JP2014186169A - 表示装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents

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竜則 坂野
Kentaro Miura
健太郎 三浦
Tomomasa Ueda
知正 上田
Nobumi Saito
信美 斉藤
Shintaro Nakano
慎太郎 中野
Yuya Maeda
雄也 前田
Hajime Yamaguchi
一 山口
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Abstract

【課題】生産性が高い表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】
実施形態によれば、表示体とフィルタ体とを接合する工程と、光を照射する工程と、分離する工程と、を含む表示装置の製造方法が提供される。前記接合する工程においては、第１基板と第２基板との間に表示部及びフィルタ部とが配置されるように前記表示体と前記フィルタ体とを接合する。前記光を照射する工程においては、前記第１基板を通して第１金属層に光を照射し、かつ、前記第１基板、前記第１金属層の開口部及び前記表示部の第２領域のうちの少なくとも一部を通過して第２金属層に前記光を照射する。前記分離する工程においては、前記第１基板と第１樹脂層とを分離し、前記第２基板と第２樹脂層とを分離する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。
近年、液晶表示素子や電界発光（エレクトロルミネッセンス、EL)素子などの表示素子を用いた表示装置において、透明プラスチック等のフィルム状の表示装置が注目を集めている。このような表示装置において、生産性の向上が求められている。
特開２０１１−４８３７４号公報
本発明の実施形態は、生産性が高い表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、表示体とフィルタ体とを接合する工程と、光を照射する工程と、分離する工程と、を含む表示装置の製造方法が提供される。前記表示体は、第１支持部と、表示部と、を含む。前記第１支持部は、光透過性を有する第１基板と、前記第１基板の上に設けられ第１線膨張係数を有し複数の開口部が設けられた第１金属層と、前記第１金属層の上に設けられ、前記第１線膨張係数とは異なる第２線膨張係数を有する第１樹脂層と、を含む。前記表示部は、前記第１樹脂層の上に設けられる。前記表示部は、遮光性の第１領域と、前記第１基板から前記第１樹脂層に向かう積層方向に対して垂直な平面に投影したときに前記第１領域と並んで設けられ、前記平面に投影したときに前記開口部と重なる部分を有する光透過性の第２領域と、を含む。前記フィルタ体は、第２支持部と、フィルタ部と、を含む。前記第２支持部は、第２基板と、前記第２基板の上に設けられ第３線膨張係数を有する第２金属層と、前記第２金属層の上に設けられ第３線膨張係数とは異なる第４線膨張係数を有する第２樹脂層と、を含む。前記フィルタ部は、前記第２樹脂層の上に設けられカラーフィルタを含む着色層と、を含む。前記接合する工程においては、前記第１基板と前記第２基板との間に前記表示部及び前記フィルタ部とが配置されるように表示体とフィルタ体とを接合する。前記光を照射する工程においては、前記第１基板を通して前記第１金属層に光を照射し、かつ、前記第１基板、前記開口部及び前記第２領域のうちの少なくとも一部を通過して前記第２金属層に前記光を照射する。前記分離する工程においては、前記第１基板と前記第１樹脂層とを分離し、前記第２基板と前記第２樹脂層とを分離する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的断面図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。 図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す工程順模式的断面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
本実施形態に係る表示装置は、例えば、液晶表示素子や電界発光（エレクトロルミネッセンス、EL)素子などの表示素子を用いた表示装置を含む。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は、表示装置３００の全体構成を例示している。図１（ｂ）は、表示装置３００における有機発光層（有機層）６１の構成を例示している。
図１（ａ）に表したように、表示装置３００は、第１樹脂層３１と、表示部１１０と、フィルタ部１２０と、第２樹脂層３２と、を含む。第１樹脂層３１の上に表示部１１０が設けられる。表示部１１０の上にフィルタ部１２０が設けられる。フィルタ部１２０の上に第２樹脂層３２が設けられる。
本願明細書において、「上に設けられる」状態は、直接接して設けられる状態の他に、間に他の層が挿入される状態も含む。
第１樹脂層３１から第２樹脂層３２に向かう方向を、積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向と直交する１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。
まず、第１樹脂層３１の構成について説明する。
第１樹脂層３１は、複数の第１部分３１ａと、複数の第２部分３１ｂとを含む。この例では、第１樹脂層３１は、３つの第１部分と３つの第２部分とを含んでいる。
第１部分３１ａは、第１厚ｚ１を有している。第１厚ｚ１は、第１部分３１ａにおける積層方向（Ｘ軸方向）に沿う長さである。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、複数の第１部分３１ａは、並んで配置される。
複数の第２部分３１ｂは、複数の第１部分３１ａ同士の間に配置される。第２部分３１ｂは、第２厚ｚ２を有している。第２厚ｚ２は、第２部分３１ｂにおける積層方向（Ｚ軸方向）に沿う長さである。第２厚ｚ２は、第１厚ｚ１よりも厚い。
第１厚ｚ１は、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下である。
第１部分３１ａ及び第２部分３１ｂの詳細な配置については、後述する。
第１樹脂層３１には、例えば、耐熱性を有する樹脂が用いられる。第１樹脂層３１には、例えば、耐薬品性、寸法安定性を有する樹脂が用いられる。第１樹脂層３１には、例えば、構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂が用いられる。第１樹脂層３１には、例えば、ポリイミド樹脂を用いることができる。ポリイミド樹脂としては、例えば、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリイミドエステル、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミドを用いることができる。第１樹脂層３１には、例えば、アクリル、アラミド、エポキシ、環状ポリオレフィン、液晶ポリマー、パラキシリレン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、及び、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくともいずれかを用いてもよい。
第１樹脂層３１は、例えば、第１透水率を有している。第１樹脂層３１は、光透過性を有していてもよいし、光透過性を有していなくてもよい。
次に、表示部１１０の構成について説明する。
表示部１１０は、例えば、第１層８１と、第２層８２と、薄膜トランジスタ部５０と、有機発光部６０と、を含む。
第１層８１は、例えば、第１樹脂層３１の複数の第１部分３１ａのそれぞれの上、及び、第１樹脂層３１の複数の第２部分３１ｂのそれぞれの上に設けられる。
第１層８１の透水率（第２透水率）は、例えば、第１透水率（第１樹脂層３１）よりも低い。第１層８１によって、例えば、薄膜トランジスタ部５０への水分の侵入が抑制される。第１層８１の酸素透過率は、例えば、第１樹脂層３１の酸素透過率よりも低い。第１層８１によって、例えば、薄膜トランジスタ部５０への酸素の侵入が抑制される。
第１層８１は、例えば、バリア層として機能する。
第１層８１には、例えば、無機材料が用いられる。この無機材料として、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）及びアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）のうちの少なくともいずれかが用いられる。
第１層８１は、例えば、無機膜と有機樹脂膜との積層膜を有してもよい。これにより、応力が緩和され、クラックの発生が抑制される。この有機樹脂膜には、例えば、ポリイミド、アクリル、または、パラキシリレン系樹脂などが用いられる。第１層８１として積層膜を用いる場合には、第１層８１の最上層には、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）やアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）などの無機材料を用いることが好ましい。
第１層８１の厚さは、例えば、５０ｎｍ〜１０μｍである。第１層８１は、例えば、光透過性を有する。
第２層８２は、例えば、第１層８１の上に設けられる。第２層８２は、例えば、平坦化層として機能する。第２層８２には、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）が用いられる。
第１層８１及び第２層８２は、両方設けてもよいしどちらか一方のみを設けてもよい。第１層８１及び第２層８２に加えて、さらなる層を設けてもよい。
次に、薄膜トランジスタ部５０の構成について説明する。
薄膜トランジスタ部５０は、例えば、ゲート電極５１、ゲート絶縁層５２、チャネル層５３、エッチングストッパ層５４、ソース電極５５、ドレイン電極５６、パッシベーション層５７、画素電極５８及びバンク５９を含む。
ゲート電極５１は、例えば、複数の第１部分３１ａのそれぞれの一部の上であって、第２層８２の上に設けられる。この例では、３つのゲート電極５１（第１ゲート電極５１ａ、第２ゲート電極５１ｂ、第３ゲート電極５１ｃ）が設けられている。
ゲート電極５１には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）のうちの少なくともいずれか、または、それらのいずれかを含む合金が用いられる。
ゲート絶縁層５２は、例えば、第２層８２及び複数のゲート電極５１のそれぞれの上に設けられる。ゲート絶縁層５２は、ゲート電極５１（第１ゲート電極５１ａ〜第３ゲート電極５１ｃ）を覆う。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、ゲート絶縁層５２は、例えば、複数の第１部分３１ａ及び複数の第２部分３１ｂのそれぞれと重なる。
ゲート絶縁層５２には、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）及びアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）のうちの少なくともいずれかが用いられる。
チャネル層５３は、例えば、複数のゲート電極５１のそれぞれの上であって、ゲート絶縁層５２の上に設けられる。この例では、３つのチャネル層５３（第１チャネル層５３ａ、第２チャネル層５３ｂ、第３チャネル層５３ｃ）が設けられている。
積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、第１チャネル層５３ａの少なくとも一部は、第１ゲート電極５１ａと重なる。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、第２チャネル層５３ｂの少なくとも一部は、第２ゲート電極５１ｂと重なる。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、第３チャネル層５３ｃの少なくとも一部は、第３ゲート電極５１ｃと重なる。
チャネル層５３には、例えば、酸化物半導体材料が用いられる。チャネル層５３には、例えば、ＩｎＧａＺｎＯやＺｎＯが用いられる。チャネル層５３には、例えば、ＩｎＳｎＺｎＯ、ＩｎＯまたはＩｎＺｎＯを用いてもよい。チャネル層５３には、例えば、有機半導体材料、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンを用いてもよい。ポリシリコンには、例えば、レーザアニールなどによって結晶化させたものを用いることができる。有機半導体材料には、例えば、ペンタセンを用いることができる。チャネル層５３にアモルファスシリコンを用いる場合、例えば、ソース電極５５及びドレイン電極５６とのコンタクトのためにｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層を形成してもよい。
エッチングストッパ層５４は、例えば、複数のチャネル層５３のそれぞれの一部の上に設けられる。この例では、３つのエッチングストッパ層５４（第１エッチングストッパ層５４ａ、第２エッチングストッパ層５４ｂ、第３エッチングストッパ層５４ｃ）が設けられている。
エッチングストッパ層５４には、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）のうちの少なくともいずれかが用いられる。バリア性を高めるために、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）及びアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）の少なくとも２つの膜を含む積層膜を用いてもよい。
ソース電極５５は、例えば、複数のエッチングストッパ層５４の少なくとも一部の上、複数のチャネル層５３の少なくとも一部の上、及び、ゲート絶縁層５２の一部の上に設けられる。
ドレイン電極５６は、例えば、複数のエッチングストッパ層５４の一部の上、複数のチャネル層５３の一部の上、及び、ゲート絶縁層５２の一部の上に設けられる。
この例では３つのソース電極５５（第１ソース電極５５ａ、第２ソース電極５５ｂ、第３ソース電極５５ｃ）、及び、３つのドレイン電極５６（第１ドレイン電極５６ａ、第２ドレイン電極５６ｂ、第３ドレイン電極５６ｃ）が設けられている。
複数のソース電極５５及び複数のドレイン電極５６には、それぞれ、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）の少なくともいずれか、またはこれらのいずれかを含む合金が用いられる。
ソース電極５５とドレイン電極５６とで、同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。
パッシベーション層５７は、例えば、複数のソース電極５５のそれぞれの上、複数のドレイン電極５６のそれぞれの上、複数のエッチングストッパ層５４のそれぞれの上、及び、ゲート絶縁層５２の一部の上に設けられる。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、パッシベーション層５７は、例えば、第１樹脂層３１の、複数の第１部分３１ａ及び複数の第２部分３１ｂのそれぞれと重なる。
パッシベーション層５７には、複数のコンタクトホール５７ｈ（第４コンタクトホール）が設けられている。
パッシベーション層５７（パッシベーション膜）には、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）のうちの少なくともいずれかが用いられる。
画素電極５８は、例えば、パッシベーション層５７の上であって、第１部分３１ａの一部の上に設けられる。この例では、３つの画素電極５８（第１画素電極５８ａ、第２画素電極５８ｂ、第３画素電極５８ｃ）が設けられている。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、画素電極５８の一部は、ドレイン電極５６の一部と重なる。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、画素電極５８は、ゲート電極５１、チャネル層５３、エッチングストッパ層５４及びソース電極５５と重ならない。複数の画素電極５８のそれぞれと、複数のドレイン電極５６のそれぞれと、は、コンタクトホール５７ｈを介して電気的に接続される。
画素電極５８には、例えば、高い反射率を有する材料が用いられる。画素電極５８には、例えば、ＬｉＦ/Ａｌ、ＡｌまたはＡｇが用いられる。
バンク５９は、例えば、画素電極５８の端部（第１端部５８ｐ及び第２端部５８ｑ）の上、及び、パッシベーション層５７の一部の上に設けられる。この例では、３つのバンク５９（第１バンク５９ａ、第２バンク５９ｂ、第３バンク５９ｃ）が設けられている。バンク５９を設けることにより、画素電極５８の端部（第１端部５８ｐ及び第２端部５８ｑ）におけるショートを防ぐことができる。
バンク５９には、例えば、ポリイミドやアクリル等の樹脂が用いられる。バンク５９には、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）等の無機材料を用いてもよい。
次に、有機発光部６０の構成について説明する。
有機発光部６０は、有機発光層６１と、透明電極６２と、封止層６３と、を含む。
有機発光層６１は、例えば、複数のバンク５９のそれぞれの上、及び、複数の画素電極５８のそれぞれの一部の上に設けられる。有機発光層６１は、例えば、複数のバンク５９のそれぞれの側面（５９ｓ）の上にも設けられる。
図１（ｂ）に表したように、有機発光層６１は、例えば、第１有機膜６１ａ、第２有機膜６１ｂ、第３有機膜６１ｃ、第４有機膜６１ｄ及び第５有機膜６１ｅを含む。
第１有機膜６１ａは、複数の画素電極５８の一部、及び、複数のバンク５９を覆うように設けられる。第２有機膜６１ｂは、例えば、第１有機膜６１ａの上に設けられる。第３有機膜６１ｃは、例えば、第２有機膜６１ｂの上に設けられる。第４有機膜６１ｄは、例えば、第３有機膜６１ｃの上に設けられる。第５有機膜６１ｅは、例えば、第４有機膜６１ｄの上に設けられる。
第１有機膜６１ａは、例えば、正孔注入層として機能する。第２有機膜６１ｂは、例えば、正孔輸送層として機能する。第３有機膜６１ｃは、例えば、発光層として機能する。第４有機膜６１ｄは、例えば、電子輸送層として機能する。第５有機膜６１ｅは、例えば、電子注入層として機能する。有機発光層６１は、例えば、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の発光層に対応する。
有機発光層６１に含まれる膜の数は任意である。例えば、有機発光層６１は、正孔注入層（例えば、第１有機膜６１ａ）及び電子注入層（第５有機膜６１ｅ）は、例えば、設けなくてもよい。
第１有機膜６１ａ〜第５有機膜６１ｅには、例えば、有機材料が用いられる。
正孔注入層（例えば、第１有機膜６１ａ）には、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）や（ポリ(3,4- エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)）Pedot:PSS、（銅フタロシアニン）ＣｕＰｃ及び三酸化モリブデン（ＭｏＯ）等が用いられる。特に、Pedot等の塗布形成可能な材料は蒸着法で形成される材料に比べ、下地層の凹凸を覆うことが可能であり、短絡等による歩留まり低下を抑制できる。
正孔輸送層（例えば、第２有機膜６１ｂ）には、例えば、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、および Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、4，4'−ビス［N−（1−ナフチル）−N−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、1,1-ビス[4-[N,N-ジ(p-トリル)アミノ]フェニル]シクロヘキサン）（ＴＡＰＣ）等が用いられる。
例えば、第１有機膜６１は正孔注入層として機能する層と、正孔輸送層として機能する層と、の積層構造を有しても良い。第１有機膜６１は、正孔注入層として機能する層及び正孔輸送層として機能する層とは別の層を含んでも良い。なお、第１有機膜６１ａおよび第１有機膜６１ｂは、これらの材料に限定されない。
有機発光層（例えば、第３有機膜６１ｃ）には、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、及びポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などの各種蛍光材料を用いることができる。有機発光層（例えば、第３有機膜６１ｃ）には、ホスト材料と、ホスト材料に添加されるドーパントとの混合材料を用いることができる。ホスト材料としては、例えば4,4'−N,N'-ビスジカルバゾリルール−ビフェニル(ＣＢＰ)、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン（ＢＣＰ）、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）及び（ポリフェニレンビニレン）ＰＰＴなどを用いることができる。ドーパント材料としては、例えば、イリジウム(III)ビス(4,6-ジ-フルオロフェニル)-ピリジネート-N,C2’]ピコリネート（Ｆｌｒｐｉｃ）、トリス(2-フェニルピリジナート)イリジウム(III)(Ｉｒ（ｐｐｙ）３)及び トリス[1-フェニルイソキノリン-C2,N]イリジウム(III)（Ｉｒ（piq）3)などの燐光材料を用いることができる。
例えば、有機発光層（例えば、第３有機膜６１ｃ）は積層構造を有しても良い。複数の発光層を用いることで、複数のピークをもつ発光スペクトルを得ることが可能となる。なお、有機発光層（例えば、第３有機膜６１ｃ）は、これらの材料に限定されない。
電子輸送層（例えば、第４有機膜６１ｄ）には、例えば、Ａｌｑ３、(ビス（２−メチル−８− キノリラト）(ｐ−フェニルフェノラート)アルミニウム) ＢＡｌｑ、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、トリス[３−(３−ピリジル)−メシチル]ボラン（３ＴＰＹＭＢ）が用いられる。なお、電子輸送層（例えば、第４有機膜６１ｄ）は、これらの材料に限定されない。
電子注入層（例えば、第５有機膜６１ｅ）には、例えば、フッ化リチウム、フッ化セシウム、及び、リチウムキノリン錯体などの少なくともいずれかを含む材料を用いることができる。なお、電子注入層（例えば、第５有機膜６１ｅ）は、これらの材料に限定されない。
有機発光層６１と複数の画素電極５８のそれぞれとは、電気的に接続されている。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、有機発光層６１の一部は、例えば、複数の画素電極５８のそれぞれのうちの少なくとも一部と重なる。この重なる部分が、光を放出する発光領域ＥＲとなる。有機発光層６１の一部（例えば、第１有機膜６１ａ）は、例えば、画素電極５８と接している。
有機発光層６１は、発光領域ＥＲと非発光領域とを含む。非発光領域は、光を放出しない領域である。積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、非発光領域は、例えば、画素電極５８と重ならない。非発光領域は、例えば、バンク５９と重なる。
有機発光層６１の上に、透明電極６２が設けられる。透明電極６２には、例えば、ＩＴＯ、ＭｇＡｇが用いられる。透明電極６２は、有機発光層６１及び複数の画素電極５８のそれぞれと電気的に接続される。
封止層６３は、透明電極６２の上に設けられる。封止層６３は、例えば、光透過性を有する。
封止層６３には、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）のうちの少なくともいずれかが用いられる。
封止層６３は、例えば、無機膜と有機樹脂膜との積層膜を有してもよい。これにより、応力が緩和され、クラックの発生が抑制される。この有機樹脂膜には、例えば、ポリイミド、アクリル、または、パラキシリレン系樹脂などが用いられる。封止層６３として積層膜を用いる場合には、封止層６３の最上層には、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）やアルミ酸化膜（ＡｌＯｘ）などの無機材料を用いることが好ましい。
表示部１１０について、さらに説明する。
表示部１１０は、複数の第１領域１１０ａと、複数の第２領域１１０ｂと、を含む。複数の第２領域１１０ｂのそれぞれは、複数の第１領域１１０ａ同士のそれぞれの間に設けられる。
第１領域１１０ａは、例えば、第１樹脂層３１の第１部分３１ａの上に設けられる。第２領域１１０ｂは、例えば、第２部分３１ｂの上に設けられる。
第１領域１１０ａは、例えば、遮光性である。第１領域１１０ａには、例えば、ゲート電極５１、ソース電極５５、ドレイン電極５６及び画素電極５８が配置されている。第１領域１１０ａには、例えば、発光領域ＥＲが配置される。
第２領域１１０ｂは、例えば、光透過性である。第２領域１１０ｂには、例えば、第１樹脂層３１、第１層８１、第２層８２、ゲート絶縁層５２、パッシベーション層５７、バンク５９、有機発光層６１、透明電極６２及び封止層６３が配置されている。
薄膜トランジスタ部５０をオン状態にして、ソース電極５５（カソード）と透明電極６２（アノード）とに電圧を印加することで、有機発光層６１に電流が供給され、有機発光層６１（例えば、第３有機膜６１ｃ）の発光領域ＥＲから光が放出される。
有機発光層６１から放出された光は、例えば、透明電極６２及び封止層６３を通過して、表示部１１０から出射される。光は、主に、第１樹脂層３１から第２樹脂層３２に向かう。すなわち、有機発光層６１から放出された光のうちの、第１樹脂層３１から第２樹脂層３２に向かう成分の強度は、第２樹脂層３２から第１樹脂層３１に向かう成分の強度よりも高い。すなわち、この例では、上側面（封止層６３の表面）が、光出射面となる。有機発光層６１からは、例えば、白色光が放出される。有機発光層６１から放出される光の波長は、例えば、３００ｎｍ〜１０００ｎｍである。
次に、フィルタ部１２０の構成について説明する。
フィルタ部１２０は、例えば、第３層８３、着色層７０及び第４層８４を含む。
第３層８３は、例えば、封止層６３の上に設けられる。第３層８３は、例えば、光透過性を有している。第３層８３は、例えば、バリア層として機能する。
第３層８３には、第１層８１に関して説明した材料を用いることができる。第３層８３には、第１層８１と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。
第３層８３の厚さは、例えば、５０ｎｍ〜１００μｍである。
着色層７０は、例えば、第３層８３の上に設けられる。着色層７０は、例えば、複数のカラーフィルタ７１（第１カラーフィルタ７１ａ、第２カラーフィルタ７１ｂ、第３カラーフィルタ７１ｃ）を含む。
複数のカラーフィルタ７１のそれぞれは、例えば、異なる色を有する。第１カラーフィルタ７１ａは、例えば、赤色フィルタである。第２カラーフィルタ７１ｂは、例えば、緑色フィルタである。第３カラーフィルタは、例えば、青色フィルタである。
積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、複数のカラーフィルタ７１のそれぞれは、例えば、複数の画素電極５８のそれぞれの少なくとも一部、有機発光層６１の一部及び透明電極６２の一部と重なる。すなわち、複数のカラーフィルタ７１のそれぞれは、発光領域ＥＲの上に設けられる。
着色層７０の一部は、遮光層７２（光減衰層）としても機能する。着色層７０に遮光層７２を設けることで、例えば、薄膜トランジスタ部５０の特性変動（例えば光リークなど）が抑制される。この例では、有機発光部６０から放出される光が白色なので、着色層７０の一部に、例えば、４００ｎｍ程度の波長に対する透過率が低いフィルタを設けてもよい。薄膜トランジスタ部５０と対向する位置に、遮光性（光を減衰させる、例えば黒色層）のフィルタを設けてもよい。遮光層７２については、後述する。
第４層８４は、例えば、着色層７０の上に設けられる。第４層８４は、例えば、光透過性を有する。第４層８４は、例えば、平坦化層として機能する。
第４層８４には、例えば、第２層８２に関して説明した材料を用いることができる。第４層８４には、例えば、第２層８２と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。第４層８４の厚さは、例えば、５０ｎｍ〜１μｍである。
第３層８３及び第４層８４は、両方設けてもよいしどちらか一方のみを設けてもよい。第３層８３及び第４層８４に加えて、さらなる層を設けてもよい。
第２樹脂層３２は、例えば、第４層８４の上に設けられる。第２樹脂層３２は、例えば、光透過性を有している。第２樹脂層３２には、例えば、第１樹脂層３１に関して説明した材料を用いることができる。第２樹脂層３２には、例えば、第１樹脂層３１と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。
第２樹脂層３２の厚さは、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下である。第２樹脂層３２の厚さを３０μｍ以下とすると、例えば、第２樹脂層３２から外部に光を出射する場合に、複屈折や吸収等の光学特性の劣化や、吸湿等による寸法安定性の低下を抑制することができる。
この例では、表示装置３００は、接着層１３０をさらに含んでいる。接着層１３０は、例えば、封止層６３と第３層８３との間に設けられる。接着層１３０は、例えば、表示部１１０とフィルタ部１２０とを接着する。
接着層１３０は、例えば、光透過性を有している。接着層１３０には、例えば、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、シリコーン系、ゴム系、酢酸ビニル系、無機系接着剤が用いられる。接着層１３０の厚さは、例えば、１μｍ〜１ｍｍである。
表示部１１０のそれぞれの発光領域ＥＲから放出された光は、例えば、封止層６３、接着層１３０、第３層８３、カラーフィルタ（第１カラーフィルタ７１ａ〜第３カラーフィルタ７１ｃ）、第４層８４及び第２樹脂層３２を通って、表示装置３００の外部に出射される。
表示装置３００においては、第１樹脂層３１に複数の突出部（第２部分３１ｂ）が設けられている。この突出部によって、例えば、搬送時などに、表示装置３００自体が傷ついたり破損したりすることを低減できる。そのため、歩留まりを高めることができる。生産性を高めることができる。
なお、図１に示す表示装置３００においては、透明電極６２側から有機発光層６１の光が放出されるトップエミッション型の有機発光部６０とした。しかし、画素電極５８側から有機発光層６１の光が放出されるボトムエミッション型の有機発光部６０としても良い。このとき、画素電極５８と対向する電極を金属など不透明な材料で形成することも可能である。ボトムエミッション型においては、光は、主に、第２樹脂層３２から第１樹脂層３１に向かって進む。すなわち、有機発光層６１から放出される光の、第２樹脂層３２から第１樹脂層３１に向かう成分の強度は、第１樹脂層３１から第２樹脂層３２に向かう成分の強度よりも高い。
また、図１に示す表示装置３００においては、薄膜トランジスタ部５０をボトムゲート型のものとしたが、トップゲート型のものとすることも可能である。
図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照しつつ、表示装置３００についてさらに説明する。
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式的平面図である。
図２（ａ）は、第１樹脂層３１の構成を例示している。図２（ａ）は、表示部１１０の構成を例示している。図１（ａ）は、図２（ｂ）のＡ１−Ａ２線に沿った断面図の例である。図２（ｃ）は、フィルタ部１２０の構成を例示している。
図２（ａ）〜図２（ｃ）においては、ＲＧＢの各画素が並び、それが２列並列に並んだ例を示している。すなわち、図２（ａ）〜図２（ｃ）においては、６つの画素を含む例を示している。
なお、図２（ｂ）においては、エッチングストッパ層５４、ソース電極５５、ドレイン電極５６、コンタクトホール５７ｈ及び画素電極５８以外の構成要素については記載を省略する。図２（ｃ）においては、第１〜第３カラーフィルタ７１ａ〜７１ｃ及び遮光層７２以外の構成要素については記載を省略する。
これらの図に表したように、薄膜トランジスタ部５０の主要部分であるエッチングストッパ層５４、ソース電極５５、ドレイン電極５６、コンタクトホール５７ｈ及び画素電極５８は、第１領域１１０ａに配置されており、第２領域１１０ｂには配置されていない。そのため、例えば、搬送時などに、第１樹脂層３１の第２部分３１ｂ（突出部）に力が加わった場合でも、薄膜トランジスタ部５０の主要部分へのダメージを低減することができる。歩留まりを高めることができ、生産性が高まる。
図２（ｂ）に表したように、この例では、１つの画素毎に１つの第２部分３１ｂを設けている。３つの画素（例えば、ＲＧＢ）毎に１つの第２部分３１ｂを設けてもよい。
図２（ｃ）に表したように、例えば、カラーフィルタ７１同士の間に、遮光層７２が設けられている。遮光層７２は、例えば、ブラックマトリックスである。
以下、表示装置３００の製造方法の例について説明する。
図３（ａ）〜図３（ｃ）及び図４（ａ）〜図４（ｃ）は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図３（ａ）は、表示体２１０（第１支持部４１及び表示部１１０）を例示している。図３（ｂ）は、フィルタ体（第２支持部４２及びフィルタ部１２０）を例示している。図３（ｃ）は、表示体２１０とフィルタ体２２０との接合工程を例示している。
図４（ａ）は、光照射工程を例示している。図４（ｂ）は、基板除去工程を例示している。
図３（ａ）を参照しつつ、まずは、第１支持部４１及び表示部１１０を含む表示体２１０の製造方法の例について説明する。
図３（ａ）に表したように、第１基板１１の上に、第１金属層２１となる第１金属膜を形成する。第１金属膜の形成には、例えば、スパッタリング法が用いられる。
第１基板１１は、例えば、光透過性を有している。第１基板１１には、例えば、ガラスが用いられる。第１基板１１は、例えば、支持基板として機能する。
第１金属層２１（第１金属膜）には、例えば、１μｍの波長の光の吸収性が高い材料を用いることが好ましい。第１金属層２１には、例えば、金属、金属酸化物、及び、金属窒化物の少なくともいずれかが用いられる。第１金属層２１には、例えば、Ｔｉが用いられる。第１金属層２１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）等の金属や、それらのいずれかを含む合金を用いてもよい。
第１金属層２１は、例えば、第１線膨張係数を有している。
第１金属層２１（第１金属膜）の厚さは、例えば、１０ｎｍ〜１μｍである。
第１金属膜に、複数の開口部２１ｈを形成する。この例では、３つの開口部２１ｈが形成される。
開口部２１ｈは、例えば、フォトリソグラフィ法等で形成したレジストパターンをマスクとして用い、第１金属膜の一部をエッチングしてパターニングすることで形成される。複数の開口部２１ｈを形成することで、第１金属膜は、第１金属層２１となる。
複数の開口部２１ｈは、例えば、それぞれ離間して配置される。積層方向に対して垂直な平面に投影したときの複数の開口部２１ｈ同士の間の距離ｄｘは、例えば、１００μｍ以下である。積層方向に対して垂直な平面に投影したときの複数の開口部２１ｈのそれぞれのＸ軸方向に沿う長さｌｘは、例えば、この平面に投影したときの複数の画素電極５８のそれぞれのＸ軸方向に沿う長さの、０．１倍以上１．２倍以下である。また、この平面に投影したときの複数の開口部２１ｈのそれぞれのＹ軸方向に沿う長さは、例えば、この平面に投影したときの複数の画素電極５８のそれぞれのＸ軸方向に沿う長さの、０．１倍以上１．２倍以下である。複数の開口部２１ｈのそれぞれの長さｌｘは、例えば、５０ｎｍ以上１ｍｍ以下である。
第１金属層２１の上に、第１樹脂層３１となる第１樹脂膜を形成する。第１樹脂膜は、例えば、樹脂溶液を塗布することで形成される。この塗布には、例えば、スピンコート法が用いられる。または、印刷法を用いてもよい。印刷法には、例えば、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等を用いることができる。
樹脂溶液には、例えば、ポリアミド酸を用いることができる。ポリアミド酸は、ポリイミド樹脂の前駆体である。ポリアミド酸は、例えば、ジアミンと酸無水物とを反応させることで得ることができる。このポリアミド酸を溶媒の存在下で反応させることで、ポリイミド樹脂を得ることができる。
第１樹脂膜を、例えば、乾燥後にイミド化させることで、第１樹脂層３１が形成される。
イミド化は、例えば、熱処理によって行われる。イミド化により、例えば、ポリアミド酸の脱水閉環が進行され、ポリイミドが形成される。
第１樹脂膜は、例えば、複数の開口部２１ｈのそれぞれの中にも形成される。複数の開口部２１ｈのそれぞれの中に形成された第１樹脂膜は、例えば、第２部分３１ｂとなる。
第１樹脂層３１(第１樹脂膜）は、例えば、光透過性を有する。第１樹脂層３１（第１樹脂膜）は、例えば、第２線膨張係数を有している。第２線膨張係数は、第１金属層２１の第１線膨張係数とは異なる。第１線膨張係数は、例えば、第２線膨張係数よりも小さい。第１樹脂層３１（第１樹脂膜）には、例えば、第１金属層２１との線膨張係数の差が大きい材料を用いることができる。第１金属層２１に、第１樹脂層３１との線膨張係数の差が大きい材料を用いてもよい。
第１樹脂層３１の厚さは、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下である。第１樹脂層３１の厚さを１μｍ以上とすることで、例えば、後述する第１基板１１との分離がより容易になる。第１樹脂層３１の厚さを３０μｍ以下とすると、例えば、吸湿等による寸法安定性の低下を抑制することができる。
第１樹脂膜の厚さが３０μｍよりも大きくなるように形成しておき、第１基板１１と分離した後で、第１樹脂層３１の厚さが３０μｍ以下となるように加工してもよい。
上述のように、第１基板１１の上に、第１金属層２１及び第１樹脂層３１が形成され、第１支持部４１となる。
第１支持部４１の形成において、第１樹脂層３１を、ポリアミド酸溶液の塗布により形成する場合、例えば、ポリアミド酸溶液の乾燥、イミド化工程における有機溶剤及びイミド化進行に伴う水分が、第１金属層２１と第１樹脂膜との界面に集中し、双方の密着を阻害することがある。そのため、例えば、表示部１１０の形成過程において、第１樹脂膜（第１樹脂層３１）が、第１金属層２１から剥がれたり、第１樹脂膜(第１樹脂層３１）に予期せぬ浮きが生じたりする場合がある。
一方で、第１金属層２１の透湿度が高い場合には、例えば、水分が第１金属層２１と第１樹脂膜との界面に留まることなく、双方の密着性が強くなる。この場合、第１基板１１と第１樹脂層３１とを分離する後工程（後述する）において、不具合が生じる場合がある。
第１金属層２１の種類、及び、第１樹脂膜のイミド化の際に発生するイミド化水の量を適宜調整することで、例えば、表示部１１０の形成過程において第１樹脂膜（第１樹脂層３１）が第１金属層２１から剥がれたり、第１樹脂層３１と第１基板１１との分離工程において不良が生じたりすることを抑制できる。
次に、第１支持部４１の上に、薄膜トランジスタ部５０と有機発光部６０とを含む第１表示部１１０を形成する。
まず、第１樹脂層３１の上に、例えば、第１層８１となる第１膜を形成する。第１膜の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ法（ＰＥ−ＣＶＤ法；plasma-enhanced chemical vapor deposition）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）が用いられる。
第１層８１は、例えば、光透過性を有する。
この例では、第１層８１の上に、第２層８２となる第２膜をさらに形成している。第２層８２（第２膜）は、例えば、光透過性を有する。第２膜の形成には、例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）が用いられる。第２膜は、形成しなくてもよい。
第１層８１（第２層８２）の上に、薄膜トランジスタ部５０を形成する。
第１層８１の上に、例えば、第１ゲート電極５１ａ〜第３ゲート電極５１ｃとなる第１金属薄膜を形成する。第１金属薄膜の形成には、例えば、スパッタリング法が用いられる。
この第１金属薄膜を、例えば、フォトリソグラフィ法等で形成したレジストパターンをマスクとして用い、第１金属薄膜の一部をエッチングすることで、第１ゲート電極５１ａ〜第３ゲート電極５１ｃが形成される。予めマスクを形成した後で、第１金属薄膜を形成し、このマスクを除去してもよい。
第１金属薄膜には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）のうちの少なくともいずれか、または、それらのいずれかを含む合金が用いられる。第１金属薄膜には、単層膜または積層膜を用いることができる。
第１ゲート電極５１ａ〜第３ゲート電極５１ｃは、それぞれ同じ材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。
ゲート電極５１を形成するときに、例えば、それぞれのゲート電極５１と接続されたゲート配線（図示しない）も形成する。このときに、第１金属薄膜に複数の第１コンタクトホール(図示しない）を形成してもよい。そして、この複数のコンタクトホールのそれぞれを介して、複数のドライバＩＣ（図示しない）と複数のゲート電極５１のそれぞれとを電気的に接続してもよい。
また、第１層８１の上に第２層８２及び第１金属薄膜を形成する前に、例えば、第１層８１及び第１樹脂層３１に複数のスルーホール(図示しない）を形成してもよい。第１支持部４１の一部（例えば、第１基板１１と第１金属層２１）を除去した後で、例えば、このスルーホールのそれぞれを介して、それぞれのゲート電極５１（例えば、第１ゲート電極５１ａ〜第３ゲート電極５１ｃ）と電気的接続を取ることができる。それにより、例えば、この除去によって露出した第１樹脂層３１側(裏面側）に、駆動部(図示しない）などを実装することが可能となる。
ゲート電極５１及び第１層８１の上に、例えば、ゲート絶縁層５２となるゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜の形成には、例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）が用いられる。
ゲート絶縁層５２は、例えば、光透過性を有する。
ゲート絶縁層５２の上に、複数のチャネル層５３（第１チャネル層５３ａ〜第３チャネル層５３ｃ）となるチャネル膜が形成される。チャネル膜の形成には、例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）などが用いられる。このチャネル膜を、例えば、フォトリソグラフィ法等でパターニングすることで、複数のチャネル層５３が形成される。予めマスクを形成した後で、チャネル膜を形成し、このマスクを除去してもよい。
チャネル層５３及びゲート絶縁層５２の上に、例えば、複数のエッチングストッパ層５４（第１エッチングストッパ層５４ａ〜第３エッチングストッパ層５４ｃ）となるエッチングストッパ膜が形成される。エッチングストッパ膜の形成には、例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）が用いられる。このエッチングストッパ膜を、例えば、フォトリソグラフィ法等でパターニングすることで、複数のエッチングストッパ層５４が形成される。予めマスクを形成した後で、エッチングストッパ膜を形成し、このマスクを除去してもよい。
このエッチングストッパ膜に、例えば、第２コンタクトホール（図示しない）を形成する。例えば、これと同時に、エッチングストッパ膜にゲート配線との第３コンタクトホール(図示しない）を形成してもよい。裏面露光を用いたセルフアライン法によるパターニングを行ってエッチングストッパ膜を形成してもよい。これにより、加工精度が向上し、例えば、微細な薄膜トランジスタを得ることができる。
エッチングストッパ層５４を用いないバックチャネルカット型の薄膜トランジスタを用いてもよい。チャネル層５３に酸化物半導体材料を用いる場合には、バックチャネル界面の特性が、ＴＦＴ特性に大きく影響する。このため、この場合にはエッチングストッパ層５４を用いることが望ましい。
次に、例えば、エッチングストッパ層５４の上及び第２コンタクトホール内に、複数のソース電極５５及び複数のドレイン電極５６となる第２金属薄膜を形成する。第２金属薄膜の形成には、例えば、スパッタリング法が用いられる。第２金属薄膜を、フォトリソグラフィ法等でパターニングして、複数のソース電極５５（第１ソース電極５５ａ〜第３ソース電極５５ｃ）及び複数のドレイン電極５６（第１ドレイン電極５６ａ〜第３ドレイン電極５６ｃ）が形成される。予めマスクを形成した後で、第２金属薄膜を形成し、このマスクを除去してもよい。
ソース電極５５及びドレイン電極５６は、例えば、同時に形成される。このとき、ソースコンタクト及びドレインコンタクト（いずれも図示しない）を、同時に形成してもよい。
ソース電極５５、ドレイン電極５６、ソースコンタクト及びドレインコンタクトを、別々に形成してもよい。ソースコンタクト及びドレインコンタクトは形成しなくてもよい。
第２金属薄膜には、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）の少なくともいずれか、またはこれらのいずれかを含む合金が用いられる。第２金属薄膜には、単層膜または積層膜を用いることができる。
次に、ゲート絶縁層５２の一部、エッチングストッパ層５４の一部、ソース電極５５及びドレイン電極５６の上に、パッシベーション層５７となるパッシベーション膜を形成する。パッシベーション膜の形成には、例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）が用いられる。
パッシベーション層５７は、例えば、光透過性を有する。
このパッシベーション層５７の一部を除去して、例えば、複数の第４コンタクトホール５７ｈを形成する。これにより、複数のドレイン電極５６のそれぞれの一部を露出させる。そして、パッシベーション層５７及び第４コンタクトホール５７ｈ内に、第３金属薄膜を形成する。第３金属薄膜の形成には、例えば、スパッタリング法が用いられる。第３金属薄膜を、例えば、フォトリソグラフィ法等でパターニングして、複数の画素電極５８が形成される。画素電極５８は、例えば、ドレイン電極５６と電気的に接続されている。予めマスクを形成した後で、第３金属薄膜を形成し、このマスクを除去してもよい。
パッシベーション層５７の一部、及び、画素電極５８の端部（第１端部５８ｐ及び第２端部５８ｑ）の上に、バンク５９を形成する。
バンク５９の形成には、例えば、塗布法が用いられる。
これによって、薄膜トランジスタ部５０が形成される。上記においては、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタ部５０の例について説明したが、他の構造（例えば、トップゲート構造など）の薄膜トランジスタ部５０を用いてもよい。
画素電極５８のＸ軸方向に沿う長さｘ１が長い場合（例えば、１００μｍよりも長い）には、画素電極５８の一部に、孔（図示しない）を設けることが好ましい。この孔は、例えば、後述する第１の光Ｌ１が通過する貫通孔として機能する。１つの画素電極５８（例えば、第１画素電極５８ａ）に、孔を複数設けてもよい。
積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、孔は、例えば、第１金属層２１に設けられた開口部２１ｈの少なくとも１つと重なる。これによって、画素電極５８のＸ軸方向に沿う長さｘ１が長い場合（例えば、１００μｍより長い）であっても、複数の開口部２１ｈ同士の間の距離ｄｘを１００μｍ以下とすることができる。後述する樹脂層と基板との分離が容易になる。
次に、薄膜トランジスタ部５０の上に、有機発光部６０を形成する。
画素電極５８の一部の上、及び、バンク５９の上に、有機発光層６１を形成する。有機発光層６１の形成には、例えば、真空蒸着法が用いられる。
画素電極５８の一部の上、及び、バンク５９の上に、例えば、第１有機膜６１ａを形成する。第１有機膜６１ａの上に、例えば、第２有機膜６１ｂを形成する。第２有機膜６１ｂの上に、例えば、第３有機膜６１ｃを形成する。第３有機膜６１ｃの上に、例えば、第４有機膜６１ｄを形成する。第４有機膜６１ｄの上に、例えば、第５有機膜６１ｅを形成する。
有機発光層６１（例えば、第５有機膜６１ｅ)の上に、透明電極６２を形成する。透明電極６２の形成には、例えば、真空蒸着法が用いられる。
透明電極６２の上に、例えば、封止層６３を形成する。封止層６３の形成には、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法または原子層堆積法（ＡＬＤ）が用いられる。
これによって、有機発光部６０が形成される。
すなわち、これによって、第１支持部４１と、表示部１１０と、を含む表示体２１０が形成される。
表示部１１０においては、積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、第２領域１１０ｂの少なくとも一部が、第１金属層２１の複数の開口部２１ｈのうちの少なくともいずれかと重なる。
アクティブマトリックスディスプレイのアレイを含むディスプレイを、既存の技術を用いて第１樹脂層３１の上に形成してもよい。
次に、図３（ｂ）を参照しつつ、第２支持部４２及びフィルタ部１２０を含むフィルタ体２２０の形成方法について説明する。
図３（ｂ）に表したように、第２基板１２の上に、第２金属層２２となる第２金属膜を形成する。第２金属膜の形成には、例えば、スパッタリング法が用いられる。
第２基板１２は、例えば、光透過性を有している。第２基板１２には、例えば、ガラスが用いられる。第２基板１２は、例えば、支持基板として機能する。
第２金属層２２（第２金属膜）には、例えば、第１金属層２１に関して説明した材料を用いることができる。第２金属層２２には、第１金属層２１と同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。
第２金属層２２は、例えば、第３線膨張係数を有している。
第２金属層２２（第２金属膜）の厚さ（積層方向に沿う長さ）は、例えば、第１金属層２１(第１金属膜）の厚さ（積層方向に沿う長さ）と同じか、それよりも小さい。第２金属層２２の厚さは、例えば、１０ｎｍ〜１μｍである。
第２金属層２２の上に、第２樹脂層３２となる第２樹脂膜を形成する。第２樹脂膜(第２樹脂層３２）の形成には、第１樹脂膜(第１樹脂層３１）の形成に関して説明した方法を用いることができる。
第２樹脂層３２(第２樹脂膜）は、例えば、光透過性を有する。第２樹脂層３２（第２樹脂膜）は、例えば、第４線膨張係数を有している。第４線膨張係数は、第２金属層２２の第３線膨張係数とは異なる。第３線膨張係数は、例えば、第４線膨張係数よりも小さい。第２樹脂層３２（第２樹脂膜）には、例えば、第２金属層２２との線膨張係数の差が大きい材料を用いることができる。第２金属層２２に、第２樹脂層３２との線膨張係数の差が大きい材料を用いてもよい。
以上によって、第２基板１２の上に、第２金属層２２及び第２樹脂層３２が形成され、第２支持部４２となる。
次に、第２支持部４２の上に、フィルタ部１２０を形成する。
まず、第２樹脂層３２の上に、第４層８４となる第３膜を形成する。第４層８４の形成には、例えば、第２層８２の形成に関して説明した方法を用いることができる。
第３層８３の上に、複数のカラーフィルタ７１（第１カラーフィルタ７１ａ〜第３カラーフィルタ７１ｃ）を含む着色層７０を形成する。
カラーフィルタ７１の形成には、例えば、カラーレジストを用いる。例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）のそれぞれについて、カラーフィルタ（第１カラーフィルタ７１ａ〜第３カラーフィルタ７１ｃ）を形成する。焼成温度は、例えば、１８０℃〜２００℃である。
カラーフィルタ７１の上に、反射層（図示しない）を形成してもよい。
カラーフィルタ７１の上に、第３層８３となる第４膜を形成する。第３層８３の形成には、第１層８１の形成に関して説明した方法を用いることができる。
これによって、第２支持体４２とフィルタ部１２０とを含むフィルタ体２２０が形成される。
次に、図３（ｃ）を参照しつつ、表示体２１０とフィルタ体２２０との接着方法について説明する。
図３（ｃ）に表したように、表示体２１０（封止層６３）とフィルタ体２２０（第３層８３）とを接着層１３０を介して接着する。このとき、第１基板１１と第２基板１２との間に、表示部１１０及びフィルタ部１２０とが配置される。
このとき、それぞれのカラーフィルタ（第１カラーフィルタ７１ａ〜第３カラーフィルタ７１ｃ）のうちの少なくとも一部が、それぞれの発光領域ＥＲ（画素電極５８）のうちの少なくとも一部と対向するように、表示部１１０とフィルタ部１２０とを接着する。
次に、図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照しつつ、表示装置３００の製造方法についてさらに説明する。
図４（ａ）に表したように、第１基板１１を通して第１金属層２１に第１の光Ｌ１を照射する。このとき、第１基板１１を通過した第１の光Ｌ１は、例えば、第１金属層２１に設けられた複数の開口部２１ｈ、及び、表示層１１０の第２領域１１０ｂのうちの少なくとも一部を通過して第２金属層２２にも照射される。
第１の光Ｌ１を照射すると、第１金属層２１及び第２金属層２２が加熱される。第１金属層２１と第１樹脂層３１との熱膨張係数差によって、第１金属層２１と第１樹脂層３１との間には応力が発生する。また、第２金属層２２と第２樹脂層３２との熱膨張係数差によって、第２金属層２２と第２樹脂層３２との間には応力が発生する。
図４（ｂ）に表したように、例えば、この応力によって、第１基板１１と第１樹脂層３１とは分離される。また、第２基板１２と第２樹脂層３２とは分離される。分離された第１基板１１及び第２基板１２を除去することで、表示装置３００が形成される。
第１金属層２１は、例えば、第１基板１１上に残存する。第１金属層２１の一部は、例えば、加熱により蒸散する場合もある。第２金属層２２は、例えば、第２基板１２上に残存する。第２金属層２２の一部は、例えば、加熱により蒸散する場合もある。
第１の光Ｌ１は、例えば、第１基板１１と第１金属層２１との界面において吸収される。吸収された第１の光Ｌ１は、熱に変換され、第１金属層２１中を熱伝導する。この熱によって、第１金属層２１と第１樹脂層３１との界面が加熱される。
一方で、第２金属層２２は熱変換される箇所が第２金属層２２と第２樹脂層３２との界面であるため、熱伝導を必要としない。プロセスのスループットを考慮して、第２金属層２２の膜厚を、第１金属層２１よりも薄くすることができる。
第１の光Ｌ１には、例えば、金属層に吸収される波長を中心にもつ光を用いることができる。第１の光Ｌ１には、例えば、直進性が高い光を用いること好ましい。第１の光Ｌ１には、例えば、レーザ光が用いられる。第１の光Ｌ１の光源には、例えば、安定して高出力を得られるレーザを用いることが好ましい。例えば、ＹＡＧ等の固体レーザを用い、線状のビームを照射してもよい。ＸｅＣｌエキシマレーザを用いてもよい。赤外領域に波長をもつファイバレーザを用いてもよい。
第１の光Ｌ１として赤外レーザを用いた場合、線状のビームを所定の照射間隔ｄｘで断続的に照射してもよい。照射間隔ｇｘは、例えば、１００μｍ以下である。照射間隔ｇｘを１００μｍ以下とすることで、レーザが直接照射されていない領域においても、基板と樹脂層との分離が可能となる。連続的な照射と断続的な照射とを組み合わせてもよい。
第１の光Ｌ１には、例えば、ランプを用いても良い。第１の光Ｌ１には、マイクロ波を用いてもよい。
第１の光Ｌ１は、第１金属層２１の開口部２１ｈから入射し、表示部１１０の第２領域１１０ｂを通過する。第２領域１１０ｂは光透過性を有しているため、第１の光Ｌ１は、第２金属層２２に到達することができる。また、第２領域１１０ｂには、薄膜トランジスタ部５０において発光領域ＥＲを構成する主要部分（例えば、ゲート電極５１、チャネル層５３、ソース電極５５、ドレイン電極５６、画素電極５８）が配置されていない。そのため、第１の光Ｌ１の照射により薄膜トランジスタ部５０の性能が劣化することがない。
第１金属層２１に複数の開口部２１ｈを設けることで、第１の光Ｌ１を第１金属層２１に照射する工程を実施するだけで、第１の光Ｌ１を第２金属層２２にも照射することができる。そのため、例えば、第１金属層２１及び第２金属層２２を同時に加熱することができ、工程数を削減することができる。表示装置３００の生産性を高めることができる。
表示装置の製造方法についてさらに説明する。
厚さが７００μｍのガラス基板（第１基板１１）を希フッ酸（ＤＨＦ）で、例えば、４５秒間洗浄する。希フッ酸には、例えば、フッ酸１に対して純水１００の割合で混合したものが用いられる。希フッ酸洗浄後、例えば、５分以上水洗する。
水洗したガラス基板の上に、厚さが２００ｎｍのチタン（Ｔｉ）層（第１金属層２１）をスパッタリング法により形成する。このチタン層をパターニングして、複数の開口部２１ｈを形成する。
パターニングしたチタン層の上に、スピンコートにより、厚さ１０μｍ(マイクロメートル）のポリイミド層（第１樹脂層３１）を形成する。スピンコート後、例えば、７０℃で９０秒、続いて１４０℃で２４０秒仮焼成する。仮焼成は、例えば、ホットプレートで行う。仮焼成後、例えば、３５０℃で３０分本焼成する。本焼成は、例えば、クリーンオーブンで行う。
これにより、第１支持部４１が形成される。チタン層（第２金属層２２）の厚さを薄くした以外は同様の方法で、第２支持部４２（第２基板１２、第２金属層２２及び第２樹脂層３２）を形成する。チタン層（第２金属層２２）の厚さは、例えば、１００ｎｍである。
ポリイミド層の上に、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２層（第１層８１）を形成した。ＳｉＯ２層の厚さは、例えば、１３０ｎｍである。
ＳｉＯ２層の上に、Ｍｏ膜及びＡｌ膜のゲート電極５１を形成する。ゲート電極５１の上に、厚さが３００ｎｍのＳｉＯ２層（ゲート絶縁層５２）を形成する。ＳｉＯ２層の上に、ＩＧＺＯ層（チャネル層５３）を３０ｎｍ形成する。その上に、ＳｉＯ２層（エッチングストッパ層５４）を３０ｎｍ形成する。
ソース電極５５及びドレイン電極５６を形成後、ＳｉＯ２層(パッシベーション層５７）を９０ｎｍ形成する。その上に、厚さが１００〜１５０ｎｍのＬｉＦ／Ａｌ電極(画素電極５８）を形成する。
次に、有機発光層６１として、第２有機膜６１ｂ（例えば、正孔輸送層）を１５０ｎｍ蒸着により形成する。その上に、第３有機膜６１ｃ（例えば、発光層）を２６ｎｍ蒸着により形成する。さらに、第４有機膜６１ｄ（例えば、電子輸送層）を２０ｎｍ蒸着により形成する。
有機発光層６１の上に、ＩＴＯ（透明電極６２）を６０ｎｍ形成する。そして、ＰＥ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ層（封止層６３）を形成する。または、スパッタにより、ＳｉＯｘ／パラキシリレン層（封止層６３）を形成する。
これにより、表示部１１０（表示体２１０）が形成される。
上述の方法で形成した第２支持体４２のポリイミド層(第２樹脂層３２）の上に、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ層（第４層８４）を形成した。ＳｉＮｘ層の厚さは、例えば、２００ｎｍであり、ＳｉＯｘ層の厚さは、例えば、１３０ｎｍである。
ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ層の上に、ＲＧＢ各色について、例えば、カラーレジストを用い、１８０〜２００℃の焼成温度で、カラーフィルタ（第１カラーフィルタ７１ａ〜第３カラーフィルタ７１ｃ）を形成する。
これにより、フィルタ部１２０（フィルタ体２２０）が形成される。
表示部１１０のＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ層またはＳｉＯｘ／パラキシリレン層（封止層６３）と、カラーフィルタと、を接着剤（接着層１３０）で貼り合わせる。
ガラス基板（第１基板１１）に、例えば、波長範囲１０ｎｍ〜２００００ｎｍ（ナノメートル）にピーク波長を有するレーザを照射する。このときのエネルギー密度範囲は、例えば、１μＪ／ｃｍ２〜１０００Ｊ／ｃｍ２である。走査ピッチ（照射間隔ｇｘ）は、例えば、１００μｍ以下とする。それによって、ガラス基板と樹脂層との分離が容易になる。そして、両方のガラス基板（第１基板１１及び第２基板１２）を除去する。
これにより、表示装置３００が形成される。表示装置の製造方法においては、生産性が高い。
実施形態に係る製造方法によれば、生産性が高い表示装置の製造方法及び表示装置が提供できる。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、表示装置の製造方法、及び表示装置に含まれる、基板、金属層、樹脂層、薄膜トランジスタ部、有機発光部、フィルタ部及び接着層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した表示装置の製造方法及び表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法及び表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１１…第１基板、 １２…第２基板、 ２１…第１金属層、 ２１ｈ…開口部、 ２２…第２金属層、 ３１…第１樹脂層、 ３１ａ…第１部分、 ３１ｂ…第２部分、 ３２…第２樹脂層、 ４１…第１支持部、 ４２…第２支持部、 ５０…薄膜トランジスタ部、 ５１…ゲート電極、 ５１ａ〜５１ｃ…第１〜第３ゲート電極、 ５２…ゲート絶縁層、 ５３…チャネル層、 ５３ａ〜５３ｃ…第１〜第３チャネル層、 ５４…エッチングストッパ層、 ５４ａ〜５４ｃ…第１〜第３エッチングストッパ層、 ５５…ソース電極、 ５５ａ〜５５ｃ…第１〜第３ソース電極、 ５６…ドレイン電極、 ５６ａ〜５６ｃ…第１〜第３ドレイン電極、 ５７…パッシベーション層、 ５８…画素電極、 ５８ａ〜５８ｃ…第１〜第３画素電極、 ５８ｐ…第１端部、 ５８ｑ…第２端部、 ５９…バンク、 ５９ａ〜５９ｃ…第１〜第３バンク、 ６０…有機発光部、 ６１…有機発光層、 ６１ａ〜６１ｅ…第１〜第５有機膜、 ６２…透明電極、 ６３…封止層、 ７０…着色層、 ７１…カラーフィルタ、 ７１ａ〜７１ｃ…第１〜第３カラーフィルタ、 ８１…第１層、 ８２…第２層、 ８３…第３層、 ８４…第４層、 １１０…表示部、 １１０ａ…第１領域、 １１０ｂ…第２領域、 １２０…フィルタ部、 １３０…接着層、 ２１０…表示体、 ２２０…フィルタ体、 ３００…表示装置、 ＥＲ…発光領域、 Ｌ１…第１の光、 ｄｘ…距離、 ｇｘ…照射間隔、 ｌｘ…長さ、 ｘ１…長さ、 ｚ１…第１厚、 ｚ２…第２厚

Claims (10)

  1. 光透過性を有する第１基板と、前記第１基板の上に設けられ第１線膨張係数を有し複数の開口部が設けられた第１金属層と、前記第１金属層の上に設けられ、前記第１線膨張係数とは異なる第２線膨張係数を有する第１樹脂層と、を含む第１支持部と、
    前記第１樹脂層の上に設けられた表示部であって、遮光性の第１領域と、前記第１基板から前記第１樹脂層に向かう積層方向に対して垂直な平面に投影したときに前記第１領域と並んで設けられ、前記平面に投影したときに前記開口部と重なる部分を有する光透過性の第２領域と、を含む表示部と、
    を含む表示体と、
    第２基板と、前記第２基板の上に設けられ第３線膨張係数を有する第２金属層と、前記第２金属層の上に設けられ第３線膨張係数とは異なる第４線膨張係数を有する第２樹脂層と、を含む第２支持部と、
    前記第２樹脂層の上に設けられカラーフィルタを含む着色層と、
    を含むフィルタ体と、
    を、前記第１基板と前記第２基板との間に前記表示部及び前記フィルタ部とが配置されるように接合する工程と、
    前記第１基板を通して前記第１金属層に光を照射し、かつ、前記第１基板、前記開口部及び前記第２領域のうちの少なくとも一部を通過して前記第２金属層に前記光を照射する工程と、
    前記第１基板と前記第１樹脂層とを分離し、前記第２基板と前記第２樹脂層とを分離する工程と、
    を備えた表示装置の製造方法。
  2. 前記表示部は、
    画素電極を含む薄膜トランジスタ部と、
    前記薄膜トランジスタ部の上に設けられ、前記画素電極と電気的に接続され、前記平面に投影したときに前記画素電極と重なる発光領域を有する有機層と、を含み、
    前記第１領域は、前記薄膜トランジスタ及び前記発光領域を含む請求項１記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記有機層は、前記平面に投影したときに前記発光領域と並び、前記平面に投影したときに前記画素電極と重ならない非発光領域をさらに含み、
    前記第２領域は、前記非発光領域のうちの少なくとも一部を含む請求項２記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記平面に投影したときの前記複数の開口部のそれぞれの長さは５０ｎｍ以上１ｍｍ以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記平面に投影したときの前記複数の開口部同士の間の距離は、１００μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記積層方向に沿う前記第２金属層の長さは、前記積層方向に沿う第１金属層の長さよりも短い請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記光は、レーザから放出される請求項１〜６のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、ポリイミドを含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記第１金属層及び前記第２金属層は、金属、金属酸化物、及び、金属窒化物の少なくともいずれかを含む請求項１〜８のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
  10. 複数の第１部分と、前記複数の第１部分同士の間に設けられ前記第１部分よりも厚さが厚い第２部分と、を含む第１樹脂層と、
    遮光性であって前記複数の第１部分のそれぞれの上に設けられた複数の第１領域と、光透過性を有し前記第２部分の上に設けられた第２領域と、を含む表示部と、
    前記表示部の上に設けられ、カラーフィルタを含む着色層を含むフィルタ部と、
    前記フィルタ部の上に設けられた第２樹脂部と、
    を備えた表示装置。
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