CN112750846A - 一种oled显示面板及oled显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED显示面板和OLED显示装置，OLED显示面板包括屏下摄像头区域，屏下摄像头区域包括像素区域和非像素区域，其中，OLED显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列基板层以及发光功能层；阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层，像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层在基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。本申请通过设置阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层，且设置像素区域在基板所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层在基板所在平面上的垂直投影的覆盖范围内，实现在激光照射CUP区域时，激光被至少一个反射层吸收或反射，避免激光照射到OLED显示面板的发光功能层上，导致发光功能层受损。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板及OLED显示装置。
背景技术
由于用户对屏占比的极致追求，屏下摄像头(Camera under Panel，CUP)技术应运而生。
现有带有屏下摄像头的显示面板的CUP区域使用的基板为由两层聚酰亚胺(Polyimide，PI)制成的黄色基板，在拍照时照片发黄严重。因此，导入全新工艺将两层黄色PI去除一层，以此增加蓝光透过率解决照片偏黄问题。但全新工艺需要使用激光照射CUP区域，激光功率发生波动时会使显示面板的发光功能层受损。
因此，急需寻求一种OLED显示面板及OLED显示装置解决现有技术中存在的使用激光照射形成CUP区域时，导致显示面板发光功能层受损的技术问题。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板及OLED显示装置，旨在解决现有技术存在的使用激光照射形成CUP区域时，导致显示面板发光功能层受损的技术问题。
第一方面，本申请提供一种OLED显示面板，包括用于形成屏下摄像头的屏下摄像头区域，所述屏下摄像头区域包括像素区域和非像素区域，其中，所述OLED显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列基板层以及发光功能层；
所述阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层，所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述至少一层反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
在本申请一些实现方式中，所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影与所述至少一层反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
在本申请一些实现方式中，所述阵列基板层包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层不同层设置；所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
在本申请一些实现方式中，所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
在本申请一些实现方式中，所述阵列基板层还包括：
缓冲层，设置于所述基板靠近所述发光功能层的一侧；
半导体层，设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧；
第一绝缘层，设置于所述半导体层远离所述缓冲层的一侧；
栅极层，设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧；
第一层间介质层，设置于所述栅极层远离所述第一绝缘层的一侧；
第二层间介质层，设置于所述第一层间介质层远离所述栅极层的一侧；
源漏极金属层，设置于所述第二层间介质层远离所述第一层间介质层的一侧，所述源漏极金属层通过第一过孔和第二过孔与所述半导体层电连接；
钝化层，设置于所述源极漏极金属层远离所述第二层间介质层的一侧；
其中，所述第一反射层和所述第二反射层与所述缓冲层、所述半导体层、所述第一绝缘层、所述栅极层、所述第一层间介质层、所述第二层间介质层、所述源漏极金属层和所述钝化层中的任意两层同层设置。
在本申请一些实现方式中，所述栅极层包括：
第一栅极层，设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧；
第二绝缘层，设置于所述第一栅极层远离所述第一绝缘层的一侧；
第二栅极层，设置于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层的一侧。
在本申请一些实现方式中，所述第一反射层和所述第二反射层与所述半导体层、所述第一栅极层和所述第二栅极层中的任意两层同层设置。
在本申请一些实现方式中，所述发光功能层包括：
阳极层，所述阳极层通过第三过孔与所述阵列基板层电连接；
有机发光层，设置于所述阳极层远离所述阵列基板层的一侧；
像素定义层，设置于所述有机发光层远离所述阳极层的一侧，所述像素定义层形成所述像素区域；
阴极层，设置于所述像素定义层远离所述有机发光层的一侧；
封装层，设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧。
在本申请一些实现方式中，所述封装层包括沿远离所述阴极层一侧凸起的第一堤坝部和第二堤坝部，所述像素区域位于所述第一堤坝部和所述第二堤坝部之间。
第二方面，本申请还提供了一种OLED显示装置，包括上述任一实现方式中的OLED显示面板。
本申请通过设置阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层，且设置像素区域在基板所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层在基板所在平面上的垂直投影的覆盖范围内，实现在激光照射形成CUP区域时，激光被至少一个反射层吸收或反射，避免激光照射到OLED显示面板的发光功能层上，导致发光功能层受损。
附图说明
图1为本发明实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。
图中部件标识如下：
OLED显示面板10，屏下摄像头区域101，像素区域11，非像素区域12，基板20，阵列基板层30，发光功能层40，反射层31，第一基板21，第一阻断层22，第二基板23，第二阻断层24，第一反射层311，第二反射层312，缓冲层32，半导体层33，第一绝缘层34，栅极层35，第一层间介质层36，第二层间介质层37，源漏极金属层38，钝化层39，第一钝化层391，第二钝化层392，第三钝化层393，第四钝化层394，第一栅极层351，第二绝缘层352，第二栅极层353，第一过孔381，第二过孔382，阳极层41，第三过孔411，有机发光层42，像素定义层43，封装层44，第一堤坝部441，第二堤坝部442。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种OLED显示面板及OLED显示装置。以下进行详细说明。
如图1所示，本发明实施例提供了一种OLED显示面板10，包括用于形成屏下摄像头的屏下摄像头区域101，屏下摄像头区域101包括像素区域11和非像素区域12，其中，该OLED显示面板10包括依次层叠设置的基板20、阵列基板层30以及发光功能层40；
其中，阵列基板层30包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层31，像素区域11在基板20所在平面上的垂直投影位于该至少一层反射层31在基板20所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
本申请实施例通过设置阵列基板层30包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层31，且设置像素区域11在基板20所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层31在基板20所在平面上的垂直投影的覆盖范围内，实现在激光照射CUP区域时，激光被至少一个反射层31吸收或反射，避免激光照射到OLED显示面板10的发光功能层40上，导致发光功能层40受损。
应当理解的是：反射层31应对激光具有高反射或高吸收的特性。
具体地，如图1所示，基板20包括：
第一基板21；
第一阻断层22，设置在第一基板21靠近阵列基板层30的一侧；
第二基板23，设置在第一阻断层22远离第一基板21的一侧；
第二阻断层24，设置在第二基板23远离第一阻断层22的一侧。
其中，第一基板21和第二基板23均由聚酰亚胺(Polyimide，PI)制成。
需要说明的是：本申请实施例中的显示面板10在进行激光蚀刻形成屏下摄像孔的过程为：通过激光去除对应于摄像头放置区域的第一基板21和阻断层22，形成屏下摄像孔。通过上述蚀刻过程，可使屏下摄像孔对应位置处的基板20厚度小于其他区域的基板20厚度，从而增大屏下摄像孔处的透过率。
进一步地，在本申请的一些实施例中，像素区域11在基板20所在平面上的垂直投影与该至少一层反射层31在基板20所在平面上的垂直投影重合。
通过上述设置，可节省该至少一个反射层31的面积，降低成本。
应当理解的是：反射层31可设置一层或多层，反射层31设置的层数越多，越可降低激光照射不到发光功能层40的可能性，但反射层31设置的层数越多，显示面板10的制程也越复杂。在本申请的一些实施例中，如图1所示，阵列基板层30包括第一反射层311和第二反射层312，第一反射层311和第二反射层312不同层设置；
其中，像素区域11在基板20所在平面上的垂直投影位于第一反射层311在基板20所在平面上的垂直投影覆盖范围和第二反射层312在基板20所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
为了进一步地降低成本，在本申请的一些实施例中，第一反射层311在基板20所在平面上的垂直投影和第二反射层312在基板20所在平面上的垂直投影重合。
进一步地，在本申请的一些实施例中，如图1所示，阵列基板层30还包括：
缓冲层32，设置于基板20靠近发光功能层40的一侧；
半导体层33，设置于缓冲层32远离基板20的一侧；半导体层33的材料为低温多晶硅；半导体层33包括：位于中部的未掺杂区域331以及位于未掺杂区域331两侧的掺杂区域332，半导体层33可采用曝光显影蚀刻工艺图案化形成，且两侧的掺杂区域332分别为p型掺杂和n型掺杂。
第一绝缘层34，设置于半导体层33远离缓冲层32的一侧；第一绝缘层34可以为氮化硅层或者二氧化硅层，采用化学气相工艺沉积于半导体层33上。
栅极层35，设置于第一绝缘层34远离半导体层33的一侧；栅极层35的材料可为钼(Mo)，栅极层35可采用曝光显影蚀刻工艺图案化形成；
第一层间介质层36，设置于栅极层35远离第一绝缘层34的一侧；
第二层间介质层37，设置于第一层间介质层36远离栅极层35的一侧；
源漏极金属层38，设置于第二层间介质层37远离第一层间介质层36的一侧，源漏极金属层38通过第一过孔381和第二过孔382与半导体层33电连接；源漏极金属层38可采用曝光显影蚀刻工艺进行图案化形成源极和漏极的图案。
钝化层39，设置于源极漏极金属层38远离第二层间介质层37的一侧；钝化层39可为氮化硅层或者二氧化硅层，采用化学气相工艺沉积形成。
其中，第一反射层311和第二反射层312与缓冲层32、半导体层33、第一绝缘层34、栅极层35、第一层间介质层36、第二层间介质层37、源漏极金属层38和钝化层39中的任意两层同层设置。
通过上述设置，可在制作缓冲层32、半导体层33、第一绝缘层34、栅极层35、第一层间介质层36、第二层间介质层37、源漏极金属层38和钝化层39中的任意两层的同时，制作第一反射层311和第二反射层312，简化制程，并且减小OLED显示面板10的厚度。
需要说明的是，如图1所示，钝化层39可包括依次层叠设置的第一钝化层391、第二钝化层392、第三钝化层393和第四钝化层394。
应当理解的是：钝化层39也可包括第一钝化层391和多层平坦化层，多层平坦化层依次层叠设置在所述第一钝化层391上。
进一步地，如图1所示，在本申请的一些实施例中，栅极层35包括：
第一栅极层351，设置于第一绝缘层34远离半导体层33的一侧；
第二绝缘层352，设置于第一栅极层351远离第一绝缘层34的一侧；
第二栅极层353，设置于第二绝缘层352远离第一栅极层351的一侧。
其中，第一过孔381和第二过孔382依次穿过第一绝缘层34，第一层间介质层36和第二层间介质层37，将源漏极金属层38与半导体层33电连接。
进一步地，在本申请的一些实施例中，第一反射层311和第二反射层312与半导体层33、第一栅极层351和第二栅极层353中的任意两层同层设置。
具体地，在本申请的一个实施例中，第一反射层311与第一栅极层351同层设置，第二反射层312与第二栅极层353同层设置。
通过上述设置，可进一步简化OLED显示面板10的制作流程。这是由于：半导体层33、第一栅极层351和第二栅极层353均采用曝光显影蚀刻工艺进行图案化形成，当第一反射层311和第二反射层312与半导体层33、第一栅极层351和第二栅极层353中的任意两层同层设置，可更换掩膜板，一次形成，不用经过多道制程。
进一步地，如图1所示，在本申请的一些实施例中，发光功能层40包括：
阳极层41，阳极层41通过第三过孔411与阵列基板层30电连接；具体地：阳极层41通过第三过孔411与源漏极金属层38电连接；具体地，第三过孔411依次贯穿；
有机发光层42，设置于阳极层41远离阵列基板层30的一侧；有机发光层42包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子隔离层、发光层层、空穴隔离层、电子传输层、电子注入层等膜层结构；
像素定义层43，设置于有机发光层42远离阳极层41的一侧，像素定义层43形成像素区域11；
阴极层(图中未示出)，设置于像素定义层43远离有机发光层42的一侧；阴极层可采用透明导电金属制成，例如氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium ZincOxide，IZO)等；
封装层44，设置于阴极层远离像素定义层43的一侧。封装层44用于隔绝氧气和水封等，保护OLED显示面板10。
为了进一步提高封装层44的封装效果，在本申请的一些实施例中，如图1所示，封装层44包括沿远离阴极层一侧凸起的第一堤坝部441和第二堤坝部442，像素区域11位于第一堤坝部441和第二堤坝部442之间。
进一步地，OLED显示面板10还可包括设置在封装层44远离阴极层44一侧的偏光片、光学胶层以及盖板等膜层。
在本发明的实施例中，还提供了一种OLED显示装置，OLED显示装置包括上述任一实施例中的OLED显示面板10。
综上所述，本申请实施例设置阵列基板层30包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层31，且设置像素区域11在基板20所在平面上的垂直投影位于至少一层反射层31在基板20所在平面上的垂直投影的覆盖范围内，实现在激光照射CUP区域时，激光被至少一个反射层31吸收或反射，避免激光照射到OLED显示面板10的发光功能层40上，导致发光功能层40受损。同时，通过设置反射层31所在的膜层，简化OLED显示面板10的制程，降低OLED显示面板10的成本。进一步地，通过设置第一堤坝部441和第二堤坝部442，提高封装层44隔绝氧气和水封的效果，提高OLED显示面板的可靠性。
以上对本发明所提供的OLED显示面板及OLED显示装置进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板，包括用于形成屏下摄像头的屏下摄像头区域，所述屏下摄像头区域包括像素区域和非像素区域，其特征在于，所述OLED显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列基板层以及发光功能层；
所述阵列基板层包括用于吸收或反射激光的至少一层反射层，所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述至少一层反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影与所述至少一层反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阵列基板层包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层和所述第二反射层不同层设置；所述像素区域在所述基板所在平面上的垂直投影位于所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影覆盖范围内。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一反射层在所述基板所在平面上的垂直投影和所述第二反射层在所述基板所在平面上的垂直投影重合。
5.根据权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阵列基板层还包括：
缓冲层，设置于所述基板靠近所述发光功能层的一侧；
半导体层，设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧；
第一绝缘层，设置于所述半导体层远离所述缓冲层的一侧；
栅极层，设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧；
第一层间介质层，设置于所述栅极层远离所述第一绝缘层的一侧；
第二层间介质层，设置于所述第一层间介质层远离所述栅极层的一侧；
源漏极金属层，设置于所述第二层间介质层远离所述第一层间介质层的一侧，所述源漏极金属层通过第一过孔和第二过孔与所述半导体层电连接；
钝化层，设置于所述源极漏极金属层远离所述第二层间介质层的一侧；
其中，所述第一反射层和所述第二反射层与所述缓冲层、所述半导体层、所述第一绝缘层、所述栅极层、所述第一层间介质层、所述第二层间介质层、所述源漏极金属层和所述钝化层中的任意两层同层设置。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述栅极层包括：
第一栅极层，设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧；
第二绝缘层，设置于所述第一栅极层远离所述第一绝缘层的一侧；
第二栅极层，设置于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层的一侧。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一反射层和所述第二反射层与所述半导体层、所述第一栅极层和所述第二栅极层中的任意两层同层设置。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述发光功能层包括：
阳极层，所述阳极层通过第三过孔与所述阵列基板层电连接；
有机发光层，设置于所述阳极层远离所述阵列基板层的一侧；
像素定义层，设置于所述有机发光层远离所述阳极层的一侧，所述像素定义层形成所述像素区域；
阴极层，设置于所述像素定义层远离所述有机发光层的一侧；
封装层，设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述封装层包括沿远离所述阴极层一侧凸起的第一堤坝部和第二堤坝部，所述像素区域位于所述第一堤坝部和所述第二堤坝部之间。
10.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的OLED显示面板。
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