CN108231836A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：在基板上的阳极电极；在阳极电极上的辅助电极；在辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上的堤部；在所述辅助电极的通过堤部露出的上表面上的有机发光层；以及在有机发光层上的阴极电极。辅助电极被设置成在由堤部覆盖的区域和通过堤部露出的开放区域中具有不同的高度。因此，确保了将异物和包括有机材料的残留层从其去除的清洁的电极表面，由此防止有机发光显示装置的性能劣化并且在辅助电极的上表面上平坦地形成有机发光层以实现均匀的亮度。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月9日提交的韩国专利申请第10-2016-0167533号的权益，通过引用将其如同在本文中完全阐述的那样并入本文。
技术领域
本公开内容涉及一种显示装置，更特别地，涉及一种有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
平板显示(FPD)装置的实例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置等。近来，作为一种类型的FPD装置，正广泛使用电泳显示(EPD)装置。
在这样的显示装置中，有机发光显示装置是自发光装置并且具有低功耗、快响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角，由此作为下一代显示装置而受到关注。
特别地，最近正开发均包括由具有可溶性质的材料形成的有机发光层的有机发光显示装置以用于提高制造有机发光显示装置的工艺的方便性和效率。
图1是相关技术的可溶有机发光显示装置的示意性截面图。
如图1所示，在基板(未示出)上依次设置有平坦化层1、阳极电极2、堤部3、有机发光层5和阴极电极6。
平坦化层1使设置在基板上的薄膜晶体管(TFT)层(未示出)平坦化，并且在平坦化层1上设置有阳极电极2。
堤部3设置在阳极电极2上并且限定像素区域。堤部3设置在阳极电极2的一侧和另一侧中的每一个上以露出阳极电极2的上表面。堤部3由有机材料形成。
有机发光层5设置在由堤部3限定的像素区域中，并且阴极电极6设置在有机发光层5上。
具体地，在可溶有机发光显示装置中，为了提高制造工艺的方便性和效率，通过喷墨印刷工艺将具有可溶性质的有机发光材料喷射或滴落在由堤部3限定的像素区域上，然后，通过使有机发光材料固化，形成有机发光层5。
特别地，为了使有机发光材料不外流到相邻的像素区域中，堤部4的上表面被形成为具有疏水性质。也就是说，在可溶有机发光显示装置中，堤部3限定设置有机发光层5的区域，使得有机发光材料仅聚集在相应的像素区域中。
相关技术的可溶有机发光显示装置具有如下问题。
如上所述，在形成包括有机材料的堤部3之后，在阳极电极2上形成有机发光层5和阴极电极6。然而，如图1所示，在形成堤部3的过程中，在阳极电极2上残留包含有机材料的残留层或异物D。另外，包含有机材料的残留层或异物D阻碍来自阳极电极2的空穴的移动，导致有机发光显示装置的寿命的降低和性能劣化。
为了解决这样的问题，在相关技术的有机发光显示装置中，使用等离子体或极紫外线(EUV)的表面处理技术用于在形成堤部3之后去除包含有机材料的残留层或异物D。然而，堤部3的上表面的疏水区域通过表面处理技术被同时去除。为此，堤部3的上表面不具有疏水性质，因此，实现不了堤部3的限定设置有机发光层5的区域的独特功能。
此外，由于在阳极电极2的上表面上残留的包括有机材料的残留层或异物D，阳极电极2的上表面具有粗糙表面，为此，形成在阳极电极2的上表面上的有机发光层5和阴极电极6不形成为具有均匀的厚度，导致发光效率的降低。
发明内容
因此，本公开涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的有机发光显示装置及其制造方法。
本公开的一个方面涉及一种有机发光显示及其制造方法，其中，确保了在形成有机堤部的过程中残留的异物或包括有机材料的残留层被去除的清洁的电极表面。
本公开的另一方面涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，其中，另外设置用于去除异物或包括有机材料的残留层的辅助电极以防止有机堤部的上表面的疏水区域被损坏，因而有机发光层仅设置在相应像素区域中。
本公开的另一方面涉及提供一种有机发光显示装置及其制造方法，其中，在阳极电极上设置折射率相对大于有机发光层的折射率的辅助电极，由此增强了发光效率。
将在下面的描述中部分阐述本公开的另外的优点和特征，对于本领域技术人员而言，本公开的部分另外的优点和特征将在考察如下内容时变得明显，或者可以根据本公开的实践来获知。可以通过在所撰写的说明书和其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开内容的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点以及根据本公开的目的，如本文中体现和广泛描述的，提供了一种有机发光显示装置，其包括：在基板上的阳极电极；在阳极电极上的辅助电极；在辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上的堤部；在辅助电极的通过堤部露出的上表面上的有机发光层；以及在有机发光层上的阴极电极，其中，辅助电极被设置成在被堤部覆盖的区域中与在通过堤部露出的开放区域中具有不用的高度。
在本公开的另一方面中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成阳极电极和辅助电极，在辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上形成堤部，该堤部包括有机材料，通过使用堤部作为掩模蚀刻部分辅助电极，使得辅助电极在被堤部覆盖的区域中和在通过堤部露出的开放区域中具有不同的高度，在辅助电极的通过堤部露出的上表面上形成有机发光层，以及在有机发光层上形成阴极电极。
应理解，本公开的前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，所述附图被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是相关技术的可溶有机发光显示装置的示意性截面图；
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的截面图；
图3是根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的截面图；
图4A至4F是示出制造根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的方法的工艺截面图；
图5A至图5F是示出制造根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的方法的工艺截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施方案，其实施例在附图中示出。贯穿附图，将尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
将通过参考附图描述的以下实施方案来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被诠释为限于本文所阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开将是彻底和完全的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
在用于描述本公开的实施方案的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度和数字仅为示例，并且因此本公开不限于所示出的细节。相同的附图标记始终指代相同的元件。在下面的描述中，在确定对相关已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开的重点模糊的情况下，则将省略该详细描述。在使用本说明书中所描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用“仅……”，否则可以添加其他部分。除非另外相反指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在诠释要素时，即使未明确描述，要素也被诠释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，在两个部件之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下”和“靠近……”的情况下，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以在所述两个部件之间设置一个或更多个其他部件。
在描述时间关系时，例如，在时间顺序被描述为“在……之后”、“随后……”、“接下来……”和“在……之前”的情况下，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
应理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但是这些要素不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件而不脱离本公开的范围。
本公开的各个实施方案的特征可以彼此部分地或整体地彼此结合或组合，并且如本领域技术人员能够充分理解的，所述特征可以以各种方式彼此相互作用并且在技术上被驱动。本公开的实施方案可以彼此独立地实施，或者可以以相互依赖的关系一起被实施。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方案。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的截面图。
如图2所示，根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置可以包括形成在基板100上的薄膜晶体管(TFT)层T、钝化层165、平坦化层170、阳极电极180、辅助电极190、堤部200、有机发光层210和阴极电极220。
TFT层T可以包括有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间电介质140、源电极150和漏电极160。
有源层110可以形成在基板100上以与栅电极130交叠。有源层110可以由硅基半导体材料形成，或可以由氧化物基半导体材料形成。尽管未示出，在基板100与有源层110之间还可以形成有光阻挡层，并且在这种情况下，穿过基板100的底部入射的外部光可以被光阻挡层阻挡，由此防止有源层110被外部光损坏。
栅极绝缘层120可以形成在有源层110上。栅极绝缘层120可以使有源层110绝缘于栅电极130。栅极绝缘层120可以由无机绝缘材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成，但不限于此。
栅电极130可以形成在栅极绝缘层120上。栅电极130可以形成为与有源层110交叠，栅极绝缘层120在栅电极130与有源层110之间。栅电极130可以由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中之一或其合金的单层或多层形成，但不限于此。
层间电介质140可以形成在栅电极130上。层间电介质140可以由与栅极绝缘层120的材料相同的无机绝缘材料(例如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层)形成，但不限于此。
源电极150和漏电极160可以形成在层间电介质140上以彼此面对。栅极绝缘层120和层间电介质140可以包括：露出有源层110的一个区域的第一接触孔CH1；以及露出有源层110的另一区域的第二接触孔CH2。因此，源电极150可以穿过第二接触孔CH2连接至有源层110的所述另一区域，漏电极160可以穿过第一接触孔CH1连接至有源层110的所述一个区域。
在图2中，源电极150和漏电极160被示出为单层，但不限于此。
例如，源电极150可以包括底源电极(未示出)和顶源电极(未示出)，并且底源电极可以形成在层间电介质140与顶源电极之间以增强层间电介质140与顶源电极之间的粘合力。另外，底源电极可以保护顶源电极的下表面，由此防止顶源电极的下表面被腐蚀。因此，底源电极的氧化速率可以低于顶源电极的氧化速率。也就是说，底源电极的材料可以是耐腐蚀性强于顶源电极的材料的耐腐蚀性的材料。如上所述，底源电极可以用作增粘剂或抗腐蚀层并且可以由钼(Mo)和钛(Ti)的合金(MoTi)形成，但不限于此。
此外，顶源电极可以形成在底源电极的上表面上。顶源电极可以由作为具有低电阻的金属的铜(Cu)形成，但不限于此。顶源电极可以由具有比底源电极的电阻相对更低的电阻的金属形成。为了降低源电极150的总电阻，可以将顶源电极的厚度设置得比底源电极的厚度更厚。
与源电极150类似，漏电极160也可以包括底漏电极(未示出)和顶漏电极(未示出)。然而，本实施方案不限于此。在其他实施方案中，源电极150和漏电极160可以各自由包括比三层的层数更多的层的多层形成。
TFT层T的结构不限于附图中所示的结构，而是可以被不同地修改成本领域技术人员已知的结构。例如，在附图中，TFT层T被示出为具有其中栅电极130设置在有源层110上的顶栅极结构，但不限于此。在其他实施方案中，TFT层T可以形成为其中栅电极130设置在有源层110下的底栅极结构。
钝化层165可以形成在TFT层T上，并且更详细地，可以形成在源电极150和漏电极160中的每一个的上表面上。钝化层165可以保护TFT层T并且可以由无机绝缘材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成，但不限于此。
平坦化层170可以形成在钝化层165上。平坦化层170可以使基板110的其上设置有TFT层T的上表面平坦化。平坦化层170可以由有机绝缘材料例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成，但不限于此。
阳极电极180可以形成在平坦化层170上。钝化层165和平坦化层170可以包括露出源电极150的第三接触孔CH3，并且源电极150可以穿过第三接触孔CH3连接至阳极电极180。
在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为顶发射型的情况下，由于阳极电极180会沿向上方向反射从有机发光层210发射的光，所以阳极电极180可以包括反射率良好的材料。另一方面，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为底发射型的情况下，由于阳极电极设置在光穿过其输出的表面上，所以阳极电极180可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)形成。阳极电极180可以由多层形成。
例如，阳极电极180可以包括底阳极电极(未示出)、顶阳极电极(未示出)和盖阳极电极(未示出)。底阳极电极可以设置在平坦化层170与顶阳极电极之间以增加平坦化层170与顶阳极电极之间的粘合力。顶阳极电极可以设置在底阳极电极与盖阳极电极之间。顶阳极电极可以由电阻比底阳极电极和盖阳极电极中的每一者的电阻相对更低的金属形成。为了降低阳极电极180的总电阻，可以将顶阳极电极的厚度设置得比底阳极电极和盖阳极电极中的每一者的厚度更厚。盖阳极电极可以设置在顶阳极电极上。盖阳极电极可以设置成覆盖顶阳极电极的上表面和侧表面，由此防止顶阳极电极被腐蚀。因此，盖阳极电极的氧化速率可以低于顶阳极电极的氧化速率。也就是说，盖阳极电极可以由耐腐蚀性强于顶阳极电极的材料的耐腐蚀性的材料形成。
然而，本实施方案不限于此。在其他实施方案中，阳极电极180可以由双层或包括多于四层的层的多层形成。
辅助电极190可以设置在阳极电极180的上表面上。辅助电极190可以被设置成接触阳极电极180的上表面。也就是说，在辅助电极190与阳极电极180之间没有设置单独的绝缘层，因此可以省略形成绝缘层和接触孔的工艺。
在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为顶发射型的情况下，由于辅助电极190应当沿向上方向反射从有机发光层210发射的光，所以辅助电极190可以包括反射率良好的材料。另一方面，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为底发射型的情况下，由于辅助电极190被设置在光通过其输出的表面上，所以辅助电极190可以由透明导电材料形成。
具体地，在辅助电极190设置在阳极电极180上并且根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为底发射型的情况下，从有机发光层210发射的光可以穿过阳极电极180和辅助电极190，并且可以被输出至外部。在这种情况下，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，为了增强发光，辅助电极190可以由折射率高于阳极电极180的折射率的材料形成。例如，在阳极电极180由作为透明导电材料的ITO形成的情况下，辅助电极190可以由折射率高于ITO的折射率的氧化铟锌(IZO)形成，但是本实施方案不限于此。
如上所述，在本公开的实施方案中，从有机发光层210发射的光穿过的界面之间的折射率增加，因此增强有机发光显示装置的发光。这将在下面更详细地描述。
在没有设置辅助电极190的情况下，有机发光层210可以直接设置在阳极电极180上，并且从有机发光层210发射的光可以穿过有机发光层210和阳极电极180之间的界面，并且可以被输出到下部。在这种情况下，由于有机发光层210由有机材料形成，所以有机发光层210可以具有约1.5的折射率，并且由ITO形成的阳极电极180可以具有约1.7的折射率。此外，基于斯涅耳定律，当光从折射率低的介质入射到折射率高的介质时，光的折射角可以具有小于入射角的值。在这种情况下，入射角可以表示入射光与两种介质之间的界面的法线之间的角度，折射角可以表示折射光与法线之间的角度。也就是说，从折射率低的介质入射到折射率高的介质的光可以朝向与法线平行的方向即朝向垂直于界面的方向被折射。
因此，在本公开的实施方案中，从有机发光层210发射的光可行进至折射率高于有机发光层210的折射率的材料，从而提高光效率。具体地，随着折射率从有机发光层210到与其相邻的层增加，从有机发光层210发射的光可以朝向与法线平行的方向上被折射并且可以行进。因此，在本公开的实施方案中，可以在包括ITO的阳极电极180上附加地设置包括诸如折射率(折射率为2.0)高于ITO的折射率的IZO的材料的辅助电极190，从而提高沿向下方向发射的光的效率。
此外，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，由于在阳极电极180上附加地设置有辅助电极190，因此获得以下增强效果。
如上所述，在相关技术可溶性有机发光显示装置中，在形成包括有机材料的堤部的工艺中，异物或包括有机材料的残留层残留在阳极电极上。然而，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，在阳极电极180上可以附加地设置辅助电极190，而辅助电极190上的残留层或异物可以在对辅助电极190的一部分进行蚀刻的工艺中去除，从而形成辅助电极190的清洁的上表面。
因此，辅助电极190可以被设置成在被堤部200覆盖的区域和通过堤部200露出的开放区域中具有不同的高度，并且如图2所示，设置在被堤部200覆盖的区域中的辅助电极190的第一高度H1可以具有比设置在通过堤部200露出的开放区域中的辅助电极190的第二高度H2更高的值。
此外，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，由于在阳极电极180上由IZO形成辅助电极190，因此获得以下增强效果。
ITO和IZO可以由包括KOH、H2O2和酸的相同蚀刻剂来蚀刻。因此，在形成阳极电极180和辅助电极190的工艺中，可以在平坦化层170上设置用于形成阳极电极180和辅助电极190的材料，并且通过使用相同的蚀刻剂对这些材料进行蚀刻，可以同时对阳极电极180和辅助电极190进行图案化。因此，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，可以在不增加掩模工艺的情况下形成辅助电极190。
此外，由于与ITO相比IZO更易于被蚀刻，所以在蚀刻辅助电极190的上表面的工艺中，包括有机材料的堤部200被蚀刻剂损坏的程度被最小化。
如上所述，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，由于辅助电极190设置在阳极电极180上，所以从有机发光层210发射的光的效率提高，并且异物或包括有机材料的残留层完全被去除，由此增加可使用寿命。
堤部200可以设置在辅助电极190上。
堤部200可以设置在辅助电极190的一侧和另一侧中的每一个上，以露出辅助电极190的上表面。由于堤部200设置成露出辅助电极190的上表面，确保了显示图像的区域。另外，由于堤部200设置在辅助电极190的一侧和另一侧中的每一个上，所以辅助电极190的易于被腐蚀的侧表面不暴露于外部，从而防止辅助电极190的侧表面被腐蚀。在这种情况下，有机发光层210和阴极电极220可以设置在辅助电极190的上表面上，并且辅助电极190的待形成有机发光层210和阴极电极220的露出区域可以对应于发光区域EA。
堤部200可以由诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、苯并环丁烯(BCB)等的有机绝缘材料形成，但不限于此。
具体地，根据本公开的一个实施方案的堤部200可以完全由亲水性材料形成，并且堤部200的仅上表面可以由疏水性材料形成。也就是说，有机发光层210和阴极电极220可以设置在通过堤部200露出的辅助电极190上，并且在这种情况下，由于有机发光层210和阴极电极220应当在辅助电极190上被设置成具有均匀厚度，在本公开的实施方案中，堤部200的侧表面可以由亲水性材料形成。因此，有机发光层210可以被设置成仅延伸到堤部200的侧表面而不经过堤部200的上表面，并且有机发光层210可以在高达堤部200的侧表面的范围内被均匀地设置，由此有机发光层210可以平坦地设置在发光区域EA中。
在上文中，具有疏水性的区域被描述为堤部200的上表面，但是本实施方案不限于此。在其他实施方案中，与从堤部200的上表面到某一高度对应的区域可以包括疏水性材料，而另一区域可以包括亲水性材料。
有机发光层210可以设置在辅助电极190上。有机发光层210可以设置在通过堤部200露出的辅助电极190上。有机发光层210可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。有机发光层210的结构可以被修改成本领域技术人员已知的结构。
具体地，构成有机发光层210的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的至少一个可以通过可溶工艺来形成。例如，空穴注入层、空穴传输层和发光层可以通过可溶工艺来形成，电子传输层和电子注入层可以通过气相沉积工艺来形成。但是，本实施方案不限于此。
如上所述，可溶工艺可以是其中通过喷墨印刷工艺将可溶性有机发光材料喷涂在辅助电极190上的工艺，并通过使可溶性有机发光材料固化，有机发光层210被形成。可溶工艺可用于增加制造有机发光显示装置的工艺的便利性和效率。
阴极电极220可以设置在有机发光层210上。在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为顶发射型的情况下，由于阴极电极220设置在光通过其输出的表面上，所以阴极电极220可以由透明导电材料形成。另一方面，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置被实现为底发射型的情况下，由于阴极电极220应当沿向下方向反射从有机发光层210发射的光，所以阴极电极220可以包括反射率良好的材料。
虽然未示出，但是可以在阴极电极220上附加地设置封装层以防止水渗透。
如上所述，根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置可以以能够实现从有机发光层210发射的光通过阴极电极220被输出到外部的顶发射型或从有机发光层210发射的光通过阳极电极180和辅助电极190被输出到外部的底发射型的结构来实现，但是不限于此。在其他实施方案中，根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置可以实现为双发射型。
图3是根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的截面图。
在图3所示的根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置中，堤部可以由多层形成。因此，除了一些元件的布置被改变之外，图3所示的有机发光显示装置与图2的有机发光显示装置相同。因此，在下文中，相同的附图标记指代相同的元件，并且将仅描述不同的元件。
如图3所示，根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置可以包括形成在基板100上的TFT层T、钝化层165、平坦化层170、阳极电极180、辅助电极190、堤部200、有机发光层210和阴极电极220。堤部200可以由包括第一堤部201和第二堤部202的多层形成。
第一堤部201可以设置在阳极电极180和辅助电极190中的每一者的一侧和另一侧中的每一个上以露出辅助电极190的上表面，并且第二堤部202可以设置在第一堤部201上以露出第一堤部201的上表面。具体地，第二堤部202可以被设置成露出第一堤部201的边缘。
以这种方式，在本公开的实施方案中，由于第二堤部202设置在第一堤部201上以露出第一堤部201的边缘，所以堤部200可以整体以具有阶梯高度的形状设置在辅助电极190上，如图3所示。
在本公开的实施方案中，第二堤部202设置在第一堤部201上以露出第一堤部201的边缘用于防止有机发光层210的堆积(pileup)现象。
堆积现象表示：在通过喷墨印刷工艺形成有机发光层210的情况下，在执行将有机发光层210的有机发光材料喷射或滴落到辅助电极上然后使其干燥的工艺中，有机发光材料干燥并固化，于是设置在与堤部200接触的区域中的有机发光层210的厚度被设置得比设置在辅助电极190的上表面上的有机发光层210上的厚度更厚，引起厚度偏差。
因此，有机发光层210可以平坦地设置在与通过堤部200露出的辅助电极190对应的发光区域EA的中心，并且可以具有其厚度越靠近与堤部200相邻的部分越逐渐增加的横截面。此外，如果有机发光层210没有平坦地设置在辅助电极190上，则发生亮度不均匀。
因此，在本公开的实施方案中，设置在阳极电极180和辅助电极190中的每一者的一侧和另一侧中的每一个上的堤部200可以包括第一堤部201和第二堤部202以具有呈阶梯形状的阶梯高度，从而防止了堆积现象。
如上所述，在第一堤部201和第二堤部202被设置成具有呈阶梯形状的阶梯高度的状态下，有机发光材料可以被喷射在通过第一堤部201露出的辅助电极190的上表面上和通过第二堤部202露出的第一堤部201的上表面上，有机发光层210可以平坦地设置在与发光区域EA对应的辅助电极190上。也就是说，在本公开的实施方案中，有机发光层210可以设置在第一堤部201的边缘顶部，并且因此可以平坦地设置在发光区域EA中。
为此，第一堤部201可以被设置成完全具有亲水特性，并且第二堤部202可以被设置成完全具有疏水特性或者仅其上部可以被设置成具有疏水特性。也就是说，如上所述，在本公开的一个实施方案中，有机发光层210可以被设置成延伸至第一堤部201的上表面，以使得在与发光区域EA对应的辅助电极190的露出区域中不会出现堆积现象。
因此，第一堤部201可以由亲水性材料形成，并且有机发光层210可以设置在第一堤部201的上表面上。此外，第二堤部202可以由疏水性材料形成以通过限定设置有机发光层210的区域来限定像素区域。然而，只要有机发光层210没有设置在第二堤部202的上表面上，就可以限定像素区域，并且因此仅第二堤部202的上表面可以由疏水性材料形成。
此外，第一堤部210的上表面与辅助电极190的上表面之间的距离可以被设置成比第二堤部202的上表面与第一堤部201的上表面之间的距离短。也就是说，如果有机发光层190可以设置在第一堤部201的上表面上以使有机发光层190平坦地设置在辅助电极190上，则第一堤部201可以被设置成具有相对薄的厚度，但是由于第二堤部202除了限定设置有机发光层210的区域之外还应当限定像素区域，所以第二堤部202可以被设置成厚度比第一堤部201的厚度相对更厚。
此外，第二堤部202的侧表面可以相对于基板100的表面以某个角度倾斜。具体地，如图3所示，第二堤部202的侧表面与基板100的表面之间的角度可以被调节成45度或更小。
也就是说，当有机发光层210设置在平缓地倾斜的第二堤部202的侧表面上时，有机发光层210的厚度的偏差减小，而当有机发光层210设置在陡峭地倾斜的第二堤部202的侧表面上时，有机发光层210的厚度的偏差增大。因此，在本公开的一个实施方案中，第二堤部202的侧表面可以以平缓的角度倾斜，并且因此，设置在辅助电极190上的有机发光层210可以被平坦化。在这种情况下，角度不限于上述角度，而是可以基于有机发光材料的粘度或通过第二堤部202露出的第一堤部201的上表面的面积来修改。此外，由于有机发光层210设置在第一堤部201的边缘顶部上，所以第一堤部201的侧表面201a与基板100的表面之间的角度不限于具体值。
如上所述，阳极电极180可以由折射率比有机发光层210的折射率高的材料形成，辅助电极190可以由折射率比阳极电极180的折射率高的材料形成。也就是说，由于从具有低折射率的介质入射到具有高折射率的介质的光朝向与法线平行的方向被折射，所以在本公开的一个实施方案中，阳极电极180可以由折射率比有机发光层210的折射率高的材料形成，使得从有机发光层210发射的光朝向与有机发光层210与阳极电极180之间的界面的法线平行的方向被折射并行进。
具体地，随着折射率从有机发光层210到与其相邻的层增加，从有机发光层210发射的光可以朝向与法线平行的方向被折射并且可以行进。因此，在本公开的实施方案中，在包括ITO的阳极电极180上附加地设置有包括诸如具有高于ITO的折射率的折射率(2.0的折射率)的IZO的材料的辅助电极190，从而提高沿向下方向发射的光的效率。
此外，在根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置中，由于辅助电极190被附加地设置在阳极电极180上，因此获得以下增强的效果。
如上所述，在现有技术可溶性有机发光显示装置中，在形成包括有机材料的堤部的工艺中，异物或包括有机材料的残留层保留在阳极电极上。然而，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，辅助电极190可以附加地设置在阳极电极180上，但是辅助电极190上的残留层或异物可以在对辅助电极190的一部分进行蚀刻的工艺中被去除，从而形成辅助电极190的清洁的上表面。
因此，辅助电极190可以被设置成在被堤部200覆盖的区域中以及在通过堤部200露出的开放区域中具有不同的高度，并且设置在被堤部200覆盖的区域中的辅助电极190的第一高度H1的值可以大于设置在通过堤部200露出的开放区域中的辅助电极190的第二高度H2的值。
如上所述，在根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置中，由于辅助电极190设置在阳极电极180上，所以从有机发光层210发射的光的效率增强，并且异物或包括有机材料的残留层完全被去除，由此增加可使用寿命。
此外，在根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置中，由于设置在具有阶梯结构的堤部200的上部中的第二堤部202包括疏水性材料，而设置在堤部200的下部中的第一堤部201包括亲水性材料，所以有机发光层210可以平坦地设置在辅助电极190的上表面上，由此实现均匀的亮度。
此外，在根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置中，被设置成露出第一堤部201的边缘的第二堤部202的侧表面可以相对于基板100的表面倾斜，因此有机发光层210可以更平坦地设置在辅助电极190的上表面上，由此实现均匀的亮度。
有机发光层210可以延伸至通过第二堤部202露出的第一堤部201的上表面。然而，有机发光层210不覆盖第二堤部202的上表面，此外，没有延伸至第二堤部202的上表面。
为此，如上所述，第一堤部201可以完全由亲水性材料形成，并且第二堤部202可以完全由疏水性材料形成或者仅其上部可以由疏水性材料形成。
虽然未示出，但是可以在阴极电极220上附加地设置封装层以防止水渗透。封装层可以使用本领域技术人员已知的各种材料。
图4A至图4F是示出了制造根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的方法的工艺截面图，并且涉及制造图2的有机发光显示装置的方法。因此，在下文中，相同的附图标记始终指代相同的元件，并且在每个元件的材料和结构中，省略重复的描述。
首先，如在图4A中所看到的，可以在基板100上顺序地形成有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间电介质140、源电极150和漏电极160。
为了提供更详细的描述，可以在基板100上形成有源层110，可以在有源层110上形成栅极绝缘层120，可以在栅极绝缘层120上形成栅电极130，可以在栅电极130上形成层间电介质140，可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2，并且可以形成通过第一接触孔CH1连接至有源层110的一个区域的漏电极160以及通过第二接触孔CH2连接至有源层110的另一区域的源电极150。
源电极150和漏电极160均可以由多层形成。源电极150和漏电极160可以通过相同的图案化工艺由相同的材料同时形成。
随后，如在图4B中所看到的，可以在源电极150和漏电极160上形成钝化层165，并且可以在钝化层165上形成平坦化层170。
可以将钝化层165和平坦化层170形成为具有第三接触孔CH3，并且因此源电极150可以通过第三接触孔CH3暴露于外部。
随后，如在图4C中所看到的，可以在平坦化层170上顺序形成阳极电极180和辅助电极190。
阳极电极180可以通过第三接触孔CH3连接到源电极150。辅助电极190可以由具有比阳极电极180的折射率高的折射率的材料形成。例如，阳极电极180可以由ITO形成，并且辅助电极190可以由IZO形成。
ITO和IZO可以由包括KOH、H2O2和酸的相同蚀刻剂来蚀刻。因此，在形成阳极电极180和辅助电极190的工艺中，可以在平坦化层170上设置用于形成阳极电极180和辅助电极190的材料，并且通过用相同的蚀刻剂对这些材料进行蚀刻，可以同时对阳极电极180和辅助电极190进行图案化。因此，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，可以在不添加掩模工艺的情况下形成辅助电极190。
随后，如在图4D中所看到的，可以在辅助电极190上形成堤部200。具体地，可以在辅助电极190的一侧和另一侧中的每个上形成堤部200，以露出辅助电极190的上表面。如图4D所示，在辅助电极190的一侧和另一侧中的每个上对堤部200进行图案化的工艺可以使用光刻工艺，并且可以通过本领域技术人员已知的各种技术对堤部200进行图案化。
在于辅助电极190上形成堤部200的工艺中，可以对堤部200进行疏水处理，以使堤部200的上表面具有疏水性。对堤部200的上表面进行疏水处理的方法可以使用本领域技术人员已知的各种技术。例如，在使用掩模对堤部200进行图案化的工艺中，可以通过调整对堤部200的曝光程度或者通过使用涂布装置例如其上涂覆有疏水性材料的辊对堤部200的上表面进行疏水处理，疏水性材料可以涂覆在堤部200的上表面上，但是本实施方案不限于此。
随后，如在图4E中所看到的，可以通过将堤部200用作掩模对部分辅助电极190进行蚀刻。如上所述，当辅助电极190由ITO形成时，可以选择性地仅对IZO进行蚀刻，并且在这种情况下，可以使用包括KOH、H2O2和酸的蚀刻剂(其不会损坏包括ITO的阳极电极180和包括有机材料的堤部200)。然而，本实施方案不限于此，因此可以基于辅助电极190的材料来使用蚀刻剂。
具体地，如图4D所示，在对包括有机材料的堤部200进行图案化的工艺中，有机材料可以在通过堤部200露出的辅助电极的开放区域中作为残留层或异物200a残留。
在相关技术中，使用等离子体或EUV的表面处理技术用于去除异物200a，但是堤部200的上表面的已经执行了疏水处理的疏水区域一起被去除。因此，在本公开的实施方案中，虽然蚀刻辅助电极190的部分，但是辅助电极190的上表面和杂质200a在蚀刻工艺中同时被去除，并且因此获得包括平坦且清洁的上表面的辅助电极。
具体地，如上所述，在本公开的实施方案中，辅助电极190可以由折射率比阳极电极180的折射率高的材料形成，并且在这种情况下，由于辅助电极190形成在阳极电极180上，所以从有机发光层210发出的光所通过的界面之间的折射率增加，由此增强有机发光显示装置的发光。也就是说，在对辅助电极190进行蚀刻用于去除异物200a的工艺中，可以去除辅助电极190的整个部分，但是在本公开的一个实施方案中，辅助电极190可以设置在阳极电极180上的通过堤部200露出的开放区域中而没有去除整个辅助电极190，从而提高了光效率。
随后，如在图4F中所看到的，可以在辅助电极190上顺序地形成有机发光层210和阴极电极220。有机发光层210可以由通过喷墨印刷工艺喷射可溶性有机发光材料来形成，并且如上所述，堤部200的上表面可以由疏水性材料形成。因此，有机发光层210可以沉积高至辅助电极190的上表面和堤部200的侧表面，但不沉积在堤部200的上表面上。
也就是说，在本公开的实施方案中，堤部200可以完全由亲水性材料形成，并且堤部200的仅上表面可以由疏水性材料形成，由此防止有机发光层210被分配到除了堤部200的上表面之外的另一像素的发光区域。
图5A至图5F是示出了制造根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的方法的工艺截面图，并涉及制造图3的有机发光显示装置的方法。因此，在下文中，相同的附图标记始终表示相同的元件，并且在每个元件的材料和结构中，省略重复的描述。
首先，如在图5A中所看到的，可以在基板100上顺序地形成有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间电介质140、源电极150和漏电极160。
为了提供更详细的描述，可以在基板100上形成有源层110，可以在有源层110上形成栅极绝缘层120，可以在栅极绝缘层120上形成栅电极130，可以在栅电极130上形成层间电介质140，可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2，并且可以形成通过第一接触孔CH1连接至有源层110的一个区域的漏电极160和通过第二接触孔CH2连接至有源层110的另一区域的源电极150。
源电极150和漏电极160均可以由多层形成。源电极150和漏电极160可以通过相同的图案化工艺由相同的材料同时形成。
随后，如在图5B中所看到的，可以在源电极150和漏电极160上形成钝化层165，并且可以在钝化层165上形成平坦化层170。
钝化层165和平坦化层170可以形成为具有第三接触孔CH3，并且因此源电极150可以通过第三接触孔CH3露出到外部。
随后，如在图5C中所看到的，可以在平坦化层170上顺序地形成阳极电极180和辅助电极190。
阳极电极180可以通过第三接触孔CH3连接至源电极150。辅助电极190可以由折射率比阳极电极180的折射率高的材料形成。例如，阳极电极180可以由ITO形成，以及辅助电极190可以由IZO形成。
ITO和IZO可以由包括KOH、H2O2和酸的相同蚀刻剂来蚀刻。因此，在形成阳极电极180和辅助电极190的工艺中，可以在平坦化层170上设置用于形成阳极电极180和辅助电极190的材料，并且通过用相同的蚀刻剂对这些材料进行蚀刻，可以同时对阳极电极180和辅助电极190进行图案化。因此，在根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置中，可以在不增加掩模工艺的情况下形成辅助电极190。
随后，如在图5D中所看到的，可以在辅助电极190上顺序地形成第一堤部201和第二堤部202。具体地，可以在辅助电极190的一侧和另一侧中的每个上形成第一堤部201以露出辅助电极190的上表面，并且可以在第一堤部201上形成第二堤部202以露出由第一堤部201露出的辅助电极190的上表面和第一堤部201的边缘。如图5D所示，在辅助电极190的一侧和另一侧上对第一堤部201和第二堤部202进行图案化的工艺可以使用光刻工艺，并且第一堤部201和第二堤部202可以通过本领域技术人员已知的各种技术被图案化。
在于辅助电极190上形成第一堤部201和第二堤部202的工艺中，第一堤部201可以由亲水性材料形成，第二堤部202可以由疏水性材料形成。也就是说，在本公开的一个实施方案中，为了在与发光区域对应的辅助电极190的露出区域中不发生堆积现象，有机发光层210应当形成为延伸通过由第二堤部202露出的第一堤部的上表面。因此，在本公开的实施方案中，由于第一堤部201由亲水性材料形成，所以有机发光层210可以形成为延伸到第一堤部201的上表面，并且由于第二堤部202由疏水性材料形成，所以可以限制设置有机发光层210的区域，以使有机发光层210不会渗透到另一像素区域中。
然而，在本公开的实施方案中，第二堤部202对设置有机发光层210的区域进行限制的情况对于第二堤部202来说足够好，因此第二堤部202可以由疏水性有机材料形成或者不由疏水性有机材料形成。例如，第二堤部202可以由亲水性有机材料形成，并且可以对第二堤部202进行疏水处理以使第二堤部202的上表面具有疏水性。也就是说，在对第二堤部202进行图案化的工艺中，可以通过调整对第二堤部202进行的曝光程度或者通过使用涂覆装置例如其上涂覆有疏水性材料的辊对第二堤部202的上表面上进行疏水处理，疏水性材料可以涂覆在第二堤部202的上表面上，由此可以仅对第二堤部202的上表面进行疏水处理。
随后，如在图5E中所看到的，可以通过使用第一堤部201和第二堤部202中的每一个作为掩模来对辅助电极190的一部分进行蚀刻。如上所述，当辅助电极190由ITO形成时，可以选择性地仅对IZO进行蚀刻，并且在这种情况下，可以使用包括KOH、H2O2和酸的蚀刻剂(其不会损坏包括ITO的阳极电极180、包括无机材料的第一堤部202和包括有机材料的第二堤部202。然而，本实施方案不限于此，因此可以基于辅助电极190的材料来使用蚀刻剂。
具体地，如图5D所示，在对包括有机材料的第二堤部202进行图案化的工艺中，有机材料可以在由第二堤部202露出的辅助电极的开放区域中作为残留层或异物200a残留。
在相关技术中，使用等离子体或EUV的表面处理技术用于去除异物200a，但是第二堤部202的上表面的已经进行了疏水处理的疏水区域一起被去除。因此，在本公开的一个实施方案中，虽然蚀刻部分辅助电极190，但是辅助电极190的上表面和杂质200a在蚀刻工艺中同时被去除，并且因此获得包括平坦且清洁的上表面的辅助电极。
具体地，如上所述，在本公开的实施方案中，辅助电极190可以由折射率比阳极电极180的折射率高的材料形成，并且在这种情况下，由于辅助电极190形成在阳极电极180上，所以从有机发光层210发出的光所通过的界面之间的折射率增加，由此增强了有机发光显示装置的发光。也就是说，在对辅助电极190进行蚀刻用于去除异物200a的工艺中，可以去除辅助电极190的整个部分，但是在本公开的一个实施方案中，辅助电极190可以设置在阳极电极180上的由第一堤部201和第二堤部202露出的开放区域中，而不去除辅助电极190的整个部分，从而提高了光效率。
随后，如在图5F中所看到的，可以在辅助电极190上顺序地形成有机发光层210和阴极电极220。有机发光层210可以由通过喷墨印刷工艺喷射可溶性有机发光材料来形成，并且如上所述，第二堤部202的整个部分或上表面可以由疏水性材料形成。因此，有机发光层210可以沉积高达辅助电极190的上表面、由第二堤部202露出的第一堤部201的上表面以及第二堤部202的侧表面，但是不沉积在第二堤部202的上表面上。
也就是说，在本公开的实施方案中，第二堤部202可以完全由疏水性材料形成，以及第二堤部202的仅上表面可以由疏水性材料形成，由此防止有机光发光层210被分配到除了第二堤部202的上表面之外的另一像素的发光区域。
如上所述，根据本公开的实施方案，可以通过对辅助电极进行蚀刻的工艺去除在形成有机堤部之后残留的异物或包括有机材料的残留层，因此，清洁的辅助电极被固定。
此外，根据本公开的实施方案，在去除异物或包括有机材料的残留层的工艺中，有机堤部的上表面的疏水区域不被损坏，因此实现了用于限制设置有机发光层的区域的有机堤部的独特功能。
此外，根据本公开的实施方案，折射率比有机发光层的折射率相对更大的辅助电极可以设置在阳极电极上，由此提高从有机发光层发射的光的效率。
此外，根据本公开的实施方案，阳极电极和辅助电极可以分别由包括相似材料的透明电极形成，并且因此可以通过使用相同的蚀刻剂同时被蚀刻，由此简化了制造工艺。
此外，根据本公开的实施方案，辅助电极可以由容易蚀刻的材料形成，由此使有机堤部的损坏最小化。
此外，根据本公开的实施方案，由于设置在具有阶梯结构的堤部的上部中的第二堤部包括疏水性材料，并且设置在堤部的下部的第一堤部包括亲水性材料，所以有机发光层可以平坦地设置在辅助电极的上表面上，从而实现均匀的亮度。
此外，根据本公开的实施方案，被设置成露出第一堤部的边缘的第二堤部的侧表面可以相对于基板的表面倾斜，并且因此，有机发光层可以更平坦地设置在辅助电极的上表面上，从而实现均匀的亮度。
对于本领域技术人员显见的是，在不偏离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在覆盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同的范围内即可。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
在基板上的阳极电极；
在所述阳极电极上的辅助电极；
在所述辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上的堤部；
在所述辅助电极的通过所述堤部露出的上表面上的有机发光层；以及
在所述有机发光层上的阴极电极，
其中所述辅助电极被设置成在被所述堤部覆盖的区域中与通过所述堤部露出的开放区域中具有不同的高度。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极被设置成在被所述堤部覆盖的区域中的高度高于通过所述堤部露出的开放区域。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极包括折射率高于所述阳极电极的折射率的材料。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述阳极电极包括铟锡氧化物(ITO)，所述辅助电极包括铟锌氧化物(IZO)。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述堤部的上表面包括疏水性材料。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述堤部包括：
设置在所述阳极电极与所述辅助电极中每一者的一侧和另一侧中的每一个上的第一堤部；
设置在所述第一堤部上以露出所述第一堤部的边缘的第二堤部，以及
所述有机发光层设置在通过所述第一堤部露出的所述阳极电极的上表面和所述第一堤部的露出的上表面上。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第一堤部包括亲水性材料，所述第二堤部包括疏水性材料。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第一堤部包括亲水性材料，所述第二堤部中的至少上部包括疏水性材料。
9.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成阳极电极和辅助电极；
在所述辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上形成堤部，所述堤部包括有机材料；
通过使用所述堤部作为掩模蚀刻部分所述辅助电极，使得所述辅助电极在被所述堤部覆盖的区域中与通过所述堤部露出的开放区域中具有不同的高度，
在所述辅助电极的通过所述堤部露出的上表面上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成阴极电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中
形成所述堤部包括：
在所述辅助电极的一侧和另一侧中的每一个上形成第一堤部；
在所述第一堤部上形成第二堤部以露出所述第一堤部的边缘，所述第二堤部包括有机材料，以及
形成所述有机发光层包括形成所述有机发光层以延伸至所述第一堤部的露出的上表面。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一堤部包括亲水性材料，所述第二堤部包括疏水性材料。
12.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述堤部包括对所述堤部执行疏水处理，使得所述堤部的所述上表面具有疏水性。
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