JP2009294508A - 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタのオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきを抑制し、ムラのない均一な画質を得る。
【解決手段】駆動トランジスタ２２のゲート電極に容量要素２８の一端を接続し、当該容量要素２８の他端に対して、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング以降（同時を含む）に、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移する制御信号ＷＳ２を与えることで、書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変動分を抑え、書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきに起因する発光輝度のばらつきが抑制する。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。

有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機ＥＬ素子は、自発光素子であるために、画素ごとに液晶にて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかもバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。

有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様に、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。

そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。

このように、能動素子として薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記述する）を用いた画素回路において、当該ＴＦＴとしてＮチャネル型のトランジスタを用いることができれば、ＴＦＴの作成に当たって、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることが可能になる。そして、ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴ基板の低コスト化を図ることができる。

ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。

このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。

また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈが経時的に変化したり、当該閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに異なったりする。駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに画素間で同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。

そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正（以下、「閾値補正」と記述する）機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。

このように、画素回路の各々に、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈについて画素ごとにばらつきがあったり、当該閾値電圧Ｖｔｈが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができる。

特開２００５−３４５７２２号公報

ここで、映像信号をサンプリングして画素内に書き込む書込みトランジスタ（サンプリングトランジスタ）について考える。有機ＥＬ素子の発光は、書込みトランジスタによる映像信号の書込みが終わった後、当該書込みトランジスタを非導通（オフ）状態にすることによって開始される。この書込みトランジスタの非導通状態への遷移時（オフ時）に、駆動トランジスタのゲート電極へのカップリングが発生する。

この書込みトランジスタのオフ時のカップリングは、駆動トランジスタのゲート電極と書込みトランジスタのゲート電極との間の寄生容量によるところが大きい。そして、この寄生容量に起因して書込みトランジスタのオフ時に駆動トランジスタのゲート電極にカップリングが発生すると、そのカップリング量に応じて駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変動する。

図３に、アモルファスシリコンＴＦＴの場合の寄生容量について示す。アモルファスシリコンＴＦＴの場合、書込みトランジスタのゲート金属（例えば、Ｍｏ）と駆動トランジスタのゲート金属（例えば、Ａｌ）とは、Ｍｏ／ゲート絶縁膜／アモルファスシリコン膜／Ａｌと、Ｍｏ／ゲート絶縁膜／アモルファスシリコン膜／ＳＴＯ絶縁膜／Ａｌという２つの領域でオーバーラップしている。そして、２つの領域のそれぞれのレイヤーの線幅のばらつき、膜厚のばらつき、合わせズレ等によってその寄生容量の容量値が変化する。

この寄生容量の容量値をＣｗｓ、当該容量値ＣｗｓのばらつきをΔＣｗｓ、駆動トランジスタのゲートから見える全ての容量の合成容量値をＣｇとすると、書込みトランジスタのオフ時のカップリング量ΔＶは、次式（１）で与えられ値となる。
ΔＶ＝｛（Ｃｗｓ＋ΔＣｗｓ）／（Ｃｗｓ＋ΔＣｗｓ＋Ｃｇ）｝Ｖｗｓ …（１）
ここで、Ｖｗｓは書込みトランジスタのオフ時の当該書込みトランジスタのオン電圧とオフ電圧との差分（電圧変化量）である。

このように、寄生容量の容量値ＣｗｓのばらつきΔＣｗｓが書込みトランジスタのオフ時のカップリング量ΔＶのばらつきとなる。そして、寄生容量の容量値ＣｗｓのばらつきΔＣｗｓによって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓにばらつきが生じてしまい、発光輝度のばらつきの原因となる。

この現象の対策として、書込みトランジスタを駆動する書込み走査信号の振幅を低減して当該書込みトランジスタのオフ時のカップリング量ΔＶを減らすという方法が考えられる。ここで、書込み走査信号の振幅を低減するということは、書込みトランジスタのオン電圧を下げるか、オフ電圧を上げるかのどちらかを意味する。しかし、書込みトランジスタのオン電圧を下げると、白の信号の書込みが行えなくなる懸念がある。一方、書込みトランジスタのオフ電圧を上げると、オフ時のリーク電流が大きくなるために、画質がザラつくという画質不良が現れる懸念がある。

なお、ここでは、アモルファスシリコンＴＦＴの場合を例に挙げて従来の問題点について述べたが、この問題点についてはアモルファスシリコンＴＦＴの場合に限られるものではなく、低温ポリシリコンＴＦＴの場合においても、書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタのオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきの問題は存在する。

そこで、本発明は、書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタのオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきを抑制し、ムラのない均一な画質を得ることが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

本発明による表示装置は、
電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続された書込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が、制御線に他端がそれぞれ接続された容量要素とを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各行を走査しつつ前記書込みトランジスタに対して書込み走査信号を与える第一書込み走査回路と、
前記書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するタイミング以降にアクティブ状態となる制御信号を前記制御線に与える第二書込み走査回路と
を備えたことを特徴としている。

そして、上記構成の表示装置は、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置として用いることができる。

上記構成の表示装置および当該表示装置を有する電子機器において、第一書込み走査回路から出力される書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するときに、即ち書込みトランジスタが導通状態から非導通状態に遷移するときに（書込みトランジスタがオフするときに）、書込みトランジスタの寄生容量を介して駆動トランジスタのゲート電極にカップリングが発生する。そして、この寄生容量によるカップリングによって駆動トランジスタのゲート電位が変動するために、当該駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が変動する。

一方、第二書込み走査回路から出力される制御信号が、書込み走査信号のアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移タイミング以降（同時を含む）に非アクティブ状態からアクティブ状態に遷移することで、その遷移の際に、駆動トランジスタのゲート電極に、当該ゲート電極と制御線との間に介在する容量要素を介してカップリングが発生する。この容量要素によるカップリングは、書込みトランジスタのオフ時の寄生容量によるカップリングと逆極性である。

この容量要素によるカップリングにより、駆動トランジスタのゲート電位は、寄生容量によるカップリングのときと逆方向に変動する。その結果、容量要素によるカップリングは、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧に対して、寄生容量によるカップリングに起因する変動分を小さくするように作用する。そして、書込みトランジスタのオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧の変動分が小さくなることで、書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する発光輝度のばらつきが抑制される。

本発明による表示装置の駆動方法は、
電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続された書込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が、制御線に他端がそれぞれ接続された容量要素とを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部を具備する表示装置において、
前記画素アレイ部の各行を走査しつつ前記書込みトランジスタに対して書込み走査信号を与え、
前記書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するタイミング以降にアクティブ状態となる制御信号を、前記制御線を介して前記容量要素の他端に与える
ことを特徴としている。

表示装置の各画素の駆動において、書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するときに、即ち書込みトランジスタがオフするときに、書込みトランジスタの寄生容量を介して駆動トランジスタのゲート電極にカップリングが発生する。そして、この寄生容量によるカップリングによって駆動トランジスタのゲート電位が変動するために、当該駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が変動する。

一方、書込み走査信号のアクティブ状態から非アクティブ状態への遷移タイミング以降（同時を含む）に制御信号が非アクティブ状態からアクティブ状態に遷移することで、その遷移の際に、駆動トランジスタのゲート電極に容量要素を介して、寄生容量によるカップリングと逆極性でカップリングが発生し、当該容量要素によるカップリングは、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧に対して、寄生容量によるカップリングに起因する変動分を小さくするように作用する。そして、ゲート−ソース間電圧の変動分が小さくなることで、書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する発光輝度のばらつきが抑制される。

本発明によれば、書込みトランジスタを駆動する書込み走査信号の振幅を低減しなくても、書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタのオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきを抑制できるために、ムラのない均一な画質を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。

ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。

図１に示すように、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａは、画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部とを有する構成となっている。画素２０を駆動する駆動部としては、例えば、第一，第二書込み走査回路４０，５０、発光駆動走査回路６０、第一，第二補正用走査回路６０，７０および信号出力回路（信号ドライバ）９０が設けられている。

ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示用の表示装置の場合は、１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素が画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、１つの画素は、赤色（Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、第１の方向（図１では、左右方向／水平方向）に沿って書込み走査線３１−１〜３１−ｍと制御線３２−１〜３２−ｍと発光制御走査線３３−１〜３３−ｍと第一，第二補正用走査線３４−１〜３４−ｍ，３５−１〜３５−ｍとが画素行ごとにそれぞれ配線され、また第１の方向と直交する第２の方向（図１では、上下方向／垂直方向）に沿って信号線３６−１〜３６−ｎが画素列ごとに配線されている。

画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板等の透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０については、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合は、第一，第二書込み走査回路４０，５０、発光駆動走査回路６０、第一，第二補正用走査回路７０，８０および信号出力回路９０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）上に実装することができる。

第一書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書込みに際して、書込み走査線３１−１〜３１−ｍに対して順次書込み走査信号ＷＳ１１〜ＷＳ１ｍを供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。

第二書込み走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、後述する書込みトランジスタのオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきを抑制するために、第一書込み走査回路４０による書込み走査に同期して、制御線３２−１〜３２−ｍに対して制御信号ＷＳ２１〜ＷＳ２ｍを順次供給する。

発光駆動走査回路６０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、画素２０の発光駆動に際して、発光制御走査線３３−１〜３３−ｍに対して順次発光駆動信号ＤＳ１〜ＤＳｍを供給する。

第一，第二補正用走査回路７０，８０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、後述する補正処理を実行する際に、第一，第二補正用走査線３４−１〜３４−ｍ，３５−１〜３５−ｍに対して第一，第二補正用走査信号ＡＺ１１〜ＡＺ１ｍ，ＡＺ２１〜ＡＺ２ｍを適宜供給する。

信号出力回路９０は信号線３６−１〜３６−ｎに対して、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇ（以下、単に「信号電圧Ｖｓｉｇ」と記述する場合もある）を、第一書込み走査回路４０による書込み走査に同期して出力する。この信号出力回路９０は、例えば、信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。

（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。

図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１と、当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、例えば全ての画素２０に対して共通に配線されたいわゆるベタ配線がカソード電極となっている。

有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２と、書込み（サンプリング）トランジスタ２３と、発光制御トランジスタ２４と、スイッチングトランジスタ２５，２６と、保持容量２７と、容量要素２８とを構成素子として有する画素構成となっている。

ここでは、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３およびスイッチングトランジスタ２５，２６としてＮチャネル型のＴＦＴを用い、発光制御トランジスタ２４としてＰチャネル型のＴＦＴを用いている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４およびスイッチングトランジスタ２５，２６の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。

有機ＥＬ素子２１は、電源電位Ｖｃａｔｈ（ここでは、接地電位ＧＮＤ）にある全画素共通のいわゆるベタ配線にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１を電流駆動するための能動素子であり、ソース電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。

書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース電極／ドレイン電極）が信号線３６（３６−１〜３６−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン電極／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、ゲート電極が書込み走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続されている。

発光制御トランジスタ２４は、ソース電極が電位Ｖｃｃ（ここでは、正の電位）の電源に接続され、ドレイン電極が駆動トランジスタ２２のドレイン電極に接続され、ゲート電極が発光制御走査線３３（３３−１〜３３−ｍ）に接続されている。

スイッチングトランジスタ２５は、ドレイン電極が書込みトランジスタ２３の他方の電極（駆動トランジスタ２２のゲート電極）に接続され、ソース電極が基準電位Ｖｏｆｓの電源に接続され、ゲート電極が第一補正用走査線３４（３４−１〜３４−ｍ）に接続されている。

スイッチングトランジスタ２６は、ドレイン電極が駆動トランジスタ２２のソース電極と有機ＥＬ素子２１のアノード電極との接続ノードＮ１１に接続され、ソース電極が電位Ｖｓｓ（ここでは、負の電位）の電源に接続され、ゲート電極が第二補正用走査線３５（３５−１〜３５−ｍ）に接続されている。

保持容量２７は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極と書込みトランジスタ２３のドレイン電極との接続ノードＮ１２に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２のソース電極と有機ＥＬ素子２１のアノード電極との接続ノードＮ１１に接続されている。

容量要素２８は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極（書込みトランジスタ２３の他方の電極）に接続され、他方の電極が制御線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。

上述した接続関係にて各構成素子が接続されてなる画素２０において、各構成素子は次のような作用をなす。

書込みトランジスタ２３は、第一書込み走査回路４０から書込み走査線３１を介して与えられる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となることにより、信号線３６を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２７に保持される。

駆動トランジスタ２２は、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあるときに、電源電位Ｖｃｃの電源から電流の供給を受けて、保持容量２７に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する（電流駆動）。

駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、有機ＥＬ素子２１には、駆動トランジスタ２２から次式（２）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）² ……（２）

ここに、Ｖｔｈは駆動トランジスタ２２の閾値電圧、μは駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度」と記述する）、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量、Ｖｇｓはソース電位を基準としてゲートに印加されるゲート−ソース間電圧である。

発光制御トランジスタ２４は、発光駆動走査回路６０から発光制御走査線３３を介して与えられる発光駆動信号ＤＳに応答して導通状態になることにより、電源電位Ｖｃｃから駆動トランジスタ２２に電流を供給する。すなわち、発光制御トランジスタ２４は、駆動トランジスタ２２への電流の供給／停止の制御を行なう。

この発光制御トランジスタ２４のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御するデューティ制御を行なうことで、１フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できる。これにより、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。

スイッチングトランジスタ２５は、第一補正用走査回路７０から第一補正用走査線３４を介して与えられる第一補正用走査信号ＡＺ１に応答して導通状態になることにより、書込みトランジスタ２３による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書込みに先立って、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに初期化する。ここで、基準電位Ｖｏｆｓは、映像信号の基準となる電位（例えば、黒レベルに相当する電位）に設定されている。

スイッチングトランジスタ２６は、第二補正用走査回路８０から第二補正用走査線３５を介して与えられる第二補正用走査信号ＡＺ２に応答して導通状態になることにより、書込みトランジスタ２３による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書込みに先立って、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓを電源電位Ｖｓｓに初期化する。

ここで、画素２０の正常な動作を保証するための条件として、電源電位Ｖｓｓは、基準電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いた電位よりも低くなるように設定されている。すなわち、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈのレベル関係となっている。

また、有機ＥＬ素子２１のカソード電位Ｖｃａｔｈ（ここでは、接地電位）に有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを加えたレベルは、基準電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いたレベルよりも高くなるように設定されている。すなわち、Ｖｃａｔｈ＋Ｖｔｈｅｌ＞Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ（＞Ｖｓｓ）のレベル関係となっている。

保持容量２７は、書込みトランジスタ２３によって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを保持するとともに、表示期間に亘って駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の電位差を保持する。

容量要素２８は、書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタ２３のオフ時（導通状態から非導通状態に遷移する時）のカップリングによる発光輝度のばらつきを抑制する作用をなす。その詳細については後述する。

画素２０では、正常な動作を保証するための条件として、負側の電源電位Ｖｓｓは、基準電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いた電位よりも低くなるように設定されている。すなわち、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈのレベル関係となっている。

また、有機ＥＬ素子２１のカソード電位Ｖｃａｔｈ（ここでは、接地電位）に有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを加えたレベルは、電源電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いたレベルよりも高くなるように設定されている。すなわち、Ｖｃａｔｈ＋Ｖｔｈｅｌ＞Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ（＞Ｖｓｓ）のレベル関係となっている。

＜アモルファスシリコンＴＦＴ＞
ここで、書込みトランジスタ２３がアモルファスシリコンＴＦＴからなる場合の構成の一例について説明する。図３は、アモルファスシリコンＴＦＴの構成の一例を示す図であり、（Ａ）はその断面図、（Ｂ）はその平面図である。図３において、右側が駆動トランジスタ２２のゲート電極側であり、左側が信号線３６側である。

図３に示すように、アモルファスシリコンＴＦＴは、ガラス基板２０１上にモリブデン（Ｍｏ）等の金属によってゲート電極２３１が形成され、その上にゲート絶縁膜２３２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜２３３が成膜され、その上にＳＴＯ絶縁膜２３４と、アルミニウム（Ａｌ）等の金属からなるソース／ドレイン電極２３５，２３６とが形成された構成となっている。

このアモルファスシリコンＴＦＴからなる書込みトランジスタ２３において、書込みトランジスタ２３のゲート金属（例えば、Ｍｏ）と駆動トランジスタ２２のゲート金属（例えば、Ａｌ）とは、先述したように、Ｍｏ／ゲート絶縁膜／アモルファスシリコン膜／Ａｌと、Ｍｏ／ゲート絶縁膜／アモルファスシリコン膜／ＳＴＯ絶縁膜／Ａｌという２つの領域でオーバーラップしている。

＜容量要素の構成＞
続いて、容量要素２８の構成の一例について説明する。図４は、容量要素２８の構成の一例を示す図であり、（Ａ）はその断面図、（Ｂ）はその平面図である。図４中、図３と同等部分には同一符号を付して示している。

図４に示すように、容量要素２８は、図３に示す書込みトランジスタ２３の駆動トランジスタ２２側の構成と同じ構成となっており、そのチャネル長方向についても図３に示す書込みトランジスタ２３と同じ方向となっている。

そして、容量要素２８のソース／ドレイン電極３０６が駆動トランジスタ２２のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極が制御線３２に電気的に接続される。すなわち、駆動トランジスタ２２のゲート電極から見て、当該ゲート電極に対する書込みトランジスタ２３の接続構造と容量要素２８の接続構造とが同じになっている。

（画素構造）
図５は、画素２０の断面構造の一例を示す断面図である。図５に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３等からなる駆動回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４が順に形成され、当該ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。

有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０５と、当該アノード電極２０５上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０６と、当該有機層２０６上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０７とから構成されている。

この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０６は、アノード電極２０５上にホール輸送層/ホール注入層２０６１、発光層２０６２、電子輸送層２０６３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０５を通して有機層２０６に電流が流れることで、当該有機層２０６内の発光層２０６２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。

図５に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０８を介して封止基板２０９が接着剤２１０によって接合され、当該封止基板２０９によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、表示パネルが形成される。

（回路動作の説明）
続いて、上記構成の画素２０を行列状に２次元配置してなる本実施形態に係るアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１０Ａの回路動作について、図６のタイミング波形図および図７乃至図１４の動作説明図を用いて説明する。

図６には、ある画素行の各画素２０を駆動する際に、第一書込み走査回路４０から画素２０に与えられる書込み走査信号（書込み走査線電位）ＷＳ１、第二書込み走査回路５０から画素２０に与えられる制御信号（制御線電位）ＷＳ２、第一，第二補正用走査回路７０，８０から画素２０に与えられる第一，第二補正用走査信号（第一，第二補正用走査線電位）ＡＺ１，ＡＺ２および発光駆動走査回路６０から画素２０に与えられる発光駆動信号（発光制御走査線電位）ＤＳのタイミング関係、ならびに駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化をそれぞれ示している。

なお、制御信号（制御線電位）ＷＳ２の振幅については、書込み走査信号（書込み走査線電位）ＷＳ１の振幅、即ち書込みトランジスタ２３による書込み動作終了前後のオン電圧とオフ電圧との差分と同じとする。

ここで、書込みトランジスタ２３およびスイッチングトランジスタ２５，２６がＮチャネル型であるため、書込み走査信号ＷＳおよび第一，第二補正用走査信号ＡＺ１，ＡＺ２については、高レベル（本例では、電源電位Ｖｃｃ；以下、「“Ｈ”レベル」と記述する）の状態がアクティブ状態となり、低レベル（本例では、電源電位Ｖｃａｔｈ（ＧＮＤ）；以下、「“Ｌ”レベル」と記述する）の状態が非アクティブ状態となる。発光駆動信号ＤＳについては、発光制御トランジスタ２４がＰチャネル型であるため、“Ｌ”レベルの状態がアクティブ状態となり、“Ｈ”レベルの状態が非アクティブ状態となる。

また、図７乃至図１４の動作説明図では、発光制御トランジスタ２４およびスイッチングトランジスタ２５，２６については、図面の簡略化のために、スイッチのシンボルを用いて図示するものとする。

《前フレームの発光期間》
図６のタイミング波形図において、時刻ｔ１以前は、前のフレーム（フィールド）における有機ＥＬ素子２１の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、第一書込み走査回路４０から出力される書込み走査信号ＷＳ１、発光駆動走査回路６０から出力される発光駆動信号ＤＳおよび第一，第二補正用走査回路７０，８０から出力される第一，第二補正用走査信号ＡＺ１，ＡＺ２が共に“Ｌ”レベルにあるために、書込みトランジスタ２３およびスイッチングトランジスタ２５，２６が非導通状態（オフ状態）にあり、発光制御トランジスタ２４が導通状態（オン状態）にある。

このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設定されているために定電流源として動作する。その結果、図７に示すように、Ｖｃｃの電源から発光制御トランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２に、さらに当該駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に、先述した式（２）で与えられる一定の駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じて供給される。なお、前フレームの発光期間では、第二書込み走査回路５０から出力される制御信号ＷＳ２は“Ｈ”レベルの状態にある。

《非発光期間》
時刻ｔ１になることで、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る。そして、発光制御トランジスタ２４の導通状態において、時刻ｔ１で発光駆動信号ＤＳが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移することで、図８に示すように、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になる。これにより、有機ＥＬ素子２１への一定電流の供給が遮断されるために有機ＥＬ素子２１が消光し、現フレームの非発光期間に入る。

＜閾値補正準備期間＞
続いて、現フレームの非発光期間において、時刻ｔ２で第一，第二補正用走査信号ＡＺ１，ＡＺ２が“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移することで、図９に示すように、スイッチングトランジスタ２５，２６が導通状態になる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極にはスイッチングトランジスタ２５を介して基準電位Ｖｏｆｓが印加され、駆動トランジスタ２２のソース電極にはスイッチングトランジスタ２６を介して電源電位Ｖｓｓが印加される。

すなわち、スイッチングトランジスタ２５，２６が導通状態になることで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書込みに先立って、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓが電源電位Ｖｓｓにそれぞれ初期化される。駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの初期化に当たっては、スイッチングトランジスタ２５，２６が導通状態になるのは必ずしも同時である必要はなく、どちらかが先に導通状態になってもよい。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを電源電位Ｖｓｓにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する期間（ｔ２−ｔ４）が、後述する閾値補正処理を行うに際しての準備期間理である。そして、基準電位Ｖｏｆｓおよび電源電位Ｖｓｓが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの各初期化電位となる。

＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ３で制御信号ＷＳ２が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、次いで、時刻ｔ４で第二補正用走査信号ＡＺ２が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、スイッチングトランジスタ２６が非導通状態になり、続いて、時刻ｔ５で発光駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、発光制御トランジスタ２４が導通状態になり、当該発光制御トランジスタ２４を通してＶｃｃの電源から駆動トランジスタ２２への電流供給が開始される。

ここで、有機ＥＬ素子２１の等価回路は、図１０に示すように、ダイオード２１Ａと等価容量２１Ｂで表わされる。したがって、有機ＥＬ素子２１にかかる電圧ＶｅｌがＶｅｌ＜Ｖｃａｔｈ＋Ｖｔｈｅｌである限り、即ち有機ＥＬ素子２１のリーク電流が駆動トランジスタ２２に流れる電流よりも十分に小さい限り、駆動トランジスタ２２に流れる電流は保持容量２４と有機ＥＬ素子２１の等価容量２１Ｂを充電するために使われる。このとき、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、図１５に示すように、時間の経過とともに上昇してゆく。

そして、一定時間が経過し、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈと等しくなったところで、即ち駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧に収束したところで、駆動トランジスタ２２がカットオフし、当該駆動トランジスタ２２に電流が流れなくなる。その結果、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ、即ち閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２７に保持される。このとき、有機ＥＬ素子２１にかかる電圧Ｖｅｌは、Ｖｅｌ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔｈ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。

ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを保った状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極の初期化電位（基準電位）Ｖｏｆｓを基準として、当該初期化電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向かって駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓを変化させ、最終的に収束した駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧として保持容量２７に保持する処理を閾値補正処理と呼ぶこととする。

この閾値補正処理は、発光駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移する時刻ｔ５から、発光駆動信号ＤＳが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移する時刻ｔ６までの期間（閾値補正期間）において実行される。時刻ｔ６で発光駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルに遷移することで、図１１に示すように、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になり、Ｖｃｃの電源から駆動トランジスタ２２への電流供給が停止される。

＜信号書込期間＞
次に、時刻ｔ７で第一補正用走査信号ＡＺ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、スイッチングトランジスタ２５が非導通状態になり、次いで、時刻ｔ８で書込み走査信号ＷＳ１が“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移することで、図１２に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態になる。

ここで、時刻ｔ８以前に、信号出力回路９０から信号線３６に対して、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが供給されている。したがって、時刻ｔ８で書込みトランジスタ２３が導通状態になったときに、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが書込みトランジスタ２３によって画素内に書き込まれる。この映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇになる。

この信号電圧Ｖｓｉｇは保持容量２７に保持される。このとき、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖｓｉｇの書込み時の駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの振幅に対して、保持容量２７と有機ＥＬ素子２１との容量カップリングによって上昇する。

ここで、図１２に示すように、有機ＥＬ素子２１の等価容量２１Ｂの容量値をＣｅｌ、保持容量２７の容量値をＣｓ、駆動トランジスタ２２の寄生容量の容量値をＣｐとすると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、これら容量値Ｃｅｌ，Ｃｓ，Ｃｐによって次式（３）のように決定される。
Ｖｇｓ＝｛Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃｓ＋Ｃｐ）｝
・（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）＋Ｖｔｈ ……（３）

また、書込みトランジスタ２３によって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇは、保持容量２７に保持されている閾値電圧Ｖｔｈに足し込まれる形で当該保持容量２７に保持される。このとき、有機ＥＬ素子２１の等価容量２１Ｂの容量値Ｃｅｌが、保持容量２７の容量値Ｃｓおよび駆動トランジスタ２２の寄生容量の容量値Ｃｐに比べて大きく、映像信号の書込みゲイン（映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する保持容量２７の保持電圧の比率）が１（理想値）であると仮定すると、保持容量２７の保持電圧は、Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈとなる。ここで、理解を容易にするために、Ｖｏｆｓ＝０Ｖとすると、ゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ＋Ｖｔｈとなる。

このように、保持容量２７にあらかじめ駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持しておくことで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む際に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化を補正（キャンセル）することが可能になる。すなわち、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２７に保持した閾値電圧Ｖｔｈと相殺される、換言すれば、閾値電圧Ｖｔｈの補正が行われる。

この駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの補正処理により、画素ごとに閾値電圧Ｖｔｈにばらつきや経時変化があったとしても、駆動トランジスタ２２による有機ＥＬ素子２１の駆動に対する閾値電圧Ｖｔｈの影響をキャンセルすることができる。その結果、閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。

＜移動度補正期間＞
その後、書込みトランジスタ２３の導通状態において、時刻ｔ９で発光駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。これにより、図１３に示すように、Ｖｃｃの電源から駆動トランジスタ２２への電流供給が開始される。

このとき、有機ＥＬ素子２１にかかる電圧ＶｅｌがＶｃａｔｈ＋Ｖｔｈｅｌを越えず、有機ＥＬ素子２１が逆バイアス状態にあれば、即ち有機ＥＬ素子２１のリーク電流が駆動トランジスタ２２に流れる電流よりも十分に小さければ、駆動トランジスタ２２に流れる電流は保持容量２４と有機ＥＬ素子２１の等価容量２１Ｂを充電するために使われる。

そして、有機ＥＬ素子２１の等価容量２１Ｂが充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきは補正されている。したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存した（反映した）ものとなる。

具体的に言うと、図１６に示すように、移動度μが大きいトランジスタは、当該トランジスタに流れ電流量も大きく、したがってソース電位Ｖｓの上昇が早くなる。逆に、移動度μが小さいトランジスタは、当該トランジスタに流れ電流量も小さく、したがってソース電位Ｖｓの上昇が遅くなる。

駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶｓは、保持容量２７に保持されているゲート−ソース間電圧Ｖｇｓから差し引かれるように、換言すれば、保持容量２７の充電電荷を放電するように作用することになるために、負帰還をかけられたことになる。すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶｓは負帰還の帰還量となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ−ΔＶｓ＋Ｖｔｈとなる。

このように、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）を当該駆動トランジスタ２２のゲート入力（ゲート−ソース間の電位差）に負帰還することで、各画素２０における駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきを補正することが可能になる。

図６において、書込み走査信号ＷＳ１のアクティブ期間（“Ｈ”レベル期間）と発光駆動信号ＤＳのアクティブ期間（“Ｌ”レベル期間）とがオーバーラップする期間（ｔ９−ｔ１０の期間）、即ち書込みトランジスタ２３と発光制御トランジスタ２４とが共に導通状態となるオーバーラップ期間が移動度補正期間となる。

ここで、移動度μが相対的に高い駆動トランジスタと移動度μが相対的に低い駆動トランジスタとを考えた場合、この移動度補正期間に移動度μが高い駆動トランジスタは、移動度μが低い駆動トランジスタに対してソース電位Ｖｓが大きく上昇する。また、ソース電位Ｖｓが大きく上昇するほど、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが小さくなり、電流が流れにくくなる。

つまり、移動度補正期間を調整することで、移動度μの違う駆動トランジスタ２２で同じドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを流すことができる。この移動度補正期間で決めた駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを保持容量２７で維持して、当該ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）を駆動トランジスタ２２が有機ＥＬ素子２１に流すことによって当該有機ＥＬ素子２１が発光する。

《現フレームの発光期間》
時刻ｔ１０で書込み走査信号ＷＳ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、書込みトランジスタ２３が非導通状態になることにより、信号電圧Ｖｓｉｇの書込みおよび移動度補正の各処理が終了し、現フレームの発光期間に入る。この発光期間では、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるため、図１４に示すように、駆動トランジスタ２２は一定の電流Ｉｄｓ´を有機ＥＬ素子２１に流す。これにより、有機ＥＬ素子２１に係る電圧Ｖｅｌが有機ＥＬ素子２１にＩｄｓ´という電流が流れるまで上昇するために、有機ＥＬ素子２１が発光する。

また、書込みトランジスタ２３が非導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３６（３６−１〜３６−ｎ）から切り離されてフローティング状態にあるために、保持容量２７によるブートストラップ動作により、ソース電位Ｖｓの上昇によってゲート電位Ｖｇもソース電位Ｖｓに連動して上昇する。

このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極の寄生容量をＣｇとすると、ゲート電位Ｖｇの上昇分ΔＶｇは次式（４）で表される。
ΔＶｇ＝ΔＶｓ×｛Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｇ）｝ ……（４）
その間、保持容量２７に保持されたゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ−ΔＶｓ＋Ｖｔｈの値を維持する。

そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に伴って、有機ＥＬ素子２１にかかる電圧ＶｅｌがＶｃａｔｈ＋Ｖｔｈｅｌを越え、有機ＥＬ素子２１が順バイアス状態になると、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に対して先述した式（２）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが供給されるために、有機ＥＬ素子２１は実際に発光を開始する。

このときのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの関係は、先述した式（２）のＶｇｓにＶｓｉｇ−ΔＶｓ＋Ｖｔｈを代入することで、次式（５）で与えられる。
Ｉｄｓ＝ｋμ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）²
＝ｋμ（Ｖｓｉｇ−ΔＶｓ）² ……（５）
上記の式（５）において、ｋ＝（１／２）（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘである。

この式（５）から明らかなように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しないことが分かる。

基本的に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによって決まる。換言すると、有機ＥＬ素子２１は、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光する。

また、書込み走査信号ＷＳ１が“Ｈ”レベル（アクティブ状態）から“Ｌ”レベル（非アクティブ状態）に遷移するタイミング（時刻ｔ１０）以降の時刻ｔ１１で、制御信号ＷＳ２が“Ｌ”レベル（非アクティブ状態）から“Ｈ”レベル（アクティブ状態）に遷移する。ここでは、制御信号ＷＳ２の遷移タイミングを時刻ｔ１０よりも後の時刻ｔ１１としたが、制御信号ＷＳ２の遷移タイミングは書込み走査信号ＷＳ１の遷移タイミングと同時（ｔ１０＝ｔ１１）であっても良い。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電極に容量要素２８の一端を接続し、当該容量要素２８の他端に対して、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング以降（同時を含む）に、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移する制御信号ＷＳ２を与えるようにすることが、本発明のポイントとするところである。その作用効果の詳細については後述する。

上述したように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれる前に駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈをあらかじめ保持容量２７に保持しておくことで、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセル（補正）し、当該閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けない一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２１に流すことができるために、高画質の表示画像を得ることができる（駆動トランジスタ２２のＶｔｈ変動に対する補償機能）。

また、上記の式（５）から明らかなように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇは、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの駆動トランジスタ２２のゲート入力への負帰還によって帰還量ΔＶｓで補正されている。この帰還量ΔＶｓは、式（５）の係数部に位置する移動度μの効果を打ち消すように作用する。

したがって、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、実質的に、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇのみに依存することになる。すなわち、有機ＥＬ素子２１は、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのみならず、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、信号電圧Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光する。その結果、スジや輝度ムラのない均一な画質を得ることができる。

このように、移動度補正期間（ｔ９−ｔ１０）において、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを駆動トランジスタ２２のゲート入力へ負帰還し、その帰還量ΔＶｓによって信号電圧Ｖｓｉｇを補正することで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消し、信号電圧Ｖｓｉｇのみに依存するドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２１に流すことができるため、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきや経時変化に起因するスジや輝度ムラのない均一な画質の表示画像を得ることができる（駆動トランジスタ２２の移動度μに対する補償機能）。

ここで、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１を含む画素２０が行列状に配置されてなる有機ＥＬ表示装置１０においては、有機ＥＬ素子２１の発光時間が長くなると、当該有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が変化してしまう。それがために、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓ、即ち有機ＥＬ素子２１のアノード電極と駆動トランジスタ２２のソース電極との接続ノードＮ１１の電位も変化する。

これに対して、上記構成のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０では、駆動トランジスタ２２のゲート-ソース間に接続された保持容量２７によるブートストラップ動作によって駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定値に保たれるために、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が劣化したとしても、一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ続けるために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度の変化を抑制することができる（有機ＥＬ素子２１の特性変動に対する補償機能）。

以上は、有機ＥＬ素子２１の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタ２２の閾値補正および移動度補正の各補正機能を有するアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１０Ａの基本的な回路動作の説明である。

（第１実施形態の作用効果）
最後に、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａにおいて、駆動トランジスタ２２のゲート電極に容量要素２８の一端を接続し、当該容量要素２８の他端に対して、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング以降（同時を含む）に、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移する制御信号ＷＳ２を与える駆動法を採ることによる作用効果について説明する。

先ず、当該駆動法を採らない場合の問題点について説明する。先述した一連の回路動作の説明から明らかなように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書込みおよび移動度補正の各処理が終了し、書込みトランジスタ２３が導通状態から非導通状態に移行することで、有機ＥＬ素子２１の発光が開始される。この書込みトランジスタ２３の非導通状態への遷移時（オフ時）に、前述したように、駆動トランジスタ２２のゲート電極と書込みトランジスタ２３のゲート電極との間の寄生容量を介して駆動トランジスタ２３のゲート電極へのカップリングが発生する。

すると、このカップリングによって駆動トランジスタ２２のゲート電位が変動する。本例の場合は、書込みトランジスタ２３がオフする際に書込み走査信号ＷＳ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することから、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが下がる方向に変動する。すると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが低くなる方向に変動する。

また、前述した式（１）から明らかなように、寄生容量の容量値ＣｗｓのばらつきΔＣｗｓが書込みトランジスタのオフ時のカップリング量ΔＶのばらつきとなる。そして、寄生容量の容量値ＣｗｓのばらつきΔＣｗｓによって駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓにばらつきが生じてしまい、発光輝度のばらつきの原因となる。

この現象の対策として、書込み走査信号ＷＳ１の振幅を低減して書込みトランジスタ２３のオフ時のカップリング量ΔＶを減らすという方法を採るのではなく、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａでは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に容量要素２８の一端を接続し、当該容量要素２８の他端に対して、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング以降（同時を含む）に、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移する制御信号ＷＳ２を与える駆動法を採っている。

このように、容量要素２８の他端に与えられる制御信号ＷＳ２が、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング以降に、“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移することで、その遷移の際に、駆動トランジスタ２２のゲート電極に容量要素２８を介してカップリングが発生する。この容量要素２８によるカップリングは、書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングと逆極性である。

この容量要素２８によるカップリングにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇは、寄生容量によるカップリングのときと逆方向に変動する。本例の場合は、制御信号ＷＳ２が“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移するために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが上がる方向に変動する。すると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高くなる方向に変動する。

その結果、容量要素２８によるカップリングは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対して、寄生容量によるカップリングに起因する変動分を小さくするように作用する。そして、書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変動分が小さくなることで、書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきに起因する発光輝度のばらつきが抑制される。

特に、本実施形態に係る容量要素２８は単純に容量要素ではなく、図４に示すように、図３に示す書込みトランジスタ２３の駆動トランジスタ２２側の構成と同じ構成となっており、そのチャネル長方向についても書込みトランジスタ２３と同じ方向となっており、また、制御信号ＷＳ２の振幅についても、書込み走査信号ＷＳ１の振幅、即ち書込みトランジスタ２３による書込み動作終了前後のオン電圧とオフ電圧との差分と同じとなっていることから、次のような特有の作用効果を得ることができる。

一般的に、プロセスのばらつき量は、２つの素子の距離が近ければ小さいという傾向があるため、書込みトランジスタ２３と容量要素（本例では、書込みトランジスタ２３の駆動トランジスタ２２側の構成と同じ構成の素子）２８とを近い距離でレイアウトすることで、線幅のばらつきや膜厚のばらつき、さらには合わせズレといったプロセスのばらつきが２つの素子間でほぼ同じ傾向を持つ。

これにより、書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変動分が、容量要素２８によるカップリングに起因する変動分で殆どキャンセルされる。その結果、書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきによる駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓのばらつきを抑えることができるために、発光輝度のばらつきが抑制され、ムラのない均一な画質を得ることができる。

なお、本実施形態では、制御信号ＷＳ２が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移する立下がり動作を閾値補正準備期間（ｔ２−ｔ４）で行うとしたが、この立下がりのタイミングについては閾値補正準備期間に限られるものではなく、移動度補正期間が終了するよりも前のタイミングであればよい。

また、本実施形態では、書込みトランジスタ２３がアモルファスシリコンＴＦＴの場合を例に挙げて説明したが、低温ポリシリコンＴＦＴの場合においても、書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタ２３のオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきの問題は存在することから、書込みトランジスタ２３が低温ポリシリコンＴＦＴの場合にも本発明の適用が可能である。

［第２実施形態］
図１７は、本発明の第２実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付して示している。本実施形態でも、一例として、有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂにおいて、画素２０、画素アレイ部３０、第一書込み走査回路４０、発光駆動走査回路６０、第一，第二補正用走査回路７０，８０および信号出力回路９０の構成およびその動作については、基本的に、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの場合と同じである。

そして、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂでは、第一書込み走査回路４０から出力される書込み信号ＷＳ１（ＷＳ１１〜ＷＳ１ｍ）を基に、第１実施形態の場合の制御信号ＷＳ２（ＷＳ２１〜ＷＳ２ｍ）を生成し、制御線３２（３２−１〜３２−ｎ）を介して容量要素２８（図２参照）の他端に与える構成を採っている。

より具体的には、一例として、第一書込み走査回路４０から出力される書込み信号ＷＳ１（ＷＳ１１〜ＷＳ１ｍ）をインバータ回路４１の各インバータによって極性反転して、第１実施形態の場合の制御信号ＷＳ２（ＷＳ２１〜ＷＳ２ｍ）とし、制御線３２（３２−１〜３２−ｎ）を介して容量要素２８（図２参照）の他端に与えるようにしている。すなわち、インバータ回路４１は、書込み信号ＷＳ１を基に制御信号ＷＳ２を生成する第二書込み走査回路５０に相当する。

かかる構成を採る本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂにおいても、図１８のタイミング波形図に示すように、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング（時刻ｔ１０）に、制御信号ＷＳ２を“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移させることにより、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの場合と同様の作用効果を得ることができる、即ち書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変動を抑え、書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきに起因する発光輝度のばらつきを抑制することができる。

特に、容量要素２８として、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの場合と同様に、書込みトランジスタ２３の駆動トランジスタ２２側の構成と同じ構成で、そのチャネル長方向についても書込みトランジスタ２３と同じ方向となっている素子を用いることにより、制御信号ＷＳ２の振幅が書込み走査信号ＷＳ１の振幅と同じであることから、書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変動分を、容量要素２８によるカップリングに起因する変動分で殆どキャンセルできる。その結果、発光輝度のばらつきを殆ど無くすことができるために、ムラのない均一な画質を得ることができる。

加えて、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｂでは、第一書込み走査回路４０から出力される書込み信号ＷＳ１（ＷＳ１１〜ＷＳ１ｍ）を極性反転して、容量要素２８の他端に与える制御信号ＷＳ２（ＷＳ２１〜ＷＳ２ｍ）を生成する構成を採っていることで、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａにおける第二書込み走査回路５０に代えてインバータ回路４１を用いるだけで済むために、第二書込み走査回路５０を用いる場合に比べて画素アレイ部３０の周辺回路の回路構成を簡略化できる利点がある。

［第３実施形態］
図１９は、本発明の第３実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図であり、図中、図１および図２と同等部分には同一符号を付して示している。本実施形態でも、一例として、有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。

図１３から明らかなように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ｃにおいて、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａと異なる点は、画素２０の容量要素２８に代えてダミートランジスタ２９を用いている点であり、それ以外の構成については第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０Ａの場合と基本的に同じである。

ダミートランジスタ２９は、図３に示す書込みトランジスタ２３と同じ構成となっており、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、ゲート電極が制御線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続され、他方の電極が電気的にフローティング状態になっている。このダミートランジスタ２９も、書込みトランジスタ２３と同じように駆動トランジスタ２２のゲート電極との間に寄生容量を持つ。ダミートランジスタ２９の寄生容量は、第１実施形態における容量要素２８に相当する。

本実施形態においても、ダミートランジスタ２９を、書込みトランジスタ２３に対して、距離的に近く、さらにチャネル長方向が同じ方向になるようにレイアウトすることで、プロセスのばらつきによる書込みトランジスタ２３の寄生容量のばらつきとダミートランジスタ２９の寄生容量のばらつきは同じ傾向を持つ。

そして、制御信号ＷＳ２の振幅を書込み走査信号ＷＳ１の振幅と同じに設定するとともに、図２０のタイミング波形図に示すように、書込み走査信号ＷＳ１の“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへの遷移タイミング（時刻ｔ１０）以降（同時を含む）に、制御信号ＷＳ２を“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移させることで、書込みトランジスタ２３のオフ時の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変動分を、ダミートランジスタ２９の寄生容量によるカップリングに起因する変動分で殆どキャンセルできる。その結果、発光輝度のばらつきを殆ど無くすことができるために、ムラのない均一な画質を得ることができる。

なお、本実施形態では、図６のタイミング波形図と図２０のタイミング波形図との対比から明らかなように、ダミートランジスタ２９の駆動に際してのタイミング関係を第１実施形態の場合のタイミング関係と同じとしたが、これは一例に過ぎず、例えば、第２実施形態の場合と同様に、第一書込み走査回路４０から出力される書込み信号ＷＳ１を極性反転して、ダミートランジスタ２９のゲート電極に与える制御信号ＷＳ２として用いることも可能である。

［変形例］
上記各実施形態では、駆動トランジスタ２２、書込み（サンプリング）トランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、スイッチングトランジスタ２５，２６および保持容量２７を有する画素構成の画素２０を有する有機ＥＬ表示装置１０に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。

すなわち、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３を少なくとも含む構成の画素や、有機ＥＬ素子２１の容量不足を補うために当該有機ＥＬ素子２１のアノード電極に一端が接続される補助容量を含む構成の画素等を有する有機ＥＬ表示装置全般に対して適用可能である。

また、上記各実施形態では、画素２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。

［適用例］
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図２１〜図２５に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、先述した各実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、書込みトランジスタの寄生容量のばらつきに起因する書込みトランジスタのオフ時のカップリングによる発光輝度のばらつきを抑制し、ムラのない均一な画質を得ることができるために、各種の電子機器において、高画質の表示画像を得ることができる。

なお、本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。

以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。

図２１は、本発明が適用されるテレビジョンセットの概観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。

図２２は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。

図２３は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。

図２４は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。

図２５は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより作製される。

本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 画素（画素回路）の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。 アモルファスシリコンＴＦＴの構成の一例を示す図であり、（Ａ）はその断面図、（Ｂ）はその平面図である。 容量要素の構成の一例を示す図であり、（Ａ）はその断面図、（Ｂ）はその平面図である。 画素の断面構造の一例を示す断面図である。 第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その１）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その２）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その３）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その４）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その５）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その６）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その７）である。 本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明図（その８）である。 保持容量と有機ＥＬ素子の等価容量の充電時の駆動トランジスタのソース電位Ｖｓの変化を示す図である。 駆動トランジスタの移動度μが大きいときと小さいときの駆動トランジスタのソース電位Ｖｓの変化を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。 本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。 本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。 本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。 本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…発光制御トランジスタ、２５，２６…スイッチングトランジスタ、２７…保持容量、２８…容量要素、２９…ダミートランジスタ、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…書込み走査線、３３（３３−１〜３３−ｍ）…発光制御走査線、３４（３４−１〜３４−ｍ）…第一補正用走査線、３５（３５−１〜３５−ｍ）…第二補正用走査線、３６（３６−１〜３６−ｎ）…信号線（データ線）、４０…第一書込み走査回路、４１…インバータ回路、５０…第二書込み走査回路、６０…発光駆動走査回路、７０…第一補正用走査回路、８０…第二補正用走査回路、９０…信号出力回路、ＷＳ１（ＳＷ１１〜ＳＷ１ｍ）…書込み走査信号、ＷＳ２（ＳＷ２１〜ＳＷ２ｍ）…制御信号、ＤＳ（ＤＳ１〜ＤＳｍ）…発光駆動信号、ＡＺ１（ＡＺ１１〜ＡＺ１ｍ）…第一補正用走査信号、ＡＺ２（ＡＺ２１〜ＡＺ２ｍ）…第二補正用走査信号

Claims (9)

1. 電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続された書込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が、制御線に他端がそれぞれ接続された容量要素とを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各行を走査しつつ前記書込みトランジスタに対して書込み走査信号を与える第一書込み走査回路と、
   前記書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するタイミング以降にアクティブ状態となる制御信号を前記制御線に与える第二書込み走査回路と
   を備えた表示装置。
2. 前記容量要素は、前記書込みトランジスタの前記駆動トランジスタ側の構成と同じで、チャネル長方向も当該書込みトランジスタと同じ方向になるようにレイアウトされている
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記制御信号は、前記書込み走査信号と振幅が同じである
   請求項２記載の表示装置。
4. 前記第二書込み走査回路は、前記第一書込み走査回路から出力される前記書込み走査信号を基に前記制御信号を生成する
   請求項１記載の表示装置。
5. 前記第二書込み走査回路は、前記第一書込み走査回路から出力される前記書込み走査信号の極性を反転して前記制御信号として前記制御線に与える
   請求項４記載の表示装置。
6. 前記容量要素は、一方の電極が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、ゲート電極が前記制御線に接続され、他方の電極が電気的にフローティング状態にあるダミートランジスタの寄生容量である
   請求項１記載の表示装置。
7. 前記ダミートランジスタは、前記書込みトランジスタの構成と同じで、チャネル長方向も当該書込みトランジスタと同じ方向になるようにレイアウトされている
   請求項６記載の表示装置。
8. 電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続された書込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が、制御線に他端がそれぞれ接続された容量要素とを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部を具備する表示装置の駆動に当たって、
   前記画素アレイ部の各行を走査しつつ前記書込みトランジスタに対して書込み走査信号を与え、
   前記書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するタイミング以降にアクティブ状態となる制御信号を、前記制御線を介して前記容量要素の他端に与える
   表示装置の駆動方法。
9. 電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続された書込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が、制御線に他端がそれぞれ接続された容量要素とを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各行を走査しつつ前記書込みトランジスタに対して書込み走査信号を与える第一書込み走査回路と、
   前記書込み走査信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に遷移するタイミング以降にアクティブ状態となる制御信号を前記制御線に与える第二書込み走査回路と
   を備えた表示装置を有する電子機器。

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