TW202025116A - 顯示基板、顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置。顯示基板包括襯底。顯示基板包括第一顯示區和第二顯示區；第一顯示區的透光率大於第二顯示區的透光率。第一顯示區內設有位於所述襯底上的多個第一子像素，第一子像素包括第一電極、設置在第一電極上的發光結構及設置在發光結構上的第二電極。第一子像素的第一電極通過走線與對應的像素電路電連接；第一顯示區內還包括導電層，第一電極通過所述導電層與走線電連接，導電層的電阻率分別小於第一電極的電阻率及走線的電阻率。

Description

顯示基板、顯示面板及顯示裝置
本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置。
隨著電子設備的快速發展，使用者對屏占比的要求越來越高，使得電子設備的全面屏顯示受到業界越來越多的關注。傳統的電子設備如手機、平板電腦等，由於需要集成諸如前置攝像頭、聽筒以及紅外感應元件等，故而可通過在顯示幕上開槽(Notch)，在開槽區域設置攝像頭、聽筒以及紅外感應元件等。但開槽區域並不能用來顯示畫面，使得螢幕呈比如劉海屏。或者採用在螢幕上開孔的方式來設置攝像頭、聽筒以及紅外感應元件等，這樣對於實現攝像功能的電子設備來說，外界光線可通過螢幕上的開孔處進入位於螢幕下方的感光元件。這些電子設備均不是真正意義上的全面屏，並不能在整個螢幕的各個區域均進行顯示，如在攝像頭區域不能顯示畫面。
根據本發明實施例的第一方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括襯底。所述顯示基板包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的透光率大於所述第二顯示區的透光率。所述第一顯示區內設有位於所述襯底上的多個第一子像素，每個所述第一子像素包括第一電極、設置在所述第一電極上的發光結構及設置在所述發光結構上的第二電極。所述第一子像素的第一電極通過走線與對應的像素電路電連接。所述第一顯示區內還包括導電層，所述第一電極通過所述導電層與所述走線電連接，所述導電層的電阻率分別小於所述第一電極的電阻率及所述走線的電阻率。
當所述第一電極包括兩個或兩個以上的電極塊時，兩個或兩個以上的電極塊沿第一方向間隔排布，且該第一電極還包括至少一個連接部，針對所述至少一個連接部中的每個，所述連接部電連接相鄰的兩個電極塊，所述發光結構包括對應設置在所述兩個或兩個以上電極塊上的發光結構塊；且所述第一電極的所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊位於同一層，其中所述第一方向為行方向或者列方向。同一所述第一電極的連接部與電極塊位於同一層。如此設置，電極塊與連接部可在同一工藝步驟中形成，有利於降低工藝複雜度。
在一個實施例中，當所述第一電極包括兩個或兩個以上的電極塊時，兩個或兩個以上的電極塊沿第一方向間隔排布，且該第一電極還包括至少一個連接部，針對所述至少一個連接部中的每個，所述連接部電連接相鄰的兩個電極塊，所述發光結構包括對應設置在所述兩個或兩個以上電極塊上的發光結構塊；且所述第一電極的所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊位於不同層，所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊之間設置有第二絕緣層，所述第二絕緣層包括接觸孔，所述連接部通過接觸孔與對應的電極塊電連接；其中所述第一方向為行方向或者列方向。如此設置，第一電極塊的尺寸可不受連接部的影響，從而可將第一電極塊的尺寸做得較大，進而使第一顯示區的有效發光面積較大。
優選的，所述顯示基板還包括設置在所述第一電極上的像素限定層，所述像素限定層上設置有像素開口，所述發光結構塊一一對應地設置在所述像素開口內，所述接觸孔的邊緣與對應的所述像素開口的邊緣之間的距離範圍為4μm~30μm。通過設置接觸孔的邊緣與像素開口的邊緣之間的距離為4μm~30μm，也即是接觸孔不位於像素開口下方，則可避免像素開口下方的電極塊產生凹陷，進而可避免發光結構塊產生凹陷、降質、點缺陷等問題，可保證顯示基板的顯示品質。
根據本發明實施例的第二方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括第一顯示區和第二顯示區；所述第一顯示區的透光率大於所述第二顯示區的透光率。所述第一顯示區內設有多個第一子像素，每個所述第一子像素包括第一電極、設置在所述第一電極上的發光結構及設置在所 述發光結構上的第二電極，所述第一電極包括兩個或兩個以上的電極塊和至少一個連接部。針對所述至少一個連接部中的每個，所述連接部電連接相鄰的兩個電極塊。所述發光結構包括對應設置在所述兩個或兩個以上電極塊上的發光結構塊。所述第一電極的所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊位於不同層，所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊之間設置有絕緣層，所述絕緣層上設有接觸孔，所述連接部通過所述接觸孔與對應的所述電極塊電連接。所述顯示基板還包括設置在所述第一電極上的像素限定層，所述像素限定層上設置有像素開口，所述接觸孔的邊緣與對應的所述像素開口的邊緣之間的距離範圍為4μm~30μm。
根據本發明實施例的協力廠商面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的顯示基板及封裝層；所述封裝層包括偏光片，所述偏光片覆蓋所述第二顯示區或者所述偏光片覆蓋所述第二顯示區和所述第一顯示區。
根據本發明實施例的第四方面，提供了一種顯示裝置，包括：設備本體，具有器件區；上述的顯示面板，覆蓋在所述設備本體上；其中，所述器件區位於所述第一顯示區下方，且所述器件區中設置有發射或者採集透過所述第一顯示區的光線的感光器件。
本發明實施例提供的顯示基板、顯示面板及顯示裝置中，由於第一顯示區的透光率大於第二顯示區的透光率，則可將感光器件設置在第一顯示區下方，在保證感光器件正常工作的前提下實現顯示基板的全面屏顯示。通過設置第一電極通過導電層與走線電連接，也即是第一電極與走線不直接接觸，且導電層的電阻率分別小於第一電極與走線的電阻率，則可降低第一電極和走線的接觸阻抗，從而可降低第一顯示區產生的熱量，進而降低顯示基板的溫度，保證顯示基板正常工作。
10:第一顯示區
11:第一子像素
13:第一電晶體
14,36:半導體層
20:第二顯示區
21:第一子顯示區
22:第二子顯示區
31:第三子像素
32:第二子像素
35:第二電晶體
41:襯底
42:緩衝層
43:閘極絕緣層
44:電容絕緣層
45:層間介質層
46:平坦化層
47:像素限定層
48:接觸孔
100:顯示基板
101:過孔
111:第一電極
112:走線
113:導電層
115:發光結構塊
131,352:汲極
132,351:源極
133,353:閘極
310:設備本體
311:第三電極
320:器件區
330:感光器件
371:上極板
372:下極板
471:像素開口
1111:電極塊
1112:連接部
1113:第三段
1114:第四段
1121:第一段
1122:第二段
C:存儲電容
T:電晶體
d:距離
第1圖是本發明實施例提供的一種顯示基板的俯視圖；
第2圖是第1圖所示的顯示基板中子像素排布的一種局部示意圖；
第3圖為第1圖所示的顯示基板中子像素排布的另一種局部示意圖；
第4圖為第1圖所示的顯示基板的局部剖視圖；
第5圖為第1圖所示的顯示基板中第一顯示區內器件在襯底上的局部投影圖；
第6圖是第1圖所示的顯示基板中第一顯示區的第一電極在襯底上的一種投影示意圖；
第7圖是第1圖所示的顯示基板中第一顯示區的第一電極在襯底上的另一種投影示意圖；
第8圖是第1圖所示的顯示基板中第一顯示區的第一電極在襯底上的再一種投影示意圖；
第9圖是第1圖所示的顯示基板中第一顯示區內器件在襯底上的局部投影圖；
第10圖是本發明實施例提供的顯示裝置的設備本體的結構示意圖。
這裡將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在圖式中。下面的描述涉及圖式時，除非另有表示，不同圖式中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式並不代表與本發明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附申請專利範圍中所詳述的、本發明的一些方面相一致的裝置的例子。
在諸如手機和平板電腦等智慧電子設備上，由於需要集成諸如前置攝像頭、光線感應器等感光器件，因而一般是通過在上述電子設備上設置透明顯示區的方式，將感光器件設置在透明顯示區下方，在保證感光器件正常工作的情況下來實現電子設備的全面屏顯示。
但是，電子設備在顯示時，會出現透明顯示區溫度較高，或者透明顯示區的像素無法正常工作的問題。通常地，為了提高透明顯示區的透光率，透明顯示區內的器件例如子像素的陽極及走線一般採用透明氧化物材料，而且透明顯示區內子像素的陽極通過走線與對應的像素電路電連接。透明氧化物材料的電阻率較高，透明顯示區內子像素的陽極與走線之間的接觸阻抗較大，會使得透明顯示區工作過程中產生的熱量較大，從而使得透明顯示區的溫度較高。如此，可能會影響電子設備的正常工作，甚至會導 致陽極與像素電路無法有效電連接，進而導致透明顯示區的子像素無法正常顯示。
為解決上述問題，本發明實施例提供了一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置。
下面結合圖式，對本發明實施例中的顯示基板、顯示面板及顯示裝置進行詳細說明。在不衝突的情況下，下述的實施例及實施方式中的特徵可以相互補充或相互組合。
本發明實施例提供了一種顯示基板。參見第1圖，所述顯示基板100包括襯底41，且該顯示基板包括第一顯示區10和第二顯示區20，所述第一顯示區10的透光率大於所述第二顯示區20的透光率。
參見第2圖和第4圖，所述第一顯示區10內設有位於襯底41上的多個第一子像素11。參見第4圖，所述第一子像素11包括透明的第一電極111、設置在所述第一電極111上的發光結構(未圖示)及設置在所述發光結構上的第二電極(未圖示)。第一子像素11的第一電極111通過走線112與對應的像素電路電連接。走線112接觸第一電極111的部分為透明導電材料。第一顯示區10還包括導電層113，第一電極111通過該導電層113與走線112電連接。導電層113的電阻率分別小於第一電極111的電阻率和走線112的電阻率。如此，由於第一顯示區的透光率大於第二顯示區的透光率，則可實現顯示基板的全面屏顯示。同時，設置第一電極通過導電層與走線電連接，也即是第一電極與走線不直接接觸，且導電層的電阻率分別小於第一電極與走線的電阻率，則可降低第一電極和走線的接觸阻抗，從而可降低第一顯示區產生的熱量，進而降低顯示基板的溫度，保證顯示基板正常工作。
繼續參考第2圖和第4圖，用於驅動所述第一子像素11的像素電路設置在所述第二顯示區20內。所述走線112包括互相連接的第一段1121和第二段1122。第一段1121接觸第一電極111的部分為透明導電材料，或者第一段1121整體為透明導電材料。所述第一段1121位於所述第一顯示區10，所述第二段1122位於所述第二顯示區20。所述第一電極111通過所述導電層113與所述走線112的第一段1121電連接。
本發明實施例提供的顯示基板100中，由於第一顯示區10內的第一子像素11的像素電路設置在第二顯示區20內，可降低第一顯示區10的結構複雜度，進而可減弱外部光線通過第一顯示區10時產生的衍射效應。
在一個實施例中，第一子像素11對應的像素電路可為1T電路、或2T1C電路、或3T1C電路、或7T1C電路或7T2C電路。第二顯示區20內的子像素對應的像素電路可為2T1C電路、3T1C電路、或7T1C電路、或7T2C電路。其中，T代表電晶體，C代表存儲電容。例如，上述的2T1C電路指的是，包括2個電晶體和1個存儲電容的像素電路。第一子像素11對應的像素電路、第二顯示區20內的子像素對應的像素電路的類型可相同，也可不同。
參見第4圖，所述第二顯示區20內的子像素可包括第三電極311、位於所述第三電極311上的發光結構(未圖示)及位於發光結構上的第四電極(未圖示)。其中第一電極111和第三電極311可為陽極，第二電極和第四電極可為陰極，且第二電極和第四電極可為連成一片的面電極。
再次參見第4圖，顯示基板100還可包括位於襯底41上的緩衝層42、形成於緩衝層42上的半導體層36和半導體層14、形成於半導體層36和半導體層14上的閘極絕緣層43、位於閘極絕緣層43上方的電容絕緣層44、位於電容絕緣層44上方的層間介質層45、位於層間介質層45上方的平坦化層46、位於平坦化層上46上的像素限定層47。
第一子像素11的像素電路可包括第一電晶體13。第一電晶體13包括汲極131、源極132和閘極133，閘極133位於閘極絕緣層43和電容絕緣層44之間，源極132和汲極131位於層間介質層45上且通過貫穿閘極絕緣層43、電容絕緣層44和層間介質層45上的過孔與半導體層14接觸。第一電極111位於平坦化層46與像素限定層47之間，且部分被像素限定層47上的像素開口471暴露。其中，第4圖僅以第一子像素11的像素電路包括第一電晶體13(也即是，第一子像素11的像素電路為1T電路)為例進行示意，當然，第一子像素11的像素電路中的電晶體的數量可多於一個，第一子像素11的像素電路還可包括電容。
第二顯示區20內子像素的像素電路可包括第二電晶體35和第二電容，第二電晶體35包括源極351、汲極352和閘極353，閘極353位於閘極絕緣層43和電容絕緣層44之間，源極351和汲極352位於層間介質層45上且通過貫穿閘極絕緣層43、電容絕緣層44和層間介質層45上的過孔與半導體層36接觸。第二電容包括上極板371和下極板372，上極板371位於電容絕緣層44和層間介質層45之間，下極板372位於閘極絕緣層43和電容絕緣層44之間，第三電極311位於平坦化層46與像素限定層47之間。
在一個實施例中，再次參見第4圖，所述第一電極111位於所述導電層113和所述走線112的第一段1121上方，所述第一電極111與所述第一段1121之間設置有第一絕緣層。參見第5圖，所述第一絕緣層上設置有過孔101，所述第一電極111通過所述過孔101與所述導電層113接觸或連接。
進一步地，所述導電層113與所述第一電晶體13的汲極131可在同一工藝步驟中形成。如此設置，通過一個工藝步驟可同時形成導電層113與第一電晶體13的汲極131，從而可降低顯示基板100的製備工藝複雜度。在該情況下，第一電極111與第一段1121之間的第一絕緣層可為平坦化層46。在其他實施例中，導電層113也可不與第一電晶體13的汲極131同時形成，例如可以在第一電晶體13的汲極131形成之後形成，或者在第一電晶體13的汲極131形成之前形成。
進一步地，所述走線112的第一段1121與所述導電層113可搭接。如此設置，走線112的第一段1121與所述導電層113位於同一層，無需在第一絕緣層上設置過孔來實現走線112的第一段1121與導電層113的連接，可進一步簡化製備工藝。
進一步地，走線112的第二段1122與第一電晶體13的汲極131可在同一工藝步驟中形成，以進一步簡化製備工藝。
在一個實施例中，所述第一電極111和/或所述第一段1121的透光率可大於70%。更優選的，第一電極111和/或走線112的第一段1121的透光率可大於或等於90%，例如第一電極111和/或走線112的第一 段1121的透光率可以為90%、95%等。如此設置可使得第一顯示區10的透光率較大，進而使得第一顯示區10的透光率滿足例如其下方設置的感光器件的採光需求。
在一個實施例中，所述第一電極111和/或所述第一段1121的材料可包括氧化銦錫、氧化銦鋅、摻雜銀的氧化銦錫或摻雜銀的氧化銦鋅中的至少一種。優選的，製備第一電極111和/或走線112的第一段1121的材料可採用摻雜銀的氧化銦錫或者摻雜銀的氧化銦鋅，以在保證第一顯示區10的高透光率的基礎上，減小第一電極111和/或走線112的第一段1121的電阻。
在一個實施例中，所述導電層113的材料可包括鉬、鈦、鋁、鎂、銀、金、銅、鋅、鉻、鎳或鎢中的至少一種。上述幾種材料的電阻率較小，且性質比較穩定。當導電層113與第一電晶體13的汲極131同時製備時，導電層113的材料與第一電晶體13的汲極131可為疊層結構，例如導電層113及第一電晶體13的汲極131可包括兩層金屬鈦膜層及位於兩層金屬鈦膜層之間的金屬鋁膜層。
在一個實施例中，走線112的第一段1121與第二段1122可位於同一層，走線112的第一段1121與第二段1122可搭接。如此設置，便於走線112的第一段1121與第二段1122的連接。
在一個實施例中，所述第二電極的材料可包括鎂銀、氧化銦錫、氧化銦鋅、摻雜銀的氧化銦錫或者摻雜銀的氧化銦鋅中的至少一種。其中，鎂銀是一種包括金屬鎂和金屬銀的混合材料。如此設置，第二電極的透光率較高，進而提高第一顯示區10的透光率。
在一個實施例中，第一顯示區10內設置有多個第一子像素11，每一第一子像素11的第一電極111均通過導電層113與對應的走線112電連接。參見第5圖，在所述導電層113的延伸方向或縱向方向上，所述導電層113的寬度可連續變化或間斷變化，從而相鄰兩個所述導電層113之間的間距可連續變化或間斷變化。如此設置，導電層113的不同寬度位置以及相鄰導電層113的不同間距之間，產生的衍射條紋的位置不同，不同位置處的衍射強度相互抵消，從而可以有效減弱衍射效應，進而確保例如 設置在第一顯示區10下方的攝像頭拍照得到的圖像具有較高的清晰度。
進一步地，沿所述導電層113的延伸方向，所述導電層113的邊緣可至少部分呈圓弧形或波浪形。通過設置導電層113的邊緣呈圓弧形或波浪形，可使得導電層113的寬度連續變化或間斷變化，從而可使得相鄰兩個導電層113之間的間距連續變化或間斷變化。導電層113的橫截面的形狀例如可呈圓形、橢圓形等。
在一個實施例中，參見第2圖，所述第二顯示區20可包括設置有多個第二子像素32的第一子顯示區21以及鄰接所述第一子顯示區21與所述第一顯示區10的第二子顯示區22。第二子顯示區22設置有多個第三子像素31。所述第一子像素11對應的像素電路可設置在所述第二子顯示區22內。如此設置，可使得用於連接第一電極111與對應的像素電路的走線112的長度較短，有利於降低顯示基板100內走線的複雜度。
進一步地，所述第三子像素31對應的像素電路設置在所述第二子顯示區22的靠近所述第一子顯示區21的區域內，所述第一子像素11對應的像素電路可設置在所述第二子顯示區22的靠近所述第一顯示區10的區域內。如此設置，第一子像素11的像素電路和第三子像素31的像素電路在第二子顯示區22內位置排布比較合理，可使得第一子像素11的第一電極111與對應的像素電路距離較近，從而使得用於連接第一電極111與對應的像素電路的走線112的長度更短，有利於降低顯示基板100內走線的複雜度。
在一個實施例中，所述第一子像素11的密度可與所述第三子像素31的密度相同，且小於第二子像素32的密度。所述第一子像素11的密度與所述第三子像素31的密度相同，可使得第一顯示區10與第二子顯示區22的顯示效果更接近，可在一定程度上降低顯示基板100的顯示區內像素密度的多樣化而造成顯示區內各區域顯示效果不一致的幾率。
進一步地，所述第三子像素31的密度可等於所述第二子像素32的密度的一半。通過設置所述第三子像素31的密度等於所述第二子像素32的密度的一半，則第一子像素11的像素電路與第三子像素31的像素電路可各佔據第二子顯示區22的一半區域，從而使得第一子像素11的 像素電路及第三子像素31的像素電路在第二子顯示區22中排布更合理。
進一步地，所述第二子顯示區22內相鄰的第三子像素31之間的間距大於所述第一子顯示區21內相鄰的第二子像素32之間的間距，和/或，所述第二子像素32的尺寸小於第三子像素31的尺寸。如此設置，可使得第一子顯示區21內第二子像素32的密度大於第二子顯示區22內第三子像素31的密度。
在另一個實施例中，參見第3圖，所述第二顯示區20內僅設置有第二子像素32，且第二子像素32可在第二顯示區20內均勻分佈，也即是第二顯示區20內第二子像素32的密度各處相同。
進一步地，第一顯示區10內的第一子像素11對應的像素電路設置在第二顯示區20的靠近第一顯示區10的區域內，以減小走線112的長度，進而降低顯示基板100內的走線的複雜度。
在一個實施例中，每一第一電極111可包括至少一個電極塊，設置在第一電極111上的發光結構可包括對應設置在電極塊上的發光結構塊。其中，同一第一電極111的電極塊數量為多個時，對應設置在多個電極塊上的發光結構塊的顏色相同。
參見第6圖至第8圖，當所述第一電極111包括兩個或兩個以上的電極塊1111時，兩個或兩個以上的電極塊1111沿第一方向間隔排布，且該第一電極111還包括設置在相鄰兩個電極塊1111之間的連接部1112，相鄰的兩個電極塊1111通過對應的連接部1112電連接。如此設置，第一電極111中的兩個或兩個以上的電極塊1111可由一個像素電路驅動，從而可減小第一顯示區10內的結構的複雜度，能夠有效改善光線透射時因第一顯示區10的結構複雜而導致的衍射疊加現象，進而提升例如設置在第一顯示區10下方的攝像頭拍攝的圖像品質，避免出現圖像失真缺陷。並且，同一第一電極111中的多個電極塊1111電性連接，從而可控制同一第一電極111的多個電極塊1111上對應設置的發光結構塊同時發光或同時關閉，可簡化對第一顯示區10的控制。
在一個實施例中，所述第一電極111包括兩個或兩個以上的電極塊1111時，所述第一電極111對應的走線112可與該第一電極111的 一個電極塊1111電連接。由於同一第一電極111中的兩個或兩個以上的電極塊1111電連接，則其中一個電極塊1111連接至第一電極111對應的走線，即可保證該第一電極111的各電極塊1111由同一像素電路驅動。
在一個實施例中，所述第一電極111包括兩個或兩個以上的電極塊1111時，所述第一電極111對應的走線112可與該第一電極111的靠近第二子顯示區22的電極塊1111電連接。如此設置，可進一步減小走線112的第一段1121的長度，有助於進一步降低光線通過第一顯示區10時發生的衍射效應。
在一個實施例中，所述顯示基板100中，所述第一電極111位於所述襯底上方，所述電極塊1111在所述襯底上的投影可包括一個第一圖形單元或者多個第一圖形單元。其中，所述第一圖形單元可包括圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形或矩形。
第6圖所示的第一顯示區10中在第一方向上設有一個第一電極111，每一第一電極111包括六個電極塊1111，每一電極塊1111在襯底上的投影可包括一個第一圖形單元，該第一圖形單元為矩形。第7圖中所示的第一顯示區10中在第一方向上設有一個第一電極111，每一第一電極111包括五個電極塊1111，每一電極塊1111在襯底上的投影可包括一個第一圖形單元，該第一圖形單元為圓形。第8圖中所示的第一顯示區10中在第一方向上設有兩個第一電極111，每一第一電極111包括兩個電極塊1111，該電極塊1111在襯底上的投影可包括一個第一圖形單元，該圖形單元為啞鈴形。第一圖形單元可為圓形、橢圓形、啞鈴形或葫蘆形，上述形狀可改變衍射產生的週期性結構，即改變了衍射場的分佈，從而減弱外部入射光通過時差生的衍射效應。並且，第一圖像單元為上述形狀時，第一電極在第二方向上的尺寸連續變化或者間斷變化，則在第一方向上相鄰的兩個第一電極在第二方向上的間距連續變化或者間斷變化，從而相鄰的兩個第一電極產生衍射的位置不同，不同位置處的衍射強度相互抵消，從而可以有效減弱衍射效應，進而確保例如第一顯示區下方設置的攝像頭拍照得到的圖像具有較高的清晰度。
在一個實施例中，參見第6圖和第7圖，同一第一電極111 的多個電極塊1111中，相鄰的兩個電極塊1111在第二方向上錯位排布，第一方向可與第二方向垂直。如此設置可進一步減弱外部入射的光線通過第一顯示區時產生的衍射效應。
在一個實施例中，參見第6圖和第7圖，同一第一電極111的兩個以上的電極塊1111中，間隔一個電極塊1111設置的兩個電極塊1111在所述第一方向上的中軸線重合。如此設置可使電極塊1111的排布更規則，從而對應設置在多個電極塊1111上方的發光結構塊的排布更規則，進而製備發光結構塊採用的掩範本的開口排布比較規則。在蒸鍍第一顯示區10和第二顯示區20內的發光結構塊時，第一顯示區10和第二顯示區20中的發光結構塊可採用同一掩膜板在同一蒸鍍工藝中製作，由於掩膜板上的對應第一顯示區的圖案較均勻，可減少張網褶皺。
在一個實施例中，所述發光結構塊在所述襯底上的投影可包括一個第二圖形單元或者多個第二圖形單元，所述第二圖形單元與所述第一圖形單元可相同或不同。第一圖形單元與第二圖像單元不同時，則電極塊1111上對應設置的發光結構塊在襯底上的投影與該電極塊1111在襯底上的投影不同，以進一步減弱光線通過第一顯示區10時產生的衍射效應。
其中，所述第二圖形單元可包括圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形或矩形。
在一個實施例中，第一方向與第二方向可互相垂直。其中，第一方向可為行方向，第二方向可為列方向。或者，第一方向可為列方向，第二方向可為行方向。第6圖至第8圖中僅以第一方向為行方向，第二方向為列方向為例進行說明，其他情況不再進行圖示。
在一個實施例中，所述第一電極111包括兩個或兩個以上的電極塊1111時，同一所述第一電極111的連接部1112與電極塊1111可位於同一層。如此設置，電極塊1111與連接部1112可在同一工藝步驟中形成，有利於降低工藝複雜度。
進一步地，所述連接部1112在垂直於其延伸方向上或垂直於其縱向方向上的尺寸可大於3μm，且小於對應的所述電極塊1111的最大尺寸的二分之一。通過設置連接部1112在垂直於其延伸方向的尺寸大於 3μm，可使得連接部1112的電阻較小。通過設置連接部1112的尺寸小於電極塊1111的最大尺寸的二分之一，可使得連接部1112的設置對電極塊1111的尺寸影響較小，避免連接部1112的尺寸較大導致電極塊1111的尺寸減小，進而導致第一顯示區10的有效發光面積減小。
在另一個實施例中，所述第一電極111包括兩個或兩個以上的電極塊1111時，同一所述第一電極111的連接部1112與電極塊1111可位於不同層，例如，連接部1112位於一層，而電極塊1111位於另外一層。所述連接部1112與所述電極塊1111之間設置有第二絕緣層，該第二絕緣層上設置有接觸孔，所述連接部1112通過對應的接觸孔與所述電極塊1111電連接。如此設置，電極塊1111的尺寸可不受連接部1112的影響，從而可將電極塊1111的尺寸做得較大，進而使第一顯示區10的有效發光面積較大。
進一步地，所述第一子像素11的像素電路可包括電容，所述連接部1112與所述電容的上極板可在同一工藝步驟中形成。如此設置，通過一個工藝步驟可同時形成連接部1112與電容的上極板，有助於降低工藝的複雜度。在該情況下，電極塊1111與連接部1112之間的第二絕緣層包括層間介質層45和平坦化層46。當然，在其他實施例中，連接部1112也可不與電容的上極板在同一工藝步驟中形成，例如可在電容的上極板形成之前或者形成之後形成。連接部1112的材料也可為透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、摻雜銀的氧化銦錫或者摻雜銀的氧化銦鋅等。
進一步地，參見第4圖和第9圖，像素限定層47上設置有像素開口471，發光結構塊115一一對應地設置在所述像素開口471內，第二絕緣層上設置的接觸孔48與所述像素開口471之間的距離d的範圍可為4μm~30μm。第一子像素11的有效發光面積為像素開口471的開口面積，若連接部1112位於像素開口471的下方，會導致電極塊1111的對應接觸孔48處部分凹陷，進而導致發光結構塊115進入到凹陷中而造成發光結構塊115產生凹陷、降質、點缺陷等問題，因而會降低顯示基板的顯示品質。設置接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離為4μm~30μm，也即是接觸孔48不位於像素開口471下方，例如，接觸孔48和像素開口471 在襯底41上的正投影不重合。如此，可避免像素開口471下方的電極塊1111產生凹陷，進而可避免發光結構塊115產生凹陷、降質、點缺陷等問題，可保證顯示基板的顯示品質。
其中，接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離指的是接觸孔48與像素開口471的相鄰的邊緣之間的最小距離。
進一步地，接觸孔48與所述像素開口471之間的距離d的範圍可為4μm~8μm。通過設置接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離d大於4μm，可避免的是，由於工藝誤差而導致在像素限定層47上形成像素開口471時發生像素開口471偏移，從而使得形成於接觸孔48之上的像素開口471位於接觸孔48上方，例如像素開口471和接觸孔48在襯底41上的正投影重合。通過設置接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離d小於8μm，可減小距離d的設置對第一顯示區10的有效發光面積的影響。
在一個實施例中，再次參見第9圖，所述連接部1112可包括第三段1113和多個與所述第三段1113連接的第四段1114，所述第三段1113可沿所述第一方向延伸，所述第四段1114沿第二方向延伸，且多個所述第四段1114在所述第一方向上間隔排布，所述第三段1113和所述第四段1114呈弧形或呈波浪形。
其中，第三段1113用於連接多個第四段1114，第四段1114用於通過接觸孔48與對應的電極塊1111連接。通過第三段1113與第四段1114，可將同一第一電極111的多個電極塊1111電連接。
通過設置第三段1113和第四段1114呈弧形或波浪形，可減小外部光線入射第一顯示區10時產生的衍射強度。
在一個實施例中，第四段1114可呈弧形，且第四段1114可環繞像素開口471設置。進一步地，像素開口471的橫截面可呈圓形，第四段1114可呈圓弧形，且第四段1114及像素開口471在襯底41上的正投影的圓心可不重合，從而可降低外部光線入射第一顯示區10時產生的衍射效應。當然，在其他實施例中，第四段1114與像素開口471在襯底上的正投影的圓心也可重合。
本發明實施例還提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括第一顯示區和第二顯示區，所述第一顯示區的透光率大於所述第二顯示區的透光率。
所述第一顯示區內設有多個第一子像素，所述第一子像素包括第一電極、設置在所述第一電極上的發光結構及設置在所述發光結構上的第二電極。參見第9圖，所述第一電極包括兩個或兩個以上的電極塊1111和至少一個連接部1112，相鄰的兩個電極塊1111通過連接部1112電連接，所述發光結構包括對應設置在電極塊上的發光結構塊。
同一所述第一電極的連接部1112與電極塊1111位於不同層，所述連接部1112與所述電極塊1111之間設置有絕緣層，所述絕緣層上設置有接觸孔48，所述連接部1112通過對應的接觸孔48與所述電極塊1111電連接。所述顯示基板還包括設置在所述第一電極上的像素限定層，所述像素限定層上設置有像素開口471，所述發光結構塊一一對應地設置在所述像素開口471內，所述接觸孔48的邊緣與所述像素開口471的邊緣之間的距離範圍為4μm~30μm。
其中，接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離指的是接觸孔48與像素開口471的相鄰的邊緣之間的最小距離。
本發明實施例提供的顯示基板中，設置接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離為4μm~30μm，也即是接觸孔48不位於像素開口471下方，例如接觸孔和像素開口在襯底上的正投影不重合。如此，可避免像素開口471下方的電極塊1111產生凹陷，進而可避免發光結構塊115產生凹陷、降質、點缺陷等問題，可保證顯示基板的顯示品質。
進一步地，所述接觸孔48的邊緣與所述像素開口471的邊緣之間的距離範圍為4μm~8μm。通過設置接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離d大於4μm，可避免的是，由於工藝誤差而導致在像素限定層47上形成像素開口471時發生像素開口偏移，從而使得形成於接觸孔48之上的像素開口471位於接觸孔48上方，例如像素開口和接觸孔在襯底上的正投影重合。通過設置接觸孔48的邊緣與像素開口471的邊緣之間的距離d小於8μm，可減小距離d的設置對第一顯示區10的有效發光面 積的影響。
其中，本發明實施例中顯示基板的結構可以與上述的顯示基板100的相關結構相同，具體細節詳見上述的實施例，不再進行贅述。
本發明實施例提供的顯示基板100的第一顯示區10可呈水滴形、圓形、矩形、半圓形、半橢圓形或橢圓形等形狀。但不限於此，也可根據實際情況將第一顯示區設計為其他形狀。
本發明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述任一實施例所述的顯示基板及封裝層。封裝層設置在顯示基板的背離襯底的一側。
封裝層可包括偏光片，偏光片可覆蓋第二顯示區20，或者偏光片可覆蓋第二顯示區20和第一顯示區10。偏光片可消散顯示面板表面的反射光，改善用戶的使用體驗。
偏光片未覆蓋第一顯示區10時，第一顯示區10下方可設置例如發射或者採集透過第一顯示區10光線的感光器件。第一顯示區10不設置偏光片時，可提高第一顯示區10的透光率，保證例如第一顯示區10下方設置的感光器件的正常工作。
本發明實施例提供的顯示面板，由於第一顯示區的透光率大於第二顯示區的透光率，則可實現顯示基板的全面屏顯示。通過設置第一電極通過導電層與走線電連接，也即是第一電極與走線不直接接觸，且導電層的電阻率分別小於第一電極與走線的電阻率，則可降低第一電極和走線的接觸阻抗，從而可降低第一顯示區產生的熱量，進而降低顯示面板的溫度，保證顯示面板正常工作。
本發明實施例還提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括設備本體及上述的顯示面板。參見第10圖，設備本體310具有器件區320，顯示面板覆蓋在設備本體310上。其中，器件區320位於第一顯示區10下方，且器件區320中設置有採集透過第一顯示區10光線的感光器件330。
其中，感光器件可包括攝像頭和/或光線感應器。器件區中還可設置除感光器件的其他器件，例如陀螺儀或聽筒等器件。器件區可以是開槽區，顯示面板的第一顯示區可對應於開槽區貼合設置，以使得感光器件 能夠發射或者採集透過該第一顯示區的光線。
上述顯示裝置可以為手機、平板、掌上型電腦、ipad等數碼設備。
本發明實施例提供的顯示裝置，由於第一顯示區的透光率大於第二顯示區的透光率，則可將感光器件設置在第一顯示區下方，在保證感光器件正常工作的前提下實現顯示基板的全面屏顯示。同時，通過設置第一電極通過導電層與走線電連接，也即是第一電極與走線不直接接觸，且導電層的電阻率分別小於第一電極與走線的電阻率，則可降低第一電極和走線的接觸阻抗，從而可降低第一顯示區產生的熱量，進而降低顯示基板的溫度，保證顯示裝置正常工作。
需要指出的是，在圖式中，為了圖示的清晰可能誇大了層和區域的尺寸。而且可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”時，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“下”時，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當層或元件被稱為在兩層或兩個元件“之間”時，它可以為兩層或兩個元件之間唯一的層，或還可以存在一個以上的中間層或元件。通篇相似的參考標記指示相似的元件。
在本發明中，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。術語“多個”指兩個或兩個以上，除非另有明確的限定。
本領域技術人員在考慮說明書及實踐這裡公開的發明後，將容易想到本發明的其它實施方案。本發明旨在涵蓋本發明的任何變型、用途或者適應性變化，這些變型、用途或者適應性變化遵循本發明的一般性原理並包括本發明未公開的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本發明的真正範圍和精神由下面的申請專利範圍指出。
應當理解的是，本發明並不局限於上面已經描述並在圖式中示出的精確結構，並且可以在不脫離其範圍進行各種修改和改變。本發明的範圍僅由所附的申請專利範圍來限制。
10:第一顯示區
13:第一電晶體
14,36:半導體層
20:第二顯示區
35:第二電晶體
41:襯底
42:緩衝層
43:閘極絕緣層
44:電容絕緣層
45:層間介質層
46:平坦化層
47:像素限定層
111:第一電極
112:走線
113:導電層
131,352:汲極
132,351:源極
133,353:閘極
311:第三電極
371:上極板
372:下極板
471:像素開口
1121:第一段
1122:第二段

Claims (10)

  1. 一種顯示基板，包括襯底，所述顯示基板包括：
    第一顯示區，所述第一顯示區內設有位於所述襯底上的多個第一子像素，每個所述第一子像素包括：
    第一電極，通過走線與對應的像素電路電連接；
    發光結構，設置在所述第一電極上；以及
    第二電極，設置在所述發光結構上；和
    第二顯示區，所述第一顯示區的透光率大於所述第二顯示區的透光率；其中
    所述第一顯示區內還包括導電層，所述第一電極通過所述導電層與所述走線電連接，所述導電層的電阻率分別小於所述第一電極的電阻率及所述走線的電阻率。
  2. 如請求項1所述的顯示基板，其中，用於驅動所述第一子像素的像素電路設置在所述第二顯示區內，所述走線包括連接的第一段和第二段，所述第一段位於所述第一顯示區，所述第二段位於所述第二顯示區，所述第一電極通過所述導電層與所述第一段電連接。
  3. 如請求項2所述的顯示基板，其中，所述第一電極位於所述導電層和所述第一段上方，所述第一電極與所述第一段之間設置有第一絕緣層，所述第一絕緣層上設置有過孔，所述第一電極通過所述過孔與所述導電層接觸。
  4. 如請求項2所述的顯示基板，其中，所述第二顯示區包括設置有多個第二子像素的第一子顯示區、以及鄰接所述第一子顯示區與所述第一顯示區的第二子顯示區，所述第二子顯示區設置有多個第三子像素，所述多個第一子像素對應的像素電路設置在所述第二子顯示區內。
  5. 如請求項1所述的顯示基板，其中，當所述第一電極包括兩個或兩個以上的電極塊時，兩個或兩個以上的電極塊沿第一方向間隔排布，且該第一電極還包括至少一個連接部，針對所述至少一個連接部中的每個，所述連接部電連接相鄰的兩個電極塊，所述發光結構包括對應設置在所述兩個或 兩個以上電極塊上的發光結構塊；且
    所述第一電極的所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊位於同一層，其中所述第一方向為行方向或者列方向。
  6. 如請求項1所述的顯示基板，其中，當所述第一電極包括兩個或兩個以上的電極塊時，兩個或兩個以上的電極塊沿第一方向間隔排布，且該第一電極還包括至少一個連接部，針對所述至少一個連接部中的每個，所述連接部電連接相鄰的兩個電極塊，所述發光結構包括對應設置在所述兩個或兩個以上電極塊上的發光結構塊；且
    所述第一電極的所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊位於不同層，所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊之間設置有第二絕緣層，所述第二絕緣層包括接觸孔，所述連接部通過接觸孔與對應的電極塊電連接；其中所述第一方向為行方向或者列方向。
  7. 如請求項6所述的顯示基板，其中
    所述顯示基板還包括設置在所述第一電極上的像素限定層，所述像素限定層上設置有像素開口，所述發光結構塊一一對應地設置在所述像素開口內，所述接觸孔的邊緣與對應的所述像素開口的邊緣之間的距離範圍為4μm~30μm。
  8. 一種顯示基板，包括：
    第一顯示區，所述第一顯示區內設有多個第一子像素，每個所述第一子像素包括：
    第一電極，包括：
    兩個或兩個以上的電極塊；和
    至少一個連接部，針對所述至少一個連接部中的每個，所述連接部電連接相鄰的兩個電極塊；
    發光結構，設置在所述第一電極上，所述發光結構包括對應設置在所述兩個或兩個以上電極塊上的發光結構塊；和
    第二電極，設置在所述發光結構上；和
    第二顯示區，所述第一顯示區的透光率大於所述第二顯示區的透光率；其中
    所述第一電極的所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊位於不同層，所述至少一個連接部與所述兩個或兩個以上電極塊之間設置有絕緣層，所述絕緣層上設有接觸孔，所述連接部通過所述接觸孔與對應的所述電極塊電連接；
    所述顯示基板還包括設置在所述第一電極上的像素限定層，所述像素限定層上設置有像素開口，所述接觸孔的邊緣與對應的所述像素開口的邊緣之間的距離範圍為4μm~30μm。
  9. 一種顯示面板，包括：
    請求項1-8任一項所述的顯示基板；以及
    封裝層；其中
    所述封裝層包括偏光片，所述偏光片覆蓋所述第二顯示區，或者所述偏光片覆蓋所述第二顯示區和所述第一顯示區。
  10. 一種顯示裝置，包括：
    設備本體，具有器件區；
    如請求項9所述的顯示面板，覆蓋在所述設備本體上；
    其中，所述器件區位於所述第一顯示區下方，且所述器件區中設置有發射或者採集透過所述第一顯示區的光線的感光器件。
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