JP5098159B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
乾式成膜法も考えられる。しかしながら、フレキシブル化、低コスト化などを考慮するとスクリーン印刷、反転オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット法などの湿式成膜法により形成することが望ましい。スクリーン印刷により電極を形成する場合、一般的に電極の膜厚は厚くなるが、このような場合において本発明の効果は顕著である。即ち、電極が厚膜であるため接触面積を大きくすることが出来る一方、チャネル部中央の半導体層膜厚が薄いためオフ電流を小さく保つことが出来る。
20…トップゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタ
11…基板
12…ゲート電極
13…ゲート絶縁膜
14…ソース・ドレイン電極
15…半導体層
21…電極材料
22…ゲート絶縁材料
23…半導体材料
31…スクリーン印刷機
32…スキージ
33…ダイコーター
34…インクジェット装置
Claims (4)
- 絶縁性の基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極とドレイン電極間のチャネル部を形成する半導体層の厚みが、チャネル部中央よりもチャネル部両端で厚くなるように形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうち少なくとも一つが印刷法で形成され、
前記半導体層が、乾燥過程における液滴の端と中央との乾燥速度の差を利用することにより、チャネル部中央よりもチャネル部両端で厚くなるように形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 絶縁性の基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極とドレイン電極間のチャネル部を形成する半導体層の厚みが、チャネル部中央よりもチャネル部両端で厚くなるように形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうち少なくとも一つが印刷法で形成され、
前記半導体層が、ソース及びドレイン電極とゲート絶縁膜の表面エネルギーの差を利用することにより、チャネル部中央よりもチャネル部両端で厚くなるように形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記印刷法が、スクリーン印刷、反転オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷法のいずれかの一つの印刷法で電極を形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層が、インクジェット印刷で形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343440A JP5098159B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343440A JP5098159B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150031A JP2007150031A (ja) | 2007-06-14 |
JP5098159B2 true JP5098159B2 (ja) | 2012-12-12 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5098159B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101424603B1 (ko) * | 2013-09-10 | 2014-08-04 | 한국과학기술연구원 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100087077A (ko) | 2007-10-31 | 2010-08-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 박막 능동 소자군, 박막 능동 소자 어레이, 유기 발광 장치, 표시 장치 및 박막 능동 소자군의 제조 방법 |
JP5573015B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-08-20 | 富士ゼロックス株式会社 | トランジスタの製造方法、トランジスタ及び回路基板 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4281342B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2009-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および配線形成方法 |
JP4723787B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2011-07-13 | シャープ株式会社 | 電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置 |
JP2005142474A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
US20050151129A1 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-14 | Rahul Gupta | Deposition of conducting polymers |
JP4407311B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2010-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2005259737A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Canon Inc | 有機半導体デバイス及びその製造方法 |
JP4557755B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 基板、導電性基板および有機電界効果型トランジスタの各々の製造方法 |
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JP4853607B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4699090B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-06-08 | 株式会社リコー | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法。 |
KR20070033144A (ko) * | 2005-09-21 | 2007-03-26 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 표시장치의 제조방법 |
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2005
- 2005-11-29 JP JP2005343440A patent/JP5098159B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR101424603B1 (ko) * | 2013-09-10 | 2014-08-04 | 한국과학기술연구원 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
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JP2007150031A (ja) | 2007-06-14 |
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