CN110764362A - 掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置，掩膜条用于阵列基板上的发光结构层的制作，所述掩膜条包括多个子掩膜版，所述子掩膜版包括第一掩膜区和第二掩膜区，所述第一掩膜区具有第一掩膜开口，所述第二掩膜区具有第二掩膜开口，所述第二掩膜开口的密度小于第一掩膜开口的密度，且至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸。至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸，从而降低第二掩膜区的强度，使得第二掩膜区的强度接近或等于第一掩膜区的强度，掩膜条在张网时第一掩膜区与第二掩膜区的交界区域受力均匀，因而交界区域不易产生褶皱，从而降低或消除透明显示区域和正常显示区域的混色风险。

Description

掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置。
背景技术
随着显示终端的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得显示终端的全面屏显示受到业界越来越多的关注。传统的显示终端如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，但开槽区域并不能用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是，这种显示终端都不是真正意义上的全面屏。
发明内容
基于此，本申请提供一种掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置。
本申请提供一种掩膜条，用于阵列基板上的发光结构层的制作，所述掩膜条包括多个子掩膜版，所述子掩膜版包括第一掩膜区和第二掩膜区，所述第一掩膜区具有第一掩膜开口，所述第二掩膜区具有第二掩膜开口，所述第二掩膜开口的密度小于第一掩膜开口的密度，且至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸。
第一掩膜区的第一掩膜开口的密度较大，第二掩膜区的第二掩膜开口的密度较小，若第一掩膜开口的尺寸与第二掩膜开口的尺寸相等，则第二掩膜区的强度较大，至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸，从而降低第二掩膜区的强度，使得第二掩膜区的强度接近或等于第一掩膜区的强度，掩膜条在张网时第一掩膜区与第二掩膜区的交界区域受力均匀，因而交界区域不易产生褶皱，从而降低或消除透明显示区域和正常显示区域的交界区域的混色风险。
在一个实施例中，所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的第一OLED区域和第二OLED区域，所述第二OLED区域的像素密度小于第一OLED区域的像素密度，所述第一OLED区域包括第一像素开口，所述第二OLED区域包括第二像素开口，所述第一掩膜开口用于制作第一OLED区域的第一发光结构层，所述第二掩膜开口用于制作第二OLED区域的第二发光结构层，所述第一发光结构层及第二发光结构层采用所述子掩膜版在同一工艺中形成，其中，所述第二掩膜开口在衬底上的投影的外轮廓与第二像素开口在衬底上的投影的外轮廓的间距d2，大于所述第一掩膜开口在衬底上的投影的外轮廓与第一像素开口在衬底上的投影的外轮廓的间距d1；所述第二掩膜开口在衬底上的投影的外轮廓与第二像素开口在衬底上的投影的外轮廓的间距d2为8～15微米；优选的，所述第二掩膜开口和第一掩膜开口的排布规律相同；优选的，所述第一掩膜开口呈方形，所述第二掩膜开口呈圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或方形。
当d2的取值范围为8～15微米，第一掩膜区的强度和第二掩膜区的强度接近于相等，有利于消除第一OLED区域和第二OLED区域的混色风险。
在一个实施例中，所述第二掩膜区包括自所述第二掩膜区的中心区域依次向外部区域排列的至少两个开口区域，且相邻的两个开口区域中，靠近所述中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸，小于远离所述中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸；优选的，所述第二掩膜区包括3个开口区域；优选的，位于所述第二掩膜区中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸大于或等于所述第一掩膜开口的尺寸。
在子掩膜版的整个区域上，各个区域的强度由外向内逐渐增大，两个相邻的区域之间的强度的差值很小，因而在子掩膜版的各区域的交界区域上，应力分布较为均匀，对应的，对应于子掩膜版的各区域的阵列基板各个区域之间不易产生混色现象。
在一个实施例中，所述子掩膜版包括非掩膜功能区，所述第二掩膜区位于所述非掩膜功能区和第一掩膜区之间，所述非掩膜功能区设有多个通孔或多个凹陷；在一个实施例中，所述多个通孔的尺寸彼此相等或多个凹陷的尺寸彼此相等。
通过设置通孔或凹陷，使整个子掩膜版在掩膜条张网过程中受力均匀，避免因子掩膜版产生褶皱造成阵列基板的混色风险。
在一个实施例中，所述多个通孔的尺寸或多个凹陷的尺寸沿远离第二掩膜区的方向逐渐减小。
在一个实施例中，所述通孔或凹陷呈圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或方形。
在远离第二掩膜区的方向上，非掩膜功能区的强度逐渐增强，从而进一步确保整个子掩膜版的各区域的强度分布趋于均匀，使整个子掩膜版在掩膜条张网过程中受力均匀，避免因子掩膜版产生褶皱造成阵列基板的混色风险。
在一个实施例中，所述第二掩膜区包括多个掩膜凹陷，所述掩膜凹陷位于相邻的所述第二掩膜开口之间；优选的，所述掩膜凹陷与所述第二掩膜开口的尺寸相等；优选的，所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的第一OLED区域和第二OLED区域，所述阵列基板的第二OLED区域包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子像素，所述第二掩膜区包括多个与像素单元对应的第二掩膜子区域，每个第二掩膜子区域的位于相邻的所述第二掩膜开口之间的掩膜凹陷的数量为n-1个；优选的，相邻的掩膜凹陷和第二掩膜开口的间距等于相邻的两个第一掩膜开口的间距。
通过在两个第二掩膜开口之间设置掩膜凹陷，使第二掩膜区的强度接近或等于第一掩膜区的强度，有利于缓解子掩膜版的内部应力，减小第一OLED区域与第二OLED区域的混色风险，同时也避免因子掩膜版受力不均而影响第二掩膜开口的位置精度。
本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的第一OLED区域和第二OLED区域，所述第一OLED区域的像素密度大于第二OLED区域的像素密度，所述第一OLED区域包括第一像素开口，所述第二OLED区域包括第二像素开口，所述第一OLED区域包括第一电极层、形成于第一电极层上的第一发光结构层及形成于第一发光结构层上的第二电极层，所述第二OLED区域包括第三电极层、形成于第三电极层上的第二发光结构层及形成于第二发光结构层上的第四电极层，所述第一发光结构层及第二发光结构层采用如前所述的掩膜条在同一工艺中形成。
用于形成第二发光结构层的第二掩膜区的至少部分第二掩膜开口的尺寸大于用于形成第二发光结构层的第一掩膜区的第一掩膜开口的尺寸，从而降低第二掩膜区的强度，使得第二掩膜区的强度接近或等于第一掩膜区的强度，掩膜条在张网时第一掩膜区与第二掩膜区的交界区域受力均匀，因而交界区域不易产生褶皱，从而降低或消除透明显示区域和正常显示区域的混色风险。
在一个实施例中，所述第二像素开口的排布规律与所述第一像素开口的排布规律相同；优选的，所述第二像素开口的尺寸与所述第一像素开口的尺寸相同，或者，所述第二像素开口的尺寸大于所述第一像素开口的尺寸。优选的，所述第二像素开口的形状为方形、圆形、椭圆形或哑铃形；优选的，所述第二像素开口的尺寸大于所述第一像素开口的尺寸时，所述第二OLED区域包括自所述第二OLED区域的中心区域依次向外部区域排列的至少两个显示区域，且相邻的两个显示区域中，靠近所述中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸，小于远离所述中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸；优选的，所述第二OLED区域包括3个显示区域；优选的，位于所述第二OLED区域中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸大于或等于所述第一像素开口的尺寸。
在对应于第一OLED区域及第二OLED区域的子掩膜版的整个区域上，各个区域的强度由外向内逐渐增大，两个相邻的区域之间的强度的差值很小，因而在子掩膜版的各区域的交界区域上，应力分布较为均匀，对应的，对应于子掩膜版的各区域的阵列基板各个区域之间不易产生混色现象。
在一个实施例中，所述第一电极层及第三电极层为阳极，所述第二电极层及第四电极层为阴极；优选的，所述第三电极层包括多个第三电极，所述第三电极呈圆形、方形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或波浪形；优选的，所述第四电极层为面电极；优选的，所述第四电极层为单层结构或叠层结构，所述第四电极层为单层结构时，所述第四电极层为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第四电极层为叠层结构时，所述第四电极层为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第四电极层为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层；优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于40％；优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于40％；优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于50％；优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于60％；优选的，所述第四电极层为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。
本申请还提供一种显示屏，所述显示屏包括阵列基板以及覆盖于所述阵列基板表面的封装结构。
本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括设备本体及前述显示屏，所述设备主体具有器件区；所述显示屏覆盖在所述设备本体上；其中，所述器件区位于所述第二OLED区域下方，且所述器件区中设置有透过所述第二OLED区域进行光线采集的感光器件。
附图说明
图1为现有的掩膜条的子掩膜版的俯视示意图；
图2为本申请掩膜条的一个实施例的俯视示意图；
图3为本申请子掩膜版的一个实施例的俯视示意图；
图4为本申请子掩膜版的一个实施例的俯视示意图；
图5为本申请子掩膜版的一个实施例的俯视示意图；
图6为本申请子掩膜版的一个实施例的俯视示意图；
图7为本申请子掩膜版的一个实施例的俯视示意图；
图8为本申请子掩膜版的一个实施例的俯视示意图；
图9为本申请子掩膜版的第二掩膜区的一个实施例的俯视示意图；
图10为本申请阵列基板的一个实施例的剖视示意图；
图11为本申请子第一掩膜开口及第二掩膜开口的一个实施例的俯视示意图；
图12为本申请子第一掩膜开口及第二掩膜开口的一个实施例的俯视示意图；
图13为本申请第三电极层的一个实施例俯视示意图；
图14为本申请子第一掩膜开口及第二掩膜开口的一个实施例的俯视示意图；
图15为本申请第一像素开口与第一掩膜开口的一个实施例的俯视示意图；
图16为本申请第二像素开口与第二掩膜开口的一个实施例的俯视示意图；
图17为本申请显示装置的一个实施例的正视示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
正如背景技术所述，这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。为了实现全面屏，本发明将感光器件对应的显示区域设置为低像素密度的透明显示区域，使感光器件透过透明显示区域进行光线采集，而透明显示区域之外的正常显示区域则保持原像素密度。请结合图1，可以通过减少感光器件对应的显示区域的发光结构来降低像素密度，从而获得低像素密度的透明显示区。具体来说，可降低感光器件对应的显示区域所对应的掩膜条的子掩膜版的第二掩膜区2的第二掩膜开口21的密度，而正常显示区域对应的子掩膜版的第一掩膜区1的第一掩膜开口11的密度保持不变，其中第一掩膜开口(或第二掩膜开口)的密度可理解为单位面积内的第一掩膜开口(或第二掩膜开口)的数量。进一步的，发明人发现，由于开口密度的差异，在掩膜条张网时，各子掩膜版的第一掩膜区1和第二掩膜区2的交界区域所受的应力不均匀，容易在该区域形成褶皱，造成正常显示区域和透明显示区域的交界处产生混色的风险高。
为解决上述技术问题，本实施例提供一种掩膜条，用于阵列基板上的发光结构层的制作，所述掩膜条包括多个子掩膜版，所述子掩膜版包括第一掩膜区和第二掩膜区，所述第一掩膜区具有第一掩膜开口，所述第二掩膜区具有第二掩膜开口，所述第二掩膜开口的密度小于第一掩膜开口的密度，且至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸。
第一掩膜区的第一掩膜开口的密度较大，第二掩膜区的第二掩膜开口的密度较小，若第一掩膜开口的尺寸与第二掩膜开口的尺寸相等，则第二掩膜区的强度较大，本申请中至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸，从而降低第二掩膜区的强度，使得第二掩膜区的强度接近或等于第一掩膜区的强度，掩膜条在张网时子掩膜版的第一掩膜区与第二掩膜区的交界区域受力均匀，因而交界区域不易产生褶皱，从而降低或消除透明显示区域和正常显示区域的交界区域的混色风险。
本申请实施例提供一种掩膜条，用于制作阵列基板的发光结构层。所述阵列基板包括衬底及位于衬底上的第一OLED区域及第二OLED区域，所述第一OLED区域A为非透明显示区域(或者称为正常显示区域)，第二OLED区域为透明显示区域。请结合图2，所述掩膜条包括多个子掩膜版10，多个子掩膜版10彼此相连形成整个掩膜条。
请结合图3，所述子掩膜版10包括第一掩膜区1a、第二掩膜区2a及非掩膜功能区域9a，非掩膜功能区9a作为两个子掩膜版的连接区，其对应于显示屏的区域为非显示区域，在蒸镀工艺中并不用来制作发光结构。所述第一掩膜区1a用于制作第一OLED区域的第一发光结构层，所述第二掩膜区2a用于制作第二OLED区域的第二发光结构层。所述第一掩膜区1a完全包围第二掩膜区2a，在其他实施例中，第一掩膜区也可以部分包围第二掩膜区。
请继续参照图3，本实施例中，所述第一掩膜区1a包括多个第一掩膜开口11a，第二掩膜区2a包括多个第二掩膜开口21a，所述第一掩膜开口11a及第二掩膜开口21a均呈圆形，所述第二掩膜开口21a的尺寸大于第一掩膜开口11a的尺寸。这里的尺寸，可以是指圆的半径或圆的面积。在其他实施例中，第一掩膜开口及第二掩膜开口可能呈方形、三角形等其他形状，尺寸可以指面积或边长。本实施例中，通过增大第二掩膜区2a的第二掩膜开口21a的尺寸，使得第二掩膜区2a的强度减小而接近或等于第一掩膜区1a的强度，避免第一掩膜区1a与第二掩膜区2a的交界区域受力不均，从而降低或消除第一OLED区域和第二OLED区域的混色风险。
在一些实施例中，所述第二掩膜开口和第一掩膜开口的排布规律相同，例如图3所示的第二掩膜开口21a及第一掩膜开口11a。排布规律相同，可理解为排布方式相同，例如均呈直线排布，或均呈“品”字形排布。在其他实施例中，所述第二掩膜开口和第一掩膜开口的排布规律也可以不同。
需要注意的是，第二掩膜开口21a的尺寸与第一掩膜开口11a的尺寸的关系，可通过第一OLED区域和第二OLED区域的像素密度的差异进行适应性的调节，以使第二掩膜区2a的强度接近或等于第一掩膜区1a的强度。
请结合图4，在另一实施例中，子掩膜版的第一掩膜区1b的第一掩膜开口11b及第二掩膜区2b的第二掩膜开口21b均呈矩形，其他结构与图3所示的实施例相同。
请结合图5，第一掩膜区1c的结构与前述实施例的第一掩膜区1a结构相同，所述第二掩膜区2c包括自所述第二掩膜区2c的中心区域依次向外部区域排列的至少两个开口区域，且相邻的两个开口区域中，靠近所述中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸，小于远离所述中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸。远离所述中心区域的开口区域至少部分包围靠近所述中心区域的开口区域。
如图5所示，第二掩膜区2c包括相邻的第一开口区域201c和第二开口区域202c，靠近中心区域的第一开口区域201c的第二掩膜开口211c的尺寸小于远离中心区域的第二开口区域202c的第二掩膜开口212c的尺寸。在一个实施例中，第二掩膜区2c还包括第三开口区域203c，所述第三开口区域203c较第二开口区域202c距离中心区域更远，所述第二开口区域202c的第二掩膜开口212c的尺寸小于第三开口区域203c的第三掩膜开口213c的尺寸。所述第一掩膜区11c包围第三开口区域203c，所述第三开口区域203c包围第二开口区域202c，所述第二开口区域202c包围第一开口区域201c。
请继续参照图5，位于所述第二掩膜区2c中心区域的第一开口区域201c的第二掩膜开口211c等于第一掩膜开口11c的尺寸。在其他实施例中，位于所述第二掩膜区中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸。
在第二掩膜区由外向内的方向上(如图5箭头方向)，由于第二掩膜开口213c、212c、211c的尺寸依次减小，第三开口区域203c、第二开口区域202c、第一开口区域201c的强度依次减小。第一掩膜区1c的强度约等于第三开口区域203c的强度，第三开口区域203c的强度略小于第二开口区域202c的强度，第二开口区域202c的强度略小于第一开口区域201c的强度，换言之，在子掩膜版的整个区域上，各个区域的强度由外向内逐渐增大，两个相邻的区域之间的强度的差值很小，因而在子掩膜版的各区域的交界区域上，应力分布较为均匀，对应于子掩膜版的各区域的阵列基板的各个区域之间不易产生混色现象。
图6所示的子掩膜版的结构与图5所示的子掩膜版的结构大致相同，图5所示的子掩膜版的掩膜开口及第二掩膜区均为圆形，图6所示的子掩膜版的第一掩膜区1d及第二掩膜区2d呈方形，第一掩膜开口及第二掩膜开口也均呈方形，第二掩膜区2d包括由中心区域依次向外排列的第一开口区域201d、第二开口区域202d及第三开口区域203d。在其他实施例中，第一掩膜区、第二掩膜区、第一掩膜开口、第二掩膜开口的形状均可根据实际需求进行变化，并且第一掩膜开口、第二掩膜开口的形状可以相同，也可以不同，如第一掩膜开口及第二掩膜开口均呈方形，或者所述第一掩膜开口呈方形，第二掩膜开口呈圆形、椭圆形、哑铃形或葫芦形等形状。
请结合图7，本实施例中，子掩膜版包括第一掩膜区1e、第二掩膜区2e及非掩膜功能区9e，所述第二掩膜区2e位于第一掩膜区1e和非掩膜功能区9e之间。所述非掩膜功能区9e设有多个通孔91e，本实施例中，多个通孔91e的尺寸相等，通孔91e的尺寸小于第二掩膜区2e的第二掩膜开口21e的尺寸，且大于第一掩膜区1e的第一掩膜开口11e的尺寸。通过设置通孔91e，使整个子掩膜版在掩膜条张网过程中受力均匀，避免因子掩膜版产生褶皱造成阵列基板的混色风险。
图8所示的子掩膜版中，第一掩膜区1f、第二掩膜区2f的结构与前述实施例中的第一掩膜区1e、第二掩膜区2e结构相同，不再赘述。非掩膜功能区9f设有通孔91f，通孔91f包括沿远离第二掩膜区2f方向排列的第一通孔911f、第二通孔912f及第三通孔913f，且第一通孔911f、第二通孔912f及第三通孔913f的尺寸依次减小。也就是说，在远离第二掩膜区2f的方向上，非掩膜功能区的强度逐渐增强，从而进一步确保整个子掩膜版的各区域的强度分布趋于均匀，使整个子掩膜版在掩膜条张网过程中受力均匀，避免因子掩膜版产生褶皱造成阵列基板的混色风险。
在其他实施例中，图7或图8所示的通孔也可以由凹陷来代替，凹陷可理解为保留通孔内的一部分材料，结构类似于盲孔。在一些实施例中，也可采用凹陷代替一部分通孔。通过设置凹陷，使整个子掩膜版在掩膜条张网过程中受力均匀，避免因子掩膜版产生褶皱造成阵列基板的混色风险。
在一个实施例中，所述通孔或凹陷呈圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或方形，需要注意的是，通孔或凹陷的形状可以与第二掩膜开口的形状相同，也可以与第二掩膜开口的形状不同。当通孔或凹陷的形状与第二掩膜开口的形状相同时，子掩膜版的应力分布更为均匀。
请结合图9，第二掩膜区2g设有多个第二掩膜开口21g及多个掩膜凹陷22g。本实施中，每个所述掩膜凹陷22g位于相邻的第二掩膜开口21g之间，所述掩膜凹陷22g的结构与前述实施例中的凹陷结构类似。通过在两个第二掩膜开口21g之间设置掩膜凹陷22g，使第二掩膜区2g的强度接近或等于第一掩膜区的强度，有利于缓解子掩膜版的内部应力，减小第一OLED区域与第二OLED区域的混色风险，同时也避免因子掩膜版受力不均而影响第二掩膜开口21g的位置精度。在一个实施例中，所述掩膜凹陷22g与所述第二掩膜开口21g的尺寸相等，如此有利于简化子掩膜版的制造过程，也有利于第二掩膜区2g应力分布均匀。
在一个实施例中，所述阵列基板的第二OLED区域B(结合图10)包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子像素，所述第二掩膜区2g包括多个与像素单元对应的第二掩膜子区域20g，每个第二掩膜子区域20g的掩膜凹陷22g的数量为n-1个。例如当n等于3时，每个第二掩膜子区域内的掩膜凹陷的数量为2个。在一些实施例中，n个子像素可以是n种颜色不同的子像素。在其他实施中，n个子像素中的部分子像素颜色相同。
在一个实施例中，相邻的掩膜凹陷22g和第二掩膜开口21g的间距等于相邻的两个第一掩膜开口的间距，从而使得第二掩膜区2g的强度更加接近第一掩膜区的强度，从而降低混色风险。
请结合图10，本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底3及位于所述衬底3上的第一OLED区域A及第二OLED区域B，所述第一OLED区域A为非透明显示区域(或者称为正常显示区域)，第二OLED区域B为透明显示区域。所述第一OLED区域A可以为圆形、方形等形状，所述第二OLED区域B可以为圆形、方形、水滴形、刘海形等形状，所述第一OLED区域A包围第二OLED区域B，在其他实施例中，所述第一OLED区域部分包围所述第二OLED区域。
所述衬底3可包括基板、驱动电路层(例如薄膜晶体管)、有机层、无机层等结构，需要注意的是，第二OLED区域B对应的衬底部分可以不设置驱动电路层，而通过其他膜层或非显示区进行走线。所述第一OLED区域A包括形成于衬底3上的第一电极层4、形成于第一电极层4上的第一发光结构层61及形成于第一发光结构层61上的第二电极层7，所述第二OLED区域B包括第三电极层5、形成于第三电极层5上的第二发光结构层62及形成于第二发光结构层62上的第四电极层8，所述第一发光结构层61及第二发光结构层62采用所述子掩膜版在同一工艺中形成。
衬底3可以为刚性基板，例如玻璃基板、石英基板或者塑料基板等透明基板。在另一个实施例中，衬底3可以为柔性基板，例如柔性PI基板等。
在一个实施例中，为了提高透明OLED基板光透过率，透明OLED基板的各导电走线(例如第一电极层2和第二电极层4)的材料可以包括透明材料，第一电极及第二电极的透光率大于40％，进一步的，二者的透光率大于60％，更进一步的，二者的透光率不小于80％。如第一电极层2和第二电极层4的材料可以包括透明导电金属氧化物或镁银混合物。举例来说，第一电极层2和第二电极层4的材料可以包括ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZ)、掺杂银的氧化铟锡、掺杂银的氧化铟锌中的至少一种。本实施例中，第一电极层4及第三电极层5为阳极，第二电极层7及第四电极层8为阴极。在其他实施例中，第一电极层4及第三电极层5为阴极，第二电极层7及第四电极层8为阳极。
在一个实施例中，所述第四电极层8为面电极。可选的，所述第四电极层8为单层结构或叠层结构。当所述第四电极层8为单层结构时，所述第四电极层8为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，当所述第四电极层8为叠层结构时，所述第四电极层8为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第四电极层8为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层。
在一个实施例中，所述第四电极层8材料中掺杂有金属时，所述第四电极层8的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第四电极层8的厚度整体连续，且所述第四电极层8的透明度大于40％；所述第四电极层8材料中掺杂有金属时，所述第四电极层8的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层8的厚度整体连续，且所述第四电极层8的透明度大于40％；所述第四电极层8材料中掺杂有金属时，所述第四电极层8的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层8的厚度整体连续，且所述第四电极层8的透明度大于50％；所述第四电极层8材料中掺杂有金属时，所述第四电极层8的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层8的厚度整体连续，且所述第四电极层8的透明度大于60％；当所述第四电极层8为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。
请结合图11，所述第一OLED区域A包括第一像素开口601，所述第二OLED区域B包括第二像素开口602，所述第一发光结构层61部分设于第一像素开口601内，所述第二发光结构层62部分设于第二像素开口602内，像素开口由形成于第一电极层4及第三电极层5上的像素限定层(未图示)形成，像素开口的尺寸决定了发光面积。第一发光结构层61及第二发光结构层62其它部分形成于像素限定层上。所述第二像素开口602的排布规律与所述第一像素开口601的排布规律相同。本实施例中，所述第一OLED区域A及第二OLED区域B均为AMOLED区域。
请继续结合图10及图11，所述第二像素开口602的尺寸与所述第一像素开口601的尺寸相同。所述第一OLED区域的第一电极层4及所述第二OLED区域的第三电极层5的驱动电路均可以为7T1C驱动电路。在一些实施例中，所述第二OLED区域的第三电极层5的驱动电路为2T1C驱动电路；或者，第二OLED区域的第三电极层5的驱动电路仅为1个TFT，所述阵列基板包括扫描线和数据线，所述数据线电性连接所述TFT的源极，所述第三电极层电性连接所述TFT的漏极，所述扫描线电性连接所述TFT的栅极，所述扫描线用于控制所述驱动电路的开启和关闭，所述数据线在所述驱动电路开启时，为所述第三电极层提供驱动电流，以控制所述发光结构层发光。将驱动电路中的开关器件减少至两个或一个，在简化面板结构复杂度，降低因面板结构间隙导致的衍射的程度的基础上，大大降低扫描线的负载电流以及数据线的负载电流，以降低对阳极、阴极、扫描线、数据线等导电线路材料的电阻的要求，使得可以采用透明材料制作阳极、阴极、扫描线、数据线等导电线路，在确保面板性能的同时，提高显示面板的透光度。所述第一OLED区域为AMOLED区域，第二OLED区域为AMOLED区域或PMOLED区域。在其他实施例中，所述数据线电性连接所述TFT的漏极，所述第三电极层电性连接所述TFT的源极，所述扫描线电性连接所述TFT的栅极。
在另一个实施例中，请结合图12，第二OLED区域B1的第二像素开口602a的尺寸大于第一OLED区域A1的1第一像素开口601a的尺寸。对应的，第二OLED区域B1的第二电极层包括多个条状电极51a，如图13所示。每个条状电极51a对应于第二发光结构层上62的多个第二发光结构，对应于多个第二发光结构的条状电极51a可通过同一个驱动电路进行驱动，从而减少驱动电路的数量。
图11及图12所示的第二像素开口602、602a呈方形，在其他实施例中的，所述第二像素开口的形状为圆形、椭圆形或哑铃形等形状。
请结合图14，所述第二像素开口的尺寸大于所述第一像素开口的尺寸时，所述第二OLED区域B2包括自所述第二OLED区域B2的中心区域依次向外部区域排列的至少两个显示区域，且相邻的两个显示区域中，靠近所述中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸，小于远离所述中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸。本实施例中，所述第二OLED区域B2包括自所述第二OLED区域B2的中心区域依次向外部区域排列的第一显示区域B21、第二显示区域B22、第三显示区域B23，所述第一显示区域B21的第二像素开口6021b的尺寸小于第二显示区域B22的第二像素开口6022b的尺寸，第二显示区域B22的第二像素开口6022b的尺寸小于第三显示区域B23的第二像素开口6023b的尺寸。在其他一些实施例中，可以仅设置第一显示区域和第二显示区域，也可以设置更多的显示区域。
本实施例中，第一显示区域的第二像素开口6021b的尺寸大于第一像素开口601b的尺寸。在其他实施例中，位于所述第二OLED区域B的中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸也可以等于所述第一像素开口的尺寸。
请结合图4、图15及图16，所述第二掩膜开口21b在衬底3上的投影的外轮廓与第二像素开口602在衬底3上的投影的外轮廓的间距d2，大于所述第一掩膜开口11b在衬底3上的投影的外轮廓与第一像素开口601在衬底3上的投影的外轮廓的间距d1，在一个实施例中，间距d1的取值为3～6微米，间距d2的取值为8～15微米。当间距d2的取值范围为8～15微米时，第一掩膜区1b的强度和第二掩膜区2b的强度接近于相等，有利于消除第一OLED区域和第二OLED区域的混色风险。
本申请还提供一种显示屏，所述显示屏包括所述阵列基板及覆盖于所述阵列基板表面的封装结构(未图示)。所述第二OLED区域B下方可设置摄像头、传感器等感光器件，感光器件可通过透明的第二OLED区域B采集外界光线，在实现显示功能的同时，保证了感光器件的性能。
请结合图17，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括设备主体C及覆盖于所述设备主体的显示屏。所述显示装置可以是手机、平板电脑、笔记本电脑等设备，以手机为例，设备主体可包括外壳、电路板、电池、处理器等元件，所述设备主体C具有器件区，所述器件区位于第二OLED区域B下方，且所述器件区中设置有透过第二OLED区域B进行光线采集的感光器件D，由于第二OLED区域的高透光性，可保证感光器件采集到足够的光线，从而保证感光器件的性能。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种掩膜条，用于阵列基板上的发光结构层的制作，其特征在于，所述掩膜条包括多个子掩膜版，所述子掩膜版包括第一掩膜区和第二掩膜区，所述第一掩膜区具有第一掩膜开口，所述第二掩膜区具有第二掩膜开口，所述第二掩膜开口的密度小于第一掩膜开口的密度，且至少部分第二掩膜开口的尺寸大于所述第一掩膜开口的尺寸。
2.如权利要求1所述的掩膜条，其特征在于：所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的第一OLED区域和第二OLED区域，所述第二OLED区域的像素密度小于第一OLED区域的像素密度，所述第一OLED区域包括第一像素开口，所述第二OLED区域包括第二像素开口，所述第一掩膜开口用于制作第一OLED区域的第一发光结构层，所述第二掩膜开口用于制作第二OLED区域的第二发光结构层，所述第一发光结构层及第二发光结构层采用所述子掩膜版在同一工艺中形成，其中，所述第二掩膜开口在衬底上的投影的外轮廓与第二像素开口在衬底上的投影的外轮廓的间距d2，大于所述第一掩膜开口在衬底上的投影的外轮廓与第一像素开口在衬底上的投影的外轮廓的间距d1；
优选的，所述第二掩膜开口在衬底上的投影的外轮廓与第二像素开口在衬底上的投影的外轮廓的间距d2为8～15微米；
优选的，所述第二掩膜开口和第一掩膜开口的排布规律相同；
优选的，所述第一掩膜开口呈方形，所述第二掩膜开口呈圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或方形。
3.如权利要求1所述的掩膜条，其特征在于：所述第二掩膜区包括自所述第二掩膜区的中心区域依次向外部区域排列的至少两个开口区域，且相邻的两个开口区域中，靠近所述中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸，小于远离所述中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸；
优选的，所述第二掩膜区包括3个开口区域；
优选的，位于所述第二掩膜区中心区域的开口区域的第二掩膜开口的尺寸大于或等于所述第一掩膜开口的尺寸。
4.如权利要求1所述的掩膜条，其特征在于：所述子掩膜版包括非掩膜功能区，所述第二掩膜区位于所述非掩膜功能区和第一掩膜区之间，所述非掩膜功能区设有多个通孔或多个凹陷；
优选的，所述多个通孔的尺寸彼此相等或多个凹陷的尺寸彼此相等；
优选的，所述多个通孔的尺寸或多个凹陷的尺寸沿远离第二掩膜区的方向逐渐减小；
优选的，所述通孔或凹陷呈圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或方形。
5.如权利要求1所述的掩膜条，其特征在于：所述第二掩膜区包括多个掩膜凹陷，所述掩膜凹陷位于相邻的所述第二掩膜开口之间；
优选的，所述掩膜凹陷与所述第二掩膜开口的尺寸相等；
优选的，所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的第一OLED区域和第二OLED区域，所述阵列基板的第二OLED区域包括多个像素单元，每个像素单元包括n个子像素，所述第二掩膜区包括多个与像素单元对应的第二掩膜子区域，每个所述第二掩膜子区域的掩膜凹陷的数量为n-1个；
优选的，相邻的掩膜凹陷和第二掩膜开口的间距等于相邻的两个第一掩膜开口的间距。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的第一OLED区域和第二OLED区域，所述第一OLED区域的像素密度大于第二OLED区域的像素密度，所述第一OLED区域包括第一像素开口，所述第二OLED区域包括第二像素开口，所述第一OLED区域包括第一电极层、形成于第一电极层上的第一发光结构层及形成于第一发光结构层上的第二电极层，所述第二OLED区域包括第三电极层、形成于第三电极层上的第二发光结构层及形成于第二发光结构层上的第四电极层，所述第一发光结构层及第二发光结构层采用如权利要求1至5项中任一项所述的掩膜条在同一工艺中形成。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素开口的排布规律与所述第一像素开口的排布规律相同；
优选的，所述第二像素开口的尺寸与所述第一像素开口的尺寸相同，或者，所述第二像素开口的尺寸大于所述第一像素开口的尺寸；
优选的，所述第二像素开口的形状为方形、圆形、椭圆形或哑铃形；
优选的，所述第二像素开口的尺寸大于所述第一像素开口的尺寸时，所述第二OLED区域包括自所述第二OLED区域的中心区域依次向外部区域排列的至少两个显示区域，且相邻的两个显示区域中，靠近所述中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸，小于远离所述中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸；
优选的，所述第二OLED区域包括3个显示区域；
优选的，位于所述第二OLED区域中心区域的显示区域的第二像素开口的尺寸大于或等于所述第一像素开口的尺寸。
8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述第一电极层及第三电极层为阳极，所述第二电极层及第四电极层为阴极；
优选的，所述第三电极层包括多个第三电极，所述第三电极呈圆形、方形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或波浪形；
优选的，所述第四电极层为面电极；
优选的，所述第四电极层为单层结构或叠层结构，所述第四电极层为单层结构时，所述第四电极层为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第四电极层为叠层结构时，所述第四电极层为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第四电极层为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层；
优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于40％；
优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于40％；
优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于50％；
优选的，所述第四电极层材料中掺杂有金属时，所述第四电极层的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第四电极层的厚度整体连续，且所述第四电极层的透明度大于60％；
优选的，所述第四电极层为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。
9.一种显示屏，其特征在于：所述显示屏包括：
如权利要求6-8所述的阵列基板，以及覆盖于所述阵列基板表面的封装结构。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
设备本体，具有器件区；
如权利要求9所述的显示屏，覆盖在所述设备本体上；
其中，所述器件区位于所述第二OLED区域下方，且所述器件区中设置有透过所述第二OLED区域进行光线采集的感光器件。
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