CN110752311B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板及显示装置，其中，所述显示面板包括：第一显示区和第二显示区；位于所述第一显示区的发光器件；所述发光器件包括复合阳极结构；在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、功能调节层和第二电极层；其中，所述功能调节层包括多个银纳米棒，所述复合阳极结构包括第一状态和第二状态，所述复合阳极结构在所述第一状态下的光透过率大于在所述第二状态下的光透过率。用于提高成像质量。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

现有的有机发光二极管OLED技术普遍采用微腔效应来提高器件的整体出光效率。通常使用包括完全不透明的银薄层的阳极结构，比如，ITO/Ag/ITO这种夹层结构构成的阳极结构，以此来强化微腔效果。其中，不透明的银薄层在对外界光线较强反射的同时，使得对应的阳极结构的光透过率较低。

为了实现OLED显示装置的全面屏显示，如图1所示，通常在OLED显示装置的显示区中设置也会显示的区域1，并在区域1中设置光学电子元件100(比如，摄像头)。

然而，由于区域1内的银薄层对光线的较强反射，使得光学电子元件100无法接收到充足的光量，从而导致光学电子元件100的成像质量降低。

发明内容

本发明提供了一种显示面板及显示装置，用于提高成像质量。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板包括：

第一显示区和第二显示区；

位于所述第一显示区的发光器件；所述发光器件包括复合阳极结构；

在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、功能调节层和第二电极层；其中，所述功能调节层包括多个银纳米棒，所述复合阳极结构包括第一状态和第二状态，所述复合阳极结构在所述第一状态下的光透过率大于在所述第二状态下的光透过率。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如第一方面所述的显示面板，所述显示装置包括第一模式和第二模式，在所述显示装置处于所述第一模式时，所述复合阳极结构处于所述第一状态；在所述显示装置处于所述第二模式时，所述复合阳极结构处于所述第二状态。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例提供的显示面板及显示装置，在垂直于显示面板且指向位于第一显示区发光器件的发光面的方向上，复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、功能调节层和第二电极层，其中，功能调节层包括多个银纳米棒，而包括多个银纳米棒的复合阳极结构包括第一状态和第二状态，且该复合阳极结构在第一状态下的光透过率大于在第二状态下的光透过率。也就是说，通过包括多个银纳米棒的功能调节层来实现对第一显示区对应的复合阳极结构的透光率的调节，从而实现了对第一显示区对应的复合阳极结构在第一状态下的光透过率的提高，进而提高了成像质量。

附图说明

图1为相关技术中显示装置的结构示意图；

图2为图1所示的区域1的俯视结构示意图；

图3为图2所示的区域1中沿AA’方向的剖视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；

图5为图4所示的第一显示区A1内子像素单元spx中复合阳极结构沿aa’方向的剖视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的显示面板包括信号层的俯视结构示意图；

图7为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图8为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图9为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图10为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图11为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图12为本发明实施例提供的信号层中电流方向的一种示意图；

图13为本发明实施例提供的信号层中电流方向的一种示意图；

图14为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图15为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图16为本发明实施例提供的信号层中电流方向的一种示意图；

图17为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图18为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图19为本发明实施例提供的信号层中电流方向的一种示意图；

图20为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图21为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图22为本发明实施例提供的信号层中电流方向的一种示意图；

图23为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图24为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图25为本发明实施例提供的信号层中电流方向的一种示意图；

图26为图4所示的第一显示区A1内子像素单元spx中复合阳极结构沿aa’方向的剖视结构示意图；

图27为图6所示的信号层沿BB’方向的剖视结构示意图；

图28为本发明实施例提供的信号层与第二金属膜层并联时的俯视结构示意图；

图29为图28所示的信号层沿CC’方向的剖视结构示意图；

图30为本发明实施例提供的信号层与第三金属膜层和第二金属膜层并联时的俯视结构示意图；

图31为图30所示的信号层沿DD’方向的剖视结构示意图；

图32为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图33为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图34为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图35为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图36为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第二状态的一种示意图；

图37为本发明实施例提供的复合阳极结构处于第一状态的一种示意图；

图38为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，在不做特别说明的情况下，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

为了更好的理解上述技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本发明技术方案做详细的说明，应当理解本发明实施例以及实施例中的具体特征是对本发明技术方案的详细的说明，而不是对本发明技术方案的限定，在不冲突的情况下，本发明实施例以及实施例中的技术特征可以相互结合。并且，附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

在具体实施过程中图2为显示装置区域1中的俯视结构示意图，图3为显示装置区域1中沿AA’方向上的剖视结构示意图。结合图2和图3所示，一般，显示装置区域1中可以包括：位于阵列基板10上的有机发光二极管11，位于有机发光二极管11上的封装层12，以及位于阵列基板10背离有机发光二极管11一侧的光学电子元件100。其中，有机发光二极管11具有层叠设置的阳极01、发光层02以及阴极03。

在实际应用中，外界环境光S通过区域1后进入光学电子元件100，以在光学电子元件100成像。然而，由于有机发光二极管11中的阳极01一般设置为不透光的电极，从而导致光学电子元件100所接收的光量较少，成像质量较差。

为此，本发明实施例提供了一种显示面板，用于提高光学电子元件10的成像质量。

在具体实施过程中，图4为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图5为图4所示的第一显示区A1内子像素单元spx中复合阳极结构30沿aa’方向的剖视结构示意图。具体来讲，该显示面板包括：第一显示区A1和第二显示区A2。其中，第一显示区A1为显示区A内与光学电子元件对应的且能够显示的区域，第二显示区A2为显示区A内除第一显示区A1之外的其它显示区域。在本发明实施例中，第一显示区A1和第二显示区A2分别包括像素单元PX，像素单元PX包括多个子像素spx。第一显示区A1包括发光器件20，发光器件20包括复合阳极结构30。在垂直于显示面板且指向发光器件20的发光面的方向上，复合阳极结构30包括依次层叠设置的第一电极层301、功能调节层300和第二电极层302，其中，功能调节层300包括多个银纳米棒3000。复合阳极结构30包括第一状态D1和第二状态D2，复合阳极结构30在第一状态D1下的光透过率大于在第二状态D2下的光透过率。也就是说，通过包括多个银纳米棒3000的功能调节层300来实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2之间的灵活切换。并且，第一显示区A1对应的复合阳极结构30在第一状态D1下的光透过率大于在第二状态D2下的光透过率。

本发明实施例提供的显示面板，通过复合阳极结构30中设置功能调节层300，并在功能调节层300中设置多个银纳米棒3000，由于在多个银纳米棒3000的调节作用下，复合阳极结构30在第一状态D1下的光透过率大于在第二状态D2下的光透过率，复合阳极结构30处于第一状态D1时，这样外界环境光S从第一显示区A1进入光学电子元件的光量较多，从而提高了成像质量，而且，复合阳极结构30处于第二状态D2时，显示面板能够正常显示，不影响用户体现，实现全面屏。

在本发明实施例中，第一显示区A1和第二显示区A2可以形成连续的显示区A，以使第一显示区A1和第二显示区A2可以均显示图像。示例性地，显示区A的形状大致为矩形，比如，显示区A的顶角均为直角，则显示区A为矩形。再比如，显示区A顶角为弧形的角，则显示区A的形状大致为矩形。

在具体实施过程中，第一显示区A1可以为一个或多个。并且，第二显示区A2可以为连续的区域，或者第二显示区A2也可以为不连续的区域，这可以根据实际应用环境来设计确定，在此不做限定。

在具体实施过程中，第一显示区A1和第二显示区A2之间的相对位置关系可以是，第一显示区A1的至少部分边与显示区A的至少部分边重合，并且第一显示区A1的其余部分被第二显示区A2包围，如此一来，可以将第一显示区A1设置在显示区A的边缘。

在具体实施过程中，第一显示区A1和第二显示区A2之间的相对位置关系还可以是，第二显示区A2包围第一显示区A1，如此一来，可以将第一显示区A1设置在显示区A的内部。比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的左上角。再比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的右上角。再比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的左侧。再比如，可以将第一显示区A1设置在第二显示区A2的上侧。当然，在实际应用中，第一显示区A1的具体位置可以根据实际应用环境来设计确定，在此就不做限定。

在具体实施过程中，可以将第一显示区A1的形状设置为规则的形状，比如矩形，该矩形的顶角可以为直角，或者该矩形的顶角还可以为弧形的角。再比如，还可以将第一显示区A1的形状设置为梯形，该梯形可以是正梯形，还可以是倒梯形。此外，该梯形的顶角可以为正规的夹角或者也可以为弧形的角。再比如，还可以将第一显示区A1的形状设置为不规则的形状。比如，可以将第一显示区A1的形状设置为水滴形。当然，在实际应用中，对第一显示区A1的形状可以根据第一显示区A1内设置的元件的形状进行设计，在此就不做限定了。

在具体实施过程中，第一显示区A1的面积小于第二显示区A2的面积。当然，在实际应用中，可以根据第一显示区A1内设置的元件进行设计，在此不做限定。

在本发明实施例中，对第一显示区A1和第二显示区A2的相对位置关系以及形状不做限定，具体可以根据显示装置的屏幕设计来设置。以手机为例，可以将第一显示区A1设置在显示区A的左上角，也可以将第一显示区A1设置在显示区A的右上角。将摄像头设置于边角，可以利用第一显示区A1进行显示时间、天气、信息提醒等简易快捷功能服务。

在具体实施过程中，发光器件20可以包括：有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)中的至少一种。

在本发明实施例中，第一电极层301和第二电极层302的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和石墨烯中的至少一种。当然，在实际应用中，还可以根据实际应用环境选择相应材料来设计第一电极层301和第二电极层302，在此不做限定。此外，可以将第一电极层301和第二电极层302设置为透明状态，从而提高复合阳极结构30的光透过率。

在本发明实施例中，如图6所示为本发明实施例提供的显示面板包括信号层40的俯视结构示意图，具体来讲，显示面板还包括信号层40，信号层40与复合阳极结构30同层设置，且信号层40在显示面板所在平面的正投影围绕复合阳极结构30在显示面板所在平面的正投影，信号层40为具有开口的环形结构。在具体实施过程中，通过在信号层40开口的两端供给电信号，比如，分别供给电信号U和U’，从而形成如图6信号层40中箭头所示方向的电流通路。在具体实施过程中，信号层40可以是金属层制备，也可以是采用金属层与有源层同层同材料的膜层制备。可选地，信号层40也可以与显示面板中有源层同层的膜层进行电连接，由于有源层同层同材料的膜层可以利用有源层同层的膜层的电阻较大，可以省去为信号层40连接较大电阻防止电流过大导致的IC(驱动芯片)短路问题。其中，信号层40的电压可以由IC提高，如果信号层40电阻过小而且没有电阻保护的话容易导致IC内部短路，烧坏IC，利用信号层40与有源层同层同材料的膜层进行电连接，可以防止短路现象，而且对于信号层40，不需要额外的接入电阻保护。

在具体实施过程中，信号层40通过其开口接入电信号，接入电信号的信号层40产生的磁场驱动银纳米棒3000偏转，从而通过银纳米棒3000的偏转实现了对复合阳极结构30的光透过率的调整。其中，该电信号可以是脉冲信号，还可以是直流电信号。

在本发明实施例中，在复合阳极结构30处于第二状态D2下，银纳米棒3000沿第一方向的最大长度大于沿第二方向的最大长度；其中，银纳米棒3000沿第一方向的最大长度为包括其两端在内的长度范围。第一方向为在第二状态D2下银纳米棒3000的延伸方向，第二方向为垂直第一电极层301的方向。如图7所示为复合阳极结构30处于第二状态D2下的其中一种示意图，其中，箭头X表征第一方向，箭头Y表征第二方向，在复合阳极结构30处于第二状态D2下时，银纳米棒3000的延伸方向与第一方向平行，第二方向与第一电极层301垂直的方向。第二状态D2下，银纳米棒3000沿第一方向X的最大长度大于沿第二方向Y的最大长度，保证银纳米棒3000在第一状态D1下的沿第一方向X的最大长度小于银纳米棒3000在第二状态D2下的沿第一方向X的最大长度(即第一状态D1下沿第二方向Y的最大长度)，此时在第一状态D1下银纳米棒3000之间的间隙大于第二状态D2下银纳米棒3000之间的间隙，以此从第二状态D2切换至第一状态D1的时候能够提高复合阳极结构30的光透过率。

在本发明实施例中，除特殊说明外，第一方向均表示在第二状态D2下银纳米棒3000的延伸方向。

在其中一种可选的实施例中，如图8所示为复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图，如图9所示为复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图。结合图8和图9，沿第一方向，银纳米棒3000包括相对设置的第一端3001和第二端3002。银纳米棒3000包括由同一银纳米棒的第一端指向第二端的中轴线L；在第一状态D1下，该中轴线L与第一电极层301所在平面的夹角θ₁，其中0°<θ₁≤90°；在第二状态D2下，中轴线L与第一电极层301所在平面的夹角为θ₂，其中θ₂＝0°，相邻两银纳米棒首尾相接；第一方向为在第二状态D2下银纳米棒2000的延伸方向。如图8所示为在第一状态D1下，中轴线L与第一电极层301所在的平面间夹角θ₁为90°时的其中一种示意图。如图9所示为在第二状态D2下，中轴线L与第一电极层301所在平面间夹角θ₂＝0°的示意图。本实施例中通过中轴线L发生偏转以此来调节银纳米棒3000在第一方向X的宽度大小，在第二状态D2下，中轴线L与第一电极层301所在平面的夹角为θ₂，其中θ₂＝0°，此时银纳米棒3000在第一方向X的宽度为第一端3001到第二端3002的距离。在第一状态D1下，该中轴线L与第一电极层301所在平面的夹角θ₁，其中0°<θ₁≤90°，此时银纳米棒3000在第一方向X的宽度为第一端3001到第二端3002的距离与cosθ₁的乘积，由于0°<θ₁≤90°，故而0≤cosθ₁＜1，故在第一状态D1下的银纳米棒3000在第一方向X的宽度小于第二状态D2下的银纳米棒3000在第一方向X的宽度，以此能够保证第一状态D1下复合阳极结构30的光透过率大于第二状态D2下复合阳极结构30的光透过率。需要说明的是当θ₁＝90°时，即中轴线L与第一电极层301所在平面间夹角为90°，此时cosθ₁＝0，但是此时由于银纳米棒3000在垂直于中轴线L的方向上存在一定的宽度，故而银纳米棒3000在第一方向X的宽度不为零。

在其中一种可选的实施例中，为了实现银纳米棒3000的偏转，银纳米棒3000的至少一端设置有磁子，其中，磁子具体为具有单一极性的基元磁体，其要么为N极磁子，要么为S极磁子。在具体实施过程中，银纳米棒3000两端设置磁子的情况可以包括以下几种情况，但又不仅限于以下几种情况。

可选的，第一种磁子设置情况具体为在银纳米棒3000的一端设置有磁子。如图10所示为本发明实施例提供的第一种磁子设置情况下复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图；如图11所示为本发明实施例提供的第一种磁子设置情况下复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；结合图10和图11，具体可以是沿第一方向，银纳米棒3000包括相对设置的第一端3001和第二端3002，第一端3001设置有第一磁子50，第二端3002与第一电极层301固定连接。

在具体实施过程中，针对第一磁子50的具体极性，对信号层40采用相应的电信号来调整复合阳极结构30的光透过率。如图10所示，若第一磁子50为S极磁子，在复合阳极结构30处于第二状态D2下，信号层40无电信号；银纳米棒3000在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，从而使得复合阳极结构30处于第二状态D2。如图11所示，在复合阳极结构20处于第一状态D1下，从显示面板的出光面朝向显示面板的方向上，信号层40的电流方向为顺时针方向，第一磁子50在信号层40产生的磁场力作用下处于平衡状态，并使复合阳极结构30处于第一状态D1。如图12所示为复合阳极结构处于第一状态D1时，信号层40中电流方向的示意图，其中，信号层40中的箭头方向为电流方向，此时，图11中箭头E的方向表征信号层40在当前电流下所产生的磁场的方向。

在具体实施过程中，结合图10至图12，若第一磁子50为S极磁子，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，复合阳极结构30由第二状态D2切换为第一状态D1时，信号层40的具体调整过程为，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40从无电信号切换为所述顺时针方向的电流。也就是说，复合阳极结构30由图10所示的第二状态D2切换为图11所示的第一状态D1时，信号层40中的电流由无电信号调整为图12中所示方向的电流。这样一来，在复合阳极结构30处于如图10所示的第二状态D2时，调整信号层40中的电流由无电信号至图12中所示方向的电流，处于图10所示的第二状态D2的复合阳极结构30中的第一磁子50将在磁场作用下带动银纳米棒3000偏转，从而将复合阳极结构30由图10所示的第二状态D2切换为如图11所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图10至图12，若第一磁子50为S极磁子，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2时，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40的电流方向由所述顺时针方向的电流切换为无电信号。也就是说，在复合阳极结构30由图11所示的第一状态D1切换为图10所示的第二状态D2时，信号层40中的电流由12中所示方向的电流调整为无电信号。这样一来，在复合阳极结构30处于图11所示的第一状态D1时，调整信号层40中的电流由图12所示方向的电流至无电信号，处于图11所示的第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000将在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，从而将复合阳极结构30由图11所示的第一状态D1切换为图10所示的第二状态D2。

在具体实施过程中，结合图10至图12，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2还可以是信号层40由所述顺时针方向的电流切换为逆时针方向的电流，也就是说，在复合阳极结构30处于如图11所示的第一状态D1时，信号层40中的电流由图12中所示方向的电流调整为与该方向相反方向的电流。如图13所示为信号层40此时通入的电流方向。此时，信号层40所产生的磁场为与图11中箭头E所表征的方向相反的磁场。这样的话，处于第一状态D1的复合阳极结构30中的第一磁子50在该磁场的作用下带动银纳米棒3000偏转，使得复合阳极结构30处于图10所示的第二状态D2。

在具体实施过程中，如图14所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图，具体来讲，若第一磁子50为N极磁子，在复合阳极结构30处于第二状态D2下，信号层40无电信号，银纳米棒3000在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，使得复合阳极结构30处于第二状态D2。如图15所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图，具体来讲，在复合阳极结构30处于第一状态D1下，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层30的电流方向为逆时针的方向，如图16所示的箭头方向。此时，信号层40所产生的磁场方向如图15中箭头G所示的方向。

在具体实施过程中，结合图14至图16，若第一磁子50为N极磁子，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，复合阳极结构30由第二状态D2切换为第一状态D时，信号层40的具体调整过程为，1从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层30从无电信号切换为所述逆时针方向的电流。也就是说，复合阳极结构30由图14所示的第二状态D2切换为图15所示的第一状态D1时，信号层40中的电流由无电信号调整为图16中所示方向的电流。这样一来，在复合阳极结构30处于如图14所示的第二状态D2时，调整信号层40中的电流由无电信号至图16所示方向的电流，处于图14所示的第二状态D2的复合阳极结构30中的第一磁子50将在磁场作用下带动银纳米棒3000偏转，从而将复合阳极结构30由图14所示的第二状态D2切换为如图15所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图14至图16，若第一磁子50为N极磁子，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2时，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层30由所述逆时针方向的电流切换为无电信号。也就是说，在复合阳极结构30由图15中所示的第一状态D1切换为图14所示的第二状态D2时，信号层40中的电流方向由图16中所示方向的电流调整为无电信号。这样一来，在复合阳极结构30处于图15所示的第一状态D1时，调整信号层40中的电流由图16中所示方向的电流至无电信号，处于图15中所示的第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000将在自身重力作用下处于与第一电极层201平行的状态，从而复合阳极结构30由图15所示的第一状态D1切换为图14所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，结合图14至图16，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2还可以是，信号层30由所述逆时针方向的电流切换为顺时针方向的电流，也就是说，在复合阳极结构30处于如图15所示的第一状态D1时，信号层40中的电流由图16中的所示的方向调整为与该方向相反的电流。此时，信号层40所产生的磁场为与图15中箭头G所表征的方向相反的磁场。这样的话，处于第一状态D1的复合阳极结构30中的第一磁子50在该磁场作用下带动银纳米棒3000偏转，使得复合阳极结构30处于图14所示的第二状态D2。

可选的，第二种磁子设置情况具体为在银纳米棒3000的两端设置有磁子。如图17所示为本发明实施例提供的第一种磁子设置情况下复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图；如图18所示为本发明实施例提供的第一种磁子设置情况下复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；结合图17至图19所示，银纳米棒3000的第二端3002设置有第二磁子60，第二磁子60与第一磁子50的磁性相反。此时，相当于银纳米棒3000与第一磁子50和第二磁子60可以理解为一个磁体，其中靠近第一端3001的一侧为与靠近第二端3002的一侧具有相反的磁性，其中，第二磁子60为N极磁子，第一磁子50为S极磁子，此时，可以理解为银纳米棒3000的第一端3001为S极，银纳米棒3000的第二端3002为N极。在具体实施过程中，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，在图17和图18所示的银纳米棒3000的磁子设置情况下，复合阳极结构30由第二状态D2切换为第一状态D1，信号层40的具体调整过程为，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40从无电信号切换为顺时针方向(如图19中箭头所示的方向)的电流；这样的话，处于如图17所示第二状态D2的复合阳极结构30中的银纳米棒3000两端的磁子在信号层40所产生的磁场作用下带动银纳米棒3000偏转，从而使得复合阳极结构30由图17所示的第二状态D2切换为如图18所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图17至图19所示，复合阳极结构30由图18所示的第一状态D1切换为如图17所示的第二状态D2，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40由所述顺时针方向(如图19中箭头所示方向)的电流切换为无电信号。这样的话，处于如图18所示第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000在自身重力以及相邻磁子的引力作用下偏转至与第一电极层301平行的状态，从而使得复合阳极结构30由图18所示的第一状态D1切换为如图17所示的第二状态D2。

在具体实施例中，仍结合图17至图19所示，复合阳极结构30由图18所示的第一状态D1切换为图17所示的第二状态D2，还可以是从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40由所述顺时针方向的电流切换为与逆时针的电流，比如将此时信号层40中的电流方向切换为与图19中所示箭头方向相反的方向。这样的话，处于第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000在磁场力作用下偏转，从而使得复合阳极结构30由图18所示的第一状态D1切换为如图17所示的第二状态D2。

在具体实施过程中，如第二磁子60为S极磁子，第一磁子50为N极磁子。如图20所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图；如图21所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；在具体实施过程中，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，在图20和21所示的银纳米棒3000的磁子设置情况下，信号层40的具体调整过程为，复合阳极结构30由第二状态D2切换为第一状态D1，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40从无电信号切换为逆时针方向(如图22中箭头所示的方向)的电流；这样的话，处于图20所示第二状态D2的复合阳极结构30中的银纳米棒3000两端的磁子在信号层40所产生的磁场作用下带动银纳米棒3000偏转，从而使得复合阳极结构30由图20所示的第二状态D2切换为如图21所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图20至图22所示，复合阳极结构30由图21所示的第一状态D1切换为如图20所示的第二状态D2，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40由所述逆时针方向(如图22中箭头所示的方向)的电流切换为无电信号。这样的话，处于图21所示第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000在自身重力以及相邻磁子的引力作用下偏转至与第一电极层301平行的状态，从而使得复合阳极结构30由图21所示的第一状态D1切换为如图20所示的第二状态D2。

在本发明实施例中，仍结合图20至图22所示，复合阳极结构30由图21所示的第一状态D1切换为如图20所示的第二状态D2，还可以是从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40由所述逆时针方向的电流切换为所述顺时针的电流。比如将此时信号层40中的电流方向切换为与图22中所示箭头相反的方向。这样的话，处于第一银纳米棒3000在磁场力作用下偏转，从而使得复合阳极结构30由图21所示的第一状态D1切换为如图20所示的第二状态D2。

在本发明实施例中，在银纳米棒3000的两端设置有磁子，且任一端均不与电极层固定时，比如，第一磁子50为S极磁子，第二磁子60为N极磁子。如图23所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图；如图24所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；在具体实施过程中，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，在图23和图24所示的银纳米棒3000的磁子设置情况下，复合阳极结构30由图23所示的第二状态D2切换为如图24所示的第一状态D1，信号层40的具体调整过程为，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，信号层40从无电信号切换为顺时针方向(如图25中箭头所示方向)的电流；具体来讲，在复合阳极结构20处于如图23所示的第二状态D2时，银纳米棒3000两端磁子通过异性相吸处于首尾相接的状态。一旦信号层40通入顺时针方向(如图25箭头所示方向)的电流，第一磁子50在磁场力的作用下向靠近第二电极层302的一侧偏转，第二磁子60向靠近第一电极层301的一侧偏转，待银纳米棒3000所受的磁场力与重力之间大小相同方向相反时，银纳米棒3000处于平衡状态，从而使得复合阳极结构30由图23所示的第二状态D2切换为图24所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图23至图25所示，在复合阳极结构30处于如图24所示的第一状态D1时，一旦信号层40通入逆时针方向(与如图25箭头所示方向相反的方向)的电流，此时，第一磁子50在磁场力作用下向远离第一电极层301的一侧偏转，第二磁子60在磁场力作用下向远离第二电极层302的方向偏转，在银纳米棒3000于首尾相接的平衡状态时，信号层40调整为无电信号状态，从而使得复合阳极结构30由图24所示的第一状态D1切换为图23所示的第二状态D2。当然，本领域技术人员可以根据实际需要来采用不同磁性的磁子以及不同电信号的信号层40来实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，在此就不再一一举例说明了。

在本发明实施例中，如图26所示为图4所示的第一显示区A1内子像素单元spx中复合阳极结构30沿aa’方向的剖视结构示意图，为了将第一电极层301和第二电极层302之间支撑起来，提高显示面板的使用性能，第一电极层301和第二电极层302之间设置有至少两个柱状结构3003，该柱状结构3003的相对两端分别与第一电极层301和第二电极层302接触，柱状结构3003的材料可以是银，还可以是金等。此外，为了提高复合阳极结构30的多样化设计，柱状结构3003沿平行于第一电极层301的平面的截面形状包括梯形、矩形、圆形和三角形中的至少一种。

在本发明实施例中，为了提高显示面板对复合阳极结构30的光透过率的调整能力，提高显示面板的使用性能。在具体实施过程中，显示面板还包括与信号层40并联连接的至少一层金属膜层，该至少一层金属膜层可以是第一金属膜层M1、第二金属膜层M2、第三金属膜层M3和金属膜层MC中的至少一种。通过信号层40与至少一层金属膜层并联后，降低了信号层40的电阻值，在为信号层40提供相同数值大小的电信号时，信号层40所产生的磁场强度较大，从而保证了对银纳米棒3000偏转的有效控制，保证了显示面板对复合阳极结构30光透过率的灵活调整，同时，信号层40也可以与显示面板中有源层同层的膜层进行电连接，因为有源层同层同材料的膜层可以利用有源层的电阻较大，可以省去为信号层40连接较大电阻防止电流过大导致的IC(驱动芯片)短路问题。其中，信号层40的电压可以由IC提高，如果信号层40电阻过小而且没有电阻保护的话容易导致IC内部短路，烧坏IC，利用信号层40与有源层同层同材料的膜层进行电连接，可以防止短路现象，而且对于信号层40，不需要额外的接入电阻保护。如图27所示为图6所示的信号层40沿BB’的剖面图，图中标记70表示光学电子元件，标记80表示阵列基板，标记90表示平坦层。

在具体实施过程中，如图28所示为信号层40与第二金属膜层M2并联时的显示面板的另一种俯视图。值得注意的是，图28中并未对信号层40和第二金属膜层M2在垂直于显示面板方向上的相对位置关系进行限定，图中只是示例性说明。如图29为图28所的显示面板沿CC’的剖面图，图中标记110表示第二金属膜层。

在具体实施过程中，如图30所示为信号层40与第三金属膜层M3和第二金属膜层M2并联时的显示面板的另一种俯视图。值得注意的是，图30中并未对信号层40、第二金属膜层110和第三金属膜层120在垂直于显示面板方向上的相对位置关系进行限定。如图31为图30所示的显示面板沿DD’的剖面图，图中标记120表示第三金属膜层M3,标记130表示弯折保护层。

在本发明实施例中，为了实现信号层40所产生的磁场对银纳米棒3000偏转的有效控制，银纳米棒3000沿第一方向的延伸长度为大于或者等于100nm。

在本发明实施例中，为了实现银纳米棒3000的多样化设计，银纳米棒3000的形状包括哑铃状、棒状和梭状中的至少一种。复合阳极结构30中的每个银纳米棒3000可以是相同的形状，还可以是不同的形状。其中，在银纳米棒3000为哑铃状时，该形状可以增加银纳米棒3000两端与电极层间的接触面积，从而保证银纳米棒3000与电极层间接触的稳定性，进而提高显示面板的使用性能。

在其中一些可选的实施例中，为了实现银纳米棒3000的偏转，银纳米棒3000的至少一端设置有电荷，其要么为正电荷，要么为负电荷。在具体实施过程中，银纳米棒3000两端设置电荷的情况可以包括以下几种情况，但又不仅限于以下几种情况。

可选地，第一种电荷设置情况具体为在银纳米棒3000的一端设置有电荷。如图32所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图；如图33所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；结合图32和图33，具体可以是沿第一方向，银纳米棒3000包括相对设置的第一端3001和第二端3002；第一端3001设置有正电荷p，第二端3002与第一电极层301固定连接。其中，第一方向为复合阳极结构30处于第二状态D2下银纳米棒3000的延伸方向。如图32所示，在复合阳极结构30处于第二状态D2下，银纳米棒3000在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，从而使得复合阳极结构30处于第二状态D2。如图33所示，在复合阳极结构30处于第一状态D1下，第一电极层301接收第一电压V1，第二电极层302接收第二电压V2，第一电压V1大于第二电压V2，第一端3001设置的正电荷p在第一电极层301和第二电极层302产生的电场力作用下处于平衡状态，并使复合阳极结构30处于第一状态D1。此时，图33中箭头F的方向表征第一电极层301和第二电极层302在当前电压下所产生的电场的方向。

在具体实施过程中，结合图32至图33，若第一端3001设置有正电荷p，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，复合阳极结构30由第二状态D2切换为第一状态D1时，第一电极层301和第二电极层302间的电场的具体调整过程为，从第一电极层301和第二电极层302未加电压，切换为第一电极层301的第一电压V1大于第二电极层302的第二电压V2的状态。也就是说，复合阳极结构30由图32所示的第二状态D2切换为图33所示的第一状态D1时，控制第一电极层301与第二电极层302间产生如图33中箭头F所示方向的电场，处于图32所示的第二状态D2的复合阳极结构30中的正电荷p将在磁场作用下带动银纳米棒3000偏转，从而将复合阳极结构30由图32所示的第二状态D2切换为如图33所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图32和图33，若第一端3001设置有正电荷p，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2时，第一电极层301和第二电极层302间的电场的具体调整过程为，从第一电极层301的第一电压V1大于第二电极层302的第二电压V2的状态，切换为第一电极层301和第二电极层302未加电压的状态。也就是说，复合阳极结构30由图33所示的第一状态D1切换为图32所示的第二状态D2时，未对第一电极层301和第二电极层302施加电场。这样一来，处于图33所示的第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000将在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，从而将复合阳极结构30由图33所示的第一状态D1切换为如图32所示的第二状态D2。

在具体实施过程中，结合图32和图33，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2还可以是第一电极层301与第二电极层302之间的电压关系由第一电压V1大于第二电压V2，调整为第一电压V1小于第二电压V2。也就是说，在复合阳极结构30处于如图33所示的第一状态D1时，第一电极层301与第二电极层302之间的电场由图33中所示方向调整为与该方向相反方向的电场。这样的话，处于第一状态D1的复合阳极结构30中的正电荷p在该电场的作用下带动银纳米棒3000偏转，使得复合阳极结构30处于图32所示的第二状态D2。

在具体实施过程中，如图34所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图，如图35所示为本发明实施例提供的复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；结合图34和图35，具体可以是沿第一方向，银纳米棒3000包括相对设置的第一端3001和第二端3002；第一端3001设置有负电荷n，第二端3002与第一电极层301固定连接。其中，第一方向为复合阳极结构30在第二状态D2下银纳米棒3000的延伸方向。如图34所示，在复合阳极结构30处于第二状态D2下，银纳米棒3000在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，从而使得复合阳极结构30处于第二状态D2。如图35所示，在复合阳极结构30处于第一状态D1下，第一电极层301接收第三电压V3，第二电极层302接收第四电压V4，第三电压V3小于第四电压V4；第一端3001设置的负电荷n在第一电极层301和第二电极层302产生的电场力作用下处于平衡状态，并使复合阳极结构30处于第一状态D1。此时，图35中箭头H的方向表征第一电极层301和第二电极层302在当前电压下所产生的电场的方向。

在具体实施过程中，结合图34和图35，若第一端3001设置有负电荷n，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，复合阳极结构30由第二状态D2切换为第一状态D1时，第一电极层301和第二电极层302间的电场的具体调整过程为，从第一电极层301和第二电极层302未加电压，切换为第一电极层301的第三电压V3小于第二电极层302的第四电压V4的状态。也就是说，复合阳极结构30由图34所示的第二状态D2切换为图35所示的第一状态D1时，控制第一电极层301和第二电极层302间产生如图35中箭头H所示方向的电场，处于图34所示的第二状态D2的复合阳极结构30中的负电荷n将在电场作用下电动银纳米棒3000偏转，从而将复合阳极结构30由图34所示的第二状态D2切换为图35所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图34和图35，若第一端3001设置有负电荷n，为何实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D1时，第一电极层301和第二电极层301间的电场的具体调整过程为，从第一电极层301的第三电压V3小于第二电极层302的第四电压V4的状态，切换为第一电极层301和第二电极层302未加电压的状态。也就是说，复合阳极结构30由图35所示的第一状态D1切换为图34所示的第二状态D2时，未对第一电极层301和第二电极层302施加电场。这样一来，处于图35所示的第一状态D1的复合阳极结构30中的银纳米棒3000将在自身重力作用下处于与第一电极层301平行的状态，从而将复合阳极结构30由图35所示的第一状态D1切换为图34所示的第二状态D2。

在具体实施过程中，结合图34和图35，复合阳极结构30由第一状态D1切换为第二状态D2还可以是第一电极层301与第二电极层302之间的电压关系由第三电压V3小于第四电压V4，调整为第三电压V3大于第四电压V4。也就是说，在复合阳极结构30处于如图35所示的第一状态D1时，第一电极层301与第二电极层302之间的电场由图35中所示方向调整与该方向相反方向的电场。这样的话，处于第一状态D1的复合阳极结构30中的负电荷n在该电场的作用下带动银纳米棒3000偏转，使得复合阳极结构30处于图34所示的第二状态D2。

可选的，第二种电荷设置情况具体为在银纳米棒3000的两端设置有磁子，且任一端均不与电极层固定时，如图36所示为本发明实施例提供的第二种电荷设置情况下复合阳极结构30处于第二状态D2的一种示意图，如图37所示为本发明实施例提供的第二种电荷设置情况下复合阳极结构30处于第一状态D1的一种示意图；结合图36和图37所示，沿第一方向，银纳米棒3000包括相对设置的第一端3001和第二端3002，其中，第一方向为银纳米棒3000在第二状态D2下的延伸方向。具体来讲，银纳米棒3000的第一端3001设置有正电荷p，银纳米棒3000的第二端3002设置有负电荷n。具体来讲，在复合阳极结构30处于图37所示的第一状态D1下，第一电极层301接收第五电压V5，第二电极层302接收第六电压V6，第五电压V5与第六电压V6不相等；

在具体实施过程中，为了实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，在图36和图37所示的银纳米棒3000的电荷设置情况下，复合阳极结构30由图36所示的第二状态D2切换为如图37所示的第一状态D1，第一电极层301与第二电极层302之间的由未加电场，切换为第一电极层301接收的第五电压V5大于第二电极层302的第六电压V6。具体来讲，在复合阳极结构30处于如图36所示的第二状态D2时，银纳米棒3000两端电荷通过异性相吸处于首尾相接的状态。一旦第一电极层301和第二电极层302施加电场，且第五电压V5大于第六电压V6，正电荷p在电场力的作用下向靠近第二电极层302的一侧偏转，负电荷n向靠近第一电极层301的一侧偏转，待银纳米棒3000所受的电场力与重力之间大小相同方向相反时，银纳米棒3000处于平衡状态，从而使得复合阳极结构30由图36所示的第二状态D2切换为图37所示的第一状态D1。

在具体实施过程中，仍结合图36和图37所示，在复合阳极结构30处于图37所示的第一状态D1时，一旦改变第一电极层301与第二电极层302间的电场方向，比如，控制第五电压V5小于第六电压V6，此时，正电荷p在电场力作用下向远离第二电极层302的方向偏转，负电荷n在电场力作用下向远离第一电极层301的方向偏转，在银纳米棒3000处于首尾相接的平衡状态时，第一电极层301和第二电极层302之间为未加电场的状态，从而使得复合阳极结构30由图37所示的第一状态D1切换为图36所示的第二状态D2。当然，本领域技术人员可以根据实际需要来采用不同极性的电荷以及第一电极层301与第二电极层302之间的不同电场，来实现复合阳极结构30在第一状态D1和第二状态D2间的灵活切换，在此就不再一一举例说明了。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图38所示，该显示装置包括如上面所述的显示面板200；在具体实施过程中，该显示装置包括第一模式和第二模式，在显示装置处于所述第一模式时，复合阳极结构30处于第一状态D1；在显示装置处于所述第二模式时，复合阳极结构30处于第二状态D2。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处不再赘述。

在本发明实施例中，显示装置还包括光学电子元件400，光学电子元件400位于第一显示区A1，且光学电子元件400位于发光器件30的远离所述显示面板的发光面的一侧。在具体实施过程中，该光学电子元件400包括光学传感器、距离传感器、摄像头、听筒、虹膜识别传感器和深度传感器中的至少一种。当然，本领域技术人员还可以根据实际需要选择相应的光学电子元件400，在此就不再详述。

在具体实施过程中，在检测到光学电子元件400启动而处于工作状态时，显示装置处于第一模式，此时复合阳极结构30处于第一状态D1。在检测到光学电子元件400未启动而处于未工作状态时，显示装置处于第二模式，此时复合阳极结构30处于第二状态。

在具体实施过程中，本发明实施例提供的显示装置可以为如图31所示的手机，当然，本发明实施例提供的显示装置还可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

在本发明实施例提供的显示面板以及显示装置中，在垂直于显示面板且指向位于第一显示区发光器件的发光面的方向上，复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、功能调节层和第二电极层，其中，功能调节层包括多个银纳米棒，而包括多个银纳米棒的复合阳极结构包括第一状态和第二状态，且该复合阳极结构在第一状态下的光透过率大于在第二状态下的光透过率。也就是说，通过包括多个银纳米棒的功能调节层来实现对第一显示区对应的复合阳极结构的透光率的调节，从而实现了对第一显示区对应的复合阳极结构在第一状态下的光透过率的提高，进而提高了成像质量。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一显示区和第二显示区；

位于所述第一显示区的发光器件；所述发光器件包括复合阳极结构；

在垂直于所述显示面板且指向所述发光器件的发光面的方向上，所述复合阳极结构包括依次层叠设置的第一电极层、功能调节层和第二电极层；其中，所述功能调节层包括多个银纳米棒，在磁场或电场的作用下，所述多个银纳米棒偏转，所述复合阳极结构可以在第一状态和第二状态之间切换，所述复合阳极结构在所述第一状态下的光透过率大于在所述第二状态下的光透过率。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括信号层，所述信号层与所述复合阳极结构同层设置，且所述信号层在所述显示面板所在平面的正投影围绕所述复合阳极结构在所述显示面板所在平面的正投影，所述信号层为具有开口的环形结构。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述信号层通过所述开口接入电信号，接入电信号的所述信号层产生的磁场驱动所述银纳米棒偏转。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述银纳米棒沿第一方向的最大长度大于沿第二方向的最大长度；

所述第一方向为在所述第二状态下所述银纳米棒的延伸方向，所述第二方向为垂直所述第一电极层的方向。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

沿第一方向，所述银纳米棒包括相对设置的第一端和第二端；

所述银纳米棒包括由同一所述银纳米棒的所述第一端指向所述第二端的中轴线；

在所述第一状态下，所述中轴线与所述第一电极层所在平面的夹角为θ₁，其中0°<θ₁≤90°；

在所述第二状态下，所述中轴线与所述第一电极层所在平面的夹角为θ₂，其中θ₂＝0°；

所述第一方向为在所述第二状态下所述银纳米棒的延伸方向。

6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

沿第一方向，所述银纳米棒包括相对设置的第一端和第二端；

所述第一端设置有第一磁子，所述第二端与所述第一电极层固定连接；

所述第一方向为在所述第二状态下所述银纳米棒的延伸方向。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二端设置有第二磁子，所述第二磁子与所述第一磁子的磁性相反。

8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，若所述第一磁子为S极磁子，在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述信号层无电信号；在所述复合阳极结构处于所述第一状态下，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层的电流方向为顺时针的方向。

9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，若所述第一磁子为N极，在所述复合阳极结构处于所述第二状态下，所述信号层无电信号；在所述复合阳极结构处于所述第一状态下，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层的电流方向为逆时针的方向。

10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，

所述复合阳极结构由所述第二状态切换为所述第一状态时，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层从无电信号切换为所述顺时针方向的电流；

所述复合阳极结构由所述第一状态切换为所述第二状态时，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层的电流方向由所述顺时针方向的电流切换为无电信号，或者所述信号层由所述顺时针方向的电流切换为逆时针方向的电流。

11.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述复合阳极结构由所述第二状态切换为所述第一状态，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层从无电信号切换为所述逆时针方向的电流；所述复合阳极结构由所述第一状态切换为所述第二状态，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层由所述逆时针方向的电流切换为无电信号，或者所述信号层由所述逆时针方向的电流切换为顺时针方向的电流。

12.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述复合阳极结构由所述第二状态切换为所述第一状态，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层从无电信号切换为顺时针方向的电流；所述复合阳极结构由所述第一状态切换为所述第二状态，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层由所述顺时针方向的电流切换为无电信号，或者所述信号层由所述顺时针方向的电流切换为与逆时针的电流；

或，所述复合阳极结构由所述第二状态切换为所述第一状态，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层从无电信号切换为逆时针方向的电流；所述复合阳极结构由所述第一状态切换为所述第二状态，从所述显示面板的出光面朝向所述显示面板的方向上，所述信号层由所述逆时针方向的电流切换为无电信号，或者所述信号层由所述逆时针方向的电流切换为所述顺时针的电流。

13.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

沿第一方向，所述银纳米棒包括相对设置的第一端和第二端；

所述第一端设置有正电荷，所述第二端与所述第一电极层固定连接，所述第一状态下，所述第一电极层接收第一电压，所述第二电极层接收第二电压，所述第一电压大于所述第二电压；

或沿第一方向，所述银纳米棒包括相对设置的第一端和第二端；

所述第一端设置有负电荷，所述第二端与所述第一电极层固定连接，所述第一状态下，所述第一电极层接收第三电压，所述第二电极层接收第四电压，所述第三电压小于所述第四电压；

所述第一方向为在所述第二状态下所述银纳米棒的延伸方向。

14.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

沿第一方向，所述银纳米棒包括相对设置的第一端和第二端；

所述第一端设置有正电荷所述第二端设置有负电荷，所述第一状态下，所述第一电极层接收第五电压，所述第二电极层接收第六电压，所述第五电压与所述第六电压不相等；

所述第一方向为在所述第二状态下所述银纳米棒的延伸方向。

15.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述信号层并联连接的至少一层金属膜层。

16.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述银纳米棒的形状包括哑铃状、棒状和梭状中的至少一种。

17.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述银纳米棒沿所述第一方向的延伸长度为大于或者等于100nm。

18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-17任一项所述的显示面板；

所述显示装置包括第一模式和第二模式，在所述显示装置处于所述第一模式时，所述复合阳极结构处于所述第一状态；在所述显示装置处于所述第二模式时，所述复合阳极结构处于所述第二状态。

19.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置还包括光学电子元件，所述光学电子元件位于所述第一显示区，且所述光学电子元件位于所述发光器件的远离所述显示面板的发光面的一侧。

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