JP4861886B2 - 有機elデバイス及び有機elディスプレイ - Google Patents
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Description
前記画素電極の全面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極上に接触して積層され、かつ
前記画素電極はAl,BaO,Ba,FLi,Ca,CaO,MoO3またはWOxで形成され、
前記半導体材料は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の周囲の一部または全体に配置され、
前記ソース電極またはドレイン電極の周囲に配置された半導体材料の周囲に、前記ドレイン電極またはソース電極が配置され、
前記第1のトランジスタの外側に配置された第2のトランジスタをさらに具備し、
前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記第1のトランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1のトランジスタのゲート電極と、前記第2のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が同一平面上にある、
トップエミッション方式の有機ELデバイス。
[2]画素電極を含むEL発光素子と、ソース電極およびドレイン電極ならびに前記電極間を接続する半導体材料を含む第1のトランジスタと、を具備するトップエミッション方式の有機ELデバイスであって、
前記画素電極の全面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極上に接触して積層され、かつ
前記画素電極はAl,BaO,Ba,FLi,Ca,CaO,MoO 3 またはWOxで形成され、
前記半導体材料は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の周囲の一部または全体に配置され、
前記ソース電極またはドレイン電極の周囲に配置された半導体材料の周囲に、前記ドレイン電極またはソース電極が配置され、
前記第1のトランジスタの外側に配置された第2のトランジスタをさらに具備し、
前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記第1のトランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が、前記第2のトランジスタのゲート電極と同一平面上にある、
トップエミッション方式の有機ELデバイス。
[3]前記ソース電極またはドレイン電極の外周部のうち、前記半導体材料と接触している部分が櫛歯状であり、かつ
前記半導体材料の周囲に配置されるドレイン電極またはソース電極の内周部のうち、前記半導体材料と接触している部分が櫛歯状である、[1]又は[2]に記載のトップエミッション方式の有機ELデバイス。
[5]前記[1]〜[4]のいずれかに記載の有機ELデバイスを具備する、有機ELディスプレイ。
第1の有機ELデバイスのEL発光素子は、画素電極、上部電極および両電極に挟み込まれるEL発光層を含み、さらに任意の部材を有していてもよい。両電極の間には、EL発光層に加えて、正孔輸送層や電子輸送層などが形成されていてもよい。正孔輸送層、電子輸送層などの材質はそれぞれ適宜選択されればよく、各層の厚さは数十nm程度に適宜設定されればよい。
ボトムエミッション方式とする場合には画素電極を透明電極とすればよく、透明電極の材質の例にはITOおよびIZOが含まれる。一方、トップエミッション方式とする場合には画素電極を透明電極にする必要はなく、通常の金属電極であってもよいが、例えばAl,BaO,Ba,FLi,Ca,CaO,MoO3またはWOxなどで形成されるが、好ましくはAl,BaO,WOxで形成される。
画素電極を積層するソース電極またはドレイン電極の周囲を、半導体材料とドレイン電極またはソース電極で囲みこむことにより、デバイス同士のクロストークを抑制することができる。したがってデバイス同士を接近させて配置することができ、例えば有機ELデバイスをマトリックス状に配置した場合には、デバイス同士の間隔(各デバイスの最も外周端の電極同士の間隔)を20〜70μm程度にまで縮めても、クロストークを生じさせにくい。
特に、スイッチ用トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、駆動用トランジスタのゲート電極と接続される必要があるので、それらを同一平面上に配置すれば接続が容易になり、かつスイッチ用トランジスタと駆動用トランジスタを近づけることができる。よって、有機ELデバイスの開口率をさらに高めることができる。
本発明の第2の有機ELデバイスは、有機発光トランジスタとスイッチ用トランジスタを含むことを特徴とする。有機発光トランジスタとは、ソース電極とドレイン電極と、両電極間を接続する有機発光半導体材料を含む。つまり有機発光トランジスタとはチャネルが発光するトランジスタであるので、第1の有機ELデバイスの駆動用トランジスタとEL発光素子の機能を兼ね備えているといえる。有機発光半導体材料の例には、(チオフェン/フェニレン)コオリゴマーや、テトラフェニルピレンなどが含まれる。
図1は、前記第1の有機ELデバイスの例を示す。
図1(A)に示されたように、基板材料9に配置されたゲート絶縁膜6に積層された駆動用トランジスタのドレイン電極2に画素電極1が積層され、さらに画素電極1に有機EL発光材料8が積層されて、発光材料8に上部電極12が積層されている。画素電極1の上に、順に、正孔輸送層(図示せず)、インターレイヤー(図示せず)、有機EL発光材料8および上部電極12を積層してもよい。ドレイン電極2と画素電極1は異なる材料であっても同一の材料であってもよい。また図1(A)では、ドレイン電極2と画素電極1とが別部材とされているが、ドレイン電極2が画素電極1を兼用しても構わない。
駆動用トランジスタの近傍であって、駆動用トランジスタのドレイン電極2およびソース電極3と同一平面上に、スイッチ用トランジスタのドレイン電極2’とソース電極3’と半導体材料4’が配置される。
もちろん発光材料8を無機EL発光材料としてもよく、その場合には発光材料8を蒸着法で形成してもよい。
図3は、前記第1の有機ELデバイスの別の例を示す。図1に示された有機ELデバイスと同様に、駆動用トランジスタのドレイン電極2に画素電極1が積層され、さらに画素電極1に有機EL発光材料8が積層されて、発光材料8に上部電極12が積層されている。またドレイン電極2の同一平面上の周囲には半導体材料4が配置され、さらに半導体材料4の同一平面上の周囲にはソース電極3が配置される。半導体材料4には、基板材料9の上に配置されたゲート電極7がゲート絶縁膜6を介して配置される。また、ソース電極3およびドレイン電極2の外周部の上部にバンク5が形成される(図3(A)参照)。
図4は、前記第2の有機ELデバイスを示す図であり、有機発光トランジスタを有する有機ELデバイスを示す。図4(A)に示されたように、基板材料9に配置されたゲート絶縁膜6に、スイッチ用トランジスタのソース電極3’、ドレイン電極2’および半導体材料4’、ならびに有機発光トランジスタのソース電極3,ドレイン電極2および有機発光半導体材料11が配置される。各電極上にはバンク5が配置される。
2 ドレイン電極
2’ ドレイン電極
3 ソース電極
3’ ソース電極
4 半導体材料
4’ 半導体材料
5 バンク
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
7’ ゲート電極
8 発光材料
9 基板材料
11 有機発光半導体材料
12 上部電極
Claims (5)
- 画素電極を含むEL発光素子と、ソース電極およびドレイン電極ならびに前記電極間を接続する半導体材料を含む第1のトランジスタと、を具備するトップエミッション方式の有機ELデバイスであって、
前記画素電極の全面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極上に接触して積層され、かつ
前記画素電極はAl,BaO,Ba,FLi,Ca,CaO,MoO3またはWOxで形成され、
前記半導体材料は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の周囲の一部または全体に配置され、
前記ソース電極またはドレイン電極の周囲に配置された半導体材料の周囲に、前記ドレイン電極またはソース電極が配置され、
前記第1のトランジスタの外側に配置された第2のトランジスタをさらに具備し、
前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記第1のトランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1のトランジスタのゲート電極と、前記第2のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が同一平面上にある、
トップエミッション方式の有機ELデバイス。 - 画素電極を含むEL発光素子と、ソース電極およびドレイン電極ならびに前記電極間を接続する半導体材料を含む第1のトランジスタと、を具備するトップエミッション方式の有機ELデバイスであって、
前記画素電極の全面は、前記ソース電極または前記ドレイン電極上に接触して積層され、かつ
前記画素電極はAl,BaO,Ba,FLi,Ca,CaO,MoO 3 またはWOxで形成され、
前記半導体材料は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の周囲の一部または全体に配置され、
前記ソース電極またはドレイン電極の周囲に配置された半導体材料の周囲に、前記ドレイン電極またはソース電極が配置され、
前記第1のトランジスタの外側に配置された第2のトランジスタをさらに具備し、
前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記第1のトランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が、前記第2のトランジスタのゲート電極と同一平面上にある、
トップエミッション方式の有機ELデバイス。 - 前記ソース電極またはドレイン電極の外周部のうち、前記半導体材料と接触している部分が櫛歯状であり、かつ
前記半導体材料の周囲に配置されるドレイン電極またはソース電極の内周部のうち、前記半導体材料と接触している部分が櫛歯状である、請求項1又は2に記載のトップエミッション方式の有機ELデバイス。 - 前記第1のトランジスタの半導体材料と、前記第2のトランジスタの半導体材料とが、互いに異なる材料である、請求項1又は2に記載のトップエミッション方式の有機ELデバイス。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機ELデバイスを具備する、有機ELディスプレイ。
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