JP4293262B2 - 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置、例えば、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。

有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。

有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。

ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。

このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子との動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。

また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度（以下、「駆動トランジスタの移動度」と記述する）μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なったりする（個々のトランジスタ特性にばらつきがある）。

駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。

そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正（以下、「閾値補正」と記述する）や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正（以下、「移動度補正」と記述する）の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。

このように、画素回路の各々に、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができる。

特開２００６−１３３５４２号公報

上述したように、閾値補正および移動度補正の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採る有機ＥＬ表示装置では、駆動トランジスタのゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓをそれぞれ所定の電位に固定する閾値補正準備と、駆動トランジスタのソース電位Ｖｓを十分に上昇させ、当該駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをその閾値電圧Ｖｔｈに固定する閾値補正と、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを画素内に書き込む信号書き込みと、移動度μの補正を行う移動度補正の４つの動作を画素行ごとに周期的に行うことになる（各動作の詳細については後述する）。

これら４つの動作を画素行ごとに１Ｈ（Ｈは水平走査期間／水平同期周期）の期間内で実行するとした場合、閾値補正期間および移動度補正期間として、各補正動作を確実に実行するのに十分な時間を確保するのが難しいという問題がある。特に、表示装置の高精細化に対応して画素数が年々増加する傾向にあり、それに伴って１Ｈの時間が短くなってきているために、閾値補正期間および移動度補正期間として十分な時間を確保するのが難しくなってきているのが現状である。

なお、ここでは、閾値補正および移動度補正の両補正機能を備えた有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げたが、閾値補正機能だけを備えた有機ＥＬ表示装置の場合であっても同様に、１Ｈの時間が短くなることによって閾値補正期間として確保できる時間も短くなってしまう。

閾値補正の補正期間または閾値補正および移動度補正の各補正期間として十分な時間を確保できなければ、閾値補正動作または閾値補正および移動度補正の各補正動作を確実に実行できないことになる。その結果、駆動トランジスタに流れる画素ごとの電流値のばらつきを十分に抑えることができなくなるために、先述したように、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じることによって画面のユニフォーミティが損なわれることになる。

そこで、本発明は、少なくとも閾値補正の補正期間として、その補正動作を確実に実行するのに十分な時間を確保できるようにした表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、電気光学素子と、信号線を通して与えられる入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査し、選択行ごとに前記駆動トランジスタの閾値電圧の変動に対する閾値補正を行う動作を１水平走査期間の周期で実行する駆動回路とを備えた表示装置において、補正対象画素行についての前記閾値補正の動作に先立って前記駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定の電位に固定する準備動作を、前記補正対象画素行についての１水平走査期間に入る前の複数の水平走査期間に亘って前記信号線に前記入力信号電圧が与えられない期間で実行することを特徴としている。

上記構成の表示装置および当該表示装置を用いた電子機器において、駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定の電位に固定する閾値補正準備の動作を、補正対象画素行についての１水平走査期間に入る前に実行することで、補正対象画素行の１水平走査期間内に閾値補正準備の期間を確保する必要がなくなるために、その分だけ閾値補正のための補正期間を長く設定できる。

そして、補正対象画素行についての１水平走査期間に入る前の複数の水平走査期間に亘って信号線に入力信号電圧が与えられない期間で間欠的に閾値補正準備の動作を実行することで、補正対象画素行が入力信号電圧の書き込み状態にあるときには、他の画素行が全て非書き込み状態にあり、他の画素行の各画素の保持容量が信号線に付加されることがないために、信号線の容量の増加を防止しつつ、閾値補正準備期間を十分に確保して閾値補正準備の動作を確実に行うことができる。

本発明によれば、閾値補正の補正期間としてその補正動作を確実に実行するのに十分な時間を確保できるとともとに、信号線の容量の増加を防止しつつ、閾値補正準備期間を十分に確保して閾値補正準備の動作を確実に行うことができることにより、電気光学素子の経時劣化や駆動トランジスタの特性ばらつきを十分に抑えることができるために、良好な画質の表示画像を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、画素（ＰＸＬＣ）２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部、例えば書き込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０とを有する構成となっている。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが配線され、画素列ごとに信号線３３−１〜３３−ｎが配線されている。

画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０は、アモルファスシリコンＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。

書き込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書き込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに順次走査信号ＷＳ１〜ＷＳｍを供給して画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。

電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電位Ｖｃｃｐと当該第１電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源供給線電位ＤＳ１〜ＤＳｍを電源供給線３２−１〜３２−ｍに供給する。

水平駆動回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとオフセット電圧Ｖｏｆｓのいずれか一方を適宜選択し、信号線３３−１〜３３−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して例えば行単位で一斉に書き込む。すなわち、水平駆動回路６０は、入力信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で一斉に書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。

ここで、オフセット電圧Ｖｏｆｓは、映像信号の信号電圧（以下、「入力信号電圧」、または単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇの基準となる電圧（例えば、黒レベルに相当）である。また、第２電位Ｖｉｎｉは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位である。

（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な構成例を示す回路図である。図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１を発光素子として有し、当該有機ＥＬ素子２１に加えて、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３および保持容量２４を有する構成となっている。

ここで、駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。

有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ２２は、ソース電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、ドレイン電極が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。

書き込みトランジスタ２３は、ゲート電極が走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続され、一方の電極（ソース電極／ドレイン電極）が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン電極／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。保持容量２４は、一端が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他端が駆動トランジスタ２２のソース電極（有機ＥＬ素子２１のアノード電極）に接続されている。

かかる構成の画素２０において、書き込みトランジスタ２３は、書き込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される走査信号ＷＳに応答して導通状態となることにより、信号線３３を通して水平駆動回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（入力信号電圧）Ｖｓｉｇまたはオフセット電圧Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた入力信号電圧Ｖｓｉｇまたはオフセット電圧Ｖｏｆｓは保持容量２４に保持される。

駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳが第１電位Ｖｃｃｐにあるときに、電源供給線３２から電流の供給を受けて、保持容量２４に保持された入力信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動する。

（画素構造）
図３に、画素２０の断面構造の一例を示す。図３に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３等の画素回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３が形成され、当該ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。

有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０４と、当該アノード電極２０４上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０５と、当該有機層２０５上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０６とから構成されている。

この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０８は、アノード電極２０４上にホール輸送層/ホール注入層２０５１、発光層２０５２、電子輸送層２０５３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０４を通して有機層２０５に電流が流れることで、当該有機層２０５内の発光層２０５２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。

図３に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０７を介して封止基板２０８が接着剤２０９によって接合され、当該封止基板２０８によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、表示パネル７０が形成される。

（閾値補正機能）
ここで、電源供給走査回路５０は、書き込みトランジスタ２３が導通した後で、水平駆動回路６０が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）にオフセット電圧Ｖｏｆｓを供給している間に、電源供給線３２の電位ＤＳを第１電位Ｖｃｃｐと第２電位Ｖｉｎｉとの間で切り替える。この電源供給線３２の電位ＤＳの切り替えにより、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に保持される。

保持容量２４に駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持するのは次の理由による。駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μなどのトランジスタ特性の変動がある。このトランジスタ特性の変動により、駆動トランジスタ２２に同一のゲート電位を与えても、画素ごとにドレイン・ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが変動し、発光輝度のばらつきとなって現れる。この閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきの影響をキャンセル（補正）するために、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に保持するのである。

駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの補正は次のようにして行われる。すなわち、保持容量２４にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、入力信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される、換言すれば、閾値電圧Ｖｔｈの補正が行われる。

これが閾値補正機能である。この閾値補正機能により、画素ごとに閾値電圧Ｖｔｈにばらつきや経時変化があったとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができることになる。閾値補正の原理については後で詳細に説明する。

（移動度補正機能）
図２に示した画素２０は、上述した閾値補正機能に加えて、移動度補正機能を備えている。すなわち、水平駆動回路６０が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に供給している期間で、かつ、書き込み走査回路４０から出力される走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）に応答して書き込みトランジスタ２３が導通する期間、即ち移動度補正期間において、保持容量２４に入力信号電圧Ｖｓｉｇを保持する際に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す移動度補正が行われる。この移動度補正の具体的な原理および動作については後述する。

（ブートストラップ機能）
図２に示した画素２０はさらにブートストラップ機能も備えている。すなわち、書き込み走査回路４０は、保持容量２４に入力信号電圧Ｖｓｉｇが保持された段階で走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に対する走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）の供給を解除し、書き込みトランジスタ２３を非導通状態にして駆動トランジスタ２２のゲートを信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）から電気的に切り離す。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがソース電位Ｖｓに連動して変動するために、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に維持することができる。

すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化し、これに伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、保持容量２４の作用によって駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電位Ｖｇｓが一定に保たれるために、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変わらず、したがって当該有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれる。この輝度補正のための動作がブートストラップ動作である。このブートストラップ動作により、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化しても、それに伴う輝度劣化のない画像表示が可能になる。

以上の説明から明らかなように、書き込み走査回路４０と電源供給走査回路５０は、画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で選択走査し、選択行ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する閾値補正と、駆動トランジスタ２２の移動度μの変動に対する移動度補正の各補正動作を１Ｈの周期で実行する駆動回路を構成している。

［本実施形態の特徴部分］
上述したように、閾値補正および移動度補正の各補正機能を有する有機ＥＬ表示装置１０において、本実施形態では、垂直走査によって選択される画素行（以下、「補正対象画素行」と記述する）ごとに、閾値補正および移動度補正の各補正動作を１Ｈ（Ｈは水平走査期間／水平同期周期）の周期で実行するに当たり、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓをそれぞれ所定の電位に固定する閾値補正準備の動作を、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に入力信号電圧Ｖｓｉｇが与えられない期間で実行することを特徴としている。

（有機ＥＬ表示装置の回路動作）
以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図４のタイミングチャートを基に、図５乃至図７の動作説明図を用いて説明する。なお、図５乃至図７の動作説明図では、図面の簡略化のために、書き込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１は寄生容量Ｃｅｌを持っていることから、当該寄生容量Ｃｅｌについても図示している。

図４のタイミングチャートでは、ある補正対象画素行について、時間軸を共通にして、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位（走査信号）ＷＳの変化、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳの変化、信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）の電位（Ｖｏｆｓ／Ｖｓｉｇ）の変化、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化を表している。

図４のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ８から時刻ｔ１６までの期間が、補正対象画素行についての１Ｈ期間、即ち補正対象画素行において閾値補正、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みおよび移動度補正の各動作が行われる１Ｈ期間となる。

なお、時刻ｔ８は、補正対象画素行の１行前の画素行について信号線３３の電位が入力信号電圧Ｖｓｉｇからオフセット電圧Ｖｏｆｓに切り替わるタイミングである。また、時刻ｔ１６は、補正対象画素行について信号線３３の電位が入力信号電圧Ｖｓｉｇからオフセット電圧Ｖｏｆｓに切り替わるタイミングである。

＜発光期間＞
図４のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１以前は有機ＥＬ素子２１が発光状態にある（発光期間）。この発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐ（第１電位）にあり、また、書き込みトランジスタ２３が非導通状態にある。このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設定されているために、図５（Ａ）に示すように、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して当該駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に供給され、よって有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。

＜閾値補正準備期間＞
そして、時刻ｔ１になると、線順次走査の新しいフィールドに入り、図５（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐから信号線３３のオフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉ（第２電位）に切り替わる。ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｅｌ、共通電源供給線３４の電位をＶｃａｔｈとするとき、低電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。

次に、時刻ｔ２で走査線３１の電位ＷＳが低電位ＷＳ＿Ｌから高電位ＷＳ＿Ｈに遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、水平駆動回路６０から信号線３３に対してオフセット電圧Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがオフセット電圧Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。

このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、先述した閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈと設定する必要がある。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する動作が閾値補正準備の動作である。

そして、時刻ｔ３で走査線３１の電位ＷＳが高電位ＷＳ＿Ｈから低電位ＷＳ＿Ｌに遷移することによって閾値補正準備期間が終了する。この閾値補正準備の動作は、信号線３３に入力信号電圧Ｖｓｉｇが与えられない期間、換言すれば信号線３３にオフセット電圧Ｖｏｆｓが与えられている期間、本例ではｔ２−ｔ３の期間で実行される。

以降、ｔ２−ｔ３の期間での閾値補正準備の動作と同様の閾値補正準備の動作が、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って信号線３３に入力信号電圧Ｖｓｉｇが与えられない期間（信号線３３にオフセット電圧Ｖｏｆｓが与えられている期間）において、本例ではｔ４−ｔ５およびｔ６−ｔ７の各期間で間欠的に実行されることになる。

その後、時刻ｔ８で補正対象画素行の１行前の画素行について、信号書き込みおよび移動度補正の各動作を実行するために信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓから入力信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わる。これは１行前の画素行についての動作である。したがって、補正対象画素行においては、図６（Ａ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態にある。２行以上前の画素行についても同様のことが言える。

そして、時刻ｔ９で補正対象画素行の１行前の画素行について信号線３３の電位が入力信号電圧Ｖｓｉｇからオフセット電圧Ｖｏｆｓに切り替わり、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る。

次に、時刻ｔ１０で走査線３１の電位ＷＳが再び低電位ＷＳ＿Ｌから高電位ＷＳ＿Ｈに遷移すると、図６（Ｂ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態になる。この時刻ｔ１０から時刻ｔ１１までの期間では、走査線３１の電位ＷＳ、電源供給線３２の電位ＤＳおよび信号線３３の電位（Ｖｏｆｓ）がｔ２−ｔ３，ｔ４−ｔ５，ｔ６−ｔ７の各期間と同じ状態にある。したがって、ｔ１０−ｔ１１の期間も、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓ、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定する閾値補正準備期間となる。

＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ１１で電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、書き込みトランジスタ２３が導通状態にあるために、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。やがて、図６（Ｃ）に示すように、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈの電位まで上昇すると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈになり、当該閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に書き込まれる。

ここでは、便宜上、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に書き込む期間を閾値補正期間と呼んでいる。なお、この閾値補正期間において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。

次に、時刻ｔ１２で走査線３１の電位ＷＳが高電位ＷＳ＿Ｈから低電位ＷＳ＿Ｌに切り替わることで、図７（Ａ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲートがフローティング状態になるが、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。

＜書き込み期間／移動度補正期間＞
次に、時刻ｔ１３で信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わり、次いで、時刻ｔ１４で走査線３１の電位ＷＳが低電位ＷＳ＿Ｌから高電位ＷＳ＿Ｈに切り替わることで、図７（Ｂ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。

この書き込みトランジスタ２３による入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが入力信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、入力信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺されることによって閾値補正が行われる。

このとき、有機ＥＬ素子２１は始めカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にあるために、入力信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は有機ＥＬ素子２１の寄生容量Ｃｅｌに流れ込み、よって当該寄生容量Ｃｅｌの充電が開始される。

寄生容量Ｃｅｌの充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきは補正されており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。

やがて、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇すると、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。すなわち、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。

このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを当該駆動トランジスタ２２のゲート入力に、即ちゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還することにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。

より具体的には、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量（補正量）ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。また、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。

＜発光期間＞
次に、時刻ｔ１５で走査線３１の電位ＷＳが高電位ＷＳ＿Ｈから低電位ＷＳ＿Ｌに切り替わることで、図７（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲートは信号線３３から切り離される。これと同時に、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電位はドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じて上昇する。

有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。このとき、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ１６で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇからオフセット電圧Ｖｏｆｓに切り替わる。

（閾値補正の原理）
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値補正の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）² ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。

図８に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になるのに対し、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。

これに対し、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶであるために、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）²
……（２）
で表される。

すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動しても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も変動しない。

（移動度補正の原理）
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図９に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。

画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの入力信号電圧Ｖｓｉｇを書き込んだ場合に、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれることになる。

ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図９に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｖの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。そこで、移動度補正動作によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになるために、移動度μのばらつきを抑制することができる。

具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μのばらつきが補正される。

以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化され、その結果、移動度μのばらつきを補正することができる。

ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位（サンプリング電位）Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図１０を用いて説明する。

図１０において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合を、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合を、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図１０（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。

これに対して、閾値補正のみを行った場合は、図１０（Ｂ）に示すように、当該閾値補正によってドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。

そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図１０（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができるため、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。

（本実施形態の作用効果）
上述したように、閾値補正および移動度補正の各補正機能を有する有機ＥＬ表示装置１０において、補正対象画素行ごとに、閾値補正および移動度補正の各補正動作を１Ｈの周期で実行するに当たり、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓをそれぞれ所定の電位に、例えばゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定する閾値補正準備の動作を、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行することにより、補正対象画素行の１Ｈ期間内に閾値補正準備期間を確保する必要がなくなる分だけ閾値補正および移動度補正の各補正期間を長く設定できる。

これにより、閾値補正および移動度補正の各補正期間として、各補正動作を確実に実行するのに十分な時間を確保することができるために、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化に起因する駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μなどのトランジスタ特性の画素ごとのばらつきや、有機ＥＬ素子２１の経時劣化を十分に抑えることができるために、ムラやシェーディングのない均一な画質の表示画像を得ることができる。

特に、閾値補正準備の動作を補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行する駆動は、次のような表示装置の駆動に用いて最適である。

一例として、細かい地図や文字を表示する携帯電話機等のモバイル機器に搭載される表示装置として、高精細な表示装置の需要が高まってきている。そして、表示装置を高精細化していくと、それに伴って水平走査期間（１Ｈ）が縮まるために、閾値補正および移動度補正の各補正時間を十分に確保できなくなってくる。

このように、表示装置の高精細化に対応して画素数が増加し、それに伴って１Ｈの時間が高精細化を図る前よりも短くなった有機ＥＬ表示装置であっても、閾値補正準備の動作を補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行する駆動法を用いて、閾値補正および移動度補正の各補正期間として十分な時間を確保することにより、有機ＥＬ素子２１の経時劣化や、駆動トランジスタ２２の特性ばらつきを抑えることができるために、良好な画質の表示画像を得ることができる。

さらに、低コスト化を目的として、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）のような移動度μの小さなトランジスタを用いた画素２０を有する有機ＥＬ表示装置においても、閾値補正準備の動作を補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行する駆動法を用いて、閾値補正および移動度補正の各補正期間として十分な時間を確保することにより、有機ＥＬ素子２１の経時劣化や、駆動トランジスタ２２の特性ばらつきを抑えることができるために、良好な画質の表示画像を得ることができる。

ところで、閾値補正準備の動作を補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行する場合、当該１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って連続的に、上記の例では、図４の時刻ｔ２から時刻ｔ７の期間において連続的に閾値補正準備の動作を実行することが考えられる。しかしながら、この場合、次のような不具合が発生する。

すなわち、ａ−Ｓｉ等の移動度μが小さなトランジスタを用いた画素回路では、駆動トランジスタ２２の流せる電流量が少ないために、閾値補正準備期間において駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉに固定されるのに時間がかかる。そのため、ａ−Ｓｉ等の移動度μが小さなトランジスタを用いた画素回路において、閾値補正準備期間として非常に長い時間を設定する必要がある。

これにより、閾値補正の準備として、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定することが可能であるが、図１１に示すように、信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）において、同一タイミングで走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）が高電位ＷＳ＿Ｈの状態（以下、「ＯＮ状態」と記述する）である画素が多数存在することとなる。これを模式図的に示したのが図１２である。

このように、閾値補正準備期間を長時間とった場合、同一信号線上で走査線３１の電位ＷＳがＯＮ状態である画素が多数存在することとなり、その結果、各画素２０の保持容量２４が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）の容量に付加されることとなる。これにより、信号線３３の容量が増加し、信号線３３のトランジェントが増加するために、信号線３３に印加される入力信号電圧Ｖｓｉｇの立ち上がり波形／立ち下がり波形がなまる。

特に、１Ｈ期間が短い高精細化の表示装置においては、閾値補正準備期間に必要な時間は１Ｈ期間が長い表示装置と変わらないために、同一信号線上に走査線３１の電位ＷＳがＯＮ状態である画素が多数存在することとなり、信号線３３の容量が大きく増加するために、入力信号電圧Ｖｓｉｇの波形なまりが悪化する。

例えば、入力信号電圧Ｖｓｉｇの立ち上がりの波形なまりが悪化すると、入力信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むと同時に移動度補正を行う場合、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みが不十分な状態で移動度補正が開始されることになるために、画素間で移動度補正にばらつきが生じ、画質を悪化させることになる。

これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、閾値補正準備の動作を、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って連続的に実行するのではなく、特に図４のタイミングチャートから明らかなように、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが与えられない期間、換言すれば信号線３３にオフセット電圧Ｖｏｆｓが与えられている期間で間欠的に実行する構成を採っている。

このように、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って、信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓにあるときに（信号線３３に入力信号電圧Ｖｓｉｇが与えられていないときに）間欠的に閾値補正準備の動作を行うことにより、図１３に示すように、補正対象画素行の信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに遷移するときには、他の画素行の走査線３１の電位ＷＳがすべて低電位ＷＳ＿Ｌの状態（ＯＦＦ状態）にある、即ち補正対象画素行が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み状態にあるときには、他の画素行が全て非書き込み状態にあるために、複数Ｈ期間に亘って連続的に閾値補正準備の動作を実行する場合のように信号線３３の容量が増加するのを防止できる。

これにより、低コスト化を目的として、ａ−Ｓｉのような移動度μの小さなトランジスタを用いた画素２０を有する有機ＥＬ表示装置や、高精細化に対応して１Ｈ期間が短い有機ＥＬ表示装置においても、信号線３３の容量の増加を防止しつつ、閾値補正準備期間を十分に確保して閾値補正準備の動作を確実に行うことができるために、有機ＥＬ素子２１の経時劣化や、駆動トランジスタ２２の特性ばらつきを抑え、良好な画質の表示画像を得ることができる。

＜セレクタ方式の有機ＥＬ表示装置＞
上記実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、水平駆動回路６０を表示パネル７０上に実装した構成の場合を例に挙げたが、水平駆動回路６０を表示パネル７０外に設けてパネル外部から外部配線を通して表示パネル７０上の信号線３０（３０−１〜３０−ｎ）に映像信号を供給する構成を採ることも可能である。

このように、パネル外部から映像信号を入力する構成を採る場合、外部配線と信号線をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）別々に配線すると、（１９２０×１０８０）解像度のＦｕｌＨＤ(High Definition)では、外部配線として５７６０（＝１９２０×３）本の配線が必要となるために外部配線の配線数が多本数になる。

これに対して、外部配線の配線数の削減を図るために、表示パネル上の信号線を、パネル外部のドライバＩＣの１つの出力に対して複数本を単位（組）として割り当て、この複数本の信号線を時分割にて順次選択する一方、その選択した信号線に対してドライバＩＣの各出力毎に時系列で出力される映像信号を時分割で振り分けて供給することによって各信号線を駆動する、いわゆるセレクタ駆動方式（または、時分割駆動方式）が採用されている。

具体的には、セレクタ駆動方式は、ドライバＩＣの出力と表示パネル上の信号線の関係を１対ｘ（ｘは２以上の整数）の対応関係をもって設定し、ドライバＩＣの１つの出力に対して割り当てられたｘ本の信号線をｘ時分割にて選択して駆動するという駆動方式である。このセレクタ駆動方式を採用することにより、ドライバＩＣの出力数および外部配線の配線数を、信号線の本数の１／ｘに削減可能になる。

一例として、図１４に示すように、横に並んだ３つの色Ｒ，Ｇ，Ｂを単位として、これら３色に対応する映像信号Ｄａｔａ１，…，Ｄａｔａｐを１Ｈ期間内に時系列に入力する一方、３画素を単位として配置されたセレクタスイッチＳＥＬ＿Ｒ，ＳＥＬ＿Ｇ，ＳＥＬ＿Ｂを３画素単位で順にスイッチング駆動して映像信号Ｄａｔａ１，…，Ｄａｔａｐを書き込むセレクタ駆動方式を採ることにより、外部配線８０−１，…，８０−ｐの配線数ｐを信号線３３−１〜３３−ｎの本数ｎの１／ｘに削減できるメリットがある。

ところが、セレクタ駆動方式（時分割駆動方式）を採る有機ＥＬ表示装置の場合には、単位となるＲ，Ｇ，Ｂの３画素に対して１Ｈ期間内に映像信号を書き込む必要があることから、閾値補正および移動度補正の各補正時間を十分に確保するのがさらに難しくなってくる。

このように、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３画素に対して１Ｈ期間内に映像信号を書き込むセレクタ駆動方式を採る有機ＥＬ表示装置１０′において、Ｒ，Ｇ，Ｂの映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むための信号線電位書き込み期間を設ける必要があったとしても、閾値補正準備の動作を補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行する駆動法を用い、しかも、補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前の複数Ｈ期間に亘って、信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓにあるときに間欠的に閾値補正準備の動作を行うことにより、閾値補正および移動度補正の各補正期間として十分な時間を確保することができるために、有機ＥＬ素子２１の経時劣化や、駆動トランジスタ２２の特性ばらつきを抑え、良好な画質の表示画像を得ることができる。

（変形例）
上記実施形態では、閾値補正および移動度補正の両補正機能を備える有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、移動度補正機能を備えず、閾値補正機能だけを備える有機ＥＬ表示装置であっても、閾値補正準備の動作を補正対象画素行についての１Ｈ期間に入る前に実行することにより、補正対象画素行の１Ｈ期間内に閾値補正準備の動作を実行する場合に比べて閾値補正期間を長く確保することができるために、閾値補正をより確実に実行できることになる。

また、上記実施形態では、画素２０が駆動トランジスタ２２と書き込みトランジスタ２３の２つのトランジスタを有し、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間において移動度補正を構成の有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られものではなく、例えば特許文献１に記載されているように、駆動トランジスタ２２に直接に接続されたスイッチングトランジスタをさらに有し、当該スイッチングトランジスタによって有機ＥＬ素子２１の発光／非発光の制御を行うとともに、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みに先立って移動度補正を行う構成の有機ＥＬ表示装置に対しても同様に適用することができる。

ただし、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の場合のように、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間において移動度補正を行う構成を採った方が、移動度補正期間とは別に信号書き込み期間を確保する必要がなく、その分だけ閾値補正および移動度補正の各補正期間を長く設定できる利点がある。

また、上記実施形態では、画素回路２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。

［適用例］
以上説明した本発明に係る表示装置は、一例として、図１５〜図１９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

なお、本発明に係る表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。

図１５は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。

図１６は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１７は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１８は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１９は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 画素（画素回路）の具体的な構成例を示す回路図である。 画素の断面構造の一例を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明に供するタイミングチャートである。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その１）である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その２）である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その３）である。 駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。 駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。 閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。 閾値補正準備の動作を複数Ｈ期間に亘って連続的に実行する場合の動作説明に供するタイミングチャートである。 閾値補正準備の動作を複数Ｈ期間に亘って連続的に実行するときを模式図的に示した図である。 閾値補正準備の動作を複数Ｈ期間に亘って、信号線の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓにあるときに間欠的に実行する場合の動作説明に供するタイミングチャートである。 セレクタ駆動方式を採る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。 本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。 本発明が適用される携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１０，１０′…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書き込みトランジスタ、２４…保持容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書き込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…水平駆動回路、７０…表示パネル

Claims (5)

1. 電気光学素子と、信号線を通して与えられる入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査し、選択行ごとに前記駆動トランジスタの閾値電圧の変動に対する閾値補正を行う動作を１水平走査期間の周期で実行する駆動回路とを備え、
   前記駆動回路は、補正対象画素行についての前記閾値補正の動作に先立って前記駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定の電位に固定する準備動作を、前記補正対象画素行についての１水平走査期間に入る前の複数の水平走査期間に亘って前記信号線に前記入力信号電圧が与えられない期間で実行する
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記駆動回路は、前記補正対象画素行の１水平走査期間内において、前記閾値補正の動作後に前記駆動トランジスタの移動度の変動に対する移動度補正を行なう動作を実行する
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記駆動回路は、前記書き込みトランジスタによる前記入力信号電圧の書き込み期間において前記移動度補正の動作を実行する
   ことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
4. 電気光学素子と、信号線を通して与えられる入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査し、選択行ごとに前記駆動トランジスタの閾値電圧の変動に対する閾値補正を行う動作を１水平走査期間の周期で実行する駆動回路とを備えた表示装置の駆動方法であって、
   補正対象画素行についての前記閾値補正の動作に先立って前記駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定の電位に固定する準備動作を、前記補正対象画素行についての１水平走査期間に入る前の複数の水平走査期間に亘って前記信号線に前記入力信号電圧が与えられない期間で実行する
   ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
5. 電気光学素子と、信号線を通して与えられる入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査し、選択行ごとに前記駆動トランジスタの閾値電圧の変動に対する閾値補正を行う動作を１水平走査期間の周期で実行するとともに、補正対象画素行についての前記閾値補正の動作に先立って前記駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定の電位に固定する準備動作を、前記補正対象画素行についての１水平走査期間に入る前の複数の水平走査期間に亘って前記信号線に前記入力信号電圧が与えられない期間で実行する駆動回路と
   を備えた表示装置を有することを特徴とする電子機器。

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