KR20130117112A - 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Device; OLED)의 제조방법은 가요성(flexible) 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 보조기판을 분리(delamination)함으로써 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE) 기술을 전면발광(top emission) 방식의 OLED에 적용하기 위한 것으로, 보조기판 위에 가요성 기판을 형성하는 단계; 상기 가요성 기판 위에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터가 형성된 보조기판 위에 점착층을 부착하는 단계; TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판 위에 박막 봉지층을 형성하여 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 단계; 상기 점착층이 부착된 가요성 기판을 상기 박막 봉지층이 형성된 TFT 기판과 대향하여 합착하는 단계; 상기 TFT 기판과 합착된 가요성 기판으로부터 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및 상기 보조기판이 분리된 가요성 기판 배면에 편광 필름을 부착하고, 상기 TFT 기판 배면에 백 필름(back film)을 부착하는 단계를 포함한다.

Description

유기발광 디스플레이 장치의 제조방법{METHOD OF FABRICATING ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전면발광(top emission) 방식의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것입니다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.
이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 상기 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.
새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광 디스플레이 장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.
이러한 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정에는 액정표시장치나 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel; PDP)과는 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 공정이 공정의 전부라고 할 수 있기 때문에 제조공정이 매우 단순하다. 또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 가지는 능동 매트릭스(active matrix)방식으로 유기발광 디스플레이 장치를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세 및 대형화가 가능한 장점을 가진다.
이하, 상기 유기발광 디스플레이 장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.
일반적인 유기발광 디스플레이 장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)을 구비한다.
이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.
상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.
유기발광 디스플레이 장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.
이와 같은 상기 유기발광 디스플레이 장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 이 중 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.
도 2는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도로써, 능동 매트릭스 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 일반적인 2T1C(2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함)의 화소에 대한 등가 회로도를 나타내고 있다.
상기 도 2를 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기발광 디스플레이 장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL)과 게이트라인(GL), 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.
이때, 상기 스위칭 TFT(SW)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT(SW)의 온-타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.
이때, 상기 구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(VSS) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.
전술한 유기발광 디스플레이 장치는 전극 재료로 사용되는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO)가 산소에 의한 유기 화합물층 열화 및 유기 화합물층들 계면간의 반응에 의한 열화 등 내적 요인에 의해 열화(劣化)될 수 있으며, 외부의 수분과 산소 또는 자외선 등의 외적 요인에 의해 열화될 수 있다. 특히, 외부의 산소와 수분은 유기발광다이오드의 수명에 치명적인 영향을 미치므로 유기발광다이오드를 밀봉시키는 패키징(packaging) 기술이 매우 중요하다.
유기발광다이오드의 패키징 기술 중 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE) 기술이 공지되어 있다. 박막 봉지 기술은 TFT 기판의 표시영역에 형성된 유기발광다이오드들 위로 무기막과 유기막을 한층 이상 교대로 적층하여 표시영역을 박막 봉지층으로 덮는 기술이다.
이러한 박막 봉지층을 구비한 유기발광 디스플레이 장치는 TFT 기판을 플렉서블 필름(flexible film)으로 형성하는 경우 쉽게 구부릴 수 있으며, 슬림화에 유리한 장점을 지닌다.
한편, TFT 기판 쪽으로 빛이 방출되는 배면발광(bottom emission) 방식은 소자구조 및 신뢰성이 검증된 소자 구조이며, TFT 기판 반대쪽으로 빛이 방출되는 전면발광(top emission) 방식은 개구율 및 TFT 영역이 증가하는 장점이 있으나 투명한 봉지층이 필요하다.
특히, 상기 전면발광 방식은 메탈 등의 불투명한 TFT 기판에도 적용할 수 있으며, TFT 구조와 관계없이 고개구율 확보가 가능하여 유기발광 디스플레이 장치의 수명 증가 및 소비전력 감소에 유리하다. 즉, 고개구율 확보가 가능한 전면발광 방식은 동일 휘도(밝기)에 대해 낮은 전류밀도, 효율 개선 및 낮은 구동전압으로 수명이 증가하는 동시에 소비전력의 소모가 감소하게 된다.
다만, 상기 전면발광 방식은 상기 배면발광 방식과의 구조적 차이로 인해 전술한 패키징 기술 중 박막 봉지 기술을 적용하는데 한계가 있다. 즉, 일반적으로 상기 전면발광 방식은 상기 배면발광 방식과 달리 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하여야 하는데, 상기 박막 봉지층은 100℃ 이하의 온도에서 형성되기 때문에 250℃에서 증착되는 컬러필터에 의해 손상을 받을 수 있어 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하는 것은 실질적으로 어렵다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE) 기술을 적용하도록 한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은 보조기판 위에 가요성 기판을 형성하는 단계; 상기 가요성 기판 위에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터가 형성된 보조기판 위에 점착층을 부착하는 단계; TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판 위에 박막 봉지층을 형성하여 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 단계; 상기 점착층이 부착된 가요성 기판을 상기 박막 봉지층이 형성된 TFT 기판과 대향하여 합착하는 단계; 상기 TFT 기판과 합착된 가요성 기판으로부터 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및 상기 보조기판이 분리된 가요성 기판 배면에 편광 필름을 부착하고, 상기 TFT 기판 배면에 백 필름(back film)을 부착하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 가요성 기판은 투명 폴리이미드(polyimide)로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 보조기판 위에 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판을 형성하는 것을 특징으로 한다.
200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 가요성 기판으로부터 보조기판을 분리하는 것을 특징으로 한다.
상기 점착층은 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물과 같은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 점착층 위에 상기 가요성 기판을 지지하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)로 이루어진 라이너(liner)를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 점착층과 라이너를 감싸도록 패널영역 가장자리에 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 부착하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 TFT 기판은 내열성 폴리이미드로 구성되어 유리기판 위에 형성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 유리기판을 TFT 기판으로부터 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막 봉지층은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 형성하거나 무기막의 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 편광 필름은 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 백 필름은 PET의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은 가요성(flexible) 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 보조기판을 분리(delamination)함으로써 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용할 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 다수의 패널영역이 모기판에 배치된 상태를 예를 들어 보여주는 평면도.
도 6은 본 발명의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 투명 폴리이미드의 구성 성분을 예를 들어 보여주는 구조식.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 순서도.
도 8a 내지 도 8h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 11a 내지 도 11g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 전면발광 방식으로 동작하는 유기발광 디스플레이 장치에 대한 하나의 화소의 구조를 개략적으로 나타내고 있다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 다수의 패널영역이 모기판에 배치된 상태를 예를 들어 보여주는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 투명 폴리이미드의 구성 성분을 예를 들어 보여주는 구조식이다.
상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 휴대기기용 소형 디스플레이 패널에서 벗어나 중대형 디스플레이 시장에 대한 수요를 충족시켜 주기 위한 기술로 화이트 유기발광다이오드를 적용하게 되며, 이러한 화이트 유기발광다이오드는 적, 녹 및 청색을 구현하기 위해 컬러필터를 사용하게 된다. 다만, 본 발명이 상기 화이트 유기발광다이오드에 한정되는 것은 아니다.
상기 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 대한 하나의 화소는 크게 유기발광다이오드(L)와 구동회로부로 이루어진다.
상기 구동회로부는 적어도 2개의 TFT와 적어도 하나의 저장 커패시터를 포함한다. TFT는 기본적으로 스위칭 TFT(미도시)와 구동 TFT(T)를 포함한다.
도시하지 않았지만, 상기 스위칭 TFT는 게이트라인과 데이터라인에 연결되고, 게이트라인에 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인에 입력되는 데이터 전압을 구동 TFT(T)로 전송한다. 저장 커패시터는 스위칭 TFT와 전원라인에 연결되며, 스위칭 TFT로부터 전송 받은 전압과 전원라인에 공급되는 전압의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 TFT(T)는 전원라인과 저장 커패시터에 연결되어 저장 커패시터에 저장된 전압과 문턱 전압의 차이의 제곱에 비례하는 출력 전류를 유기발광다이오드(L)로 공급하고, 유기발광다이오드(L)는 출력 전류에 의해 발광한다. 구동 TFT는 게이트전극(121)과 소오스전극(122) 및 드레인전극(123)에 연결될 수 있다.
그리고, 상기 유기발광다이오드(L)는 실제 발광이 이루어지는 발광층(126) 이외에 정공 또는 전자의 캐리어(carrier)를 발광층(126)까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다. 이 유기 화합물층들은 제 1 전극층(118)과 발광층(126) 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층과 상기 발광층(126)과 제 2 전극층(108) 사이에 위치하는 전자수송층 및 전자주입층을 포함한다.
이러한 스위칭 TFT와 구동 TFT(T) 및 유기발광다이오드(L)는 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 TFT 기판(111) 위에 형성되거나, 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드(polyimide; PI) 재질의 TFT 기판(111) 위에 형성될 수 있다. 이때, 상기 TFT 기판(111)으로 내열성 폴리이미드 재질을 사용하는 경우 상기 TFT 기판(111) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)의 플라스틱이나 SUS(Steel Use Stainless)의 금속으로 이루어진 백 필름(back film)(119)이 부착될 수 있다.
이때, 설명의 편의를 위해 상기 TFT와 유기발광다이오드(L)가 형성된 층을 유기 층(120)이라 지칭한다.
상기 TFT 기판(111) 위에는 게이트전극(121)이 형성되는데, 상기 게이트전극(121)은 TFT에 온/오프 신호를 인가하는 게이트라인과 연결되어 있다.
이때, 상기 TFT 기판(111) 위에 불순물의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(미도시)을 형성할 수도 있다.
상기 게이트전극(121)이 형성된 상기 TFT 기판(111) 위에는 게이트절연막(115a)이 개재된 상태에서 반도체층(124)이 형성된다. 이때, 상기 반도체층(124)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)과 같은 무기 반도체, 또는 유기 반도체, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다.
상기 반도체층(124) 위에는 에치 스타퍼(125)와 소오스전극(122) 및 드레인전극(123)이 형성된다. 이렇게 형성된 스위칭 TFT와 구동 TFT(T) 위에는 보호막(115b)이 형성되고, 상기 보호막(115b) 위에는 유기발광다이오드(L)가 구비된다.
전술한 바와 같이 상기 유기발광다이오드(L)는 서로 대향된 제 1 전극층(118)과 제 2 전극층(108) 및 이 사이에 개재된 발광층(126)으로 이루어진다. 이때, 상기 유기발광다이오드(L)는 실제 발광이 이루어지는 발광층(126) 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층(126)까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제 1 전극층(118)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 형성된 반사막과 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등으로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극층(118)은 각 화소에 대응하는 형태로 패터닝(patterning)되어 형성될 수 있으며, 외부 단자와 연결되어 애노드(anode) 전극으로서 작용될 수 있다.
이와 같은 제 1 전극층(118) 위에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(pixel define layer)(115c)이 형성된다. 이때, 상기 화소 정의막(115c)에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 유기발광다이오드(L)의 발광층(126)을 포함하는 유기 화합물층이 형성된다. 물론, 본 발명의 제 1 실시예와 같이 백색광이 방출되는 화이트 유기발광 디스플레이 장치의 경우에는 상기 유기 화합물층이 반드시 개구부로 한정된 영역에만 형성될 필요는 없다.
상기 제 2 전극층(108)은 투과형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 등의 금속을 얇게 형성한 반 투과막일 수 있다. 물론, 이러한 금속 반 투과막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명막을 형성하여, 얇은 금속 반 투과막의 두께에서 기인하는 고저항의 문제를 보완할 수 있다. 상기 제 2 전극층(108)은 화상이 구현되는 표시영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있으며, 외부 단자와 연결되어 캐소드(cathode) 전극으로서 작용될 수 있다.
상기와 같은 제 1 전극층(118)과 제 2 전극층(108)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.
이러한 유기발광다이오드(L) 위에는 박막 봉지층(130)으로 상기 유기발광다이오드(L)를 밀봉한다. 이때, 상기 박막 봉지층(130)은 유기막(130a, 130c)과 무기막(130b, 130d)을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
이때, 본 발명의 제 1 실시예에서는 상기 박막 봉지층(130)으로 2층의 유기막(130a, 130c)과 2층의 무기막(130b, 130d)이 교번, 적층된 경우를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 상기 박막 봉지층(130)의 적층되는 막의 개수 및 순서는 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
상기 박막 봉지층(130)이 형성된 TFT 기판(111) 위에는 컬러필터(106)가 구비된 가요성 기판(101)이 점착층(adhesive layer)(141)을 통해 합착되어 있다.
이때, 상기 점착층(141)과 박막 봉지층(130) 사이에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(101)을 지지하기 위한 라이너(liner)(142)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 점착층(141)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 상기 라이너(142)는 PET가 사용될 수 있다.
상기 도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 TFT 기판(111) 및 가요성 기판(101)은 대면적의 모기판(100)에 형성될 수 있다. 다시 말해서, 대면적의 모기판(100)에 다수의 패널영역(125)이 형성되고, 상기 패널영역(125) 각각에 구동소자인 TFT(T) 및 컬러필터(106)가 형성되게 된다.
이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 터치 패널을 추가로 구비하는 경우, 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 상기 패널영역(125) 가장자리에 상기 점착층(141)과 라이너(142)를 감싸도록 ACF(Anisotropic Conductive Film)(143)를 부착할 수 있다. 상기 ACF는 미세 도전 입자를 접착수지(일반적으로 열경화성)에 혼합시켜 필름 상태로 만들고 한쪽 방향으로만 전기를 통하게 한 이방성 도전막이다. 상기 미세 도전 입자로는 Ni, C, 솔더 볼(solder ball)이 있다. 상기 솔더 볼은 부품의 부착을 자동적으로 하는 경우에 사용하는 직경 1mm 이하의 납 알갱이를 의미한다.
또한, 상기 도 6을 참조하면, 상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드(colorless PI)(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 특성은 PI 분자구조 말단에 F가 붙어있다. F와 F간은 척력이 발생하여 분자구조가 서로 밀어내서 분자 밀집도가 넓어짐에 따라 컬러 발현이 안되게 된다.
이와 같이 상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드를 사용함에 따라 기존 PI 대비 투명도가 향상되어 전면발광 방식이 가능하며, 유리기판 대신에 PI를 사용함에 따라 경량, 박형 및 플렉서블 한 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
그리고, 상기 컬러필터(106)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 상기 유기발광다이오드(L)의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드(L)의 발광층(126)으로부터 방출되는 백색광은 컬러필터(106)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.
상기 컬러필터(106)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.
상기 가요성 기판(101)의 배면에는 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(polarization film)(109)이 구비될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(109)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 배면발광 방식의 경우에는 TFT 기판 내에 COT(Color Filter on TFT) 방식으로 컬러필터가 형성되기 때문에 TFT 기판 위에 컬러필터를 증착할 수 있으나, 전면발광 방식의 경우에는 상기 배면발광 방식과의 구조적 차이로 인해 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하여야 하는데, 상기 박막 봉지층은 100℃ 이하의 온도에서 형성되기 때문에 250℃에서 증착되는 컬러필터에 의해 손상을 받을 수 있어 박막 봉지층 위에 컬러필터를 증착하는 것은 실질적으로 어렵다.
이에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 가요성 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 보조기판을 분리(delamination)함으로써 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용할 수 있게 된다.
이와 같이 전면발광 방식이 가능함에 따라 기존에 비해 개구율이 60% 이상 향상되는 한편, 수명이 3~4배 증가하고 고해상도 및 투명 디스플레이에 적용 가능하게 된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
또한, 도 8a 내지 도 8h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 보조기판(102) 위에 가요성 기판(101)을 형성한다.
상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(102) 위에 슬릿코터(slit coater)나 스핀코터(spin coater) 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다(S110).
이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(101)을 형성한다(S120).
이와 같이 상기 가요성 기판(101)으로 투명 폴리이미드를 사용함에 따라 기존 PI 대비 투명도가 향상되어 전면발광 방식이 가능하며, 유리기판 대신에 PI를 사용함에 따라 경량, 박형 및 플렉서블 한 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
이때, 상기 보조기판(102) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(101)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화(hydrogenation)된 질화규소(SiNx:H)나 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트(photoresist), 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(101) 위에 컬러필터(106)를 형성한다(S130).
상기 컬러필터(106)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 TFT 기판에 형성될 유기발광다이오드의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드의 발광층으로부터 방출되는 백색광은 상기 컬러필터(106)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.
상기 컬러필터(106)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.
다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(106)가 형성된 보조기판(102) 위에 점착층(141)을 부착한다(S140). 상기 점착층(141)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.
이때, 상기 점착층(141) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(101)을 지지하기 위한 라이너(142)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(142)는 PET가 사용될 수 있다.
한편, 유기발광 디스플레이 장치에 터치 패널을 추가로 구비하는 경우, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 패널영역 가장자리에 상기 점착층(141)과 라이너(142)를 감싸도록 ACF(143)를 부착할 수 있다.
전술한 바와 같이 상기 ACF는 미세 도전 입자를 접착수지(일반적으로 열경화성)에 혼합시켜 필름 상태로 만들고 한쪽 방향으로만 전기를 통하게 한 이방성 도전막이다. 상기 미세 도전 입자로는 Ni, C, 솔더 볼이 있다. 상기 솔더 볼은 부품의 부착을 자동적으로 하는 경우에 사용하는 직경 1mm 이하의 납 알갱이를 의미한다.
이후, 도 8e에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(141)이 부착된 보조기판(102)을 TFT 기판(111)과 대향하여 합착 한다(S150, S160).
이때, 상기 TFT 기판(111)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(111)은 전술한 가요성 기판(101)과 동일한 방식으로 유리기판(112) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(112) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(111)을 형성할 수 있다.
상기 TFT 기판(111) 위에는 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(120)을 구비하는데, 이하 도시하지 않았지만 상기 TFT 기판(111) 위에 TFT 어레이와 유기발광다이오드를 형성하는 과정을 상세히 설명한다.
먼저, 상기 TFT 기판(111) 위에 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극을 형성한다.
이때, 상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극은 제 1 도전막을 상기 기판 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.
여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.
상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극의 측면은 TFT 기판(111) 면에 대하여 경사질 수 있으며, 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이 상기 게이트라인은 게이트 신호를 전달하며 가로 방향으로 뻗어 있다. 이때, 상기 게이트라인은 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함하며, 제 1 게이트전극은 상기 게이트라인으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동회로가 TFT 기판(111) 위에 집적되어 있는 경우 상기 게이트라인이 연장되어 게이트 구동회로와 직접 연결될 수 있다.
상기 유지전극은 게이트라인과 분리되어 있으며, 세로 방향으로 길게 뻗다가 왼쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 뻗어 상기 제 2 게이트전극에 연결된다.
이후, 상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극이 형성된 TFT 기판(111) 전면에 게이트절연막과 산화물 반도체로 이루어진 반도체 박막을 형성한다.
이때, 상기 게이트절연막으로 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2)와 같은 무기절연막 또는 하프늄(hafnium; Hf) 옥사이드, 알루미늄 옥사이드와 같은 고유전성 산화막을 사용할 수 있다.
이후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 산화물 반도체를 선택적으로 제거함으로써 상기 제 1 게이트전극 및 제 2 게이트전극 상부에 상기 산화물 반도체로 이루어진 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층을 각각 형성한다. 다만, 본 발명은 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층을 구성하는 물질 및 그에 따른 박막 트랜지스터의 구조에 관계없이 적용 가능하다.
다음으로, 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층이 형성된 TFT 기판(111) 전면에 소정의 절연막을 형성한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 절연막을 선택적으로 제거함으로써 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층 상부에 각각 제 1 에치 스타퍼 및 제 2 에치 스타퍼를 형성한다.
이때, 상기 제 1 액티브층과 제 2 액티브층 및 상기 제 1 에치 스타퍼와 제 2 에치 스타퍼는 하프-톤 마스크 또는 회절마스크를 이용함으로써 한번의 포토리소그래피공정을 통해 동시에 형성할 수도 있다.
다음으로, 상기 제 1 액티브층과 제 2 액티브층 및 상기 제 1 에치 스타퍼와 제 2 에치 스타퍼가 형성된 TFT 기판(111) 전면에 제 2 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극을 형성한다.
이때, 상기 제 2 도전막으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.
상기 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극 또한 그 측면이 TFT 기판(111) 면에 대하여 약 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
상기 데이터라인은 데이터 신호를 전달하며 세로 방향으로 뻗어 상기 게이트라인과 교차한다. 이때, 상기 데이터라인은 제 1 게이트전극을 향하여 뻗은 제 1 소오스전극과 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동회로가 TFT 기판(111) 위에 집적되어 있는 경우, 상기 데이터라인이 연장되어 데이터 구동회로와 직접 연결될 수 있다.
상기 구동 전압라인은 구동 전압을 전달하며 세로 방향으로 뻗어 상기 게이트라인과 교차한다. 이때, 상기 구동 전압라인은 제 2 게이트전극을 향하여 뻗은 제 2 소오스전극을 포함한다. 상기 구동 전압라인은 유지 전극과 중첩하며, 서로 연결될 수 있다.
이때, 상기 제 1 소오스전극과 제 1 드레인전극은 상기 제 1 게이트전극을 중심으로 서로 마주보고, 상기 제 2 소오스전극과 제 2 드레인전극은 상기 제 2 게이트전극을 중심으로 서로 마주본다.
다음으로, 이렇게 형성된 스위칭 TFT와 구동 TFT 위에는 보호막이 형성되고, 상기 보호막 위에는 유기발광다이오드가 구비된다.
전술한 바와 같이 상기 유기발광다이오드는 서로 대향된 제 1 전극층과 제 2 전극층 및 이 사이에 개재된 발광층으로 이루어진다. 이때, 상기 유기발광다이오드는 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층(126)까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제 1 전극층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물로 형성된 반사막과 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등으로 형성된 투명막을 포함할 수 있다.
이와 같은 제 1 전극층 위에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막이 형성된다. 이때, 상기 화소 정의막에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 유기발광다이오드의 발광층을 포함하는 유기 화합물층이 형성된다. 물론, 본 발명의 제 1 실시예와 같이 백색광이 방출되는 화이트 유기발광 디스플레이 장치의 경우에는 상기 유기 화합물층이 반드시 개구부로 한정된 영역에만 형성될 필요는 없다.
상기 제 2 전극층은 투과형 전극으로 구비되는 것이 바람직하며, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 등의 금속을 얇게 형성한 반 투과막일 수 있다. 물론, 이러한 금속 반 투과막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명막을 형성하여, 얇은 금속 반 투과막의 두께에서 기인하는 고저항의 문제를 보완할 수 있다.
이렇게 구성된 유기발광다이오드 위에는 박막 봉지층(130)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(130)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
이후, 도 8f 및 도 8g에 도시된 바와 같이, 보조기판(102)과 유리기판(112)을 각각 가요성 기판(101)과 TFT 기판(111)으로부터 분리하게 된다(S170).
이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(102)과 유리기판(112)을 분리할 수 있다.
일 예로, 보조기판(102)과 유리기판(112) 측에서 파장이 308nm인 엑시머 계열의 레이저를 조사하여 보조기판(102)과 유리기판(112)을 분리함으로써 가요성 디스플레이를 얻을 수 있다.
이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(102)과 유리기판(112)이 분해될 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 기판(101, 111)들 사이의 접착력이 약해져 보조기판(102)과 유리기판(112)이 각각 가요성 기판(101)과 TFT 기판(111)으로부터 분리된다.
다음으로, 도 8h에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(101)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(109)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(109)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.
또한, 유리기판이 분리된 상기 TFT 기판(111) 배면에 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(119)이 부착될 수 있다.
한편, 상기 도 8a 내지 도 8h에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용하기 위해 가요성 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 상기 가요성 기판과 TFT 기판으로부터 보조기판과 유리기판을 분리하게 되는데, 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하고 나서 가요성 기판과 TFT 기판을 합착한 후에 보조기판을 분리할 수 있으며, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 보조기판(202) 위에 가요성 기판(201)을 형성한다.
상기 가요성 기판(201)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(202) 위에 슬릿코터나 스핀코터 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다.
이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(201)을 형성한다.
이때, 상기 보조기판(202) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(201)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화된 질화규소나 수소화된 비정질 실리콘을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(201) 위에 컬러필터(206)를 형성한다.
상기 컬러필터(206)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 TFT 기판에 형성될 유기발광다이오드의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드의 발광층으로부터 방출되는 백색광은 상기 컬러필터(206)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.
상기 컬러필터(206)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.
다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(206)가 형성된 보조기판(202) 위에 점착층(241)을 부착한다. 상기 점착층(241)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.
이때, 상기 점착층(241) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(201)을 지지하기 위한 라이너(242)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(242)는 PET가 사용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 유기발광 디스플레이 장치에 터치 패널을 추가로 구비하는 경우, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 패널영역 가장자리에 상기 점착층(241)과 라이너(242)를 감싸도록 ACF(243)를 부착할 수 있다.
다음으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 전술한 바와 같은 방식으로 TFT 기판(211) 위에 TFT 어레이와 유기발광다이오드를 형성한다.
이때, 상기 TFT 기판(211)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(211)은 전술한 가요성 기판(201)과 동일한 방식으로 유리기판(212) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(212) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(211)을 형성할 수 있다.
그리고, 상기 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(220) 위에는 박막 봉지층(230)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(230)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
이후, 상기 유리기판(212)을 TFT 기판(211)으로부터 분리하게 된다.
이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 유리기판(212)을 분리할 수 있다.
다음으로, 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(241)이 부착된 보조기판(202)을 유리기판이 분리된 TFT 기판(211)과 대향하여 합착 한다.
이후, 도 9g에 도시된 바와 같이, 상기 보조기판(202)을 가요성 기판(201)으로부터 분리하게 된다.
이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(202)을 분리할 수 있다.
이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(202)을 분리할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 가요성 기판(201) 사이의 접착력이 약해져 보조기판(202)이 상기 가요성 기판(201)으로부터 분리된다.
다음으로, 도 9h에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(201)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(209)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(209)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.
또한, 상기 TFT 기판(211) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(219)이 부착될 수 있다.
한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 터치 패널을 추가로 구비함에 따라 상기 터치 패널과의 전기적 연결을 위해 패널영역 가장자리에 점착층과 라이너를 감싸도록 ACF를 부착하게 되는데, 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 ACF가 부착되지 않은 경우에도 적용 가능하며, 이를 다음의 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 통해 상세히 설명한다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 예시적으로 나타내는 단면도이다.
전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치에 대한 하나의 화소는 크게 유기발광다이오드와 구동회로부로 이루어진다.
상기 구동회로부는 적어도 2개의 TFT와 적어도 하나의 저장 커패시터를 포함한다. TFT는 기본적으로 스위칭 TFT와 구동 TFT를 포함한다.
이때, 상기 스위칭 TFT는 게이트라인과 데이터라인에 연결되고, 게이트라인에 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인에 입력되는 데이터 전압을 구동 TFT로 전송한다. 저장 커패시터는 스위칭 TFT와 전원라인에 연결되며, 스위칭 TFT로부터 전송 받은 전압과 전원라인에 공급되는 전압의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
상기 구동 TFT는 전원라인과 저장 커패시터에 연결되어 저장 커패시터에 저장된 전압과 문턱 전압의 차이의 제곱에 비례하는 출력 전류를 유기발광다이오드로 공급하고, 유기발광다이오드는 출력 전류에 의해 발광한다. 구동 TFT는 게이트전극과 소오스전극 및 드레인전극에 연결될 수 있다.
그리고, 상기 유기발광다이오드는 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위해 다수의 유기 화합물층들을 더 포함할 수 있다. 이 유기 화합물층들은 제 1 전극층과 발광층 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층과 상기 발광층과 제 2 전극층 사이에 위치하는 전자수송층 및 전자주입층을 포함한다.
이러한 스위칭 TFT와 구동 TFT 및 유기발광다이오드는 도면에 도시된 바와 같이, 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드 재질의 TFT 기판(311) 위에 형성될 수 있다. 이때, 상기 TFT 기판(311)으로 내열성 폴리이미드 재질을 사용하는 경우 상기 TFT 기판(311) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(319)이 부착될 수 있다.
상기 스위칭 TFT와 구동 TFT 및 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(320) 위에는 박막 봉지층(330)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(330)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 박막 봉지층(330)이 형성된 TFT 기판(311) 위에는 컬러필터(306)가 구비된 가요성 기판(301)이 점착층(341)을 통해 합착되어 있다.
이때, 상기 점착층(341)과 박막 봉지층(330) 사이에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(301)을 지지하기 위한 라이너(342)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 점착층(341)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 상기 라이너(342)는 PET가 사용될 수 있다.
전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 가요성 기판(301)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 특성은 PI 분자구조 말단에 F가 붙어있다. F와 F간은 척력이 발생하여 분자구조가 서로 밀어내서 분자 밀집도가 넓어짐에 따라 컬러 발현이 안되게 된다.
그리고, 상기 컬러필터(306)는 적색 영역의 파장을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색 영역의 파장을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색 영역의 파장을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다. 상기와 같은 각 컬러필터는 상기 유기발광다이오드의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 따라서, 유기발광다이오드의 발광층으로부터 방출되는 백색광은 컬러필터(306)를 통과하면서 소정의 컬러를 구현할 수 있다.
상기 컬러필터(306)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.
상기 가요성 기판(301)의 배면에는 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(309)이 구비될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(309)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.
또한, 상기 TFT 기판(311) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(319)이 부착될 수 있다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 11a 내지 도 11g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 11a에 도시된 바와 같이, 보조기판(302) 위에 가요성 기판(301)을 형성한다.
상기 가요성 기판(301)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(302) 위에 슬릿코터나 스핀코터 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다.
이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(301)을 형성한다.
이때, 상기 보조기판(302) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(301)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화된 질화규소나 수소화된 비정질 실리콘을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(301) 위에 컬러필터(306)를 형성한다.
상기 컬러필터(306)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.
다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(306)가 형성된 보조기판(302) 위에 점착층(341)을 부착한다. 상기 점착층(341)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.
이때, 상기 점착층(341) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(301)을 지지하기 위한 라이너(342)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(342)는 PET가 사용될 수 있다.
다음으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(341)이 부착된 보조기판(302)을 TFT 기판(311)과 대향하여 합착 한다.
이때, 상기 TFT 기판(311)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(311)은 전술한 가요성 기판(301)과 동일한 방식으로 유리기판(312) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(312) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(311)을 형성할 수 있다.
상기 TFT 기판(311) 위에는 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(320)을 구비하며, 이러한 유기 층(320) 위에는 박막 봉지층(330)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(330)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
이후, 도 11e 및 도 11f에 도시된 바와 같이, 상기 보조기판(302)과 유리기판(312)을 각각 가요성 기판(301)과 TFT 기판(311)으로부터 분리하게 된다.
이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(302)과 유리기판(312)을 분리할 수 있다.
이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(302)과 유리기판(312)을 분리할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 기판(301, 311)들 사이의 접착력이 약해져 보조기판(302)과 유리기판(312)이 각각 가요성 기판(301)과 TFT 기판(311)으로부터 분리된다.
다음으로, 도 11g에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(301)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(309)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(309)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.
또한, 유리기판이 분리된 상기 TFT 기판(311) 배면에 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(319)이 부착될 수 있다.
한편, 상기 도 11a 내지 도 11g에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법은 박막 봉지 기술을 전면발광 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 적용하기 위해 가요성 기판이 형성된 보조기판 위에 컬러필터를 형성하여 TFT 기판과 합착한 후, 레이저를 이용하여 상기 가요성 기판과 TFT 기판으로부터 보조기판과 유리기판을 분리하게 되는데, 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하고 나서 가요성 기판과 TFT 기판을 합착한 후에 보조기판을 분리할 수 있으며, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 다른 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 보조기판(402) 위에 가요성 기판(401)을 형성한다.
상기 가요성 기판(401)으로 투명 폴리이미드(제품명 TPIS)가 사용될 수 있으며, 이를 위해 유리 재질의 보조기판(402) 위에 슬릿코터나 스핀코터 방식으로 투명 폴리이미드를 코팅한다.
이후, 상기 코팅된 투명 폴리이미드를 경화시켜 가요성 기판(401)을 형성한다.
이때, 상기 보조기판(402) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판(401)을 형성할 수 있는데, 상기 희생층은 수소화된 질화규소나 수소화된 비정질 실리콘을 증착하여 형성할 수 있으며, 포토레지스트, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지 등의 광분해성 고분자 물질을 코팅하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판(401) 위에 컬러필터(406)를 형성한다.
상기 컬러필터(406)는 안료분산법이나 인쇄법을 사용하여 패터닝할 수 있다.
다음으로, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(406)가 형성된 보조기판(402) 위에 점착층(441)을 부착한다. 상기 점착층(441)은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제를 사용할 수 있으며, 일 예로 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물이 사용될 수 있다.
이때, 상기 점착층(441) 위에는 후술할 레이저 조사 시 플렉서블 한 가요성 기판(401)을 지지하기 위한 라이너(442)가 추가로 구비될 수 있다. 상기 라이너(442)는 PET가 사용될 수 있다.
다음으로, 도 12d에 도시된 바와 같이, 전술한 바와 같은 방식으로 TFT 기판(411) 위에 TFT 어레이와 유기발광다이오드를 형성한다.
이때, 상기 TFT 기판(411)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해 내열성 폴리이미드로 구성될 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(411)은 전술한 가요성 기판(401)과 동일한 방식으로 유리기판(412) 위에 형성되게 된다. 이때, 상기 유리기판(412) 위에 소정의 희생층을 형성한 후에 상기 TFT 기판(411)을 형성할 수 있다.
그리고, 상기 TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 유기 층(420) 위에는 박막 봉지층(430)이 형성되어 상기 유기발광다이오드를 밀봉하게 된다. 이때, 상기 박막 봉지층(430)은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 이루어질 수 있으며, 또 다른 예로서 무기막의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
이후, 상기 유리기판(412)을 TFT 기판(411)으로부터 분리하게 된다.
이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 유리기판(412)을 분리할 수 있다.
다음으로, 도 12e에 도시된 바와 같이, 상기 점착층(441)이 부착된 보조기판(402)을 유리기판이 분리된 TFT 기판(411)과 대향하여 합착 한다.
이후, 도 12f에 도시된 바와 같이, 상기 보조기판(402)을 가요성 기판(401)으로부터 분리하게 된다.
이때, 상기 희생층에 사용된 재료에 따라 레이저 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 사용할 수 있으며, 일 예로 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 이용하여 보조기판(402)을 분리할 수 있다.
이때, 상기 희생층이 광분해성 고분자 물질로 만들어진 경우에는 레이저의 세기 및 조사시간, 즉 레이저가 희생층에 가한 총 에너지에 따라 광분해성 고분자 물질의 공유 결합이 끊어지거나 탄화되어 보조기판(402)을 분리할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘으로 이루어진 경우에는 레이저를 희생층 표면에 조사하면 수소화된 질화규소 또는 수소화된 비정질 실리콘에 함유되어 있던 수소가 방출되면서 희생층과 가요성 기판(401) 사이의 접착력이 약해져 보조기판(402)이 상기 가요성 기판(401)으로부터 분리된다.
다음으로, 도 12g에 도시된 바와 같이, 보조기판이 분리된 가요성 기판(401)의 배면에 유기발광 디스플레이 장치의 외광의 반사를 줄여 콘트라스트를 향상시키기 위해 편광 필름(409)이 부착될 수 있다. 이때, 상기 편광 필름(409)으로는 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름이 사용될 수 있다.
또한, 상기 TFT 기판(411) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 이루어진 백 필름(419)이 부착될 수 있다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
101,201,301,401 : 가요성 기판 102,202,302,402 : 보조기판
106,206,306,406 : 컬러필터 111,211,311,411 : TFT기판
119,219,319,419 : 유리기판 120,220,320,420 : 유기 층
130,230,330,430 : 박막 봉지층 141,241,341,441 : 점착층
142,242,342,442 : 라이너 143,243 : ACF

Claims (13)

  1. 보조기판 위에 가요성 기판을 형성하는 단계;
    상기 가요성 기판 위에 컬러필터를 형성하는 단계;
    상기 컬러필터가 형성된 보조기판 위에 점착층을 부착하는 단계;
    TFT 어레이와 유기발광다이오드가 형성된 TFT 기판 위에 박막 봉지층을 형성하여 상기 유기발광다이오드를 밀봉하는 단계;
    상기 점착층이 부착된 가요성 기판을 상기 박막 봉지층이 형성된 TFT 기판과 대향하여 합착하는 단계;
    상기 TFT 기판과 합착된 가요성 기판으로부터 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및
    상기 보조기판이 분리된 가요성 기판 배면에 편광 필름을 부착하고, 상기 TFT 기판 배면에 백 필름(back film)을 부착하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가요성 기판은 투명 폴리이미드(polyimide)로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 보조기판 위에 희생층을 형성한 후에 상기 가요성 기판을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 가요성 기판으로부터 보조기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 점착층은 아크릴계 폴리머와 우레탄계 폴리머의 혼합물과 같은 투과도가 5% 이상의 저 굴절률 접착제로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 점착층 위에 상기 가요성 기판을 지지하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)로 이루어진 라이너(liner)를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 점착층과 라이너를 감싸도록 패널영역 가장자리에 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 부착하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  8. 제 1 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TFT 기판은 내열성 폴리이미드로 구성되어 유리기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 유리기판을 TFT 기판으로부터 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 200nm ~ 1300nm 파장대의 레이저를 조사하여 상기 TFT 기판으로부터 유리기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 박막 봉지층은 유기막과 무기막을 한층 이상 교대로 적층하여 형성하거나 무기막의 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 편광 필름은 다중의 선형 편광 필름이나 위상차 필름을 접착하는 방식으로 제조된 원편광 필름으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 백 필름은 PET의 플라스틱이나 SUS의 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
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