KR20070033144A - 표시장치와 표시장치의 제조방법 - Google Patents

표시장치와 표시장치의 제조방법 Download PDF

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KR20070033144A
KR20070033144A KR1020050087520A KR20050087520A KR20070033144A KR 20070033144 A KR20070033144 A KR 20070033144A KR 1020050087520 A KR1020050087520 A KR 1020050087520A KR 20050087520 A KR20050087520 A KR 20050087520A KR 20070033144 A KR20070033144 A KR 20070033144A
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channel region
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오준학
김수진
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Abstract

본 발명은 표시장치와 표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는, 절연기판과; 절연기판 상에 형성되어 있는 유기반도체층; 및 절연기판과 유기반도체층 사이에 개재되어 있으며, 상호 이격 배치되어 정의된 채널영역이 상기 유기반도체층이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 표시장치는, 절연기판과; 절연기판 상에 형성되어 있는 유기반도체층과; 절연기판과 유기반도체층 사이에 개재되어 있으며, 유기반도체층이 형성된 영역 내에 형성된 드레인 전극; 및 드레인 전극과 동일한 층에 형성되어 있으며, 드레인 전극의 테두리를 따라 소정간격 이격 형성되어 정의되는 채널영역이 유기반도체층이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치가 제공된다.

Description

표시장치와 표시장치의 제조방법{DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1a 및 도1b는 고분자 용액 건조시의 문제를 설명하기 위한 그림이며,
도2는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 요부 단면도이고,
도3는 도2의 'C'영역의 간략 평면도이며,
도4는 커피 스테인 현상이 발생한 경우의 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 요부 단면도이고,
도 5a 내지 도 5g는 커피 스테인 현상이 발생한 경우의 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도이고,
도 6 는 본 발명의 제2실시예에 따른 도1의 'C'영역의 간략 평면도이며,
도7는 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치의 요부 단면도이다.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *
10 : 절연기판 21 : 광차단막
31 : 소스 전극 32 : 드레인 전극
41 : 격벽 51 : 유기반도체층
61 : 유기절연층 62 : 게이트 전극
71 : 제1보호막 81 : 화소전극
91 : 드레인 접촉구
본 발명은 표시장치와 표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 더 자세하게는, 유기반도체층(Organic Semiconductor layer)을 포함하는 표시장치와 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 표시장치 중에서 소형, 경량화의 장점을 가지는 평판표시장치(flat display device)가 각광을 받고 있다. 이러한 평판표시장치는 액정표시장치(LCD)와 유기전기발광장치(OLED)를 포함한다. 표시장치들은 공통적으로 박막트랜지스터가 마련된 기판을 포함하는데, 예를 들어 액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판과 컬러필터층이 형성되어 있는 컬러필터 기판, 그리고 이들 사이에 액정층이 위치하고 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 후면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치할 수 있다. 백라이트 유닛에서 공급된 빛은 액정층의 배열상태에 따라 투과량이 조절된다.
여기서, 박막트랜지스터 기판은 각 픽셀의 동작을 제어 및 구동하는 스위칭 및 구동소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 포함한다. 이러한 박막트랜지스터는 반도체층을 포함하며, 반도체층은 비정질 실리콘이나 폴리 실리콘이 사용되는데 최근에 유기반도체의 적용이 진행되고 있다. 유기반도체(Organic Semiconductor: OSC)는 상온 상압에서 형성될 수 있기 때문에 공정단가를 낮출 수 있으며 열에 약한 플라스틱 기판에 적용할 수 있는 장점이 있다. 그래서, 유기반도체가 적용된 박막트랜지스터는 대면적과 대량으로 생산 가능한 차세대 표시 장치의 구동 소자로서 평가 받고 있다.
이러한 유기반도체는 스핀코팅, 노광, 현상 등의 공정을 거치지 않고 간단한 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. 유기반도체를 잉크젯 방식으로 형성할 경우 유기반도체가 위치할 부분을 둘러싸는 격벽이 필요하며, 격벽 내로 유기반도체용액이 제팅(jetting)된다.
그러나 격벽 내로 제팅된 유기반도체용액은 경화시 유기반도체용액 표면의 가장자리영역이 가운데 영역보다 증발속도가 커서, 가운데 영역이 함몰되고 가장자리 영역의 높이가 높은 형태로 형성될 수 있다. 이러한 두께편차로 인하여 유기 박막트랜지스터(Organic TFT)의 전기적 특성이 균일하지 않게 나타나는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 절연기판과; 절연기판 상에 형성되어 있는 유 기반도체층; 및 절연기판과 유기반도체층 사이에 개재되어 있으며, 상호 이격 배치되어 정의된 채널영역이 유기반도체층이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치에 의하여 달성된다.
여기서, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 형성되어 있으며, 채널영역을 둘러싸는 소정의 폐공간을 형성하고 있는 격벽을 더 포함하며, 채널영역은 폐공간의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있으며, 폐공간 내에는 유기반도체층이 형성되어 있을 수 있다.
그리고, 소스 전극 및 드레인 전극은 유기반도체층이 형성된 영역 내에서 소스 전극 및 드레인 전극의 연장방향에 수직인 방향에 대하여 비대칭적으로 형성되어 있을 수 있다.
또한, 유기반도체층은 격벽에 인접하여 형성된 가장자리부와 가장자리부에 둘러싸여 있으며 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하며, 채널영역은 가장자리부에 대응하여 가장자리부의 적어도 일영역 내에 형성되어 있을 수 있다.
그리고, 가장자리부의 표면은 실질적으로 평탄한 것이 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 얻기에 바람직하다.
본 발명의 목적은, 절연기판과; 절연기판 상에 형성되어 있는 유기반도체층과; 절연기판과 유기반도체층 사이에 개재되어 있으며, 일방향으로부터 연장되어 유기반도체층이 형성된 영역 내에서 폭이 확장된 드레인 전극; 및 드레인 전극과 동일한 층에 형성되어 있으며, 타방향으로부터 연장되어 유기반도체층이 형성된 영 역 내에서 드레인 전극의 테두리를 따라 소정간격 이격 형성되어 정의되는 채널영역이 유기반도체층이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치에 의하여 달성된다.
여기서, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 형성되어 있으며, 채널영역을 둘러싸는 소정의 폐공간을 형성하고 있는 격벽을 더 포함하며, 채널영역은 폐공간의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있으며, 폐공간 내에는 유기반도체층이 형성되어 있을 수 있다.
그리고, 채널영역은 격벽과 드레인 전극 사이공간의 적어도 일부를 채우고 있을 수 있다.
또한, 유기반도체층은 격벽에 인접하여 형성된 가장자리부와 가장자리부에 둘러싸여 있으며 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하며, 채널영역은 가장자리부에 대응하여 가장자리부의 적어도 일영역 내에 형성되어 있을 수 있다.
여기서, 가장자리부의 표면은 실질적으로 평탄한 것이 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 얻기에 바람직하다.
그리고, 소스 전극 및 드레인 전극은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어질 수 있다.
또한, 유기 반도체층은 잉크젯 방식 및 증발법 중 어느 하나에 의하여 형성될 수 있다.
여기서, 절연기판과 소스 전극 사이 및 절연기판과 드레인 전극 사이에 위치하며, 유기반도체층에 대응하는 광차단막과; 광차단막을 덮고 있는 층간절연막을 더 포함할 수 있다.
그리고, 유기반도체층을 덮고 있는 유기절연막과; 유기절연막 상에 형성되어 있는 게이트 전극을 더 포함할 수 있다.
또한, 유기절연막은 격벽보다 낮게 형성될 수 있다.
여기서, 절연기판과 소스 전극 사이 및 절연기판과 데이터 전극 사이에 위치하는 게이트 전극과; 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막을 더 포함할 수 있다.
그리고, 유기반도체층을 덮고 있는 보호막을 더 포함할 수 있다.
또한, 보호막은 2층으로 형성되어 있을 수 있다.
본 발명의 목적은, 절연기판과; 절연기판 상에 상호 이격 배치되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극과; 소스 전극 및 드레인 전극 각각의 적어도 일부분을 노출시키며, 채널영역을 둘러싸고 있는 격벽; 및 격벽 내에 형성되어 있으며, 채널영역에 대응하는 표면이 실질적으로 평탄한 유기반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치에 의하여 달성된다.
여기서, 유기반도체층은 격벽에 인접하여 형성된 가장자리부와 가장자리부에 둘러싸여 있으며 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하며, 채널영역은 가장자리부에 대응하여 가장자리의 적어도 일영역 내에 형성되어 있을 수 있다.
그리고, 채널영역은 함몰부에 대응하여 함몰부의 적어도 일영역 내에 형성되어 있을 수 있다.
또한, 드레인 전극은 함몰부에 대응하는 영역에 형성되어 있으며, 소스 전극 은 드레인 전극의 테두리를 따라 가장자리부에 대응하여 형성되어 있을 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 본 발명에 따라. 절연기판을 마련하는 단계와; 절연기판 상에 상호 이격 배치되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 소스 전극 및 드레인 전극 각각의 적어도 일부분을 노출시키면서 채널영역을 둘러싸고 있는 격벽을 형성하는 단계; 및 격벽 내에, 채널영역에 대응하는 표면이 실질적으로 평탄한 유기반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법에 의하여 달성될 수 있다.
여기서, 유기반도체층은 격벽에 인접하여 위치하는 가장자리부와 가장자리부에 둘러싸여 있으며 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함할 수 있다.
그리고, 소스 전극 및 드레인 전극은 채널영역이 가장자리부의 적어도 일영역 내에 위치하도록 형성될 수 있다.
또한, 소스 전극 및 드레인 전극은 채널영역이 함몰부의 적어도 일영역 내에 위치하도록 형성될 수 있다.
여기서, 드레인 전극은 함몰부에 대응하여 형성되며, 소스 전극은 드레인 전극의 테두리를 따라 가장자리부에 대응하여 형성될 수 있다.
그리고, 유기반도체층은 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다.
또한, 유기도체층 상부에 잉크젯 방식을 이용하여 유기절연막을 형성하는 단계와; 유기절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
여기서, 절연기판과 소스 전극 사이 및 절연기판과 드레인 전극 사이에 유기반도체층에 대응하는 광차단막을 형성하는 단계와; 광차단막을 덮고 있는 층간절연 막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고, 절연기판과 소스 전극 사이 및 절연기판과 데이터 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이하에서는 어떤 막(층)이 다른 막(층)의 '상에' 형성되어(위치하고) 있다는 것은, 두 막(층)이 접해 있는 경우뿐만 아니라 두 막(층) 사이에 다른 막(층)이 존재하는 경우도 포함한다.
여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 제1실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
먼저 도 1a와 도 1b를 참조하여 고분자 용액 건조시의 문제점을 설명한다.
표시장치의 제조에 있어서, 유기고분자층은 고분자 물질을 용매에 녹여 고분자 용액을 제조한 후 잉크젯 방식으로 형성된다. 유기고분자층은, 예를 들어, 박막트랜지스터의 유기반도체층, OLED의 정공주입층 또는 발광층이며 두께는 수십nm 내지 수백 nm일 수 있다.
도 1a는 절연기판(100) 상에 고분자 용액(200)을 드로핑(dropping)한 상태를 나타낸 것이고 도 1b는 고분자 용액(200)의 용매를 제거하여 유기고분자층(201)을 형성한 상태를 나타낸다.
고분자 용액(200)은 표면장력에 의하여 중심부가 두껍고 주변부가 얇은 형태 를 가지며 용매의 증기밀도(vapor density)는 중심부가 주변부에 비하여 높게 된다. 용매의 건조 속도는 고분자 용액(200)을 둘러싸고 있는 증기 밀도에 반비례하기 때문에 중심부보다는 주변부에서 용매의 건조가 활발히 일어난다. 고분자 용액(200) 중의 고분자 물질은 용매의 건조가 활발히 일어나는 주변부로 이동하게 되며 이에 따라 형성되는 유기고분자층(201)은 둘레(A)가 중심보다 높은 형태를 가지게 된다. 이와 같은 현상을 커피 스테인(coffee stain) 현상 이라고 한다.
표시장치의 유기고분자층(201)이 도 1b와 같은 형태를 가지게 되면, 박막트랜지스터를 구성하는 유기반도체층의 경우엔 박막트랜지스터의 전기적 특성이 균일하게 나타나지 않는 문제가 발생한다.
본 발명은 유기반도체층이 적용된 경우에, 상기의 문제를 해결하기 위하여 소스 전극 및 드레인 전극의 구조 또는 형상을 개선한 것이다.
도2은 본발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 요부 단면도이고, 도3는 도1의 'A'영역의 간략 평면도이며, 도4은 커피 스테인 현상이 발생된 경우의 제1실시예에 따른 표시장치의 요부 단면도이다.
본 발명에 따른 표시장치(1)는 절연기판(10), 절연기판(10) 상에 형성되어 있으며 서로 이격되어 있는 소스 전극(31) 및 드레인 전극(32), 소스 전극(31) 및 드레인 전극(32) 각각의 일부를 드러내고 있는 격벽(41) 그리고 격벽(41) 내에 위치하는 유기반도체층(51, 52, 53)을 포함한다.
절연기판(10)은 유리 또는 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 절연기판(10)이 플라스틱으로 만들어질 경우 표시장치(1)에 유연성을 부여할 수 있는 장점이 있으 나 열에 약한 단점이 있다. 유기반도체층(51, 52, 53)은 상온, 상압에서 형성할 수 있기 때문에 플라스틱 소재의 절연기판(10)을 사용하기 용이하다. 플라스틱 종류로는 폴리카본(polycarbon), 폴리 이미드(polyimide) , 폴리이서설폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트( PET) 등이 가능하다.
절연기판(10) 상에는 광차단막(21)이 형성되어 있으며 광차단막(21) 상에는 층간절연막(22)이 형성되어 있다. 제1실시예의 박막트랜지스터는 게이트 전극(62)이 유기반도체층(51, 52)의 상부에 위치하는 탑-게이트(top-gate) 방식이다. 따라서 게이트 전극(62)은 절연기판(10) 하부로부터 입사되는 빛이 유기반도체층(51, 52, 53)으로 입사되는 것을 방지하지 못한다. 유기반도체층(51, 52, 53)은 빛을 받으면 특성이 변화하여 박막트랜지스터의 성능을 불균일하게 하는데 광차단막(21)은 이를 방지한다. 광차단막(21)은 Cr이나 MoW와 같은 불투명재질로 이루어질 수 있다. 표시장치가 액정표시장치일 경우, 절연기판(10) 하부로부터 입사되는 빛은 백라이트 유닛으로부터 빛일 수 있다. 실시예에서 광차단막(21)은 모든 유기 반도체층(51, 52, 53)을 가리고 있으나, 실시예와 달리 박막트랜지스터의 특성에 크게 영향으로 주는 채널영역(B)을 중심으로 유기반도체층(51, 52, 53)의 일부만을 가리고 있을 수도 있다.
광차단막(21) 상에 위치하는 층간절연막(22)은 광차단막(21)이 플로팅 전극으로 작용하는 것을 방지하며 광차단막(21)을 평탄화시켜 준다. 층간절연막(22)은 광투과율이 좋아야 하며 이후의 공정에서 안정적이어야 한다. 층간절연막(22)은 벤 조시클로부텐(BCB)과 같은 유기막, 아크릴계의 감광막 또는 유기막과 무기막의 이중층일 수 있다. 유기막과 무기막의 이중층의 경우 무기막으로는 수백 nm두께의 질화 규소층이 사용될 수 있으며, 층간절연막(22)에서 유기반도체층(51, 52)으로의 불순물 유입을 방지한다. 이러한 층간절연막(22)은 반도체 공정에서 안정적이어야 하며, 광투과율이 좋은 재료인 것이 바람직하다. 경우에 따라서는 이와 같이 형성된 유기막 위에 실리콘 질화막(SiNx)을 형성해 줌으로써 공정의 안정성을 더욱 확보할 수 있으며, 유기반도체층(51, 52, 53)으로의 불순물 유입의 방지도 확고히 할 수 있다.
층간절연막(22) 상에는 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)이 형성되어 있다. 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)은 소정 간격으로 이격되어 있으며, 이격된 부분은 채널영역(B)을 형성한다. 소스 전극(31) 및 드레인 전극(32)은 유기반도체층(51, 52, 53)이 형성된 영역 내에서 소스 전극(31) 및 드레인 전극(32)의 연장방향에 수직인 방향에 대하여 비대칭적으로 형성되어 있다. 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)은 증착과 사진 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.소스 전극(31) 및 드레인 전극(32)은 절연기판(10)과 격벽(41) 사이에 개재되어 있으며, 채널영역(B)이 후술할 격벽(41)에 의하여 형성된 폐공간의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있다. 즉, 채널영역(B)은 유기반도체층(51, 52, 53)이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있을 수 있다.
여기서, 채널영역(B)은 후술할 유기반도체층(51, 52, 53)의 표면이 실질적으로 평탄한 영역에 대응하여 위치하도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이는 채널 영역(B)을 따라 유기반도체층(51, 52, 53)의 두께 편차가 발생하면, 이러한 두께편차로 인하여 유기 박막트랜지스터(Organic TFT)의 전기적 특성이 균일하지 않게 나타날 수 있기 때문이다. 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 형성될 수 있으며, Cu, Mo, Ta, Cr, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로도 형성될 수 있다.
소스 전극(31), 드레인 전극(32) 그리고 이들이 덮지 않은 층간절연막(22) 상에는 격벽(41)이 형성되어 있다. 격벽(41) 중 일부는 채널영역(B)을 둘러싸면서 폐공간을 형성하고 있으면서 소스 전극(31) 및 드레인 전극(32) 각각의 적어도 일부분을 노출시키고 있다. 격벽(41)은 유기반도체층(51, 52, 53)을 형성하기 위한 틀 역할을 한다. 격벽(41)은 유기반도체가 드로핑되는 경우 유기반도체의 적하 크기(drop size)가 크거나 정확한 위치에 떨어지지 않는 경우, 그리고 적하 크기가 서로 다른 경우 등에 있어서 유기 반도체가 주위로 퍼지는 정도가 달라 유기 반도체층(51, 52, 53)이 균일하게 형성되지 않는 것을 방지하기 위해 형성한다. 즉 잉크젯 방식에서 잉크를 떨어뜨릴 위치를 미리 정하여 잉크젯 공정이 정확하게 진행되도록 하는 것이다.
격벽(41)은 불소계 고분자로 이루어 질 수 있다. 격벽(41)에 드로핑되는 잉크가 친수성인 경우에는 격벽(41)은 소수성 그리고 드로핑되는 잉크가 소수성인 경우에는 격벽(41)은 친수성인 것이 잉크롤 원하는 위치에 형성시키는데 유리하다. 불소계 고분자는 발수성(water repellency) 및 발유성(oil repellency)을 동시에 가지는 특성이 있다. 불소계 고분자로는, 이에 한정되지는 않으나 PTFE(Poly Tetra Fluoro Ethylene), FEP(Fluorinated Ethylene Propylene), PFA(Poly Fluoro Alkoxy), ETFE(Ethylene Tetra Fluoro Ethylene), PVDF(polyvinylidene fluoride)등이 가능한다.
채널영역(B)을 둘러싸고 있는 격벽(41)은 상부로 갈수록 좁아지는 형태이며 높이는 약 2.7㎛정도일 수 있다. 격벽(41)의 일부에는 드레인 전극(32)을 드러내는 드레인 접촉구(91)가 마련되어 있다. 이와 같은 격벽(41)은 감광성인 경우 코팅, 노광 그리고 현상을 거쳐 형성될 수 있으며, 감광성이 아닌 경우 코팅 후 별도의 감광막을 이용한 사진 식각을 통해 형성될 수 있다.
격벽(41) 내에는 유기반도체층(organic semiconductor layer, 51, 52, 53)이 위치하고 있다. 유기반도체층(51, 52, 53)은 채널영역(B)을 덮고 있으며, 노출되어 있는 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)을 덮고 있다. 유기반도체층(51, 52, 53)은 잉크젯 방법으로 형성되어 있으며, 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 물질이나 저분자 물질이 이용된다. 고분자 유기반도체는 일반적으로 용매에 잘 용해되므로 잉크젯 공정에 적합하다. 그러나 저분자 유기 반도체 중에서도 유기 용매에 잘 용해되는 물질이 있으므로 이를 이용할 수 있다.
도4에 도시된 바와 같이, 잉크젯 방법에 의하여 형성된 유기반도체층(51, 52)은 격벽(41)에 인접하여 형성된 가장자리부(51)와, 가장자리부(51)에 둘러싸여 있으며 가장자리부(51)보다 높이가 낮은 함몰부(52)를 포함할 수 있다. 가장자리부(51)와 함몰부(52)의 표면은 비교적 평탄하나 가장지리부(51)와 함몰부(52)의 경계영역은 단차를 이루고 있다. 이런 형상은 격벽(41) 내로 제팅된 유기반도체용액의 경화시 유기반도체용액 표면의 증발속도가 서로 달라서 나타나는 현상으로, 커피 스테인(coffee stain) 현상이라 한다. 일반적으로 채널영역(B)은 격벽(41) 내부 또는 유기반도체층(51, 52)의 전면 중앙에 배치되도록 형성되게 되는데, 이 경우 채널영역(B)은 유기반도체층(51, 52)의 두께 편차가 발생된 영역에 걸쳐서 위치하게 된다. 이와 같은 구조 또는 형상의 박막트랜지스터는 전기적 특성이 균일하게 나타나지 못하는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 상술한 채널영역(B)을 두께 편차가 발생되지 않은 영역에 위치하도록 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)을 패터닝한다. 즉, 도4에 도시된 바와 같이, 가장자리부(51)에 대응하여 가장자리부(51)의 적어도 일영역 내에 채널영역(B)이 위치하도록 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)을 형성한다. 그리고 채널영역(B)이 격벽(41)에 의해 둘러싸인 영역 내에서 일방향으로 치우쳐 위치하도록 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)을 형성하는 것이다. 또는, 도시되지 않았으나 다른 실시예로, 함몰부(52)에 대응하여 함몰부(52)의 적어도 일영역 내에 채널영역(B)이 위치하도록 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)을 형성할 것이다. 여기서, 가장자리부(51)과 함몰부(52)의 표면은 비교적 평탄한 면을 이루고 있다.
이에 의하여, 채널영역(B)이 비교적 평탄한 면을 이루고 있는 유기반도체층(51, 52)의 하부에 배치되게 됨으로써 박막트랜지스터의 전기적 특성이 비교적 균일하게 나타나게 된다.
한편, 유기반도체층(51, 52, 53)은 테트라센(tetracene) 또는 펜타센 (pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체이거나, 티오펜링(thiopene ring)의 2, 5위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜(oligothiopene)일 수 있다.
그리고, 유기반도체층(51, 52, 53)은 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(perylenetetracarboxlic dianhidride, PTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체이거나 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(naphthalenetetracarboxlic dianhydride, NTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체층(51, 52, 53)은 금속화 프타로시아닌(metallized pthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체이거나 페릴렌 또는 코로렌과 그의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다. 여기서 금속화 프타로시아닌(metallized pthalocyanine)에 첨가되는 금속으로는 구리, 코발트, 아연 등이 바람직하다.
그리고, 유기 반도체층(51, 52, 53)은 티에닐렌(thienylene) 및 비닐렌(vinylene)의 코-올리고머(co-oligomer) 또는 코-폴리머(co-polymer)일 수 있다.
유기 반도체층(51, 52, 53)은 티에닐렌(thienylene) 또는 코로렌(coroene)과 그들의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있으며, 이러한 유도체들의 아로마틱(aromatic) 또는 헤테로아로마틱 링(heteroaromatic ring)에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인(hydrocarbon chain)을 한 개 이상 포함하는 유도체일 수 있다.
유기 반도체층(51, 52, 53)의 상부에는 유기절연막(61)이 형성되어 있다. 유기 반도체층(51, 52, 53)과 게이트 전극(62)이 직접 접촉하거나 무기절연막을 사이에 두고 위치하면 유기반도체층(51, 52, 53)의 특성이 열화될 수 있다. 유기절연막(61)은 유기반도체층(51, 52, 53)과 게이트 전극(62)의 직접 접촉을 방지하면서 유 기반도체층(51, 52, 53)의 특성이 유지될 수 있도록 한다. 유기반도체층(51, 52, 53)도 잉크젯 방식으로 형성되며 격벽(41)보다 다소 낮게 형성되어 있다.
채널영역(B)상의 유기절연막(61) 상에는 게이트 전극(62)이 위치하고 있다. 게이트 전극(62)은 Cu, Mo, Ta, Cr, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속 단일층이거나 금속 다중층일 수 있다.
게이트 전극(62)의 상부에는 제1보호막(71)이 형성되어 있다. 제1보호막(71)은 아크릴계의 감광성 유기막이나 실리콘 질화물막으로 이루어질 수 있으며 드레인 전극(32)을 노출시키는 드레인 접촉구(91)에서는 제거되어 있다. 도시되지 않았으나, 제1보호막(71) 상에 제2 보호막이 형성될 수 있다.
제1보호막(71) 상에는 화소전극(81)이 형성되어 있다. 화소전극(81)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있으며 드레인 접촉구(91)을 통해 드레인 전극(32)과 접하고 있다.
이하에서는 도 5a 내지 도 5g를 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 설명한다. 도5a 내지 도5g는 커피 스테인 현상이 발생한 경우의 실시예를 예로 들어 설명하나, 이에 한정되지 않는다.
먼저 도 5a와 같이 절연기판(10) 상에 광차단막(21), 층간절연막(22), 소스 전극(31) 그리고 드레인 전극(32)을 형성한다. 절연기판(10)으로는 유리, 실리콘 또는 플라스틱이 가능하다.
광차단막(21)은 Cr, MoW와 같은 금속막을 스퍼터링 등의 방법으로 절연기판(10) 상에 증착한 후 사진식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
층간절연막(22)은 유기막인 경우에는 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅 방법으로 형성될 수 있으며, 무기막인 경우에는 화학기상증착(CVD), 플라즈마 강화 화학기상증착 (PECVD)방법으로 형성될 수 있다.
소스 전극(31)과 드레인 전극(32)은 금속막을 스퍼터링 등의 방법으로 절연기판(10) 상에 증착한 후 사진식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 형성되는 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)은 이격 분리되어 채널영역(B)을 정의한다. 도시되지 않았으나, 실시예와 달리, 소스 전극(31) 및 드레인 전극(32)이 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명전도물질로 이루어져 있을 수 있으며 드레인 전극(32)은 화소전극(81)과 일체를 이루고 있을 수 있다.
이 후 도 5b와 같이 격벽(41) 형성을 위한 격벽 코팅층(40)을 형성하고 그 상부에 감광막 패턴(95)을 형성한다. 격벽 코팅층(40)은 유기고분자를 용제에 용해한 후 슬릿 코팅, 스핀 코팅법을 이용하여 코팅한 후 용제를 제거하는 과정을 통하여 형성될 수 있다. 격벽 코팅층(40) 상에 위치하는 감광막 패턴(95)은 격벽(41)이 형성될 격벽 코팅층(40) 상부에만 위치하고 있다. 이 상태에서 감광막 패턴(95)으로 가리지 않은 격벽 코팅층(40)을 식각 제거하여 격벽(41)을 형성한다.
격벽(41)을 이루는 유기고분자가 감광성 특성을 가진 경우 격벽(41)은 별도의 감광막 패턴(95)을 이용하지 않고 형성될 수 있다. 즉 격벽(41)은 마스크를 이용하여 격벽 코팅층(40)을 노광, 현상하는 것만으로 형성될 수 있다. 그리고, 격벽(41)에 드레인 전극(31)을 드러내는 접촉구(91)도 형성한다.
이후 도 5c와 같이 완성된 격벽(41)으로 둘러싸인 채널영역(B)에 유기반도체 용액(50)을 잉크젯 방식으로 드로핑(dropping)한다. 유기반도체용액(50)은 용제에 따라 친수성 또는 친유성일 수 있으며, 일부는 격벽(41)의 측면으로 드로핑되기도 한다. 본 발명의 격벽(41)은 발수성과 발유성을 모두 갖춘 유기고분자로 이루어져 있기 때문에 격벽(41)의 측면으로 드로핑된 유기반도체용액(50)은 격벽(41)의 측면을 타고 흘러 내려 채널영역(B)으로 흘려 내린다. 반면 발수성과 발유성은 격벽(41)에만 한정되고 유기반도체용액(50)이 접하는 유기절연막(22), 소스 전극(31) 그리고 드레인 전극(32)은 표면처리되어 있지 않아 발수성과 발유성을 가지고 있지 않는다. 따라서 유기반도체용액(50)은 채널영역(B) 및 그 주변에 비교적 평탄하게 형성될 수 있다. 한편, 유기반도체층(51, 52)은 증발법에 의하여 형성될 수도 있는데, 이 경우 격벽(41)은 불필요하다.
이어, 도5d에 도시된 바와 같이, 유기반도체용액(50)은 용제 제거과정을 거쳐 유기반도체층(51, 52)이 형성되는데, 용제 제거과정을 거친 유기반도체층(51, 52)은, 도5e에 도시된 바와 같이, 격벽(41)에 인접하여 형성된 가장자리부(51)와 가장자리부(51)에 둘러싸여 있으며 가장자리부(51)보다 높이가 낮은 함몰부(52)로 이루어진 형상을 이루게 된다. 이런 형상은, 도5d에 도시된 바와 같이, 격벽(41) 내로 제팅된 유기반도체용액의 경화시, 유기반도체용액(50)의 표면 중에 가장자리 영역의 증발속도가 빨라 유기반도체용액(50)이 외곽 또는 가장자리로 이동하면서 가장자리 쪽에 더 많이 유기반도체용액(50)이 쌓이게 되어 나타나는 현상으로, 커피 스테인(coffee stain) 현상이라 한다. 즉, 커피 스테인 현상에 의하여 유기반도체층(51, 52)의 두께 편차가 발생되게 되고, 채널영역(B)이 두께 편차가 발생된 영 역에 걸쳐서 위치하게 된 경우 박막트랜지스터는 전기적 특성이 균일하게 나타나지 못하는 문제점이 있다.
이에 본 발명에서는 상술한 바와 같이, 이와 같은 커피 스테인 형상을 고려하여, 미리 채널영역(B)을 가장자리부(51) 또는 함몰부(52)의 적어도 일영역 내에 위치하도록 소스 전극(31)과 드레인 전극(32)을 형성한다. 여기서, 가장자리부(51)와 함몰부(52)의 표면은 비교적 평탄한 면을 이루고 있어서, 박막트랜지스터의 전기적 특성이 균일하게 나타나게 된다.
이 후 도 5f와 같이 완성된 유기반도체층(51, 52) 상에 유기절연막용액(미도시)을 유기반도체층(51, 52) 형성방법과 유사하게 잉크젯 방법을 통하여 형성한다. 유기절연막 용액(미도시)은 용제 제거과정을 거쳐 유기절연막(61)을 형성하며 유기절연막(61)도 평탄하게 형성된다. 용제제거과정을 거치면 유기절연막(61)은 격벽(41)보다 낮게 형성될 수 있다. 이와 달리, 유기절연막(61)은 슬릿 또는 스핀코팅 및 감광막에 의한 패터닝 공정을 통하여 형성될 수도 있다.
이후 완성된 유기절연막(61) 상에 게이트 전극(62)을 형성한다. 게이트 전극(62)은 금속막을 스퍼터링 등의 방법으로 절연기판(10) 상에 증착한 후 사진식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 게이트 전극(62)은 금속 단일층 또는 금속 다중층일 수 있다.
이 어 도 5g와 같이 게이트 전극(62) 및 격벽(41) 상에 보호막(71)을 형성한다. 제1보호막(71)은 드레인 접촉구(91) 영역에서는 제거되어 있다. 제1보호막(71)이 감광성 유기막으로 이루어진 경우 경우 보호막(71)은 코팅, 노광 및 현상을 통 해 형성될 수 있으며, 실리콘 질화물과 같은 무기막으로 이루어진 경우 증착과 사진 식각공정을 통해 형성될 수 있다. 그리고, 제1보호막(71)에 드레인 전극(32)을 드러내는 접촉구(91)을 형성한다.
이후 마지막으로 드레인 접촉구(91)를 통해 드레인 전극(31)과 접하는 화소전극(81)을 형성한다. 여기서, 화소전극(81)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명전도물질로 이루어져 있다.
이하에서는 도6를 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 표시장치에 대하여 설명한다. 제2실시예에서는 제1실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명되지 않은 부분은 상술한 제1실시예에 따른다.
도6는 도2의 'C'부분의 평면도로, 드레인 전극(32)과 소스 전극(31)은 절연기판(10)과 유기반도체층(53) 사이에 개재되어 있다. 그리고, 드레인 전극(32)은 일방향으로부터 연장되어 유기반도체층(53)이 형성된 영역 내에 폭이 확장되어 있으며, 소스 전극(31)은 타방향으로부터 연장되어 유기반도체층(53)이 형성된 영역 내에서 드레인 전극의 테두리를 따라 소정간격 이격 형성되어 정의되는 채널영역(B)이 유기반도체층(53)이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있다. 채널영역(B)은 격벽(41)과 드레인 전극(32)의 사이공간의 적어도 일부를 채우고 있다. 커피 스테인 현상이 발생한 구조에서, 도시되지 않았으나, 채널영역(B)은 상술한 가장자리부의 영역 내에 위치하도록 형성되어 질 수 있으며, 이와 같은 구조에 의하여 박막트랜지스터의 전기적 특성은 균일하게 나타난다. 도시 도지는 않았으나, 실시예와 달리 드레인 전극(32)와 소스 전극(31)이 함몰부 내부에 위치하 도록 형성될 수도 있다.
이하에서는 도7를 참조하여, 본 발명의 제3실시예에 표시장치에 대하여 설명한다. 제3실시예에서는 제1실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명되지 안은 부분은 상술한 제1실시예에 따른다. 제3실시예에서는 커피 스테인 현상이 발생한 경우를 가정하여 설명하나, 이에 한정되지 않는다.
도 7에 도시한 제3실시예에 따른 표시장치(1)는 제1실시예와 달리 게이트 전극(62)이 유기 반도체층(51)의 하부에 위치하는 바텀 게이트(bottom gate)방식이다. 게이트 전극(62)이 절연기판(10) 하부로부터 입사되는 빛을 막아주므로 별도의 광차단막은 형성되어 있지 않는다. 게이트 전극(62)과 유기반도체층(51, 52) 사이에는 게이트 절연막(63)이 위치한다. 게이트 절연막(63)은 유기막, 무기막 또는 유기막과 무기막의 2중층일 수 있다.
제3실시예에 따르면 유기반도체층(51, 52) 형성 후에 제1보호막(71) 형성과정만이 있기 때문에 화학물질 또는 플라즈마 등에 의한 유기반도체층(51, 52)의 품질이 저하될 가능성이 적게된다. 제1보호막(71)은 격벽(41) 내에 잉크젯 방법에 의하여 형성될 수 있으며, 제1보호막(71) 상에 제2보호막(72)도 형성될 수 있다. 제2보호막(72)는 유기막일 수 있으며, 이 경우 코팅법에 의하여 형성될 수 있다. 그리고 제2보호막(72)는 무기막일 수도 있으며, 증착법에 의하여 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터는 액정표시장치 또는 유기전기발광장치(organic light emitting diode) 등의 표시장치에 사용될 수 있다.
유기전기발광장치는 전기적인 신호를 받아 발광하는 유기물을 이용한 자발광 형 소자이다. 유기전기발광장치에는 음극층(화소전극), 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 양극층(대향전극)이 적층되어 있다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 드레인 전극은 음극층과 전기적으로 연결되어 데이터 신호를 인가할 수 있다.
비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치가 제공된다.
또한 전기적 특성이 균일한 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치의 제조방법이 제공된다.

Claims (32)

  1. 절연기판과;
    상기 절연기판 상에 형성되어 있는 유기반도체층; 및
    상기 절연기판과 상기 유기반도체층 사이에 개재되어 있으며, 상호 이격 배치되어 정의된 채널영역이 상기 유기반도체층이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되어 있으며, 상기 채널영역을 둘러싸는 소정의 폐공간을 형성하고 있는 격벽을 더 포함하며,
    상기 채널영역은 상기 폐공간의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있으며, 상기 폐공간 내에는 상기 유기반도체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 유기반도체층이 형성된 영역 내에서 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 연장방향에 수직인 방향에 대하여 비대칭적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기반도체층은 상기 격벽에 인접하여 형성된 가장자리부와 상기 가장자리부에 둘러싸여 있으며 상기 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하며,
    상기 채널영역은 상기 가장자리부에 대응하여 상기 가장자리부의 적어도 일영역 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가장자리부의 표면은 실질적으로 평탄한 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 절연기판과;
    상기 절연기판 상에 형성되어 있는 유기반도체층과;
    상기 절연기판과 상기 유기반도체층 사이에 개재되어 있으며, 일방향으로부터 연장되어 상기 유기반도체층이 형성된 영역 내에서 폭이 확장된 드레인 전극; 및
    상기 드레인 전극과 동일한 층에 형성되어 있으며, 타방향으로부터 연장되어 상기 유기반도체층이 형성된 영역 내에서 상기 드레인 전극의 테두리를 따라 소정간격 이격 형성되어 정의되는 채널영역이 상기 유기반도체층이 형성된 영역의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되어 있으며, 상기 채널영역을 둘러싸는 소정의 폐공간을 형성하고 있는 격벽을 더 포함하며,
    상기 채널영역은 상기 폐공간의 일측으로 치우쳐 위치하도록 형성되어 있으며, 상기 폐공간 내에는 상기 유기반도체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 채널영역은 상기 격벽과 상기 드레인 전극 사이공간의 적어도 일부를 채우고 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 유기반도체층은 상기 격벽에 인접하여 형성된 가장자리부와 상기 가장자리부에 둘러싸여 있으며 상기 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하며,
    상기 채널영역은 상기 가장자리부에 대응하여 상기 가장자리부의 적어도 일영역 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가장자리부의 표면은 실질적으로 평탄한 것을 특징으로 하는 표시장치.
  11. 제1항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 드레인 전극은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
  12. 제1항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 반도체층은 잉크젯 방식 및 증발법 중 어느 하나에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 제1항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연기판과 상기 소스 전극 사이 및 상기 절연기판과 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 상기 유기반도체층에 대응하는 광차단막과;
    상기 광차단막을 덮고 있는 층간절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  14. 제1항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기반도체층을 덮고 있는 유기절연막과;
    상기 유기절연막 상에 형성되어 있는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 유기절연막은 상기 격벽보다 낮은 것을 특징으로 하는 표시장치.
  16. 제1항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연기판과 상기 소스 전극 사이 및 상기 절연기판과 상기 데이터 전극 사이에 위치하는 게이트 전극과; 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 유기반도체층을 덮고 있는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 보호막은 2층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  19. 절연기판과;
    상기 절연기판 상에 상호 이격 배치되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극과;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일부분을 노출시키며, 상기 채널영역을 둘러싸고 있는 격벽; 및
    상기 격벽 내에 형성되어 있으며, 채널영역에 대응하는 표면이 실질적으로 평탄한 유기반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 유기반도체층은 상기 격벽에 인접하여 형성된 가장자리부와 상기 가장자리부에 둘러싸여 있으며 상기 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하며,
    상기 채널영역은 상기 가장자리부에 대응하여 상기 가장자리의 적어도 일영역 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 채널영역은 상기 함몰부에 대응하여 상기 함몰부의 적어도 일영역 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 드레인 전극은 상기 함몰부에 대응하는 영역에 형성되어 있으며, 상기 소스 전극은 상기 드레인 전극의 테두리를 따라 상기 가장자리부에 대응하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  23. 절연기판을 마련하는 단계와;
    절연기판 상에 상호 이격 배치되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일부분을 노출시키면서 상기 채널영역을 둘러싸고 있는 격벽을 형성하는 단계; 및
    상기 격벽 내에, 상기 채널영역에 대응하는 표면이 실질적으로 평탄한 유기반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 유기반도체층은 상기 격벽에 인접하여 위치하는 가장자리부와 상기 가장자리부에 둘러싸여 있으며 상기 가장자리부보다 높이가 낮은 함몰부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 채널영역이 상기 가장자리부의 적어도 일영역 내에 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 채널영역이 상기 함몰부의 적어도 일영역 내에 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 드레인 전극은 상기 함몰부에 대응하여 형성되며, 상기 소스 전극은 상기 드레인 전극의 테두리를 따라 상기 가장자리부에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  28. 제 23항에 있어서,
    상기 유기반도체층은 잉크젯 방식 및 증발법 중 어느 하나에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  29. 제23항에 있어서,
    상기 유기도체층 상부에 잉크젯 방식을 이용하여 유기절연막을 형성하는 단계와;
    상기 유기절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  30. 제23항에 있어서,
    상기 절연기판과 상기 소스 전극 사이 및 상기 절연기판과 상기 드레인 전극 사이에 상기 유기반도체층에 대응하는 광차단막을 형성하는 단계와;
    상기 광차단막을 덮고 있는 층간절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  31. 제23항에 있어서,
    상기 절연기판과 상기 소스 전극 사이 및 상기 절연기판과 상기 데이터 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 유기반도체층 상에 잉크젯 방식을 이용하여 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407288B1 (ko) * 2007-04-27 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070053060A (ko) * 2005-11-19 2007-05-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
JP5098159B2 (ja) * 2005-11-29 2012-12-12 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
CN101361192B (zh) * 2006-12-18 2010-06-02 松下电器产业株式会社 半导体设备
KR101586673B1 (ko) * 2006-12-22 2016-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4352415B2 (ja) 2007-03-29 2009-10-28 株式会社デンソー 燃料噴射制御装置及び燃料噴射制御システム
JP4861886B2 (ja) * 2007-04-10 2012-01-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌデバイス及び有機ｅｌディスプレイ
JP5216237B2 (ja) * 2007-05-16 2013-06-19 パナソニック株式会社 半導体素子及びその製造方法
JP5277675B2 (ja) * 2007-07-11 2013-08-28 株式会社リコー 有機薄膜トランジスタの製造方法
US20090014716A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Takumi Yamaga Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same
EP2178110A4 (en) * 2007-08-07 2012-08-29 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR COMPONENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND PICTURE DISPLAY
KR100907255B1 (ko) * 2007-09-18 2009-07-10 한국전자통신연구원 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치
JP5256676B2 (ja) * 2007-09-21 2013-08-07 大日本印刷株式会社 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ
JP2009087996A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ
GB0722750D0 (en) * 2007-11-20 2008-01-02 Cambridge Display Technology O Organic thin film transistors active matrix organic optical devices and emthods of making the same
JP5244378B2 (ja) * 2007-12-21 2013-07-24 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
KR20100054630A (ko) * 2008-11-14 2010-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터와 이의 제조방법 그리고 이를 이용한표시장치
WO2010056568A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 3M Innovative Properties Company Off-center deposition of organic semiconductor in an organic semiconductor device
US8211782B2 (en) * 2009-10-23 2012-07-03 Palo Alto Research Center Incorporated Printed material constrained by well structures
JP5515660B2 (ja) * 2009-11-13 2014-06-11 セイコーエプソン株式会社 半導体装置用基板の製造方法
JP5969745B2 (ja) * 2010-09-10 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5806309B2 (ja) 2011-06-21 2015-11-10 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機ｅｌ表示素子とその製造方法、および有機ｅｌ表示装置
WO2012176231A1 (ja) * 2011-06-21 2012-12-27 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
WO2013073087A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
CN103384911B (zh) 2011-11-14 2016-09-28 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管器件及其制造方法、有机el显示元件和有机el显示装置
JPWO2013073090A1 (ja) 2011-11-14 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
JPWO2013073088A1 (ja) 2011-11-14 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
WO2013073089A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
TW201503266A (zh) * 2013-03-08 2015-01-16 Nat Univ Corp Univ Kobe 有機半導體薄膜的製作方法
JPWO2014156133A1 (ja) 2013-03-26 2017-02-16 パナソニック株式会社 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
TWI713943B (zh) * 2013-09-12 2020-12-21 日商新力股份有限公司 顯示裝置及電子機器
CN105097831B (zh) * 2015-06-23 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件
CN105529337B (zh) * 2016-01-28 2018-12-11 深圳市华星光电技术有限公司 柔性阵列基板结构及其制造方法
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
CN106601922B (zh) * 2016-12-15 2020-05-26 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点显示面板及其制作方法
JP7168497B2 (ja) * 2019-03-20 2022-11-09 スタンレー電気株式会社 液晶表示素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623989B1 (ko) * 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
US6821811B2 (en) * 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
DE602004005685T2 (de) * 2003-03-07 2007-12-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur herstellung einer elektronischen anordnung
KR100603361B1 (ko) * 2004-08-05 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR101090250B1 (ko) * 2004-10-15 2011-12-06 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
KR100603397B1 (ko) * 2004-11-18 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
KR101102152B1 (ko) * 2005-06-28 2012-01-02 삼성전자주식회사 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407288B1 (ko) * 2007-04-27 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

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CN1937276A (zh) 2007-03-28
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