JP5235076B2 - カラーフィルタの作製方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示パネルに使用されるカラーフィルタの作製方法に関する。また、上記の作製方法を用いて作製したカラーフィルタ及び該カラーフィルタを有する電子機器に関する。

近年、パーソナルコンピュータ等の発達に伴い、ディスプレイ、特にカラーディスプレイの需要が増加する傾向にある。カラーディスプレイにおいて、例えば、液晶表示パネルの場合は、フルカラー表示するためのカラーフィルタが対向基板上に形成されている。そして、素子基板と対向基板にそれぞれ光シャッターとして偏光板を配置し、フルカラー画像を表示している。

ここで、液晶表示パネルのカラーフィルタは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層と、画素の間隙に配置された遮光性を有する隔壁（ブラックマトリクス）とを有し、着色層に光を透過させることによって赤色、緑色、青色の光を抽出するものである。また、カラーフィルタの隔壁（バンク）は、一般的に金属膜または黒色顔料を含有した有機膜で構成されている。このカラーフィルタの各着色層は、画素に対応する位置（以下画素領域とも表記する）に形成され、これにより画素ごとに取り出す光の色を変えることができる。なお、画素に対応する位置とは、画素電極に重畳する位置を指す。

また、ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置においては、赤色、緑色、あるいは青色を有する光を発光するＥＬ素子をマトリクス状に配置する方式と、青色光を発光するＥＬ素子からの発光を色変換層に通してカラー化する方式と、白色光を発光するＥＬ素子からの発光をカラーフィルタに通してカラー化する方式の三つがある。このＥＬ素子からの白色光をカラーフィルタに通すカラー化方式は、原理的にはカラーフィルタを用いた液晶表示装置のカラー化方式と同様である。

この様なカラーフィルタを製造する方法として、インクジェット法を用いてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応する着色層を形成する方法が検討されている（特許文献１）。カラーフィルタの各着色層は非常に高精細なパターンで形成する必要があるため、インクジェット法でカラーフィルタを形成する場合、異なる画素領域の色が混色しないように基板上に隔壁が設けられる。しかしながら、カラーフィルタ材料が隔壁を乗り越えて着色されることがあり、これに起因してカラーフィルタ材料が混色するという問題があった。そこで、カラーフィルタの混色部の修正方法として、レーザビームを用いた修正方法が提案されている（特許文献２）。また、異なる画素領域にカラーフィルタ材料が広がらないように、表面処理による濡れ性の制御を行い、混色を防止する方法が提案されている（特許文献３）。
特開昭５９−７５２０５号公報 特開平３−２７４５０４号公報 特開２００６−１６２８８２号公報

しかし、上記のような対策をとっても依然、カラーフィルタ材料の混色がおきてしまい、不良が発生してしまうことがあった。また、従来のレーザビームを用いた修正方法は、レーザビームで不良が発生した画素内のカラーフィルタ材料を全て除去した後、除去した画素に新たにカラーフィルタ材料を充填して着色する必要があり、極めて効率の悪いものであった。さらに、除去した画素に新たにカラーフィルタ材料を充填する場合、人手により１画素ずつ着色を行うため、修正作業に非常に手間がかかるという問題点も存在した。

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、カラーフィルタの欠陥の修正を容易に行なうことができるカラーフィルタの作製方法を提供することである。

また、本発明の第２の目的は、上記のカラーフィルタの作製方法により作製されたカラーフィルタ、このカラーフィルタを用いた半導体装置を提供することである。

本発明のカラーフィルタの作製方法は、インクジェット法を用いてカラーフィルタを形成する際に発生する混色部を、各カラーフィルタ材料に対するレーザビームの透過率の差異を利用して修正するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、着色層を形成する際に生じた混色部に、残存させるカラーフィルタ材料に対する透過率が、除去するカラーフィルタ材料に対する透過率よりも１０％以上高いレーザビームを照射し、混色した各色のうち、必要な一色を残して、他を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に、少なくとも第１のカラーフィルタ材料及び第２のカラーフィルタ材料を滴下し、複数の着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、第１のカラーフィルタ材料の上に第２のカラーフィルタ材料が滴下された混色部に、第１のカラーフィルタ材料に対する透過率が、第２のカラーフィルタ材料に対する透過率より１０％以上高い波長のレーザビームを照射し、第２のカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、緑色の光を透過するカラーフィルタ材料によって着色される着色層に、青色の光を透過するカラーフィルタ材料が混色した混色部に、５１５ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを照射して、青色の光を透過するカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、緑色の光を透過するカラーフィルタ材料によって着色される着色層に、赤色の光を透過するカラーフィルタ材料が混色した混色部に、４７０ｎｍ以上５８５ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを照射して、赤色の光を透過するカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、赤色の光を透過するカラーフィルタ材料によって着色される着色層に、緑色の光を透過するカラーフィルタ材料が混色した混色部に、５９５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを照射して、緑色の光を透過するカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、赤色の光を透過するカラーフィルタ材料によって着色される着色層に、青色の光を透過するカラーフィルタ材料が混色した混色部に、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを照射して、青色の光を透過するカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、青色の光を透過するカラーフィルタ材料によって着色される着色層に、緑色の光を透過するカラーフィルタ材料が混色した混色部に、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを照射して、緑色の光を透過するカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

また、本発明のカラーフィルタの作製方法は、透光性を有する基板上に着色層を形成するカラーフィルタの作製工程において、青色の光を透過するカラーフィルタ材料によって着色される着色層に、赤色の光を透過するカラーフィルタ材料が混色した混色部に、４００ｎｍ以上５３５ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを照射して、赤色の光を透過するカラーフィルタ材料を選択的に除去するものである。

本発明に係るカラーフィルタは、透光性を有する基板と、基板上に少なくとも、第１のカラーフィルタ材料が滴下された第１の着色層と、第２のカラーフィルタ材料が滴下された第２の着色層と、を有し、第１の着色層上に滴下された第２のカラーフィルタ材料が、レーザビームの照射によって、選択的に除去されている。

本発明に係る電子機器は、上記のいずれかの作製方法によって作製されたカラーフィルタを含む。

本発明によって、隣り合う画素領域におけるカラーフィルタ材料の混色によって生じる不良を、簡便な方法で修正することができ、カラーフィルタの歩留まりが向上する。

また、本発明に係るカラーフィルタの作製方法では、従来のように混色した画素内のカラーフィルタ材料を全て除去するのではなく、不要なカラーフィルタ材料を選択的に除去することができる。従って、従来では必要とされていた、全てのカラーフィルタ材料がレーザ照射によって除去された部分に対するカラーフィルタ材料の再着色工程を省略することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の作製方法を用いて作製されたカラーフィルタについて説明する。

はじめに本実施の形態に係るカラーフィルタの構成について説明する。本実施の形態のカラーフィルタは図１（Ｅ）に示すように、透光性を有する基板１００上に形成された隔壁（ブラックマトリクス）１０１ａ〜１０１ｄ、着色層（Ｒ）１０２、着色層（Ｇ）１０３、着色層（Ｂ）１０４を有する。また、隔壁１０１ａ〜１０１ｄ、着色層（Ｒ）１０２、着色層（Ｇ）１０３、着色層（Ｂ）１０４上に形成された樹脂層１０６を有する。

以下に、本実施の形態に係るカラーフィルタの作製方法を、図１を用いて説明する。まず透光性を有する基板１００上に隔壁１０１ａ〜１０１ｄを形成する（図１（Ａ））。ここで、隔壁１０１ａ〜１０１ｄと基板１００とにより、カラーフィルタ材料を滴下するための凹部が形成される。本実施の形態では、基板１００と隔壁１０１ａ、１０１ｂとで凹部１０７ａが形成される。また、基板１００と隔壁１０１ｂ、１０１ｃとで凹部１０７ｂが、基板１００と隔壁１０１ｃ、１０１ｄとで、凹部１０７ｃが形成される。凹部１０７ａ〜１０７ｃには、それぞれ所望の色のカラーフィルタ材料が滴下され、着色層が形成される。なお、隔壁１０１ａ〜１０１ｄは、所定の色のカラーフィルタ材料と、隣接する着色層へ滴下されるカラーフィルタ材料との混色を防止するために設けられる。

隔壁１０１ａ〜１０１ｄは、遮光性を有する材料（（例えば、黒色顔料やカーボンブラックを分散させてなる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリルポリマー、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン構造を有するポリマーなどに基づくポリマー、あるいは樹脂）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含む酸化シリコン膜））で構成されている。

次いで、隔壁の凹部に、所望のＲ、Ｇ、Ｂの着色層を形成するため、液滴吐出法（例えばインクジェット法）によってカラーフィルタ材料を滴下する（図１（Ｂ））。図１（Ｂ）において、凹部１０７ａには、着色層（Ｒ）１０２に対応する赤色のカラーフィルタ材料が滴下される。また、凹部１０７ｂには、着色層（Ｇ）１０３に対応する緑色のカラーフィルタ材料が、凹部１０７ｃには、着色層（Ｂ）に対応する青色のカラーフィルタ材料が滴下される。なお、本明細書において、着色層（Ｒ）は赤色の光（６９０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層であり、着色層（Ｇ）は緑色の光（５５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層であり、着色層（Ｂ）は青色の光（４５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層を指す。

また、図６に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ材料（以下、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）とも表記する）に対する４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域の光の透過率を示す。図６において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は透過率（％）である。赤色（Ｒ）では、６００ｎｍ以上の光を選択的に透過し、５６０ｎｍ以下の光を選択的に吸収することから、赤色透過光が強く発色する。緑色（Ｇ）では、５５０ｎｍ付近の光を選択的に透過し、４７０ｎｍ以下と６００ｎｍ以上の光を選択的に吸収することから、緑色透過光が強く発色する。青色（Ｂ）では、４５０ｎｍ付近の光を選択的に透過し、５３０ｎｍ以上の光を選択的に吸収することから、青色透過光が強く発色する。

カラーフィルタ材料としては、例えば硬化性インクを用いることができる。硬化性インクは、光照射又は加熱、あるいはこれらの併用によって硬化するものであり、液状インク、ソリッドインク共に使用可能である。また、顔料系、染料系のいずれもカラーフィルタ材料として用いることができる。硬化性インク中には、光照射又は加熱、あるいはこれらの併用によって硬化する樹脂成分と、色材と、有機溶媒と、水と、を含有する。硬化成分としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂等が好適に用いられる。

本実施の形態において、隔壁１０１ａ〜１０１ｄは、隣接する着色層間で異なる色のカラーフィルタ材料の混色を防止するために設けられている。しかし、ある一定量以上のカラーフィルタ材料を短時間に打ち込んだ場合や、吐出の着弾精度の悪化等により混色が発生することがある。例えば、図１（Ｃ）に示すように、着色層（Ｇ）１０３を形成する緑色（Ｇ）と、着色層（Ｒ）１０２を形成する赤色（Ｒ）が滴下された混色部１０５が形成されてしまう。なお、本明細書において混色部とは、１つの着色層において、異なる色の複数のカラーフィルタ材料が重なって滴下された領域のことを示す。

着色層上に混色部１０５が形成された場合、その混色部１０５を修正するために、図１（Ｄ）に示すように、混色部１０５にレーザビームを照射する。本実施の形態において、緑色（Ｇ）に対する透過率が、赤色（Ｒ）に対する透過率よりも好ましくは１０％以上、より好ましくは１５％以上高いレーザビームを混色部１０５に照射することで、透過率の低い赤色（Ｒ）により多くのレーザビームのエネルギーを吸収させることができる。その結果、緑色（Ｇ）を除去することなく、赤色（Ｒ）を選択的に除去することができる。より具体的な数値を得るため、図６に示した測定結果のうち、緑色（Ｇ）と赤色（Ｒ）に対する透過率の差が１０％〜１５％以上となる波長域における、波長と透過率の関係を表１に示す。

表１及び図６より、緑色（Ｇ）に対する光の透過率が赤色（Ｒ）に対する光の透過率より１０％以上高いレーザビームの波長域は、４７０ｎｍ以上５８５ｎｍ以下であることがわかる。したがって、赤色（Ｒ）を選択的に除去するためには、４７０ｎｍ以上５８５ｎｍ以下（より好ましくは４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下）の波長のレーザビームを混色部に照射するのが好ましい。

次に、図１（Ｅ）に示すように、隔壁１０１ａ〜１０１ｄ、着色層（Ｒ）１０２、着色層（Ｇ）１０３、及び着色層（Ｂ）１０４上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる、樹脂層１０６を形成する。樹脂層は１μｍ以上３μｍ以下の膜厚（着色層による段差を平坦化しうる膜厚）で形成することが好ましい。

上記の工程によって、本発明に係るカラーフィルタが作製される。なお、図１（Ｅ）においては、基板１００、隔壁１０１ａ〜１０１ｄ、着色層（Ｒ）１０２、着色層（Ｇ）１０３、着色層（Ｂ）１０４、および樹脂層１０６を含めてカラーフィルタと呼ぶ。

なお、本発明の実施は上記に示した赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の混色に限られず、赤色（Ｒ）と青色（Ｂ）、または緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の混色の修正にも用いることができる。このとき、照射するレーザビームとしては、残存させるカラーフィルタ材料に対する透過率が、除去するカラーフィルタ材料に対する透過率よりも好ましくは１０％以上、より好ましくは１５％以上高いレーザビームを用いる。つまり、第１のカラーフィルタ材料上に第２のカラーフィルタ材料が滴下された混色部において、第２のカラーフィルタ材料を選択的に除去する場合には、第１のカラーフィルタ材料に対する透過率が、第２のカラーフィルタ材料に対する透過率よりも１０％以上（好ましくは１５％以上）高いレーザビームを、第２のカラーフィルタ材料上に照射すればよい。

各カラーフィルタ材料に対する透過率に差異があるレーザビームを混色部に照射することで、透過率の低いカラーフィルタ材料により多くのレーザビームのエネルギーが集中するため、該カラーフィルタ材料を選択的に除去することができる。表１と同様に、図６から、２色のカラーフィルタ材料に対する透過率の差が１０％以上、好ましくは１５％以上となる波長域における、波長と透過率の関係を表２〜表６に示す。

例えば、着色層（Ｇ）において、緑色（Ｇ）上に青色（Ｂ）が重なった場合には、表２より、５１５ｎｍ以上６００ｎｍ以下（より好ましくは５１５ｎｍ以上５９５ｎｍ以下）の波長領域のレーザビームを混色部に照射するのが好ましいことが分かる。

また、着色層（Ｒ）において、赤色（Ｒ）上に緑色（Ｇ）が重なった場合には、表３より、５９５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを混色部に照射するのが好ましい。

または、着色層（Ｒ）において、赤色（Ｒ）上に青色（Ｂ）が重なった場合には、表４より、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下（より好ましくは５８５ｎｍ以上７００ｎｍ以下）の波長領域のレーザビームを混色部に照射するのが好ましい。

また、着色層（Ｂ）において、青色（Ｂ）上に緑色（Ｇ）が重なった場合には、表５より、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のレーザビームを混色部に照射するのが好ましい。

または、着色層（Ｂ）において、青色（Ｂ）上に赤色（Ｒ）が重なった場合には、表６より、４００ｎｍ以上５３５ｎｍ以下（より好ましくは４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下）の波長領域のレーザビームを混色部に照射するのが好ましい。

また、２色のカラーフィルタ材料の混色のみでなく、カラーフィルタ材料が３色混色した場合にも本発明のカラーフィルタの修正方法を用いることができる。

なお、本実施の形態においては、基板の表面側（着色層の形成された面側）からレーザビームを照射する例を示したが、本発明の実施の形態はこれに限られず、基板の裏面側（着色層と対向する面側）からレーザビームを照射しても問題ない。

また、基板１００において、着色層と対向する面に反射防止膜を設けてもよい。反射防止膜は屈折率と膜厚を調節することで反射光の発生しにくい条件とした単層膜もしくは積層膜であり、公知の反射防止膜を用いれば良い。また、反射防止膜の代わりに、円偏光版（円偏光フィルムも含む）を設けても良い。

本実施の形態においては、隔壁１０１ａ〜１０１ｄを基板１００上に直接形成する例を示したが、本発明の実施の形態はこれに限られない。例えば、基板上にＴＦＴを形成し、該ＴＦＴ上に、カラーフィルタを形成しても良い。なお、いずれの場合もカラーフィルタ材料の拡散性を高めるために、カラーフィルタ形成面表面に表面処理を施すのが好ましい。

本発明では、複数の異なる色のカラーフィルター材料が重なることで混色が生じた混色部に対し、各カラーフィルタ材料に対して透過率に差があるレーザを照射することで、該レーザに対する透過率の低いカラーフィルタ材料のみを選択的に除去することができる。したがって、従来とは異なり、全てのカラーフィルタ材料がレーザ照射によって除去された部分に対するカラーフィルタ材料の再着色工程が必要なくなり、カラーフィルタ作製工程における歩留まり低下を抑制することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、カラーフィルタを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置（図３）の作製例を示す。

まず、基板２００上に半導体層および該半導体層を活性層とするＴＦＴ３０１などを作製して画素部３００を形成する。図２を用いて、以下にＴＦＴの作製手順を簡略に示す。

図２（Ａ）中、２００は、絶縁表面を有する基板、２０１はブロッキング層となる下地絶縁膜、２０２は結晶構造を有する半導体膜である。

図２（Ａ）において、基板２００はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。

まず、図２（Ａ）に示すように基板２００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ：ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁膜から成る下地絶縁膜２０１を形成する。例えば、下地絶縁膜２０１として２層構造から成り、ＳｉＨ_４、ＮＨ_３、及びＮ_２Ｏを反応ガスとして成膜される窒化酸化珪素膜を５０〜１００ｎｍ、ＳｉＨ_４、及びＮ_２Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜を１００〜１５０ｎｍの厚さに積層形成する構造が採用される。また、下地絶縁膜２０１の一層として膜厚１０ｎｍ以下の窒化珪素膜、或いは窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ：ｘ＞ｙ＞０）を用いることが好ましい。また、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、及び、窒化珪素膜を順次積層した３層構造を用いてもよい。なお、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。

次いで、下地絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する。半導体膜は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。例えば、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などをスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで成膜する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜する。次いで、非晶質構造を有する半導体膜を、レーザ照射によって結晶化処理し、結晶構造を有する半導体膜２０２を得る。なお、結晶化処理は、レーザ結晶化法に限られず、ＲＴＡやファーネスアニール炉等を利用した熱結晶化法、ニッケル等の触媒を用いた熱結晶化法等の方法を用いることができる。

レーザ照射に用いるレーザ発振器としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。レーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、Ｘｅ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ_４、ＹＶＯ_４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ_３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶を使った固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波の第１高調波〜第５高調波を適用するのが好ましい。

例えば、レーザ光として波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いる。また、例えば、繰り返し周波数１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚ程度のパルスレーザ光を用いる。

次いで、フォトリソ技術を用いて選択的にエッチングを行い、半導体層２０３を得る。（図２（Ｂ））エッチングにおけるレジストマスク形成を行う前には半導体層を保護するためにオゾン含有水溶液、または酸素雰囲気でのＵＶ照射によってオゾンを発生させて酸化膜を形成している。ここでの酸化膜はレジストのぬれ性を向上させる効果もある。

なお、必要があれば、選択的なエッチングを行う前に、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを、上記酸化膜を介して行う。上記酸化膜を介してドーピングを行った場合には、酸化膜を除去し、再度オゾン含有水溶液によって酸化膜を形成する。

次いで、半導体層２０３の表面を覆って、ゲート絶縁膜２０４となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する（図２（Ｃ））。ここでは工程数削減のため、半導体層２０３表面に形成される酸化膜を除去せずにゲート絶縁膜２０４を形成する。なお、ゲート絶縁膜２０４を形成する前に酸化膜を、フッ酸を含むエッチャントにより除去してもよい。また、半導体層２０３の酸化膜を完全に除去する必要は特になく、薄く酸化膜を残していてもよい。オーバーエッチングして半導体層２０３を露呈させてしまうと、半導体層２０３の表面が不純物で汚染される恐れがある。

次いで、ゲート絶縁膜２０４の表面を洗浄した後、ゲート電極２０５を形成する（図２（Ｄ））。次いで、半導体にｎ型を付与する不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）、ここではリンを適宜添加して、ソース領域２０６及びドレイン領域２０８を形成し、チャネル形成領域２０７を画定する。次いで、層間絶縁膜２０９を形成する。この層間絶縁膜２０９としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した。なお、層間絶縁膜２０９は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。その後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザ光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。

以降の工程は、層間絶縁膜２１０を形成し、水素化を行って、ソース領域２０６、ドレイン領域２０８に達するコンタクトホールを形成し、導電膜を成膜して選択的にエッチングを行い、ソース電極２１１、ドレイン電極２１２を形成してＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）を完成させる（図２（Ｅ））。ソース電極２１１、ドレイン電極２１２は、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成する。例えば、Ｔｉ膜と、純Ａｌ膜と、Ｔｉ膜との３層構造、或いは、Ｔｉ膜と、ＮｉとＣを含むＡｌ合金膜と、Ｔｉ膜との３層構造を用いる。さらに後の工程で層間絶縁膜等を形成することを考慮して、電極断面形状をテーパー形状とすることが好ましい。

また、本発明は図２（Ｅ）のＴＦＴ構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域（またはソース領域）との間にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を有する構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた構造としてもよい。

また、ここではｎチャネル型ＴＦＴの作成例を説明したが、ｎ型不純物元素に代えてｐ型不純物元素を用いることによってｐチャネル型ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。

また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。

以上の工程で作製した、ＴＦＴを用いて、本実施の形態の液晶表示装置の画素部３００を形成する（図３）。画素部は、マトリクス状に配置された画素電極３０２と、画素電極３０２に接続されているスイッチング素子（ここではトップゲート型ＴＦＴ３０１）と、保持容量とで構成する。また、保持容量は、画素電極３０２に接続した電極と、半導体層とで挟まれた絶縁膜を誘電体として有している。

なお、本実施の形態ではオフ電流低減のため、チャネル形成領域を複数有するダブルゲート型のＴＦＴとした例を示している。ただし、本発明に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴの構造は、これに限定されず、例えば、シングルゲート型のＴＦＴを用いても良い。

また、画素部３００を形成した後、画素電極３０２を覆うように配向膜３０５を形成する。配向膜３０５には、ラビング処理を施す。このラビング処理は、特定の液晶のモード（例えばＶＡモード）の時には、行わないこともある。

次に、対向基板３１５を用意する。本実施の形態では、対向基板３１５として、実施の形態１で作製したカラーフィルタを用いる。対向基板の内側（液晶に接する側）には、実施の形態１に示した修正方法を用いて作製した着色層３１０、平坦化膜３０９、対向電極３０８、配向膜３０７が設けられている。なお、配向膜３０７には、ラビング処理が施されているが、配向膜３０５と同様に、特定の液晶のモード（例えばＶＡモード）の時には、行わないこともある。

次に対向基板３１５上にシール材３１１を液滴吐出法を用いてパターン形成する。ここでは、不活性気体雰囲気または減圧下で、ディスペンサ装置またはインクジェット装置でシール材３１１を所定の位置（画素部を囲む閉パターン）に形成する。半透明なシール材３１１としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度４０〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。なお、後に接する液晶に溶解しないシール材料を選択することが好ましい。シール材としては、アクリル系光硬化樹脂やアクリル系熱硬化樹脂を用いればよい。また、簡単なシールパターンであるのでシール材３１１は、印刷法で形成することもできる。次いで、シール材３１１を仮硬化させておく。

次に、基板２００と、対向基板３１５とを貼り合わせる。ここでは、貼りあわせると同時に紫外線照射または熱処理を行って、減圧下でシール材３１１を硬化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。なお、基板２００と、対向基板３１５との間隔を保持するため、画素部３００の一部にスペーサ３０３を設ける。スペーサ３０３は、柱状、又は球状といった形状を有する。本実施の形態では、柱状のスペーサを設けた例を示す。

次いで、適宜、パネルサイズの基板分断を行った後、基板２００及び対向基板３１５の間に、液晶を注入し、液晶層３０６を形成する。液晶を注入する場合、真空中で行うとよい。また液晶層３０６は、注入法以外の方法によっても形成することができる。例えば、液晶を基板に滴下し、その後対向基板３１５を貼り合わせてもよい。このような滴下法は、注入法を適用しづらい大型基板を扱うときに適用するとよい。

その後、ＦＰＣやＩＣや光学フィルムなどを適宜貼り付け、液晶モジュールを作製する。

次いで、得られた液晶モジュールにバックライトバルブ３１４およびミラーを設け、カバー３１３で覆うことにより、図３にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置（透過型）が完成する。また、バックライトを表示領域の外側に配置して、導光板を用いてもよい。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板３１２は、基板２００と対向基板３１５の両方に貼り付ける。また、他の光学フィルム（反射防止フィルムや偏光性フィルムなど）や、保護フィルム（図示しない）を設けてもよい。

また、本発明に係る液晶表示装置は、同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを作製してもよい。または、画素部および駆動回路を、ｎチャネル型ＴＦＴのみ、または、ｐチャネル型ＴＦＴのみで構成して工程を短縮してもよい。

本発明に係るカラーフィルタの作製方法を用いることで、簡便な方法で混色部のないカラーフィルタを効率よく作製することができる。また、混色部において、不要な色のみを選択的に除去しているため、カラーフィルタ材料の無駄を防ぐことができる。したがって、本発明のカラーフィルタを採用することにより、表示ムラのない液晶表示装置を安価に提供することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明のカラーフィルタを用いた、有機ＥＬディスプレイ、又は有機発光ダイオードとも呼ばれているＥＬ素子を有する発光装置（図４）の作製方法について説明する。なお、図４（Ｂ）は本実施の形態の発光装置の上面図を示す。また、図４（Ａ）は図４（Ｂ）の点Ａと点Ｂとを結ぶ鎖線における断面図である。

なお、有機化合物を含む層を発光層とするＥＬ素子は、有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）が陽極と、陰極との間に挟まれた構造を有し、陽極と陰極とに電界を加えることにより、ＥＬ層からルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が生じる。またＥＬ素子からの発光は、一重項励起状態から基底状態に緩和する際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に緩和する際の発光（リン光）とがある。

まず、基板８１０上に下地絶縁膜８１１を形成する。基板８１０側を表示面として発光を取り出す場合、基板８１０としては、透光性を有するガラス基板や石英基板を用いればよい。また、処理温度に耐えうる耐熱性を有し、かつ透光性を有するプラスチック基板を用いてもよい。また、基板８１０側とは逆の面を表示面として発光を取り出す場合、前述の基板の他にシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。ここでは基板８１０としてガラス基板を用いる。なお、ガラス基板の屈折率は１．５５前後である。

下地絶縁膜８１１としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成する。ここでは下地膜として２層構造を用いた例を示すが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。なお、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。

次いで、下地絶縁膜上に半導体層を形成する。半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜をスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜する。次いで、結晶化処理を行って得られた結晶質半導体膜を得る。結晶化処理には、レーザ結晶化法、ＲＴＡやファーネスアニール炉等を利用した熱結晶化法、ニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等の方法を用いることができる。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム合金などで形成すると良い。

次いで、オゾン水で表面に約２ｎｍの極薄い酸化膜を形成する。次いで、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行う。本実施の形態では、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧１５ｋＶ、ジボランを水素で１ｖｏｌ％に希釈したガス流量３０ｓｃｃｍ、ドーズ量２×１０^１２／ｃｍ^２で非晶質シリコン膜にボロンを添加する。

次いで、表面の極薄い酸化膜を除去し、再度、薄い酸化膜を形成した後、第１のフォトマスクを用いてレジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層を形成する。なお、この段階で半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜７０ｎｍ）の厚さとなるように設定する。

次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜８１２となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。ここでは、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ：Ｏ：Ｎ：Ｈ＝３２：５９：７：２）で形成する。

次いで、ゲート絶縁膜８１２上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜とを積層形成する。本実施の形態では、ゲート絶縁膜上に膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を順次積層する。第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。

次いで、第２のフォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜をエッチングして、導電層８１４ａ、８１４ｂ、８１５ａ、８１５ｂを得る。本実施の形態では、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜を１回または複数回エッチングする。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＣＣｌ_４などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ_４、ＳＦ_６、ＮＦ_３などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ_２を適宜用いることができる。導電層８１４ａのテーパー部の角度は１５〜４５°とし、導電層８１４ｂのテーパー部の角度は６０〜８９°とする。

なお、導電層８１４ａ、８１４ｂはＴＦＴのゲート電極となり、導電層８１５ａ、８１５ｂは端子電極となる。

次いで、レジストマスクを除去した後、第３のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないｎチャネル型ＴＦＴを形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはヒ素）を低濃度にドープするための第１のドーピング工程を行う。レジストマスクは、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第１のドーピング工程によって絶縁膜を介してドープを行い、低濃度不純物領域を形成する。個々の発光素子は、複数のＴＦＴを用いて駆動させるが、ｐチャネル型ＴＦＴのみで駆動させる場合には、上記ドーピング工程は特に必要ない。

次いで、レジストマスクを除去した後、第４のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、半導体にｐ型を付与する不純物元素（代表的にはボロン）を高濃度にドープするための第２のドーピング工程を行う。この第２のドーピング工程によってゲート絶縁膜８１２を介してドープを行い、ｐ型の高濃度不純物領域８１７、８１８を形成し、チャネル形成領域８１９を画定する。

次いで、第５のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないｎチャネル型ＴＦＴを形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはヒ素）を高濃度にドープするための第３のドーピング工程を行う。第３のドーピング工程におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０^１３〜５×１０^１５／ｃｍ^２とし、加速電圧を６０〜１００ｋＶとして行う。レジストマスクは、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第３のドーピング工程によってゲート絶縁膜８１２を介してドープを行い、ｎ型の高濃度不純物領域を形成する。

この後、レジストマスクを除去し、水素を含む絶縁膜８１３を成膜した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。水素を含む絶縁膜８１３は、ＰＣＶＤ法により得られる窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ：ｘ＞ｙ＞０）を用いる。不純物元素の活性化および水素化は、加熱処理、強光の照射、またはレーザ光の照射によって行う。この処理により、同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。レーザアニール法を用いる場合には、発明の実施の形態で示した方法を採用するのが好ましい。なお、水素を含む絶縁膜８１３は、層間絶縁膜の１層目であり、酸化珪素を含んでいる。

次いで、層間絶縁膜の２層目となる高耐熱性平坦化膜８１６を形成する。高耐熱性平坦化膜８１６としては、塗布法によって得られるシリコンと酸素との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。本実施の形態では、スピン式の塗布装置を用い、シロキサン系ポリマーを溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテル（分子式：ＣＨ_３ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３））に溶解させた塗布材料液をノズルから基板上へ滴下し、基板の回転数を０ｒｐｍから１０００ｒｐｍまで徐々に増大させて塗布材料液を遠心力で万遍なく広げる。当該スピン式の塗布装置は、塗布カップ内に基板が水平に収納されており、塗布カップごと全体が回転する機構と、塗布カップ内の雰囲気は圧力制御することができる機構とを備えている。次いで、塗布装置に備えられたエッジリムーバーによって、エッジ除去処理を行う。次いで、１１０℃のベークを１７０秒行ってプリベークを行う。次いで、スピン式の塗布装置から基板を搬出して冷却した後、さらに２７０℃、１時間の焼成を行う。こうして膜厚０．８μｍの高耐熱性平坦化膜８１６を形成する。

なお、シロキサンの構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるＰＳＢ−Ｋ１、ＰＳＢ−Ｋ３１や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるＺＲＳ−５ＰＨが挙げられる。

次いで、高耐熱性平坦化膜８１６の脱水のため２５０℃〜４１０℃、１時間の加熱を行う。なお、この加熱処理で半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を兼ねてもよい。また、高耐熱性平坦化膜８１６上に３層目の層間絶縁膜として、ＰＣＶＤ法により得られる窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞ｙ＞０）：膜厚１００ｎｍ〜２００ｎｍ）を形成してもよい。３層目の層間絶縁膜を形成した場合、３層目は後に形成される配線８２２または第１の電極をマスクとして選択的に除去することが好ましい。

次いで、第６のマスクを用いて高耐熱性平坦化膜８１６にコンタクトホールを形成すると同時に基板の周縁部の高耐熱性平坦化膜８１６を除去する。ここでは、高耐熱性平坦化膜８１６と絶縁膜８１３との選択比が高い条件でエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）を行う。用いるエッチング用ガスに限定はないが、ここではＣＦ_４、Ｏ_２、Ｈｅ、Ａｒ等を用いることが適している。

次いで、第６のマスクをそのままマスクとしてエッチングを行い、露呈しているゲート絶縁膜８１２、絶縁膜８１３を選択的に除去する。エッチング用ガスにＣＨＦ_３とＡｒの混合ガスを用いてゲート絶縁膜８１２、絶縁膜８１３のエッチング処理を行う。なお、半導体層上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。

次いで、第６のマスクを除去し、導電膜（Ｔｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜の順で積層した導電膜、或いはＭｏ膜、Ａｌ膜、Ｍｏ膜の順で積層した導電膜）を形成した後、第７のマスクを用いてエッチングを行い、配線８２２を形成する。

次いで、第１の電極８２３、即ち、有機発光素子の陽極（或いは陰極）を形成する。第１の電極８２３の材料としては、Ｔｉ、窒化チタン、ＴｉＳｉ_ｘＮ_ｙ、Ｎｉ、Ｗ、タングステンシリサイド、窒化タングステン、ＷＳｉ_ｘＮ_ｙ、ＮｂＮ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金もしくは化合物、あるいはこれらの合金もしくは化合物を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。

なお、基板８１０側を表示面として発光を取り出す場合には、第１の電極の材料として、ＩＴＳＯ（酸化珪素を含むＩＴＯ（インジウム錫酸化物））を用いる。ＩＴＳＯは、熱処理しても結晶化しないので平坦性がよく、洗浄や研磨を行って凸部をなくす処理が特に必要ないため第１の電極の材料として望ましい。ＩＴＳＯの他、酸化珪素を含み酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透光性酸化物導電膜などの透光性を有する導電膜を用いても良い。また、Ｇａを含むＺｎＯ（ＧＺＯとも呼ばれる）の透明導電膜を用いても良い。

次いで、第１の電極８２３の端部を覆う絶縁物８２９（隔壁、障壁などと呼ばれる）を形成する。絶縁物８２９としては、塗布法により得られる有機樹脂膜、或いはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる。

次いで、有機化合物を含む層である正孔注入層８２４Ｈを、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、信頼性を向上させるため、正孔注入層８２４Ｈの形成前に基板の真空加熱を行って基板の脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜４００℃の加熱処理を行うことが望ましい。本実施の形態では、層間絶縁膜を、高耐熱性を有する酸化珪素膜で形成しているため、高い加熱処理に耐えうる。

また、スピンコートを用いた塗布法により有機化合物を含む層を形成する場合、有機化合物を含む溶液を塗布した後、有機化合物層を真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層８２４Ｈとして作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）と、ポリ（スチレンスルホン酸）の水溶液（それぞれ、ＰＥＤＯＴ、ＰＳＳとも呼ぶ）を全面に塗布、焼成する。

また、正孔注入層８２４Ｈは蒸着法によって形成してもよく、例えば、酸化モリブデン等の金属酸化物とα−ＮＰＤや、該金属酸化物とルブレンを共蒸着して形成し、ホール注入性を向上させることもできる。

次いで、有機化合物を含む層である発光層８２４、電子輸送層８２４Ｅの形成に蒸着法を用い、真空度が０．６６５Ｐａ以下、好ましくは０．１３３×１０^−１〜１０^−３Ｔｏｒｒまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。なお、発光層８２４、電子輸送層８２４Ｅは、塗布法によって形成しても良い。本実施の形態では、電子輸送層８２４ＥとしてＡｌｑ_３を４０ｎｍの膜厚で成膜する。

本実施の形態では、白色の発光を示す発光層を形成し、本発明に係るカラーフィルタ、又は本発明に係るカラーフィルタ及び色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示を行う。なお、ＥＬ発光装置に用いるカラーフィルタの着色層は光量が多く確保できるように顔料の含有率が低いものを用いると良い。また、着色層の膜厚を薄くすることにより光量を多くすることも可能である。さらに、液晶表示装置で用いる着色層のように鋭い吸収ピークをもつ必要はなく、むしろブロードな吸収ピークをもつ着色層が好ましい。また、着色層に黒色顔料を含有させることで、ＥＬ発光装置の外部から入ってくる外光を吸収し、観測者が陰極に映り込むような不具合を抑えることも可能である。

次いで、第２の電極８２５、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）を形成する。第２の電極８２５の材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、Ｃａ_３Ｎ_２などの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を用いればよい。第２の電極８２５に透光性を持たせる場合には、第２の電極８２５として、透光性を有する導電膜を形成すればよい。

また、第２の電極８２５を形成する前に陰極バッファ層としてＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２からなる層（膜厚１ｎｍ〜５ｎｍ）を形成してもよい。

また、第２の電極８２５を保護する保護層（窒化珪素または炭素を主成分とする薄膜）を形成してもよい。

次いで、封止基板８３３をシール材８２８で貼り合わせて発光素子を封止する。本実施の形態では、封止基板８３３として、実施の形態１で作製したカラーフィルタを用いる。シール材８２８が高耐熱性平坦化膜８１６の端部（テーパー部）を覆うように貼りあわせる。なお、シール材８２８で囲まれた領域には透明な充填材８２７を充填する。充填材８２７としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。また、充填材８２７に乾燥剤を含ませてもよい。ここでは屈折率１．５０、粘度５００ｃｐｓ、ショアＤ硬度９０、テンシル強度３０００ｐｓｉ、Ｔｇ１５０℃、体積抵抗１×１０^１５Ω・ｃｍ、耐電圧４５０Ｖ／ｍｉｌある高耐熱のＵＶエポキシ樹脂（エレクトロライト社製：２５００Ｃｌｅａｒ）を用いる。また、充填材８２７を一対の基板間に充填することによって、全体の透過率を向上させることができる。

また、液滴吐出法により不活性気体雰囲気または減圧下で封止基板８３３上にシール材８２８をパターン形成した後、シールパターン内にインクジェット装置またはディスペンサ装置で充填材８２７を滴下し、基板の間に気泡が入らないように減圧下で一対の基板を貼りあわせてもよい。貼りあわせると同時に紫外線照射や熱処理を行って、減圧下でシール材８２８を硬化させてもよい。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。

また、シール材８２８で囲まれた領域を乾燥した不活性気体で充填してもよい。気体で充填する場合、封止基板８３３の一部を削って凹部を形成し、その凹部に乾燥剤を配置することが好ましい。

最後にＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）８３２を異方性導電膜８３１により端子電極として用いられる導電層８１５ａ、８１５ｂと貼りつける。導電層８１５ａ、８１５ｂは、ゲート配線と同時に形成される。（図４（Ａ））なお、第１の電極８２３を形成する際、導電層８１５ａ、８１５ｂ上に透光性を有する導電膜を形成してもよい。

また、発光装置の上面図を図４（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）に示すように、高耐熱性平坦化膜の端部８３４がシール材８２８で覆われている。

こうして作製されたアクティブマトリクス型発光装置は、ＴＦＴの層間絶縁膜として高耐熱性平坦化膜８１６、代表的にはシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を有し、さらに第１の電極にも酸化珪素を含ませている。熱的に安定である酸化珪素を含む材料を構成材料として用いることで、アクティブマトリクス型発光装置の信頼性が向上する。

本実施の形態では、第１の電極を金属材料、第２の電極を透光性を有する材料として、封止基板８３３を通過させて光を取り出す構造、即ちトップエミッション型を構成する。また、本発明の実施の形態はこれに限られず、第１の電極を透光性を有する材料、第２の電極を金属として、基板８１０を通過させて光を取り出す構造、即ちボトムエミッション型としてもよい。また、第１の電極および第２の電極を透光性を有する材料とすれば、基板８１０と封止基板８３３の両方を通過させて光を取り出す構造とすることができる。本発明は、適宜、いずれか一の構造とすればよい。

また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。

さらに、ビデオ信号がデジタルの発光装置の場合、画素に入力されるビデオ信号は定電圧（ＣＶ）でも良く、定電流（ＣＣ）でも良い。ビデオ信号が定電圧（ＣＶ）の場合には、発光素子に印加される電圧は一定でも良く（ＣＶＣＶ）、発光素子に印加される電流が一定でも良い（ＣＶＣＣ）。また、ビデオ信号が定電流（ＣＣ）の場合には、発光素子に印加される電圧が一定でも良く（ＣＣＣＶ）、発光素子に印加される電流が一定でも良い（ＣＣＣＣ）。

また、本発明の発光装置において、静電破壊防止のための保護回路（保護ダイオードなど）を設けてもよい。

また、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート型ＴＦＴや、ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。

またコントラストを高めるため、偏光板又は円偏光板を設けてもよい。例えば、表示装置の一面又は両面に偏光板、若しくは円偏光板を設けることができる。

本発明の作製方法を用いてカラーフィルタを作製することにより、従来の混色部の修正方法と比較して、簡便な方法で効率よく修正することができ、処理時間を大幅に短縮することができる。また、混色部において、不要な色のみを選択的に除去しているため、カラーフィルタ材料の無駄を防ぐことができる。さらに、本修正方法が行われた部分に対するカラーフィルタ材料の再着色工程の必要がなく、工程の簡略化を図ることができ、表示装置を安価で提供することができる。

（実施の形態４）
実施の形態３では、表示装置の画素部と端子部のみを図示したが、本実施の形態では、表示装置の画素部と駆動回路と端子部と、を同一基板上に形成する例を図５に示す。

基板１６１０上に下地絶縁膜を形成した後、各半導体層を形成する。次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成した後、各ゲート電極、端子電極を形成する。次いで、ｎチャネル型ＴＦＴ１６３６を形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（例えばリン、またはヒ素）をドープし、ｐチャネル型ＴＦＴ１６３７を形成するため、半導体にｐ型を付与する不純物元素（例えばボロン）をドープしてソース領域およびドレイン領域、必要であればＬＤＤ領域を適宜形成する。

次いで、層間絶縁膜となる高耐熱性平坦化膜１６１６を形成する。高耐熱性平坦化膜１６１６としては、塗布法によって得られるシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。また、高耐熱性平坦化膜１６１６上に、水素を含むＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜膜（ｘ＞ｙ＞０）を形成してもよい。

次いで、マスクを用いて水素を含むＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜（ｘ＞ｙ＞０）および高耐熱平坦化膜にコンタクトホールを形成すると同時に基板の周縁部の高耐熱性平坦化膜を除去する。ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜（ｘ＞ｙ＞０）および高耐熱性平坦化膜は１回のエッチングでテーパー形状としてもよいし、複数のエッチングによってテーパー形状にしてもよい。

次いで、高耐熱性平坦化膜１６１６をマスクとしてエッチングを行い、露呈している水素を含むＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜またはゲート絶縁膜を選択的に除去する。

次いで、導電膜を形成した後、マスクを用いてエッチングを行い、ドレイン配線やソース配線を形成する。

次いで、透明導電膜からなる第１の電極１６２３、即ち、有機発光素子の陽極（或いは陰極）を形成する。同時に端子電極の上にも透明導電膜を形成する。

以降の工程は、絶縁物１６２９、有機化合物を含む層１６２４、導電膜からなる第２の電極１６２５、透明保護層１６２６を形成し、封止基板１６３３をシール材１６２８で貼り合わせて発光素子を封止する。本実施の形態では、封止基板１６３３として、実施の形態１で作製したカラーフィルタを用いる。なお、シール材１６２８で囲まれた領域には透明な充填材１６２７を充填する。最後にＦＰＣ１６３２を異方性導電膜１６３１により公知の方法で端子電極と貼りつける。端子電極は、ゲート配線と同時に形成された電極とその上に透明導電膜を積層させたものであることが好ましい。

以上の工程によって、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成する。本実施の形態の作製方法によって、同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを作製することができるため、駆動回路や保護回路を同一基板上に作り込むことができ、駆動用のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップなどの実装部品を少なくすることができる。

また、本発明の発光装置は、同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを作製することに限定されず、画素部および駆動回路は、ｎチャネル型ＴＦＴのみで構成してもよいし、ｐチャネル型ＴＦＴのみで構成して工程を短縮してもよい。

本発明に係るカラーフィルタの修正方法を用いることで、簡便な方法で混色部のないカラーフィルタを効率よく作製することができる。また、混色部において、不要な色のみを選択的に除去しているため、カラーフィルタ材料の無駄を防ぐことができる。したがって、本発明のカラーフィルタを採用することにより、表示ムラのない表示装置を安価に提供することができる。

（実施の形態５）
本発明に係るカラーフィルタを含む電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図８および図９に示す。

図８（Ａ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、撮像部、操作キー２１０４、シャッターボタン２１０６等を含む。なお、図８（Ａ）は表示部２１０２側からの図であり、撮像部は示していない。本発明に係るカラーフィルタは表示部２１０２に用いられている。本発明により、カラーフィルタの作製工程における歩留まりが向上し、安価で、表示不良の少ないデジタルカメラが実現できる。

図８（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングデバイス２２０６等を含む。本発明に係るカラーフィルタは表示部２２０３に用いられている。本発明により、カラーフィルタの作製工程における歩留まりが向上し、安価で、表示不良の少ないノート型パーソナルコンピュータを実現することができる。

図８（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、第１の表示部２４０３、第２の表示部２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。第１の表示部２４０３は主として画像情報を表示し、第２の表示部２４０４は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明に係るカラーフィルタは第１の表示部２４０３、または第２の表示部２４０４に用いられている。あるいは、第１の表示部２４０３と第２の表示部２４０４の両方に用いても良い。本発明により、カラーフィルタの作製工程における歩留まりが向上し、安価で、表示不良の少ない画像再生装置を実現することができる。

また、図８（Ｄ）は表示装置であり、筐体１９０１、支持台１９０２、表示部１９０３、スピーカー１９０４、ビデオ入力端子１９０５などを含む。この表示装置は、上述した実施の形態で示した作製方法により形成した薄膜トランジスタをその表示部１９０３および駆動回路に用いることにより作製される。なお、表示装置には液晶表示装置、発光装置などがあり、具体的にはコンピュータ用、テレビ受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、カラーフィルタの作製工程における歩留まりが向上し、安価で、表示不良の少ない表示装置、特に２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置を実現することができる。

また、図９で示す携帯電話機は、操作スイッチ類９０４、マイクロフォン９０５などが備えられた本体（Ａ）９０１と、表示パネル（Ａ）９０８、表示パネル（Ｂ）９０９、スピーカー９０６などが備えられた本体（Ｂ）９０２とが、蝶番９１０で開閉可能に連結されている。表示パネル（Ａ）９０８と表示パネル（Ｂ）９０９は、回路基板９０７と共に本体（Ｂ）９０２の筐体９０３の中に収納される。表示パネル（Ａ）９０８及び表示パネル（Ｂ）９０９の画素部は筐体９０３に形成された開口窓から視認できるように配置される。本発明に係るカラーフィルタは、表示パネル（Ａ）９０８、表示パネル（Ｂ）９０９に用いられている。

表示パネル（Ａ）９０８と表示パネル（Ｂ）９０９は、その携帯電話機の機能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パネル（Ａ）９０８を主画面とし、表示パネル（Ｂ）９０９を副画面として組み合わせることができる。

本発明により、カラーフィルタの作製工程における歩留まりが向上し、安価で、表示不良の少ない携帯電話機を実現することができる。

本実施の形態に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、蝶番９１０の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機としても良い。また、操作スイッチ類９０４、表示パネル（Ａ）９０８、表示パネル（Ｂ）９０９を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏することができる。また、表示部を複数個そなえた情報表示端末に本実施の形態の構成を適用しても、同様な効果を得ることができる。

以上の様に、本発明に係るカラーフィルタを用いた表示装置を、図８の表示部または図９の表示パネルとして用いることで、様々な電子機器を完成させることができる。

本実施例では、基板上に混色部を形成し、波長５３２ｎｍのレーザビームを照射して、混色部を修正した実験結果について図７を用いて説明する。

まず、ガラス基板上に緑色のカラーフィルタ材料（富士フイルム社製：ＣＧ−７００１）をスピンコート法で塗布した後、９０℃で１２０秒プリベークした後、２２０℃で１時間ポストベークして、着色層（Ｇ）を形成した。その後、着色層（Ｇ）上に赤色のカラーフィルタ材料（富士フイルム社製：ＣＲ−７００１）をスピンコート法で塗布し、９０℃で１２０秒プリベークした後、２２０℃で１時間ポストベークして、着色層（Ｇ）の上に着色層（Ｒ）を形成した。つまり、着色層（Ｇ）上に赤のカラーフィルタ材料が重なっている混色部を有するサンプルを作製した。

次に、着色層（Ｇ）及び着色層（Ｒ）を形成した基板表面に、レーザビームを照射した。なお、レーザ照射装置として、レーザーマイクロカッタＬＲ−２１００ＳＴ（ＨＯＹＡ製）の固体レーザ（パルス励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザ）を用い、波長は基本波の第２高調波（５３２ｎｍ）を用いた。このレーザ照射装置のレーザ光源の最大出力エネルギーは、第２高調波で２ｍＪのものである。また、このレーザ照射装置は、光学系を通過して照射されるエネルギーが１〜２００の目盛りに振られる。目盛り２００が被照射体への照射エネルギー最大値を示し、目盛り１が最小値を示している。本明細書では、この目盛りの数値をエネルギー強度と呼ぶ。なお、波長５３２ｎｍのレーザビームは、着色層（Ｇ）に対して、着色層（Ｒ）よりも高い透過率を有する（図６）。図６より、５３２ｎｍの波長のレーザビームの赤色（Ｒ）に対する透過率は約３％、緑色（Ｇ）に対する透過率は約７０％である。

着色層（Ｇ）上に着色層（Ｒ）を形成したサンプルには、エネルギー強度５０以上９０以下の強度範囲で連続的にレーザ照射すると、剥がれ残りや２色とも剥がれることがなく、着色層（Ｒ）を除去することができた。したがって、本発明に係るカラーフィルタの作製方法を用いると、不要な色のカラーフィルタ材料を選択的に除去することができ、レーザ照射された部分に対するカラーフィルタ材料の再着色工程を省略することができる。

着色層（Ｇ）上に着色層（Ｒ）を形成したサンプルに連続ショットでレーザビームを照射し、レーザビームを照射したサンプルの光学顕微鏡写真を図７（Ａ）に示す。図７（Ａ）より、ＹＡＧレーザの第２高調波を照射した領域においては、下層の着色層（Ｇ）７０１を残して、着色層（Ｒ）７０２が除去されている。

また、同様にガラス基板上に着色層（Ｇ）を形成した後、着色層（Ｇ）上に青色のカラーフィルタ材料（富士フイルム社製：ＣＢ−７００１）をスピンコート法で塗布し、９０℃で１２０秒プリベークした後、２２０℃で１時間ポストベークして、着色層（Ｂ）を形成し、混色部を有するサンプルを作製した。さらに、同様の方法で、ガラス基板上に着色層（Ｂ）を形成し、その上に着色層（Ｒ）を形成し、混色部を有するサンプルを作製した。

作製したそれぞれのサンプルに、基板表面からＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）を照射し、混色部の修正を行った。なお、波長５３２ｎｍのレーザビームは、着色層（Ｇ）に対して、着色層（Ｂ）よりも高い透過率を有し、着色層（Ｂ）に対して、着色層（Ｒ）よりも高い透過率を有する（図６）。なお、図６より、５３２ｎｍの波長のレーザビームの青色（Ｂ）に対する透過率は約１５％である。

着色層（Ｇ）上に着色層（Ｂ）を形成したサンプルには、エネルギー強度４０以上９０以下の強度範囲で連続的にレーザ照射すると、剥がれ残りや２色とも剥がれることがなく、着色層（Ｂ）を選択的に除去することができた。したがって、本発明に係るカラーフィルタの作製方法を用いると、不要な色のカラーフィルタ材料を選択的に除去することができ、レーザ照射された部分に対するカラーフィルタ材料の再着色工程を省略することができる。

着色層（Ｇ）上に着色層（Ｂ）を形成したサンプルに連続的にレーザビームを照射し、レーザビームを照射したサンプルの光学顕微鏡写真を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）より、ＹＡＧレーザの第２高調波を照射した領域においては、下層の着色層（Ｇ）７０３を残して、着色層（Ｂ）７０４が選択的に除去されている。

また、着色層（Ｒ）上に着色層（Ｂ）を形成したサンプルには、エネルギー強度４０以上５０以下の強度範囲で連続的にレーザ照射すると、剥がれ残りや２色とも剥がれることがなく、着色層（Ｒ）を除去することができた。したがって、本発明に係るカラーフィルタの作製方法を用いると、不要な色のカラーフィルタ材料を選択的に除去することができ、レーザ照射された部分に対するカラーフィルタ材料の再着色工程を省略することができる。

着色層（Ｂ）上に着色層（Ｒ）を形成したサンプルに連続的にレーザビームを照射し、レーザビームを照射した領域の光学顕微鏡写真を図７（Ｃ）に示す。図７（Ｃ）より、ＹＡＧレーザの第２高調波を照射した領域においては、下層の着色層（Ｂ）７０５を残して、着色層（Ｒ）７０６が選択的に除去されている。

以上の結果より、各カラーフィルタ材料に対する透過率に差異があるレーザビームを混色部に照射することで、レーザビームの透過率の低いカラーフィルタ材料のみを選択的に除去できることが示された。

本発明のカラーフィルタの修正方法を適用したカラーフィルタの作製工程 ＴＦＴの作製工程の断面図 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面図 アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の構成を示す図 ＥＬ表示装置の断面図 各カラーフィルタ材料に対する４００ｎｍから７００ｎｍにおける光の透過率 レーザビームを照射した領域の光学顕微鏡写真 電子機器の一例を示す図 電子機器の一例を示す図

符号の説明

１００ 基板
１０１ａ 隔壁
１０１ｂ 隔壁
１０１ｃ 隔壁
１０１ｄ 隔壁
１０２ 着色層（Ｒ）
１０３ 着色層（Ｇ）
１０４ 着色層（Ｂ）
１０５ 混色部
１０６ 樹脂層
１０７ａ 凹部
１０７ｂ 凹部
１０７ｃ 凹部

Claims (9)

1. 基板上に、第１の着色層と、前記第１の着色層とは異なる色の第２の着色層と、を形成し、
   前記第２の着色層のうち、前記第１の着色層上に位置し、且つ前記第１の着色層と重なる領域に、レーザビームを照射することで、前記第２の着色層の前記領域を選択的に取り除き、
   前記レーザビームは、前記第２の着色層に対する透過率よりも、前記第１の着色層に対する透過率が高い波長を有することを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
2. 基板上に、第１の着色層と、前記第１の着色層とは異なる色の第２の着色層と、を形成し、
   前記第２の着色層のうち、前記第１の着色層上に位置し、且つ前記第１の着色層と重なる領域に、レーザビームを照射することで、前記第２の着色層の前記領域を選択的に取り除き、
   前記レーザビームは、前記第２の着色層に対する透過率よりも、前記第１の着色層に対する透過率が１０％以上高い波長を有することを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の着色層及び前記第２の着色層は、液滴吐出法により形成することを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の着色層は緑色の光を透過し、
   前記第２の着色層は青色の光を透過し、
   前記レーザビームの波長は５１５ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の着色層は緑色の光を透過し、
   前記第２の着色層は赤色の光を透過し、
   前記レーザビームの波長は４７０ｎｍ以上５８５ｎｍ以下であることを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の着色層は赤色の光を透過し、
   前記第２の着色層は緑色の光を透過し、
   前記レーザビームの波長は５９５ｎｍ以上７００ｎｍ以下であることを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
7. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の着色層は赤色の光を透過し、
   前記第２の着色層は青色の光を透過し、
   前記レーザビームの波長は５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下であることを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
8. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の着色層は青色の光を透過し、
   前記第２の着色層は緑色の光を透過し、
   前記レーザビームの波長は４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とするカラーフィルタの作製方法。
9. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の着色層は青色の光を透過し、
   前記第２の着色層は赤色の光を透過し、
   前記レーザビームの波長は４００ｎｍ以上５３５ｎｍ以下であることを特徴とするカラーフィルタの作製方法。