KR20080004232A - 박막 트랜지스턱 기판의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 지지 기판 상에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 폴리머층 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계;상기 제 1 절연층 상에, 게이트 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하는 반도체층을 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계; 및레이저빔을 조사하여 상기 폴리머층을 연질화시킴으로써 상기 지지 기판을 분리시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 폴리머층은 폴리이미드로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 지지 기판은 글라스재 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기 판의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 레이저빔은 상기 지지 기판을 통해 조사되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 거친 후 상기 제 1 전극을 형성하는 단계를 행하기에 앞서, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 전극의 일부분을 노출시키도록 화소정의막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
- 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 방법으로 박막 트랜지스터 기판을 제조 하는 단계;상기 제 1 전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및상기 중간층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 지지 기판 상에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 폴리머층 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계;상기 제 1 절연층 상에, 게이트 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하는 반도체층을 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계;상기 중간층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및레이저빔을 조사하여 상기 폴리머층을 연질화시킴으로써 상기 지지 기판을 분리시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 폴리머층은 폴리이미드로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 지지 기판은 글라스재 기판인 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 레이저빔은 상기 지지 기판을 통해 조사되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 거친 후 상기 제 1 전극을 형성하는 단계를 행하기에 앞서, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 제 1 전극의 일부분을 노출시키도록 화소정의막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
- 제 9항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법.
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110041253A (ko) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 삼성전자주식회사 | 평판 표시 장치의 제조 방법 |
KR20110067448A (ko) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
US8227326B2 (en) | 2009-12-21 | 2012-07-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser crystallization of amorphous silicon layer |
KR20130109393A (ko) * | 2012-03-27 | 2013-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20130117112A (ko) * | 2012-04-17 | 2013-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법 |
KR20150010456A (ko) * | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
US9178178B2 (en) | 2013-05-16 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display |
US9419243B2 (en) | 2013-05-16 | 2016-08-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display, an electronic device including the same, and method of manufacturing said organic light-emitting diode display |
US9653481B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display having damage impeding layer and method for manufacturing the same |
US9735379B2 (en) | 2015-01-14 | 2017-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus, apparatus and method of manufacturing display apparatus |
CN110071137A (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-30 | 创王光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
JP2014186169A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100391004C (zh) * | 2002-10-30 | 2008-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及半导体装置的制作方法 |
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KR100615217B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치의 제조방법 |
-
2006
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110041253A (ko) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 삼성전자주식회사 | 평판 표시 장치의 제조 방법 |
KR20110067448A (ko) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
US8227326B2 (en) | 2009-12-21 | 2012-07-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser crystallization of amorphous silicon layer |
KR20130109393A (ko) * | 2012-03-27 | 2013-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20130117112A (ko) * | 2012-04-17 | 2013-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법 |
US9178178B2 (en) | 2013-05-16 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display |
US9419243B2 (en) | 2013-05-16 | 2016-08-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display, an electronic device including the same, and method of manufacturing said organic light-emitting diode display |
KR20150010456A (ko) * | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
US9653481B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display having damage impeding layer and method for manufacturing the same |
US9735379B2 (en) | 2015-01-14 | 2017-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus, apparatus and method of manufacturing display apparatus |
US11631700B2 (en) | 2017-12-29 | 2023-04-18 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus with porous substrate |
CN110071137A (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-30 | 创王光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
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