CN109801950B - 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents

显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109801950B
CN109801950B CN201910100174.8A CN201910100174A CN109801950B CN 109801950 B CN109801950 B CN 109801950B CN 201910100174 A CN201910100174 A CN 201910100174A CN 109801950 B CN109801950 B CN 109801950B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting unit
light emitting
layer
light
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910100174.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109801950A (zh
Inventor
符鞠建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201910100174.8A priority Critical patent/CN109801950B/zh
Publication of CN109801950A publication Critical patent/CN109801950A/zh
Priority to US16/503,401 priority patent/US10991773B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109801950B publication Critical patent/CN109801950B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Abstract

本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括第一显示区和第二显示区；衬底；位于衬底上的阵列层；位于阵列层背离衬底一侧的发光功能层，发光功能层包括AMOLED发光单元和PMOLED发光单元；AMOLED发光单元设置在第一显示区，PMOLED发光单元设置在第二显示区，第一显示区环绕或半环绕第二显示区；其中，PMOLED发光单元的阳极面积小于AMOLED发光单元的阳极面积；和/或，显示面板还包括位于发光功能层背离衬底一侧的透明承载基板，PMOLED发光单元的至少一膜层被承载于透明承载基板。通过本发明，能够在实现全屏显示的同时提高显示效果。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法。
背景技术
在现有技术中，为了提高屏占比，同时还要避让摄像头和传感器，研究人员提出了一种异形屏的概念，即将前置摄像头和传感器位置的屏幕挖空，或者在显示面板上设置一个开口，以避让显示装置（如手机）上的前置摄像头和传感器位置等部件，“刘海屏”的“刘海”位置不能显示图像，这样当显示画面时，“刘海”位置的图像会有缺失，影响使用效果。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示面板、该显示面板的显示装置以及该显示面板的制作方法。
本发明提供了一种显示面板，包括：
第一显示区和第二显示区；
衬底；
位于所述衬底上的阵列层；
位于所述阵列层背离所述衬底一侧的发光功能层，所述发光功能层包括所述AMOLED 发光单元和所述PMOLED 发光单元；
所述AMOLED 发光单元设置在所述第一显示区，所述PMOLED 发光单元设置在所述第二显示区，所述第一显示区环绕或半环绕所述第二显示区；
其中，所述PMOLED 发光单元的阳极面积小于所述AMOLED 发光单元的阳极面积；
和/或，所述显示面板还包括位于所述发光功能层背离所述衬底一侧的透明承载基板，所述PMOLED 发光单元的至少一膜层被承载于所述透明承载基板。
本发明还提供了一种包含该显示面板的显示装置。
本发明还包括一种显示面板的制作方法。
与现有技术相比，本发明能够在实现全屏显示的同时提高显示效果。
附图说明
图1是现有技术中的一种显示装置；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图；
图3是图2中沿AA方向的截面示意图；
图4是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图的局部放大图；
图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意；
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图；
图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视图的局部放大图；
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视图的局部放大图；
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视图的局部放大图；
图15是本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图；
图16到图18是本发明实施例提供的一种显示面板的制作过程示意图。；
图19到图21为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作过程中的示意图；
图22是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本申请中各实施例的附图沿用了相同的附图的标记。其中为方便说明，附图中部分结构以透视的方式示意出。此外，各实施例彼此相同之处不再赘述。
如图1所示，图1为现有技术中的一种显示装置，其中显示装置001包括用于显示画面的显示面板002，但是由于前置摄像头004和传感器的限制，显示面板002一般会采用“刘海屏”的形状，即显示面板002的一侧边缘至少部分向显示面板002的中心凹，使显示面板002在该侧边缘形成一个缺口003，缺口003位置则可以设置摄像头004和传感器等器件，从而避免显示面板002遮挡摄像头004。其中，刘海”位置即显示面板002的缺口003，显示装置001在缺口003处不能显示图像，这样当显示画面时（例如看电影、玩游戏等），“刘海”位置的图像会有缺失，既不美观，又会影响使用效果。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板，如图2到图4所示，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图，图3为图2中沿AA方向的截面示意图，图4为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图的局部放大图。为方便理解，本实施例附图中部分结构以透视或省略的方式表示。
显示面板100包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA，其中，显示区AA包括第一显示区AA1和第二显示区AA2。其中，第一显示区AA1半环绕第二显示区AA2。第二显示区AA2未被第一显示区AA1环绕的部分与非显示区NA相邻。可选的，显示区AA为矩形或圆角矩形。第二显示区AA2为矩形或圆角矩形。
显示面板100包括衬底110。具体的，衬底110可以由诸如玻璃、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP) 等聚合物材料形成。衬底110可以是透明的、半透明的或不透明的。本发明实施例中的衬底110还可以为柔性基板，由厚度较薄的聚合物形成，例如聚酰亚胺。基板还可以包括缓冲层，缓冲层可以包括多层无机、有机层层叠结构，以阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过基板扩散，并且在基板的上表面上提供平坦的表面，具体结构本发明不再赘述。
位于衬底110上的阵列层120。阵列层120包括多个薄膜晶体管（Thin FilmTransistor，TFT）以及由薄膜晶体管够构成像素电路，用于控制发光器件。本发明实施例以顶栅型的薄膜晶体管为例进行的结构说明。阵列层120包括用于形成薄膜晶体管的有源层121，有源层121包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间区沟道区域；位于有源层121上的栅极绝缘层122；位于栅极绝缘层122上的薄膜晶体管的栅极123。位于栅极123上的层间绝缘层124，层间绝缘层124可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成，可选择地，层间绝缘层124可以由绝缘有机层形成。薄膜晶体管的源/漏极125位于层间绝缘层124上。源/漏极 125分别通过接触孔电连接(或结合)到源极区域和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅极绝缘层122和层间绝缘层124而形成的。
可选的，阵列层120还包括钝化层126，位于薄膜晶体管上。具体的，钝化层126位于源/漏极125上。钝化层126可以由氧化硅或氮化硅等的无机层形成或者由有机层形成。
可选的，阵列层120还包括位于钝化层126上的平坦化层128。平坦化层128可以包括压克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机层，平坦化层128具有平坦化作用。
显示面板100还包括位于阵列层120背离衬底110一侧的发光功能层130，发光功能层130包括AMOLED (Active Matrix OLED，主动驱动式OLED)发光单元140和PMOLED(Passive Matrix OLED，被动驱动式OLED)发光单元150。其中，AMOLED 发光单元140设置在第一显示区AA1， PMOLED 发光单元150设置在第二显示区AA2。
可选的，AMOLED 发光单元140和PMOLED 发光单元150共同沿着行方向和列方向阵列排布在显示面板100所在平面上，共同形成发光单元阵列。
可选的，AMOLED 发光单元140和PMOLED 发光单元150各自分别包括层叠的阳极、有机发光层、阴极。
具体的，沿衬底110指向发光功能层130的方向：
AMOLED 发光单元140包括依次层叠设置的第一阳极141、第一有机发光层142、第一阴极143；
PMOLED 发光单元150包括依次层叠设置的第二阳极151、第二有机发光层152、第二阴极153；
可选的，第一阳极141与第二阳极151同层设置。
其中，仅AMOLED 发光单元140中的阳极141图案通过平坦化层128和钝化层126上的过孔与薄膜晶体管的源电极或漏电极连接。
可选的，PMOLED 发光单元150的阳极面积小于AMOLED 发光单元140的阳极面积。即，第二阳极151的面积小于第一阳极141的面积。
可选的，PMOLED 发光单元150的阳极151面积为AMOLED 发光单元140的阳极141面积的50%。
可选的，PMOLED 发光单元150对应的像素定义层160的开口大小与AMOLED 发光单元140对应的像素定义层160的开口大小（尺寸）一致。
可选的，一个PMOLED 发光单元150的有机发光层的面积与一个AMOLED 发光单元140对应的有机发光层的面积、图案相同。
可选的，第一有机发光层142与第二有机发光层152共用同一个掩膜版形成，则第一有机发光层142与第二有机发光层152面积相同。
这样，即使第一阳极141与第二阳极151含有金属材料，可能会产生遮光、反光的情况，但由于第一阳极141的面积大于第二阳极151，因此在保证阳极电学性能的同时，可以使第二显示区AA2依旧保持足够透光率。
此外，发光单元的有效发光面积为发光材料与阳极、阴极交叠的区域，因此PMOLED发光单元150的发光面积小于AMOLED 发光单元140的发光面积，而第二显示区AA2中的阵列层120中没有薄膜晶体管、驱动电路等部件，该区域为透明显示区，可以通过外界光源补偿由于发光单元的发光面积减小造成的亮度损失的问题。由此进一步保证第二显示区AA2具有足够透光率，还可以减小对第二显示区AA2中的感光器件的干扰，又可以使第一有机发光层142与第二有机发光层152共用同一个掩膜版形成，在保证第二显示区AA2具有足够透光率的同时简化工艺。
可以理解的，这里所说某结构的面积、大小、图案可以理解为该结构在衬底上的正投影的面积、大小、图案。
可选的，显示面板100还包括位于阳极背离衬底110一侧的像素定义层160。像素定义层160可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等的有机材料形成，或由诸如SiNx的无机材料形成。像素定义层160包括多个暴露阳极的开口。有机发光层至少部分填充在开口内，并与阳极接触。开口内的有机发光层形成一个最小的发光单元，每个发光单元根据不同的有机发光层的材料能够发出不同颜色的光线，每个发光单元和像素电路沟通构成像素，多个像素共同进行画面的显示。
当然，在本发明其他可选的实施例中，当第二阳极的面积为第一阳极面积的50%及以下；则设置第二显示区中像素定义层的开口面积为第一显示区中像素定义层的开口面积的50%及以下，由此，第二有机发光层152面积为第一有机发光层142面积的50%及以下，这样，可以进一步提高第二显示区内的透过率。
可选的，有机发光层可使用喷墨印刷或喷嘴印刷或蒸镀等方法形成于像素定义层的开口内。阴极位于有机发光层背离衬底的一侧，可以通过蒸镀的方式形成于有机发光层上。可选的，阴极整面覆盖有机发光层、像素定义层。本实施例中，AMOLED 发光单元140和PMOLED 发光单元150的阴极为同一膜层。
可选的，显示面板还可以包括空穴传输层和电子传输层（图中未示出）。空穴传输层位于阳极背离衬底的一侧表面上，有机发光层位于空穴传输层背离阳极的一侧表面上，电子传输层位于有机发光层背离空穴传输层的一侧表面上。空穴传输层位于阳极和有机发光层之间，用于增强阳极的空穴注入和传输至有机发光层的能力，电子传输层位于有机发光层和阴极之间，用于增强阴极的电子注入和传输至有机发光层的能力。由此可使空穴和电子较多的注入有机发光层，进而提高复合效率，达到提高有机发光层的发光效率的效果。可选的，显示面板还可以包括空穴注入层和电子注入层（图中未示出）。空穴注入层位于空穴传输层背离有机发光层的一侧表面上，即位于阳极和空穴传输层之间；电子注入层位于电子传输层背离有机发光层的一侧表面上，即位于阴极和电子传输层之间。
AMOLED 发光单元140采用独立的薄膜电晶体去控制每个像素，每个像素皆可以连续且独立的驱动发光。PMOLED 发光单元150单纯地以阴极、阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素。由于PMOLED 发光单元150无需在显示区中设置与之一一对应的像素驱动电路，因此不需要在第二显示区AA2中的阵列层中设置薄膜晶体管和金属走线，从而使得第二显示区AA2光线透过率高。保证第二显示区AA2正常显示画面的同时还可以使第二显示区AA2具有透光的作用，从而提高用户对手机的使用感受。
通过本实施例，在不改变现有的有机发光层的MASK的同时，将第二显示区中的阵列层内的薄膜晶体管去除，同时将第二显示区中的阳极面积减小，既简化了工艺又保证了摄像头区域（第二显示区）较高的透过率，实现全屏显示的同时提高显示效果。
当然，在本发明其他可选实施例中，如图5所示，图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视图。其中，显示面板包括：显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA，第一显示区AA1环绕所述第二显示区AA2。现有技术中，为了避让摄像头或传感器，会将显示面板上设置开口，同时为了避免显示画面受到较大的影响，开口通常位于显示面板边缘。用户使用显示装置时一般正对显示面板，而这样摄像头设置在显示面板边缘就会使用户直视显示面板是就无法正视摄像头，尤其自拍时，用户无法同时观看摄像头同时看到显示面板中显示的自己的影像。通过本实施例提供的显示面板，显示面板无需再开口或设置缺口来避让，同时在不影像显示的同时，摄像头可以位于显示面板靠近显示区中心的位置，使用户同时正对显示面板与摄像头。
当然，在本发明其他可选实施例中，如图2、图6所示，图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图。与上述实施例不同的，第二阳极151的面积与第一阳极141的面积相同。
可选的，显示面板100还包括位于发光功能层130背离衬底110一侧的透明承载基板170。其中，PMOLED 发光单元150中的至少一膜层被承载于透明承载基板170。
可选的，本实施例中 PMOLED 发光单元150的第二阴极153 附着于所述透明承载基板170，即，PMOLED 发光单元150中的至少其阴极被承载于透明承载基板170。
可选的，AMOLED 发光单元140的第一阴极143为金属材料或MgAg；第二阴极153为透明电极，例如透明ITO。
可选的，透明承载基板170可以由诸如玻璃、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP) 等聚合物材料形成。
可选的，透明承载基板170不覆盖AMOLED 发光单元140。
可以理解的，这里所说的“承载”指的是：在形成过程中作为载体支撑。例如“A承载B”、“B被A承载”，都是指以A为载体，在A上形成B。本实施例中，第一阴极被承载于透明承载基板，即为在透明承载基板上制作第一阴极；而阵列层、发光功能层在衬底上依次制作；再将透明承载基板170与衬底110 贴合。具体的，使PMOLED 发光单元150的阴极与PMOLED 发光单元150的有机发光层贴合，即将第二阴极153与第二有机发光层152贴合。
通过本实施例，第一阴极含有金属材料或MgAg，可以更好的调节AMOLED 发光单元的功函数和空腔效应，保证第一显示区的发光单元的电学性能，保证显示效果。同时，由于金属材料或MgAg可能会产生遮光、反光的情况，因此通过本实施例设置透明承载基板，单独制作与第一阴极的材料不同的第二阴极，使第二阴极由透明导电材料，例如透明ITO形成，因此在兼顾发光单元电学性能的同时，可以使第二显示区的透光率提高，实现全屏显示的同时提高显示效果。
而且，通过额外设置透明承载基板，单独制作第二阴极，一方面可以提高第二阴极的工艺参数，控制第二阴极的电学性能，另一方面有机发光层对水氧敏感，通过本实施例，可以避免直接在有机发光层上制作不同材料的阴极，使有机发光层的寿命受到影响。
当然，在本发明其他可选实施例中，如图2、图7所示，图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图。本实施例中，PMOLED 发光单元150的阳极151面积小于AMOLED 发光单元140的阳极141面积。并且，显示面板100还包括位于发光功能层130背离衬底110一侧的透明承载基板170。其中，PMOLED 发光单元150中的至少一膜层被承载于透明承载基板170。
如图2、图8所示，图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图。
AMOLED 发光单元140包括依次层叠设置的第一阳极141、第一有机发光层142、第一阴极143；
PMOLED 发光单元150包括依次层叠设置的第二阳极151、第二有机发光层152、第二阴极153；
可选的，透明承载基板170同时覆盖显示区AA与非显示区NA。
可选的，第一阴极143与第二阴极153同层同材料；并且，第一阴极143与第二阴极153 均附着于所述透明承载基板170。可以理解的，本发明实施例附图中不同填充图案并不表示材料的不同，仅为方便示意。
如图2、图9所示，图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图。
可选的，透明承载基板170同时覆盖显示区AA与非显示区NA。
可选的，透明承载基板170上设置有多条第一透明导线180，PMOLED 发光单元150通过第一透明导线180与位于非显示区NA中的第二驱动电路190电连接。可以理解的，第二驱动电路190在图9中没有完全画出。可选的，多个第一驱动电路在图9中没有完全画出，但包括图9中的薄膜晶体管，第一驱动电路位于显示区AA，分别与AMOLED发光单元140一一对应连接。
通过本实施例，可以将控制PMOLED 发光单元的走线制作在透明承载基板上，而无需占用阵列层。而阵列层中的导电膜层大多为金属膜层，透光率较低，同时阵列层中设置有复杂的电路结构，通过本实施例可以简化阵列层的结构，降低阵列层的膜层厚度，同时还可以降低。PMOLED 发光单元的走线与AMOLED发光单元的驱动电路之间的串扰。
可以理解的，本实施例中，透明承载基板170与第一阴极143之间无间隙，则可选的，第一阴极143与第二阴极153同层同材料；并且，第一阴极143与第二阴极153 均附着于透明承载基板170。但在本发明的其他实施例中，可以根据需要，透明承载基板170与第一阴极143之间保留间隙，即透明承载基板170与第一阴极143之间不直接接触。
如图2、图10和图11所示，图10为本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图，图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视图的局部放大图。
与上述实施例不同的，沿衬底110指向透明承载基板170的方向：PMOLED 发光单元150包括依次层叠设置的第二阴极153、第二有机发光层152、第二阳极151；其中，第二阳极151附着于透明承载基板170，且为透明电极。即，PMOLED 发光单元150中的至少其阳极被承载于透明承载基板170。
具体的，AMOLED 发光单元140包括依次层叠设置的第一阳极141、第一有机发光层142、第一阴极143；PMOLED 发光单元150包括依次层叠设置的第二阴极153、第二有机发光层152、第二阳极151；其中，第一阴极143与第二阴极153同层同材料。
可选的，第一阳极141为金属材料或MgAg；第二阳极151为透明导电材料，例如ITO。
可选的，第二阳极151的面积小于第一阳极141的面积。
通过本实施例，第一阳极含有金属材料或MgAg，可以更好的调节AMOLED 发光单元的功函数和空腔效应，保证第一显示区的发光单元的电学性能，保证显示效果。同时，由于金属材料或MgAg可能会产生遮光、反光的情况，因此通过额外设置透明承载基板，单独制作与第一阳极材料不同的第二阳极，使第二阳极由透明导电材料，例如透明ITO形成，因此在保证发光单元电学性能的同时，可以使第二显示区的透光率提高。
而且，通过额外设置透明承载基板，单独制作第二阴极，一方面可以提高第二阳极的工艺参数，另一方面有机发光层对水氧敏感，通过本实施例，可以避免直接在有机发光层上制作不同材料的阴极，使有机发光层的寿命受到影响。
可选的，第一阴极143与第二阴极153为一体成型的整面结构。
可选的，第一阴极143与第二阴极153为金属材料或MgAg。
进一步，第二有机发光层152被承载于第二阳极151。即，第二有机发光层152附着于第二阳极151成型。
可选的，第二有机发光层152的面积小于第一有机发光层142。
由于第二有机发光层152附着于第二阳极151成型，则可以单独在透明承载基板170上制作精度更高的第二有机发光层152，可以将第二有机发光层152图案精细化，精准对位形成层叠的第二有机发光层152与第二阳极151，同时第二有机发光层152的面积小于第一有机发光层142，共同使第二显示区AA2留有更充足的透光面积。而且，无需在制作第一有机发光层142时第一有机发光层142的材料会遗漏到第二显示区AA2，影响第二显示区AA2中的第二有机发光层152的发光。即第二有机发光层152与第一有机发光层142位于不同膜层，在垂直于显示面板的方向上的膜层关系，第二有机发光层152与第一有机发光层142之间间隔了阴极，由此第二有机发光层152与第一有机发光层142之间不会发生串扰。此外，由于在阵列层上制作的发光层仅为第一有机发光层，而第一阳极、第一有机发光层制作完之后被第一、二阴极形成的一整面阴极结构覆盖，可以通过该阴极对已经形成的有机发光层形成保护。
如图2、图12所示，图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图，
其中，本实施例中与上述实施例不同的，透明承载基板170同时覆盖显示区AA与非显示区NA，透明承载基板170朝向所述衬底的一侧上设置有辅助导电层200，可选的，辅助导电层200位于第一显示区AA1。
可选的，辅助导电层200与第一阴极143接触、并与第二阳极151绝缘。
可选的，辅助导电层200与第二阳极151同层同材料。
通过本实施例，在不增加工艺制程及膜层厚度的同时，还可以通过辅助导电层降低第一阴极的负载，提高显示面板的显示效果。
当然，在本发明的上述各施例中，例如图8所示实施例中，透明承载基板朝向所述衬底的一侧上设置有辅助导电层，辅助导电层与第一阴极接触并与第二阴极绝缘；可选的，辅助导电层与第二阴极同层同材料。
继续参考图2、图12所示，可选的，透明承载基板170上设置有多条第一透明导线180，所述PMOLED 发光单元150通过第一透明导线180与位于非显示区NA中的第二驱动电路190电连接。本实施例中，即为第二阳极151与第一透明导线180连接，可选的，第二阳极151与第一透明导线180同层同材料；可选的，第二阳极151与第一透明导线180的材料均为ITO。
可以理解的，第二驱动电路190在图9中没有完全画出。可选的，多个第一驱动电路在图9中没有完全画出，但包括图9中的薄膜晶体管，第一驱动电路位于显示区AA，分别与AMOLED发光单元140一一对应连接。
如图13所示，图13为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视图的局部放大图。
显示面板100还包括：AMOLED发光单元组，包括沿第一方向X排布的多个AMOLED发光单元140，其中同一第一AMOLED发光单元组内至少两个AMOLED发光单元140之间间隔第二显示区AA2。
至少一条沿所述第一方向X延伸的第一信号线210，第一信号线210包括第一子段211、第二子段212及电连接于第一子段211和第二子段212之间的连接段213。
可选的，第一信号线210为扫描线scan。其中，一条第一信号线210与一个AMOLED发光单元组中的所有AMOLED发光单元140电连接。
其中，第一子段211和第二子段212位于第一显示区AA1且位于阵列层中。可选的，第一子段211和第二子段212与薄膜晶体管的栅极或源/漏电极同层同材料。
其中，连接段213位于第二显示区AA2，并附着于透明承载基板170。可选的，连接段可以与上述各实施例中承载于透明承载基板上的第二阳极、辅助电极层、第二阴极、第一透明导线中的一者或多者同层同材料。
可以理解的，图13中，第二显示区AA2中所示结构（除摄像头外）为承载于透明承载基板上的结构，第一显示区AA1中所示结构为阵列层、发光功能层中的结构。
可以理解的，本实施例以行方向（即扫描线scan延伸的方向）为第一方向X。当然，在本发明的其他可选实施例中，第一方向可以为列方向，即数据线data延伸的方向。则第一信号线为数据线。
通过本实施例，在提高第二显示区透过率的同时，在不增加工艺制程及膜层厚度的同时，还可以通过连接段将第一显示区中被第二显示区（需要设置摄像头的区域）截断的信号线电连接。避免了第一显示区中信号线由于避让第二显示区而出现绕线，造成走线密度不同，信号线之间出现串扰或负载差异的问题。
如图14所示，图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视图的局部放大图。
显示面板还包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素，子像素与发光单元一一对应。
具体的，像素单元至少包括绿色子像素G、红色子像素R和蓝色子像素B。通过分别控制绿色子像素G、红色子像素R和蓝色子像素B的亮度，可以使一个像素单元发出各种颜色的光，多个规律排列的像素单元共同组成多彩的画面。其中，一个子像素包括一个发光单元，还可以包括控制该发光单元发光的像素电路，对于AMOLED发光单元来说即为上文所说的第二驱动电路。
显示面板还包括位于第一显示区AA1与第二显示区AA2之间的第三显示区AA3，第三显示区AA3中的像素单元包括AMOLED 发光单元140和PMOLED 发光单元150，第一显示区AA1中仅包括AMOLED 发光单元140，第二显示区AA2中仅包括PMOLED 发光单元150。
可以理解的，本实施例中，仅在第一显示区AA1、第二显示区AA2、第三显示区AA3中分别各示意了一个像素单元，且像素单元仅包括红绿蓝三种颜色的子像素，但并不对本发明其他实施例造成限定。例如，在本发明的其他可选实施例中，第三显示区中可以包括任意个AMOLED 发光单元140和任意个PMOLED 发光单元150。
通过本实施例，增加第三显示区，从而起到过渡作用。避免第二显示区与第一显示区由于显示结构不同造成人眼可以识别的边界。
继续参考图14所示，第三显示区AA3中的绿色子像素G对应的发光单元为AMOLED发光单元140。可以理解的，本实施例中，仅绿色子像素G为AMOLED 发光单元140，在本发明的其他可选实施例中，第三显示区中蓝色子像素B为AMOLED 发光单元140，或者，绿色子像素G和蓝色子像素B均为AMOLED 发光单元140，仅红色子像素R为PMOLED 发光单元150。
发明人经过研究发现，一方面，人眼对绿光识别较为敏感，另一方面，由于第二显示区需要足够的透过率，在本发明一些实施例中，第二阳极的面积小于第一阳极的面积。而阳极面积的减小势必会导致发光单元的亮度减小。因此，为了避免第二显示区由于与发光单元结构与第一显示区不同造成人眼可识别的显示差异，通过本实施例，将第三显示区中的率色像素设置为AMOLED 发光单元，避免人眼本身已经识别敏感的发光单元由于发光单元结构差异造成人眼更容易识别的显示差异。从而通过本实施例，可以在保证提高第二显示区透过率的同时，兼顾弱化人眼可识别显示差异的效果。
此外，在本发明一些实施例中，由于AMOLED发光单元的阳极或阴极采用金属材料或MgAg，而PMOLED 发光单元中的阳极或阴极采用透明ITO，相较于ITO，金属的电阻更小，信号产生的压降更小。因此，通过本实施例可以在保证提高第二显示区透过率的同时，兼顾弱化人眼可识别显示差异的效果。
可选的，在本发明的一些可选实施例中，对于同一显示亮度需求， PMOLED 发光单元的驱动电流大于AMOLED 发光单元的驱动电流。即，在PMOLED 发光单元和AMOLED 发光单元需要显示相同亮度的情况下，PMOLED 发光单元的驱动电流大于AMOLED 发光单元的驱动电流。
可选的，将第二驱动电路中用于驱动PMOLED 发光单元的驱动晶体管的沟道宽长比（即W/L）设置为大于第一驱动电路中用于驱动AMOLED发光单元的驱动晶体管的沟道宽长比。
或者，可选时，对于同一显示亮度需求，将第二驱动电路中用于驱动PMOLED 发光单元的PVDD和PVEE的压差设置为大于第一驱动电路中用于驱动AMOLED发光单元的PVDD和PVEE的压差。
发明人经过研究发现，由于第二显示区需要足够的透过率，在本发明一些实施例中，第二阳极的面积小于第一阳极的面积。而阳极面积的减小势必会导致发光单元的亮度减小。此外，在本发明一些实施例中，由于AMOLED发光单元的阳极或阴极采用金属材料或MgAg，而PMOLED 发光单元中的阳极或阴极采用透明ITO，相较于ITO，金属的电阻更小，信号产生的压降更小。而通过本实施例，在提高第二显示区透过率的同时，可以通过电路及驱动信号进行补偿，操作方便，利于显示面板的结构稳定。
如图2、图15所示，图15为本发明实施例提供的又一种显示面板的沿图2中AA方向的截面示意图。
显示面板100为柔性显示面板，显示面板100还包括薄膜封装层220，位于发光功能层130远离阵列层120的一侧，并完全覆盖发光功能层130同时覆盖透明承载基板170，用于密封发光功能层130。
可选的，薄膜封装层包括沿远离衬底的方向依次设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层。当然，在本发明其他可选实施例中，封装层根据需要可以包括任意数量层叠的有机材料和无机材料，但至少包括一层有机材料和至少一层无机材料交替沉积，且最下层与最上层为无机材料构成。
可选的，薄膜封装层220为柔性材料；透明承载基板170为刚性材料，或者，透明承载基板170为柔性材料，但透明承载基板170的硬度大于薄膜封装层220的硬度。
可选的，透明承载基板170仅覆盖第二显示区AA2。
通过本实施例，在提高第二显示区透过率的同时，通过刚性的透明承载基板，既可以实现全屏显示、提高显示效果，可以通过刚性的透明承载基板仅覆盖第二显示区，即保证了显示面板的整体弯折性能，还可以保护第二显示区对应的传感器，例如保护摄像头。
当然，在本发明的一些可选实施例中，薄膜封装层为柔性材料；透明承载基板也为柔性材料。可选的，柔性的透明承载基板覆盖第一显示区和第二显示区。
当然，在本发明的一些可选实施例中，透明承载基板可以为刚性的，例如玻璃，透明承载基板可以复用做保护盖板，或者可以复用做封装盖板。
如图16到图18为本发明实施例提供的一种显示面板的制作过程示意图。
其中，本实施例需要制作的显示面板包括相邻设置的第一显示区AA1和第二显示区AA2。
本实施例提供的制作方法包括：
提供衬底；在制作显示面板时，就已经预设出衬底110中分别对应第一显示区AA1和第二显示区AA2的区域。
然后在衬底110的一侧上制作阵列层120；
在阵列层120远离衬底110的一侧上制作发光功能层130；
其中，制作发光功能层130包括：对应第一显示区AA1制作多个AMOLED 发光单元140，对应第二显示区AA2制作多个PMOLED 发光单元150。
然后，提供一透明承载基板170，在透明承载基板170上制作透明电极171。
将透明承载基板170附着透明电极171的一侧与衬底110附着发光功能层130的一侧贴合；使透明电极171复用做PMOLED 发光单元的阴极，即第二 阴极153。
具体的，制作发光功能层130依次包括：
形成AMOLED 发光单元140的阳极（即第一阳极141）和PMOLED 发光单元150的阳极（即第二阳极151）。
可选的，在阵列层120上形成导电图案。
可选的，导电图案包括金属材料，从而提高发光单元的电学性能。
然后图案化所述导电图案，形成位于第一显示区AA1的第一阳极141和位于第二显示区AA2的第二阳极151。
可选的，第一阳极141的面积大于第二阳极151的面积。
可选的，第二阳极151的面积为第一阳极141的面积的50%。
然后形成AMOLED 发光单元140的有机发光层（即第一有机发光层142）和PMOLED发光单元150的有机发光层（即第二有机发光层152）。可选的，第一有机发光层142与第二有机发光层152共用同一个掩膜版形成，则第一有机发光层142与第二有机发光层152面积相同。这样，即使第一阳极141与第二阳极151含有金属材料，可能会产生遮光、反光的情况，但由于第一阳极141的面积大于第二阳极151，因此在保证阳极电学性能的同时，可以使第二显示区AA2依旧保持足够透光率。此外，发光单元的有效发光面积为发光材料与阳极、阴极交叠的区域，因此PMOLED 发光单元150的发光面积小于AMOLED 发光单元140的发光面积，而第二显示区AA2中的阵列层120中没有薄膜晶体管、驱动电路等部件，该区域为透明显示区，可以通过外界光源补偿由于发光面积减小造成的亮度丧失的问题。由于进一步保证第二显示区AA2具有足够透光率，还可以减小对第二显示区AA2中的感光器件的干扰。又可以使第一有机发光层142与第二有机发光层152共用同一个掩膜版形成，在保证第二显示区AA2具有足够透光率的同时简化工艺。
然后，形成AMOLED 发光单元140的阴极（即第一阴极143）。可选的，通过MgAg形成第一阴极143。可选的，图案化AMOLED 发光单元的阴极，使AMOLED 发光单元的阴极暴露第二显示区。
在透明承载基板170上制作透明电极171包括：在透明承载基板170上制作PMOLED发光单元150的第二阴极153。可选的，在透明承载基板170上形成透明导电层，例如透明ITO层，然后图案化透明导电层，形成透明电极171。可选的，透明电极位于第二显示区AA2、暴露第一显示区AA1，并且其图案为整面并且其面积可覆盖第二显示区AA2中的所有第二有机发光层152。
可以理解的，对于步骤：在透明承载基板上制作透明电极，与步骤：在衬底上制作阵列层、发光功能层；二者步骤不分先后，可以根据需要调整制作顺序。
待二者步骤完成后，再将透明承载基板170与衬底110贴合。具体的，使PMOLED 发光单元150的阴极与PMOLED 发光单元150的有机发光层贴合，即将第二阴极153与第二有机发光层152贴合。其中，图18中的箭头仅示意性的表示衬底与透明承载基板在贴合步骤中的相对位移方向。
通过本实施例，第一阴极含有金属材料或MgAg，可以更好的调节AMOLED 发光单元的功函数和空腔效应，保证第一显示区的发光单元的电学性能，保证显示效果。同时，由于金属材料或MgAg可能会产生遮光、反光的情况，因此通过额外设置透明承载基板，单独制作与第一阴极材料不同的第二阴极，使第二阴极由透明导电材料，例如透明ITO形成，因此在保证发光单元电学性能的同时，可以使第二显示区的透光率提高，实现全屏显示的同时提高显示效果。
而且，通过额外设置透明承载基板，单独制作第二阴极，一方面可以提高第二阳极的工艺参数，另一方面有机发光层对水氧敏感，通过本实施例，可以避免直接在有机发光层上制作不同材料的阴极，使有机发光层的寿命受到影响。
在本发明的其他可选实施例中，如图19到图21所示，图19到图21为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作过程中的示意图。与上述实施例不同的，制作发光功能层依次包括：形成AMOLED 发光单元的阳极；形成AMOLED 发光单元的有机发光层；同层形成AMOLED 发光单元阴极和PMOLED 发光单元的阴极。即，第一阳极141与第一有机发光层142先后形成在阵列层120上，而第二显示区AA2中不形成发光单元的阳极、有机发光层。然后，形成发光单元的阴极。可选的，第一阴极143与第二阴极153共同构成一整面电极。
在透明承载基板上制作透明电极依次包括：在透明承载基板上制作PMOLED 发光单元的阳极、在PMOLED 发光单元的阳极远离透明承载基板一侧制作PMOLED 发光单元的有机发光层。即，第二阳极151和第二有机发光层152形成在透明承载基板170上。可选的，第二阳极151为透明发光电极。
将透明承载基板与衬底贴合包括：使PMOLED 发光单元的阴极与PMOLED 发光单元的有机发光层贴合。其中，图21中的箭头仅示意性的表示衬底与透明承载基板在贴合步骤中的相对位移方向。
通过本实施例，第一阳极含有金属材料或MgAg，可以更好的调节AMOLED 发光单元的功函数和空腔效应，保证第一显示区的发光单元的电学性能，保证显示效果。同时，由于金属材料或MgAg可能会产生遮光、反光的情况，因此通过额外设置透明承载基板，单独制作与第一阳极材料不同的第二阳极，使第二阳极由透明导电材料，例如透明ITO形成，因此在保证发光单元电学性能的同时，可以使第二显示区的透光率提高。
而且，通过额外设置透明承载基板，单独制作第二阴极，一方面可以提高第二阳极的工艺参数，另一方面有机发光层对水氧敏感，通过本实施例，可以避免直接在有机发光层上制作不同材料的阴极，使有机发光层的寿命受到影响。
此外，第二有机发光层152附着于第二阳极151成型，则可以单独在透明承载基板170上制作精度更高的第二有机发光层152，可以将第二有机发光层152图案精细化，精准对位形成层叠的第二有机发光层152与第二阳极151，同时第二有机发光层152的面积小于第一有机发光层142，共同使第二显示区AA2留有更充足的透光面积。而且，无需在制作第一有机发光层142时第一有机发光层142的材料会遗漏到第二显示区AA2，影响第二显示区AA2中的第二有机发光层152的发光。即第二有机发光层152与第一有机发光层142位于不同膜层，在垂直于显示面板的方向上的膜层关系，第二有机发光层152与第一有机发光层142之间间隔了阴极，由此第二有机发光层152与第一有机发光层142之间不会发生串扰。此外，由于在阵列层上制作的发光层仅为第一有机发光层，而第一阳极、第一有机发光层制作完之后被第一、二阴极形成的一整面阴极结构覆盖，可以通过该阴极对已经形成的有机发光层形成保护。
可选的，形成第一阳极后还包括在第一阳极上形成像素定义层、并形成贯穿像素定义层以暴露第一阳极的开口，然后再形成第一有机发光层，使第一有机发光层填充像素定义层的开口并与第一阳极电接触。
其中，像素定义层覆盖第一显示区与第二显示区，可选的，在形成第一有机发光层以前，图案化像素定义层，使像素定义层位于第二显示区中的厚度小于其位于第一显示区中的厚度。
这样，在贴合衬底与透明承载基板的步骤时，可以为第二有机发光层与第二阳极留有足够的空间，减小显示面板整体厚度。
可选的，第二阳极的面积为第一阳极面积的50%及以下；同时，第二显示区中像素定义层的开口面积为第一显示区中像素定义层的开口面积的50%及以下。
在本发明的一些其他可选实施例中，上述制作方法还包括将所述透明承载基板附着所述透明走线的一侧与所述衬底附着发光功能层的一侧贴合，使所述PMOLED 发光单元与所述透明走线接触。
具体的，在提供一透明承载基板后，在所述透明承载基板上制作透明走线。可选的，走线的材料为透明ITO材料。
通过本实施例，可以将控制PMOLED 发光单元的走线制作在透明承载基板上，而无需占用阵列层。而阵列层中的导电膜层大多为金属膜层，透光率较低，同时阵列层中设置有复杂的电路结构，通过本实施例可以简化阵列层的结构，降低阵列层的膜层厚度，同时还可以降低。PMOLED 发光单元的走线与AMOLED发光单元的驱动电路之间的串扰。
在本发明的一些其他可选实施例中，上述制作方法还包括在提供一透明承载基板，在所述透明承载基板上制作辅助导电层，
通过本实施例，在不增加工艺制程及膜层厚度的同时，还可以通过辅助导电层降低第一阴极的负载，提高显示面板的显示效果。同时可以避免贴合步骤中衬底基板与第一阴极碰撞导致短路的问题。
本发明实施例还提供一种显示装置，如图22所示，图22为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
显示装置300包括具有上述实施例描述的任一的显示面板100；
背板310，位于显示面板100的背面；
当然，该显示装置的其他辅助部件，例如保护显示面板的外壳。感应笔、摄像头等本实施例不再赘述。
显示装置300还包括摄像头320；
其中，以摄像头为例说明，在垂直于显示面板100所在平面的方向上，摄像头320位于背板310和所述显示面板之间，且摄像头320位于第二显示区AA2在垂直于显示面板100方向上的投影内。
可以理解的，显示装置300的类型可以为有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示装置、QLED（Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光）显示装置或者micro LED(微发光二极管，μLED)显示装置等显示装置中的任意一种，本发明对此并不具体限制。该显示装置还可以为各种的OLED显示装置，如手机，电视，平板电脑，智能手表、电子纸，车载显示终端等。
在本发明一些可选实施例中，显示装置还包括传感器（图中未示出），至少一传感器也符合上述对摄像头的设置要求。其中，传感器可以为光学传感器、镜头、听筒、扩音器、指纹识别装置等。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：第一显示区和第二显示区；
衬底；
位于所述衬底上的阵列层；
位于所述阵列层背离所述衬底一侧的发光功能层，所述发光功能层包括AMOLED 发光单元和PMOLED 发光单元；
所述AMOLED 发光单元设置在所述第一显示区，所述PMOLED 发光单元设置在所述第二显示区，所述第一显示区环绕或半环绕所述第二显示区，所述第二显示区用于放置摄像头或传感器；
其中，所述PMOLED 发光单元的阳极面积小于所述AMOLED 发光单元的阳极面积；
所述显示面板还包括位于所述发光功能层背离所述衬底一侧的透明承载基板，所述PMOLED 发光单元的至少一膜层被承载于所述透明承载基板；
所述显示面板还包括：
AMOLED发光单元组，包括沿第一方向排布的多个所述AMOLED发光单元，其中同一第一AMOLED发光单元组内至少两个所述AMOLED发光单元之间间隔所述第二显示区；
至少一条沿所述第一方向延伸的第一信号线，所述第一信号线包括第一子段、第二子段及电连接于所述第一子段和所述第二子段之间的连接段，所述第一子段和所述第二子段位于第一显示区且位于所述阵列层中，所述连接段位于所述第二显示区并附着于所述透明承载基板；
其中，一条所述第一信号线与一个所述AMOLED发光单元组中的所有AMOLED发光单元电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
沿所述衬底指向所述透明承载基板的方向：
所述PMOLED 发光单元包括依次层叠设置的第二阳极、第二有机发光层、第二阴极；
所述第二阴极被承载于所述透明承载基板，其中，所述第二阴极为透明电极。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
沿所述衬底指向所述透明承载基板的方向：
所述PMOLED 发光单元包括依次层叠设置的第二阴极、第二有机发光层、第二阳极；
其中，所述第二阳极被承载于所述透明承载基板，且为透明电极。
4.如权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，
所述透明承载基板上设置有多条第一透明导线，所述PMOLED 发光单元通过所述第一透明导线与第二驱动电路电连接，所述第二驱动电路位于非显示区。
5.如权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，
沿所述衬底指向所述透明承载基板的方向：
所述AMOLED 发光单元包括依次层叠设置的第一阳极、第一有机发光层、第一阴极；
其中，所述第一阴极与所述第二阴极同层设置。
6.如权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，
沿所述衬底指向所述透明承载基板的方向：
所述AMOLED 发光单元包括依次层叠设置的第一阳极、第一有机发光层、第一阴极；
其中，所述透明承载基板朝向所述衬底的一侧上设置有辅助导电层，所述辅助导电层与所述第一阴极接触、并与所述第二阴极或所述第二阳极绝缘。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素与所述发光单元一一对应；
其中所述显示面板还包括位于所述第一显示区与所述第二显示区之间的第三显示区，所述第三显示区中的像素单元包括所述AMOLED 发光单元和所述PMOLED 发光单元。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元至少包括绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素，所述第三显示区中的绿色子像素中的所述发光单元为所述AMOLED发光单元。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，对于同一显示亮度需求，所述PMOLED 发光单元的驱动电流大于所述AMOLED 发光单元的驱动电流。
10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述发光功能层和所述透明承载基板远离所述阵列层的一侧的薄膜封装层；
所述透明承载基板仅覆盖所述第二显示区，并且所述透明承载基板为刚性材料或所述承载基板为柔性材料但其硬度大于所述薄膜封装层。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括相邻设置的第一显示区和第二显示区；
所述制作方法包括：
提供衬底；
然后在所述衬底的一侧上制作阵列层；
然后在所述阵列层远离所述衬底的一侧上制作发光功能层；
其中，所述制作发光功能层包括：对应所述第一显示区制作多个AMOLED 发光单元，对应所述第二显示区制作多个PMOLED 发光单元，所述第二显示区用于放置摄像头或传感器；
所述制作方法还包括：提供一透明承载基板，在所述透明承载基板上制作透明电极，
将所述透明承载基板附着所述透明电极的一侧与所述衬底附着发光功能层的一侧贴合；使所述透明电极复用做所述PMOLED 发光单元的阴极或阳极。
12.如权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述在透明承载基板上制作透明电极包括：在所述透明承载基板上制作所述PMOLED发光单元的阴极；
所述制作发光功能层依次包括：
形成所述AMOLED 发光单元的阳极和所述PMOLED 发光单元的阳极；
形成所述AMOLED 发光单元的有机发光层和所述PMOLED 发光单元的有机发光层；
形成所述AMOLED 发光单元的阴极；
所述将透明承载基板与衬底贴合包括：使所述PMOLED 发光单元的阴极与所述PMOLED发光单元的有机发光层贴合。
13.如权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述形成AMOLED 发光单元的阴极包括：图案化所述AMOLED 发光单元的阴极，使AMOLED 发光单元的阴极暴露所述第二显示区。
14.如权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述在透明承载基板上制作透明电极，并且在所述透明承载基板上制作所述PMOLED发光单元的阳极、在所述PMOLED 发光单元的阳极远离所述透明承载基板一侧制作所述PMOLED 发光单元的有机发光层；
所述制作发光功能层依次包括：
形成所述AMOLED 发光单元的阳极；
形成所述AMOLED 发光单元的有机发光层；
同层形成所述AMOLED 发光单元阴极和所述PMOLED 发光单元的阴极；
所述将透明承载基板与衬底贴合包括：使所述PMOLED 发光单元的阴极与所述PMOLED发光单元的有机发光层贴合。
15.如权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
提供一透明承载基板，在所述透明承载基板上制作透明走线，
将所述透明承载基板附着所述透明走线的一侧与所述衬底附着发光功能层的一侧贴合，使所述PMOLED 发光单元与所述透明走线接触。
16.如权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
通过透明ITO形成所述透明电极或所述透明走线，通过MgAg形成所述AMOLED 发光单元的阴极。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1~9所述的显示面板。
18.如权利要求17所述的显示装置，其特征在于，还包括：
背板，位于所述显示面板的背面；
摄像头或光学传感器；
其中，所述摄像头或所述光学传感器位于所述背板和所述显示面板之间，且位于所述第二显示区在垂直于所述显示面板方向上的投影内。
CN201910100174.8A 2019-01-31 2019-01-31 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Active CN109801950B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910100174.8A CN109801950B (zh) 2019-01-31 2019-01-31 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US16/503,401 US10991773B2 (en) 2019-01-31 2019-07-03 Display panel with light-emitting functional units, display device and method for manufacturing display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910100174.8A CN109801950B (zh) 2019-01-31 2019-01-31 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109801950A CN109801950A (zh) 2019-05-24
CN109801950B true CN109801950B (zh) 2021-02-26

Family

ID=66560880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910100174.8A Active CN109801950B (zh) 2019-01-31 2019-01-31 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10991773B2 (zh)
CN (1) CN109801950B (zh)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110161748B (zh) * 2019-05-08 2022-05-20 合肥联宝信息技术有限公司 显示装置及显示方法
CN110190094B (zh) * 2019-05-22 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
WO2020258867A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
CN110189639B (zh) * 2019-06-28 2020-12-04 昆山国显光电有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN110391348A (zh) * 2019-07-23 2019-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110518034B (zh) * 2019-07-24 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示屏及其制作方法、oled显示装置
US11282893B2 (en) * 2019-07-29 2022-03-22 Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. Nanjing Branch Display panel, display screen, and electronic device
CN110429117A (zh) * 2019-07-30 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件、显示装置及有机发光器件的制作方法
CN110473898B (zh) 2019-07-30 2021-10-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN110491915B (zh) 2019-08-02 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN210575958U (zh) * 2019-08-02 2020-05-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN110491917A (zh) * 2019-08-09 2019-11-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
CN110475115B (zh) 2019-08-15 2020-09-22 昆山国显光电有限公司 屏体画面串扰测试方法和装置、存储介质
US11469261B2 (en) 2019-08-20 2022-10-11 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
CN110379356B (zh) * 2019-08-29 2022-04-22 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN110783482B (zh) * 2019-08-30 2022-04-08 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示屏及显示装置
CN110783382A (zh) * 2019-08-30 2020-02-11 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110707239A (zh) * 2019-09-04 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110729328B (zh) * 2019-09-17 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示装置
CN110783485B (zh) * 2019-09-24 2021-06-18 昆山国显光电有限公司 透光显示面板、显示面板、制作方法、显示装置
CN110690360B (zh) * 2019-09-26 2022-06-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110690261B (zh) * 2019-10-14 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、制作方法和显示面板
KR20210044946A (ko) * 2019-10-15 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210048323A (ko) * 2019-10-23 2021-05-03 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110752311B (zh) * 2019-10-29 2022-03-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110706638B (zh) * 2019-10-29 2022-07-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示模组
CN110867468A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN110752242B (zh) * 2019-10-31 2021-09-21 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110783391B (zh) * 2019-11-05 2023-04-25 京东方科技集团股份有限公司 电子设备、显示装置、显示基板及其制造方法
CN110718580A (zh) * 2019-11-20 2020-01-21 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组及电子设备
US11805678B2 (en) * 2019-11-21 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device
CN111312755B (zh) * 2019-11-29 2021-06-08 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN110955356B (zh) * 2019-12-13 2023-10-17 武汉华星光电技术有限公司 显示装置
CN110828533B (zh) * 2019-12-13 2022-04-15 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示终端
CN111142293B (zh) * 2019-12-27 2022-03-11 维沃移动通信有限公司 电子设备、其控制方法及计算机可读存储介质
CN111146362B (zh) 2019-12-31 2022-12-23 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210086908A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111048005B (zh) * 2020-01-06 2021-06-22 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN111834540A (zh) * 2020-03-20 2020-10-27 昆山国显光电有限公司 显示面板及终端
CN111834413A (zh) 2020-04-17 2020-10-27 昆山国显光电有限公司 显示面板以及显示装置
CN111463253B (zh) * 2020-04-20 2022-09-02 昆山国显光电有限公司 显示装置和显示装置的驱动方法
CN111509018B (zh) * 2020-04-28 2023-08-29 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
JP2023531839A (ja) * 2020-04-29 2023-07-26 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 有機発光表示基板およびその製造方法、有機発光表示装置
CN111584591B (zh) * 2020-05-22 2023-03-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动方法及显示装置
CN111599848B (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111725276B (zh) * 2020-06-11 2024-01-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 发光器件、显示装置及发光器件的制备方法
CN111668383B (zh) * 2020-06-22 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置
CN113838889A (zh) * 2020-06-23 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板、电子设备和显示方法
CN111682052B (zh) * 2020-06-23 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN115132817A (zh) * 2020-07-28 2022-09-30 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US11862081B2 (en) 2020-09-30 2024-01-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN112257524B (zh) * 2020-10-09 2023-11-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 指纹识别显示面板及指纹识别显示装置
CN112259699A (zh) * 2020-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN112233611B (zh) * 2020-10-22 2022-07-12 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组及其制备方法、控制方法和电子设备
CN112271195A (zh) * 2020-10-22 2021-01-26 Oppo广东移动通信有限公司 发光元件及其制备方法、显示屏和电子设备
US11925087B2 (en) * 2020-10-29 2024-03-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus
WO2022126314A1 (zh) * 2020-12-14 2022-06-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN112750965A (zh) * 2021-01-05 2021-05-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置
JP2024038528A (ja) * 2021-01-12 2024-03-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 画像表示装置及び電子機器
CN113066939B (zh) * 2021-03-23 2022-08-02 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN112864217B (zh) * 2021-04-02 2024-01-16 维沃移动通信有限公司 显示面板和电子设备
CN113178537B (zh) * 2021-04-27 2023-01-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113690384A (zh) * 2021-08-10 2021-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20230026598A (ko) * 2021-08-17 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113809135B (zh) * 2021-09-13 2024-03-05 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN116348944A (zh) * 2021-10-22 2023-06-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及拼接显示装置
CN114203785B (zh) * 2021-12-10 2023-05-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板
CN114551540A (zh) * 2022-02-09 2022-05-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法、oled显示模组

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795434A (zh) * 2015-05-12 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素单元、透明显示装置及制作方法、显示设备
CN108717244A (zh) * 2018-05-18 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其控制方法、存储介质
CN108986678A (zh) * 2018-09-10 2018-12-11 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN208384465U (zh) * 2018-05-16 2019-01-15 Oppo广东移动通信有限公司 用于电子设备的显示面板和电子设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI653755B (zh) * 2013-09-12 2019-03-11 日商新力股份有限公司 顯示裝置、其製造方法及電子機器
CN106450015B (zh) * 2016-10-11 2018-07-10 武汉华星光电技术有限公司 透明oled显示器及其制作方法
CN207338380U (zh) 2017-07-21 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN110060578B (zh) * 2018-01-19 2021-09-14 华为技术有限公司 终端设备和显示方法
CN110364119B (zh) * 2018-03-26 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN110767674B (zh) * 2018-08-06 2022-05-17 苏州清越光电科技股份有限公司 显示面板、显示屏及显示终端
US10985231B2 (en) * 2018-08-10 2021-04-20 Au Optronics Corporation Display device
CN110265472A (zh) * 2019-07-15 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795434A (zh) * 2015-05-12 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素单元、透明显示装置及制作方法、显示设备
CN208384465U (zh) * 2018-05-16 2019-01-15 Oppo广东移动通信有限公司 用于电子设备的显示面板和电子设备
CN108717244A (zh) * 2018-05-18 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其控制方法、存储介质
CN108986678A (zh) * 2018-09-10 2018-12-11 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109801950A (zh) 2019-05-24
US20200251539A1 (en) 2020-08-06
US10991773B2 (en) 2021-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109801950B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US10756136B1 (en) Display panel and display device
JP7329685B2 (ja) 表示パネル
EP3333895B1 (en) Organic light emitting display device
CN112038373B (zh) 一种显示面板及显示装置
EP2476137B1 (en) Tiled display with overlapping flexible substrates
US20200321409A1 (en) Display panel, display device and method for driving display panel
US11107399B2 (en) Organic light-emitting diode display device with pixel array
KR102623201B1 (ko) 전계발광 표시장치
US20150123952A1 (en) Organic light emitting diode display
US11864415B2 (en) Display panel and preparation method thereof, and display apparatus
CN114830220A (zh) 显示面板及显示装置
CN111653582A (zh) 显示面板及显示装置
US7894116B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR20180077856A (ko) 전계발광 표시장치
KR20230157518A (ko) 표시 패널 및 표시 장치
US20230260454A1 (en) Display substrate, display panel and display apparatus
CN114725163A (zh) 显示装置
CN114664886A (zh) 电致发光显示装置
CN110376781B (zh) 一种基板及其制备方法、显示面板
US20220246710A1 (en) Light emitting display device
US11869421B2 (en) Display device
US20240138232A1 (en) Light Emitting Display Device
CN117596942A (zh) 一种显示面板和显示装置
JP2023016484A (ja) 表示装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant