智能穿戴领域等都得到了广泛的应用。

在有机发光显示装置的制作过程当中，一般是先在阵列基板上设置阳极电极层，之后再制作像素定义层，以使得阳极电极层于像素定义层所限定的开口内显露，而像素定义层的制作过程中，阳极电极层的表面容易残留形成异物，进而对阳极电极层的接触造成影响，导致像素单元出现暗点等问题，进而影响了显示面板的显示效果。

发明内容

本申请所准备解决的技术问题是提供一种有机发光显示装置制作方法，其可以降低有机发光器件当中出现暗点的风险。

为解决上述技术问题，本申请所采用的技术手段为：

第一方面，本申请提供了一种有机发光显示装置制作方法，包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板的一面上设置第一金属层，所述第一金属层至少包括第一阳极电极层；

在所述阵列基板上设置像素定义层，所述像素定义层限定出像素开口，并且所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露；

去除所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露的部位至预设深度；

在所述像素开口内设置与所述第一阳极电极层相连接的第二阳极电极层。

可选的，在本申请部分实施例中，所述去除所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露的部位至预设深度，包括：

采用湿法蚀刻所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露的部位至预设深度。

可选的，在本申请部分实施例中，所述第一金属层采用Al合金或者Ag合金制成。

可选的，在本申请部分实施例中，所述第二阳极电极层部分延伸至所述像素定义层上，以与所述像素定义层在正方向上部分重叠。

可选的，在本申请部分实施例中，所述阵列基板包括驱动电路层，所述提供一阵列基板，包括：

在所述驱动电路层的一面上设置第二金属层，所述第二金属层至少包括位于驱动电路层对应显示区域当中的第一部分，以及位于驱动电路层对应非显示区域的第二部分；

在所述驱动电路层上设置包裹所述第一部分和所述第二部分的钝化层；

对所述钝化层进行打孔，以使所述第一部分和所述第二部分显露；

在所述钝化层上设置平坦层，所述平坦层覆盖所述第一部分和所述第二部分所显露的部位；

在所述平坦层上形成延伸至所述第一部分的过孔，所述第一部分于所述过孔所显露。

可选的，在本申请部分实施例中，所述在所述阵列基板的一面上设置第一金属层，包括：

在所述平坦层上设置通过所述过孔而与所述第一部分相连的所述第一金属层；

在所述第一金属层上设置覆盖所述第一金属层对应于所述像素开口部位的光阻，然后对第一金属层进行刻蚀，从而去除所述第一金属层由所述光阻所覆盖部位之外的部位并形成所述第一阳极电极层。

可选的，在本申请部分实施例中，在所述像素开口内设置与所述第一阳极电极层相连的第二阳极电极层，包括：

去除所述平坦层覆盖所述第二部分的部位；

在所述阵列基板上设置第三金属层，所述第三金属层至少包括覆盖在所述第二部分于所述钝化层所显露的部分上的第三部分。

可选的，在本申请部分实施例中，所述第三金属层还至少包括构成所述第二阳极电极层的第四部分。

可选的，在本申请部分实施例中，所述第三金属层采用ITO/IZO/IGZO中的任意一种制成。

第二方面，本申请提供了一种有机发光显示装置，采用如第一方面所述有机发光显示装置制作方法制作而成。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本申请所提供的技术方案，至少包括如下有益效果：

本申请所提供的有机发光显示装置制作方法，主要对阳极电极层的设置过程进行改进，在本申请所提供的技术方案当中，首先在阵列基板上设置部分构成第一阳极电极层的第一金属层后再设置像素定义层，在设置像素定义层后，于对应像素开口内对第一阳极电极层进行去除工艺，清理掉由于像素定义层制作而形成于第一阳极电极层表面的异物，之后，再在像素开口内设置与第一阳极电极层相连接的第二阳极电极层。本申请对阳极电极层表面的异物进行了有效清除，降低了出现显示装置出现暗点的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1为本发明所提供实施例1的流程示意图；

图2为本发明所提供实施例1中，在驱动电路层上设置第二金属层的示意图；

图3为本发明所提供实施例1中，在驱动电路层上设置钝化层、平坦层的示意图；

图4为本发明所提供实施例1中，在驱动电路层上设置第一金属层的示意图；

图5为本发明所提供实施例1中，在第一金属层上设置光阻的示意图；

图6为本发明所提供实施例1中，对第一金属层进行图案化处理，以形成第一阳极电极层的示意图；

图7为本发明所提供实施例1中，去除第一阳极电极层和部分平坦层的示意图；

图8为本发明所提供实施例1中，设置像素定义层的示意图；

图9为本发明所提供实施例1中，将第一阳极电极层所显露去除至预设深度的示意图；

图10为本发明提供实施例1中，在驱动电路层上设置第三金属层的示意图。

附图标记说明：

10-阵列基板，11-第一金属层，111-第一阳极电极层，12-像素定义层，12a-像素开口，13-第二金属层，13a-第一部分，13b-第二部分，14-钝化层，15-平坦层，16-过孔，17-光阻，18-第三金属层，18a-第三部分，18b-第四部分，19-第二阳极电极层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有独特的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本发明的描述中，“多个”的含义两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为示例性”的任何实施例不一定被解释为比其他实施例更优选或更具优势。为使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其他实例中，不会对已知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理的最广范围相一致。

实施例1

本实施例提供了一种有机发光显示装置制作方法，请参见图1，本实施例所提供的制作方法流程示意图，并结合请结合图7至图10，部分步骤的示意图。在本实施例当中，制作方法包括步骤：

S1、提供一阵列基板10；

S2、在阵列基板10的一面上设置第一金属层11，第一金属层11至少包括第一阳极电极层111；

S3、在阵列基板10上设置像素定义层12，像素定义层12限定出像素开口12a，并且第一阳极电极层111于像素开口12a所显露；

S4、去除第一阳极电极层111于像素开口12a所显露的部位至预设深度；

S5、在像素开口12a内设置与第一阳极电极层111相连接的第二阳极电极层19。

本实施例所提供的有机发光显示装置制作方法，主要对阳极电极层的设置过程进行改进，在本实施例所提供的技术方案当中，首先在阵列基板10上设置部分构成第一阳极电极层111的第一金属层11后再设置像素定义层12，在设置像素定义层12后，于对应像素开口12a内对第一阳极电极层111进行去除工艺，清理掉由于像素定义层12制作而形成于第一阳极电极层111表面的异物。之后，再在像素开口12a内设置与第一阳极电极层111相连接的第二阳极电极层19。

本实施例对阳极电极层表面的异物进行了有效清除，降低了出现显示装置出现暗点的风险，提升了大尺寸有机发光显示装置中显示面板的亮度均一性和显示效果，并且具有着工艺简单且不需要新增膜层结构或者膜层材料的特点，进而有效地降低了实施成本。

这里需要说明的是，上述预设深度主要用于表述整个第一阳极电极层111受到去除工艺的影响而被去除了一部分，本申请对预设深度并不做特别限定，其可以是任意小于第一阳极电极层111膜层厚度的数值。

其中，实施人员可以采用任意手段对第一阳极电极层111于像素开口12a内所显露的部位进行清理、清除，本申请对此不做特别限定。同时，在本实施例中，包含有第一阳极电极层111的第一金属层11的材质选择为：表面功函数较低且反射率较高的材料，具体为Al合金或者Ag合金及易被湿刻蚀去掉的金属氧化物。对应于第一金属层11材料的选择，本实施例的步骤S4中，具体包括步骤：采用湿法蚀刻第一阳极电极层111于像素开口12a所显露的部位至预设深度。其中，湿法蚀刻具有蚀刻深度可控性较强的优势，尤其适用于清洁去除制程。

另外，还需要说明的是，本实施例的所提供的有机发光显示装置可以是显示面板的制作方法，也可以是任何应用有显示面板的显示装置的制作方法，例如手机、电视或者VR设备等等，本申请对此不做特别限定。

另外，上述第二阳极电极层19主要对第一阳极电极层111所去除的部位进行填充，其可以采用阳极电极层所采用的常规材料，以保障由第一阳极电极层111和第二阳极电极层19所构成的阳极电极层性能。具体而言，在本实施例当中，第二阳极电极层19采用了高导电性且透明的氧化物合金，例如ITO/IZO/IGZO中的任意一种。同时，在本实施例中，第二阳极电极层19部分延伸至像素定义层12上，以与像素定义层12在正方向上部分重叠，以提升第二阳极电极层19与像素定义层12之间的连接效果。另外，上述正方向即指垂直于阵列基板10的方向，正方向与第一阳极电极层111、第二阳极电极层19的膜层厚度方向、叠置方向相一致。

上述阵列基板10包括有驱动电路层和衬底基板，在本实施例中，请参见图1至图3，提供一阵列基板10，包括步骤：

S11、在驱动电路层的一面上设置第二金属层13，第二金属层13至少包括位于驱动电路层对应显示区域当中的第一部分13a，以及位于驱动电路层对应非显示区域的第二部分13b；

S12、在驱动电路层上设置包裹第一部分13a和第二部分13b的钝化层14；

S13、对钝化层14进行打孔，以使第一部分13a和第二部分13b显露；

S14、在钝化层14上设置平坦层15，平坦层15覆盖第一部分13a和第二部分13b所显露的部位；

S15、在平坦层15上形成延伸至第一部分13a的过孔16，第一部分13a于过孔16所显露。

其中，第一部分13a主要作为薄膜晶体管的源漏极，第一部分13a位于显示区域当中并且通过过孔16所显露。而第二部分13b则处于非显示区域当中，主要是绑定区域当中，用于作为显示面板的绑定垫，第二部分13b和第一部分13a同时形成。在本实施例中，如上所描述的第一金属层11的制备材料可以包含Cu/CuMn/Ti/MoTi/Mo。

进一步的，请参见图4至图6，部分步骤的制作示意图。在本实施例中，在阵列基板10的一面上设置第一金属层11，包括：

S21、在平坦层15上设置通过过孔16而与第一部分13a相连的第一金属层11；

S22、在第一金属层11上设置覆盖第一金属层11对应于像素开口12a部位的光阻17，然后对第一金属层11进行刻蚀，从而去除第一金属层11由光阻17所覆盖部位之外的部位并形成第一阳极电极层111。

其中，上述步骤主要在第一金属层11进行刻蚀时，利用平坦层15对第二部分13b进行保护，防止第二部分13b受到第一金属层11所用刻蚀液的作用，进而提升了第二部分13b及由第二部分13b所构成绑定垫的可靠性。需要说明的是，请参见图7，在本实施例中，当第一阳极电极层111形成后，对光阻17进行了干刻蚀以去除光阻17，具体的，干刻功率可以为200至1000W，压力可以为10至50mt，气体为氧气或者三氟化氮与氧气的混合物，时间可以为20至200s，实施人员可以依据实际情况而对应选择。

此外，在本实施例中，上述光阻17为正向光阻，也就是说，第一金属层11上受到曝光的部分会被显影液所去除，而第一金属层11上未受到曝光的部位不会被显影液所去除，进而有效防止了显影过程中有机物粘在第一阳极电极层111表面，降低了有机发光显示装置出现暗点的风险。

进一步的，在设置平坦层15对第二部分13b进行保护后，需要于后期制程当中，对覆盖在第二部分13b上的平坦层15进行去除，所以，请参见图7至图10，部分步骤的制作示意图，在本实施例中，在像素开口12a内设置与第一阳极电极层111相连的第二阳极电极层19，包括：

S51、去除平坦层15覆盖第二部分13b的部位；

S52、在阵列基板10上设置第三金属层18，第三金属层18至少包括覆盖在第二部分13b于钝化层14所显露的部分上的第三部分18a，另外，第三金属层18还至少包括构成第二阳极电极层19的第四部分18b。

其中，第三部分18a直接覆盖于第二部分13b之上，两者间相互电性连接以构成绑定垫，正如前文中所描述的，第三金属层18主要采用对热制程耐受性较为理想的材料所制成，所以当第三部分18a覆盖在第二部分13b上时，能够有效避免后续热制程高温腐蚀第二部分13b，进而提升绑定垫的可靠性。

本实施例所提供的有机发光显示装置制作方法，主要通过改变阳极电极层的设置步骤，增加了对第一阳极电极层111部分去除、清理的工序，进而有效降低了因像素定义层12制作而使得像素单元产生暗点的风险，提升了大尺寸有机发光显示装置中显示面板的亮度均一性和显示效果，并且具有着工艺简单，不需要新增膜层结构或者膜层材料的特点，进而有效的降低了实施成本。同时，本实施例所提供的有机发光显示装置制作方法还对利用属于第三金属层18的第三部分18a对属于第一金属层11的第一部分13a进行覆盖，有效提升了绑定垫的可靠性。

实施例2

本实施例的主体是一种有机发光显示装置，其中，有机发光显示装置主要采用如实施例1中所描述的有机发光显示装置制作方法制作而成。这里，有机发光显示装置可以是有机发光显示面板，也可以是任何带有有机发光显示面板的显示装置，例如手机、电视或者VR设备等等。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。

同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明数字允许有±％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

针对本申请引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本申请作为参考，但与本申请内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本申请权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本申请中的)也除外。需要说明的是，如果本申请附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本申请内容有不一致或冲突的地方，以本申请的描述、定义和/或术语的使用为准。

Claims (5)

1.一种有机发光显示装置制作方法，其特征在于，包括：

提供一阵列基板，所述阵列基板包括驱动电路层，在所述驱动电路层的一面上设置第二金属层，所述第二金属层至少包括位于所述驱动电路层对应显示区域当中的第一部分，以及位于所述驱动电路层对应非显示区域的第二部分；在所述驱动电路层上设置包裹所述第一部分和所述第二部分的钝化层；对所述钝化层进行打孔，以使所述第一部分和所述第二部分显露；在所述钝化层上设置平坦层，所述平坦层覆盖所述第一部分和所述第二部分所显露的部位；在所述平坦层上形成延伸至所述第一部分的过孔，所述第一部分于所述过孔所显露；

其中，在所述平坦层上设置通过所述过孔而与所述第一部分相连的第一金属层；在所述第一金属层上设置覆盖所述第一金属层对应于像素开口部位的光阻，然后对所述第一金属层进行刻蚀，并去除所述第一金属层由所述光阻所覆盖部位之外的部位并形成第一阳极电极层；

在所述阵列基板上设置像素定义层，所述像素定义层限定出所述像素开口，并且所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露；

去除所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露的部位至预设深度；

在所述像素开口内设置与所述第一阳极电极层相连接的第二阳极电极层，其中，还包括：去除所述平坦层覆盖所述第二部分的部位；在所述阵列基板上设置第三金属层，所述第三金属层至少包括覆盖在所述第二部分于所述钝化层所显露的部分上的第三部分，以及构成所述第二阳极电极层的第四部分，所述第三部分用以避免后续热制程高温腐蚀所述第二部分。

2.如权利要求1所述有机发光显示装置制作方法，其特征在于，所述去除所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露的部位至预设深度，包括：

对采用湿法蚀刻所述第一阳极电极层于所述像素开口所显露的部位至预设深度。

3.如权利要求1所述有机发光显示装置制作方法，其特征在于，所述第一金属层采用Al合金或者Ag合金制成。

4.如权利要求1所述有机发光显示装置制作方法，其特征在于，所述第二阳极电极层部分延伸至所述像素定义层上，以与所述像素定义层在正方向上部分重叠。

5.一种有机发光显示装置，其特征在于，采用如权利要求1至4中任意一项所述有机发光显示装置制作方法制作而成。