TWI653755B - 顯示裝置、其製造方法及電子機器 - Google Patents

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TWI653755B
TWI653755B TW103124170A TW103124170A TWI653755B TW I653755 B TWI653755 B TW I653755B TW 103124170 A TW103124170 A TW 103124170A TW 103124170 A TW103124170 A TW 103124170A TW I653755 B TWI653755 B TW I653755B
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甚田誠一郎
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日商新力股份有限公司
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Abstract

本發明之顯示裝置包括：發光元件；及驅動電晶體，其具有連接部、及經由該連接部串聯連接之複數個通道部，且對發光元件供給驅動電流。

Description

顯示裝置、其製造方法及電子機器
本揭示係關於一種具有電流驅動型之顯示元件之顯示裝置、及此種顯示裝置之製造方法、以及具備此種顯示裝置之電子機器。
近年來，於進行圖像顯示之顯示裝置之領域中，開發了使用發光亮度根據流動之電流值變化之電流驅動型之光學元件、例如有機EL(Electro Luminescence，電致發光)元件作為發光元件的顯示裝置(有機EL顯示裝置)，並推進商品化。發光元件與液晶元件等不同而為自發光元件，無需另行設置光源(背光源)。因此，有機EL顯示裝置與需要光源之液晶顯示裝置相比，具有圖像之視認性高、消耗電力低、且元件之響應速度快等特徵。
於此種顯示裝置中，有如下者，其包括：寫入電晶體，其用以選擇例如應寫入像素信號之單位像素；及驅動電晶體，其對發光元件供給電流。例如，專利文獻1中揭示有使驅動電晶體之電流驅動能力低於寫入電晶體之電流驅動能力之顯示裝置。又，例如，專利文獻2中揭示有使驅動電晶體之通道長L較寫入電晶體之通道長L更長之顯示裝置。又，例如，專利文獻3中揭示有如下顯示裝置，即，進而設置交流用電晶體，使驅動電晶體之通道長L與通道寬W之比(L/W)大於交流用電晶體之通道長L與通道寬W之比(L/W)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-308030號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-46427號公報
[專利文獻3]日本專利特開2005-202371號公報
然而，於顯示裝置中，一般而言希望畫質較高，並期待畫質進一步提高。
因此，希望提供一種可提高畫質之顯示裝置、顯示裝置之製造方法及電子機器。
本揭示之一實施形態之顯示裝置包括發光元件、及驅動電晶體。驅動電晶體包括連接部、及經由該連接部而串聯連接之複數個通道部，且對發光元件供給驅動電流。
本揭示之一實施形態之顯示裝置之製造方法形成具有連接部及經由該連接部而串聯連接之複數個通道部之驅動電晶體、及對驅動電晶體之閘極電極傳送像素電壓之寫入電晶體，且形成由驅動電晶體供給電流之發光元件。
本揭示之一實施形態之電子機器係具備上述顯示裝置者，例如電視裝置、數位相機、個人電腦、攝錄影機或行動電話等移動終端裝置等與之相當。
於本揭示之一實施形態之顯示裝置、顯示裝置之製造方法、及電子機器中，發光元件自驅動電晶體被供給驅動電流。該驅動電晶體具有連接部、及經由該連接部而串聯連接之複數個通道部。
根據本揭示之一實施形態之顯示裝置、顯示裝置之製造方法及電子機器，由於使用具有連接部、及經由該連接部而串聯連接之複數個通道部的驅動電晶體，故而可提高畫質。再者，此處所記載之效果未必受到限定，亦可具有本揭示中所記載之任一效果。
1‧‧‧顯示裝置
1H‧‧‧1水平期間
2‧‧‧顯示裝置
3‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧顯示部
11‧‧‧子像素
11A‧‧‧子像素
11B‧‧‧子像素
11W‧‧‧子像素
11R‧‧‧子像素
11G‧‧‧子像素
11Y‧‧‧子像素
12‧‧‧子像素
15R、15G、15B、15W‧‧‧電路區域
16R、16G、16B、16W‧‧‧電路區域
20‧‧‧電路區域
21‧‧‧影像信號處理部
22‧‧‧時序產生部
23‧‧‧掃描線驅動部
26‧‧‧電源線驅動部
27‧‧‧資料線驅動部
30‧‧‧發光元件
50‧‧‧顯示部
60‧‧‧顯示部
71~74‧‧‧周邊電路
99‧‧‧玻璃基板
200‧‧‧透明基板
201‧‧‧閘極
202‧‧‧絕緣層
203‧‧‧多晶矽
204‧‧‧通絕緣層
205‧‧‧接點
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧陽極
212B‧‧‧陽極
212G‧‧‧陽極
212R‧‧‧陽極
212W‧‧‧陽極
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧黃色發光層
214A‧‧‧黃色發光層
215‧‧‧藍色發光層
216‧‧‧陰極
217‧‧‧絕緣層
218‧‧‧彩色濾光片
219‧‧‧黑矩陣
220‧‧‧透明基板
221‧‧‧絕緣層
230‧‧‧發光層
240‧‧‧發光層
250‧‧‧發光層
301‧‧‧閘極
302‧‧‧絕緣層
303‧‧‧多晶矽
304‧‧‧絕緣層
305‧‧‧閘極
306‧‧‧絕緣層
307‧‧‧多晶矽
308‧‧‧絕緣層
309‧‧‧接點
310‧‧‧接點
311‧‧‧接點
312‧‧‧接點
321‧‧‧閘極
322‧‧‧絕緣層
323‧‧‧多晶矽
324‧‧‧絕緣層
325‧‧‧多晶矽
326‧‧‧絕緣層
327‧‧‧閘極
328‧‧‧絕緣層
329‧‧‧接點
330‧‧‧接點
331‧‧‧接點
332‧‧‧接點
341‧‧‧絕緣層
342‧‧‧多晶矽
343‧‧‧絕緣層
344‧‧‧閘極
345‧‧‧絕緣層
346‧‧‧多晶矽
347‧‧‧絕緣層
349‧‧‧接點
350‧‧‧接點
351‧‧‧接點
352‧‧‧接點
401‧‧‧多晶矽
402‧‧‧絕緣層
403‧‧‧絕緣層
404‧‧‧閘極
405‧‧‧絕緣層
412‧‧‧絕緣層
412A‧‧‧絕緣層
413‧‧‧絕緣層
432‧‧‧絕緣層
433‧‧‧閘極
434‧‧‧絕緣層
435‧‧‧閘極
501‧‧‧導電層
502‧‧‧絕緣層
503‧‧‧多晶矽
504‧‧‧絕緣層
505‧‧‧閘極
506‧‧‧絕緣層
510‧‧‧影像顯示畫面部
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
CH‧‧‧通道
Cs‧‧‧電容元件
D1‧‧‧掃描方向
DRTr‧‧‧驅動電晶體
DRTr2‧‧‧驅動電晶體
DRTr2A‧‧‧驅動電晶體
DRTr2B‧‧‧驅動電晶體
DRTr2C‧‧‧驅動電晶體
DRTr3A‧‧‧驅動電晶體
DRTr3B‧‧‧驅動電晶體
DS‧‧‧電源信號
DSTr‧‧‧電源電晶體
DTL‧‧‧資料線
E‧‧‧能量
LB1‧‧‧光束
P1‧‧‧寫入期間
P2‧‧‧發光期間
P11‧‧‧寫入期間
P12‧‧‧發光期間
PL‧‧‧電源線
Pix‧‧‧像素
Sdisp‧‧‧影像信號
Sdisp2‧‧‧影像信號
Sig‧‧‧信號
Ssync‧‧‧同步信號
t1‧‧‧時序
t2‧‧‧時序
t3‧‧‧時序
t11‧‧‧時序
t12‧‧‧時序
Vcath‧‧‧電壓
Vccp‧‧‧電壓
Vg‧‧‧閘極電壓
Vini‧‧‧電壓
Vs‧‧‧源極電壓
Vsig‧‧‧像素電壓
W1‧‧‧折返部分
WIN‧‧‧開口部
WS‧‧‧掃描信號
WSL‧‧‧掃描線
WSTr‧‧‧寫入電晶體
WSTr2‧‧‧寫入電晶體
WSTr2A‧‧‧寫入電晶體
WSTr2B‧‧‧寫入電晶體
WSTr2C‧‧‧寫入電晶體
WSTr3A‧‧‧寫入電晶體
WSTrP‧‧‧寫入電晶體
圖1係表示本揭示之第1實施形態之顯示裝置之一構成例之方塊圖。
圖2係表示圖1所示之子像素之一構成例之電路圖。
圖3係表示圖1所示之顯示部之概略剖面構造之剖面圖。
圖4A係表示圖1所示之像素之一構成例之示意圖。
圖4B係表示圖1所示之像素之一構成例之另一示意圖。
圖4C係表示圖1所示之像素之另一構成例之示意圖。
圖5係表示電路區域之一構成例之說明圖。
圖6係表示圖2所示之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖7(A)-(E)係表示圖1所示之顯示裝置之一動作例之時序波形圖。
圖8係用以說明ELA裝置之掃描之說明圖。
圖9A係表示圖2所示之驅動電晶體之朝向之一例之說明圖。
圖9B係表示圖2所示之驅動電晶體之朝向之另一例之說明圖。
圖10係表示第1實施形態之變化例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖11係表示第1實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖12A係表示第1實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成例之概略剖面圖。
圖12B係表示第1實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成例之概略剖面圖。
圖12C係表示第1實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成例之概略剖面圖。
圖13係表示第1實施形態之另一變化例之電路區域之一構成例之說明圖。
圖14係表示圖13所示之電路區域中之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖15係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖16A係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖16B係表示圖16A所示之像素之一構成例之另一示意圖。
圖17A係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖17B係表示圖17A所示之像素之一構成例之另一示意圖。
圖18A係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖18B係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖18C係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖18D係表示圖18A~18C所示之像素之一構成例之另一示意圖。
圖19A係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖19B係表示第1實施形態之另一變化例之像素之一構成例之示意圖。
圖19C係表示圖19A、19B所示之像素之一構成例之另一示意圖。
圖20A係表示第1實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖20B係表示第1實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成 例之俯視圖。
圖21係表示第2實施形態之電晶體之概略剖面構造之剖面圖。
圖22(A)-(C)係表示圖21所示之電晶體之製造步驟之說明圖。
圖23係表示第2實施形態之變化例之電晶體之概略剖面構造之剖面圖。
圖24(A)-(D)係表示圖23所示之電晶體之製造步驟之說明圖。
圖25係表示第2實施形態之變化例之電晶體之概略剖面構造之剖面圖。
圖26(A)-(D)係表示圖25所示之電晶體之製造步驟之說明圖。
圖27係表示第2實施形態之變化例之電晶體之概略剖面構造之剖面圖。
圖28(A)-(C)係表示圖27所示之電晶體之製造步驟之說明圖。
圖29係表示第3實施形態之電晶體之晶粒之說明圖。
圖30係表示第3實施形態之顯示裝置之安裝例之示意圖。
圖31係表示第3實施形態之變化例之電晶體之概略剖面構造之剖面圖。
圖32係表示圖31所示之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖33係表示第3實施形態之另一變化例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖34係表示應用實施形態之顯示裝置之電視裝置之外觀構成之立體圖。
圖35係表示變化例之子像素之一構成例之電路圖。
圖36(A)-(D)係表示具有圖35所示之子像素之顯示裝置之一動作例之時序波形圖。
圖37係表示另一變化例之子像素之一構成例之電路圖。
圖38A係表示參考例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖38B係表示另一參考例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖38C係表示另一參考例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
圖38D係表示另一參考例之驅動電晶體之一構成例之俯視圖。
以下，參照圖式對本揭示之實施形態詳細地進行說明。再者，說明係按以下順序進行。
1.第1實施形態
2.第2實施形態
3.第3實施形態
4.應用例
<1.第1實施形態>
[構成例]
圖1係表示第1實施形態之顯示裝置之一構成例者。顯示裝置1係使用有機EL元件之主動矩陣方式之顯示裝置。再者，本揭示之實施形態之顯示驅動方法及顯示裝置之製造方法係藉由本實施形態而具體化，因此，一併進行說明。
顯示裝置1具備顯示部10、及驅動部20。驅動部20具有影像信號處理部21、時序產生部22、掃描線驅動部23、電源線驅動部26、及資料線驅動部27。
顯示部10係複數個像素Pix配置成矩陣狀者。各像素Pix包括紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)之4個子像素11(11R、11G、11B、11W)。於此例中，該等4個子像素11R、11G、11B、11W於像素Pix中以2列2行配置。具體而言，於像素Pix中，於左上方配置有紅色(R)之子像素11R，於右上方配置有綠色(G)之子像素11G，於左下方配置有藍色(B)之子像素11B，於右下方配置有白色(W)之子像素11W。
圖2係表示子像素11之電路構成之一例者。顯示部10包括沿列方 向延伸之複數條掃描線WSL及複數條電源線PL、及沿行方向延伸之複數條資料線DTL。雖未圖示，但資料線DTL之一端連接於資料線驅動部27，掃描線WSL之一端連接於掃描線驅動部23，電源線PL之一端連接於電源線驅動部26。各子像素11配置於掃描線WSL與資料線DTL之交叉部。
子像素11具備寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、發光元件30、及電容元件Cs。即，於此例中，子像素11係具有使用2個電晶體(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr)及1個電容元件Cs構成之所謂「2Tr1C」之構成者。
寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr係由例如N通道MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)型之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)構成。寫入電晶體WSTr之閘極連接於掃描線WSL，源極連接於資料線DTL，汲極連接於驅動電晶體DRTr之閘極及電容元件Cs之一端。驅動電晶體DRTr之閘極連接於寫入電晶體WSTr之汲極及電容元件Cs之一端，汲極連接於電源線PL，源極連接於電容元件Cs之另一端及發光元件30之陽極。
電容元件Cs之一端連接於驅動電晶體DRTr之閘極等，另一端連接於驅動電晶體DRTr之源極等。發光元件30係使用有機EL元件構成之發光元件，陽極連接於驅動電晶體DRTr之源極及電容元件Cs之另一端，藉由驅動部20而對陰極供給作為直流電壓之電壓Vcath。該發光元件30發出白色光。即，於此例中，如下所述，子像素11R、11G、11B、11W藉由發出白色光之發光元件30及彩色濾光片218(下述)而分別產生紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、及白色(W)光。
圖3係表示顯示部10之剖面圖者。顯示部10包括透明基板200、閘極201、多晶矽203、陽極212、發光層230、陰極216、及彩色濾光片218。
透明基板200係顯示部10之支持基板，例如由玻璃或塑膠等構成。再者，於此例中，使用透明基板200，亦可代之以使用例如金屬板等不透明之基板。於透明基板200上選擇性地形成有閘極201。該閘極201例如包含鉬(Mo)等。於透明基板200及閘極201上形成有絕緣層202。該絕緣層202例如包括氧化矽(SiO2)、或氮化矽(SiNx)等。於該絕緣層202上以覆蓋與閘極201對應之區域之方式形成有多晶矽203。閘極201及多晶矽203構成驅動電晶體DRTr等。再者，於此例中，藉由於多晶矽203之下部形成閘極201之所謂底閘極構造構成電晶體，但並不限定於此，亦可藉由於多晶矽之上部形成閘極之所謂頂閘極構造構成電晶體。於多晶矽203及絕緣層202之上形成有絕緣層204。該絕緣層204例如由與絕緣層202同樣之材料構成。又，於形成有多晶矽203之區域之一部分以貫通絕緣層204之方式形成有接點/配線205。配線205例如可包含鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)3層。
於絕緣層204之上形成有絕緣層211。絕緣層211例如包含聚醯亞胺或丙烯酸樹脂等。於絕緣層211上選擇性地形成有陽極212。陽極212貫通絕緣層211而與驅動電晶體DRTr之源極之接點/配線205連接。陽極212例如包含ITO/Al合金、Al合金、ITO/Ag、ITO/Ag合金等。即，陽極212較理想為具有反射光之性質。於陽極212及絕緣層211之上形成有絕緣層213。絕緣層213例如係包含與絕緣層211同樣之材料。於該絕緣層213中，於形成有陽極212之區域之一部分設置有開口部WIN。於陽極212及絕緣層213之上部，同樣地形成有包括黃色發光層214及藍色發光層215之發光層230。黃色發光層214係發出黃色(Y)光之有機EL層，包含發出黃色光之材料。藍色發光層215係發出藍色(B)光之有機EL層，包含發出藍色光之材料。再者，於此例中，於黃色發光層214之上積層有藍色發光層215，但並不限定於此，亦可代之以例如於藍色發光層215之上積層黃色發光層214。於藍色發光層215 上同樣地形成有陰極216。陰極216係透明或半透明之電極，例如，可包含鎂銀(MgAg)、或IZO(註冊商標)。於包含鎂銀之情形時，可藉由將膜厚設為例如數nm左右而使之半透明。於包含IZO之情形時，較理想為以例如數十nm~數千nm之膜厚形成。即，由於IZO為透明之材料，故而為了能實現所需之較低之薄片電阻值可形成地稍厚。於陰極216之上形成有絕緣層217。絕緣層217例如包含氮化矽(SiNx)等。絕緣層217係為了防止水分滲入發光層230使發光效率等特性變化而設置。再者，於因該水分之滲入引起之諸問題可利用其它技術解決之情形時，亦可省略該絕緣層217。於該絕緣層217上介隔作為密封用之樹脂之絕緣層221而貼合有表面形成有彩色濾光片218或黑矩陣219之透明基板220。由於該透明基板220如下述般設置於射出光之面，故而使用具有透明性之基板。紅色(R)之彩色濾光片218配置於與子像素11R對應之部分，綠色(G)之彩色濾光片218配置於與子像素11G對應之部分，藍色(B)之彩色濾光片218配置於與子像素11B對應之部分，白色(W)之彩色濾光片218配置於與子像素11W對應之部分。
圖4A係示意地表示像素Pix之構成者，圖4B係示意地表示像素Pix之剖面構造者。如此，於像素Pix中，自黃色發光層214射出之黃色光與自藍色發光層215射出之藍色光混合而變為白色光，並向與作為支持基板之透明基板200相反之方向行進。即，發光元件19係所謂頂部發光型之發光元件。而且，該白色光經由彩色濾光片218而自顯示面輸出。具體而言，於子像素11R、11G、11B中，藉由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之彩色濾光片218而自白色光分別分離出紅色分量、綠色分量、藍色分量並輸出。又，於子像素11W中，藉由白色(W)之彩色濾光片218而調整白色光之色域。再者，於對畫質(色域)之要求不那麼高之應用等中，亦可不設置白色(W)之彩色濾光片218。
再者，於此例中，利用發出黃色(Y)光之材料構成黃色發光層 214，但並不限定於此，亦可代之以例如如圖4C所示，藉由於發出紅色(R)光之材料中摻雜發出綠色(G)光之材料，或藉由於發出綠色(G)光之材料中摻雜發出紅色(R)光之材料而構成黃色發光層214A。於此情形時，亦可變更所積層之發光層之順序。
圖5係表示像素Pix中之陽極212之配置者。於像素Pix中設置有4個電路區域15R、15G、15B、15W、及4個陽極212R、212G、212B、212W。
電路區域15R係子像素11R中之配置發光元件30以外之元件(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、及電容元件Cs)之區域。同樣地，電路區域15G係子像素11G中之配置發光元件30以外之元件之區域，電路區域15B係子像素11B中之配置發光元件30以外之元件之區域，電路區域15W係子像素11W中之配置發光元件30以外之元件之區域。寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、及電容元件Cs以相同佈局配置於該等電路區域15R、15G、15B、15W。如此，藉由利用相同佈局，可提高佈局作業之效率。
陽極212R為子像素11R之陽極212，陽極212G為子像素11G之陽極212，陽極212B為子像素11B之陽極212，陽極212W為子像素11W之陽極212。該等陽極212R、212G、212B、212W分別經由接點205而與形成於電路區域15R、15G、15B、15W之驅動電晶體DRTr之源極連接。
圖6係表示驅動電晶體DRTr之一構成例者。驅動電晶體DRTr之多晶矽203形成為藉由於未形成閘極201之區域折返而與閘極201重疊三次。該多晶矽203之折返部分W1於製造時被注入離子而電阻值變低。即，多晶矽203中之與閘極201重疊之部分作為實效通道CH而發揮功能。藉此，於驅動電晶體DRTr中，經串聯連接之3個通道CH於與延伸方向交叉之方向上並列設置。又，如下所述，於顯示裝置1中，以使 通道CH彼此向相同之方向延伸之方式形成顯示部10內之所有驅動電晶體DRTr。藉由此種構成，於顯示裝置1中，可有效地利用有限空間構成通道長L較長之驅動電晶體DRTr，且可如下述般提高畫質。
如圖1所示，驅動部20係基於自外部供給之影像信號Sdisp及同步信號Ssync驅動顯示部10者。該驅動部20具備影像信號處理部21、時序產生部22、掃描線驅動部23、電源線驅動部26、及資料線驅動部27。
影像信號處理部21係對自外部供給之影像信號Sdisp進行特定之信號處理，產生影像信號Sdisp2者。作為該特定之信號處理，例如可列舉伽瑪校正、或過驅校正等。
時序產生部22係如下電路，即，基於自外部供給之同步信號Ssync，對掃描線驅動部23、電源線驅動部26及資料線驅動部27分別供給控制信號，以其等彼此同步動作之方式進行控制。
掃描線驅動部23係根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條掃描線WSL依序施加掃描信號WS，藉此而依序選擇子像素11。
電源線驅動部26係根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條電源線PL依序施加電源信號DS，藉此進行子像素11之發光動作及消光動作之控制。電源信號DS係於電壓Vccp與電壓Vini之間躍遷。如下所述，電壓Vini係用以使子像素11初始化之電壓，電壓Vccp係用以於驅動電晶體DRTr中流動電流Ids而使發光元件30發光之電壓。
資料線驅動部27根據自影像信號處理部21供給之影像信號Sdisp2及自時序產生部22供給之控制信號，產生包含指示各子像素11之發光亮度之像素電壓Vsig的信號Sig，並施加於各資料線DTL。
藉由該構成，驅動部20如下述般於1水平期間內，對各子像素11進行像素電壓Vsig之寫入，發光元件30以與所寫入之像素電壓Vsig對應之亮度發光。
此處，通道CH與本揭示中之「通道部」之一具體例對應。折返部分W1與本揭示中之「連接部」之一具體例對應。
[動作及作用]
繼而，對本實施形態之顯示裝置1之動作及作用進行說明。
(整體動作概要)
首先，參照圖1，說明顯示裝置1之整體動作概要。影像信號處理部21對自外部供給之影像信號Sdisp進行特定之信號處理，而產生影像信號Sdisp2。時序產生部22基於自外部供給之同步信號Ssync對掃描線驅動部23、電源線驅動部26、及資料線驅動部27分別供給控制信號，以其等彼此同步動作之方式進行控制。掃描線驅動部23根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條掃描線WSL依序施加掃描信號WS，藉此依序選擇子像素11。電源線驅動部26根據自時序產生部22供給之控制信號對複數條電源線PL依序施加電源信號DS，藉此而進行子像素11之發光動作及消光動作之控制。資料線驅動部27根據自影像信號處理部21供給之影像信號Sdisp2及自時序產生部22供給之控制信號，產生包含與各子像素11之亮度對應之像素電壓Vsig之信號Sig，並施加於各資料線DTL。顯示部10基於自驅動部20供給之掃描信號WS、電源信號DS、及信號Sig進行顯示動作。
(詳細動作)
其次，說明顯示裝置1之詳細動作。
圖7係表示顯示裝置1中之顯示動作之時序圖者，(A)表示掃描信號WS之波形，(B)表示電源信號DS之波形，(C)表示信號Sig之波形，(D)表示驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之波形，(E)表示驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之波形。
驅動部20於1水平期間(1H)內，對子像素11進行像素電壓Vsig之寫入(寫入期間P1)。然後，其後，子像素11之發光元件30以與所寫入 之像素電壓Vsig對應之亮度發光(發光期間P2)。以下，對其詳細情況進行說明。
首先，驅動部20於時序t1~t2之期間(寫入期間P1)進行對子像素11之像素電壓Vsig之寫入。具體而言，首先，資料線驅動部27於時序t1將信號Sig設定為像素電壓Vsig(圖7(C))，掃描線驅動部23使掃描信號WS之電壓自低位準向高位準變化(圖7(A))。藉此，寫入電晶體WSTr變為接通狀態，而將驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定為電壓Vsig(圖7(D))。又，與此同時，電源線驅動部26使電源信號DS自電壓Vccp變化為電壓Vini(圖7(B))。藉此，驅動電晶體DRTr變為接通狀態，而將驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs設定為電壓Vini(圖7(E))。
其次，掃描線驅動部23於時序t2，使掃描信號WS之電壓自高位準變化為低位準(圖7(A))。藉此，寫入電晶體WSTr變為斷開狀態，驅動電晶體DRTr之閘極浮動，此後，維持電容元件Cs之端子間電壓、即驅動電晶體DRTr之閘極‧源極間電壓Vgs。
其次，驅動部20於時序t3以後之期間(發光期間P2)，使子像素11發光。具體而言，於時序t3，電源線驅動部26使電源信號DS自電壓Vini變化為電壓Vccp(圖7(B))。藉此，於驅動電晶體DRTr流動電流Ids，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs上升(圖7(E))，伴隨於此，驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg亦上升(圖7(D))。而且，若驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs大於發光元件30之閾值電壓Vel與電壓Vcath之和(Vel+Vcath)，則於發光元件30之陽極‧陰極間流動電流，發光元件30發光。即，源極電壓Vs僅上升與發光元件30之元件差異對應之量，而使發光元件30發光。
其後，於顯示裝置1中，經過特定之期間(1圖框期間)之後，自發光期間P2移行至寫入期間P1。驅動部20以重複該一系列之動作之方式驅動。
(對於畫質)
其次，對顯示裝置1之畫質進行說明。資料線驅動部27根據影像信號Sdisp2等，產生包含指示各子像素11之發光亮度之像素電壓Vsig的信號Sig，並施加於各資料線DTL。此時，有因顯示裝置1之製造時之元件之特性差異而導致像素電壓Vsig於每條資料線DTL出現差異之情形。即便於此情形時，於顯示裝置1中，如圖7所示，由於將複數個通道CH串聯連接而構成驅動電晶體DRTr，故而亦可減少畫質降低之虞。以下，對其詳細情況進行說明。
如圖7所示，於子像素11中，於寫入期間P1，將驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定為像素電壓Vsig，將源極電壓Vs設定為特定之電壓Vini。而且，此時之閘極‧源極間電壓Vgs(=Vsig-Vini)於發光期間P2亦得以維持，於發光期間P2，驅動電晶體DRTr使與該閘極‧源極間電壓Vgs對應之汲極電流Ids流向發光元件30。此時，驅動電晶體DRTr於所謂飽和區域動作。飽和區域之驅動電晶體DRTr之汲極電流Ids一般而言可由下式表示。
此處，W為通道寬，L為通道長，Cox為每單位面積之閘極絕緣膜電容，μ為移動度，Vth為閾值。而且，發光元件30以與該汲極電流Ids對應之亮度發光。
由此，於像素電壓Vsig於每條資料線DTL出現差異之情形時，汲極電流Ids出現差異，而子像素11之亮度於子像素11之每行出現差異。因此，例如有於顯示圖像中產生沿子像素11之行方向延伸之條 紋，而使畫質降低之虞。
於顯示裝置1中，由於將複數個通道CH串聯連接而構成驅動電晶體DRTr，故而可有效地利用有限之空間而實現通道長L較長之驅動電晶體DRTr，因此，可減少畫質降低之虞。即，例如，於藉由一個通道CH構成驅動電晶體DRTr之情形時，驅動電晶體DRTr之通道長會根據電路區域15R、15G、15B、15W之大小而受到制約，因此，難以實現通道長L較長之驅動電晶體DRTr。尤其是，於將驅動電晶體DRTr與資料線DTL、掃描線WSL、及電源線PL等各種配線形成於相同層之情形時，驅動電晶體DRTr之通道長會因該等配線而進一步受到制約，通道長L會變短。另一方面，於本實施形態之顯示裝置1中，由於將複數個通道CH串聯連接而構成驅動電晶體DRTr，故而可有效地利用有限之空間而實現通道長L較長之驅動電晶體DRTr。藉此，於驅動電晶體DRTr中，如式(1)所示，可降低閘極‧源極間電壓Vgs對汲極電流Ids之感度。由此，即便像素電壓Vsig於每條資料線DTL出現差異，亦可抑制汲極電流Ids之差異，而可抑制子像素11之亮度於每行之差異。其結果，例如，於顯示圖像中，可減少產生沿子像素11之行方向延伸之條紋之虞，而可減少畫質降低之虞。
又，由於如此使驅動電晶體DRTr之通道長L較長，故而可抑制驅動電晶體DRTr本身之特性差異，因此，可抑制因該特性差異導致之畫質降低。
又，於顯示裝置1中，以通道CH彼此沿相同方向延伸之方式形成顯示部10內之所有驅動電晶體DRTr。藉此，可抑制驅動電晶體DRTr之特性差異(閾值電壓Vth、移動度μ等之差異)，因此，可減少畫質降低之虞。以下，對其詳細情況進行說明。
驅動電晶體DRTr之特性差異例如因電晶體之形成步驟中之多晶矽203之形成步驟而受到較大影響。於此步驟中，首先，於絕緣層 202(圖3)上形成非晶矽層。然後，藉由利用ELA(Excimer Laser Anneal，準分子雷射退火)裝置對該非晶矽層進行退火處理而形成多晶矽203。然後，藉由離子植入裝置對該多晶矽203中之通道CH及其鄰近之LDD(Lightly Doped Drain，輕微摻雜的汲極)注入離子。然後，藉由離子摻雜裝置對該多晶矽203中之接點205附近注入離子。此時，利用ELA裝置之處理不會對驅動電晶體DRTr之特性差異造成影響。
圖8係示意地表示利用ELA裝置進行之處理者。該圖8表示於較大之玻璃基板99形成複數個顯示部10之情形。如圖8所示，ELA裝置一面以例如數百Hz左右接通斷開短條狀之雷射光束(光束LB1)，一面沿掃描方向D1掃描玻璃基板99，藉此，對玻璃基板99整個面進行退火處理。具體而言，於此掃描時，以某次射出時之短條狀之光束LB1與上一次射出時之短條狀之光束LB1局部地重疊之方式錯開射出。此時，雷射光束之能量E於每1次射出時產生差異，因此，有與掃描方向D1相同之方向上之能量E之均一性和與掃描方向D1交叉之方向上之能量E之均一性互不相同之虞。其結果，有通道CH沿與掃描方向D1相同之方向延伸之驅動電晶體之特性和通道CH沿與掃描方向D1交叉之方向延伸之驅動電晶體之特性互不相同之虞。
圖9A、9B係表示各子像素11中之驅動電晶體DRTr之配置與掃描方向D1之關係者。於圖9A之構成中，以沿與掃描方向D1正交之方向延伸之方式形成驅動電晶體DRTr之通道CH。又，於圖9B之構成中，以沿與掃描方向D1相同之方向延伸之方式形成驅動電晶體DRTr之通道CH。如此，於顯示部10，以通道CH彼此沿相同方向延伸之方式形成顯示部10內之所有驅動電晶體DRTr。換言之，於顯示部10中，未混合存在通道CH之延伸方向互不相同之複數個驅動電晶體DRTr。藉此，於顯示裝置1中，可抑制驅動電晶體DRTr間之特性差異，而可減 少因驅動電晶體DRTr之特性差異而導致畫質降低之虞。
如圖9A、9B所示，於此例中，使驅動電晶體DRTr之通道CH沿與掃描方向D1正交之方向(圖9A)、或與掃描方向D1相同之方向延伸，但並不限定於此，可朝向任何方向。該通道CH之朝向例如可考慮畫質等而決定。
又，於顯示裝置1中，由於將驅動電晶體DRTr之多晶矽203於未形成閘極201之區域折返，故而可抑制驅動電晶體DRTr之特性差異，而可減少畫質降低之虞。即，於製造步驟中，除通道CH以外，該折返部分W1(圖7)亦藉由ELA裝置而進行退火處理。由此，驅動電晶體DRTr之多晶矽203包含沿與掃描方向D1交叉之方向延伸之部分、及沿與掃描方向D1相同之方向延伸之部分兩者。然而，該折返部分W1係藉由注入離子而使電阻值降低且不作為通道CH發揮功能之部分，因此，對驅動電晶體DRTr之特性之影響較少。其結果，於顯示裝置1中，可抑制因該折返部分W1導致之驅動電晶體DRTr之特性差異，而可減少因驅動電晶體DRTr之特性差異而導致畫質降低之虞。
[效果]
如上所述，於本實施形態中，由於將複數個通道串聯連接而構成驅動電晶體，故而可有效地利用有限之空間，而實現通道長較長之驅動電晶體，因此可減少畫質降低之虞。
又，於上述實施形態中，由於將驅動電晶體之多晶矽於未形成閘極之區域折返，故而可抑制驅動電晶體之特性差異，因此，可減少畫質降低之虞。
又，於上述實施形態中，由於以通道彼此沿相同方向延伸之方式形成顯示部內之所有驅動電晶體，故而可抑制驅動電晶體之特性差異，因此可減少畫質降低之虞。
[變化例1-1]
於上述實施形態中，將3個通道CH串聯連接，但並不限定於此，亦可代之以將2個或4個以上之通道CH串聯連接。將2個通道CH串聯連接之情形之例示於圖10。於此情形時，亦可獲得與上述實施形態之情形同樣之效果。
[變化例1-2]
於上述實施形態中，如圖9所示，將驅動電晶體DRTr之通道CH之延伸方向設為圖9之縱方向，但並不限定於此。例如，如圖11所示，亦可將驅動電晶體DRTr之通道CH之延伸方向設為圖之橫方向。
[變化例1-3]
於上述實施形態中，藉由將串聯連接之複數個通道CH並列設置於同一層內而構成驅動電晶體DRTr，但並不限定於此，亦可代之以藉由設置於積層方向而構成驅動電晶體DRTr。以下，列舉幾個具體例對本變化例詳細地進行說明。
圖12A係表示本變化例之驅動電晶體DRTrA之概略剖面構造者。驅動電晶體DRTrA具有閘極301、305、及多晶矽303、307。閘極301選擇性地形成於透明基板200上。於透明基板200及閘極301上形成絕緣層302，於該絕緣層302上選擇性地形成有多晶矽303。於絕緣層202及多晶矽303上形成絕緣層304，於該絕緣層304上選擇性地形成有閘極305。於絕緣層304及閘極305上形成絕緣層306，於該絕緣層306上形成有多晶矽307。於絕緣層306及多晶矽307上形成有絕緣層308。又，於該圖12A中，於多晶矽303之左端及右端以貫通絕緣層304、306、308之方式分別形成接點309、312，同樣地，於多晶矽307之左端及右端以貫通絕緣層308之方式分別形成有接點310、311。而且，接點309與接點310於絕緣層308上相互連接。接點311例如係驅動電晶體DRTrA之汲極端子，接點312例如係驅動電晶體DRTrA之源極端子。而且，雖未圖示，但閘極301、305相互連接並且連接於閘極端 子。
藉此，閘極301、絕緣層302、及多晶矽303構成底閘極構造之電晶體，且閘極305、絕緣層306、及多晶矽307同樣地構成底閘極構造之電晶體。如此，於驅動電晶體DRTrA中，可將串聯連接之2個通道CH設置於積層方向。
再者，於該圖12A中，例如，絕緣層302之厚度於形成有閘極301之區域、與未形成閘極302之區域不同，但並不限定於此，例如，亦可與圖3同樣地，使絕緣層302之厚度大致相同。
圖12B係表示本變化例之驅動電晶體DRTrB之概略剖面構造者。驅動電晶體DRTrB具有閘極321、327、及多晶矽323、325。閘極321選擇性地形成於透明基板200上。於透明基板200及閘極321上形成有絕緣層322，於該絕緣層322上選擇性地形成有多晶矽323。於絕緣層222及多晶矽323之上形成有絕緣層324，於該絕緣層324上選擇性地形成有多晶矽325。於絕緣層324及多晶矽325之上形成有絕緣層326，於該絕緣層326上形成有閘極327。於絕緣層326及閘極327之上形成有絕緣層328。又，於該圖12B中，於多晶矽323之左端及右端以貫通絕緣層324、326、328之方式分別形成有接點329、332，同樣地，於多晶矽325之左端及右端，以貫通絕緣層326、328之方式分別形成有接點330、331。而且，接點329與接點330於絕緣層328上相互連接。接點331例如為驅動電晶體DRTrB之汲極端子，接點332例如為驅動電晶體DRTrB之源極端子。而且，雖未圖示，但閘極321、327相互連接並且連接於閘極端子。
藉此，閘極321、絕緣層322、及多晶矽323構成底閘極構造之電晶體，且閘極327、絕緣層326、及多晶矽325構成頂閘極構造之電晶體。如此，於驅動電晶體DRTrB中，可將串聯連接之2個通道CH設置於積層方向。
於該驅動電晶體DRTrB中，依序配置閘極321、多晶矽323、多晶矽325、及閘極327，因此，可實現簡單之動作。即，於上述變化例之驅動電晶體DRTrA中，依序配置閘極301、多晶矽303、閘極305、及多晶矽307，因此，有閘極305之電壓不僅控制多晶矽307之反轉層之產生，亦控制多晶矽305之反轉層之產生之虞。於此情形時，驅動電晶體DRTrA有變複雜之虞。另一方面，於驅動電晶體DRTrB中，將閘極321、327配置於多晶矽323、325之外側，因此，閘極321之電壓控制多晶矽323中之反轉層之產生，且閘極327之電壓控制多晶矽325中之反轉層之產生，因此，可實現簡單之動作。
圖12C係表示本變化例之驅動電晶體DRTrC之概略剖面構造者。驅動電晶體DRTrC具有閘極344、及多晶矽342、346。於透明基板200之上形成有絕緣層341，於該絕緣層341上選擇性地形成有多晶矽342。於絕緣層341及多晶矽342上形成有絕緣層343，於該絕緣層343上選擇性地形成有閘極344。於絕緣層243及閘極344上形成有絕緣層345，於該絕緣層345上選擇性地形成有多晶矽346。於絕緣層345及多晶矽346之上形成有絕緣層347。又，於該圖12C中，於多晶矽342之左端及右端以貫通絕緣層343、345、347之方式分別形成有接點349、352，同樣地，於多晶矽346之左端及右端，以貫通絕緣層347之方式分別形成有接點350、351。而且，接點349與接點350於絕緣層347上相互連接。接點351例如為驅動電晶體DRTrC之汲極端子，接點352例如為驅動電晶體DRTrC之源極端子。而且，雖未圖示，但閘極344連接於閘極端子。
藉此，閘極344、絕緣層343、及多晶矽342構成頂閘極構造之電晶體，閘極344、絕緣層345、及多晶矽346構成底閘極構造之電晶體。此時，閘極344之電壓控制2個多晶矽342、346中之反轉層之產生。如此，於驅動電晶體DRTrC中，可將串聯連接之2個通道CH設置 於積層方向。
於該驅動電晶體DRTrC中，依序配置多晶矽342、閘極344、多晶矽346，且藉由該閘極344之電壓而控制2個多晶矽342、346中之反轉層之產生。即，於上述變化例之驅動電晶體DRTrA、DRTrB中，設置有2個閘極，但於本變化例之驅動電晶體DRTRC中，僅設置有1個閘極。藉此，驅動電晶體DRTrC與上述變化例之驅動電晶體DRTrA、DRTrB不同，於製造時，形成閘極之步驟一次即可完成，因此可使製造步驟簡單。
[變化例1-4]
於上述實施形態中，如圖6所示，將4個電路區域15R、15G、15B、15W與4個陽極212R、212G、212B、212W同樣地以2列2行配置，但並不限定於此，亦可代之以例如如圖13、14所示，將4個陽極212R、212G、212B、212W以2列2行配置，且將4個電路區域16R、16G、16B、16W並排配置於1方向。於此例中，電路區域16R、16G、16B、16W係縱方向較長之形狀之區域，於橫方向上按照此順序並列設置。於該等電路區域16R、16G、16B、16W中，以相同佈局配置有寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、及電容元件Cs。具體而言，於此例中，電路區域16R、16B之佈局係使電路區域16G、16W之佈局旋轉180度而成者。陽極212R、212G、212B、212W分別經由接點205而與形成於電路區域16R、16G、16B、16W之驅動電晶體DRTr之源極連接。
如圖14所示，於此例中，驅動電晶體DRTr之多晶矽203形成為不折返而沿縱方向延伸。即，於此例中，將電路區域16R、16G、16B、16W分別設為縱方向較長之形狀的區域，因此，可不折返多晶矽203而形成通道長L較長之驅動電晶體DRTr。
[變化例1-5]
於上述實施形態中，將4個子像素11R、11G、11B、11W以2列2行配置，但並不限定於此，亦可代之以例如如圖15所示，將4個子像素11R、11G、11B、11W並排配置於1方向。於此例中，子像素11R、11G、11B、11W係縱方向較長之形狀者，於橫方向上按照此順序並列設置。於此情形時，對於電路區域，可如圖9所示般以2列2行配置，亦可如圖14所示般並排配置於1方向。
[變化例1-6]
於上述實施形態中，由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)之4個子像素11R、11G、11B、11W構成像素Pix，但並不限定於此，亦可代之以如圖16A、16B所示，由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之3個子像素11R、11G、11B構成。再者，發光層230之構成並不限定於此，亦可代之以例如如圖17A、17B所示之發光層240般，於與紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之彩色濾光片218對應之區域分別形成紅色發光層、綠色發光層、藍色發光層。
[變化例1-7]
於上述實施形態中，設置有發出白色(W)光之發光層230，但並不限定於此，亦可代之以例如如圖18A~18D所示般，設置具有發出黃色(Y)光之黃色發光層、及發出藍色(B)光之藍色發光層的發光層250。以下，對本變化例詳細地進行說明。
圖18A~18D係示意地表示使用紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、黃色(Y)之4個子像素11R、11G、11B、11Y構成像素Pix之例者，圖18A表示將4個子像素11R、11G、11B、11Y以2列2行配置之例，圖18B表示將4個子像素11R、11G、11B、11Y並排配置於1方向之例，圖18C表示將子像素11R、11Y、11G並排配置於橫方向，並且以於縱方向上與該等子像素11R、11Y、11G相鄰之方式配置子像素11B之例，圖18D表示圖18A~18C之情形時之像素Pix之剖面構造。於此情形時， 如圖18A~18D所示，於與紅色(R)、綠色(G)及黃色(Y)之彩色濾光片218對應之區域形成發出黃色(Y)光之黃色發光層，並且於與藍色(B)之彩色濾光片218對應之區域形成發出藍色(B)光之藍色發光層，藉此，可構成發光層250。藉此，於子像素11R中，藉由使黃色(Y)光通過紅色(R)之彩色濾光片218而射出紅色(R)光，於子像素11G中，藉由使黃色(Y)光通過綠色(G)之彩色濾光片218而射出綠色(G)光，於子像素11Y中，藉由使黃色(Y)光通過黃色(Y)之彩色濾光片218而射出黃色(Y)光，於子像素11B中，藉由使藍色(B)光通過藍色(B)之彩色濾光片218而射出藍色(B)光。再者，亦可省略黃色(Y)及藍色(B)之彩色濾光片218。
圖19A~19C係示意地表示使用紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之3個子像素11R、11G、11B構成像素Pix之例者，圖19A表示將子像素11R、11G、11B並排配置於橫方向之例，圖19B表示將子像素11R、11G並排配置於橫方向，並且以於縱方向上與該等子像素11R、11G相鄰之方式配置子像素11B之例，圖19C表示圖19A、19B之情形時之像素Pix之剖面構造。於此情形時，如圖19A~19C所示，於與紅色(R)及綠色(G)之彩色濾光片218對應之區域形成發出黃色(Y)光之黃色發光層，並且於與藍色(B)之彩色濾光片218對應之區域形成發出藍色(B)光之藍色發光層，藉此可構成發光層250。藉此，於子像素11R中，藉由使黃色(Y)光通過紅色(R)之彩色濾光片218而射出紅色(R)光，於子像素11G中，藉由使黃色(Y)光通過綠色(G)之彩色濾光片218而射出綠色(G)光，於子像素11B中，藉由使藍色(B)光通過藍色(B)之彩色濾光片218而射出藍色(B)光。再者，亦可省略藍色(B)之彩色濾光片218。
[變化例1-8]
驅動電晶體DRTr之複數個通道CH之配置並不限定於圖6所示之配置。亦可代之以例如如圖20A所示，使2個通道CH之延伸方向互不 相同。於此例中，於2個通道CH之間使多晶矽203彎曲90度，藉此而使2個通道CH之延伸方向互不相同。又，例如，亦可如圖20B所示，於2個通道CH之間，使多晶矽203向左彎曲90度之後向右彎曲90度。於此種情形時，可有效地利用有限之空間而實現通道長L較長之驅動電晶體DRTr，因此可減少畫質降低之虞。
<2.第2實施形態>
其次，對第2實施形態之顯示裝置2進行說明。本實施形態係將驅動電晶體之閘極絕緣膜形成得較寫入電晶體之閘極絕緣膜厚者。其他構成係與上述第1實施形態(圖1等)同樣。再者，於與上述第1實施形態之顯示裝置1實質上相同之構成部分附註相同之符號而適當地省略說明。
如圖1所示，顯示裝置2具有顯示部50。顯示部50與第1實施形態之顯示部10同樣，係具有4個子像素11(11R、11G、11B、11W)之像素Pix呈矩陣狀配置有複數個者。各子像素11具有驅動電晶體DRTr2、及寫入電晶體WSTr2。驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2係頂閘極構造之電晶體。驅動電晶體DRTr2之閘極絕緣膜形成得較寫入電晶體WSTr2之閘極絕緣膜厚。
圖21係表示驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2之概略剖面構造者。
驅動電晶體DRTr2係具有多晶矽401、絕緣層402、403、及閘極404者。於驅動電晶體DRTr2中，多晶矽401選擇性地形成於透明基板200上。於透明基板200及多晶矽401上依序形成有絕緣層402、403，於該絕緣層403上選擇性地形成有閘極404。較理想為，該絕緣層403之相對介電常數低於絕緣層402之相對介電常數。如此，驅動電晶體DRTr2之閘極絕緣膜包含2個絕緣層402、403。
寫入電晶體WSTr2係具有多晶矽401、絕緣層402、及閘極404 者。於寫入電晶體WSTr2中，多晶矽401選擇性地形成於透明基板200上。於透明基板200及多晶矽401上形成有絕緣層402，於該絕緣層402上選擇性地形成有閘極404。如此，寫入電晶體WSTr2之閘極絕緣膜包含一個絕緣層402。
再者，於此例中，將絕緣層402設為一層，但並不限定於此，亦可代之以包含複數層。具體而言，例如，可使用包含氮化矽(SiNx)之上層、及包含氧化矽(SiO2)之下層構成絕緣層402。同樣地，將絕緣層403設為一層，但並不限定於此，亦可代之以包含複數層。
圖22係表示驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2之製造步驟之一例者。首先，於驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2中，依序形成多晶矽401、絕緣層402、403(圖22(A))。其次，於寫入電晶體WSTr2中，藉由蝕刻去除絕緣層403(圖22(B))。其次，於驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2中，產生閘極404及絕緣層405(圖22(C))。其後，藉由形成接點205而如圖21所示般形成驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2。
如此，於顯示裝置2中，由於將驅動電晶體DRTr2之閘極絕緣膜形成得較寫入電晶體WSTr2之閘極絕緣膜厚，故而，可使驅動電晶體DRTr2之閘極絕緣膜電容Cox較小，因此，可減少畫質降低之虞。即，於顯示裝置2中，可使驅動電晶體DRTr之閘極絕緣膜電容Cox較小，因此，如式(1)所示，可降低閘極‧源極間電壓Vgs對汲極電流Ids之感度。由此，即便像素電壓Vsig於每條資料線DTL出現差異，例如，於顯示圖像中，亦可減少產生沿子像素11之行方向延伸之條紋之虞，而可減少畫質降低之虞。
又，於顯示裝置2中，於驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2中形成絕緣層402、403，其後於寫入電晶體WSTr2中藉由蝕刻而去除絕緣層403。此時，於寫入電晶體WSTr2中，殘留有絕緣層402，因 此，可減少寫入電晶體WSTr2之多晶矽401被污染之虞。又，於寫入電晶體WSTr2中，去除絕緣層403之後，於驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2中，形成閘極404，因此，可同時形成驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2之閘極404，因此，形成閘極之步驟一次即可完成，而可使製造步驟簡單。
如上所述，於本實施形態中，由於將驅動電晶體之閘極絕緣膜形成得較寫入電晶體之閘極絕緣膜厚，故而可使驅動電晶體之閘極絕緣膜電容較小，因此，可減少畫質降低之虞。
又，於本實施形態中，於驅動電晶體及寫入電晶體中形成絕緣層402、403之後，於寫入電晶體中去除絕緣層403，於驅動電晶體及寫入電晶體中形成閘極，因此，可減少多晶矽被污染之虞，並且形成閘極之步驟一次即可完成，可使製造步驟簡單。
[變化例2-1]
於上述實施形態中，於寫入電晶體WSTr2中，藉由利用蝕刻去除絕緣層403，而將驅動電晶體WSTr2之閘極絕緣膜形成得較寫入電晶體WSTr2之閘極絕緣膜厚，但並不限定於此。以下，列舉幾個例子對本變化例進行說明。
圖23係表示本變化例之驅動電晶體DRTr2A及寫入電晶體WSTr2A之概略剖面構造者。驅動電晶體DRTr2A係具有絕緣層412、413者。於驅動電晶體DRTr2A中，於透明基板200及多晶矽401之上依序形成有絕緣層412、413，於該絕緣層413上選擇性地形成有閘極404。較理想為該絕緣層412之相對介電常數低於絕緣層413之相對介電常數。如此，驅動電晶體DRTr2A之閘極絕緣膜包含2個絕緣層412、413。寫入電晶體WSTr2A係具有絕緣層413者。於寫入電晶體WSTr2A中，於透明基板200及多晶矽401之上形成有絕緣層413，於該絕緣層413上選擇性地形成有閘極404。如此，寫入電晶體WSTr2A之閘極絕緣膜包含一 層絕緣層413。
圖24係表示驅動電晶體DRTr2A及寫入電晶體WSTr2A之製造步驟之一例者。首先，於驅動電晶體DRTr2A及寫入電晶體WSTr2A中，依序形成多晶矽401及絕緣層412(圖24(A))。其次，於寫入電晶體WSTr2A中，藉由蝕刻而將絕緣層412全部去除(圖24(B))。其次，於驅動電晶體DRTr2A及寫入電晶體WSTr2A中產生絕緣層413(圖24(C))，其後，產生閘極404及絕緣層405(圖24(D))。
於此情形時，亦可使驅動電晶體DRTr2A之閘極絕緣膜電容Cox較小，因此，可減少畫質降低之虞。
於驅動電晶體DRTr2A及寫入電晶體WSTr2A之製造步驟中，如圖24所示，於形成多晶矽401及絕緣層412之後，於寫入電晶體WSTr2A中，藉由蝕刻而將絕緣層412全部去除。然而，並不限定於此，亦可代之以例如如圖25、26所示之驅動電晶體DRTr2B及寫入電晶體WSTr2B般，於驅動電晶體DRTr2B及寫入電晶體WSTr2B中形成多晶矽401及絕緣層412之後，於寫入電晶體WSTr2B中，藉由蝕刻而去除絕緣層412之一部分，殘留較薄之絕緣層412A。於此例中，如圖25所示，寫入電晶體WSTr2B具有絕緣層412A、413。該絕緣層412A係與驅動電晶體DRTr2B中之絕緣層412同時形成。如此，寫入電晶體WSTr2B之閘極絕緣膜包含兩層絕緣層412A、413。如此，藉由殘留絕緣層412之一部分(絕緣層412A)，與將絕緣層412全部去除之情形相比，可減少多晶矽401被污染之虞。
圖27係表示本變化例之驅動電晶體DRTr2C及寫入電晶體WSTr2C之概略剖面構造者。驅動電晶體DRTr2C係具有絕緣層432、434及閘極435者。於驅動電晶體DRTr2C中，於透明基板200及多晶矽401之上依序形成有絕緣層432、434，於該絕緣層434上選擇性地形成有閘極435。較理想為該絕緣層434之相對介電常數低於絕緣層432之相對介 電常數。如此，驅動電晶體DRTr2C之閘極絕緣膜包含兩層絕緣層432、434。寫入電晶體WSTr2C係具有絕緣層432及閘極433者。於寫入電晶體WSTr2C中，於透明基板200及多晶矽401之上形成有絕緣層432，於該絕緣層432上選擇性地形成有閘極433。如此，寫入電晶體WSTr2C之閘極絕緣膜包含一層絕緣層432。
圖28係表示驅動電晶體DRTr2C及寫入電晶體WSTr2C之製造步驟之一例者。首先，於驅動電晶體DRTr2C及寫入電晶體WSTr2C中依序形成多晶矽401及絕緣層432(圖28(A))。其次，於寫入電晶體WSTr2C中形成閘極433，其後，於驅動電晶體DRTr2C及寫入電晶體WSTr2C中形成絕緣層434(圖28(B))。其次，於驅動電晶體DRTr2C中形成閘極435，其後，於驅動電晶體DRTr2C及寫入電晶體WSTr2C中形成絕緣層405(圖28(C))。
即便於此情形時，亦可使驅動電晶體DRTr2C閘極絕緣膜電容Cox較小，因此，可減少畫質降低之虞。
[變化例2-2]
於上述實施形態中，使用頂閘極構造之驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2，但並不限定於此，亦可代之以使用例如底閘極構造之驅動電晶體DRTr2及寫入電晶體WSTr2。
[另一變化例]
亦可於上述實施形態之顯示裝置2應用上述第1實施形態之各變化例。
<3.第3實施形態>
其次，對第3實施形態之顯示裝置3進行說明。本實施形態係使驅動電晶體之多晶矽中之晶粒(結晶粒)小於其他電晶體之晶粒者。其他構成與上述第1實施形態(圖1等)相同。再者，於與上述第1實施形態之顯示裝置1實質上相同之構成部分附註相同之符號而適當地省略 說明。
如圖1所示，顯示裝置3具有顯示部60。顯示部60與第1實施形態之顯示部10同樣，係具有4個子像素11(11R、11G、11B、11W)之像素Pix呈矩陣狀配置有複數個者。各子像素11具有驅動電晶體DRTr3、及寫入電晶體WSTr3。於此例中，驅動電晶體DRTr3中之多晶矽203之晶粒G(結晶粒)形成為較寫入電晶體WSTr3中之多晶矽203之晶粒G小。
圖29係表示多晶矽203中之晶粒(結晶粒)之一例者。於多晶矽203中，於此例中，無規之形狀之晶粒G無規地配置。再者，晶粒G並不限定於此，亦可代之以將彼此相似之形狀之晶粒整齊地配置。於驅動電晶體DRTr3及寫入電晶體WSTr3之製造步驟中，與上述第1實施形態之顯示裝置1同樣，於絕緣層202(圖3)上形成非晶矽層，利用ELA裝置對該非晶矽層進行退火處理，藉此而使晶粒G成長而形成多晶矽203。此時，使用互不相同之照射條件對驅動電晶體DRTr3及寫入電晶體WSTr3照射雷射光束。具體而言，例如，對驅動電晶體DRTr3以較低之能量照射雷射光束，對於寫入電晶體WSTr3，以較高之能量照射雷射光束。再者，並不限定於此，亦可代之以例如對於驅動電晶體DRTr3藉由減少照射次數而縮短照射時間，對於寫入電晶體WSTr3，藉由增多照射次數而延長照射時間，而以相同能量照射雷射光束。藉此，可使驅動電晶體DRTr3之晶粒G小於寫入電晶體WSTr3之晶粒G。
如此，於顯示裝置3中，藉此而使驅動電晶體DRTr3之晶粒G小於寫入電晶體WSTr3之晶粒G，因此，可減少畫質降低之虞。即，首先，若使晶粒G較小，則可使該多晶矽203中之載子(例如電子)之移動度μ較小。即，載子可於晶粒G內快速地移動，但於晶粒G之交界移動速度降低。由此，晶粒G越小，則載子應越過之晶粒G之交界越多，而移動度μ會變小。如此，於顯示裝置3中，由於使驅動電晶體DRTr3之移動度μ較小，故而，如式(1)所示，可使閘極‧源極間電壓Vgs對 汲極電流Ids之感度較低。由此，即便像素電壓Vsig於每條資料線DTL出現差異，但於例如顯示圖像中，仍可減少產生沿子像素11之行方向延伸之條紋之虞，而可減少畫質降低之虞。
又，如此，由於使驅動電晶體DRTr3中之多晶矽203之晶粒G小於寫入電晶體WSTr3中之多晶矽203之晶粒G，故而可抑制移動度μ之差異。即，移動度μ根據載子越過之晶粒G之交界之個數而出現差異。由此，晶粒G越小，則載子越過之晶粒G之交界越多，該交界之個數之差異越小，因此，可抑制移動度μ之差異。藉此，可抑制因驅動電晶體DRTr3之移動度μ之差異導致之畫質降低。
圖30係表示顯示裝置3之安裝例者。於此例中，於顯示部60之左側、上側、右側、下側分別配置有周邊電路71~74。周邊電路71例如為掃描線驅動部23，周邊電路73例如為電源線驅動部26，周邊電路74例如為資料線驅動部27。於顯示部60中，如上所述，使驅動電晶體DRTr3之晶粒G小於寫入電晶體WSTr3之晶粒G。於周邊電路71~74中，將該等電路中使用之電晶體之晶粒G與例如顯示部60之寫入電晶體WSTr3之晶粒G設為相同程度。藉此，於顯示裝置3中，可使顯示部60之驅動電晶體DRTr3之移動度μ小於該驅動電晶體DRTr3以外之電晶體之移動度μ。如此，於顯示裝置3中，藉由將驅動電晶體DRTr3以外之電晶體之移動度μ保持為較大之值，並且僅使驅動電晶體DRTr3之移動度μ較小，可減少對驅動電晶體DRTr3以外之電晶體之動作造成影響之虞，並且可抑制畫質降低。
如上所述，於本實施形態中，由於使驅動電晶體之晶粒小於寫入電晶體之晶粒，故而可使驅動電晶體之移動度較小，因此可減少畫質降低之虞。
[變化例3-1]
於上述實施形態中，使顯示部60之驅動電晶體DRTr3之移動度μ 較小，並且使顯示部60之寫入電晶體WSTr3及周邊電路71~74中之電晶體之移動度μ較大，但並不限定於此。亦可代之以例如使顯示部60之驅動電晶體DRTr3及寫入電晶體WSTr3之移動度μ較小，並且使周邊電路71~74中之電晶體之移動度μ較大。又，例如，亦可使顯示部60之驅動電晶體DRTr3及寫入電晶體WSTr3、以及周邊電路71、73中之移動度μ較小，並且使周邊電路72、74中之電晶體之移動度μ較大。又，例如，亦可使顯示部60之驅動電晶體DRTr3及寫入電晶體WSTr3、以及周邊電路72、74中之電晶體移動度μ較小，並且使周邊電路71、73中之電晶體之移動度μ較大。
[變化例3-2]
於上述實施形態中，藉由使用互不相同之照射條件對驅動電晶體DRTr3及寫入電晶體WSTr3照射雷射光束，而使驅動電晶體DRTr3中之多晶矽203之晶粒G小於寫入電晶體WSTr3中之多晶矽203之晶粒G，但並不限定於此。以下，對本變化例詳細地進行說明。
圖31係表示本變化例之驅動電晶體DRTr3A及寫入電晶體WSTr3A之概略剖面構造者。圖32係表示驅動電晶體DRTr3A之一構成例者。驅動電晶體DRTr3A及寫入電晶體WSTr3A係頂閘極構造之電晶體。
驅動電晶體DRTr3A係具有導電層501、絕緣層502、多晶矽503、絕緣層504、閘極505、及絕緣層506者。於驅動電晶體DRTr3A中，於透明基板200之上選擇性地形成有導電層501。該導電層501例如包含鉬(Mo)等。而且，於透明基板200及導電層501之上形成有絕緣層502。於該絕緣層502上選擇性地形成有多晶矽503，於絕緣層502及多晶矽503之上形成有絕緣層504。而且，於絕緣層504上選擇性地形成有閘極505，於絕緣層504及閘極505之上形成有絕緣層506。
如此，驅動電晶體DRTr3A於多晶矽503之下形成有導電層501。該導電層501於此例中，如圖32所示，形成於與形成有閘極505之區域 對應之區域。換言之，導電層501設置於驅動電晶體DRTr3A之通道CH之下。再者，並不限定於此，亦可代之以例如將導電層501設置於通道CH之至少一部分之下。
寫入電晶體WSTr3A係具有絕緣層502、多晶矽503、絕緣層504、閘極505、及絕緣層506者。即，寫入電晶體WSTr3A與驅動電晶體DRTr3A不同，不具有導電層501。
於驅動電晶體DRTr3A及寫入電晶體WSTr3A之製造步驟中，與上述第1實施形態之顯示裝置1等同樣地，於絕緣層502上形成非晶矽層，並利用ELA裝置對該非晶矽層進行退火處理，藉此，而使晶粒G成長而形成多晶矽503。此時，使用相同照射條件對驅動電晶體DRTr3A及寫入電晶體WSTr3A照射雷射光束。然後，於驅動電晶體DRTr3A中，非晶矽層(多晶矽503)中產生之熱經由絕緣層502而傳遞至導電層501而被散熱。因此，於驅動電晶體DRTr3A中，非晶矽層與不具有導電層501之寫入電晶體WSTr之非晶矽層相比，容易發熱且容易冷卻。即，照射雷射光束時之驅動電晶體DRTr3A之非晶矽層之溫度變得低於以相同照射條件照射雷射光束時之寫入電晶體WSTr之非晶矽層之溫度。藉此，可使驅動電晶體DRTr3A之晶粒G小於寫入電晶體WSTr3A之晶粒G。
如上所述，於本變化例中，於驅動電晶體DRTr3A中，於多晶矽503之下設置有導電層501，因此，於驅動電晶體DRTr3A中，可較寫入電晶體WSTr3A更多地散熱。藉此，可使對驅動電晶體DRTr3A及寫入電晶體WSTr3A照射雷射光束時之照射條件相同，而可使製造步驟簡單。
較理想為各子像素11之導電層501與其他子像素11之導電層501電性連接。藉此，於製造步驟中，於照射雷射光束時，可更易於散熱。再者，並不限定於此，亦可不使各子像素11之導電層501與其他子像 素11之導電層501連接。
又，較理想為導電層501例如被施加特定之直流電壓。具體而言，例如，可將導電層501接地。藉此，可使各子像素11之動作更穩定。又，亦可施加例如特定之正電壓或負電壓。藉此，可調整驅動電晶體DRTr3A之閾值Vth。再者，並不限定於此，可對導電層501施加交流電壓，亦可使導電層501電性浮動。
又，於此例中，如圖32所示，於驅動電晶體DRTr3A之形成有通道CH之區域之區域形成導電層501，但並不限定於此，亦可代之以例如如圖33所示之驅動電晶體DRTr3B般，遍及亦包含形成有多晶矽503之折返部分W1或接點205之區域之更寬之區域而形成導電層501。
[另一變化例]
亦可於上述實施形態之顯示裝置3中應用上述第1、2實施形態之各變化例。
<4.應用例>
其次，對於上述實施形態及變化例中說明之顯示裝置之應用例進行說明。
圖34係表示應用上述實施形態等之顯示裝置之電視裝置之外觀者。該電視裝置具有例如包含前面板511及濾光玻璃512之影像顯示畫面部510，該影像顯示畫面部510包含上述實施形態等之顯示裝置。
上述實施形態等之顯示裝置除應用於此種電視裝置以外，可應用於數位相機、筆記型個人電腦、行動電話等移動終端裝置、攜帶型遊戲機、或攝錄影機等所有領域之電子機器。換言之，上述實施形態等之顯示裝置可應用於顯示影像之所有領域之電子機器。
以上，列舉幾個實施形態及變化例、以及向電子機器之應用例對本技術進行了說明，但本技術並不限定於該等實施形態等，可進行各種變形。
例如，於上述各實施形態中，使用N通道MOS型之驅動電晶體DRTr及寫入電晶體WSTr構成子像素11，但並不限定於此，亦可代之以例如如圖35、36所示，使用P通道MOS型之驅動電晶體DRTrP及寫入電晶體WSTrP構成子像素12。寫入電晶體WSTrP之閘極連接於掃描線WSL，源極連接於資料線DTL，汲極連接於驅動電晶體DRTrP之閘極及電容元件Cs之一端。驅動電晶體DRTrP之閘極連接於寫入電晶體WSTrP之汲極及電容元件Cs之一端，汲極連接於發光元件30之陽極，源極連接於電容元件Cs之另一端及電源線PL。如圖36所示，驅動部20於時序t11~t12之期間(寫入期間P11)進行對子像素12之像素電壓Vsig之寫入。具體而言，首先，電源線驅動部26對驅動電晶體DRTr之源極供給電壓Vccp(圖36(D))。然後，資料線驅動部27於時序t11將信號Sig設定為像素電壓Vsig(圖36(B))，掃描線驅動部23使掃描信號WS之電壓自低位準變化為高位準(圖36(A))。藉此，寫入電晶體WSTr變為接通狀態，將驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定為電壓Vsig(圖36(C))。如此，發光元件30於時序t11以後之期間(發光期間P12)發光。
又，例如，於上述各實施形態等中，將子像素設為所謂「2Tr1C」之構成，但並不限定於此，亦可追加其他元件而構成。具體而言，例如，亦可如圖37所示之子像素11A般，設置控制向驅動電晶體DRTr之電源信號DS之供給的電源電晶體DSTr，設為所謂「3Tr1C」之構成。
又，例如，於上述各實施形態等中，使用所謂頂部發光型之發光元件30，但並不限定於此，亦可代之以使用例如使自發光層230射出之光向作為支持基板之透明基板200之方向前進之所謂底部發光型之發光元件。再者，於此情形時，與頂部發光型不同，透明基板200係設置於射出光之面，因此，使用具有透明性之基板。
又，例如，於上述各實施形態中，顯示裝置設為具有有機EL元件者，但並不限定於此，只要具有電流驅動型之顯示元件，可為任何顯示裝置。
再者，作為使驅動電晶體DRTr之通道CH較長之方法，考慮如圖38A~38D所示者。於圖38A、38B所示之參考例中，於形成有閘極201之區域，於中途折返多晶矽203。即，於上述實施形態之驅動電晶體DRTr(圖7、圖10)中，於未形成閘極201之區域折返多晶矽203，但於該參考例之驅動電晶體DRTr(圖38A、38B)中，於形成有閘極201之區域折返多晶矽203。於圖38C所示之參考例中，於形成有閘極201之區域，於中途使多晶矽203彎曲90度。於圖38D所示之參考例中，於形成有閘極201之區域，於中途將多晶矽203向左彎曲90度之後，進而向右彎曲90度。
再者，本說明書中記載之效果僅為例示，並非受限定者，亦可具有其他效果。
再者，本技術可設為如下構成。
(1)一種顯示裝置，其包括：發光元件；及驅動電晶體，其具有連接部、及經由該連接部而串聯連接之複數個通道部，且對上述發光元件供給驅動電流。
(2)如上述(1)之顯示裝置，其中上述複數個通道部之各者沿第1方向延伸。
(3)如上述(2)之顯示裝置，其中上述複數個通道部彼此形成於相同之層，上述連接部形成於與形成有上述複數個通道部之層相同之層。
(4)如上述(3)之顯示裝置，其中上述複數個通道部並列設置於第2方向。
(5)如上述(2)之顯示裝置，其中上述複數個通道部彼此形成於不同之層。
(6)如上述(5)之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有第1閘極電極及第2閘極電極，上述複數個通道部包含第1通道部及第2通道部，上述第1閘極電極、上述第1通道部、上述第2閘極電極、及上述第2通道部依序介隔絕緣層而積層。
(7)如上述(5)之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有第1閘極電極及第2閘極電極，上述複數個通道部包含第1通道部及第2通道部，上述第1閘極電極、上述第1通道部、上述第2通道部、及上述第2閘極電極依序介隔絕緣層而積層。
(8)如上述(5)之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有閘極電極，上述複數個通道部包含第1通道部及第2通道部，上述第1通道部、上述閘極電極、及上述第2通道部依序介隔絕緣層而積層。
(9)如上述(2)至(8)中任一項之顯示裝置，其具備複數個上述驅動電晶體，且複數個上述驅動電晶體中之通道部之各者沿上述第1方向延伸。
(10)如上述(1)至(9)中任一項之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有閘極電極及閘極絕緣膜，上述顯示裝置進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有閘極電極及閘極絕緣膜且對上述驅動電晶體之閘極電極傳送像素電壓，上述驅動電晶體之上述閘極絕緣膜較上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜厚。
(11)如上述(10)之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述閘極絕緣膜包括：第1絕緣層；及第2絕緣層，其形成於上述第1絕緣層與上述驅動電晶體之上述閘極電極之間。
(12)如上述(11)之顯示裝置，其中上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜於與上述第1絕緣層相同之層具有第3絕緣層，該第3絕緣層由與上述第1絕緣層相同之材料形成。
(13)如上述(12)之顯示裝置，其中上述第2絕緣層之相對介電常數小於上述第1絕緣層及上述第3絕緣層之相對介電常數。
(14)如上述(11)之顯示裝置，其中上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜於與上述第2絕緣層相同之層具有第4絕緣層，該第4絕緣層由與上述第2絕緣層相同之材料形成。
(15)如上述(14)之顯示裝置，其中上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜於與上述第1絕緣層相同之層進而具有第3絕緣層，該第3絕緣層由與上述第1絕緣層相同之材料而形成得較上述第1絕緣層更薄。
(16)如上述(14)或(15)之顯示裝置，其中上述第1絕緣層之相對介電常數小於上述第2絕緣層及上述第4絕緣層之相對介電常數。
(17)如上述(1)至(4)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個通道部彼此形成於相同之層，上述驅動電晶體具有閘極電極及導電層，上述導電層、上述複數個通道部、及上述閘極電極依序介隔絕緣層而積層於基板上。
(18)如上述(17)之顯示裝置，其包括複數個上述驅動電晶體，複數個上述驅動電晶體中之一驅動電晶體之導電層與複數個上述驅動電晶體中之另一驅動電晶體之導電層相互連接。
(19)如上述(17)或(18)之顯示裝置，其中對上述導電層施加有特定之直流電位。
(20)如上述(1)至(19)中任一項之顯示裝置，其進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有由多晶形成之1個或複數個通道部，上述驅動電晶體之上述複數個通道部係由多晶形成者，上述驅動電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均小於上述寫入電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均。
(21)如上述(1)至(19)中任一項之顯示裝置，其進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有由多晶形成之1個或多個通道部，上述驅動電晶體之上述複數個通道部係由多晶形成者，上述驅動電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均與上述寫入電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均大致相等。
(22)如上述(20)或(21)之顯示裝置，其中上述發光元件、上述驅動電晶體、及上述寫入電晶體構成單位像素，上述顯示裝置進而包括驅動部，該驅動部具有分別具有由多晶形成之通道部之複數個電晶體，且驅動上述單位像素，上述驅動電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均小於上述驅動部之各電晶體之通道部中之結晶粒之大小之平均。
(23)一種顯示裝置之製造方法，其形成具有連接部及經由該連接部串聯連接之複數個通道部之驅動電晶體、及對上述驅動電晶體之閘極電極傳送像素電壓之寫入電晶體，且形成由上述驅動電晶體供給電流之發光元件。
(24)如上述(23)之顯示裝置之製造方法，其中 於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之閘極絕緣膜時，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域依序形成第1絕緣層及第2絕緣層，其後，於形成上述寫入電晶體之區域去除第2絕緣層。
(25)如上述(23)之顯示裝置之製造方法，其中於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之閘極絕緣膜及閘極電極時，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第1絕緣層，其次，於形成上述寫入電晶體之區域形成閘極電極，其次，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第2絕緣層，其次，於形成上述驅動電晶體之區域形成閘極電極。
(26)如上述(23)之顯示裝置之製造方法，其中於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之閘極絕緣膜時，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第1絕緣層，其次，於形成上述寫入電晶體之區域去除第1絕緣層之一部分或全部，其次，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第2絕緣層。
(27)如上述(24)至(26)中任一項之顯示裝置之製造方法，其中上述第1絕緣層及上述第2絕緣層中之任一者或兩者包含複數層絕緣層。
(28)一種電子機器，其包括：顯示裝置；及 控制部，其對上述顯示裝置進行動作控制；且上述顯示裝置包括：發光元件；及驅動電晶體，其具有分別沿第1方向延伸且相互串聯連接之複數個通道部，且對上述發光元件供給驅動電流。
本申請案係以於2013年9月12日向日本專利廳提出申請之日本專利申請編號2013-189836號、及於2014年2月6日向日本專利廳提出申請之日本專利申請編號2014-21604號為基礎而主張優先權，並藉由參照而將該申請之所有內容引用於本申請案中。
只要為業者，則可根據設計上之必要條件或其他因素想到各種修正、組合、次組合、及變更，但應理解其等為包含於隨附之申請專利範圍或其均等物之範圍內者。

Claims (25)

  1. 一種顯示裝置，其包括：發光元件；及驅動電晶體，其具有連接部、及經由該連接部串聯連接之複數個通道部，且對上述發光元件供給驅動電流；且上述複數個通道部彼此形成於不同之層。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個通道部之各者沿第1方向延伸。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中上述複數個通道部並列設置於第2方向。
  4. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有第1閘極電極及第2閘極電極，上述複數個通道部包含第1通道部及第2通道部，上述第1閘極電極、上述第1通道部、上述第2閘極電極、及上述第2通道部依序介隔絕緣層而積層。
  5. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有第1閘極電極及第2閘極電極，上述複數個通道部包含第1通道部及第2通道部，上述第1閘極電極、上述第1通道部、上述第2通道部、及上述第2閘極電極依序介隔絕緣層而積層。
  6. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有閘極電極，上述複數個通道部包含第1通道部及第2通道部，上述第1通道部、上述閘極電極、及上述第2通道部依序介隔絕緣層而積層。
  7. 如請求項2之顯示裝置，其包括複數個上述驅動電晶體，且複數個上述驅動電晶體中之通道部之各者沿上述第1方向延伸。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中上述驅動電晶體具有閘極電極及導電層，上述導電層、上述複數個通道部、及上述閘極電極依序介隔絕緣層而積層於基板上。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其包括複數個上述驅動電晶體，複數個上述驅動電晶體中之一驅動電晶體之導電層與複數個上述驅動電晶體中之另一驅動電晶體之導電層相互連接。
  10. 如請求項8之顯示裝置，其中對上述導電層施加有特定之直流電位。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有由多晶形成之1個或複數個通道部，上述驅動電晶體之上述複數個通道部係由多晶形成者，上述驅動電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均小於上述寫入電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有由多晶形成之1個或複數個通道部，上述驅動電晶體之上述複數個通道部係由多晶形成者，上述驅動電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均與上述寫入電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均大致相等。
  13. 如請求項11之顯示裝置，其中上述發光元件、上述驅動電晶體、及上述寫入電晶體構成單位像素，上述顯示裝置進而包括驅動部，該驅動部具有分別具有由多晶形成之通道部之複數個電晶體，且驅動上述單位像素，上述驅動電晶體之各通道部中之結晶粒之大小之平均小於上述驅動部之各電晶體之通道部中之結晶粒之大小之平均。
  14. 一種顯示裝置，其包括：發光元件；及驅動電晶體，其具有連接部、及經由該連接部串聯連接之複數個通道部，且對上述發光元件供給驅動電流；上述驅動電晶體具有閘極電極及閘極絕緣膜，上述顯示裝置進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有閘極電極及閘極絕緣膜，且對上述驅動電晶體之閘極電極傳送像素電壓，上述驅動電晶體之上述閘極絕緣膜較上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜厚。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中上述驅動電晶體之上述閘極絕緣膜包括：第1絕緣層；及第2絕緣層，其形成於上述第1絕緣層與上述驅動電晶體之上述閘極電極之間。
  16. 如請求項15之顯示裝置，其中上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜於與上述第1絕緣層相同之層具有第3絕緣層，該第3絕緣層由與上述第1絕緣層相同之材料形成。
  17. 如請求項16之顯示裝置，其中上述第2絕緣層之相對介電常數小於上述第1絕緣層及上述第3絕緣層之相對介電常數。
  18. 如請求項15之顯示裝置，其中上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜於與上述第2絕緣層相同之層具有第4絕緣層，該第4絕緣層由與上述第2絕緣層相同之材料形成。
  19. 如請求項18之顯示裝置，其中上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜於與上述第1絕緣層相同之層進而具有第3絕緣層，該第3絕緣層由與上述第1絕緣層相同之材料而形成得較上述第1絕緣層更薄。
  20. 如請求項18之顯示裝置，其中上述第1絕緣層之相對介電常數小於上述第2絕緣層及上述第4絕緣層之相對介電常數。
  21. 一種顯示裝置之製造方法，其形成具有連接部及經由該連接部串聯連接之複數個通道部之驅動電晶體、及對上述驅動電晶體之閘極電極傳送像素電壓之寫入電晶體，且形成由上述驅動電晶體供給電流之發光元件；於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之閘極絕緣膜及閘極電極時，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第1絕緣層，其次，於形成上述寫入電晶體之區域形成閘極電極，其次，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第2絕緣層，其次，於形成上述驅動電晶體之區域形成閘極電極。
  22. 如請求項21之顯示裝置之製造方法，其中於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之閘極絕緣膜時，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域，依序形成第1絕緣層及第2絕緣層，其後，於形成上述寫入電晶體之區域去除上述第2絕緣層。
  23. 如請求項21之顯示裝置之製造方法，其中於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之閘極絕緣膜時，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第1絕緣層，其次，於形成上述寫入電晶體之區域去除第1絕緣層之一部分或全部，其次，於形成上述驅動電晶體及上述寫入電晶體之區域形成第2絕緣層。
  24. 如請求項22之顯示裝置之製造方法，其中上述第1絕緣層及上述第2絕緣層中之任一者或兩者包含複數層絕緣層。
  25. 一種電子機器，其包括：顯示裝置；及控制部，其對上述顯示裝置進行動作控制；且上述顯示裝置包括：發光元件；及驅動電晶體，其具有連接部、及經由該連接部串聯連接之複數個通道部，且對上述發光元件供給驅動電流；上述驅動電晶體具有閘極電極及閘極絕緣膜，上述顯示裝置進而包括寫入電晶體，該寫入電晶體具有閘極電極及閘極絕緣膜，且對上述驅動電晶體之閘極電極傳送像素電壓，上述驅動電晶體之上述閘極絕緣膜較上述寫入電晶體之上述閘極絕緣膜厚。
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