JP5008288B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Images
Description
シロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成することを特徴とする。
絶縁基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする。
絶縁基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物をドーピングして第1の不純物領域及び第2の不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記第1の不純物領域に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に接続する電極を形成することを特徴とする。
絶縁基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に接続する電極を形成した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理することを特徴とする。
絶縁基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に接続すする第1の電極を形成した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理し、
前記第1の電極の一部を覆うように絶縁膜を形成した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理し、
前記第1の電極において前記絶縁膜に覆われていない領域を覆って電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第2の電極を形成することを特徴とする。
絶縁基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物をドーピングして第1の不純物領域及び第2の不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に無機絶縁性材料からなる膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記第1の不純物領域に接続する配線を形成することを特徴とする。
絶縁基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物をドーピングして第1の不純物領域及び第2の不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に無機絶縁性材料からなる膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜上にシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、
不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記第1の不純物領域に接続する配線を形成し、
前記配線上の一部に重なるように電極を形成することを特徴とする。
本実施の形態では、シロキサンポリマーを含有する樹脂を用いて絶縁膜を形成する工程を、図1及び図2を用いながら説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で作製したTFTを用いて、エレクトロルミネッセンス素子(以下、「EL素子」という。)を有する表示装置(EL表示装置)を作製する方法について説明する。
本発明の実施の形態を、図6及び図7を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態1で作製した表示装置において、第2の層間絶縁膜109を形成せずに本発明を用いる例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
本発明を適用して発光素子を有する表示装置を形成することができるが、該発光素子から発せられる光の放射方式としては、下面放射型、上面放射型、両面放射型の3つの方式がある。実施の形態2では、片面射出型である下面射出型の例を示したが、本実施の形態では、両面射出型と、片面射出型である上面射出型の例を、図4及び図5を用いて説明する。
本発明に適用できる発光素子の形態について説明する。発光素子は、電界発光層を第1の電極と第2の電極で挟んだ構成になっている。第1の電極及び第2の電極は仕事関数を考慮して材料を選択する必要があり、第1の電極及び第2の電極は、画素構成によって陽極、陰極のいずれにもなりうる。
本実施の形態では、薄膜集積回路の作製方法に本発明を適用する構成について説明する。
本実施の形態では、半導体素子が設けられた基板と透明な封止基板とを貼り合わせ、どちらか一方の基板または両方の基板に、基板間隔を一定に保つための柱状または壁状の構造物(スペーサー)を設ける際に、本発明を適用する例を説明する。
本発明により作製した半導体装置を用いた電子機器として、TV、カメラ(ビデオカメラやデジタルカメラ等)、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型のゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD(digital versatile disc)やブルーレイディスク(Blu―ray Disk)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)、その他表示部を有する電化製品などが挙げられる。電子機器の具体例を図12、図13に示す。
102 下地膜
103 半導体膜
104 結晶性半導体膜
105 ゲート絶縁膜
106 ゲート電極
107 第1の層間絶縁膜
108 配線
109 第2の層間絶縁膜
110 第1の電極
111 絶縁膜
112 電界発光層
113 第2の電極
Claims (12)
- 絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上に、置換基に少なくとも水素を含む有機基、またはフルオロ基を有するシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上に、置換基に少なくとも水素を含む有機基、またはフルオロ基を有するシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する電極を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記電極及び前記樹脂を加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第1のコンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上に、置換基に少なくとも水素を含む有機基、またはフルオロ基を有するシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2の層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する第1の電極を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理し、
前記第1の電極の一部を覆うように絶縁膜を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記第1の電極及び前記樹脂を加熱処理し、
前記第1の電極において前記絶縁膜に覆われていない領域を覆って電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第2の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、前記絶縁基板から前記配線または前記第1の層間絶縁膜の表面までの厚さの最も厚い部分と薄い部分の差は、300nm以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記第2の層間絶縁膜における膜厚の最も厚い部分は1.0μm以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に無機絶縁性材料からなる膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜上に、置換基に少なくとも水素を含む有機基、またはフルオロ基を有するシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に無機絶縁性材料からなる膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜上に、置換基に少なくとも水素を含む有機基、またはフルオロ基を有するシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁性材料からなる膜及び前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続する配線を形成し、
前記配線上の一部に重なるように電極を形成した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記電極及び前記樹脂を加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1、2、または7において、前記電極は透明導電膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項3において、前記第1の電極は透明導電膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一において、前記シロキサンポリマーを含有する樹脂はメチル基及びフェニル基を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至10のいずれか一において、前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至11のいずれか一において、
封止基板上に、置換基に少なくとも水素を含む有機基、またはフルオロ基を有するシロキサンポリマーを含有する樹脂を塗布した後、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が5vol%以下且つ水の濃度が1vol%以下の雰囲気で前記樹脂を加熱処理して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をパターニングすることにより、スペーサーを形成し、
前記絶縁基板と前記封止基板とを、前記スペーサーを介して貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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