TWI654778B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置及其製造方法

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Abstract

一種有機發光顯示裝置，可以包括：一陽極電極，設置在一基板上；一輔助電極，設置在該陽極電極上，該輔助電極具有一第一高度和不同於該第一高度的一第二高度；一堤岸層，設置在該輔助電極的一側及在該輔助電極的另一側上；一有機發光層，設置在由該堤岸層暴露的一開口區之該輔助電極的一上表面上；以及一陰極電極，設置在該有機發光層上，其中該輔助電極在與該堤岸層重疊的一覆蓋區中具有該第一高度，並且在由該堤岸層暴露之該開口區中具有該第二高度。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種顯示裝置，特別係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
平板顯示(FPD)裝置的實例包括液晶顯示(LCD)裝置、電漿顯示面板(PDP)、電泳顯示(EPD)裝置、有機發光顯示裝置等。近來，有機發光顯示裝置正在被廣泛用作為FPD裝置的一種類型。
在這些顯示裝置中，有機發光顯示裝置是自發光裝置，具有低功耗、快速響應時間、高發光效率、高亮度和寬視角，因此，作為次世代顯示裝置而受到矚目。
更詳細地說，近來正在開發包括由具有可溶特性的材料形成之有機發光層的各有機發光顯示裝置，以提高製造有機發光顯示裝置的製程的便利性和效率。
圖1係為習知技術之可溶性有機發光顯示裝置的示意剖視圖。
如圖1所示，在基板上依序設置平坦化層1、陽極電極2、堤岸層3、有機發光層5、以及陰極電極6。
平坦化層1將設置在基板上的薄膜電晶體(TFT)層平坦化，且陽極電極2設置在平坦化層1上。
堤岸層3設置在陽極電極2上並且定義像素區。堤岸層3各設置在陽極電極2的一側和另一側上以暴露陽極電極2的上表面。堤岸層3由有機材料形成。
有機發光層5設置在由堤岸層3定義的像素區中，陰極電極6設置在有機發光層5上。
詳細地說，在可溶性有機發光顯示裝置中，為了提高製程的便利性和效率，具有可溶特性的有機發光材料透過噴墨印刷製程被噴霧或滴落在由堤岸層3定義的像素區上，然後透過固化有機發光材料來形成有機發光層5。
更詳細地說，為了有機發光材料不流出到相鄰的像素區，堤岸層3的上表面形成為具有疏水特性。也就是說，在可溶性有機發光顯示裝置中，堤岸層3限制設置有機發光層5的區域，使得有機發光材料僅被妥善收集在對應的像素區中。
習知技術的可溶性有機發光顯示裝置具有以下問題。
如上所述，在形成包含有機材料的堤岸層3之後，在陽極電極2上形成有機發光層5和陰極電極6。然而，如圖1所示，在形成堤岸層3的製程中，包含有機材料或異物D的殘餘層殘留在陽極電極2上。而且，包含有機材料或異物D的殘餘層阻礙電洞從陽極電極2的移動，導致有機發光顯示裝置的壽命降低和性能劣化。
為了解決這樣的問題，在相關技術的有機發光顯示裝置中，在形成堤岸層3之後使用電漿或極紫外線(EUV)的表面處理技術來去除包含有機材料或異物D的殘餘層。然而，堤岸層3的上表面的疏水區域也會同時經由表面處理技術被移除。基此原因，堤岸層3的上表面不具有疏水性，因此，不能實現堤岸層3用於限制有機發光層5的區域的獨特功能。
此外，由於包含有機材料或異物D的殘餘層殘留在陽極電極2的上表面上，所以陽極電極2的上表面具有粗糙表面，因此，形成在陽極電極2的上表面上的有機發光層5和陰極電極6無法形成為具有均勻的厚度，導致發射效率的降低。
因此，本發明係關於一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置的方法，且實質上消除了由於習知技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
在本發明的一態樣中，本發明提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中確保了在形成堤岸層的製程中殘留之異物或包含有機材料的殘餘層被去除之乾淨的電極表面。
在本發明的另一態樣中，本發明提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中另外設置用於去除異物或包含有機材料的殘餘層的輔助電極，以防止有機堤岸層的上表面的疏水區域被損壞，並且因此僅在相對應的像素區中設置有機發光層。
在本發明的另一態樣中，本發明提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中具有相對大於有機發光層的折射率的輔助電極設置在陽極電極上，從而提高光效率。
對於本發明額外的優點、目的和特徵將在以下說明書中闡述，一部分內容對於該領域中具有通常技術者將在審視以下描述，或者藉由實施本發明後可瞭解而顯而易見。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了實現這些和其它優點並根據本發明的目的，如同本說明書中具體且廣泛性地描述，提供一種有機發光顯示裝置，包括：一陽極電極，位於一基板上；一輔助電極，位於該陽極電極上；一堤岸層，位於該輔助電極的一側和另一側中的每一側上；一有機發光層，位於由該堤岸層暴露的該輔助電極的一上表面上；以及一陰極電極，位於該有機發光層上，其中，該輔助電極被設置以在由該堤岸層覆蓋的一區域中和由該堤岸層暴露的一開口區域中具有不同的高度。
在本發明的另一態樣中，本發明提供一種製造有機發光顯示裝置的方法，包括：在一基板上形成一陽極電極和一輔助電極；在該輔助電極的一側和另一側的每一側上形成一堤岸層，該堤岸層包含一有機材料；藉由使用該堤岸層作為一光罩蝕刻該輔助電極的一部分，使得該輔助電極在由該堤岸層覆蓋的一區域和由該堤岸層暴露的一開口區中具有不同的高度；在由該堤岸層暴露的該輔助電極的一上表面上形成一有機發光層；以及在該有機發光層上形成一陰極電極。
應當被理解的是，如上所述之本發明的概括性說明和以下所述之本發明的詳細說明均是代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明的申請專利範圍。
1‧‧‧平坦化層
2‧‧‧陽極電極
3‧‧‧堤岸層
5‧‧‧有機發光層
6‧‧‧陰極電極
100‧‧‧基板
110‧‧‧主動層
120‧‧‧閘絕緣層
130‧‧‧閘極電極
140‧‧‧絕緣中間層
150‧‧‧源極電極
160‧‧‧汲極電極
165‧‧‧鈍化層
170‧‧‧平坦化層
180‧‧‧陽極電極
190‧‧‧輔助電極
200‧‧‧堤岸層
200a‧‧‧殘餘層或異物
201‧‧‧第一堤岸層
202‧‧‧第二堤岸層
210‧‧‧有機發光層
220‧‧‧陰極電極
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
D‧‧‧異物
EA‧‧‧發光區域
T‧‧‧薄膜電晶體層
本說明書包括附圖以提供對本發明的進一步理解，且將附圖併入本說明書中構成本說明書的一部分。附圖說明本發明的實施例，且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在該些圖式中：圖1係習知技術之可溶性有機發光顯示裝置的剖視圖；圖2係本發明一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖；圖3係本發明一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖；圖4A至圖4F係說明本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的製程剖面圖；以及圖5A至圖5F係說明本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的製程剖面圖。
現將對本發明之例示性實施例進行更詳細地說明，參考所附圖式詳細描述其實例。無論如何，圖式中將使用相同的元件符號表示相同或相似的部件。
以下參照附圖詳細說明的實施例將會使得本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法更加明確。但是，本發明可以以不同形式來實施且不應侷限於以下所揭露的實施例，本實施例只用於使本發明的揭露內容更加完整，有助於本發明所屬技術領域的普通技術人員能夠完整地理解本發明的範疇，本發明是根據申請專利範圍而定義。
圖式中所揭露之用於說明本發明實施例的形狀、尺寸、比例、角度以及數量僅為列舉，非本申請之發明的實施限制。相似的參考符號在本文中代表相似的元件。在以下說明中，當相關習知功能或配置的詳細說明被確定為不必要地模糊了本發明的重點時，詳細說明將被省略。在本說明書中，當使用「包括」、「具有」及「有」等用語時，代表可以額外添加其他零件，除非有另外強調「僅~」。單數形式的用於可能包含複數形式，除非提到相反的情況。
在解釋一元件時，此元件解釋為包含誤差範圍，雖然沒有明確描述。
在描述位置關係時，例如，當兩個零件之間的位置關係被描述為「在...上」、「在...上方」、「在...之下」和「相鄰於...」，除非使用「正好」或「直接」，否則一或多個其他零件可以設置在兩個零件之間。
在說明時間關係時，舉例來說，當以「之後~」、「接著~」、「下一步~」以及「之前」等用語說明暫時次序時，除非有使用「只有」或「直接」等用語說明以外，也可以包括非連續的情況。
將被理解的是，雖然第一、第二等用詞在本文中可以被用來描述不同元件，這些元件不應被這些用詞所限制。這些用詞僅用來區分一個元件與另一個元件。例如，在不背離本發明之範疇下，第一元件可以被稱為第二元件，且同樣地，第二元件可以被稱為第一元件。
本發明各種實施例的特徵可以部分或者全部耦合至彼此或彼此結合，並且可以彼此間不同的交互操作和技術性驅動，且熟知此技藝者可以充分理解。本發明的實施可彼此獨立地進行，或者可以根據共同相關關係一起進行。
在下文中，本發明揭露的示範性實施例將參照圖式進行詳細描述。
圖2係為根據本發明第一實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖。
如圖2所示，根據本發明第一實施例的有機發光顯示裝置可以包括形成在基板100上的薄膜電晶體(TFT)層T、鈍化層165、平坦化層170、陽極電極180、輔助電極190、堤岸層200、有機發光層210、以及陰極電極220。
薄膜電晶體層T可以包含：主動層110、閘極絕緣膜120、閘極電極130、絕緣中間層140、源極電極150、以及汲極電極160。
主動層110可以形成在基板100上以與閘極電極130重疊。主動層110可以由矽基半導體材料形成，或者可以由氧化物基的半導體材料形成。此外，還可以在基板100與主動層110之間形成遮光層，在此情況下，通過基板100的底部入射的外部光線可以被遮光層阻擋，從而防止主動層110免受外部光線的損害。
可以在主動層110上形成閘絕緣層120，閘絕緣層120可以使主動層110與閘極電極130絕緣。閘絕緣層120可以由無機絕緣材料例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、或其多層形成，但不限於此。
閘極電極130可形成在閘絕緣層120上。閘極電極130可以形成為與主動層110重疊，而閘絕緣層120位於閘極電極130與主動層110之間。閘極電極130可以為由包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹Nd)和銅(Cu)或其合金中之一者所形成的一層或多層結構，但不限於此。
可以在閘極電極130上形成層間介電質層140。層間介電質層140可以由與閘絕緣層120相同的無機絕緣材料(例如，氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、或其多層)形成，但不限於此。
源極電極150和汲極電極160可以形成在層間介電質層140上以彼此面對。閘絕緣層120和層間介電質層140可以包含暴露主動層110的一個區域的第一接觸孔CH1和暴露主動層110的另一個區域的第二接觸孔CH2。因此，源極電極150可以通過第二接觸孔CH2連接到主動層110的另一個區域，而汲極電極160可以通過第一接觸孔CH1連接到主動層110的一個區域。
在圖2中，源極電極150和汲極電極160係以單層予以說明，但不限於此。
例如，源極電極150可以包含底部源極電極和頂部源極電極，並且底部源極電極可以形成在層間介電質層140與頂部源極電極之間以增強層間介電質層140與頂部源極電極之間的黏附力。而且，底部源極電極可以保護頂部源極電極的下表面，從而防止頂部源極電極的下表面被腐蝕。因此，底部源極電極的氧化速率可能低於頂部源極電極的氧化速率。也就是說，底部源極電極的材料可以是具有比頂部源極電極的材料更強的耐腐蝕性的材料。如上所述，底部源極電極可以用作黏附促進劑或抗腐蝕層，並且可以由鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金(MoTi)形成，但不限於此。
而且，頂部源極電極可以形成在底部源極電極的上表面上。頂部源極電極可以由具有低電阻的金屬銅(Cu)形成，但不限於此。頂部源極電極可以由具有比底部源極電極的電阻相對低的電阻的金屬形成。為了減小源極電極150的總電阻，可以設定頂部源極電極的厚度比底部源極電極的厚度厚。
類似於源極電極150，汲極電極160還可以包含底部汲極電極和頂部汲極電極。然而，本發明並不侷限於此。在其它實施例中，每一個源極電極150和每一個汲極電極160都可以由包含比三層更多層的多層形成。
薄膜電晶體層T的結構不限於圖中所示的結構，並且可以被不同地修飾為熟知此技藝者習知的結構。例如，在圖式中，薄膜電晶體層T顯示為具有其中閘極電極130設置在主動層110上的頂閘極結構，但不限於此。在其他實施例中，薄膜電晶體層T可以形成為閘極電極130設置在主動層110之下的底閘極結構。
鈍化層165可以形成在薄膜電晶體層T上，並且更詳細地說，可以形成在源極電極150和汲極電極160中的每一者的上表面上。鈍化層165可以保護薄膜電晶體層T並且可以由無機絕緣材料例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、或其多層形成，但不限於此。
平坦化層170可以形成於鈍化層165上。平坦化層170可以將設置有薄膜電晶體層T的基板100的上表面平坦化。鈍化層250可以由有機材料例如包含但不限於丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂及/或其他材料形成。
陽極電極180可以形成在平坦化層170上。鈍化層165和平坦化層170可以包含暴露源極電極150的第三接觸孔CH3，源極電極150可以通過第三接觸孔CH3連接到陽極電極180。
在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為頂部發光型的情況下，由於陽極電極180應該向上反射從有機發光層210發射的光，陽極電極180可以包含具有良好反射率的材料。另一方面，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為底部發光型的情況下，由於陽極電極180設置在光輸出的表面上，所以陽極電極180可以由例如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料形成。陽極電極180可以形成多層結構。
例如，陽極電極180可以包含底部陽極電極、頂部陽極電極、和加罩陽極電極(cover anode electrode)。可以在平坦化層170與頂部陽極電極之間設置底部陽極電極，以增加平坦化層170與頂部陽極電極之間的黏合力。頂部陽極電極可以設置在底部陽極電極與加罩陽極電極之間。頂部陽極電極可以由具有比底部陽極電極和加罩陽極電極中的每一個的電阻相對低的電阻的金屬形 成。為了減小陽極電極180的總電阻，可以設定頂部陽極電極的厚度比底部陽極電極和加罩陽極電極中的每一者的厚度厚。加罩陽極電極可以設置在頂部陽極電極上。可以設置加罩陽極電極以覆蓋頂部陽極電極的上表面和側表面，由此防止頂部陽極電極被腐蝕。因此，加罩陽極電極的氧化速率可以低於頂部陽極電極的氧化速率。也就是說，加罩陽極電極可以由耐腐蝕性比頂部陽極電極的材料更強的材料形成。
然而，本實施例並不限於此。在其他實施例中，陽極電極180可以由雙層或多層形成，包含比四層次更多的層。
輔助電極190可以設置在陽極電極180的上表面上。輔助電極190可以設置為直接接觸陽極電極180的上表面。即，在輔助電極190與陽極電極180之間不設置單獨的絕緣層，因此，可以省略形成絕緣層和接觸孔的製程。
在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為頂部發光型的情況下，由於輔助電極190應當將從有機發光層210發射的光沿向上的方向反射，輔助電極190可以包含具有良好反射率的材料。另一方面，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為底部發光型的情況下，由於輔助電極190設置在光輸出的表面上，所以輔助電極190可以由透明導電材料形成。
更詳細地說，在輔助電極190設置在陽極電極180上並且根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為底部發光型的情況下，從有機發光層210發射的光可以穿過陽極電極180和輔助電極190並且可以輸出到外部。在此情況下，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，為了增強發光，輔助電極190可以由折射率高於陽極電極180的材料形成。例如，在陽極電極180由透明導電材料的ITO形成的情況下，輔助電極190可以由具有比ITO高的折射率的銦鋅氧化物(IZO)形成，但是本實施例不限於此。
如上所述，在本發明的一實施例中，從有機發光層210發出的光通過複數個邊界表面之間的折射率差增大，因此，有機發光顯示裝置的發光被增強。以下將對其進行更加詳細的描述。
在沒有設置輔助電極190的情況下，有機發光層210可以直接設置在陽極電極180上，並且從有機發光層210發射的光可以穿過有機發光層210和陽極電極180，並且可以被輸出到下部。在此情況下，由於有機發光層210由有機材料形成，所以有機發光層210可以具有大約1.5的折射率，並且由ITO形成的陽 極電極180可以具有大約1.7的折射率。而且，基於司乃耳定律，當光從具有低折射率的介質入射到具有高折射率的介質時，光的折射角可以具有小於入射角的值。在此情況下，入射角可以表示入射光與兩種介質之間的邊界表面中的法線之間的角度，折射角可以表示折射光與法線之間的角度。也就是說，從具有低折射率的介質入射到具有高折射率的介質的光可以在與法線平行的方向上，即在垂直於邊界表面的方向上折射。
因此，在本發明的一實施例中，從有機發光層210發射的光可以傳播到具有比有機發光層210的折射率高的折射率的材料，從而提高發光效率。具體來說，隨著有機發光層210和與其相鄰的層之間的折射率差異增大，從有機發光層210發射的光可以在與法線平行的方向上折射並且可以行進。因此，在本發明的一實施例中，可以在包含ITO的陽極電極180上額外地設置包含具有高於ITO的折射率(折射率為2.0)之例如IZO的材料的輔助電極190，從而提高向下發射的光的效率。
此外，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，由於輔助電極190被附加地設置在陽極電極180上，因此獲得以下增強的效果。
如上所述，在習知技術的可溶性有機發光顯示裝置中，在形成包含有機材料的堤岸層的製程中，包含有機材料的異物或殘餘層殘留在陽極電極上。然而，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，輔助電極190可以另外設置在陽極電極180上，但是在蝕刻輔助電極190的一部分的製程中，可以去除在輔助電極190上的殘餘層或異物，從而形成輔助電極190之乾淨的上表面。
結果，輔助電極190可以設置為在由堤岸層200覆蓋的區域和由堤岸層200暴露的開口區中具有不同的高度，並且如圖2所示，設置在由堤岸層200覆蓋的區域中的輔助電極190的第一高度H1可以具有比設置在堤岸層200暴露的開口區中的輔助電極190的第二高度H2更大的值。
此外，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，由於輔助電極190由陽極電極180上的IZO形成，並且陽極電極180可以由ITO形成，所以獲得了下面的增強效果。
ITO和IZO可以藉由包含KOH、H2O2和酸的相同蝕刻劑來進行蝕刻。因此，在形成陽極電極180和輔助電極190的製程中，可以在平坦化層170上提供用於形成陽極電極180和輔助電極190的材料，並且藉由使用相同的蝕刻劑 來蝕刻該些材料，電極180和輔助電極190可以同時被圖案化。因此，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，可以形成輔助電極190而不增加光罩製程。
此外，由於IZO與ITO相比易於蝕刻，所以在蝕刻輔助電極190的上表面的製程中，包含有機材料的堤岸層200被蝕刻劑損壞的程度被最小化。
如上所述，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，由於輔助電極190設置在陽極電極180上，所以從有機發光層210發射的光的效率是增強，並且包含有機材料的異物或殘餘層被完全去除，由此增加可使用壽命。
堤岸層200可以設置於輔助電極190上。
堤岸層200可以設置在輔助電極190的一側和另一側上，以暴露輔助電極190的上表面。由於堤岸層200設置為暴露輔助電極190的上表面，所以確保顯示影像的區域。另外，由於堤岸層200各設置在輔助電極190的一側和另一側上，所以輔助電極190易於腐蝕的側面不暴露於外部，從而防止輔助電極190的側面電極190免受腐蝕。在此情況下，有機發光層210和陰極電極220可以設置在輔助電極190的上表面上，並且輔助電極190的暴露區域可以對應於發光區域EA，其中該暴露區域中將形成有機發光層210和陰極電極220。
堤岸層200可以由包含但不限於例如聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂或苯並環丁烯(BCB)及/或其他等的有機絕緣材料形成。
更詳細地說，根據本發明一實施例的堤岸層200可以完全由親水材料形成，或者僅堤岸層200的上表面可以由疏水材料形成。也就是說，有機發光層210和陰極電極220可以設置在由堤岸層200暴露的輔助電極190上，並且在此情況下，由於應當使有機發光層210和陰極電極220在輔助電極190上的厚度均勻，在本發明的一實施例中，堤岸層200的側表面可以由親水性材料形成。因此，有機發光層210可以設置為僅延伸到堤岸層200的側表面而不經過堤岸層200的上表面，並且有機發光層210可以被均勻地設置直到堤岸層200的側表面，由此有機發光層210可以平坦地設置在發光區域EA中。
在上文中，具有疏水性的區域被描述為堤岸層200的上表面，但是本實施例不限於此。在其他實施例中，對應於離堤岸層200的上表面特定高度的區域可以包括疏水性材料，而另一個區域可以包含親水性材料。
有機發光層210可以設置在輔助電極190上。有機發光層210可以設置在堤岸層200暴露的輔助電極190上。有機發光層210可以包含：電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、以及電子注入層。有機發光層210的結構可以被修飾成熟知此技藝者所知的結構。
更詳細地說，構成有機發光層210的電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一者可以通過可溶性製程形成。例如，可以通過可溶性製程形成電洞注入層、電洞傳輸層和發光層，並且電子傳輸層和電子注入層可以通過氣相沉積製程形成。然而，本發明並不侷限於此。
如上所述，可溶性製程可以是這樣的製程，其中通過噴墨印刷製程將可溶性有機發光材料噴塗在輔助電極190上，並且通過固化可溶性有機發光材料來形成有機發光層210，可溶性製程被用來增加製造有機發光顯示裝置的製程的便利性和效率。
陰極電極220可以設置在有機發光層210上。在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為頂部發光型的情況下，因為陰極電極220設置在光輸出的表面上，所以陰極電極220可以由一種透明導電材料形成。另一方面，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置被實現為底部發光型的情況下，由於陰極電極220應當以向下方向反射從有機發光層210發射的光，陰極電極220可以包含反射率良好的材料。
另外，可以在陰極電極220上另外設置封裝層以防止水滲透。
如上所述，根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置可以實現為頂部發光型的結構，其中從有機發光層210發射的光通過陰極電極220輸出到外部；或可以實現為底部發光型的結構，其中從有機發光層210發射的光通過陽極電極180和輔助電極190輸出到外部，但不限於此。在其他實施例中，本發明的有機發光顯示裝置亦可以實現雙發光型結構。
圖3係本發明第二實施例之有機發光顯示裝置的剖視圖。
在根據圖3所示之本發明第二實施例的有機發光顯示裝置中，堤岸層可以由多層形成。因此，除了一些元件的設置被改變之外，圖3所示的有機發光顯示裝置與圖2的有機發光顯示裝置相同。因此在下文中，相似的元件符號表示相同的元件，並且將僅描述不同的元件。
如圖3所示，根據本發明第二實施例的有機發光顯示裝置可以包括在基板100上形成的薄膜電晶體層T、鈍化層165、平坦化層170、陽極電極180、輔助電極190、堤岸層200、有機發光層210、以及陰極電極220。堤岸層200可以由包括含第一堤岸層201和第二堤岸層202的多層形成。
第一堤岸層201可以各設置在陽極電極180和輔助電極190中的每一者的一側和另一側上以暴露出輔助電極190的上表面，並且可以在第一堤岸層201上設置第二堤岸層202以暴露第一堤岸層201的上表面。更詳細地說，可以設置第二堤岸層202以暴露第一堤岸層201的邊緣頂部。
以此方式，在本發明的一實施例中，由於第二堤岸層202設置在第一堤岸層201上以暴露第一堤岸層201的邊緣，所以堤岸層200可以整體地設置成在輔助電極190上具有一階梯高度(step height)形狀，如圖3所示。
在本發明的一實施例中，第二堤岸層202設置在第一堤岸層201上，以暴露出第一堤岸層201的邊緣，以用於止有機發光層210的堆積現象。
該堆積現象意指在通過噴墨印刷製程形成有機發光層210的情況下，在執行將有機發光層210的有機發光材料噴射或滴落到輔助電極190上然後乾燥的製程中，使有機發光材料乾燥並固化，然後將設置在與堤岸層200接觸的區域中的有機發光層210的厚度設定為比設置在輔助電極190的上表面上的有機發光層210的厚度厚，引起厚度偏差。
結果，有機發光層210可以平坦地設置在對應於由堤岸層200暴露的輔助電極190上的發光區域EA的中心，並且可以具有更靠近與堤岸層200相鄰的部分厚度逐漸增加的剖視表面。而且，如果有機發光層210未被平坦地設置在輔助電極190上，則發生亮度不均勻。
因此，在本發明的一實施例中，各設置在陽極電極180和輔助電極190中的每一者的一側和另一側上的堤岸層200可以包含第一堤岸層201和第二堤岸層202以具有階梯形狀的階梯高度，從而防止了堆積現象。
如上所述，在第一堤岸層201和第二堤岸層202設置為具有階梯形狀的階梯高度的狀態下，有機發光材料可以被噴射在由第一堤岸層201暴露的輔助電極190的上表面上和由第二堤岸層202暴露的第一堤岸層201的上表面上，有機發光層210可以平坦地設置在對應於發光區域EA的輔助電極190上。也就是 說，在本發明的一實施例中，有機發光層210可以設置在第一堤岸層201的邊緣頂部上，因此，可以平坦地設置在發光區域EA中。
為此，第一堤岸層201可以設置為完全具有親水特性，並且第二堤岸層202可以設置為完全具有疏水特性或者僅其上部設置為具有疏水特性。也就是說，如上所述，在本發明的一實施例中，有機發光層210可以設置為延伸至第一堤岸層201的上表面，以便堆積現象不會發生在輔助電極190對應於發光區域EA的暴露區域中。
因此，第一堤岸層201可以由親水性材料形成，有機發光層210可以設置在第一堤岸層201的上表面上。而且，第二堤岸層202可以由疏水性材料形成，以通過限制設置有機發光層210的區域來定義像素區。然而，如果有機發光層210沒有設置在第二堤岸層202的上表面上，則可以定義像素區，並且因此僅第二堤岸層202的上表面可以由疏水性材料形成。
此外，第一堤岸層210的上表面與輔助電極190的上表面之間的距離可以設定為比第二堤岸層202的上表面與第一堤岸層201的上表面之間的距離短。也就是說，如果有機發光層190可以設置在第一堤岸層201的上表面上，以便有機發光層190平坦地設置在輔助電極190上，則第一堤岸層201可以被設置成具有相對較薄的厚度，但是由於除了限制設置有機發光層210的區域之外，第二堤岸層202應該定義像素區，所以第二堤岸層202可以被設置成具有比第一堤岸層201的厚度更厚的厚度。
此外，第二堤岸層202的側表面可以相對於基板100的表面傾斜一定的角度。詳細地說，如圖3所示，第二堤岸層202的側表面與基板100的表面之間的視角可以調節到45度或45度以下。
即，當有機發光層210設置在緩緩傾斜的第二堤岸層202的側表面上時，有機發光層210的厚度的偏差減小，而當有機發光層210設置在急劇傾斜的第二堤岸層202的側表面上，有機發光層210的厚度的偏差增加。因此，在本發明的一實施例中，第二堤岸層202的側表面可以以平緩的角度傾斜，因此設置在輔助電極190上的有機發光層210可以被平坦化。在此情況下，視角不限於該角度，並且可以根據有機發光材料的黏度或由第二堤岸層202暴露的第一堤岸層201的上表面的面積來修飾。而且，由於有機發光層210設置在第一堤岸層201的 邊緣頂部上，所以第一堤岸層201的側面201a與基板100的表面之間的角度不限於特定值。
如上所述，陽極電極180可以由具有折射率高於有機發光層210折射率的材料形成，並且輔助電極190可以由具有折射率高於陽極電極180折射率的材料形成。也就是說，由於從具有低折射率的介質入射到具有高折射率的介質的光在與法線平行的方向上被折射，所以在本發明的一實施例中，陽極電極180可以由具有折射率高於有機發光層210折射率的材料形成，使得從有機發光層210發射的光在與有機發光層210和陽極電極180之間的邊界表面的法線平行的方向上折射並行進。
更詳細地說，隨著有機發光層210和與其相鄰的層之間的折射率差異增加，從有機發光層210發射的光可以在與法線平行的方向上折射並且可以行進。因此，在本發明的一實施例中，可以在包含ITO的陽極電極180上額外地設置包含具有高於ITO的折射率(折射率為2.0)之例如IZO的材料的輔助電極190，從而提高向下發射光的效率。
此外，在根據本發明第二實施例的有機發光顯示裝置中，由於輔助電極190被附加地設置在陽極電極180上，因此獲得以下增強的效果。
如上所述，在習知技術的可溶性有機發光顯示裝置中，在形成包含有機材料的堤岸層的製程中，包含有機材料的異物或殘餘層殘留在陽極電極上。然而，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，輔助電極190可以另外設置在陽極電極180上，但是在蝕刻輔助電極190上的一部分的製程中，可以去除在輔助電極190上的殘餘層或異物，從而形成輔助電極190之乾淨的上表面。
結果，輔助電極190可以設置成在由堤岸層200覆蓋的區域和由堤岸層200暴露的開口區中具有不同的高度，並且設置在由堤岸層200覆蓋的區域中的輔助電極190的第一高度H1可以大於設置在由堤岸層200暴露的開口區中的輔助電極190的第二高度H2。
如上所述，在根據本發明第二實施例的有機發光顯示裝置中，由於輔助電極190設置在陽極電極180上，所以從有機發光層210發射的光的效率增強，並且包含有機材料的異物或殘餘層被完全去除，由此增加可使用壽命。
此外，在根據本發明第二實施例的有機發光顯示裝置中，由於設置在具有階梯結構的堤岸層200的上部的第二堤岸層202包含疏水材料，並且設 置有第一堤岸層201在堤岸層200的下部包含親水性材料，有機發光層210可以平坦地設置在輔助電極190的上表面上，由此實現均勻的亮度。
此外，在根據本發明第二實施方式的有機發光顯示裝置中，為了暴露第一堤岸層201的邊緣而設置的第二堤岸層202的側表面可以相對於基板100的表面傾斜，因此，有機發光層210可以更平坦地設置在輔助電極190的上表面上，從而實現均勻的亮度。
有機發光層210可以延伸到由第二堤岸層202暴露的第一電極201的上表面上。然而，有機發光層210不覆蓋第二堤岸層202的上表面，而且不延伸到第二堤岸層202的上表面。
為此，如上所述，第一堤岸層201可以完全由親水性材料形成，並且第二堤岸層202可以完全由疏水性材料形成，或者僅第二堤岸層202的上部可以由疏水性材料形成。
另外，可以在陰極電極220上另外設置封裝層以防止水滲透。該封裝層可以使用熟知此技藝者習知的各種材料。
圖4A至圖4F是說明根據本發明第一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的製程剖視圖，且係關於製造圖2之有機發光顯示裝置的方法。因此，在下文中，相同的元件符號表示相同的元件，並且在每一個元件的材料和結構中，省略重複的描述。
首先，如圖4A所示，可以在基板100上依序地形成主動層110、閘絕緣層120、閘極電極130、層間介電質層140、源極電極150、以及汲極電極160。
為了提供更詳細的描述，可以在基板100上形成主動層110，可以在主動層110上形成閘絕緣層120，可以在閘絕緣層120上形成閘極電極130，可以在閘極電極130上形成層間介電質層140，可以在閘絕緣層120和層間介電質層140中形成第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2，並且可以形成通過第一接觸孔CH1連接到主動層110的一個區域的汲極電極160和通過第二接觸孔CH2連接到主動層110的另一個區域的源極電極150。
源極電極150和汲極電極160均可以由多層形成。源極電極150和汲極電極160可以通過相同的圖案化製程由相同的材料同時形成。
隨後，如圖4B所示，可以在源極電極150和汲極電極160上形成鈍化層165，並且可以在鈍化層165上形成平坦化層170。
鈍化層165和平坦化層170可以被形成以具有第三接觸孔CH3，並且因此源極電極150可以通過第三接觸孔CH3暴露到外部。
接著，如圖4C所示，可以在平坦化層170上依序形成陽極電極180和輔助電極190。
陽極電極180可以通過第三接觸孔CH3連接到源極電極150。輔助電極190可以由具有比陽極電極180更高折射率的材料形成。例如，陽極電極180可以由ITO形成，輔助電極190可以由IZO形成。
ITO和IZO可以通過包含KOH、H2O2和酸的相同蝕刻劑來蝕刻。因此，在形成陽極電極180和輔助電極190的製程中，可以在平坦化層170上設置用於形成陽極電極180和輔助電極190的材料，並且通過用相同的蝕刻劑蝕刻材料，電極180和輔助電極190可以同時被圖案化。因此，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，可以形成輔助電極190而不增加光罩製程。
隨後，如圖4D所示，可以在輔助電極190上形成堤岸層200。更詳細地說，堤岸層200可以各形成在輔助電極190的一側和另一側上，以暴露輔助電極190的上表面。如圖4D所示，在輔助電極190的一側和另一側上的圖案化堤岸層200的製程可以使用微影製程，並且堤岸層200可以藉由熟知此技藝者習知的各種技術進行圖案化製程。
在輔助電極190上形成堤岸層200的製程中，為了使堤岸層200的上表面具有疏水性，可以對堤岸層200進行疏水處理。在堤岸層200的上表面上進行疏水處理的方法可以使用熟知此技藝者習知的各種技術。例如，在利用光罩對堤岸層200進行圖案形成的步驟中，透過調整在堤岸層200上進行的曝光程度，或者透過使用塗佈裝置諸如在其上塗覆有疏水性材料的輥子，可以在堤岸層200的上表面進行疏水化處理，疏水性材料可以塗覆在堤岸層200的上表面上，但是本實施例不限於此。
隨後，如圖4E所示，可以藉由使用堤岸層200作為光罩來蝕刻輔助電極190的一部分。如上所述，當輔助電極190由ITO形成時，只有IZO可以被選擇性地蝕刻，並且在此情況下，可以使用不會損壞包含ITO的陽極電極180和 包含有機材料的堤岸層200之包含KOH、H2O2和酸的蝕刻劑。然而，本實施例不限於此，因此蝕刻劑可以基於輔助電極190的材料來使用。
詳細地說，如圖4D所示，在圖案化包含有機材料的堤岸層200的製程中，有機材料可以作為殘餘層或異物200a殘留在由堤岸層200暴露的輔助電極的開口區中。
在相關技術中，使用電漿或EUV的表面處理技術被用來去除異物200a，但已經進行疏水處理的堤岸層200的上表面的疏水區域被一起去除。因此，在本發明的一實施例中，縱使輔助電極190的部分被蝕刻，但是輔助電極190的上表面和異物200a在蝕刻製程中同時被去除，並且因此獲得包含平坦且乾淨的上表面的輔助電極。
更詳細地說，如上所述，在本發明的一實施例中，輔助電極190可以由具有比陽極電極180的折射率高的折射率的材料形成，並且在此情況下，由於輔助在陽極電極180上形成電極190，從有機發光層210發出的光通過的邊界表面之間的折射率差增大，由此增強了有機發光顯示裝置的發光。即，在蝕刻用於去除異物200a的輔助電極190的製程中，可以去除整個部分的輔助電極190，但是在本發明的一實施例中，輔助電極190可以設置在由堤岸層200暴露的開口區中之陽極電極180上，而沒有去除整個輔助電極190，從而提高了光效率。
隨後，如圖4F所示，可以在輔助電極190上依序形成有機發光層210和陰極電極220。有機發光層210可以透過噴墨印刷製程噴射可溶性有機發光材料來形成，並且如上所述，堤岸層200的上表面可以由疏水性材料形成。因此，有機發光層210可以沉積到輔助電極190的上表面和堤岸層200的側表面，但不沉積在堤岸層200的上表面上。
也就是說，在本發明的一實施例中，堤岸層200可以完全由親水性材料形成，並且堤岸層200的上表面可以由疏水性材料形成，由此防止有機發光層210被分配到除了堤岸層200的上表面之外的另一個像素的發光區域。
圖5A至圖5F是說明根據本發明第二實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的製程剖視圖，且係關於製造圖3之有機發光顯示裝置的方法。因此，在下文中，相同的元件符號表示相同的元件，並且在每一個元件的材料和結構中，省略重複的描述。
首先，如圖5A所示，可以在基板100上依序地形成主動層110、閘絕緣層120、閘極電極130、層間介電質層140、源極電極150、以及汲極電極160。
為了提供更詳細的描述，可以在基板100上形成主動層110，可以在主動層110上形成閘絕緣層120，可以在閘絕緣層120上形成閘極電極130，可以在閘極電極130上形成層間介電質層140，第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2可以形成在閘絕緣層120和層間介電質層140中，並且可以形成通過第一接觸孔CH1連接到的主動層110的一個區域的汲極電極160和通過第二接觸孔CH2連接到主動層110的另一個區域的源極電極150。
源極電極150和汲極電極160均可以由多層形成。源極電極150和汲極電極160可以通過相同的圖案化製程由相同的材料同時形成。
隨後，如圖5B所示，可以在源極電極150和汲極電極160上形成鈍化層165，並且可以在鈍化層165上形成平坦化層170。
鈍化層165和平坦化層170可以形成為具有第三接觸孔CH3，因此，源極電極150可以通過第三接觸孔CH3暴露到外部。
隨後，如圖5C所示，可以在平坦化層170上依序地形成陽極電極180和輔助電極190。
陽極電極180可以通過第三接觸孔CH3連接到源極電極150。輔助電極190可以由具有比陽極電極180更高折射率的材料形成。例如，陽極電極180可以由ITO形成，輔助電極190可以由IZO形成。
ITO和IZO可以通過包含KOH、H2O2和酸的相同蝕刻劑來蝕刻。因此，在形成陽極電極180和輔助電極190的製程中，可以在平坦化層170上提供用於形成陽極電極180和輔助電極190的材料，並且通過用相同的蝕刻劑蝕刻材料，電極180和輔助電極190可以同時被圖案化。因此，在根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置中，可以形成輔助電極190而不增加光罩製程。
隨後，如圖5D所示，可以在輔助電極190上依序地形成第一堤岸層201和第二堤岸層202。詳細地說，第一堤岸層201可以各形成在輔助電極190的一側和另一側上，以暴露輔助電極190的上表面，並且第二堤岸層202可以形成在第一堤岸層201上，以暴露由第一堤岸層201暴露的輔助電極190的上表面和第一堤岸層201的邊緣。如圖5D所示，在輔助電極190的一側和另一側上圖案化 第一堤岸層201和第二堤岸層202的製程可以使用微影製程，並且第一堤岸層201和第二堤岸層202可以藉由熟知此技藝者習知的各種技術而被圖案化。
在輔助電極190上形成第一堤岸層201和第二堤岸層202的製程中，第一堤岸層201可以由親水材料形成，而第二堤岸層202可以由疏水材料形成。也就是說，在本發明的一實施例中，為了在與發光區域對應的輔助電極190的暴露區域中不發生堆積現象，有機發光層210應形成為延伸到由第二堤岸層202暴露的第一堤岸層201的上表面。因此，在本發明的一實施例中，由於第一堤岸層201由親水性材料形成，所以有機發光層210可以形成為延伸到第一堤岸層201的上表面，並且由於第二堤岸層202是由疏水性材料形成，可以限制設置有機發光層210的區域，以使得有機發光層210不會滲透到另一個像素區中。
然而，在本發明的一實施例中，在第二堤岸層202限制設置有機發光層210的區域的情形，對於第二堤岸層202而言是足夠好的，並且因此第二堤岸層202可以由疏水性有機材料形成，或亦可以不由疏水性有機材料形成。例如，第二堤岸層202可以由親水性有機材料形成，並且可以在第二堤岸層202上進行疏水處理以使第二堤岸層202的上表面具有疏水性。也就是說，在對第二堤岸層202進行圖案化的製程中，透過調整在第二堤岸層202上進行的曝光程度，或者透過使用塗覆裝置諸如在其上塗覆有疏水性材料的輥子，可以在第二堤岸層202的上表面上進行疏水處理，疏水性材料可以塗覆在第二堤岸層202的上表面上，由此疏水性處理可以僅在第二堤岸層202的上表面上進行。
隨後，如圖5E所示，藉由使用第一堤岸層201和第二堤岸層202中的每一者作為光罩，可以蝕刻輔助電極190的一部分。如上所述，當輔助電極190由ITO形成時，只有IZO能夠被選擇性地蝕刻，並且在此情況下，可以使用不會損壞包含ITO的陽極電極180、包含無機材料的第一堤岸層202、以及包含有機材料的第二堤岸層202之包含KOH、H2O2和酸的蝕刻劑。然而，本實施例不限於此，因此，可以根據輔助電極190的材料來使用蝕刻劑。
詳細地說，如圖5D所示，在圖案化包含有機材料的第二堤岸層202的製程中，有機材料可以作為殘餘層或異物200a殘留在由第二堤岸層202暴露的輔助電極的開口區中。
在相關技術中，使用電漿或EUV的表面處理技術被用來去除異物200a，但是已經進行了疏水性處理的第二堤岸層202的上表面的疏水區域被一起 去除。因此，在本發明的一實施例中，縱使輔助電極190的部分被蝕刻，但是輔助電極190的上表面和異物200a在蝕刻製程中同時被去除，並且因此獲得了包含平坦且乾淨的上表面的輔助電極。
更詳細地說，如上所述，在本發明的一實施例中，輔助電極190可以由具有比陽極電極180的折射率高的折射率的材料形成，並且在此情況下，由於輔助在陽極電極180上形成電極190，從有機發光層210發出的光通過的邊界表面之間的折射率差增大，從而增強了有機發光顯示裝置的發光。即，在蝕刻用於去除異物200a的輔助電極190的製程中，可以去除整個部分的輔助電極190，但是在本發明的一實施例中，輔助電極190可以設置在由第一堤岸層201和第二堤岸層202暴露的開口區中之陽極電極180上，而沒有去除整個部分的輔助電極190，由此提高了光效率。
隨後，如圖5F所示，可以在輔助電極190上依序形成有機發光層210和陰極電極220。有機發光層210可以透過噴墨印刷製程噴塗可溶性有機發光材料來形成，並且如上所述，第二堤岸層202的整個部分或上表面可以由疏水性材料形成。因此，有機發光層210可以沉積到輔助電極190的上表面、到由第二堤岸層202暴露的第一堤岸層201的上表面、以及到第二堤岸層202的側表面，但是不沉積在第二堤岸層202的上表面上。
也就是說，在本發明的一實施例中，第二堤岸層202可以完全由疏水性材料形成，或者僅第二堤岸層202的上表面可以由疏水性材料形成，由此防止有機光發光層210被分配到除了第二堤岸層202的上表面之外的另一個像素的發光區域。
如上所述，根據本發明的實施例，可以通過蝕刻輔助電極的製程去除在形成有機堤岸層後殘留之包含有機材料的異物或殘餘層，因此，可以確保乾淨的輔助電極。
此外，根據本發明的實施例，在除去包含有機材料的異物或殘餘層的製程中，有機堤岸層的上表面的疏水區域不被損壞，因此，實現了用於限制設置有機發光層的區域的有機堤岸層的獨特功能。
此外，根據本發明的實施例，可以在陽極電極上設置折射率相對大於有機發光層的折射率的輔助電極，由此提高了從有機發光層發射的光的效率。
此外，根據本發明的實施例，陽極電極和輔助電極可以分別由包含相似材料的透明電極形成，並且因此可以透過使用相同的蝕刻劑來同時蝕刻，由此簡化了製造製程。
此外，根據本發明的實施例，輔助電極可以由容易蝕刻的材料形成，由此使有機堤岸層的損壞最小化。
此外，根據本發明的實施例，由於設置在具有階梯結構的堤岸層的上部的第二堤岸層包含疏水性材料，並且設置在堤岸層的下部的第一堤岸層包含親水性材料，有機發光層可以平坦地設置在輔助電極的上表面上，從而實現均勻的亮度。
此外，根據本發明的實施例，為了暴露第一堤岸層的邊緣而設置的第二堤岸層的側表面可以相對於基板的表面傾斜，因此，有機發光層可以更平坦地設置在輔助電極的上表面上，從而實現均勻的亮度。
在不脫離本發明的精神或範疇下，任何對本發明作出的各種修飾和變化對熟知此技藝者而言是顯而易見的。因此，只要落入申請專利範圍及其均等範疇內，本發明仍涵蓋對本發明的修飾和變化。
本申請案主張於2016年12月9日提交的韓國專利申請第10-2016-0167533號的優先權權益，該專利申請在此全部引用作為參考。

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：一陽極電極，設置在一基板上；一輔助電極，設置在該陽極電極上，該輔助電極具有一第一高度和不同於該第一高度的一第二高度；一堤岸層，設置在該輔助電極的一側及在該輔助電極的另一側上；一有機發光層，設置在由該堤岸層暴露的一開口區之該輔助電極的一上表面上；以及一陰極電極，設置在該有機發光層上，其中該輔助電極在與該堤岸層重疊的一覆蓋區中具有該第一高度，以及在由該堤岸層暴露之該開口區中具有該第二高度，其中該堤岸層的一上表面包含一疏水性材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該輔助電極的該第一高度大於該輔助電極的該第二高度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該輔助電極包含具有折射率高於該陽極電極的折射率的材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該陽極電極包含氧化銦錫(ITO)，且該輔助電極包含氧化銦鋅(IZO)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該輔助電極設置在該陽極電極與該有機發光層之間，以及其中該輔助電極的一下表面直接接觸該陽極電極的一上表面，且該輔助電極的一上表面直接接觸該有機發光層的一下表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該輔助電極的一外邊緣與該堤岸層重疊並與該堤岸層接觸且具有該第一高度，以及其中該輔助電極與該有機發光層重疊並接觸的區域具有該第二高度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中，該堤岸層包含：一第一堤岸層，設置在該陽極電極的一側及該陽極電極的另一側，並且與該輔助電極的一外邊緣重疊；以及一第二堤岸層，設置在該第一堤岸層上並暴露該第一堤岸層的一內邊緣，其中該有機發光層設置在由該第一堤岸層暴露之該輔助電極的一上表面上，且該有機發光層設置在由該第二堤岸層暴露之該第一堤岸層的一被暴露的上表面上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一堤岸層包含一親水性材料，以及該第二堤岸層包含一疏水性材料。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一堤岸層包含一親水性材料，以及該第二堤岸層的至少一個上部區域包含一疏水性材料。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二堤岸層包含設置在該第一堤岸層的該暴露的上表面與該第二堤岸層的一上表面之間的一傾斜內邊緣。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二堤岸層的該傾斜內邊緣與該第一堤岸層的一上表面之間的角度為45度或更小。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二堤岸層比設置在該輔助電極的該外邊緣與該第二堤岸層的該傾斜內邊緣之間的該第一堤岸層的一懸突部分更厚。
  13. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包括：形成一陽極電極於一基板上；在該陽極電極上形成一輔助電極；在該輔助電極的一側和該輔助電極的另一側上形成一堤岸層；藉由使用該堤岸層作為一光罩蝕刻該輔助電極的一部份，並從該輔助電極移除材料，直到該輔助電極在由該堤岸層暴露的一開口區中具有一第二高度以及在與該堤岸層重疊的一覆蓋區中具有一第一高度；在由該堤岸層暴露的該開口區中的該輔助電極的一上表面上形成一有機發光層；以及在該有機發光層上形成一陰極電極，其中該輔助電極在該被覆蓋區中具有從該輔助電極的一下表面到該輔助電極的該上表面的該第一高度，其中該輔助電極在由該堤岸層暴露的該開口區中具有從該輔助電極的該下表面到該輔助電極的該上表面的該第二高度，以及其中在該覆蓋區中的該輔助電極的該第一高度大於在該開口區中的該輔助電極的該第二高度，其中該堤岸層的一上表面包含一疏水性材料。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該輔助電極包含具有折射率高於該陽極電極的折射率的材料。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該陽極電極包含氧化銦錫(ITO)，且該輔助電極包含氧化銦鋅(IZO)。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該堤岸層的形成包含：在該陽極電極的一側和該陽極電極的另一側上形成一第一堤岸層，該第一堤岸層與該輔助電極的一外邊緣重疊；以及在該第一堤岸層上形成一第二堤岸層，該第二堤岸層暴露該第一堤岸層的一內部邊緣，以及其中形成該有機發光層包含：在由該第一堤岸層暴露的該輔助電極的一上表面上和在由該第二堤岸層暴露的該第一堤岸層的一被暴露的上表面上，形成該有機發光層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該第一堤岸層包含一親水性材料，以及該第二堤岸層包含一疏水性材料。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該堤岸層的形成包含對該堤岸層進行一疏水處理，使得該堤岸層的該上表面具有疏水性。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之製造有機發光顯示裝置的方法，其中，該第二堤岸層的形成包含：在該第一堤岸層之該被暴露的上表面與該第二堤岸層的一上表面之間的該第二堤岸層中形成一傾斜內邊緣，在該第二堤岸層的該傾斜內邊緣與該第一堤岸層的一上表面之間具有一角度，該角度為45度或者更小；以及將該第二堤岸層形成為比設置在該輔助電極的該外邊緣與該第二堤岸層的該傾斜內邊緣之間的該第一堤岸層的一懸突部分更厚。
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