JP2007012411A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくとも、基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された素子分離膜と、該素子分離膜上に形成され発光層を含む有機化合物層と、該有機化合物層上に形成された上部電極とを有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいて、前記素子分離膜が、イミド化率が65%以上90%未満のポリイミド膜である有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
【選択図】 図5
Description
前記素子分離膜が、イミド化率が65%以上90%未満のポリイミド膜であることを特徴とする。
前記平坦化膜、前記素子分離膜の少なくとも一方が、イミド化率が65%以上90%未満のポリイミド膜であることを特徴とする。
前記素子分離膜を形成する工程が、ポリアミド酸を主成分とするポリイミド前駆体溶液を塗布し、プリベークしてポリイミド前駆体膜を形成し、該ポリイミド前駆体膜をポストベークしてポリイミド膜を形成する工程であって、プリベーク最高到達温度までの昇温速度が8℃/分以下であり、ポストベーク最高到達温度が、前記ポリイミド膜のガラス転移温度以上で、該ガラス転移温度+40℃未満であることを特徴とする。
前記平坦化膜を形成する工程、前記素子分離膜を形成する工程の少なくとも一方が、ポリアミド酸を主成分とするポリイミド前駆体溶液を塗布し、プリベークしてポリイミド前駆体膜を形成し、該ポリイミド前駆体膜をポストベークしてポリイミド膜を形成する工程であって、プリベーク最高到達温度までの昇温速度が8℃/分以下であり、ポストベーク最高到達温度が、前記ポリイミド膜のガラス転移温度以上で、該ガラス転移温度+40℃未満であることを特徴とする。
1)すべての素子分離膜(ポリイミド膜)の形成条件に対し、高温保管したディスプレイが常温保管したディスプレイより発光強度比が小さい。発光強度比が小さいディスプレイでは、特に画素の周辺部で発光強度低下が顕著な場合が多い。
傾向は見られる。
3)イミド化率が65%以上90%未満であれば発光強度比80%が維持できる。発光強度比80%以上を維持できれば、目視では発光強度の低下は認識できず、少なくとも単色の表示では実用上支障はない。但しこの範囲でも、カラー表示で色ごとの発光強度比が大きく異なると、色味の変化が感じられる場合がある。
4)イミド化率が70%以上85%未満であれば発光強度比90%が維持できる。発光強度比90%以上を維持できれば、カラー表示の場合も含め、実用上全く支障はない。
5)TpostがTglass以上で(Tglass+40℃)未満であること、さらに好ましくは(Tglass+10℃)以上で(Tglass+30℃)未満である事。
6)Rpreが8℃/分以下、さらに好ましくは4℃/分以下である事。
図1に示した構成を持つ単純マトリックス型のフルカラー表示の有機ELディスプレイを試作した。
上記と同じ工程で、素子分離膜まで作製したサンプルから、顕微鏡観下で観察しつつ素子分離膜を採取し、KBr結晶支持板に載せ、顕微鏡赤外分光分析装置にて赤外吸収スペクトルを測定し、前記式(1)よりイミド化率を求めた。結果を表2に示す。
得られたディスプレイを、常温で、各色毎に最高輝度となる条件で駆動し、各色毎の発光強度を測定した後、85℃相対湿度50%の環境試験槽に投入し3ヶ月間保管した。保管後に、保管前と同じ条件で発光強度を測定し、初期の発光強度に対する発光強度比を算出したところ、各色とも95%以上を維持していた。結果を表2に示す。
素子分離膜形成時のRpre、Tpostを表2に示す様に変更した他は実施例1と同様にして有機ELディスプレイを作製し、評価した。結果を表2に示す。
図3の断面構成、図2の回路構成を持つアクティブマトリックス型のフルカラー表示の有機ELディスプレイを試作した。
素子分離膜形成時のRpre、Tpostを表3に示す様に変更した他は実施例2と同様にして有機ELディスプレイを作製し、評価した。結果を表3に示す。
101 下部電極
102 有機化合物層
103 上部電極
104 素子分離膜
105 開口
106 選択された上部電極のストライプ
200 画素
201 有機EL素子
202 駆動トランジスタ
203 保持容量
204 スイッチングトランジスタ
205 電源線
206 走査線
207 選択された走査線
208 信号線
209 共通電極
210 走査回路
211 信号回路
300 基板
301 半導体層
302 第1金属層
303 絶縁層
304 第2金属層
305 駆動トランジスタ
306 保持容量
307 走査線
308 平坦化膜
309 下部電極
310 素子分離膜
311 有機化合物層
312 ホール輸送層
313 発光層
314 電子輸送層
315 上部電極
316 保護層
317 カバーガラス
Claims (12)
- 少なくとも、基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された素子分離膜と、該素子分離膜上に形成され発光層を含む有機化合物層と、該有機化合物層上に形成された上部電極とを有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいて、
前記素子分離膜が、イミド化率が65%以上90%未満のポリイミド膜であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。 - 前記素子分離膜が開口を有し、前記有機化合物層が、該素子分離膜の開口を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
- 少なくとも、基板上に形成された駆動回路と、該駆動回路上に形成された平坦化膜と、該平坦化膜上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成され素子分離膜と、該素子分離膜上に形成され発光層を含む有機化合物層と、該有機化合物層上に形成された上部電極とを有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおいて、
前記平坦化膜、前記素子分離膜の少なくとも一方が、イミド化率が65%以上90%未満のポリイミド膜であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。 - 前記平坦化膜が開口を有し、前記下部電極が、該平坦化膜の開口を覆うように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
- 前記素子分離膜が開口を有し、前記有機化合物層が、該素子分離膜の開口を覆うように形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
- 前記素子分離膜のガラス転移温度が、前記平坦化膜のガラス転移温度より高いことを特徴とする請求項3〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
- 前記ポリイミド膜が、ポリアミド酸を主成分とするポリイミド前駆体膜をイミド化して形成された膜であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
- 前記ポリイミド膜の厚さが0.5μm以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
- 少なくとも、基板上に下部電極を形成する工程と、該下部電極上に素子分離膜を形成する工程と、該素子分離膜上に発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、該有機化合物層上に上部電極を形成する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造法において、
前記素子分離膜を形成する工程が、ポリアミド酸を主成分とするポリイミド前駆体溶液を塗布し、プリベークしてポリイミド前駆体膜を形成し、該ポリイミド前駆体膜をポストベークしてポリイミド膜を形成する工程であって、プリベーク最高到達温度までの昇温速度が8℃/分以下であり、ポストベーク最高到達温度が、前記ポリイミド膜のガラス転移温度以上で、該ガラス転移温度+40℃未満であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造法。 - 少なくとも、基板上に駆動回路を形成する工程と、該駆動回路上に平坦化膜を形成する工程と、該平坦化膜上に下部電極を形成する工程と、該下部電極上に素子分離膜を形成する工程と、該素子分離膜上に発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、該有機化合物層上に上部電極を形成する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造法において、
前記平坦化膜を形成する工程、前記素子分離膜を形成する工程の少なくとも一方が、ポリアミド酸を主成分とするポリイミド前駆体溶液を塗布し、プリベークしてポリイミド前駆体膜を形成し、該ポリイミド前駆体膜をポストベークしてポリイミド膜を形成する工程であって、プリベーク最高到達温度までの昇温速度が8℃/分以下であり、ポストベーク最高到達温度が、前記ポリイミド膜のガラス転移温度以上で、該ガラス転移温度+40℃未満であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造法。 - 前記平坦化膜を形する工程で、粘度15mPa・s以下のポリイミド前駆体溶液を用いることを特徴とする請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造法。
- 前記ポリイミド前駆体膜に所定のパターンの光を照射し、水を含む薬液による現像処理及び/又は水を含む洗浄液による洗浄を行って開口を形成した後にポストベークすることを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造法。
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