JP5795893B2 - 表示装置、表示素子、及び、電子機器 - Google Patents

Description

本明細書で開示する技術は、画素回路、表示装置、電子機器、及び、画素回路（表示装置）の駆動方法に関する。

今日、表示素子（電気光学素子とも称される）を具備する画素回路（画素とも称される）を有する表示装置、表示装置を具備する電子機器が広く利用されている。画素の表示素子として、印加される電圧や流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子を用いた表示装置がある。例えば、印加される電圧によって輝度が変化する電気光学素子としては液晶表示素子が代表例であり、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子としては、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro Luminescence, 有機ＥＬ, Organic Light Emitting Diode, OLED；以下、有機ＥＬと記す） 素子が代表例である。後者の有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、画素の表示素子として、自発光素子である電気光学素子を用いたいわゆる自発光型の表示装置である。

ところで、表示素子を用いた表示装置においては、その駆動方式として、単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。但し、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が単純であるものの、大型でかつ高精細の表示装置の実現が難しい等の問題がある。

このため、近年、画素内部の表示素子に供給する画素信号を、同様に画素内部に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor ;ＴＦＴ)等のトランジスタをスイッチングトランジスタとして使用して制御するアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。

従来のアクティブマトリクス方式の表示装置は、プロセス変動により表示素子を駆動するトランジスタの閾値電圧や移動度がばらついてしまう。又、表示素子の特性が経時的に変動する。このような駆動用のトランジスタの特性ばらつきや表示素子等の画素回路を構成する素子の特性変動は、発光輝度に影響を与えてしまう。即ち、各画素に全て同一のレベルの映像信号を供給すれば、全画素が同一輝度で発光し、画面の一様性（ユニフォーミティ）が得られるはずであるが、駆動用のトランジスタの特性ばらつきや表示素子の特性変動により、画面のユニフォーミティが損なわれる。そこで、表示装置の画面全体に亘って発光輝度を均一に制御するため、各画素回路内でトランジスタや表示素子等の画素回路を構成する素子の特性ばらつき等に起因する表示むらを補正する技術が、例えば特許第４２４００５９号公報や特許第４２４００６８号公報に提案されている。

特許第４２４００５９号公報 特許第４２４００６８号公報

しかしながら、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理を行なう際に、電気光学素子がターンオンしてしまうことに起因して、画面のユニフォーミティが損なわれる場合があることが分かった。

したがって本開示の目的は、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理を行なう際に電気光学素子がターンオンしてしまうことに起因する表示むら現象を抑制することのできる技術を提供することにある。

本開示の第１の態様に係る画素回路は、電気光学素子と、保持容量と、一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタと、制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており、保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを備える。駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されている。そして、書込トランジスタを介して映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ、駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理の際に、電気光学素子がターンオンするのを抑制可能に構成されている。本開示の第１の態様に係る画素回路の従属項に記載された各画素回路は、本開示の第１の態様に係る画素回路のさらなる有利な具体例を規定する。

本開示の第２の態様に係る表示装置は、電気光学素子、保持容量、一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタ、及び、制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを具備した表示素子が配列されている。又、駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されている。更に、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部を備える。本開示の第２の態様に係る表示装置の従属項に記載された各表示装置は、本開示の第２の態様に係る表示装置のさらなる有利な具体例を規定する。更には、第２の態様に係る表示装置は、第１の態様に係る画素回路の従属項に記載された各技術・手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第２の態様に係る表示装置のさらなる有利な具体例を規定する。

本開示の第３の態様に係る電子機器は、電気光学素子、保持容量、一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタ、及び、制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを具備した表示素子が配列されており、駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されている画素部と、 画素部に供給される映像信号を生成する信号生成部と、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部とを備える。第３の態様に係る電子機器は、第１の態様に係る画素回路の従属項に記載された各技術・手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第３の態様に係る電子機器のさらなる有利な具体例を規定する。

本開示の第４の態様に係る画素回路の駆動方法は、電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを備えた画素回路を駆動する方法であって、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理の際に、電気光学素子がターンオンするのを抑制する。第４の態様に係る画素回路の駆動方法は、第１の態様に係る画素回路の従属項に記載された各技術・手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第４の態様に係る画素回路の駆動方法のさらなる有利な具体例を規定する。

要するに、本明細書で開示する技術では、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理の際に、電気光学素子がターンオンしないように制御する。映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理と対応した一定期間には、電気光学素子がターンオンすることが起きないないようにする。当該期間に電気光学素子に電流を流したとしても、電気光学素子がターンオンしないように「一定期間」を定めればよい。映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理に先立って、その後の発光期間前までは電気光学素子がターンオンすることが起きないないように、電気光学素子を逆バイアス状態にすることができ、電気光学素子がターンオンすることに起因する表示むら現象を防止することができる。

第１の態様に係る画素回路、第２の態様に係る表示装置、第３の態様に係る電子機器、第４の態様に係る画素回路の駆動方法によれば、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理を行なう際に電気光学素子がターンオンすることに起因する表示むら現象を抑制することができる。

図１は、アクティブマトリクス型表示装置の一構成例の概略を示すブロック図である。 図２は、カラー画像表示対応のアクティブマトリクス型表示装置の一構成例の概略を示すブロック図である。 図３は、発光素子（実質的には画素回路）を説明する図である。 図４は、比較例の画素回路の一形態を示す図である。 図５は、比較例の画素回路を備えた表示装置の全体概要を示す図である。 図６は、実施例１の画素回路の一形態を示す図である。 図７は、実施例１の画素回路を備えた表示装置の全体概要を示す図である。 図８は、比較例の画素回路の駆動方法を説明するタイミングチャートである。 図９（Ａ）〜図９（Ｇ）は、図８に示したタイミングチャートの主要な期間における等価回路と動作状態を説明する図である。 図１０は、移動度補正期間中の有機ＥＬ素子のターンオン現象に起因する表示むら対策に着目した実施例１の画素回路の駆動方法を説明するタイミングチャートである。 図１１は、実施例２の画素回路の一形態を示す図である。 図１２は、実施例２の画素回路を備えた表示装置の全体概要を示す図である。 図１３は、移動度補正期間中の有機ＥＬ素子のターンオン現象に起因する表示むら対策に着目した実施例２の画素回路の駆動方法を説明するタイミングチャートである。 図１４（Ａ）〜図１４（Ｅ）は実施例３（電子機器）を説明する図である。

以下、図面を参照して、本明細書で開示する技術の実施形態について詳細に説明する。各機能要素について形態別に区別する際にはアルファベット或いは“_n”（ｎは数字）或いはこれらの組合せの参照子を付して記載し、特に区別しないで説明する際にはこの参照子を割愛して記載する。図面においても同様である。

説明は以下の順序で行なう。
１．全体概要
２．表示装置の概要
３．発光素子
４．駆動方法：基本
５．具体的な適用例：
電気光学素子がターンオンすることに起因する表示むら現象の対処
実施例１：移動度補正開始時の電気光学素子の一端の電位を低電位に制御
実施例２：実施例１＋初期化独立走査
実施例３：電子機器への適用事例

＜全体概要＞
先ず、基本的な事項について以下に説明する。本実施形態の構成において、画素回路、表示装置、或いは、電子機器は、電気光学素子（表示部）と、保持容量と、一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタと、制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており、保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを備える。駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されている。そして、書込トランジスタを介して映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ、駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理の際に、電気光学素子がターンオンするのを抑制する。第１の処理期間に電気光学素子がターンオンしないように画素回路の動作を制御する趣旨である。

第１の処理の際に、電気光学素子がターンオンするのを抑制するに当たっては、第１の処理の際に電気光学素子がターンオンしない程度に、第１の処理の開始前に予め電気光学素子を逆バイアス状態に制御するとよい。「電気光学素子がターンオンしない程度」とは、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理と対応した一定期間に、電気光学素子がターンオンしない程度であればよい。当該期間に電気光学素子がターンオンしないようにすればよく、換言すると、当該期間に電気光学素子に電流を流したとしても、ターンオンする前に中断すればよいので、その限りにおいて、「逆バイアス状態」の程度や「一定期間」の範囲を定めればよい。これによって、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理期間中に電気光学素子がターンオンする現象を防止することができ、電気光学素子がターンオンすることに起因する表示むら現象を確実に防止することができる。

好ましくは、第１の処理の際に電気光学素子がターンオンするのを抑制可能な構成部材としては、トランジスタその他の電子部材を画素回路内に備えているのが好ましい。即ち、画素回路、表示装置、或いは、電子機器は、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部を備えているのがよい。

制御部としては、例えば、第１ノードと駆動トランジスタの他方の主電極端との間に、駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理を制御する閾値補正制御トランジスタを有する構成をとることができる。閾値補正制御トランジスタをオン／オフ制御するに当たっては、書込トランジスタを制御する書込駆動パルスその他の制御パルスと連動して制御してもよいし、書込トランジスタを制御する書込駆動パルス等と独立して制御してもよい。閾値補正制御トランジスタをオン／オフ制御する機能部として、閾値補正制御走査部を設けるとよい。閾値補正制御トランジスタを成すトランジスタは、ｎチャネル型、ｐチャネル型の何れでもよく、その極性に合わせて制御パルスの極性を設定すればよい。

制御部としては、例えば、書込トランジスタの他方の主電極端と第２ノードとの間に結合容量を有する構成をとることができる。映像信号は、書込トランジスタ及び結合容量を介して第２ノードに供給される。好ましくは、結合容量のキャパシタンスは、保持容量のキャパシタンスとほぼ同じ値であるとよい。

制御部としては、例えば、駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理時には、第２の処理用の初期化電圧を書込トランジスタを介して結合容量に供給する構成をとることができる。映像信号だけでなく初期化電圧も書込トランジスタ及び結合容量を介して第２ノードに供給される。

或いは、制御部としては、例えば、駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理時に初期化電圧を結合容量に供給する初期化トランジスタを有する構成をとることができる。映像信号は、書込トランジスタ及び結合容量を介して第２ノードに供給される一方、初期化電圧は、初期化トランジスタ及び結合容量を介して第２ノードに供給される。初期化トランジスタをオン／オフ制御するに当たっては、書込トランジスタを制御する書込駆動パルスその他の制御パルスと連動して制御してもよいし、書込トランジスタを制御する書込駆動パルス等と独立して制御してもよい。初期化トランジスタをオン／オフ制御する機能部として、初期化走査部を設けるとよい。初期化トランジスタを成すトランジスタは、ｎチャネル型、ｐチャネル型の何れでもよく、その極性に合わせて制御パルスの極性を設定すればよい。

好ましくは、初期化電圧を結合容量を介して第２ノードに供給する構成においては、映像信号の初期化電圧に対する極性を、第１の処理の開始前に電気光学素子を逆バイアス状態に制御可能な極性にするとよい。

更には、制御部としては、例えば、駆動トランジスタの他方の主電極端と電源線との間に発光制御トランジスタを有する構成をとることができる。発光制御トランジスタをオン／オフ制御する機能部として、発光制御走査部を設けるとよい。発光制御トランジスタを成すトランジスタは、ｎチャネル型、ｐチャネル型の何れでもよく、その極性に合わせて制御パルスの極性を設定すればよい。

デバイス構成としては、画素回路（電気光学素子）が１つでもよいし、電気光学素子がライン状或いは２次元マトリクス状に配列された画素部を備えるものでもよい。画素部を備える構成の場合、好ましくは、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部を設けるとよい。制御部の一部を成す走査部は、電気光学素子（表示部）とは別に備えるのがよく、電気光学素子が２次元マトリクス状に配列された画素部を備える構成の場合、走査処理により、行ごとに、表示部がターンオンするのを抑制する構成をとることができる。

電気光学素子としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス発光部、無機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザー発光部等の自発光型の発光部を表示部として具備した発光素子を用いることができ、特に、有機エレクトロルミネッセンス発光部であるとよい。

＜表示装置の概要＞
以下の説明においては、対応関係の理解を容易にするため、回路構成部材の抵抗値や容量値（静電容量、キャパシタンス）等は、その部材に付されている符号と同一符号で示すことがある。

［基本］
先ず、発光素子（電気光学素子）を備えた表示装置の概要について説明する。以下の回路構成の説明においては、「電気的に接続」を単に「接続」と記載するし、この「電気的に接続」は、特段の明示のない限り、直接に接続されることに限らず、他のトランジスタ（スイッチングトランジスタが典型例である）その他の電気素子（能動素子に限らず受動素子でもよい）を介して接続されることも含む。

表示装置は、複数の画素回路（或いは単に画素とも称することもある）を備えている。各画素回路は、表示部（発光部）と表示部を駆動する駆動回路とを具備する表示素子（電気光学素子）を有する。表示部としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス発光部、無機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザー発光部等の自発光型の発光部を具備した発光素子を用いることができる。尚、表示素子の発光部を駆動する方式としては定電流駆動型を採用するが、原理的には、定電流駆動型に限らず定電圧駆動型でもよい。

以下に説明する例においては、発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えている場合で説明する。より詳細には、発光素子は、駆動回路と、駆動回路に接続された有機エレクトロルミネッセンス発光部（発光部ＥＬＰ）とが積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）である。

発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路として各種の回路があるが、画素回路としては、５Ｔｒ／１Ｃ型、４Ｔｒ／１Ｃ型、３Ｔｒ／１Ｃ型、或いは２Ｔｒ／１Ｃ型等の駆動回路を備えた構成にすることができる。「αＴｒ／１Ｃ型」におけるαはトランジスタの数を意味し、「１Ｃ」は容量部が１つの保持容量Ｃ_cs（キャパシタ）を具備することを意味する。駆動回路を構成する各トランジスタは、好適には、全てがｎチャネル型のトランジスタから構成されているのが好ましいが、これには限らず、場合によっては、一部のトランジスタをｐチャネル型としてもよい。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成とすることもできる。駆動回路を構成するトランジスタの構造は、特に限定するものではなく、ＭＯＳ型ＦＥＴを代表例とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor ;ＴＦＴ））を使用できる。更には、駆動回路を構成するトランジスタはエンハンスメント型とデプレッション型の何れでもよいし、又、シングルゲート型とデュアルゲート型の何れでもよい。

何れの構成においても、表示装置は、基本的には、最小の構成要素として２Ｔｒ／１Ｃ型と同様に、発光部ＥＬＰ、駆動トランジスタＴＲ_D、書込トランジスタＴＲ_W（サンプリングトランジスタとも称される）、少なくとも書込走査部を具備する垂直走査部、信号出力部の機能を持つ水平駆動部、保持容量Ｃ_csを備える。好ましくは、ブートストラップ回路を構成するべく、駆動トランジスタＴＲ_Dの制御入力端（ゲート端）と主電極端（ソース／ドレイン領域）の一方（典型的にはソース端）との間に保持容量Ｃ_csが接続される。駆動トランジスタＴＲ_Dは、主電極端の一方が発光部ＥＬＰと接続され、主電極端の他方は電源線ＰＷＬと接続される。電源線ＰＷＬには、電源回路或いは電源電圧用の走査回路等から電源電圧（定常電圧或いはパルス状の電圧）が供給される。

水平駆動部は、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_sigや閾値補正等に使用される基準電位（１種とは限らない）を表す広義の映像信号ＶＳを映像信号線ＤＴＬ（データ線とも称される）に供給する。書込トランジスタＴＲ_Wは、主電極端の一方が映像信号線ＤＴＬに接続され、主電極端の他方が駆動トランジスタＴＲ_Dの制御入力端に接続される。書込走査部は書込トランジスタＴＲ_Wをオン／オフ制御する制御パルス（書込駆動パルスWS）を書込走査線ＷＳＬを介して書込トランジスタＴＲ_Wの制御入力端に供給する。書込トランジスタＴＲ_Wの主電極端の他端と駆動トランジスタＴＲ_Dの制御入力端と保持容量Ｃ_csの一端との接続点を第１ノードＮＤ₁と称し、駆動トランジスタＴＲ_Dの主電極端の一方と保持容量Ｃ_csの他端との接続点を第２ノードＮＤ₂と称する。

［構成例］
図１及び図２は、本開示に係る表示装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型表示装置の一構成例の概略を示すブロック図である。図１は、一般的なアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すブロック図であり、図２は、そのカラー画像表示対応の場合の概略を示すブロック図である。

図１に示すように、表示装置１は、複数の表示素子としての有機ＥＬ素子（図示せず）を持った画素回路１０（画素とも称される）が表示アスペクト比である縦横比がＸ：Ｙ（例えば９：１６）の有効映像領域を構成するように配置された表示パネル部１００と、この表示パネル部１００を駆動制御する種々のパルス信号を発するパネル制御部の一例である駆動信号生成部２００（いわゆるタイミングジェネレータ）と、映像信号処理部２２０を備えている。駆動信号生成部２００と映像信号処理部２２０とは、１チップのＩＣ（Integrated Circuit；半導体集積回路）に内蔵され、本例では、表示パネル部１００の外部に配置されている。

尚、製品形態としては、図示のように、表示パネル部１００、駆動信号生成部２００、及び映像信号処理部２２０の全てを備えたモジュール（複合部品）形態の表示装置１として提供されることに限らず、例えば、表示パネル部１００のみで表示装置１として提供してもよい。又、表示装置１は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部１０２に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部１０２への映像信号Ｖ_sigや各種の駆動パルスを入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。

このような表示装置１は、電子機器に入力された映像信号や電子機器内で生成した映像信号を、静止画像や動画像（映像）として表示するあらゆる分野の様々な電子機器の表示部に利用できる。例えば、半導体メモリやミニディスク（ＭＤ）やカセットテープ等の記録媒体を利用した携帯型の音楽プレイヤー、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラ等の表示部に利用できる。

表示パネル部１００は、基板１０１の上に、画素アレイ部１０２、垂直駆動部１０３、水平駆動部１０６（水平セレクタ或いはデータ線駆動部とも称される）、インタフェース部１３０（ＩＦ）、及び、外部接続用の端子部１０８（パッド部）等が集積形成されている。即ち、垂直駆動部１０３や水平駆動部１０６やインタフェース部１３０等の周辺駆動回路が、画素アレイ部１０２と同一の基板１０１上に形成された構成となっている。第ｍ行目（ｍ＝１、２、３、…、Ｍ）、第ｎ列（ｎ＝１、２、３、…、Ｎ）に位置する発光素子（画素回路１０）を、図では１０_ｎ，ｍで示している。

画素アレイ部１０２は、画素回路１０がＭ行×Ｎ列のマトリクス状に配列されている。垂直駆動部１０３は、画素回路１０を垂直方向に走査する。水平駆動部１０６は、画素回路１０を水平方向に走査する。インタフェース部１３０は、各駆動部（垂直駆動部１０３及び水平駆動部１０６）と外部回路とのインタフェースをとる。インタフェース部１３０は、垂直駆動部１０３と外部回路とのインタフェースをとる垂直ＩＦ部１３３と、水平駆動部１０６と外部回路とのインタフェースをとる水平ＩＦ部１３６を有する。

垂直駆動部１０３と水平駆動部１０６とで、信号電位の保持容量への書込みや、閾値補正動作や、移動度補正動作や、ブートストラップ動作を制御する制御部１０９が構成される。この制御部１０９とインタフェース部１３０（垂直ＩＦ部１３３や水平ＩＦ部１３６）を含めて、画素アレイ部１０２の画素回路１０を駆動制御する駆動制御回路を構成している。

２Ｔｒ／１Ｃ型とする場合であれば、垂直駆動部１０３は、書込走査部（ライトスキャナＷＳ；Write Scan）や電源供給能力を有する電源スキャナとして機能する駆動走査部（ドライブスキャナＤＳ；Drive Scan）を有する。画素アレイ部１０２は、一例として、図示する左右方向の一方側もしくは両側から垂直駆動部１０３で駆動され、かつ図示する上下方向の一方側もしくは両側から水平駆動部１０６で駆動されるようになっている。

端子部１０８には、表示装置１の外部に配された駆動信号生成部２００から、種々のパルス信号が供給される。同様に、映像信号処理部２２０から映像信号Ｖ_sigが供給される。カラー表示対応の場合には、色別（本例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色）の映像信号Ｖ_{sig_R}、映像信号Ｖ_{sig_G}、映像信号Ｖ_{sig_B}が供給される。

一例としては、垂直駆動用のパルス信号として、垂直方向の走査開始パルスの一例であるシフトスタートパルスSP（図はSPDS、SPWSの２種）や垂直走査クロックCK（図はCKDS、CKWSの２種）が供給される。必要に応じて位相反転した垂直走査クロックxCK（図はxCKDS、xCKWSの２種）、並びに特定タイミングのパルス出力を指示するイネーブルパルス等の必要なパルス信号が供給される。水平駆動用のパルス信号として、水平方向の走査開始パルスの一例である水平スタートパルスSPHや水平走査クロックCKH、必要に応じて位相反転した水平走査クロックxCKH、並びに特定タイミングのパルス出力を指示するイネーブルパルス等の必要なパルス信号が供給される。

端子部１０８の各端子は、配線１１０を介して、垂直駆動部１０３や水平駆動部１０６に接続される。例えば、端子部１０８に供給された各パルスは、必要に応じて図示を割愛したレベルシフタ部で電圧レベルを内部的に調整した後、バッファを介して垂直駆動部１０３の各部や水平駆動部１０６に供給される。

画素アレイ部１０２は、図示を割愛するが（詳細は後述する）、表示素子としての有機ＥＬ素子に対して画素トランジスタが設けられた画素回路１０が行列状に２次元配置され、画素配列に対して行ごとに垂直走査線ＳＣＬが配線されるとともに、列ごとに映像信号線ＤＴＬが配線された構成となっている。つまり、画素回路１０は、垂直走査線ＳＣＬを介して垂直駆動部１０３と接続され、又、映像信号線ＤＴＬを介して水平駆動部１０６と接続されている。具体的には、マトリクス状に配列された各画素回路１０に対しては、垂直駆動部１０３によって駆動パルスで駆動されるＭ行分の垂直走査線ＳＣＬ_1〜ＳＣＬ_Mが画素行ごとに配線される。垂直駆動部１０３は、論理ゲートの組合せ（ラッチやシフトレジスタ等も含む）によって構成され、画素アレイ部１０２の各画素回路１０を行単位で選択する、即ち、駆動信号生成部２００から供給される垂直駆動系のパルス信号に基づき、垂直走査線ＳＣＬを介して各画素回路１０を順次選択する。水平駆動部１０６は、論理ゲートの組合せ（ラッチやシフトレジスタ等も含む）によって構成され、画素アレイ部１０２の各画素回路１０を列単位で選択する。即ち、水平駆動部１０６は、駆動信号生成部２００から供給される水平駆動系のパルス信号に基づき、選択された画素回路１０に対し映像信号線ＤＴＬを介して映像信号ＶＳの内の所定電位（例えば映像信号Ｖ_sigレベル）をサンプリングして保持容量Ｃ_csに書き込ませる。

本実施形態の表示装置１は、線順次駆動や点順次駆動が可能になっており、垂直駆動部１０３の書込走査部１０４及び駆動走査部１０５は線順次で（つまり行単位で）で画素アレイ部１０２を走査する。更に、この走査に同期して水平駆動部１０６が、画像信号を、１水平ライン分を同時に（線順次の場合）、或いは画素単位で（点順次の場合）、画素アレイ部１０２に書き込む。

カラー画像表示対応をとるには、画素アレイ部１０２には、例えば図２に示すように、色別（本例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色）のサブピクセルとして画素回路１０_{_R}、画素回路１０_{_G}、画素回路１０_{_B}を所定の配列順で縦ストライプ状に設ける。１組の色別のサブピクセルによりカラーの１画素が構成される。ここでは、サブピクセルレイアウトの一例として縦ストライプ状に各色のサブピクセルを配置したストライプ構造のものを示しているが、サブピクセルレイアウトはこのような配列例に限定されるものではない。サブピクセルを垂直方向にシフトさせた形態を採用してもよい。

尚、図１及び図２では、画素アレイ部１０２の一方側にのみ垂直駆動部１０３（詳しくはその構成要素）を配置する構成を示しているが、垂直駆動部１０３の各要素を画素アレイ部１０２を挟んで左右両側に配置する構成を採ることもできる。又、垂直駆動部１０３の各要素の一方と他方を左右の各別に配置する構成を採ることもできる。同様に、図１及び図２では、画素アレイ部１０２の一方側にのみ水平駆動部１０６を配置する構成を示しているが、画素アレイ部１０２を挟んで上下両側に水平駆動部１０６を配置する構成を採ることもできる。本例では、垂直シフトスタートパルス、垂直走査クロック、水平スタートパルス、水平走査クロック等のパルス信号を表示パネル部１００の外部から入力する構成としているが、これらの各種のタイミングパルスを生成する駆動信号生成部２００を表示パネル部１００上に搭載することもできる。

図示した構成は、表示装置の一形態を示したに過ぎず、製品形態としては、その他の形態をとることができる。即ち、表示装置は、画素回路１０を構成する素子を行列状に配置した画素アレイ部と、画素アレイ部の周辺に配置され、各画素を駆動するための走査線と接続された走査部を主要部とする制御部と、制御部を動作させるための各種の信号を生成する駆動信号生成部や映像信号処理部を備えて装置の全体が構成されていればよい。製品形態としては、画素アレイ部と制御部とを同一の基体（例えばガラス基板）上に搭載した表示パネル部と駆動信号生成部や映像信号処理部を別体とする図示のような形態（パネル上配置構成と称する）を採ることができる。更には、表示パネル部には画素アレイ部を搭載し、それとは別基板（例えばフレキシブル基板）上に制御部や駆動信号生成部や映像信号処理部等の周辺回路を搭載する形態（周辺回路パネル外配置構成と称する）を採ることもできる。又、画素アレイ部と制御部とを同一の基体上に搭載して表示パネル部を構成するパネル上配置構成の場合、画素アレイ部のＴＦＴを生成する工程にて同時に制御部（必要に応じて駆動信号生成部や映像信号処理部も）用の各トランジスタを生成する形態（トランジスタ一体構成と称する）を採ることもがきる。更には、ＣＯＧ（Chip On Glass）実装技術により画素アレイ部が搭載された基体上に制御部（必要に応じて駆動信号生成部や映像信号処理部も）用の半導体チップを直接実装する形態（ＣＯＧ搭載構成と称する）を採ることもできる。或いは又、表示パネル部（少なくとも画素アレイ部を備える）のみで表示装置として提供することもできる。

＜発光素子＞
図３は、駆動回路を備えた発光素子１１（実質的には画素回路１０）を説明する図である。ここで、図３は、発光素子１１（画素回路１０）の一部分の模式的な一部断面図である。図３では、絶縁ゲート型電界効果トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるとする。図示しないが、いわゆるバックゲート型の薄膜トランジスタ或いはＭＯＳ型のトランジスタを使用してもよい。

発光素子１１の駆動回路を構成する各トランジスタ及び容量部（保持容量Ｃ_cs）は支持体２０上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、駆動回路を構成する各トランジスタ及び保持容量Ｃ_csの上方に形成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。図３においては、駆動トランジスタＴＲ_Dのみを図示する。書込トランジスタＴＲ_Wやその他のトランジスタは隠れて見えない。発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等の周知の構成、構造を有する。

具体的には、駆動トランジスタＴＲ_Dは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５、及び、ソース／ドレイン領域３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。保持容量Ｃ_csは、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、保持容量Ｃ_csを構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_D及び保持容量Ｃ_cs等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。図３においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。一方の電極３７とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６、コンタクトホール５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。

［駆動方法］
発光部の駆動方法に関して、以下に説明する。理解を容易にするべく、画素回路１０を構成する各トランジスタは、ｎチャネル型のトランジスタから構成されているとして説明する。又、発光部ＥＬＰは、アノード端が第２ノードＮＤ₂に接続され、カソード端はカソード配線cath（その電位をカソード電位Ｖ_cathとする）に接続されるものとする。更には、ドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。発光素子の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つの主電極端（ソース／ドレイン領域）は、一方（発光部ＥＬＰのアノード側）がソース端（ソース領域）として働き、他方がドレイン端（ドレイン領域）として働く。表示装置は、カラー表示対応のものであり、Ｎ×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素回路１０から構成され、カラー表示の一単位を成す１つの画素回路は、３つの副画素回路（赤色を発光する赤色発光画素回路１０_{_R}、緑色を発光する緑色発光画素回路１０_{_G}、青色を発光する青色発光画素回路１０_{_B}）から構成されているとする。各画素回路１０を構成する発光素子は、線順次駆動されるとし、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１、２、３、…、Ｍ）に配列されたＮ個の画素回路１０、より具体的には、Ｎ個の画素回路１０のそれぞれを構成する発光素子が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各発光素子にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素回路１０について映像信号を書き込む処理は、全ての画素回路１０について同時に映像信号を書き込む処理（同時書込み処理とも称する）でもよいし、画素回路１０毎に順次映像信号を書き込む処理（順次書込み処理とも称する）でもよい。何れの書込み処理とするかは、駆動回路の構成に応じて適宜選択すればよい。

ここで、第ｍ行目、第ｎ列（但し、ｎ＝１、２、３、…、Ｎ）に位置する発光素子（画素回路１０）に関する駆動動作を説明する。因みに、第ｍ行目、第ｎ列に位置する発光素子を、第（ｎ、ｍ）番目の発光素子或いは第（ｎ、ｍ）番目の発光素子画素回路と称する。第ｍ行目に配列された各発光素子の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（閾値補正処理、書込み処理、移動度補正処理、等）が行なわれる。尚、書込み処理や移動度補正処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行なわれる必要がある。一方、駆動回路の種類によっては、閾値補正処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行なうことができる。

前述の各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部を発光させる。尚、各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部を発光させてもよい。「所定の期間」は、表示装置の仕様や画素回路１０（つまり駆動回路）の構成等に応じて、適宜設定すればよい。以下では説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部を発光させるものとする。第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各発光素子の水平走査期間の開始直前まで継続される。「ｍ’」は、表示装置の設計仕様によって決定すればよい。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、次の表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内において書込み処理や移動度補正処理が完了するまで、第ｍ行目に配列された各発光素子を構成する発光部は、原則として非発光状態を維持する。非発光状態の期間（非発光期間とも称する）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより良好にすることができる。但し、各画素回路１０（発光素子）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態には限定されない。水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

トランジスタがオン状態（導通状態）にあるとは、主電極端間（ソース／ドレイン領域間）にチャネルが形成されている状態を意味し、一方の主電極端から他方の主電極端に電流が流れているか否かは問わない。トランジスタがオフ状態（非導通状態）にあるとは、主電極端間にチャネルが形成されていない状態を意味する。或るトランジスタの主電極端が他のトランジスタの主電極端に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。又、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。

画素回路１０の駆動方法においては、前処理工程、閾値補正処理工程、映像信号書込み処理工程、移動度補正工程、発光工程を有する。前処理工程、閾値補正処理工程、映像信号書込み処理工程、及び、移動度補正工程を纏めて非発光工程とも称する。画素回路１０の構成によっては映像信号書込み処理工程と移動度補正工程とを同時に行なうこともある。各工程について概説する。

因みに、駆動トランジスタＴＲ_Dは、発光素子の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。ドレイン電流Ｉ_dsが発光部ＥＬＰを流れることで発光部ＥＬＰが発光する。更には、ドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。発光素子の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つの主電極端（ソース／ドレイン領域）は、一方（発光部ＥＬＰのアノード端側）がソース端（ソース領域）として働き、他方がドレイン端（ドレイン領域）として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方の主電極端を単にソース端と称し、他方の主電極端を単にドレイン端と呼ぶ場合がある。尚、実効的な移動度μ、チャネル長Ｌ、チャネル幅Ｗ、制御入力端の電位（ゲート電位Ｖ_g）とソース端の電位（ソース電位Ｖ_s）との電位差（ゲート・ソース間電圧）Ｖ_gs、閾値電圧Ｖ_th、等価容量Ｃ_ox（（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ））、係数ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_oxとする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

以下の説明では、特段の断りのない限り、発光部ＥＬＰの寄生容量の静電容量Ｃ_elは、保持容量Ｃ_csの静電容量Ｃ_cs及び駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量の一例であるゲート・ソース間の静電容量Ｃ_gsと比較して十分に大きな値であるとし、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート端の電位（ゲート電位Ｖ_g）の変化に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位（ソース電位Ｖ_s）の変化を考慮しない。

〔前処理工程〕
第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを越え、且つ、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差が、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_thELを越えないようにする。このために、第１ノードＮＤ₁に第１ノード初期化電圧（Ｖ_ofs）を印加し、第２ノードＮＤ₂に第２ノード初期化電圧（Ｖ_ini）を印加する。例えば、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_sigを０〜１０ボルト、電源電圧Ｖ_ccを２０ボルト、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを３ボルト、カソード電位Ｖ_cathを０ボルト、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_thELを３ボルトとする。この場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの制御入力端の電位（ゲート電位Ｖ_g、つまり第１ノードＮＤ₁の電位）を初期化するための電位Ｖ_ofsは０ボルト、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース端の電位（ソース電位Ｖ_sつまり第２ノードＮＤ₂の電位）を初期化するための電位Ｖ_iniは−１０ボルトとする。

〔閾値補正処理工程〕
第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dにドレイン電流Ｉ_dsを流して、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる。この際には、前処理工程後の第２ノードＮＤ₂の電位に駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを加えた電圧を超える電圧（例えば発光時の電源電圧）を、駆動トランジスタＴＲ_Dの主電極端の他方（第２ノードＮＤ₂とは反対側）に印加する。この閾値補正処理工程において、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差（換言すれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート・ソース間電圧Ｖ_gs）が駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thに近づく程度は閾値補正処理の時間により左右される。よって、例えば閾値補正処理の時間を充分長く確保すれば第２ノードＮＤ₂の電位は第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に達し、駆動トランジスタＴＲ_Dはオフ状態となる。一方、例えば閾値補正処理の時間を短く設定せざるを得ない場合は、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thより大きく、駆動トランジスタＴＲ_Dはオフ状態とはならない場合がある。閾値補正処理の結果として、必ずしも駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態となることを要しない。尚、閾値補正処理工程においては、好ましくは、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておくことで、発光部ＥＬＰが発光しないようにする。

（Ｖ_ofs−Ｖ_th）＜（Ｖ_thEL＋Ｖ_cath） （２）

〔映像信号書込み処理工程〕
書込走査線ＷＳＬからの書込駆動パルスWSによりオン状態とされた書込トランジスタＴＲ_Wを介して、映像信号線ＤＴＬから映像信号Ｖ_sigを第１ノードＮＤ₁に印加し、第１ノードＮＤ₁の電位をＶ_sigへと上昇させる。この第１ノードＮＤ₁の電位変化分（ΔＶ_in＝Ｖ_sig−Ｖ_ofs）に基づく電荷が、保持容量Ｃ_cs、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_el、駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量（例えばゲート・ソース間容量Ｃ_gs等）に振り分けられる。静電容量Ｃ_elが、静電容量Ｃ_cs及びゲート・ソース間容量Ｃ_gsの静電容量Ｃ_gsと比較して十分に大きな値であれば、電位変化分（Ｖ_sig−Ｖ_ofs）に基づく第２ノードＮＤ₂の電位の変化は小さい。一般に、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_elの静電容量Ｃ_elは、保持容量Ｃ_csの静電容量Ｃ_cs及びゲート・ソース間容量Ｃ_gsの静電容量Ｃ_gsよりも大きい。この点を勘案して、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化は考慮しない。この場合、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは、式（３）で表すことができる。

Ｖ_g＝Ｖ_sig
Ｖ_s ≒Ｖ_ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_sig−（Ｖ_ofs−Ｖ_th） （３）

〔移動度補正処理工程〕
書込トランジスタＴＲ_Wを介して映像信号Ｖ_sigを保持容量Ｃ_csの一端に供給しつつ（つまり映像信号Ｖ_sigと対応する駆動電圧を保持容量Ｃ_csに書き込みつつ）、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して保持容量Ｃ_csに電流を供給する。例えば、書込走査線ＷＳＬからの書込駆動パルスWSによりオン状態とされた書込トランジスタＴＲ_Wを介して映像信号線ＤＴＬから映像信号Ｖ_sigを第１ノードＮＤ₁に供給した状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dに電源を供給しドレイン電流Ｉ_dsを流して、第２ノードＮＤ₂の電位を変化させ、所定期間経過後、書込トランジスタＴＲ_Wをオフ状態にする。このときの第２ノードＮＤ₂の電位変化分をΔＶ（＝電位補正値、負帰還量）とする。移動度補正処理を実行するための所定期間は、表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。尚、この際には、好ましくは、式（２Ａ）を満足するように移動度補正期間を決定する。こうすることで、移動度補正期間に発光部ＥＬＰが発光することはない。

（Ｖ_ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_thEL＋Ｖ_cath） （２Ａ）

駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合は電位補正値ΔＶは大きくなり、移動度μの値が小さい場合は電位補正値ΔＶは小さくなる。このときの駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート・ソース間電圧Ｖ_gs（つまり第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との電位差）は、式（４）で表すことができる。ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは発光時の輝度を規定するが、電位補正値ΔＶは駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン電流Ｉ_dsに比例し、ドレイン電流Ｉ_dsは移動度μに比例するので、結果的には、移動度μが大きいほど電位補正値ΔＶが大きくなるので、画素回路１０ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。

Ｖ_gs≒Ｖ_sig−（Ｖ_ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （４）

〔発光工程〕
書込走査線ＷＳＬからの書込駆動パルスWSにより書込トランジスタＴＲ_Wをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態とする。そしてこの状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dに電源を供給して駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート・ソース間電圧Ｖ_gs（第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差）に応じた電流Ｉ_dsを発光部ＥＬＰに流すことにより発光部ＥＬＰを駆動して発光させる。

〔駆動回路の構成による相違点〕
ここで、それぞれ典型的な、５Ｔｒ／１Ｃ型、４Ｔｒ／１Ｃ型、３Ｔｒ／１Ｃ型、２Ｔｒ／１Ｃ型での相違点は以下の通りである。５Ｔｒ／１Ｃ型では、駆動トランジスタＴＲ_Dの電源側の主電極端と電源回路（電源部）との間に接続された第１トランジスタＴＲ₁（発光制御トランジスタ）と、第２ノード初期化電圧を印加する第２トランジスタＴＲ₂と、第１ノード初期化電圧を印加する第３トランジスタＴＲ₃とを設ける。第１トランジスタＴＲ₁、第２トランジスタＴＲ₂、第３トランジスタＴＲ₃は何れもスイッチングトランジスタである。第１トランジスタＴＲ₁は、発光期間にオン状態としておき、オフ状態にして非発光期間に入り、その後の閾値補正期間に一度オン状態にし、更に移動度補正期間以降（次の発光期間も）オン状態とする。第２トランジスタＴＲ₂は、第２ノードの初期化期間にのみオン状態としそれ以外はオフ状態とする。第３トランジスタＴＲ₃は、第１ノードの初期化期間から閾値補正期間に亘ってのみオン状態としそれ以外はオフ状態とする。書込トランジスタＴＲ_Wは、映像信号書込み処理期間から移動度補正期間に亘ってオン状態とされ、それ以外はオフ状態とされる。

４Ｔｒ／１Ｃ型では、５Ｔｒ／１Ｃ型から、第１ノード初期化電圧を印加する第３トランジスタＴＲ₃が省略される。第１ノード初期化電圧は映像信号線ＤＴＬから映像信号Ｖ_sigと時分割で供給される。第１ノードの初期化期間に第１ノード初期化電圧を映像信号線ＤＴＬから第１ノードに供給するべく、書込トランジスタＴＲ_Wは第１ノードの初期化期間にもオン状態とされる。典型的には、書込トランジスタＴＲ_Wは、第１ノードの初期化期間から移動度補正期間に亘ってオン状態とされ、それ以外はオフ状態とされる。

３Ｔｒ／１Ｃ型では、５Ｔｒ／１Ｃ型から、第２トランジスタＴＲ₂と第３トランジスタＴＲ₃が省略される。第１ノード初期化電圧及び第２ノード初期化電圧は映像信号線ＤＴＬから映像信号Ｖ_sigと時分割で供給される。映像信号線ＤＴＬの電位は、第２ノードの初期化期間に第２ノードを第２ノード初期化電圧に設定し、その後の第１ノードの初期化期間に第１ノードを第１ノード初期化電圧に設定するべく、第２ノード初期化電圧と対応した電圧Ｖ_{ofs_H}を供給しその後に第１ノード初期化電圧Ｖ_{ofs_L}（＝Ｖ_ofs）にする。そして、これと対応して、書込トランジスタＴＲ_Wは第１ノードの初期化期間及び第２ノードの初期化期間にもオン状態とされる。典型的には、書込トランジスタＴＲ_Wは、第２ノードの初期化期間から移動度補正期間に亘ってオン状態とされ、それ以外はオフ状態とされる。

因みに、３Ｔｒ／１Ｃ型では、映像信号線ＤＴＬを利用して第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる。このため、保持容量Ｃ_csの静電容量Ｃ_csを、設計上、他の駆動回路よりも大きい値（例えば、静電容量Ｃ_csを静電容量Ｃ_elの約１／４〜１／３程度）に設定する。したがって、他の駆動回路よりも、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化の程度が大きい点を考慮する。

２Ｔｒ／１Ｃ型では、５Ｔｒ／１Ｃ型から、第１トランジスタＴＲ₁と第２トランジスタＴＲ₂と第３トランジスタＴＲ₃が省略される。第１ノード初期化電圧は映像信号線ＤＴＬから映像信号Ｖ_sigと時分割で供給される。第２ノード初期化電圧は駆動トランジスタＴＲ_Dの電源側の主電極端を、第１電位Ｖ_{cc_H}（＝５Ｔｒ／１Ｃ型のＶ_cc）と第２電位Ｖ_{cc_L}（＝５Ｔｒ／１Ｃ型のＶ_ini）でパルス駆動することで与えられる。駆動トランジスタＴＲ_Dの電源側の主電極端は、発光期間に第１電位Ｖ_{cc_H}にされ、第２電位Ｖ_{cc_L}にされることで非発光期間に入り、その後の閾値補正期間以降（次の発光期間も）に第１電位Ｖ_{cc_H}にされる。第１ノードの初期化期間に第１ノード初期化電圧を映像信号線ＤＴＬから第１ノードに供給するべく、書込トランジスタＴＲ_Wは第１ノードの初期化期間にもオン状態とされる。典型的には、書込トランジスタＴＲ_Wは、第１ノードの初期化期間から移動度補正期間に亘ってオン状態とされ、それ以外はオフ状態とされる。

尚、ここでは、駆動トランジスタの特性ばらつきとして、閾値電圧及び移動度の双方について補正処理を行なう場合で説明したが、何れか一方のみについて補正処理を行なうようにしてもよい。

以上、好ましい例に基づき説明したが、これらの例に限定されるものではない。各例において説明した表示装置、表示素子、駆動回路を構成する各種の構成要素の構成、構造、発光部の駆動方法における工程は例示であり、適宜、変更することができる。

又、５Ｔｒ／１Ｃ型、４Ｔｒ／１Ｃ型、及び、３Ｔｒ／１Ｃ型の動作においては、書込み処理と移動度補正を別個に行なってもよいし、２Ｔｒ／１Ｃ型と同様に、書込み処理において移動度補正処理を併せて行なってもよい。具体的には、第１トランジスタＴＲ₁（発光制御トランジスタ）をオン状態とした状態で、書込トランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ _sig を第１ノードに印加すればよい。

＜具体的な適用例＞
以下に、電気光学素子がターンオンすることに起因する表示むら現象を抑制する技術の具体的な適用例について説明する。尚、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルを使用する表示装置においては、例えば、パネル両側或いは片側に配置されている垂直走査部によってトランジスタの制御入力端に供給する各種のゲート信号（制御パルス）を作り、画素回路１０へ当該信号を印加する。更にはこのような有機ＥＬパネルを使用する表示装置においては、素子数削減及び高精細化のため、２Ｔｒ／１Ｃ型の画素回路１０を用いることがある。この点を勘案して、以下では、代表的に２Ｔｒ／１Ｃ型の構成への適用例で説明する。

［画素回路］
図４及び図５は、各実施例に対する比較例の画素回路１０Ｚと、当該画素回路１０Ｚを備えた表示装置の一形態を示す図である。比較例の画素回路１０Ｚを画素アレイ部１０２に備える表示装置を比較例の表示装置１Ｚと称する。図４は基本構成（１画素分）を示し、図５は具体的な構成（表示装置の全体）を示す。図６〜図７は、実施例１の画素回路１０Ａと、当該画素回路１０Ａを備えた表示装置の一形態を示す図である。実施例１の画素回路１０Ａを画素アレイ部１０２に備える表示装置を実施例１の表示装置１Ａと称する。図６は基本構成（１画素分）を示し、図７は具体的な構成（表示装置の全体）を示す。尚、比較例及び実施例１の何れにおいても、表示パネル部１００の基板１０１上において画素回路１０の周辺部に設けられた垂直駆動部１０３と水平駆動部１０６も合わせて示している。後述する他の実施例でも同様である。

先ず、参照子Ａ、参照子Ｚを割愛して、比較例と実施例１とで、共通する部分について説明する。表示装置１は、映像信号Ｖ_sig（詳しくは信号振幅ΔＶ_in）に基づいて画素回路１０内の電気光学素子（本例では発光部ＥＬＰとして有機ＥＬ素子１２７を使用する）を発光させる。このため、表示装置１は、画素アレイ部１０２に行列状に配される画素回路１０内に、少なくとも、駆動トランジスタ１２１（駆動トランジスタＴＲ _D ）、保持容量１２０（保持容量Ｃ_cs）、電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子１２７（発光部ＥＬＰ）、及び、サンプリングトランジスタ１２５（書込トランジスタＴＲ_W）を備える。駆動トランジスタ１２１は、駆動電流を生成して有機ＥＬ素子１２７に供給する。保持容量１２０は、駆動トランジスタ１２１の制御入力端（ゲート端が典型例）と出力端（ソース端が典型例）の間に接続されている。有機ＥＬ素子１２７は、駆動トランジスタ１２１の出力端に接続されている。サンプリングトランジスタ１２５は、保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inに応じた情報を書き込む。この画素回路１０においては、保持容量１２０に保持された情報に基づく駆動電流Ｉ_dsを駆動トランジスタ１２１で生成して電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子１２７に流すことで有機ＥＬ素子１２７を発光させる。

サンプリングトランジスタ１２５で保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inに応じた情報を書き込むので、サンプリングトランジスタ１２５は、その入力端（ソース端もしくはドレイン端の一方）に信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）を取り込み、その出力端（ソース端もしくはドレイン端の他方）に接続された保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inに応じた情報を書き込む。もちろん、サンプリングトランジスタ１２５の出力端は、駆動トランジスタ１２１の制御入力端にも接続されている。

尚、ここで示した画素回路１０の接続構成は、最も基本的な構成を示したもので、画素回路１０は、少なくとも前述の各構成要素を含むものであればよく、これらの構成要素以外（つまり他の構成要素）が含まれていてもよい。又、「接続」は、直接に接続されている場合に限らず、他の構成要素を介在して接続されている場合でもよい。例えば、接続間には、必要に応じて更に、スイッチング用のトランジスタや、ある機能を持った機能部等を介在させる等の変更が加えられることがある。各変形態様の画素回路であっても、実施例１（或いはその他の実施例）で説明する構成や作用を実現し得るものである限り、それらの変形態様も、本開示に係る表示装置の一実施形態を実現する画素回路１０である。

又、画素回路１０を駆動するための周辺部には、例えば、書込走査部１０４及び駆動走査部１０５を具備する制御部１０９を設ける。書込走査部１０４は、サンプリングトランジスタ１２５を水平周期で順次制御することで画素回路１０を線順次走査して、１行分の各保持容量１２０に映像信号Ｖ_sigの信号振幅ΔＶ_inに応じた情報を書き込む。駆動走査部１０５は、書込走査部１０４での線順次走査に合わせて１行分の各駆動トランジスタ１２１の電源供給端に印加される電源供給を制御するための走査駆動パルス（電源駆動パルスDSL）を出力する。又、制御部１０９には、書込走査部１０４での線順次走査に合わせて各水平周期内で基準電位（Ｖ_ofs）と信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）で切り替わる映像信号Ｖ_sigがサンプリングトランジスタ１２５に供給されるように制御する水平駆動部１０６を設ける。

制御部１０９は、好ましくは、ブートストラップ動作を行なうように制御するのがよい。ここでのブートストラップ動作とは、保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inに対応する情報が書き込まれた時点でサンプリングトランジスタ１２５を非導通状態にして駆動トランジスタ１２１の制御入力端への映像信号Ｖ_sigの供給を停止させ、駆動トランジスタ１２１の出力端の電位変動に制御入力端の電位が連動する動作である。制御部１０９は、好ましくは、ブートストラップ動作を、サンプリング動作の終了後の発光開始の初期でも実行するようにする。即ち、信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）がサンプリングトランジスタ１２５に供給されている状態でサンプリングトランジスタ１２５を導通状態にした後にサンプリングトランジスタ１２５を非導通状態にすることで、駆動トランジスタ１２１の制御入力端と出力端の電位差が一定に維持されるようにする。

又、制御部１０９は、好ましくはブートストラップ動作を、発光期間において電気光学素子（有機ＥＬ素子１２７）の経時変動補正動作を実現するように制御する。このため、制御部１０９は、保持容量１２０に保持された情報に基づく駆動電流Ｉ_dsが電気光学素子（有機ＥＬ素子１２７）に流れている期間は継続的にサンプリングトランジスタ１２５を非導通状態にしておくことで、制御入力端と出力端の電位差を一定に維持可能にして電気光学素子の経時変動補正動作を実現するとよい。発光時における保持容量１２０のブートストラップ動作により有機ＥＬ素子１２７の電流−電圧特性が経時変動しても駆動トランジスタ１２１の制御入力端と出力端の電位差をブートストラップした保持容量１２０により一定に保つことで、常に一定の発光輝度を保つようにする。又、好ましくは、制御部１０９は、基準電位（＝第１ノード初期化電圧Ｖ_ofs）がサンプリングトランジスタ１２５の入力端（ソース端が典型例）に供給されている時間帯でサンプリングトランジスタ１２５を導通させることで駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに対応する電圧を保持容量１２０に保持するための閾値補正動作を行なうように制御する。

この閾値補正動作は、必要に応じて、信号振幅ΔＶ_inに対応する情報の保持容量１２０への書込みに先行する複数の水平周期で繰り返し実行するとよい。ここで「必要に応じて」とは、１水平周期内の閾値補正期間では駆動トランジスタ１２１の閾値電圧に相当する電圧を十分に保持容量１２０へ保持させることができない場合を意味する。閾値補正動作の複数回の実行により、確実に駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧を保持容量１２０に保持させる。

又、更に好ましくは、制御部１０９は、閾値補正動作に先立って、サンプリングトランジスタ１２５の入力端に基準電位（Ｖ_ofs）が供給されている時間帯でサンプリングトランジスタ１２５を導通させて閾値補正用の準備動作（放電動作や初期化動作）を実行するように制御する。閾値補正動作前に駆動トランジスタ１２１の制御入力端と出力端の電位を初期化しておく。より詳しくは、制御入力端と出力端と間に保持容量１２０を接続しておくことで、保持容量１２０の両端の電位差が閾値電圧Ｖ_th以上になるように設定する。

尚、２Ｔｒ／１Ｃ構成における閾値補正に当たっては、制御部１０９には、書込走査部１０４での線順次走査に合わせて１行分の各画素回路１０に、駆動電流Ｉ_dsを電気光学素子（有機ＥＬ素子１２７）に流すために使用される第１電位Ｖ_{cc_H}と第１電位Ｖ_{cc_H}とは異なる第２電位Ｖ_{cc_L}とを切り替えて出力する駆動走査部１０５を設けるのがよい。駆動走査部１０５は、駆動トランジスタ１２１の電源供給端子に第１電位Ｖ_{cc_H}に対応する電圧が供給され、かつサンプリングトランジスタ１２５に信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）が供給されている時間帯でサンプリングトランジスタ１２５を導通させることで閾値補正動作を行なうように制御するのがよい。又、２Ｔｒ／１Ｃ構成における閾値補正の準備動作に当たっては、駆動トランジスタ１２１の電源供給端に第２電位Ｖ_{cc_L}（＝第２ノード初期化電圧Ｖ_ini）に対応する電圧が供給され、かつサンプリングトランジスタ１２５に基準電位（Ｖ_ofs）が供給されている時間帯でサンプリングトランジスタ１２５を導通させるのがよい。そしてこの状態で、駆動トランジスタ１２１の制御入力端（つまり第１ノードＮＤ₁）の電位を基準電位（Ｖ_ofs）に初期化し、出力端（つまり第２ノードＮＤ₂）の電位を第２電位Ｖ_{cc_L}に初期化するのがよい。

更に好ましくは、制御部１０９は、閾値補正動作の後、駆動トランジスタ１２１に第１電位Ｖ_{cc_H}に対応する電圧が供給され、サンプリングトランジスタ１２５に信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）が供給されている時間帯でサンプリングトランジスタ１２５を導通させる。こうすることで、保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inの情報を書き込む際、駆動トランジスタ１２１の移動度μに対する補正分を保持容量１２０に書き込まれる情報に加えるように制御する。この際には、サンプリングトランジスタ１２５に信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）が供給されている時間帯内の所定位置で、その時間帯より短い期間だけサンプリングトランジスタ１２５を導通させるとよい。以下２Ｔｒ／１Ｃ駆動構成での画素回路１０の一例について具体的に説明する。

画素回路１０は、基本的にｎチャネル型の薄膜電界効果トランジスタで駆動トランジスタが構成されている。画素回路１０は、有機ＥＬ素子の経時劣化による当該有機ＥＬ素子への駆動電流Ｉ_dsの変動を抑制するための回路、即ち電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子の電流−電圧特性の変化を補正して駆動電流Ｉ_dsを一定に維持する駆動信号一定化回路（その１）を備える点に特徴を有する。又、画素回路１０は、駆動トランジスタの特性変動（閾値電圧ばらつきや移動度ばらつき）による駆動電流変動を防ぐ閾値補正機能や移動度補正機能を実現して駆動電流Ｉ_dsを一定に維持する駆動方式を採用した点に特徴を有する。

駆動トランジスタ１２１の特性変動（例えば閾値電圧や移動度等のばらつきや変動）による駆動電流Ｉ_dsに与える影響を抑制する方法としては、２Ｔｒ／１Ｃ構成の駆動回路をそのまま駆動信号一定化回路（その１）として採用する。そして、各トランジスタ（駆動トランジスタ１２１及びサンプリングトランジスタ１２５）の駆動タイミングを工夫することで対処する。画素回路１０は、２Ｔｒ／１Ｃ構成であり、素子数や配線数が少ないため、高精細化が可能であることに加えて、映像信号Ｖ_sigの劣化なくサンプリングできるため、良好な画質を得ることができる。

又、画素回路１０は、保持容量１２０の接続態様に特徴を有し、有機ＥＬ素子１２７の経時劣化による駆動電流変動を防ぐ回路として、駆動信号一定化回路（その２）の一例であるブートストラップ回路を構成している。有機ＥＬ素子の電流−電圧特性に経時変化があった場合でも駆動電流を一定にする（駆動電流変動を防ぐ）ブートストラップ機能を実現する駆動信号一定化回路（その２）を備えた点に特徴を有する。

駆動トランジスタを始めとする各トランジスタとしてはＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を使用する。この場合、駆動トランジスタについては、ゲート端を制御入力端として取り扱い、ソース端及びドレイン端の何れか一方（ここではソース端とする）を出力端として取り扱い、他方（ここではドレイン端とする）を電源供給端として取り扱う。

具体的には図４及び図５に示すように、画素回路１０は、それぞれｎチャネル型の駆動トランジスタ１２１及びサンプリングトランジスタ１２５と、電流が流れることで発光する電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子１２７とを有する。一般に、有機ＥＬ素子１２７は整流性があるためダイオードの記号で表している。尚、有機ＥＬ素子１２７には、寄生容量Ｃ_elが存在する。図では、この寄生容量Ｃ_elを有機ＥＬ素子１２７（ダイオード状のもの）と並列に示す。

駆動トランジスタ１２１は、ドレイン端Ｄが第１電位Ｖ_{cc_H}或いは第２電位Ｖ_{cc_L}を供給する電源供給線１０５DSLに接続され、ソース端Ｓが、有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａに接続されている（その接続点は第２ノードＮＤ₂でありノードＮＤ１２２とする）。有機ＥＬ素子１２７のカソード端Ｋが基準電位を供給する全画素回路１０共通のカソード配線cath（電位はカソード電位Ｖ_cath、例えばGND）に接続されている。尚、カソード配線cathは、それ用の単一層の配線（上層配線）のみとしてもよいし、例えばアノード用の配線が形成されるアノード層に、カソード配線用の補助配線を設けてカソード配線の抵抗値を低減するようにしてもよい。この補助配線は、画素アレイ部１０２（表示エリア）内に格子状又は列又は行状に配線され、上層配線と同電位で固定電位である。

サンプリングトランジスタ１２５は、ゲート端Ｇが書込走査部１０４からの書込走査線１０４WSに接続され、ドレイン端Ｄが映像信号線１０６HS（映像信号線ＤＴＬ）に接続され、ソース端Ｓが駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇに接続されている（その接続点は第１ノードＮＤ₁でありノードＮＤ１２１とする）。サンプリングトランジスタ１２５のゲート端Ｇには、書込走査部１０４からアクティブＨの書込駆動パルスWSが供給される。サンプリングトランジスタ１２５は、ソース端Ｓとドレイン端Ｄとを逆転させた接続態様とすることもできる。

駆動トランジスタ１２１のドレイン端Ｄは、電源スキャナとして機能する駆動走査部１０５からの電源供給線１０５DSLに接続されている。電源供給線１０５DSLは、この電源供給線１０５DSLそのものが、駆動トランジスタ１２１に対しての電源供給能力を備える点に特徴を有する。駆動走査部１０５は、駆動トランジスタ１２１のドレイン端Ｄに対して、それぞれ電源電圧に相当する高電圧側の第１電位Ｖ_{cc_H}と閾値補正に先立つ準備動作に利用される低電圧側の第２電位Ｖ_{cc_L}（初期化電圧もしくはイニシャル電圧とも称される）とを切り替えて供給する。

駆動トランジスタ１２１のドレイン端Ｄ側（電源回路側）を第１電位Ｖ_{cc_H}と第２電位Ｖ_{cc_L}の２値をとる電源駆動パルスDSLで駆動することで、閾値補正に先立つ準備動作を行なうことを可能にしている。第２電位Ｖ_{cc_L}としては、映像信号線１０６HSにおける映像信号Ｖ_sigの基準電位（Ｖ_ofs）より十分低い電位とする。具体的には、駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖ_gs（ゲート電位Ｖ_gとソース電位Ｖ_sの差）が駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thより大きくなるように、電源供給線１０５DSLの低電位側の第２電位Ｖ_{cc_L}を設定する。尚、基準電位（Ｖ_ofs）は、閾値補正動作に先立つ初期化動作に利用するとともに映像信号線１０６HSを予めプリチャージにしておくためにも利用する。

このような画素回路１０では、有機ＥＬ素子１２７を駆動するときには、駆動トランジスタ１２１のドレイン端Ｄに第１電位Ｖ_{cc_H}が供給され、ソース端Ｓが有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａ側に接続されることで、全体としてソースフォロワ回路を形成するようになっている。

このような画素回路１０を採用する場合、駆動トランジスタ１２１の他に走査用に１つのスイッチングトランジスタ（サンプリングトランジスタ１２５）を使用する２Ｔｒ／１Ｃ構成を採る。そして、各スイッチングトランジスタを制御する電源駆動パルスDSL及び書込駆動パルスWSのオン／オフタイミングの設定により、有機ＥＬ素子１２７の経時劣化や駆動トランジスタ１２１の特性変動（例えば閾値電圧や移動度等のばらつきや変動）による駆動電流Ｉ_dsに与える影響を防ぐ。

〔実施例１に特有の構成〕
ここで、実施例１の画素回路１０Ａにおいては、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量１２０に書き込む処理の際に、表示部のターンオンを抑制するトランジスタ特性補正制御部６２０Ａを有する。実施例１のトランジスタ特性補正制御部６２０Ａは、容量部６２１と、発光制御トランジスタ６２４と、閾値補正制御トランジスタ６２６と、発光制御走査部６２５と、閾値補正制御走査部６２７とを有する。容量部６２１は、保持容量１２０と結合容量６２２とで構成されている。結合容量６２２の静電容量Ｃ_cupは、保持容量１２０の静電容量Ｃ_csとほぼ同じ値であるとよい。因みに、比較例の画素回路１０Ｚにおける駆動走査部１０５を電源回路に変更し、電源供給線１０５DSLにはパルス状ではなく、一定の電源電圧（この例では第１電位Ｖ_{cc_H}と等しい）を供給する。

即ち、比較例の画素回路１０Ｚは、サンプリングトランジスタ１２５の主電極端とノードＮＤ１２２（第２ノードＮＤ₂）とが直接に接続されているのに対して、実施例１の画素回路１０Ａは、結合容量６２２を介して接続されている点が異なる。又、比較例の画素回路１０Ｚは、駆動トランジスタ１２１の主電極端（電源側）が直接に電源供給線１０５DSLに接続されているのに対して、実施例１の画素回路１０Ａは、駆動トランジスタ１２１の主電極端（電源側）と電源供給線１０５DSLとの間に発光制御トランジスタ６２４を有する点が異なる。更には、駆動トランジスタ１２１の主電極端と発光制御トランジスタ６２４の各主電極端の接続点と駆動トランジスタ１２１の制御入力端（つまりノードＮＤ１２１）との間に閾値補正制御トランジスタ６２６を有する点が異なる。表示装置１Ａは、発光制御走査部６２５と閾値補正制御走査部６２７とを画素アレイ部１０２の外部に備えている。発光制御トランジスタ６２４の制御入力端（ゲート端）は、発光制御線６２５DSを介して発光制御走査部６２５に接続され、アクティブＨの発光制御パルスDSが行ごとに供給される。閾値補正制御トランジスタ６２６の制御入力端（ゲート端）は、閾値補正制御線６２７AZを介して閾値補正制御走査部６２７に接続され、アクティブＨの閾値補正制御パルスAZが行ごとに供給される。

このような実施例１の構成では、基準電位（Ｖ_ofs）や映像信号Ｖ_sig（信号電位：Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）が結合容量６２２を介してノードＮＤ１２２に供給される。実施例１では、当該作用を利用して、閾値補正や信号書込みや移動度補正を行なう。このような実施例１の画素回路１０Ａとした意義や利点についての詳細は後述するが、特に、信号書込み時には、マイナス電位の映像信号Ｖ_sigを書き込むことで、その後の移動度補正時の有機ＥＬ素子１２７を大きな逆バイアス状態にし、移動度補正中に有機ＥＬ素子１２７がターンオンすることを抑制する。移動度補正中の有機ＥＬ素子１２７のターンオンを防止することで、移動度補正動作を正常に行なうことができる。

［画素回路の動作］
図８は、画素回路１０に関する駆動タイミングの一例として、線順次方式で信号振幅ΔＶ_inの情報を保持容量１２０に書き込む際の動作を説明するタイミングチャート（理想状態）である。図９は、図８に示したタイミングチャートの主要な期間における等価回路と動作状態を説明する図である。図８においては、時間軸を共通にして、書込走査線１０４WSの電位変化、電源供給線１０５DSLの電位変化、映像信号線１０６HSの電位変化を表してある。これらの電位変化と並行に、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sの変化も表してある。基本的には、書込走査線１０４WSや電源供給線１０５DSLの１行ごとに、１水平走査期間だけ遅れて同じような駆動を行なう。以下では、比較例の画素回路１０Ｚについて説明するが、後述する各実施例において特段の断りのない事項は、ここで説明する動作が同様に適用される。

図８中の信号のように各パルスのタイミングによって有機ＥＬ素子１２７に流れる電流値をコントロールする。図８のタイミング例では、電源駆動パルスDSLを第２電位Ｖ_{cc_L}とすることで消光及びノードＮＤ１２２を初期化する。この後に、第１ノード初期化電圧Ｖ_ofsを映像信号線１０６HSに印加している際にサンプリングトランジスタ１２５をオン状態としてノードＮＤ１２１を初期化し、その状態で電源駆動パルスDSLを第１電位Ｖ_{cc_H}とすることで閾値補正を行なう。その後、サンプリングトランジスタ１２５をオフ状態とし、映像信号線１０６HSに映像信号Ｖ_sigを印加する。その状態でサンプリングトランジスタ１２５をオン状態とすることにより信号を書き込むと同時に移動度補正を行なう。信号を書き込んだ後、サンプリングトランジスタ１２５をオフ状態にすると発光を開始する。このように移動度補正や閾値補正等、パルスの位相差によって駆動をコントロールする。

以下、閾値補正及び移動度補正に着目して動作を説明する。画素回路１０Ｚにおいて、駆動タイミングとしては、先ず、サンプリングトランジスタ１２５は、書込走査線１０４WSから供給された書込駆動パルスWSに応じて導通し、映像信号線１０６HSから供給された映像信号Ｖ_sigをサンプリングして保持容量１２０に保持する。以下では、説明や理解を容易にするため、特段の断りのない限り、書込みゲインが１（理想値）であると仮定して、保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inの情報を、書き込む、保持する、あるいはサンプリングする等と簡潔に記して説明する。書込みゲインが１未満の場合、保持容量１２０には信号振幅ΔＶ_inの大きさそのものではなく、信号振幅ΔＶ_inの大きさに対応するゲイン倍された情報が保持されることになる。

画素回路１０に対する駆動タイミングは、映像信号Ｖ_sigの信号振幅ΔＶ_inの情報を保持容量１２０に書き込む際に、順次走査の観点からは、１行分の映像信号を同時に各列の映像信号線１０６HSに伝達する線順次駆動を行なう。特に、画素回路１０Ｚにおける駆動タイミングでの閾値補正と移動度補正を行なう際の基本的な考え方においては、先ず、映像信号Ｖ_sigを基準電位（Ｖ_ofs）と信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）とを１Ｈ期間内において時分割で有するものとする。具体的には、映像信号Ｖsigが非有効期間である基準電位（Ｖ_ofs）にある期間を１水平期間の前半部とし、有効期間である信号電位（Ｖ_sig＝Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）にある期間を１水平期間の後半部とする。１水平期間を前半部と後半部に分ける際は、典型的にはほぼ１／２期間ずつ分けるがこのことは必須でなく、前半部よりも後半部の方をより長くしてもよいし、逆に、前半部よりも後半部の方をより短くしてもよい。

信号書込みに用いる書込駆動パルスWSを閾値補正や移動度補正にも用いることとし、１Ｈ期間内に２回、書込駆動パルスWSをアクティブにしてサンプリングトランジスタ１２５をオンする。そして、１回目のオンタイミングにて閾値補正を行ない、２回目のオンタイミングにて信号電圧書込みと移動度補正を同時に行なう。その後、駆動トランジスタ１２１は、第１電位（高電位側）にある電源供給線１０５DSLから電流の供給を受け保持容量１２０に保持された信号電位（映像信号Ｖ_sigの有効期間の電位に対応する電位）に応じて駆動電流Ｉ_dsを有機ＥＬ素子１２７に流す。尚、１Ｈ期間内に２回、書込駆動パルスWSをアクティブにするのではなく、サンプリングトランジスタ１２５のオン状態を維持したまま、映像信号線１０６HSの電位を、有機ＥＬ素子１２７における輝度を制御するための信号電位（＝Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）としてもよい。

例えば、有機ＥＬ素子１２７の発光状態は、電源供給線１０５DSLが第１電位Ｖ_{cc_H}であり、サンプリングトランジスタ１２５がオフ状態である（図９（Ａ）を参照）。このとき、駆動トランジスタ１２１は飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１２７に流れる電流Ｉ_dsは駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖ_gs（ノードＮＤ１２１とノードＮＤ１２２との間の電圧）に応じて決まる式（１）に示される値となる。その後、垂直駆動部１０３は、電源供給線１０５DSLが第１電位Ｖ_{cc_H}にありかつ映像信号線１０６HSが映像信号Ｖ_sigの非有効期間である基準電位（Ｖ_ofs）にある時間帯でサンプリングトランジスタ１２５を導通させる制御信号として書込駆動パルスWSを出力する。これにより、駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧が保持容量１２０に保持される（図９（Ｄ）を参照）。この動作が閾値補正機能を実現する。この閾値補正機能により、画素回路１０ごとにばらつく駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thの影響をキャンセルすることができる。

垂直駆動部１０３は、信号振幅ΔＶ_inのサンプリングに先行する複数の水平期間で閾値補正動作を繰り返し実行して確実に駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧を保持容量１２０に保持するようにするのがよい。閾値補正動作を複数回実行することで、十分に長い書込み時間を確保する。こうすることで、駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧を確実に保持容量１２０に予め保持することができる。

保持された閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧は駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thのキャンセルに用いられる。したがって、画素回路１０ごとに駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thがばらついていても、画素回路１０ごとに完全にキャンセルされるため、画像のユニフォーミティすなわち表示装置の画面全体に亘る発光輝度の均一性が高まる。特に信号電位が低階調のときに現れがちな輝度むらを防ぐことができる。

好ましくは、垂直駆動部１０３は、閾値補正動作に先立って、電源供給線１０５DSLが第２電位にありかつ映像信号線１０６HSが映像信号Ｖ_sigの非有効期間である基準電位（Ｖ_ofs）にある時間帯で、書込駆動パルスWSをアクティブ（本例ではＨレベル）にしてサンプリングトランジスタ１２５を導通させる。その後、垂直駆動部１０３は、書込駆動パルスWSをアクティブＨにしたままで電源供給線１０５DSLを第１電位に設定する。

こうすることで、ソース端Ｓを基準電位（Ｖ_ofs）より十分低い第２電位Ｖ_{cc_L}にセットし（放電期間Ｃ＝第２ノード初期化期間）（図９（Ｂ）を参照）、且つ、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇを基準電位（Ｖ_ofs）にセットしてから（初期化期間Ｄ＝第１ノード初期化期間）（図９（Ｃ）を参照）、閾値補正動作を開始する（閾値補正期間Ｅ）。このようなゲート電位及びソース電位のリセット動作（初期化動作）により、後続する閾値補正動作を確実に実行することができる。放電期間Ｃと初期化期間Ｄとを合わせて、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_gとソース電位Ｖ_sを初期化する閾値補正準備期間（＝前処理期間）とも称する。因みに、図示した例は、第１ノードのであるノードＮＤ１２１への初期化動作（初期化期間Ｄ）は３回繰り返しており、放電期間Ｃの開始から最後の初期化期間Ｄが完了するまでが閾値補正準備期間となる。

閾値補正期間Ｅでは、電源供給線１０５DSLの電位が低電位側の第２電位Ｖ_{cc_L}から高電位側の第１電位Ｖ_{cc_H}に遷移することで、駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sが上昇を開始する。即ち、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇは映像信号Ｖ_sigの基準電位（Ｖ_ofs）に保持されており、駆動トランジスタ１２１のソース端Ｓの電位Ｖ_sが上昇して駆動トランジスタ１２１がカットオフするまでドレイン電流が流れようとする。カットオフすると駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sは“Ｖ_ofs−Ｖ_th”となる。閾値補正期間Ｅでは、ドレイン電流が専ら保持容量１２０側（Ｃ_cs＜＜Ｃ_el時）に流れ、有機ＥＬ素子１２７側には流れないようにするため、有機ＥＬ素子１２７がカットオフとなるように全画素共通の接地配線cathの電位Ｖ_cathを設定しておく。

有機ＥＬ素子１２７の等価回路はダイオードと寄生容量Ｃ_elの並列回路で表されるため、“Ｖ_el≦Ｖ_cath＋Ｖ_thEL”である限り、つまり、有機ＥＬ素子１２７のリーク電流が駆動トランジスタ１２１に流れる電流よりもかなり小さい限り、駆動トランジスタ１２１のドレイン電流Ｉ_dsは保持容量１２０と寄生容量Ｃ_elを充電するために使われる。この結果、有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａの電圧Ｖ_elつまりノードＮＤ１２２の電位は、時間とともに上昇してゆく。そして、ノードＮＤ１２２の電位（ソース電位Ｖ_s）とノードＮＤ１２１の電位（ゲート電位Ｖ_g）との電位差がちょうど閾値電圧Ｖ_thとなったところで駆動トランジスタ１２１はオン状態からオフ状態となり、ドレイン電流Ｉ_dsは流れなくなり、閾値補正期間が終了する。つまり、一定時間経過後、駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは閾値電圧Ｖ_thという値をとる。

ここで、閾値補正動作は１回のみ実行するものとすることもできるが、このことは必須ではない。１水平期間を処理サイクルとして、閾値補正動作を複数回（図は４回で示している）繰り返えしてもよい。例えば、実際には、閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧が、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇとソース端Ｓと間に接続された保持容量１２０に書き込まれることになる。しかしながら、閾値補正期間Ｅは、書込駆動パルスWSをアクティブＨにしたタイミングからインアクティブＬに戻すタイミングまでであり、この期間が十分に確保されていないときには、それ以前に終了してしまう。この問題を解消するには、閾値補正動作を複数回繰り返すのがよい。

閾値補正動作を複数回実行する場合に、１水平期間が閾値補正動作の処理サイクルとなるのは、閾値補正動作に先立って、１水平期間の前半部で映像信号線１０６HSを介して基準電位（Ｖ_ofs）を供給しソース電位を第２電位Ｖ_{cc_L}にセットする初期化動作を経るからである。必然的に、閾値補正期間は、１水平期間よりも短くなってしまう。したがって、保持容量１２０の静電容量Ｃ_csや第２電位Ｖ_{cc_L}の大きさ関係やその他の要因で、この短い１回分の閾値補正動作期間では、閾値電圧Ｖ_thに対応する正確な電圧を保持容量１２０に保持仕切れないケースも起こり得る。閾値補正動作を複数回実行するのが好ましいのは、この対処のためである。即ち、信号振幅ΔＶ_inの保持容量１２０へのサンプリング（信号書込み）に先行する複数の水平周期で、閾値補正動作を繰り返し実行することで確実に駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧を保持容量１２０に保持させるのが好ましい。

例えば、第１閾値補正期間Ｅ_1ではゲート・ソース間電圧Ｖ_gsがＶ_x1（＞Ｖ_th）になったとき、つまり、駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sが低電位側の第２電位Ｖ_{cc_L}から“Ｖ_ofs−Ｖ_x1”になったときに終わってしまう（図９（Ｄ）を参照）。このため、第１閾値補正期間Ｅ_1が完了した時点では、Ｖ_x1が保持容量１２０に書き込まれる。

次に、駆動走査部１０５は、１水平期間の後半部で、書込駆動パルスWSをインアクティブＬに切り替え、さらに水平駆動部１０６は、映像信号線１０６HSの電位を基準電位（Ｖ_ofs）から映像信号Ｖ_sig（＝Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）に切り替える（図９（Ｅ）を参照）。これにより、映像信号線１０６HSが映像信号Ｖ_sigの電位に変化する一方、書込走査線１０４WSの電位（書込駆動パルスWS）はローレベルになる。

このときには、サンプリングトランジスタ１２５は非導通（オフ）状態にあり、それ以前に保持容量１２０に保持されたＶ_x1に応じたドレイン電流が有機ＥＬ素子１２７に流れることで、ソース電位Ｖ_sが僅かに上昇する。この上昇分をＶ_a1とすると、ソース電位Ｖ_sは“Ｖ_ofs−Ｖ_x1＋Ｖ_a1”となる。さらに、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇとソース端Ｓとの間には保持容量１２０が接続されており、その保持容量１２０による効果によって、駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sの変動にゲート電位Ｖ_gが連動することで、ゲート電位Ｖ_gが“Ｖ_ofs＋Ｖ_a1”となる。

次の第２閾値補正期間Ｅ_2では、第１閾値補正期間Ｅ_1と同様の動作をする。具体的には、先ず、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇは映像信号Ｖ_sigの基準電位（Ｖ_ofs）に保持されることとなり、ゲート電位Ｖ_gが直前の“Ｖ_g＝基準電位（Ｖ_ofs）＋Ｖ_a1”から基準電位（Ｖ_ofs）に瞬時に切り替わる。駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇとソース端Ｓとの間には保持容量１２０が接続されており、その保持容量１２０による効果によって、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_gの変動にソース電位Ｖ_sが連動する。このため、ソース電位Ｖ_sは、直前の“Ｖ_ofs−Ｖ_x1＋Ｖ_a1”からＶ_a1だけ低下するので、“Ｖ_ofs−Ｖ_x1”となる。この後、駆動トランジスタ１２１のソース端Ｓの電位Ｖ_sが上昇して駆動トランジスタ１２１がカットオフするまでドレイン電流が流れようとする。しかしながら、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsがＶ_x2（＞Ｖ_th）になったとき、つまり、駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sが“Ｖ_ofs−Ｖ_x2”になったときに終わってしまい、第２閾値補正期間Ｅ_2が完了した時点ではＶ_x2が保持容量１２０に書き込まれる。次の第３閾値補正期間Ｅ_3の直前では、保持容量１２０に保持されたＶ_x2に応じたドレイン電流が有機ＥＬ素子１２７に流れることで、ソース電位Ｖ_sは“Ｖ_ofs−Ｖ_x2＋Ｖ_a2”となり、ゲート電位Ｖ_gは“Ｖ_ofs＋Ｖ_a2”となる。

同様にして、次の第３閾値補正期間Ｅ_3では、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsがＶ_x3（＞Ｖ_th）になったとき、つまり、駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sが“Ｖ_ofs−Ｖ_x3”になったときに終わってしまい、第３閾値補正期間Ｅ_3が完了した時点ではＶ_x3が保持容量１２０に書き込まれる。次の第４閾値補正期間Ｅ_4の直前では、保持容量１２０に保持されたＶ_x3に応じたドレイン電流が有機ＥＬ素子１２７に流れることで、ソース電位Ｖ_sは“Ｖ_ofs−Ｖ_x3＋Ｖ_a3”となり、ゲート電位Ｖ_gは“Ｖ_ofs＋Ｖ_a3”となる。

そして、次の第４閾値補正期間Ｅ_4では、駆動トランジスタ１２１のソース端Ｓの電位Ｖ_sが上昇して駆動トランジスタ１２１がカットオフするまでドレイン電流が流れる。カットオフすると駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sは“Ｖ_ofs−Ｖ_th”となり、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsが閾値電圧Ｖ_thと同じ状態になっている。第４閾値補正期間Ｅ_4が完了した時点で、駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thが保持容量１２０に保持される。

画素回路１０においては、閾値補正機能に加えて、移動度補正機能を備えている。即ち、垂直駆動部１０３は、映像信号線１０６HSが映像信号Ｖ_sigの有効期間である信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）にある時間帯にサンプリングトランジスタ１２５を導通状態にするため、書込走査線１０４WSに供給する書込駆動パルスWSを、上述の時間帯より短い期間だけアクティブ（本例ではＨレベル）にする。この期間では、駆動トランジスタ１２１の制御入力端に信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）を供給した状態で駆動トランジスタ１２１を介して有機ＥＬ素子１２７の寄生容量Ｃ_el及び保持容量１２０を充電する（図９（Ｆ）を参照）。この書込駆動パルスWSのアクティブ期間（サンプリング期間でもあり移動度補正期間でもある）を適切に設定することで、保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inに応じた情報を保持する際、同時に駆動トランジスタ１２１の移動度μに対する補正を加えることができる。水平駆動部１０６により映像信号線１０６HSに信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）を実際に供給して、書込駆動パルスWSをアクティブＨにする期間を、保持容量１２０への信号振幅ΔＶ_inの書込み期間（サンプリング期間とも称する）とする。

特に、画素回路１０における駆動タイミングでは、電源供給線１０５DSLが高電位側である第１電位Ｖ_{cc_H}にあり、かつ、映像信号Ｖ_sigが有効期間にある時間帯内（信号振幅ΔＶ_inの期間）で書込駆動パルスWSをアクティブにしている。つまり、その結果、移動度補正時間（サンプリング期間も）は、映像信号線１０６HSの電位が、映像信号Ｖ_sigの有効期間の信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）にある時間幅と書込駆動パルスWSのアクティブ期間の両者が重なった範囲で決まる。特に、映像信号線１０６HSが信号電位にある時間幅の中に入るように書込駆動パルスWSのアクティブ期間幅を細めに決めているため、結果的に移動度補正時間は書込駆動パルスWSで決まる。正確には、移動度補正時間（サンプリング期間も）は、書込駆動パルスWS立ち上がってサンプリングトランジスタ１２５がオンしてから、同じく書込駆動パルスWSが立ち下がってサンプリングトランジスタ１２５がオフするまでの時間となる。因みに、図では、第４閾値補正期間Ｅ_4の後で書込駆動パルスWSを一端インアクティブＬにしているが、このことは必須でなく、アクティブＨのままにして、映像信号Ｖ_sigを基準電位（Ｖ_ofs）から有効期間の信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）に切り替えてもよい。

具体的には、サンプリング期間においては、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_gが信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）にある状態でサンプリングトランジスタ１２５が導通（オン）状態となる。したがって、書込み＆移動度補正期間Ｈでは、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇが信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）に固定された状態で、駆動トランジスタ１２１に駆動電流Ｉ_dsが流れる。信号振幅ΔＶ_inの情報は駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに足し込む形で保持される。この結果、駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thの変動は常にキャンセルされる形となるので、閾値補正を行なっていることになる。この閾値補正によって、保持容量１２０に保持されるゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは、“Ｖ_sig＋Ｖ_th”＝“ΔＶ_in＋Ｖ_th”となる。又、同時に、このサンプリング期間で移動度補正を実行するので、サンプリング期間は移動度補正期間を兼ねることとなる（書込み＆移動度補正期間Ｈ）。

ここで、有機ＥＬ素子１２７の閾値電圧をＶ_thELとしたとき、“Ｖ_ofs−Ｖ_th＜Ｖ_thEL”と設定しておくことで、有機ＥＬ素子１２７は、逆バイアス状態におかれ、カットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にあるため、発光することはなく、又、ダイオード特性ではなく単純な容量特性を示す。よって駆動トランジスタ１２１に流れるドレイン電流（駆動電流Ｉ_ds）は保持容量１２０の静電容量Ｃ_csと有機ＥＬ素子１２７の寄生容量（等価容量）Ｃ_elの静電容量Ｃ_elの両者を結合した容量“Ｃ＝Ｃ_cs＋Ｃ_el”に書き込まれていく。これにより、駆動トランジスタ１２１のドレイン電流は有機ＥＬ素子１２７の寄生容量Ｃ_elに流れ込み充電を開始する。その結果、駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sは上昇していく。図８のタイミングチャートでは、この上昇分をΔＶで表してある。このようにして、画素回路１０における駆動タイミングでは、書込み＆移動度補正期間Ｈにおいて、信号振幅ΔＶ_inのサンプリングと移動度μを補正するΔＶ（負帰還量、移動度補正パラメータ）の調整が行なわれる。

書込走査部１０４は、保持容量１２０に信号振幅ΔＶ_inの情報が保持された段階で書込走査線１０４WSに対する書込駆動パルスWSの印加を解除する、即ち、インアクティブＬ（ロー）にする。これにより、サンプリングトランジスタ１２５が非導通状態にされ駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇが映像信号線１０６HSから電気的に切り離される（発光期間Ｉ：図８（Ｇ）を参照）。

有機ＥＬ素子１２７の発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。以上によって、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１２７の発光の動作が完了する。この後、次のフレーム（もしくはフィールド）に移って、再び、閾値補正準備動作、閾値補正動作、移動度補正動作、及び発光動作が繰り返される。

発光期間Ｉでは、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇは映像信号線１０６HSから切り離される。駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇへの信号電位（Ｖ_ofs＋ΔＶ_in）の印加が解除されるので、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_gは上昇可能となる。駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇとソース端Ｓと間には保持容量１２０が接続されており、その保持容量１２０による効果によって、ブートストラップ動作が行なわれ、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsを一定に維持することができる。このとき、駆動トランジスタ１２１に流れる駆動電流Ｉ_dsは有機ＥＬ素子１２７に流れ、有機ＥＬ素子１２７のアノード電位は駆動電流Ｉ_dsに応じて上昇する。この上昇分をＶ_elとする。やがて、ソース電位Ｖ_sの上昇に伴い、有機ＥＬ素子１２７の逆バイアス状態は解消されるので、駆動電流Ｉ_dsの流入により有機ＥＬ素子１２７は実際に発光を開始する。

［表示むら現象の発生原因］
前述のように、図８に示した駆動タイミングでは、移動度補正は、映像信号Ｖ_sigと対応する駆動電圧を保持容量１２０に書き込みつつ駆動トランジスタ１２１を介して保持容量１２０に電流を供給する処理である。この移動度補正では、映像信号Ｖ_sigを書き込みながら駆動トランジスタ１２１に電流を流しソース電位Ｖ_s（第２ノードの電位）を上昇させるが、ソース電位Ｖ_sが有機ＥＬ素子１２７（の発光部ＥＬＰ）の閾値電圧Ｖ_thELまで到達してしまい、有機ＥＬ素子１２７がターンオン（turn on）している状態になる場合がある。これにより駆動トランジスタ１２１の移動度μを反映したソース電位Ｖ_sの上昇が妨げられ、補正動作が正常に行なわれず、ユニフォミティ劣化の原因となる。例えば、移動度μが過度に大きい（高い）駆動トランジスタ１２１を使用すると、移動度補正がかかり過ぎ、発光直前のゲート・ソース間電圧Ｖ_gsのつぶれが生じ、著しい輝度低下やユニフォミティの低下が発生する。この弊害を抑制するべく、例えば移動度補正パルスを狭幅にすることが考えられる。ところが、実際には、狭幅の移動度補正パルスにして動作させることは、回路構成や遅延その他の面から、パルス幅の設定・管理が困難である。例えば、ＭＯＳＦＥＴでは移動度μが高いため、移動度補正がかかり過ぎ、輝度が低下しないよう移動度補正パルスを数ナノ秒程度にしなければならない。このような狭パルスの制御は困難である。この点を踏まえると、移動度補正パルスを狭幅にせずに（現状をほぼ維持して）、解決することが望ましい。

［表示むら現象の対策手法］
図１０は、移動度補正期間中の有機ＥＬ素子１２７のターンオン現象に起因する表示むら対策に着目した実施例１の画素回路の駆動方法を説明するタイミングチャートである。因みに、図示した例は、第１ノードであるノードＮＤ１２１や第２ノードであるノードＮＤ１２２への初期化動作が事実上閾値補正動作とともに行なわれ、又、閾値補正動作を１回行なう事例である。図示しないが、閾値補正動作を複数回行なうことも可能である。

本実施形態の駆動方法は、移動度補正開始時の電気光学素子の一端の電位を比較例よりも低電位に制御する、換言すると、移動度補正の開始前に予め、電気光学素子を比較例よりも強い逆バイアス状態に制御する点に特徴がある。詳しくは、信号書込み時に電気光学素子の両端電位差がその閾値電圧Ｖ_thELよりも大きくなるように第２ノードＮＤ₂の電位を通常よりも低電位側に大きく振ることで、移動度補正期間中の電気光学素子のターンオン現象に起因する表示むら現象を解決する手法をとる。このように構成することで、移動度補正パルスを狭幅にせずに（現状をほぼ維持して）、移動度補正期間中に、第２ノードの電位変化によって電気光学素子がターンオンするのを防止することができる。

例えば、実施例１では、発光期間Ｂ中に発光制御パルスDSをインアクティブＬとして発光制御トランジスタ６２４をオフ状態として消光期間に入る。このとき、発光制御トランジスタ６２４のオフとほぼ同時に、書込駆動パルスWS及び閾値補正制御パルスAZをアクティブＨとしてサンプリングトランジスタ１２５と閾値補正制御トランジスタ６２６とをオン状態にして閾値補正を行なう。具体的には、映像信号線１０６HSが基準電位（Ｖ_ofs）にある期間にサンプリングトランジスタ１２５をオン状態にすることで結合容量６２２に第１ノード初期化電圧（Ｖ_ofs）をチャージし、これとともに、発光制御トランジスタ６２４をオフ状態とし、閾値補正制御トランジスタ６２６をオン状態とする（期間Ｋ）。これにより、ノードＮＤ１２２の電位Ｖ_ND2はＶ_cath＋Ｖ_thELに変化し、ノードＮＤ１２１の電位Ｖ_ND1はＶ_ND2＋Ｖ_thに変化する。ノードＮＤ１２１とノードＮＤ１２２の電位差（保持容量１２０の両端電圧差）が駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thとなるので閾値補正が行なわれたことになる。期間Ｋは閾値補正期間であり、結合容量６２２に第１ノード初期化電圧（Ｖ_ofs）をチャージする動作が、第１ノード及び第２ノードに対する初期化動作と見なすことができる。

この後、書込駆動パルスWS及び閾値補正制御パルスAZをインアクティブＬとしてサンプリングトランジスタ１２５と閾値補正制御トランジスタ６２６とをオフ状態とする（信号書込み準備期間Ｌ）。その後、映像信号線１０６HSが映像信号Ｖ_sig（Ｖ_ofs−ΔＶ_in）にある期間に書込駆動パルスWSをアクティブＨとしてサンプリングトランジスタ１２５を再びオン状態とすることで、ノードＮＤ１２２に映像信号Ｖ_sigを書き込む（信号書込み期間Ｍ）。この信号書込み期間Ｍでは、映像信号Ｖ_sigはマイナス電位であり、これにより駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは、Ｖ_th＋Ｖ_sig×Ｇ_inとなる。信号書込み期間Ｍにおける信号書込み動作時には、信号振幅ΔＶ_inに対応する情報を如何に大きく保持容量１２０に書き込むかが肝要となる。信号振幅ΔＶ_inに対応する保持容量１２０に書き込まれる情報の大きさの割合を、書込みゲインＧ_inと称する。

その後、サンプリングトランジスタ１２５がオン状態のままで、発光制御パルスDSをアクティブＨにして発光制御トランジスタ６２４をオン状態にする。こうすることで、サンプリングトランジスタ１２５を介して映像信号Ｖ_sigを保持容量１２０の一端に供給しつつ（つまり映像信号Ｖ_sigと対応する駆動電圧を保持容量１２０に書き込みつつ）、駆動トランジスタ１２１を介して保持容量Ｃ_csに電流を供給することで移動度補正処理を行なう（移動度補正期間Ｎ）。即ち、サンプリングトランジスタ１２５がオン状態の最中に発光制御トランジスタ６２４をオン状態にすることで移動度補正動作が開始されノードＮＤ１２２の上昇とともにノードＮＤ１２１が上昇する。書込走査部１０４は、移動度補正が完了した段階で書込走査線１０４WSに対する書込駆動パルスWSの印加を解除し発光期間Ｏに移行するする。

ここで、移動度補正において、保持容量１２０に対する映像信号Ｖ_sigの書込みの極性と駆動トランジスタ１２１を介しての電流供給の極性とは反対である。そのため、駆動トランジスタ１２１を介しての電流供給による電位変化分（移動度補正パラメータである電位補正値ΔＶ）が、閾値補正によって保持容量１２０に保持されるゲート・ソース間電圧“Ｖ_gs＝ΔＶ_in＋Ｖ_th”から差し引かれることになる。ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは発光時の輝度を規定するが、電位補正値ΔＶは駆動トランジスタ１２１のドレイン電流Ｉ_dsに比例し、ドレイン電流Ｉ_dsは移動度μに比例する。このため、結果的には、移動度μが大きいほど電位補正値ΔＶが大きくなるので、画素回路１０Ａごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。

このようにして、実施例１の画素回路１０Ａにおける駆動タイミングでは、移動度補正期間Ｎにおいて、信号振幅ΔＶ_inのサンプリングの維持ととともに、移動度μを補正するΔＶ（負帰還量、移動度補正パラメータ）の調整が行なわれる。書込走査部１０４は、移動度補正期間Ｎの時間幅を調整可能であり、これにより保持容量１２０に対する駆動電流Ｉ_dsの負帰還量を最適化することができる。

電位補正値ΔＶはΔＶ≒Ｉ_ds・ｔ／Ｃ_elである。この式から明らかなように、駆動トランジスタ１２１のドレイン・ソース間電流である駆動電流Ｉ_dsが大きい程、電位補正値ΔＶは大きくなる。逆に、駆動トランジスタ１２１の駆動電流Ｉ_dsが小さいとき、電位補正値ΔＶは小さくなる。このように、電位補正値ΔＶは駆動電流Ｉ_dsに応じて決まる。信号振幅ΔＶ_inが大きいほど駆動電流Ｉ_dsは大きくなり、電位補正値ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正を実現できる。その際、移動度補正期間Ｎは必ずしも一定である必要はなく、逆に駆動電流Ｉ_dsに応じて調整することが好ましい場合がある。例えば、駆動電流Ｉ_dsが大きい場合、移動度補正期間ｔは短めにし、逆に駆動電流Ｉ_dsが小さくなると、移動度補正期間Ｎは長めに設定するのがよい。

又、電位補正値ΔＶは、Ｉ_ds・ｔ／Ｃ_elであり、画素回路１０Ａごとに移動度μのばらつきに起因して駆動電流Ｉ_dsがばらつく場合でも、それぞれに応じた電位補正値ΔＶとなるので、画素回路１０Ａごとの移動度μのばらつきを補正することができる。つまり、信号振幅ΔＶ_inを一定とした場合、駆動トランジスタ１２１の移動度μが大きいほど電位補正値ΔＶの絶対値が大きくなる。換言すると、移動度μが大きいほど電位補正値ΔＶが大きくなるので、画素回路１０ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。

有機ＥＬ素子１２７の発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。以上によって、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１２７の発光の動作が完了する。この後、次のフレーム（もしくはフィールド）に移って、再び、閾値補正準備動作、閾値補正動作、移動度補正動作、及び発光動作が繰り返される。

発光期間Ｏでは、サンプリングトランジスタ１２５がオフ状態であるので、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_gは上昇可能となる。駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇとソース端Ｓと間には保持容量１２０が接続されており、その保持容量１２０による効果によって、ブートストラップ動作が行なわれ、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsを一定に維持することができる。このとき、駆動トランジスタ１２１に流れる駆動電流Ｉ_dsは有機ＥＬ素子１２７に流れ、有機ＥＬ素子１２７のアノード電位は駆動電流Ｉ_dsに応じて上昇する。この上昇分をＶ_elとする。やがて、ソース電位Ｖ_sの上昇に伴い、有機ＥＬ素子１２７の逆バイアス状態は解消されるので、駆動電流Ｉ_dsの流入により有機ＥＬ素子１２７は実際に発光を開始する。ここで、駆動電流Ｉ_ds対ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsの関係は、先のトランジスタ特性を表した式（１）に“Ｖ_sig＋Ｖ_th−ΔＶ”或いは“ΔＶ_in＋Ｖ_th−ΔＶ”を代入することで、式（５Ａ）或いは式（５Ｂ）（両式を纏めて式（５）と記す）のように表すことができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_sig−Ｖ_ofs−ΔＶ）² （５Ａ）
Ｉ_ds＝ｋ・μ・（ΔＶ_in−Ｖ_ofs−ΔＶ）² （５Ｂ）

この式（５）から、閾値電圧Ｖ_thの項がキャンセルされており、有機ＥＬ素子１２７に供給される駆動電流Ｉ_dsは駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thに依存しないことが分かる。即ち、有機ＥＬ素子１２７を流れる電流Ｉ_dsは、例えば、Ｖ_ofsを０ボルトに設定したとした場合、有機ＥＬ素子１２７における輝度を制御するための映像信号Ｖ_sigの値から、駆動トランジスタ１２１の移動度μに起因した第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタ１２１のソース端）における電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。換言すると、有機ＥＬ素子１２７を流れる電流Ｉ_dsは、有機ＥＬ素子１２７の閾値電圧Ｖ_thEL及び駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、有機ＥＬ素子１２７の発光量（輝度）は、有機ＥＬ素子１２７の閾値電圧Ｖ_thELの影響及び駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１２７の輝度は、電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタ１２１ほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsの値が小さくなる。したがって、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_sig−Ｖ_ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉ_dsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタ１２１においても、映像信号Ｖ_sigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉ_dsが略同じとなる結果、有機ＥＬ素子１２７を流れ、有機ＥＬ素子１２７の輝度を制御する電流Ｉ_dsが均一化される。即ち、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する有機ＥＬ素子１２７の輝度のばらつきを補正することができる。

又、駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇとソース端Ｓと間には保持容量１２０が接続されており、その保持容量１２０による効果により、発光期間の最初でブートストラップ動作が行なわれ、駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧“Ｖ_gs＝ΔＶ_in＋Ｖ_th−ΔＶ”を一定に維持したまま、駆動トランジスタ１２１のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sが上昇する。駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sが“−Ｖ_th＋ΔＶ＋Ｖ_el”となることで、ゲート電位Ｖ_gは“ΔＶ_in＋Ｖ_el”となる。このとき、駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは一定であるので、駆動トランジスタ１２１は、一定電流（駆動電流Ｉ_ds）を有機ＥＬ素子１２７に流す。その結果、有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａの電位（＝ノードＮＤ１２２の電位）は、有機ＥＬ素子１２７に飽和状態での駆動電流Ｉ_dsという電流が流れ得る電圧まで上昇する。

ここで、有機ＥＬ素子１２７は、発光時間が長くなるとそのＩ−Ｖ特性が変化してしまう。そのため、時間の経過とともに、ノードＮＤ１２２の電位も変化する。しかしながら、このような有機ＥＬ素子１２７の経時劣化によりそのアノード電位が変動しても、保持容量１２０に保持されたゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは常に“ΔＶ_in＋Ｖ_th−ΔＶ”で一定に維持される。駆動トランジスタ１２１が定電流源として動作することから、有機ＥＬ素子１２７のＩ−Ｖ特性が経時変化し、これに伴って駆動トランジスタ１２１のソース電位Ｖ_sが変化したとしても、保持容量１２０によって駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖ_gsが一定（≒ΔＶ_in＋Ｖ_th−ΔＶ）に保たれているため、有機ＥＬ素子１２７に流れる電流は変わらず、したがって有機ＥＬ素子１２７の発光輝度も一定に保たれる。実際にはブートストラップゲインは「１」よりも小さいので、ゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは「ΔＶ_in＋Ｖ_th−ΔＶ」よりも小さくなるが、そのブートストラップゲインに応じたゲート・ソース間電圧Ｖ_gsに保たれることには変わりがない。

以上のように、実施例１の画素回路１０Ａは、回路構成と駆動タイミングを工夫することで、閾値補正回路や移動度補正回路が構成される。画素回路１０Ａは、駆動トランジスタ１２１の特性ばらつき（本例では閾値電圧Ｖ_th及び移動度μのばらつき）による駆動電流Ｉ_dsに与える影響を防ぐために、閾値電圧Ｖ_th及び移動度μによる影響を補正して駆動電流を一定に維持する駆動信号一定化回路として機能するようになっている。ブートストラップ動作だけでなく、閾値補正動作と移動度補正動作とを実行しているため、ブートストラップ動作で維持されるゲート・ソース間電圧Ｖ_gsは、閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧と移動度補正用の電位補正値ΔＶとによって調整されている。このため、有機ＥＬ素子１２７の発光輝度は駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖ_thや移動度μのばらつきの影響を受けることがないし、有機ＥＬ素子１２７の経時劣化の影響も受けない。入力される映像信号Ｖ_sig（信号振幅ΔＶ_in）に対応する安定した階調で表示でき、高画質の画像を得ることができる。

又、画素回路１０Ａは、ｎチャネル型の駆動トランジスタ１２１を用いたソースフォロア回路によって構成することができるために、現状のアノード・カソード電極の有機ＥＬ素子をそのまま用いても、有機ＥＬ素子１２７の駆動が可能になる。又、駆動トランジスタ１２１及びその周辺部のサンプリングトランジスタ１２５等も含めてｎチャネル型のみのトランジスタを用いて画素回路１０Ａを構成することができ、トランジスタ作製においても低コスト化が図れる。

更には、実施例１の画素回路１０Ａでは、信号書込み期間Ｍにおいて、マイナス電位の映像信号Ｖ_sigをノードＮＤ１２２に書き込むので、その後の移動度補正期間Ｎにおいては、有機ＥＬ素子１２７を大きな逆バイアス状態にすることができる。即ち、移動度補正期間Ｎにおいては、ノードＮＤ１２２（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_ND2とすると、式（２Ｂ）（式（２Ｂ−１）及び式（２Ｂ−２））を満足させることができる。式（２Ｂ−２）の左辺で示される電位差を比較例の画素回路１０Ｚの場合よりも大きくすることができるため、移動度補正中に有機ＥＬ素子１２７がターンオンすることを防止することができ、移動度補正動作を正常に行なうことができるし、発光することもない。

Ｖ_ND2＝（Ｖ_ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜＜（Ｖ_thEL＋Ｖ_cath） （２Ｂ−１）
Ｖ_ND2−Ｖ_thEL＜＜Ｖ_cath （２Ｂ−２）

図１１〜図１２は、実施例２の画素回路１０Ｂと、当該画素回路１０Ｂを備えた表示装置の一形態を示す図である。実施例２の画素回路１０Ｂを画素アレイ部１０２に備える表示装置を実施例２の表示装置１Ｂと称する。図１１は基本構成（１画素分）を示し、図１２は具体的な構成（表示装置の全体）を示す。図１３は、移動度補正期間中の有機ＥＬ素子１２７のターンオン現象に起因する表示むら対策に着目した実施例２の画素回路の駆動方法を説明するタイミングチャートである。

図１１〜図１２に示すように、実施例２のトランジスタ特性補正制御部６２０Ｂは、実施例１の構成をベースに、更に、初期化トランジスタ６２８と初期化走査部６２９とを有する。映像信号線１０６HSには狭義の映像信号Ｖ_sigのみを供給し、基準電位（Ｖ_ofs）を初期化トランジスタ６２８を介して供給する点が実施例１と異なる。即ち、実施例２の画素回路１０Ｂは、第１ノード初期化電圧（基準電位（Ｖ_ofs））を印加する初期化トランジスタ６２８を有する。初期化トランジスタ６２８は、一方の主電極端に基準電位（Ｖ_ofs）が印加され、他方の主電極端は、サンプリングトランジスタ１２５の主電極端と結合容量６２２との接続点に接続されている。表示装置１Ｂは、初期化走査部６２９を画素アレイ部１０２の外部に備えている。初期化トランジスタ６２８の制御入力端（ゲート端）は、初期化制御線６２９ofsを介して初期化走査部６２９に接続され、アクティブＨの初期化制御パルスOFSが行ごとに供給される。

実施例２の動作は図１３に示す通りであり、書込駆動パルスWSは書込み期間Ｍ及び移動度補正期間ＮにのみアクティブＨであればよい。アクティブＨの初期化制御パルスOFSに基づき第１ノード初期化電圧（基準電位（Ｖ_ofs））の供給が初期化トランジスタ６２８を介してなされる点を除いて、基本的には実施例１と相違がない。実施例１と同様に、移動度補正中に有機ＥＬ素子１２７がターンオンすることを防止することができ、移動度補正動作を正常に行なうことができる。

実施例２では、第１ノード初期化電圧（基準電位（Ｖ_ofs））の供給タイミングの設定の自由度が実施例１よりも高い。変形例としては、例えば、初期化走査部６２９を設けずに、閾値補正制御走査部６２７にその機能を担当させ、初期化トランジスタ６２８の制御入力端（ゲート端）を閾値補正制御線６２７AZに接続し、アクティブＨの閾値補正制御パルスAZを行ごとに供給してもよい。但しこの変形例は、表示装置１の回路構成が簡易になる反面、第１ノード初期化電圧の供給タイミングの設定の自由度が図示した構成よりも劣る。

図１４は実施例３を説明する図である。実施例３は、前述の移動度補正期間中の有機ＥＬ素子１２７のターンオン現象に起因する表示むらを抑制・解消する技術が適用された表示装置を搭載した電子機器についての事例である。本実施形態の表示むら抑制処理は、ゲーム機、電子ブック、電子辞書、携帯電話機等の各種の電子機器に使用される電流駆動型の表示素子を具備した表示装置に適用することができる。

例えば、図１４（Ａ）は、電子機器７００が、画像表示装置の一例である表示モジュール７０４を利用したテレビジョン受像機７０２の場合の外観例を示す斜視図である。テレビジョン受像機７０２は、台座７０６に支持されたフロントパネル７０３の正面に表示モジュール７０４を配置した構造となっており、表示面にはフィルターガラス７０５が設けられている。図１４（Ｂ）は、電子機器７００がデジタルカメラ７１２の場合の外観例を示す図である。デジタルカメラ７１２は、表示モジュール７１４、コントロールスイッチ７１６、シャッターボタン７１７、その他を含んでいる。図１４（Ｃ）は、電子機器７００がビデオカメラ７２２の場合の外観例を示す図である。ビデオカメラ７２２は、本体７２３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ７２５が設けられ、更に、表示モジュール７２４や撮影のスタート／ストップスイッチ７２６等が配置されている。図１４（Ｄ）は、電子機器７００がコンピュータ７３２の場合の外観例を示す図である。コンピュータ７３２は、下側筐体７３３ａ、上側筐体７３３ｂ、表示モジュール７３４、Ｗｅｂカメラ７３５、キーボード７３６等を含んでいる。図１４（Ｅ）は、電子機器７００が携帯電話機７４２の場合の外観例を示す図である。携帯電話機７４２は、折り畳み式であり、上側筐体７４３ａ、下側筐体７４３ｂ、表示モジュール７４４ａ、サブディスプレイ７４４ｂ、カメラ７４５、連結部７４６（この例ではヒンジ部）、ピクチャーライト７４７等を含んでいる。

ここで、表示モジュール７０４、表示モジュール７１４、表示モジュール７２４、表示モジュール７３４、表示モジュール７４４ａ、サブディスプレイ７４４ｂは、本実施形態による表示装置を用いることにより作製される。これにより、各電子機器７００は、駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する輝度ばらつきを補正することができるだけでなく、移動度補正期間中の有機ＥＬ素子１２７のターンオン現象に起因する表示むらを抑制・解消することができ、高画質の表示を行なうことができる。

以上、本明細書で開示する技術について実施形態を用いて説明したが、請求項の記載内容の技術的範囲は前記実施形態に記載の範囲には限定されない。本明細書で開示する技術の要旨を逸脱しない範囲で前記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本明細書で開示する技術の技術的範囲に含まれる。前記の実施形態は、請求項に係る技術を限定するものではなく、実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが、本明細書で開示する技術が対象とする課題の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の技術が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の技術を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、本明細書で開示する技術が対象とする課題と対応した効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成も、本明細書で開示する技術として抽出され得る。

例えば、実施例１及び実施例２では、結合容量を介して映像信号や閾値補正用の初期化電圧を第２ノードに供給していたが、この構成は、第１の処理の際に表示部がターンオンしない程度に、第１の処理の開始前に予め表示部を逆バイアス状態に制御するための一構成例に過ぎない。第１の処理の開始前に予め表示部を逆バイアス状態に制御すればよく、第１ノード側に所定の極性の映像信号や閾値補正用の初期化電圧を供給する構成に変形することも可能である。トランジスタをｎチャネルとｐチャネルで入れ替え、それに合わせて、電源や信号の極性を逆転させる等した相補型の構成にできることは云うまでもない。

要するに、駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理の際に表示部がターンオンしないように画素回路の動作を制御する構成である限り、どのような構成をとってもよい。映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理（移動度補正処理と対応する）を行なう際に電気光学素子がターンオンしてしまうことに起因する表示むらを抑制するように構成されていればよい。この点においては、少なくとも当該処理の期間に電気光学素子がターンオンすることを防止するように制御可能に構成されていればよく、その限りにおいて、様々な構成をとることができる。その対処のため、実施例１や実施例２のように、画素回路の外部に設けられる制御部１０９（前例では発光制御走査部６２５、閾値補正制御走査部６２７、初期化走査部６２９）による画素回路１０の制御タイミングの工夫によって実現することは必須でなく、その対処のための各種のトランジスタを制御する制御パルスを生成する回路要素を画素回路ごとに設けてもよい。

例えば、トランジスタをｎチャネルとｐチャネルで入れ替え、それに合わせて、電源や信号の極性を逆転させる等した相補型の構成にできることは云うまでもない。

前記実施形態の記載を踏まえれば、特許請求の範囲に記載の請求項に係る技術は一例であり、例えば、以下の技術が抽出される。以下列記する。
[付記１]
電気光学素子と、
保持容量と、
一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタと、
制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており、保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタ、
とを備え、
駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されており、
書込トランジスタを介して映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ、駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理の際に、電気光学素子がターンオンするのを抑制可能に構成されている
画素回路。
[付記２]
第１の処理の際に電気光学素子がターンオンしない程度に、第１の処理の開始前に予め電気光学素子を逆バイアス状態に制御可能に構成されている
付記１に記載の画素回路。
[付記３]
映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部、
を備えている付記１又は付記２に記載の画素回路。
[付記４]
制御部は、第１ノードと駆動トランジスタの他方の主電極端との間に、駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理を制御する閾値補正制御トランジスタを有する
付記３に記載の画素回路。
[付記５]
制御部は、書込トランジスタの他方の主電極端と第２ノードとの間に結合容量を有する
付記３又は付記４に記載の画素回路。
[付記６]
駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理時には、初期化電圧が書込トランジスタを介して結合容量に供給される
付記５に記載の画素回路。
[付記７]
制御部は、駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理時に初期化電圧を結合容量に供給する初期化トランジスタを有する
付記５に記載の画素回路。
[付記８]
映像信号の初期化電圧に対する極性は、第１の処理の開始前に電気光学素子を逆バイアス状態に制御可能な極性である
付記６又は付記７に記載の画素回路。
[付記９]
制御部は、駆動トランジスタの他方の主電極端と電源線との間に発光制御トランジスタを有する
付記３乃至付記８の何れか１項に記載の画素回路。
[付記１０]
電気光学素子が配列された画素部を備え、
特性制御部は、電気光学素子ごとに、駆動トランジスタの特性を制御する
付記１乃至付記９の何れか１項に記載の画素回路。
[付記１１]
画素部は、電気光学素子が２次元マトリクス状に配列されている
付記１０に記載の画素回路。
[付記１２]
電気光学素子は自発光型である
付記１乃至付記１１の何れか１項に記載の画素回路。
[付記１３]
電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する
付記１２に記載の画素回路。
[付記１４]
電気光学素子、保持容量、一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタ、及び、制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを具備した表示素子が配列されており、
駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されており、更に、
映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部、
を備えた表示装置。
[付記１５]
制御部は、
第１ノードと駆動トランジスタの主電極端の他端との間に、駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理を制御する閾値補正制御トランジスタを有し、更に、
閾値補正制御トランジスタをオン／オフ制御する閾値補正制御走査部を有する
付記１４に記載の表示装置。
[付記１６]
制御部は、
駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理時には、初期化電圧が一方の主電極端に供給されている書込トランジスタを制御する
付記１５に記載の表示装置。
[付記１７]
制御部は、
駆動トランジスタの閾値電圧の補正を行なう第２の処理時に初期化電圧を結合容量に供給する初期化トランジスタを有し、更に、
初期化トランジスタをオン／オフ制御する初期化走査部を有する
付記１５に記載の表示装置。
[付記１８]
制御部は、
駆動トランジスタの他方の主電極端と電源線との間に発光制御トランジスタを有し、更に、
発光制御トランジスタをオン／オフ制御する発光制御走査部を有する
付記１４乃至付記１７の何れか１項に記載の表示装置。
[付記１９]
電気光学素子、保持容量、一方の主電極端に供給された映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタ、及び、制御入力端が保持容量の一端と第１ノードにて接続されており保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを具備した表示素子が配列されており、駆動トランジスタの一方の主電極端と保持容量の他端と電気光学素子の一端とが電気的に第２ノードに接続されている画素部と、
画素部に供給される映像信号を生成する信号生成部と、
映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する第１の処理と連動して、電気光学素子がターンオンするのを抑制する制御部、
とを備えた電子機器。
[付記２０]
電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを備えた画素回路を駆動する方法であって、
映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理の際に、電気光学素子がターンオンするのを抑制する
画素回路の駆動方法。

１…表示装置、１０…画素回路、１１…発光素子、１００…表示パネル部、１０１…基板、１０２…画素アレイ部、１０３…垂直駆動部、１０４…書込走査部、１０５…駆動走査部、１０６…水平駆動部、１２０…保持容量、１２１…駆動トランジスタ、１２５…サンプリングトランジスタ（書込トランジスタ）、１２７…有機ＥＬ素子、１３０…インタフェース部、２００…駆動信号生成部、２２０…映像信号処理部、６２０…トランジスタ特性補正制御部、６２１…容量部、６２２…結合容量、６２４…発光制御トランジスタ、６２５…発光制御走査部、６２６…閾値補正制御トランジスタ、６２７…閾値補正制御走査部、６２８…初期化トランジスタ、６２９…初期化走査部、７００…電子機器

Claims (7)

1. 電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを有する表示素子が、行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されており、
   各表示素子において、
   駆動回路は、駆動トランジスタ、書込トランジスタ、発光制御トランジスタ、及び、閾値補正制御トランジスタ、並びに、保持容量、及び、結合容量を備えており、
   書込トランジスタにあっては、ゲート電極は走査線に接続されており、一方のソース／ドレイン領域は映像信号線に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は結合容量の一端に接続されており、
   駆動トランジスタにあっては、ゲート電極は、保持容量の一端に接続されており、第１ノードを構成し、一方のソース／ドレイン領域は、保持容量の他端と結合容量の他端とに接続されており、第２ノードを構成し、他方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタを介して電源供給線に接続されていると共に、閾値補正制御トランジスタを介して第１ノードに接続されており、
   発光部にあっては、その一端は第２ノードに接続されており、他端はカソード電位を供給する配線に接続されており、
   導通状態の発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域が電源供給線に接続されている状態で保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させた状態から発光制御トランジスタを非導通状態に切り替えて発光部を消灯させ、併せて、閾値補正制御トランジスタと書込トランジスタとを共に導通状態に切り換え、書込トランジスタを介して映像信号線から初期化電圧を結合容量の一端に印加することで、第２ノードの電位をカソード電位に発光部の閾電圧を加えた電位とすると共に第１ノードの電位を第２ノードの電位に駆動トランジスタの閾電圧を加えた電位とし、
   次いで、閾値補正制御トランジスタと書込トランジスタとを共に非導通状態に切り換え、
   その後、映像信号線に映像信号が供給されている状態で、書込トランジスタを導通状態に切り換え、書込トランジスタと結合容量とを介して保持容量に映像信号を書込み、
   次いで、発光制御トランジスタを導通状態に切り替えることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって第２ノードの電位を上昇させ、
   その後、書込トランジスタを非導通状態とし、保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させる、
   表示装置。
2. 電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを有する表示素子が、行方向と列方向とに２次元マトリクス状に配列されており、
   各表示素子において、
   駆動回路は、駆動トランジスタ、書込トランジスタ、発光制御トランジスタ、閾値補正制御トランジスタ、及び、初期化トランジスタ、並びに、保持容量、及び、結合容量を備えており、
   書込トランジスタにあっては、ゲート電極は走査線に接続されており、一方のソース／ドレイン領域は映像信号線に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は結合容量の一端に接続されており、
   駆動トランジスタにあっては、ゲート電極は、保持容量の一端に接続されており、第１ノードを構成し、一方のソース／ドレイン領域は、保持容量の他端と結合容量の他端とに接続されており、第２ノードを構成し、他方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタを介して電源供給線に接続されていると共に、閾値補正制御トランジスタを介して第１ノードに接続されており、
   初期化トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域は結合容量の一端に接続されており、他方のソース／ドレイン領域には初期化電圧が供給され、
   発光部にあっては、その一端は第２ノードに接続されており、他端はカソード電位を供給する配線に接続されており、
   導通状態の発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域が電源供給線に接続されている状態で保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させた状態から発光制御トランジスタを非導通状態に切り替えて発光部を消灯させ、併せて、閾値補正制御トランジスタと初期化トランジスタとを共に導通状態に切り換え、初期化トランジスタを介して初期化電圧を結合容量の一端に印加することで、第２ノードの電位をカソード電位に発光部の閾電圧を加えた電位とすると共に第１ノードの電位を第２ノードの電位に駆動トランジスタの閾電圧を加えた電位とし、
   次いで、閾値補正制御トランジスタと初期化トランジスタとを共に非導通状態に切り換え、
   その後、映像信号線に映像信号が供給されている状態で、書込トランジスタを導通状態に切り換え、書込トランジスタと結合容量とを介して保持容量に映像信号を書込み、
   次いで、発光制御トランジスタを導通状態に切り替えることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって第２ノードの電位を上昇させ、
   その後、書込トランジスタを非導通状態とし、保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させる、
   表示装置。
3. 発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
   請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置を備えた電子機器。
5. 電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを有し、
   駆動回路は、駆動トランジスタ、書込トランジスタ、発光制御トランジスタ、及び、閾値補正制御トランジスタ、並びに、保持容量、及び、結合容量を備えており、
   書込トランジスタにあっては、ゲート電極は走査線に接続されており、一方のソース／ドレイン領域は映像信号線に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は結合容量の一端に接続されており、
   駆動トランジスタにあっては、ゲート電極は、保持容量の一端に接続されており、第１ノードを構成し、一方のソース／ドレイン領域は、保持容量の他端と結合容量の他端とに接続されており、第２ノードを構成し、他方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタを介して電源供給線に接続されていると共に、閾値補正制御トランジスタを介して第１ノードに接続されており、
   発光部にあっては、その一端は第２ノードに接続されており、他端はカソード電位を供給する配線に接続されており、
   導通状態の発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域が電源供給線に接続されている状態で保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させた状態から発光制御トランジスタを非導通状態に切り替えて発光部を消灯させ、併せて、閾値補正制御トランジスタと書込トランジスタとを共に導通状態に切り換え、書込トランジスタを介して映像信号線から初期化電圧を結合容量の一端に印加することで、第２ノードの電位をカソード電位に発光部の閾電圧を加えた電位とすると共に第１ノードの電位を第２ノードの電位に駆動トランジスタの閾電圧を加えた電位とし、
   次いで、閾値補正制御トランジスタと書込トランジスタとを共に非導通状態に切り換え、
   その後、映像信号線に映像信号が供給されている状態で、書込トランジスタを導通状態に切り換え、書込トランジスタと結合容量とを介して保持容量に映像信号を書込み、
   次いで、発光制御トランジスタを導通状態に切り替えることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって第２ノードの電位を上昇させ、
   その後、書込トランジスタを非導通状態とし、保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させる、
   表示素子。
6. 電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを有し、
   駆動回路は、駆動トランジスタ、書込トランジスタ、発光制御トランジスタ、閾値補正制御トランジスタ、及び、初期化トランジスタ、並びに、保持容量、及び、結合容量を備えており、
   書込トランジスタにあっては、ゲート電極は走査線に接続されており、一方のソース／ドレイン領域は映像信号線に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は結合容量の一端に接続されており、
   駆動トランジスタにあっては、ゲート電極は、保持容量の一端に接続されており、第１ノードを構成し、一方のソース／ドレイン領域は、保持容量の他端と結合容量の他端とに接続されており、第２ノードを構成し、他方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタを介して電源供給線に接続されていると共に、閾値補正制御トランジスタを介して第１ノードに接続されており、
   初期化トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域は結合容量の一端に接続されており、他方のソース／ドレイン領域には初期化電圧が供給され、
   発光部にあっては、その一端は第２ノードに接続されており、他端はカソード電位を供給する配線に接続されており、
   導通状態の発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域が電源供給線に接続されている状態で保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させた状態から発光制御トランジスタを非導通状態に切り替えて発光部を消灯させ、併せて、閾値補正制御トランジスタと初期化トランジスタとを共に導通状態に切り換え、初期化トランジスタを介して初期化電圧を結合容量の一端に印加することで、第２ノードの電位をカソード電位に発光部の閾電圧を加えた電位とすると共に第１ノードの電位を第２ノードの電位に駆動トランジスタの閾電圧を加えた電位とし、
   次いで、閾値補正制御トランジスタと初期化トランジスタとを共に非導通状態に切り換え、
   その後、映像信号線に映像信号が供給されている状態で、書込トランジスタを導通状態に切り換え、書込トランジスタと結合容量とを介して保持容量に映像信号を書込み、
   次いで、発光制御トランジスタを導通状態に切り替えることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって第２ノードの電位を上昇させ、
   その後、書込トランジスタを非導通状態とし、保持容量に保持された電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介して発光部に流すことで発光部を発光させる、
   表示素子。
7. 発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
   請求項５または請求項６に記載の表示素子。

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