CN104064691A - 用于制造显示装置的方法及显示装置 - Google Patents

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齐藤信美
中野慎太郎
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山口�一
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Abstract

根据一个实施例，本发明公开了制造显示装置的方法。所述方法可以包括将显示体接合于滤光体、照射光和分隔开。显示体包括第一支承单元和显示单元。第一支承单元包括第一基板、第一金属层和第一树脂层。显示单元具有第一区域和第二区域。滤光体包括第二支承单元和滤光单元。第二支承单元包括第二基板、第二金属层和第二树脂层。在接合时，显示单元和滤光单元被配置在第一基板和第二基板之间。光被照射到第一和第二金属层。第一基板从第一树脂层分隔开，并且第二基板从第二树脂层分隔开。

Description

用于制造显示装置的方法及显示装置
相关申请的交叉参考
本申请基于2013年3月22日提交的日本专利申请No.2013-061134并要求其优先权，该专利申请的全部内容以引入方式并入本文。
技术领域
本文描述的实施例一般地涉及用于制造显示装置的方法以及显示装置。
背景技术
近年来，采用在透明塑料膜等上形成的诸如液晶显示元件、电致发光(EL)元件等显示元件的显示装置受到关注。人们期待提高这类显示装置的生产率。
附图说明
图1A与图1B是示出根据第一实施例的显示装置的示意图；
图2A至图2C是示意性平面图，示出了根据第一实施例的显示装置；
图3A至图3C是按照工艺次序的示意性剖视图，示出根据第一实施例的用于制造显示装置的方法，以及
图4A与图4B是按照工艺次序的示意性剖视图，示出根据第一实施例的用于制造显示装置的方法。
具体实施方式
根据一个实施例，公开了一种用于制造显示装置的方法。所述方法可以包括将显示体接合于滤光体、照射光以及分隔开。所述显示体包括第一支承单元和显示单元。第一支承单元包括第一基板、第一金属层和第一树脂层。第一金属层设置在第一基板上。第一金属层具有第一线性热膨胀系数和多个开口。第一树脂层设置在第一金属层上。第一基板透光。第一树脂层具有与第一线性热膨胀系数不同的第二线性热膨胀系数。显示单元设置在第一树脂层上。显示单元具有第一区域和第二区域。当从第一基板向第一树脂层投影到垂直于层叠方向的平面上时，第一区域与第二区域被排列在一起。当投影到该平面上时，第二区域有一部分重叠于这些开口。第一区域遮光。第二区域透光。滤光体包括第二支承单元和滤光单元。第二支承单元包括第二基板、设置在第二基板上的第二金属层和设置在第二金属层上的第二树脂层。第二金属层具有第三线性热膨胀系数。第二树脂层具有与第三线性热膨胀系数不同的第四线性热膨胀系数。滤光单元设置在第二树脂层上。滤光单元包括含有滤色器的着色层。在接合时，显示单元和滤光单元被配置在第一基板和第二基板之间。在光照射时，光透过第一基板照射到第一金属层，并且透过第一基板的至少一部分、开口和第二区域照射到第二金属层。在分隔开时，将第一基板与第一树脂层分隔开，并且将第二基板与第二树脂层分隔开。
根据一个实施例，显示装置包括第一树脂层，所述第一树脂层具有多个第一部分和设置在多个第一部分之间的第二部分，第二部分的厚度大于第一部分的厚度的第一部分，显示单元具有多个第一区域以及第二区域，多个第一区域分别设置在所述多个第一部分上，第二区域设置在第二部分上，多个第一区域是遮光的，第二区域是透光的，滤光单元设置在显示单元上，滤光单元包括含有滤色器的着色层，并且第二树脂单元设置在滤光单元上。
下文中将参考附图对各种实施例进行说明。
附图是示意性或概念性的，各部分的厚度和宽度之间的关系，各部分之间的尺寸比例不必一定与它们的实际值相同。另外，附图之间尺寸和／或比例可以不相同地表示，即使它们对应于相同的部分。
在本申请的附图和说明书中，那些类似于上文附图中描述的部件均标有类似的附图标记，并且其详细说明被适当省略。
第一实施例
根据本实施例的显示装置包括使用诸如例如液晶显示元件、电致发光(EL)元件等显示元件的显示装置。
图1A与图1B是示出根据第一实施例的显示装置的示意图。
图1A示出了显示装置300的整体。图1B示出了显示装置300的有机发光层(有机层)61。
如图1A所示，显示装置300包括第一树脂层31、显示单元110、滤光单元120和第二树脂层32。显示单元110设置在第一树脂层31上。滤光单元120设置在显示单元110上。第二树脂层32设置在滤光单元120上。
在本申请的说明书中，“设置在”的状态不仅包括以直接接触方式实现的状态，而且包括有另一层插入其间的状态。
从第一树脂层31朝向第二树脂层32的方向被取为堆叠方向(Z轴方向)。与Z轴方向正交的一个方向取为X轴方向。与Z轴方向和X轴方向正交的方向取为Y轴方向。
首先，将对第一树脂层31进行说明。
第一树脂层31包括多个第一部分31a和多个第二部分31b。在本例中，第一树脂层31具有三个第一部分和三个第二部分。
第一部分31a具有第一厚度z1。第一厚度z1是沿着堆叠方向(Z轴方向)的第一部分的长度。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，多个第一部分31a相对于彼此布置。
多个第二部分31b被设置在多个第一部分31a之间。第二部分31b具有第二厚度z2。第二厚度z2是沿着堆叠方向(Z轴方向)上的第二部分31b的长度。第二厚度z2比第一厚度z1更厚。
第一厚度z1例如不小于1μm且不大于30μm。
第一部分31a和第二部分31b的配置细节在下面描述。
第一树脂层31可以包括例如具有耐热性的树脂。第一树脂层31可以包括例如具有耐化学性和尺寸稳定性的树脂。第一树脂层31可以包括例如由具有含酰亚胺基的聚合物构成的树脂。第一树脂层31可以包括例如聚酰亚胺树脂。例如，聚酰胺酰亚胺、聚苯并咪唑、聚酰亚胺酯、聚醚酰亚胺和聚硅氧烷酰亚胺(polysiloxaneimide)可以用作聚酰亚胺树脂。第一树脂层31可以包括例如选自丙烯酸系、芳族聚酰胺、环氧树脂、环状聚烯烃、液晶聚合物、对二甲苯树脂、氟树脂、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚醚醚酮(PEEK)中的至少一者。
第一树脂层31具有例如第一水渗透性。第一树脂层31可以是或可以不是透光的。
现在对显示单元110进行说明。
显示单元110包括例如第一层81、第二层82、薄膜晶体管单元50和有机发光单元60。
第一层81被设置在例如第一树脂层31的多个第一部分31a的每一个上和第一树脂层31的多个第二部分31b的每一个上。
第一层81的水渗透性(第二水渗透性)例如比(第一树脂层31)第一水渗透性低。第一层81抑制例如水渗透进薄膜晶体管单元50。第一层81的氧气渗透性是例如比第一树脂层31的氧渗透性低。第一层81抑制例如氧渗透进薄膜晶体管单元50。
第一层81用作例如阻挡层。
第一层81可以包括例如无机材料。例如，选自氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)和氧化铝膜(A1Ox)中的至少一者可用作无机材料。
第一层81可以包括例如无机膜和有机树脂膜的层叠膜。从而，缓和应力，并且抑制裂纹的发生。有机树脂薄膜可以包括例如聚酰亚胺、丙烯酸类树脂、对二甲苯树脂等。在堆叠薄膜用作第一层81的情况下，有利的是将无机材料(诸如氧化硅膜(SiOx)、氧化铝膜(AlOx)等)用作第一层81的最上层。
第一层81的厚度为例如50nm到10μm。第一层81是例如透光的。
第二层82设置在例如第一层81上。第二层82用作例如平坦化层。第二层82可以包括例如氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)或氧化铝膜(AlOx)。
可以仅设置从第一层81和第二层82选出的一层；或者可以两层均设置。除了第一层81和第二层82还可以设置其它层。
现就薄膜晶体管单元50进行描述。
薄膜晶体管单元50包括例如栅电极51、栅极绝缘层52、沟道层53、蚀刻阻止层54、源电极55、漏电极56、钝化层57，像素电极58和堆层(bank)59。
栅电极51设置在例如多个第一部分31a中每个的一部分上的第二层82上。在本例中，设有三个栅电极51(第一栅电极51a、第二栅电极51b和第三栅电极51c)。
栅电极51可包括例如选自铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)和钨(W)或者包含选自该组的至少一种金属的合金中的至少一者。
栅极绝缘层52设置在例如第二层82上和多个栅电极51中的每一个上。栅极绝缘层52覆盖栅电极51(第一栅电极51a至第三栅电极51c)。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，栅极绝缘层52重叠于例如多个第一部分31a和多个第二部分31b中的每一个。
栅极绝缘层52可以包括例如选自氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。
沟道层53设置在例如多个栅电极51中的每个上的栅极绝缘层52上。在本例中，设有三个沟道层53(第一沟道层53a，第二沟道层53b和第三沟道层53c)。
当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，第一沟道层53a的至少一部分重叠于第一栅电极51a。当投影到垂直于所述堆叠方向平面上时，第二沟道层53b的至少一部分重叠于第二栅电极51b。当投影到垂直于所述堆叠方向平面上时，第三沟道层53c的至少一部分重叠于第三栅电极51c。
沟道层53可以包括例如氧化物半导体材料。沟道层53可以包括例如InGaZnO或ZnO。沟道层53可以包括例如InSnZnO、INO或InZnO。沟道层53可以包括例如有机半导体材料、多晶硅或非晶硅。多晶硅可以包括例如已通过激光退火等结晶的材料。有机半导体材料可以包括例如并五苯。在沟道层53包括非晶硅的情况下，例如可形成一个n+a-Si：H层，以提供与源电极55和漏电极56的接触。
蚀刻阻挡层54设置在例如多个沟道层53中每个的一部分上。在本例中，设有三个蚀刻阻挡层54(第一蚀刻阻挡层54a、第二蚀刻阻挡层54b和第三蚀刻阻挡层54c)。
蚀刻阻挡层54可以包括例如选自氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。为了提高阻挡性能，可以使用包括选自氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)和氧化铝膜(AlOx)的至少两个膜的叠层膜。
源电极55设置在例如多个蚀刻阻挡层54的至少一部分上、多个沟道层53的至少一部分上和栅极绝缘层52的一部分上。
漏电极56设置在例如多个蚀刻阻挡层54的一部分上、多个沟道层53的一部分上和栅极绝缘层52的一部分上。
在本例中，设有三个源电极55(第一源电极55a、第二源电极55b和第三个源电极55c)和三个漏电极56(第一漏电极56a、第二漏电极56b和第三漏电电极56c)。
多个源电极55和多个漏电极56中的每个可以包括例如选自钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)和银(Ag)或包含选自该组金属的至少一种的合金中的至少一者。
对于源电极55和漏电极56，可以使用相同的材料或不同的材料。
钝化层57设置在例如所述多个源电极55的每一个上、所述多个漏电极56的每一个上、所述多个蚀刻阻挡层54的每一个上和栅极绝缘层52的一部分上。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，钝化层57重叠于例如第一树脂层31的多个第一部分31a和多个第二部分31b中的每一个。
多个接触孔57h(第四接触孔)被设置在钝化层57中。
钝化层57(钝化膜)可以包括选自例如氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。
像素电极58设置在例如第一部分31a的一部分上的钝化层57上。在本例中设有三个像素电极58(第一像素电极58a、第二像素电极58b和第三像素电极58c)。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，像素电极58的一部分重叠于漏电极56的一部分。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，像素电极58不重叠于栅电极51、沟道层53、蚀刻阻挡层54和源电极55。多个像素电极58经由接触孔57h分别连接到多个漏电极56。
像素电极58可包括例如具有高反射率的材料。像素电极58可包括例如LiF／Al、Al或Ag。
堆层59设置在例如像素电极58的端部(第一端部58p和第二端部58q)和在钝化层57的一部分上。在本例中，设有三个堆层59(第一堆层59a、第二堆层59b和第三堆层59c)。通过提供堆层59，可以防止像素电极58端部(第一端部58p和第二端部58q)处的短路。
堆层59可包括例如诸如聚酰亚胺、丙烯酸类等的树脂。堆层59可以包括例如如氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiNx)之类的无机材料。
现就有机发光单元60进行描述。
有机发光单元60包括有机发光层61、透明电极62和密封层63。
有机发光层61设置在例如所述多个堆层59中的每个上和所述多个像素电极58中每个的一部分上。有机发光层61也设置在例如多个堆层59中每个的一个侧面(59s)上。
如图1B所示，有机发光层61包括例如第一有机膜61a、第二有机膜61b、第三有机膜61c、第四有机膜61d和第五有机膜61e。
第一有机膜61a被设置成覆盖多个堆层59和多个像素电极58的一部分。第二有机膜61b设置在例如第一有机膜61a上。第三有机膜61c的设置在例如第二有机膜61b上。第四有机膜61d设置在例如第三有机膜61c上。第五有机膜61e设置在例如第四有机膜61d上。
第一有机膜61a用作例如空穴注入层。第二有机膜61b用作例如空穴传输层。第三有机膜61c用作例如发光层。第四有机膜61d用作例如电子传输层。第五有机膜61e用作例如电子注入层。有机发光层61对应于例如有机电致发光元件(OLED)的发光层。
有机发光层61中所含膜的数量是任意的。例如，在有机发光层61中可以不设空穴注入层(例如，第一有机膜61a)和电子注入层(第五有机膜61e)。
第一至第五有机膜61a-61e可以包括例如有机材料。
空穴注入层(例如，第一有机膜61a)可以包括例如4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯)(α-NPD)、(聚(31，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))、Pedot：PPS，(酞菁铜)CuPc(铜酞菁)，三氧化钼氧化钼(MoO)等。特别相比于使用气相沉积来形成的材料，用如PEDOT等涂覆形成的材料例如，可覆盖基础层的不均匀性，并且可以抑制因为短路等导致的成品率降低。
空穴传输层(例如，第二有机膜61b)可以包括例如4,4′-N,N′-二咔联苯(CBP)、4，4′，4″-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、N，N′-双(3-甲基苯基)-(1，1′-联苯)-4，4′-二胺(TPD)、4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、1，1-双[4-N，N-二(对甲苯基)氨基]苯基]环已烷(TAPC)等。
例如，第一有机膜61a可具有用作空穴注入层的层和用作空穴传输层的层的叠层结构。第一有机膜61a可以包括除了用作空穴注入层的层和用作空穴传输层之外的其它层。第一有机膜61a和第二有机膜61b不限于这些材料。
有机发光层(例如，第三有机膜61c)可以包括例如各种荧光材料，诸如三(8-羟基喹啉)铝络合物(Alq3)、聚苯撑乙烯撑(PPV)等。有机发光(例如，第三有机膜61c)可以包括基质材料与添加到基质材料的掺杂剂的混合材料。例如，4,4′-N,N′-双二咔唑-联苯(CBP)、2,9-二甲基4,7二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、三苯基二胺(TPD)、聚乙烯咔唑(PVK)、(聚苯撑乙烯撑)PPT等，可以用作基质材料。例如，磷光材料，诸如铱(III)双(4，6-二氟苯基)-吡啶-N,C2′]吡啶甲酸(FIrpic)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)、三[1-苯基异喹啉-C2，N]铱(III)(Ir(piq)3)等，可以用作掺杂剂材料。
例如，有机发光层(例如，第三有机膜61c)可以具有层叠结构。通过使用多个发光层，能够获得具有多个峰的发光光谱。将有机发光层(例如，第三有机膜61c)并不限于这些材料。
电子传输层(例如，第四有机膜61d)可以包括例如Alq3，(双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝)氧化物(BAlq)、红菲绕啉(Bphen)和三[3-(3-吡啶基)-三甲苯基]硼烷(3TPYMB)。电子传输层(例如，第四有机膜61d)并不限于这些材料。
电子注入层(例如，第五有机膜61e)可以包括例如含有至少一种选自氟化锂、氟化铯、锂喹啉络合物等中的材料。电子注入层(例如，第五有机膜61e)不限定于这些材料。
有机发光层61电连接到多个像素电极58中的每个。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，有机发光层的一部分61重叠于例如多个像素电极58中的每一个的至少一部分。重叠部分是发射光的发光区ER。有机发光层61的一部分(例如，第一有机膜61a)接触例如像素电极58。
有机发光层61具有发光区ER和非发光区。非发光区是其中不发射光的区域。例如，当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，非发光区不重叠于像素电极58。非发光区重叠于例如堆层59。
透明电极62设置在有机发光层61上。透明电极62可以包括例如ITO和MgAg。透明电极62电连接到有机发光层61和多个像素电极58中的每个。
密封层63设置在透明电极62上。密封层63是例如透光的。
密封层63可以包括例如选自氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)、氧化硅膜(SiOx)和氧化铝膜(AlOx)中的至少一者。
密封层63可以包括例如无机膜和有机树脂膜的层叠膜。从而，缓和应力；并且抑制裂纹的发生。有机树脂薄膜可以包括例如聚酰亚胺、丙烯酸类树脂、对二甲苯树脂等。在叠层膜被用作密封层63的情况下，有利的是将如氧化硅膜(SiOx)，氧化铝膜(AlOx)等无机材料用作密封层63的最上层。
现就显示单元110作进一步描述。
显示单元110具有多个第一区域110a和多个第二区域110b。所述多个第二区域110b分别设置在所述多个第一区域110a之间。
第一区域110a设置在例如第一树脂层31的第一部分31a上。第二区域110b设置在例如第二部分31b上。
第一区域110a是例如遮光的。例如，栅电极51、源电极55、漏电极56、像素电极58设置在第一区域110a。例如，发光区ER设置在第一区域110a。
第二区域110b是例如透光的。例如，第一树脂层31、第一层81、第二层82、栅极绝缘层52、钝化层57、堆层59、有机发光层61、透明电极62和密封层63设置在第二区域110b。
通过将薄膜晶体管单元50切换到导通状态以及经由将电压施加到源电极55(阴极)和透明电极62(阳极)而将电流供给有机发光层61，光从有机发光层61(例如，第三有机膜61c)的发光区ER发出。
例如，从有机发光层61发出的光通过透明电极62和密封层63从显示单元110发射。光主要从第一树脂层31朝向第二树脂层32传播。换句话说，有机发光层61发射的从第一树脂层31向第二树脂层32的光分量的强度，大于从第二树脂层32向第一树脂层31的光分量的强度。换句话说，在本例中，上表面(密封层63的前表面)被用作发光表面。例如，白色光从有机发光层61发出。从有机发光层61发射的光的波长为例如300nm至1000nm。
现在描述滤光单元120。
滤光单元120包括例如第三层83、着色层70和第四层84。
第三层83设置在例如密封层63上。第三层83是例如透光的。第三层83用作例如阻挡层。
第三层83可以包括针对第一层81描述的材料。第三层83可以包括与第一层81相同的材料，或可使用不同的材料。
第三层83的厚度为例如50纳米至100微米。
着色层70设置在例如第三层83上。着色层70包括例如多个滤色器71(第一滤色器71a、第二滤色器71b和第三滤色器71c)。
多个滤色器71各自具有例如不同的颜色。第一滤色器71a是例如红色滤光器。第二滤色器71b是例如绿色滤光器。第三滤色器71c是例如蓝色滤光器。
当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，所述多个滤色器71各自重叠于例如透明电极62的一部分、有机发光层61的一部分以及多个像素电极58的至少一个部分。换句话说，所述多个滤色器71分别设置在发光区ER上。
着色层70的一部分还用作遮光层72(光衰减层)。例如，薄膜晶体管单元50的特性的波动(例如，光的泄漏，等等)通过在着色层70中设置遮光层72而被抑制。因为在本例中，从有机发光单元60发射的光为白色，对于例如约400纳米的波长具有低透射率的滤光器可以设置在着色层70的一部分中。在与薄膜晶体管单元50相对的位置上可以设置遮光的(即衰减光的，例如黑色层)滤光器。遮光层72在下面描述。
第四层84设置在例如着色层70上。第四层84是例如透光的。第四层84用作例如平坦化层。
第四层84可以包括例如针对第二层82描述的材料。第四层84可以包括例如与第二层82相同的材料；或可以使用不同的材料。第四层84的厚度是例如50纳米至1微米。
可以仅设置选自第三层83和第四层84中的一者，或者设置两者。在第三层83和第四层84之外还可以设置其它层。
第二树脂层32设置在例如第四层84上。第二树脂层32是例如透光的。第二树脂层32可以包括例如针对第一树脂层31描述的材料。第二树脂层32可以包括例如与第一树脂层31相同的材料；或可以使用不同的材料。
第二树脂层32的厚度是例如不小于1微米且不大于30微米。在例如光从第二树脂层32发射到外部的情况下，可以将第二树脂层32的厚度设定为30微米或以下，从而抑制由于吸湿性等导致的光学特性(如双折射性、吸收等)退化及尺寸稳定性的降低。
在本例中，显示装置300还包括接合层130。接合层130设置在例如密封层63和第三层83之间。接合层130将例如显示单元110接合于滤光单元120。
接合层130是例如透光的。接合层130可包括例如基于环氧树脂、基于氨基甲酸酯、丙烯酸、基于硅酮、基于橡胶、基于醋酸乙烯酯类或无机的粘接剂。接合层130的厚度是例如1微米至1毫米。
从显示单元110的每个发光区ER射出的光通过例如密封层63、接合层130、第三层83、滤色器(第一至第三滤色器71a-71c)、第四层84以及第二树脂层32发射至显示装置300的外部。
在显示装置300中，多个突出部(第二部分31b)设置在第一树脂层31中。例如，运输过程中产生的显示装置300本身的划痕和损伤可以通过突出部减少。因此，成品率得以提高。从而，可以提高生产率。
图1A与1B所示的显示装置300的有机发光单元60被视为顶部发光型，其中有机发光层61的光从透明电极62侧射出。然而，有机光发光单元60也可以为底部发光型，其中有机发光层61的光从像素电极58侧射出。在这样的情况下，也可以用例如金属等不透明材料形成与像素电极58相对的电极。对于底部发射型，光主要从第二树脂层32向第一树脂层31传播。换句话说，有机发光层61发射的从第二树脂层32朝向第一树脂层31的光分量的强度，比有机发光层61发射的从第一树脂层31朝向第二树脂层32的光分量的强度高。
虽然在图1A和1B中显示装置300的薄膜晶体管单元50被示出为底栅型，但是薄膜晶体管单元50可以为顶栅型。
现在参照图2A至图2C进一步描述显示装置300。
图2A至图2C是示意性平面图，示出了根据第一实施例的显示装置。
图2A示出了第一树脂层31。图2A示出了显示单元110。图1A是沿图2B的线A1-A2的剖视图的示例。图2C示出了滤光单元120。
图2A至图2C示出了其中两列RGB像素被平行布置的例子。即，图2A至图2C示出了其中包括六个像素的例子。
图2B中未示出蚀刻阻挡层54、源电极55、漏电极56、接触孔57h和像素电极58以外的部分。图2C中未示第一至第三滤色器71a-71c和遮光层72以外的部分。
如这些图所示，作为薄膜晶体管单元50的主要部分的蚀刻阻挡层54、源电极55、漏电极56、接触孔57h和像素电极58设置在第一区域部110a而未设置在第二区域110b。因此，即使在在例如运输等过程中力被施加于第一树脂层31的第二部分31b(突出部)的情况下也可以减小薄膜晶体管单元50的主要部分的损坏。从而，可以提高成品率，并且提高生产率。
在图2B所示的例中，每个像素设置一个第二部分31b。也可以针对三个像素(例如，RGB)设置一个第二部分31b。
如图2C所示，遮光层72设置在例如滤色器71之间。遮光层72是例如黑基底。
现就显示装置300的制造方法的示例进行描述。
图3A至图3C以及图4A与图4B是按照工艺次序的示意性剖视图，示出了用于制造根据第一实施例的显示装置的方法。
图3A示出了显示体210(第一支承单元41和显示单元110)。图3B示出了滤光体(第二支承单元42和滤光单元120)。图3C示出了显示体210和滤光体220之间的接合工艺。
图4A示出了光照射工艺。图4B示出了基板去除工艺。
首先，参照图3A描述用于制造包括第一支承单元41和显示单元110的显示体210的示例。
如图3A所示，在第一基板11上形成用于形成第一金属层21的第一金属膜。例如，采用溅射来形成第一金属膜。
第一基板11是例如透光的。第一基板11可以包括例如玻璃。第一基板11用作例如支承基板。
有利的是，第一金属层21(第一金属膜)包括例如高度吸收1微米波长光的材料。第一金属层21可以包括例如选自金属、金属氧化物和金属氮化物中的至少一者。第一金属层21可以包括例如Ti。第一金属层21可以包括例如诸如钼(Mo)、钽(Ta)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)等金属，或包括含有这些金属之一的合金。
第一金属层21具有例如第一线性热膨胀系数。
第一金属层21(第一金属膜)的厚度例如为10纳米至1微米。
在第一金属膜中制备有多个开口21h。在本例中，制备有三个开口21h。
开口21h是通过例如使用以光刻法等形成的抗蚀图案作为掩模，蚀刻第一金属膜的一部分来图案化而形成的。第一金属膜通过制备多个开口21h而成为第一金属层21。
例如，多个开口21h被设置成相互隔开。当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，多个开口21h之间的距离dx例如不大于100微米。投影到垂直于堆叠方向的平面上时多个开口21h中的每一个沿X轴方向的长度1x，例如不小于投影到垂直于堆叠方向的平面上时多个像素电极58中的每一个沿X轴方向的长度的0.1倍但不大于1.2倍。另外，投影到垂直于堆叠方向的平面上的多个开口中每个的沿Y轴方向21h的长度，例如不小于投影到垂直于堆叠方向的平面上时多个像素电极58中的每个沿X轴方向的长度1x的0.1倍但不大于1.2倍。多个开口21h中每个的长度1x是例如不小于50纳米并且不大于1毫米。
用于形成第一树脂层31的第一树脂膜形成在第一金属层21上。第一树脂膜通过例如涂布树脂溶液来形成。涂布方法包括例如旋涂法。或者，也可以使用印刷法。印刷法可以包括例如丝网印刷、胶版印刷、喷墨印刷等。
树脂溶液可以包括例如聚酰胺酸。聚酰胺酸是聚酰亚胺树脂的前驱体。聚酰胺酸可以通过例如使二胺与酸酐发生反应的方式获得。聚酰亚胺树脂可以通过使聚酰胺酸在溶剂的存在下进行反应而得到。
第一树脂层31通过在例如干燥后酰亚胺化第一树脂膜而形成。
酰亚胺化例如通过热处理进行。通过酰亚胺化，例如聚酰胺酸的脱水闭环反应得以进行；并且形成聚酰亚胺。
第一树脂膜也形成于例如多个开口21h中每一个的内部。在多个开口21h中每一个的内部形成的第一树脂膜被用来形成例如第二部分31b。
第一树脂层31(第一树脂膜)是例如透光的。第一树脂层31(第一树脂膜)具有例如第二线性热膨胀系数。第二线性热膨胀系数与第一金属层21的第一线性热膨胀系数不同。第一线性热膨胀系数例如比第二线性热膨胀系数小。第一树脂层31(第一树脂膜)可以包括例如具有与第一金属层21的显著不同的线性热膨胀系数的材料。第一金属层21可以包括具有与第一树脂层31显著不同的线性热膨胀系数的材料。
第一树脂层31的厚度例如不小于1微米且不大于30微米。例如，通过将第一树脂层31的厚度设置成不小于1微米，下文描述的从第一基板11的分离变得更容易。例如，通过将第一树脂层31的厚度设置在为30微米或更小，可以抑制由于吸湿等导致的尺寸稳定性降低。
第一树脂膜可形成为具有大于30微米的厚度；然后，在从第一基板11分离之后，第一树脂薄膜可被图案化，使得第一树脂层31的厚度不大于30微米。
如上所述，第一支承单元41通过在第一基板11上形成第一金属层21和第一树脂层31而形成。
在形成第一支承单元41时通过涂布聚酰胺酸溶液来形成第一树脂层31的情况下，存在这样的情形：在例如聚酰胺酸溶液的干燥和酰亚胺化过程中的有机溶剂和随着酰亚胺化进行而发生的水分可能集中在第一金属层21和第一树脂膜之间的界面，并阻碍第一金属层21和第一树脂膜之间的紧密粘合。因此，存在这样的情形：在例如显示单元110的形成过程中，第一树脂膜(第一树脂层31)从第一金属层21剥离，或者第一树脂膜(第一树脂层31)意外地发生隆起。
另一方面，在第一金属层21的水蒸汽渗透性高的情况下，例如水分不被收集在第一金属层21和第一树脂膜之间的界面；并且在第一金属层21和第一树脂膜之间的粘合变强。在这样的情况下，在将第一基板11和第一树脂层31分离的后续工艺(如下所述)中存在发生差异的情形。
例如，通过适当地调整第一金属层21的类型和在酰亚胺化第一树脂膜时酰亚胺化水的量，可以抑制在显示单元110的形成工艺中第一树脂膜(第一树脂层31)从第一金属层21的剥离，以及在第一树脂层31和第一基板11的分离过程中缺陷的发生。
然后，包括薄膜晶体管单元50和有机发光单元60中的显示单元110被形成在第一支承单元41上。
首先，例如用于形成第一层81的第一膜被形成在第一树脂层31上。例如，等离子体CVD(PE-CVD(等离子体增强化学汽相沉积))法、溅射法或原子层沉积(ALD)法可用来形成第一膜。
第一层81是例如透光的。
此外，在本例中，用于形成第二层82的第二膜形成在第一层81上。第二层82(第二膜)是例如透光的。例如，化学气相沉积(CVD)法、溅射法或原子层沉积(ALD)法可用来形成第二层膜。第二膜可以不形成。
薄膜晶体管单元50被形成在第一层81(第二层82)上。
用于形成例如第一至第三栅电极51a～51c中的第一金属膜被形成在第一层81上。例如，用溅射法来形成第一金属膜。
第一至第三栅电极51a-51c通过例如使用以光刻法等形成的抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第一金属膜的一部分而形成。可以预先形成掩模之后形成第一金属膜；并且该掩模可以被去除。
第一金属膜可以包括例如选自铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)和钨(W)或者含有选自该组的至少一种金属的合金中的至少一者。第一金属膜可以是单层膜或叠层膜。
第一至第三栅电极51a-51c可以用相同材料形成，或用相互不同的材料形成。
当栅电极51形成时，例如分别连接到栅电极51的栅极互连(未示出)也被形成。这时，可以在第一金属膜制备多个第一接触孔(未示出)。然后，多个驱动器IC(未示出)可以通过多个接触孔分别电连接到多个栅电极51。
例如，在第一层81上形成第二层82和第一金属膜之前，可以在第一层81和第一树脂层31中制备多个通孔(未示出)。例如，可以在去除第一支承单元41的一部分(例如，第一基板11和第一金属层21)后，经由通孔分别设置与栅电极51(例如，第一至第三栅电极51a～51c)的电连接。从而例如可以将驱动单元(未示出)等安装到通过去除而露出的第一树脂层31侧(后侧)。
例如，用于形成栅极绝缘层52的栅极绝缘膜形成在栅电极51和第一层81上。例如，化学气相沉积(CVD)法、溅射法或原子层沉积(ALD)法被用来形成栅极绝缘膜。
栅极绝缘层52是例如透光的。
用于形成多个沟道层53(第一沟道层53a-第三沟道层53c)的沟道膜形成在栅极绝缘层52上。例如，化学气相沉积(CVD)、溅射、原子层沉积(ALD)或类似的方法被用来形成沟道膜。所述多个沟道层53通过例如用光刻法等将沟道膜图案化而形成。沟道膜可以在预先形成掩模之后形成，并且该掩模可以被去除。
用于形成例如多个蚀刻阻挡层54(第一至第三蚀刻阻挡层54a-54c)的蚀刻阻挡膜形成在沟道层53和栅极绝缘层52上。例如，化学气相沉积(CVD)、溅射或原子层沉积(ALD)被用来形成蚀刻阻挡膜。多个蚀刻阻挡层54通过例如用光刻法等将蚀刻阻挡膜图案化而形成。蚀刻阻挡膜可以在预先形成掩模之后形成，并且该掩模可以被去除。
例如，在蚀刻阻挡膜中制备第二接触孔(未示出)。同时，例如可以在蚀刻阻挡膜中制备连接到栅极互连部的第三接触孔(未示出)。蚀刻阻止膜可使用背曝光(back exposure)以自对准方法图案化而形成。从而，图案化精度增加，并且例如可以得到精细的薄膜晶体管。
也可使用背沟道切断薄膜晶体管，其中不使用蚀刻阻挡层54。在沟道层53包括氧化物半导体材料的情况下，背沟道界面的特性显著影响TFT的特性。因此，在这样的情况下理想的是使用蚀刻阻挡层54。
然后，例如用于形成多个源电极55和多个漏电极56的第二金属膜被形成在蚀刻阻挡层54和第二接触孔的内部。例如，用溅射法来形成第二金属膜。多个源电极55(第一至第三源电极55a-55c)和多个漏电极56(第一至第三漏电极56a-56c)通过用光刻法等将第二金属膜图案化而形成。第二金属膜可以在预先形成掩模之后形成；并且该掩模可以被去除。
例如，源电极55和漏电极56被同时形成。此时，也可以同时形成源极触点(未示出)和漏极触点(未示出)。
源电极55、漏电极56，源极触点和漏极触点可以单独形成。源极触点和漏极触点可以不形成。
第二金属膜可以包括例如选自钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)和银(Ag)或包含选自上组中至少一种金属的合金中的至少一者。第二金属膜可以是单层膜或叠层膜。
然后，在栅极绝缘层52的一部分上、在蚀刻阻挡层54的一部分上、在源电极55上并在漏电极56上形成用来形成钝化层57的钝化膜。例如，采用化学气相沉积(CVD)法、溅射法或原子层沉积(ALD)法来形成钝化膜。
钝化层57是例如透光的。
例如，多个第四接触孔57h通过去除钝化层57的一部分而制备。从而，多个漏电极56中每个的一部分露出。然后，第三金属薄膜被形成在钝化层57上以及第四接触孔57h内。例如，采用溅射法来形成第三金属薄膜。多个像素电极58通过例如用光刻法等将第三金属薄膜图案化而形成。像素电极58被电连接至例如漏电极56。第三金属薄膜可以在预先形成掩模之后形成；并且该掩模可以被去除。
堆层59可以形成在钝化层57的一部分上和像素电极58的端部(第一端部58p和第二端部58q)上。
例如，堆层59用涂布法来形成。
从而，形成薄膜晶体管单元50。以上描述了具有底栅结构的薄膜晶体管单元50的例子，然而薄膜晶体管单元50也可以具有其它结构(例如，顶栅结构等)。
在像素电极58沿X轴方向的长度x1长(例如，比100微米长)的情况下，有利的是在像素电极58的一部分上设置一个孔(未示出)。该孔用作例如通孔，在其中通过下文描述的第一光L1。可以在一个像素电极58(例如，第一像素电极58a)中设置多个孔。
当投影到垂直于堆叠方向的平面上，这样的孔重叠于例如第一金属层21中所设开口21h中的至少一者。因而，即使在的情况下，像素电极58沿X轴方向的长度x1长(例如，比100微米长)，所述多个开口之间的距离dx的21h可以是100微米或更小。下文描述的树脂层与基板之间的分离更为容易。
然后，有机发光单元60被形成在薄膜晶体管单元50上。
有机发光层61形成在像素电极58的一部分上和堆层59上。例如，采用真空气相沉积来形成有机发光层61。
例如，第一有机膜61a形成在像素电极58的一部分上和堆层59上。例如，第二有机膜61b形成在第一有机膜61a上。例如，第三有机膜61c形成在第二有机膜61b上。例如，第四有机膜61d形成在第三有机膜61c上。例如，第五有机膜61e形成在第四有机膜61d上。
透明电极62形成在有机发光层61(例如，第五有机膜61e)上。例如，采用真空气相沉积来形成透明电极62。
例如，密封层63形成在透明电极62上。例如，PE-CVD法、化学气相沉积(CVD)法、溅射法或原子层沉积(ALD)法被用来形成密封层63。
从而，形成有机发光单元60。
从而，形成包括第一支承单元41和显示单元110的显示体210。
在显示单元110中，当投影到垂直于堆叠方向的平面上时，第二区域110b的至少一部分重叠于第一金属层21的多个开口21h中的至少一个。
使用现有技术，可以在第一树脂层31上形成包括有源矩阵显示阵列的显示器。
现在参考图3B描述一种用于形成包括第二支承单元42和滤光单元120的滤光体220的方法。
如图3B所示，用于形成第二金属层22上的第二金属膜形成在第二基板12上。例如，采用溅射法来形成第二金属膜。
第二基板12是例如透光的。第二基板12可以包括例如玻璃。第二基板12用作例如支承基板。
第二金属层22(第二金属膜)可以包括例如针对第一金属层21所描述的材料。第二金属层22可以包括与第一金属层21相同的材料；或者也可以使用不同的材料。
第二金属层22具有例如第三线性热膨胀系数。
第二金属层22(第二金属膜)的厚度(沿堆叠方向的长度)，例如等于或小于第一金属层21(第一金属膜)的厚度(沿堆叠方向的长度)。第二金属层22的厚度为例如10纳米至1微米。
用于形成第二树脂层32的第二树脂膜形成在第二金属层22上。针对第一树脂膜(第一树脂层31)的形成描述的方法可以用于形成第二树脂膜(第二树脂层32)。
第二树脂层32(第二树脂膜)是例如透光的。第二树脂层32(第二树脂膜)具有例如第四线性热膨胀系数。第四线性热膨胀系数与第二金属层22的第三线性热膨胀系数不同。第三线性热膨胀系数例如比第四线性热膨胀系数小。第二树脂层32(第二树脂膜)可以包括例如具有与第二金属层22显著不同的线性热膨胀系数的材料。第二金属层22可以包括具有与第二树脂层32显著不同的线性热膨胀系数的材料。
因此，第二金属层22和第二树脂层32形成在第二基板12上，以形成第二支承单元42。
然后，滤光单元120被形成在第二支承单元42上。
首先，用于形成第四层84的第三膜形成在第二树脂层32上。例如，针对第二层82的形成描述的方法可用来形成第四层84。
其中包括多个滤色器71的着色层70(第一至第三滤色器71a-71c)形成在第三层83上。
例如，彩色抗蚀剂被用来形成滤色器71。例如，滤色器(第一至第三滤色器71a-71c)分别形成为R(红)、G(绿)和B(蓝)。烘烤温度为例如180℃至200℃。
反射层(未示出)可以形成在滤色器71上。
用于形成第三层83的第四膜形成在滤色器71上。针对第一层81的形成描述的方法可以用于形成第三层83。
从而，形成包括第二支承单元42和滤光单元120的滤光体220。
现在参照图1描述用于将显示体210和滤光体220接合的方法。
如图3C所示，显示体210(密封层63)与滤光体220(第三层83)将接合层130夹于其间而接合。此时，显示单元110和滤光单元120设置在第一基板11和第二基板12之间。
此时，在显示单元110和滤光单元120被接合成使滤色器的至少一些部分(第一至第三滤色器71a-71c)分别相对于发光区ER(像素电极58)的至少一部分。
现在参照图4A至图4C进一步描述用于制造显示装置300的方法。
如图4A所示，第一光L1通过第一基板11照射到第一金属层21。此时，通过第一基板11的第一光L1通过例如设于第一金属层21和显示单元110的第二区域110b的多个开口21h中的至少一部分，并且照射到第二金属层22。
当第一光L1被照射时，第一金属层21和第二金属层22被加热。由于在第一金属层21和第一树脂层31之间的热膨胀系数差异，应力在第一金属层21和第一树脂层31之间发生。另外，由于第二金属层22和第二树脂层32之间的热膨胀系数差异，应力在第二金属层22和第二树脂层32之间发生。
如图4B所示，例如，第一基板11和第一树脂层31被应力分离。另外，第二基板12和第二树脂层32被分离。显示装置300通过去除被分离的第一基板11和第二基板12而形成。
例如，第一金属层21留在第一基板11上。在有些情况下，例如第一金属层21的一部分通过加热汽化。例如，第二金属层22留在第二基板12上。在有些情况下，例如第二金属层22的一部分通过加热汽化。
第一光L1在例如第一基板11和第一金属层21之间的界面被吸收。所吸收的第一光L1被转化为热并且通过第一金属层21热传导。第一金属层21和第一树脂层31之间的界面被该热量加热。
另一方面，在第二金属层22上不需要热传导，因为第二金属层22和第二树脂层32之间的界面是热转换的部位。考虑该过程的吞吐量，第二金属层22的膜厚可以设定成为比第一金属层21薄。
第一光L1可以包括例如为金属层所吸收的波长中心附近的光。有利的是，在第一光L1包括例如具有高的直线传播能力的光。第一光L1可以包括例如激光。有利的是，第一光L1的光源包括例如能够稳定地产生大功率输出的激光。例如，可以由固态激光器(诸如YAG激光器等)照射的直线构型的光束。可以使用XeCl受激准分子激光器。也可以使用具有红外区波长的光纤激光器。
在红外激光作为第一光L1的情况下，具有直线构型的光束可以以规定的照射间隔gx间歇地照射。照射间隔gx是例如不大于100微米。通过设置照射间隔gx为100微米或更小，在不被激光直接照射的区域也可以进行基板和树脂层之间的分离。连续照射可以与间歇照射结合。
例如，可以用灯作为第一光L1。第一光L1可以包括微波。
第一光L1从第一金属层21的开口21h进入，并通过显示单元110的第二区域110b。因为第二区域110b为透光的，第一光L1可以到达第二金属层22。发光区ER中包括的薄膜晶体管单元50的主要部分(例如，栅电极51、沟道层53、源电极55、漏电极56和像素电极58)没有设置在第二区域110b中。因此，薄膜晶体管单元50的性能不会因第一光L1的照射而退化。
通过在第一金属层21中设置多个开口21h，照射第一光L1到第一金属层21的过程也能将第一光L1照射到第二金属层22。因此，例如第一金属层21和第二金属层22可被同时加热；并且工艺的数目可以减少。显示装置300的生产率可得以提高。
下面将进一步描述用于制造显示装置的方法。
用稀释的氢氟酸(DHF)将具有700微米厚度的玻璃基板(第一基板11)清洗例如45秒。稀氢氟酸可以是例如1份氢氟酸与100份纯净水的混合物。在稀氢氟酸清洗之后，用水漂洗例如不少于5分钟。
在用水洗净的玻璃基板上通过溅射形成厚度200纳米的钛(Ti)层(第一金属层21)。多个开口21f是通过将钛层图案化而制备。
通过旋涂在图案化的钛层上形成厚度10微米的聚酰亚胺层(第一树脂层31)。旋涂后进行预烘烤，例如连续地在70℃下进行90秒，然后在140℃下进行240秒。预烘烤例如用热板进行。预烘烤后，在例如350℃下进行持续30分钟的主烘烤。主烘烤在例如干净的烘箱中进行。
从而，形成第一支承单元41。第二支承单元42(第二基板12、第二金属层22和第二树脂层32)以相同的方法形成，不同的是其钛层(第二金属层22)的厚度更薄。钛层(第二金属层22)的厚度例如为100纳米。
SiO2层(第一层81)用例如PE-CVD法形成在聚酰亚胺层上。SiO2层的厚度为例如130纳米。
A1膜和Mo膜的栅电极51形成在SiO2层上。SiO2层(栅极绝缘层52)以厚度300纳米形成在栅电极51上。IGZO层(沟道层53)以厚度30纳米形成在SiO2层上。SiO2层(蚀刻阻挡层54)以厚度30纳米形成有在IGZO层上。
形成源电极55和漏电极56后，以厚度90纳米形成SiO2层(钝化层57)。LiF／Al电极(像素电极58)以厚度100至150纳米形成在SiO2层上。
然后，通过气相沉积法以厚度150纳米形成第二有机膜61b(例如，空穴传输层)作为有机发光层61。通过汽相沉积法在第二有机膜61b上以厚度26纳米形成第三有机膜61c(例如，发光层)。此外，通过气相沉积以厚度20纳米形成第四有机膜61d(例如，电子传输层)。
在有机发光层61上以厚度60纳米形成ITO(透明电极62)。然后，通过PE-CVD法形成SiNx／SiOx层(密封层63)。或者，通过溅射法形成SiOx／对二甲苯层(密封层63)。
从而，形成显示单元110(显示体210)。
通过例如PE-CVD法在由以上述的方法形成的第二支承单元42的聚酰亚胺层(第二树脂层32)上形成SiNx／SiOx层(第四层84)。SiNx层的厚度为例如200纳米；并且SiOx层的厚度为例如130纳米。
RGB的颜色通过例如用彩色抗蚀剂在180-200℃的烘烤温度下在SiNx／SiOx层上形成滤色器(第一至第三滤色器71a-71c)来形成。
从而，形成滤光单元120(滤光体220)。
显示单元110的SiNx/SiOx层或SiOx/对二甲苯层(密封层63)使用粘接剂(接合层130)接合于滤色器。
例如，将在10纳米至20000纳米的波长范围内具有峰值波长的激光照射到玻璃基板(第一基板11)上。此时，能量密度范围为例如1μJ／cm2的1000J／cm2。扫描节距(照射间隔gx)被设定为例如不大于100微米。从而，使玻璃基板和树脂层之间的分离更容易。然后，去除两片玻璃基板(第一基板11和第二基板12)。
从而，形成显示装置300。用于制造显示装置的这种方法具有高的生产效率。
根据本实施例的制造方法，可以提供显示装置和用于高生产率地制造所述显示装置的方法。
在本申请的说明书中，“垂直”和“平行”指的不仅是严格垂直和严格平行，也包括例如由于制造过程等导致的波动。只要大致垂直和大致平行就足够。
上文中，参照特定实例描述了本发明的实施例。然而，本发明的实施例不限于这些特定实例。例如，技术人员可通过适当选择包括在所述显示装置和制造所述显示装置的方法中的部件的具体配置来根据现有技术类似地实施本发明，所述部件例如是基板、金属层、树脂层、薄膜晶体管单元、有机发光单元、滤光单元、粘合层等，就取得类似的效果而言，这样的实施落在本发明的范围内。
另外，特定实例的任何两个或多个部件可以在技术可行性范围内加以组合，并且可以在包含本发明主旨的意义上包括在本发明范围内。
此外，所有可由本领域技术人员根据上文作为本发明实施例描述的用于制造显示装置的方法和显示装置实施的用于制造显示装置的方法和显示装置，就其为本发明的精神所涵盖而言也同样在本发明的范围内。
本领域技术人员可以想见各种其他变形和修改，不言而喻，此类变形和修改也同样在本发明的范围内。
尽管对某些实施例作了描述，这些实施例仅以举例方式示出，无意用来限制本发明的范围。实际上，这里所描述的新颖实施例可以通过其他各种形式体现；此外，可以对本文描述的实施例在形式上进行各种省略、替代和改变而不偏离本发明的精神实质。所附权利要求及其等同物旨在涵盖这样的形式或修改，此类形式或修改总是落入本发明的范围和精神之内。

Claims (20)

1.一种用于制造显示装置的方法，包括：
将显示体接合于滤光体，
所述显示体包括：
第一支承单元，其包括第一基板、第一金属层和第一树脂层，所述第一金属层设置在所述第一基板上，所述第一金属层具有第一线性热膨胀系数和多个开口，所述第一树脂层设置在所述第一金属层上，所述第一基板透光，所述第一树脂层具有与所述第一线性热膨胀系数不同的第二线性热膨胀系数，以及
设置在所述第一树脂层上的显示单元，所述显示单元具有第一区域和第二区域，当从所述第一基板向所述第一树脂层投影到垂直于层叠方向的平面上时，所述第一区域与所述第二区域被排列在一起，当投影到所述平面上时所述第二区域具有重叠于所述开口的部分，所述第一区域是遮光的，所述第二区域是透光的，
所述滤光体包括：
包括第二基板的第二支承单元、设置在所述第二基板上的第二金属层以及设置在所述第二金属层上的第二树脂层，所述第二金属层具有第三线性热膨胀系数，所述第二树脂层具有与所述第三线性热膨胀系数不同的第四线性热膨胀系数，以及
设置在所述第二树脂层上的滤光单元，所述滤光单元包括含有滤色器的着色层，
在所述接合中，所述显示单元和所述滤光单元设置在所述第一基板和所述第二基板之间；
通过所述第一基板将光照射到所述第一金属层，并且通过所述第一基板的至少一部分、所述开口和所述第二区域将光照射到所述第二金属层；以及
将所述第一基板从所述第一树脂层分隔开并将所述第二基板从所述第二树脂层分隔开。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述显示单元包括：
包含像素电极的薄膜晶体管单元；以及
设置在薄膜晶体管单元上以电连接到像素电极的有机层，所述有机层具有当投影到所述平面上时重叠于所述像素电极的发光区，
所述第一区域包括所述薄膜晶体管单元和所述发光区。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述有机层还具有当投影到所述平面上时不重叠于像素电极的非发光区，当投影到所述平面上时所述发光区与所述非发光区被排列在一起，以及
所述第二区域包括所述非发光区的至少一部分。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述多个开口中的每一个沿垂直于所述堆叠方向的方向上的长度，不小于0.1倍且不大于1.2倍的所述像素电极沿所述垂直方向的长度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当投影到所述平面上时，所述多个开口中每一个的长度为不小于50纳米且不大于1毫米。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当投影到所述平面上时，所述多个开口之间的距离不大于100微米。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属层沿所述层叠方向的长度比所述第一金属层沿所述堆叠方向的长度短。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光从激光器射出。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一树脂层和所述第二树脂层包括聚酰亚胺。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层包括选自金属、金属氧化物和金属氮化物中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一金属层的厚度不小于10纳米和1微米，
所述第二金属层的厚度不小于10纳米和1微米。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一者包括以下中的至少一个：选自Ti(钛)、钼(Mo)、钽(Ta)、铝(Al)、钨(W)和铜(Cu)中至少一者的金属膜；以及包含所述金属的合金膜。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一树脂层和所述第二树脂层中至少一者包括选自丙烯酸类树脂、芳族聚酰胺、环氧树脂、环状聚烯烃、液晶聚合物、对二甲苯树脂、氟树脂、聚醚砜、聚萘二甲酸和聚醚醚酮中的至少一者。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一树脂层的厚度和所述第二树脂层的厚度不小于1微米且不大于30微米。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述接合包括经由接合层将所述显示单元接合到所述滤光单元。
16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述接合层包括选自基于环氧树脂的粘接剂、基于氨基甲酸酯的粘接剂、基于丙烯酸的粘接剂、基于硅酮的粘接剂、基于橡胶的粘接剂、基于醋酸乙烯酯的粘接剂或无机粘结剂中的至少一者。
17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一基板和所述第二基板中至少一者为玻璃基板。
18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述照射光包括将所述第一金属层加热并使所述第一金属层和所述第一树脂层之间发生应力。
19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述照射光包括加热所述第二金属层并使所述第二金属层和所述第二树脂层之间发生应力。
20.一种显示装置，包括：
第一树脂层，具有多个第一部分和设置在所述多个第一部分之间的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；
显示单元，具有多个第一区域以及第二区域，所述多个第一区域分别设置在所述多个第一部分上，所述第二区域设置在所述第二部分上，所述多个第一区域是遮光的，所述第二区域是透光的；
滤光单元，其设置在所述显示单元上，所述滤光单元包括含有滤色器的着色层；以及
第二树脂单元，其设置在所述滤光单元上。
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