TWI393098B - A display device, a driving method of a display device, and an electronic device - Google Patents

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Tetsuro Yamamoto
Katsuhide Uchino
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Sony Corp
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Description

顯示裝置、顯示裝置之驅動方法及電子機器
本發明係關於一種顯示裝置、顯示裝置之驅動方法及電子機器，尤有關於一種包含光電元件之像素配置成行列狀(矩陣狀)而成之平面型(平面面板型)之顯示裝置、該顯示裝置之驅動方法及具有該顯示裝置之電子機器。
近年來，在進行圖像顯示之顯示裝置之領域中，係開發一種包含發光元件之像素(像素電路)配置成行列狀而成之平面型之顯示裝置，例如使用依據流通於器件(device)之電流值而使發光亮度變化之所謂電流驅動型之光電元件，例如利用將電場施加於有機薄膜就會發光之現象之有機EL(Electro Luminescence，電致發光)元件而作為像素之發光元件之有機EL顯示裝置，且已進行商品化。
有機EL顯示裝置具有以下之特長。亦即，由於有機EL元件可藉由10 V以下之施加電壓來驅動，故為低消耗電力，此外由於為自發光元件，故相較於依包含液晶晶元(cell)之像素藉由以該液晶晶元控制來自光源(背光源(backlight))之光強度而顯示圖像之液晶顯示裝置，圖像之視認性較高，而且不需要在液晶顯示裝置中所必須之背光源等之照明構件，因此輕量化及薄型化容易。再者，由於有機EL元件之響應速度非常高速度到數μsec左右，因此不會產生動畫顯示時之殘影。
在有機EL顯示裝置中，係與液晶顯示裝置同樣，可採用 單純(被動(passive))矩陣(matrix)方式與主動(active)矩陣方式作為其驅動方式。惟單純矩陣方式之顯示裝置雖然結構簡單，然而有大型且難以實現高精細之顯示裝置等之問題。因此，近年來，盛行開發一種將流通於光電元件之電流，藉由設於與該光電元件相同之像素電路內之主動元件，例如絕緣閘極型場效電晶體(一般而言係為TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體))來進行控制之主動矩陣方式之顯示裝置。
然而，一般而言，已知有機EL元件之I－V特性(電流－電壓特性)係隨時間經過就會劣化(所謂經時劣化)。在使用N通道型TFT作為電流驅動有機EL元件之電晶體(以下稱「驅動電晶體」)之像素電路中，係由於將有機EL元件連接於驅動電晶體之源極側，因此若有機EL元件之I－V特性經時劣化，則驅動電晶體之閘極－源極間電壓Vgs就會變化，其結果，有機EL元件之發光亮度亦變化。
茲更具體說明此情形。驅動電晶體之源極電位係以該驅動電晶體與有機EL元件之動作點來決定。再者，若有機EL元件之I－V特性劣化，則驅動電晶體與有機EL元件之動作點就會變動，因此即使施加相同電壓至驅動電晶體之閘極，驅動電晶體之源極電位亦會變化。藉此，由於驅動電晶體之源極－閘極間電壓Vgs變化，因此流通於該驅動電晶體之電流值即變化。其結果，由於流通於有機EL元件之電流值亦變化，因此使有機EL元件之發光亮度變化。
此外，在使用多晶矽TFT之像素電路中，除了有機EL元 件之I－V特性之經時劣化外，再加上驅動電晶體之臨限電壓Vth、或構成驅動電晶體之通道之半導體薄膜之遷移率(以下稱「驅動電晶體之遷移率」μ亦會經時變化，或由於製造過程之偏差而使臨限電壓Vth或遷移率μ依每像素而有不同(各個電晶體特性有偏差)。
若驅動電晶體之臨限電壓Vth或遷移率μ依每像素而不同，則於依每像素流通於驅動電晶體之電流值產生偏差，因此即使施加相同電壓至驅動電晶體之閘極，於有機EL元件之發光亮度亦會在像素間產生偏差，其結果即損害畫面之均勻性(uniformity)。
因此，為了即使有機EL元件之I－V特性經時劣化，或驅動電晶體之臨限電壓Vth或遷移率μ經時變化，亦不會受到該等影響而將有機EL元件之發光亮度保持為一定，故採用使各個像素電路具有對於有機EL元件之特性變動之補償功能、更進一步係對於驅動電晶體之臨限電壓Vth之變動之校正(以下稱「臨限值校正」)、或對於驅動電晶體之遷移率μ之變動之校正(以下稱「遷移率校正」)之各校正功能之構成(例如參照專利文獻1)。
如此，藉由使各個像素電路具有對於有機EL元件之特性變動之補償功能及對於驅動電晶體之臨限電壓Vth或遷移率μ之變動之校正功能，即使有機EL元件之I－V特性經時劣化，或驅動電晶體之臨限電壓Vth或遷移率μ經時變化，亦不會受到該等影響，而可將有機EL元件之發光亮度保持為一定。
[專利文獻1]日本特開2006－133542號公報
如上述所示，在採用使各個像素電路具有臨限值校正及遷移率校正之各校正功能之構成之有機EL顯示裝置中，係要依每像素列周期性進行下列4個動作：將驅動電晶體之閘極電位Vg及源極電位Vs分別固定於特定之電位之臨限值校正準備；使驅動電晶體之源極電位Vs充分上升，且將該驅動電晶體之閘極－源極間電壓Vgs固定於其臨限電壓Vth之臨限值校正；將與亮度資訊對應之影像信號之信號電壓Vsig寫入至像素內之信號寫入；及進行遷移率μ之校正之遷移率校正(各動作之詳細內容將於後述)。
在依每像素列在1H(H係水平掃描期間/水平同步周期)之期間內執行此等4個動作之情形下，會有難以確保用以確實執行各校正動作之充分之時間以作為臨限值校正期間及遷移率校正期間之問題。尤其會有像素數與顯示裝置之高精細化對應而年年增加之傾向，且1H之時間亦隨其而變短，因此難以確保充分之時間作為臨限值校正期間及遷移率校正期間，此為現狀。
另外，在此雖係舉出具備臨限值校正及遷移率校正之兩校正功能之有機EL顯示裝置之情形為例，惟即使是僅具備臨限值校正功能之有機EL顯示裝置之情形亦同樣地會因為1H之時間變短而使可確保作為臨限值校正期間之時間亦變短。
若無法確保充分之時間作為臨限值校正之校正期間或臨限值校正及遷移率校正之各校正期間，就會無法確實地執行臨限值校正動作或臨限值校正及遷移率校正之各校正動作。其結果，就會無法充分抑制流通於驅動電晶體之各像素之電流值之偏差，因而如前所述，即使施加相同電壓至驅動電晶體之閘極，亦會於有機EL元件之發光亮度在像素間產生偏差，由此而使畫面之均勻性受到損害。
因此，本發明之目的在提供一種至少作為臨限值校正之校正期間，可確保足以確實執行其校正動作之時間之顯示裝置、該顯示裝置之驅動方法及具有該顯示裝置之電子機器。
為了達成上述目的，本發明係一種顯示裝置，其包括：像素陣列部，其係由像素配置成行列狀而成，該像素包含：光電元件；寫入電晶體，其係將透過信號線所賦予之輸入信號電壓進行取樣並寫入；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入之前述輸入信號電壓；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述輸入信號電壓而驅動前述光電元件；及驅動電路，其係以列單位選擇掃描前述像素陣列部之各像素，且以1水平掃描期間之周期執行對於各選擇列進行對於前述驅動電晶體之臨限電壓變動之臨限值校正之動作；其特徵為：在關於校正對象像素列之前述臨限值校正動作之前，使分別將前述驅動電晶體之閘極電位及源極電位固定於特定電位之準備動作遍及進入 關於前述校正對象像素列之1水平掃描期間前之複數個水平掃描期間，在未將前述輸入信號電壓賦予前述信號線之期間執行。
在上述構成之顯示裝置及使用該顯示裝置之電子機器中，藉由使分別將驅動電晶體之閘極電位及源極電位固定於特定之電位之臨限值校正準備之動作，在進入關於校正對象像素列之1水平掃描期間之前執行，即不再需要在校正對象像素列之1水平掃描期間內確保臨限值校正準備之期間，因此可隨之將供臨限值校正用之校正期間設定成較長。
再者，藉由遍及進入關於校正對象像素列之1水平掃描期間前之複數個水平掃描期間，在未將輸入信號電壓賦予信號線之期間間歇性地執行臨限值校正準備之動作，當校正對象像素列處於輸入信號電壓之寫入狀態時，由於其他像素列全部處於非寫入狀態，不會將其他像素列之各像素之保持電容附加於信號線，因此可一面防止信號線之電容增加，一面充分確保臨限值校正準備期間而確實進行臨限值校正準備之動作。
依據本發明，作為臨限值校正之校正期間可確保足以確實執行其校正動作之時間，並且可一面防止信號線之電容增加，一面充分確保臨限值校正準備期間而確實地進行臨限值校正準備之動作，藉此可充分抑制光電元件之經時劣化或驅動電晶體之特性偏差，因此可獲得良好畫質之顯示 圖像。
以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。
圖1係為表示本發明之一實施形態之主動矩陣型顯示裝置之構成之概略之系統構成圖。在此，茲舉使用依據流通於器件之電流值而使發光亮度變化之電流驅動型之光電元件，例如有機EL元件作為畫素之發光元件之主動矩陣型有機EL顯示裝置之情形為例作為一例進行說明。
如圖1所示，本實施形態之有機EL顯示裝置10係成為具有由將像素(PXLC)20作2維配置成行列狀(矩陣狀)而成之像素陣列部30、及配置於該像素陣列部30之周邊，且驅動各像素20之驅動部，例如寫入掃描電路40、電源供給掃描電路50及水平驅動電路60之構成。
在像素陣列部30係相對於m列n行之像素排列依每像素列布線有掃描線31－l~31－m與電源供給線32－l~32－m，且依每像素行布線有信號線33－l~33－n。
像素陣列部30通常係形成於玻璃基板等之透明絕緣基板上，成為平面型(flat型)之面板結構。像素陣列部30之各像素20係可使用非晶矽TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)或低溫多晶矽TFT來形成。在使用低溫多晶矽TFT之情形下，關於掃描電路40、電源供給掃描電路50及水平驅動電路60亦可安裝於用以形成像素陣列部30之顯示面板(基板)70上。
寫入掃描電路40係藉由與時脈脈衝(clock pulse)ck同步 並將啟動(start)脈衝sp依序位移(shift)(傳送)之位移暫存器(shift register)等來構成，且在對於像素陣列部30之各像素20寫入影像信號之際，係依序將掃描信號WSl~WSm供給至掃描線31－l~31－m並以列單位按順序將像素20進行掃描(線依序掃描)。
電源供給掃描電路50係藉由與時脈脈衝ck同步並將啟動脈衝sp依序位移之位移暫存器等來構成，且與藉由寫入掃描電路40之線依序掃描同步，並將在第1電位Vccp與較該第1電位Vccp更低之第2電位Vini切換之電源供給線電位DSl~DSm供給至電源供給線32－l~32－m。
水平驅動電路60係適當選擇與從信號供給源(未圖示)供給之亮度資訊對應之影像信號之信號電壓Vsig與偏移(offset)電壓Vofs之任一方，且經由信號線33－l~33－n而對於像素陣列部30之各像素20例如以列單位一併寫入。亦即，水平驅動電路60係採用以列(線)單位將輸入信號電壓Vsig一併寫入之線依序寫入之驅動形態。
在此，偏移電壓Vofs係為作為影像信號之信號電壓(以下亦有稱「輸入信號電壓」、或僅稱「信號電壓」之情形)Vsig之基準之電壓(例如相當於黑位準)。此外，第2電位Vini係遠較偏移電壓Vofs更低之電位。
(像素電路) 圖2係為表示像素(像素電路)20之具體之構成例之電路圖。如圖2所示，像素20係具有依據流通於器件之電流值而使發光亮度變化之電流驅動型之光電元件，例如有機EL 元件21作為發光元件，且成為除該有機EL元件21之外，另具有驅動電晶體22、寫入電晶體23及保持電容24之構成。
在此係使用N通道型TFT作為驅動電晶體22及寫入電晶體23。惟在此之驅動電晶體22及寫入電晶體23之導電型之組合僅只是一例，而不應以此等組合為限。
有機EL元件21係於對於所有像素20共通布線之共通電源供給線34連接有陰極電極。驅動電晶體22係源極電極連接於有機EL元件21之陽極電極，且汲極電極連接於電源供給線32(32－l~32－m)。
寫入電晶體23係閘極電極連接於掃描線31(31－l~31－m)，且一方電極(源極電極/汲極電極)連接於信號線33(33－l~33－n)，另一方電極(汲極電極/源極電極)連接於驅動電晶體22之閘極電極。保持電容24係一端連接於驅動電晶體22之閘極電極，另一端連接於驅動電晶體22之源極電極(有機EL元件21之陽極電極)。
在此種構成之像素20中，寫入電晶體23係藉由與從寫入掃描電路40透過掃描線31施加於閘極電極之掃描信號WS響應而成為導通狀態，而將與透過信號線33從水平驅動電路60供給之亮度資訊對應之影像信號之信號電壓(輸入信號電壓)Vsig或偏移電壓Vofs進行取樣並寫入至像素20內。此所寫入之輸入信號電壓Vsig或偏移電壓Vofs係保持於保持電容24。
驅動電晶體22係於電源供給線32(32－l~32－m)之電位DS處於第1電位Vccp時，從電源供給線32接受電流之供給， 並將與保持於保持電容24之輸入信號電壓Vsig之電壓值對應之電流值之驅動電流供給至有機EL元件21，藉此將該有機EL元件21進行電流驅動。
(像素結構)
圖3係表示像素20之剖面結構之一例。如圖3所示，像素20係成為在形成有驅動電晶體22、寫入電晶體23等之像素電路之玻璃基板201上形成絕緣膜202及窗絕緣膜203，且在該窗絕緣膜203之凹部203A設有有機EL元件21之構成。
有機EL元件21係由以下所構成：陽極電極204，其由在上述窗絕緣膜203之凹部203A之底部所形成之金屬等所組成；有機層(電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層/電洞注入層)205，其形成於該陽極電極204上；及陰極電極206，其由在該有機層205上全像素共通形成之透明導電膜等組成。
在此有機EL元件21中，有機層205藉由在陽極電極204上依序堆積電洞傳輸層/電洞注入層2051、發光層2052、電子傳輸層2053及電子注入層(未圖示)而形成。再者，在藉由圖2之驅動電晶體22之電流驅動之下，藉由將電流從驅動電晶體22透過陽極電極204流通於有機層205，而在該有機層205內之發光層2052中於電子與電洞再結合之際得以發光。
如圖3所示，在形成有像素電路之玻璃基板201上，於經由絕緣膜202及窗絕緣膜203而以像素單位形成有機EL元件21之後，係經由覆層(passivation)膜207而使密封基板208 藉由接著劑209接合，且藉由該密封基板208將有機EL元件21密封，而形成顯示面板70。
(臨限值校正功能) 在此，電源供給掃描電路50係在寫入電晶體23導通之後，於水平驅動電路60將偏移電壓Vofs供給至信號線33(33－l~33－n)之間，將電源供給線32之電位DS在第1電位Vccp與第2電位Vini之間切換。藉由該電源供給線32之電位DS之切換，而使相當於驅動電晶體22之臨限電壓Vth之電壓保持於保持電容24。
之所以保持相當於驅動電晶體22之臨限電壓Vth之電壓在保持電容24之理由，係由於驅動電晶體22之製造過程之偏差或經時變化，而依每像素具有驅動電晶體22之臨限電壓Vth及遷移率μ等之電晶體特性之變動。由於該電晶體特性之變動，即使施加同一閘極電位至驅動電晶體22，汲極·源極間電流(驅動電流)Ids亦依每像素變動，而成為發光亮度之偏差而呈現。為了將該臨限電壓Vth之依每像素之偏差之影響予以消除(校正)，而將相當於臨限電壓Vth之電壓保持於保持電容24。
驅動電晶體22之臨限電壓Vth之校正係以下列方式進行。亦即，藉由預先將臨限電壓Vth保持於保持電容24，而於藉由輸入信號電壓Vsig進行驅動電晶體22之驅動之際，使該驅動電晶體22之臨限電壓Vth與相當於保持於保持電容24之臨限電壓Vth之電壓抵銷。換言之，即進行臨限電壓Vth之校正。
此即為臨限值校正功能。藉由此臨限值校正功能，即使依每像素於臨限電壓Vth有偏差或經時變化，亦不會受到該等影響，而可將有機EL元件21之發光亮度保持為一定。關於臨限值校正之原理將於後詳細說明。
(遷移率校正功能)圖2所示之像素20係除上述之臨限值校正功能之外，另包括有遷移率校正功能。亦即，在水平驅動電路60將影像信號之信號電壓Vsig供給至信號線33(33－l~33－n)之期間，且於寫入電晶體23與從寫入掃描電路40輸出之掃描信號WS(WSl~WSm)響應而導通之期間，亦即在遷移率校正期間中，於將輸入信號電壓Vsig保持於保持電容24之際，進行將對於驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids之遷移率μ之依存性加以取消之遷移率校正。關於此遷移率校正之具體之原理及動作將於後述。
(自舉(boot strap)功能)圖2所示之像素20進一步亦包括自舉功能。亦即，寫入掃描電路40係在輸入信號電壓Vsig保持於保持電容24之階段解除對於掃描線31(31－l~31－m)之掃描信號WS(WSl~WSm)之供給，且使寫入電晶體23為非導通狀態而將驅動電晶體22之閘極從信號線33(33－l~33－n)電性切離。藉此，由於驅動電晶體22之閘極電位Vg與源極電位Vs連動而變動，因此可將驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs維持為一定。
亦即，即使有機EL元件21之I－V特性經時變化，且驅動 電晶體22之源極電位Vs隨之變化，由於驅動電晶體22之閘極－源極間電位Vgs亦由於保持電容24之作用保持為一定，因此流通於有機EL元件21之電流不會變，因此該有機EL元件21之發光亮度亦保持為一定。此供亮度校正用之動作即為自舉動作。藉由此自舉動作，即使有機EL元件21之I－V特性經時變化，亦可進行不會有隨之導致之亮度劣化之圖像顯示。
由以上之說明可明瞭，寫入掃描電路40與電源供給掃描電路50係構成以列單位選擇掃描像素陣列部30之各像素20，且以1H之周期執行依選擇列對於驅動電晶體22之臨限電壓Vth之變動之臨限值校正、及對於驅動電晶體22之遷移率μ之變動之遷移率校正之各校正動作之驅動電路。
[本實施形態之特徵部分] 如上所述，在具有臨限值校正及遷移率校正之各校正功能之有機EL顯示裝置10中，於本實施形態中，其特徵為依藉由垂直掃描所選擇之像素列(以下稱「校正對象像素列」)，於以1H(H係水平掃描期間/水平同步周期)之周期執行臨限值校正及遷移率校正之各校正動作之際，使分別將驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs固定於特定之電位之臨限值校正準備之動作，跨越進入關於校正對象像素列之1H期間之前之複數個H期間而在未將輸入信號電壓Vsig賦予信號線33(33－l~33－n)之期間執行。
(有機EL顯示裝置之電路動作)以下根據圖4之時序圖，使用圖5乃至圖7之動作說明圖 來說明本實施形態之有機EL顯示裝置10之電路動作。另外，在圖5乃至圖7之動作說明圖中，係為了簡化圖式，而將寫入電晶體23以開關之記號(symbol)來加以圖示。此外，由於有機EL元件21係具有寄生電容Cel，故亦圖示該寄生電容Cel。
在圖4之時序圖中，係針對某校正對象像素列，以時間軸為共通方式來表示掃描線31(31－l~31－m)之電位(掃描信號)WS之變化、電源供給線32(32－l~32－m)之電位DS之變化、信號線33(33－l~33－n)之電位(Vofs/Vsig)之變化、驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs之變化。
在圖4之時序圖中，從時刻t8至時刻t16之期間，係成為關於校正對象像素列之1H期間，亦即在校正對象像素列中進行臨限值校正、輸入信號電壓Vsig之寫入及遷移率校正之各動作之1H期間。
另外，時刻t8係為針對校正對象像素列之1列前之像素列將信號線33之電位從輸入信號電壓Vsig切換為偏移電壓Vofs之時序。此外，時刻t16係針對校正對象像素列將信號線33之電位從輸入信號電壓Vsig切換為偏移電壓Vofs之時序。
<發光期間> 在圖4之時序圖中，時刻t1以前係有機EL元件21處於發光狀態(發光期間)。在該發光期間中，電源供給線32之電位DS處於高電位Vccp(第1電位)，此外，寫入電晶體23係處於非導通狀態。此時，由於驅動電晶體22係設定成在飽 和區域動作，因此如圖5(A)所示，從電源供給線32透過驅動電晶體22而與該驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs對應之驅動電流(汲極－源極間電流)Ids即供給至有機EL元件21，因而有機EL元件21以與驅動電流Ids之電流值對應之亮度發光。
<臨限值校正準備期間> 再者，若成為時刻t1，則進入線依序掃描之新的圖場(field)，如圖5(B)所示，電源供給線32之電位DS從高電位Vccp切換為遠較信號線33之偏移電壓Vofs低之電位Vini(第2電位)。在此，在將有機EL元件21之臨限電壓設為Vel、且將共通電源供給線34之電位設為Vcath時，若將低電位Vini設為Vini<Vel＋Vcath，則由於驅動電晶體22之源極電位Vs幾乎成為與低電位Vini相等，因此有機EL元件21即成為逆偏壓狀態而消光。
接著，由於掃描線31之電位WS在時刻t2從低電位WS_L遷移至高電位WS_H，如圖5(C)所示，寫入電晶體23即成為導通狀態。此時，由於從水平驅動電路60對於信號線33供給有偏移電壓Vofs，因此驅動電晶體22之閘極電位Vg即成為偏移電壓Vofs。此外，驅動電晶體22之源極電位Vs係處於遠較偏移電壓Vofs低之電位Vini。
此時，驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs係成為Vofs－Vini。此Vofs－Vini若不大於驅動電晶體22之臨限電壓Vth，則無法進行前述之臨限值校正動作，因此需設定為Vofs－Vini>Vth。如此，分別將驅動電晶體22之閘極電位 Vg固定(確定)於偏移電壓Vofs，且將源極電位Vs固定於低電位Vini並初期化之動作即為臨限值校正準備之動作。
再者，由於掃描線31之電位WS在時刻t3從高電位WS_H遷移至低電位WS_L，而使臨限值校正準備期間終了。此臨限值校正準備之動作係在未將輸入信號電壓Vsig賦予信號線33之期間，換言之在未將偏移電壓Vofs賦予信號線33之期間，在本例中係在t2－t3之期間執行。
之後，與在t2－t3之期間之臨限值校正準備之動作同樣之臨限值校正準備之動作，係跨越進入關於校正對象像素列之1H期間之前之複數個H期間而在未將輸入信號電壓Vsig賦予信號線33之期間(未將偏移電壓Vofs賦予信號線33之期間)中，在本例中係在t4－t5及t6－t7之各期間間歇性地執行。
其後，關於在時刻t8校正對象像素列之1列前之像素列，為了執行信號寫入及遷移率校正之各動作，將信號線33之電位從偏移電壓Vofs切換為輸入信號電壓Vsig。此係為關於1列前之像素列之動作。因此，在校正對象像素列中，係如圖6(A)所示，寫入電晶體23即成為非導通狀態。關於2列以上前之像素列亦可謂同樣。
再者，關於在時刻t9校正對象像素列之1列前之像素列，將信號線33之電位從輸入信號電壓Vsig切換為偏移電壓Vofs，進入關於校正對象像素列之1H期間。
接著，若掃描線31之電位WS在時刻t10再度從低電位WS_L遷移至高電位WS_H，則如圖6(B)所示，寫入電晶體 23即成為導通狀態。在從該時刻t10至時刻t11之期間中，掃描線31之電位WS、電源供給線32之電位DS及信號線33之電位(Vofs)係處於與t2－t3、t4－t5、t6－t7之各期間相同之狀態。因此，t10－t11之期間，亦成為分別將驅動電晶體22之閘極電位Vg固定於偏移電壓Vofs、且將源極電位Vs固定於低電位Vini之臨限值校正準備期間。
<臨限值校正期間> 接著，若電源供給線32之電位DS在時刻t11從低電位Vini切換為高電位Vccp，則由於寫入電晶體23即處於導通狀態，因此驅動電晶體22之源極電位Vs開始上升。不久後，如圖6(C)所示，若驅動電晶體22之源極電位Vs上升至Vofs－Vth之電位，則驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs即成為該驅動電晶體22之臨限電壓Vth，而使相當於該臨限電壓Vth之電壓寫入至保持電容24。
在此，為了方便說明，茲將相當於臨限電壓Vth之電壓寫入至保持電容24之期間稱為臨限值校正期間。另外，在此臨限值校正期間中，為使電流完全流通於保持電容24側，而不流通於有機EL元件21側，係以有機EL元件21成為截斷(cut off)狀態之方式先設定共通電源供給線34之電位Vcath。
接著，藉由掃描線31之電位WS在時刻t12從高電位WS_H切換為低電位WS_L，如圖7(A)所示，寫入電晶體23即成為非導通狀態。此時，驅動電晶體22之閘極雖成為漂浮(floating)狀態，惟由於閘極－源極間電壓Vgs係與驅動電 晶體22之臨限電壓Vth相等，因此該，驅動電晶體22係處於截斷狀態。因此，汲極－源極間電流Ids不流通。
<寫入期間/遷移率校正期間> 接著，信號線33之電位在時刻t13從偏移電壓Vofs切換為影像信號之信號電壓Vsig，接下來，藉由掃描線31之電位WS在時刻t14從低電位WS_L切換為高電位WS_H，如圖7(B)所示，使寫入電晶體23成為導通狀態且將影像信號之信號電壓Vsig進行取樣而寫入至像素20內。
藉由該寫入電晶體23所進行之輸入信號電壓Vsig之寫入，驅動電晶體22之閘極電位Vg即成為輸入信號電壓Vsig。再者，在藉由輸入信號電壓Vsig所進行之驅動電晶體22之驅動之際，藉由該驅動電晶體22之臨限電壓Vth與相當於保持在保持電容24之臨限電壓Vth之電壓抵銷而進行臨限值校正。
此時，由於有機EL元件21最初係處於截斷狀態(高阻抗狀態)，因此與輸入信號電壓Vsig對應而從電源流通於驅動電晶體22之電流(汲極－源極間電流Ids)係流入有機EL元件21之寄生電容Cel，因而開始該寄生電容Cel之充電。
藉由寄生電容Cel之充電，驅動電晶體22之源極電位Vs即隨時間之經過一起上升。此時，驅動電晶體22之臨限電壓Vth之偏差已經被校正，而驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids成為依存於該驅動電晶體22之遷移率μ者。
不久後，若驅動電晶體22之源極電位Vs上升至Vofs－Vth＋ΔV之電位，則驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs 即成為Vsig－Vofs＋Vth－ΔV。亦即，源極電位Vs之上升份ΔV係以從保持在保持電容24之電壓(Vsig－Vofs＋Vth)扣除之方式，換言之，以保持電容24之充電電荷放電之方式產生作用，且施加負回授。因此，源極電位Vs之上升份ΔV係成為負回授之回授量。
如此，藉由將流通於驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids負回授至該驅動電晶體22之閘極輸入，亦即閘極－源極間電壓Vgs，而打消對於驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids之遷移率μ之依存性，亦即進行校正遷移率μ之每像素之偏差之遷移率校正。
更具體而言，由於影像信號之信號電壓Vsig愈高，汲極－源極間電流Ids就愈大，因此負回授之回授量(校正量)ΔV之絕對值亦變大。因此，進行與發光亮度位準對應之遷移率校正。此外，在將影像信號之信號電壓Vsig設為一定之情形下，由於驅動電晶體22之遷移率μ愈大，負回授之回授量ΔV之絕對值亦變大，因此可將每像素之遷移率μ之偏差加以去除。
<發光期間> 接著，藉由掃描線31之電位WS在時刻t15從高電位WS_H切換為低電位WS_L，如圖7(C)所示，使寫入電晶體23成為非導通狀態。藉此，驅動電晶體22之閘極即從信號線33切離。與此同時，藉由汲極－源極間電流Ids開始流通於有機EL元件21，有機EL元件21之陽極電位即與汲極－源極間電流Ids對應上升。
有機EL元件21之陽極電位之上升，亦即就是驅動電晶體22之源極電位Vs之上升。若驅動電晶體22之源極電位Vs上升，則由於保持電容24之自舉動作，驅動電晶體22之閘極電位Vg亦連動上升。此時，閘極電位Vg之上升量係與源極電位Vs之上升量相等。因此，發光期間中驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs係以Vsig－Vofs＋Vth－ΔV保持為一定。再者，信號線33之電位在時刻t16從影像信號之信號電壓Vsig切換為偏移電壓Vofs。
(臨限值校正之原理) 在此茲說明驅動電晶體22之臨限值校正之原理。驅動電晶體22係設計成在飽和區域動作，故作為定電流源而動作。藉此，從驅動電晶體22將在下列公式(1)所賦予之一定之汲極－源極間電流(驅動電流)Ids供給至有機EL元件21。
Ids＝(1/2)．μ(W/L)Cox(Vgs－Vth)2 ......(1)
在此，W係為驅動電晶體22之通道寬度，L係通道長度，Cox係每單位面積之閘極電容。
圖8係表示驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids對閘極－源極間電壓Vgs之特性。如該特性圖所示，若不進行對於驅動電晶體22之臨限電壓Vth之偏差之校正，則於臨限電壓Vth為Vth1時，與閘極－源極間電壓Vgs對應之汲極－源極間電流Ids即成為Ids1，相對於此，臨限電壓Vth為Vth2(Vth2>Vth1)時，與相同閘極－源極間電壓Vgs對應之汲極－源極間電流Ids即成為Ids2(Ids2<Ids)。亦即，若驅動電晶體22之臨限電壓Vth變動，則即使閘極－源極間電壓Vgs 一定，汲極－源極間電流Ids亦會變動。
相對於此，在上述構成之像素(像素電路)20中，係如前所述，由於發光時之驅動電晶體22之閘極－源極間電壓Vgs為Vsig－Vofs＋Vth－ΔV，因此將此代入公式(1)，則汲極－源極間電流Ids係以下列公式來表示。
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vsig－Vofs－ΔV)2 ......(2)
亦即，驅動電晶體22之臨限電壓Vth之項被消除，而從驅動電晶體22供給至有機EL元件21之汲極－源極間電流Ids係不依存於驅動電晶體22之臨限電壓Vth。其結果，即使驅動電晶體22之臨限電壓Vth由於驅動電晶體22之製造過程之偏差或經時變化而依各像素變動，由於汲極－源極間電流Ids不變動，因此有機EL元件21之發光亮度亦不變動。
(遷移率校正之原理) 接著說明驅動電晶體22之遷移率校正之原理。圖9係在比較驅動電晶體22之遷移率μ相對較大之像素A、及驅動電晶體22之遷移率μ相對較小之像素B之狀態下表示特性曲線。在以多晶矽薄膜電晶體等來構成驅動電晶體22之情形下，如像素A或像素B所示，無法避免遷移率μ在像素間產生偏差。
在像素A與像素B於遷移率μ有偏差之狀態下，例如在將相同位準之輸入信號電壓Vsig寫入至兩像素A、B之情形下，若不進行任何遷移率μ之校正，則在遷移率μ較大之像素A流通之汲極－源極間電流Ids1'與在遷移率μ較小之像素B 流通之汲極－源極間電流Ids2'之間將會產生較大之差。如此，起因於遷移率μ之偏差若於汲極－源極間電流Ids在像素間產生較大之差，則會損害畫面之均勻性。
在此，從前述之公式(1)之電晶體特性公式可明瞭，若遷移率μ較大則汲極－源極間電流Ids就變大。因此，負回授之回授量ΔV係遷移率μ愈大則愈大。如圖9所示，遷移率μ較大之像素A之回授量ΔV1係比遷移率較小之像素V之回授量ΔV2大。因此，藉由遷移率校正動作將驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids負回授至輸入信號電壓Vsig，因而成為遷移率μ愈大則負回授愈大，因此可抑制遷移率μ之偏差。
具體而言，若在遷移率μ較大之像素A施加回授量ΔV1之校正，則汲極－源極間電流Ids就從Ids1'大幅下降至Ids1。另一方面，由於遷移率μ較小之像素B之回授量ΔV2較小，因此汲極－源極間電流Ids即成為從Ids2'至Ids2之下降，而不會那樣大幅地下降。結果，像素A之汲極－源極間電流Ids1與像素B之汲極－源極間電流Ids2即幾乎相等，因此遷移率μ之偏差被校正。
茲將以上加以彙整，在有遷移率μ不同之像素A與像素B之情形下，遷移率μ較大之像素A之回授量ΔV1係變得比遷移率μ較小之像素B之回授量ΔV2大。換言之，遷移率μ愈大之像素則回授量ΔV愈大，且汲極－源極間電流Ids之減少量愈大。因此，藉由將驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids負回授至輸入信號電壓Vsig，遷移率μ不同之像素之汲 極－源極間電流Ids之電流值即被均勻化，其結果，即可校正遷移率μ之偏差。
在此，茲使用圖10說明在圖2所示之像素(像素電路)20中，由於臨限值校正、遷移率校正之有無之影像信號之信號電位(取樣電位)Vsig與驅動電晶體22之汲極－源極間電流Ids之關係。
在圖10中分別表示(A)係為臨限值校正及遷移率校正均不進行之情形、(B)係為不進行遷移率校正而僅進行臨限值校正之情形、(C)係臨限值校正及遷移率校正均進行之情形。如圖10(A)所示，在臨限值校正及遷移率校正均不進行之情形下，起因於臨限電壓Vth及遷移率μ之每像素A、B之偏差而在汲極－源極間電流Ids於像素A、B間會產生較大之差。
相對於此，在僅進行臨限值校正之情形下，如圖10(B)所示，雖可藉由該臨限值校正將汲極－源極間電流Ids之偏差減低某程度，惟在起因於遷移率μ之每像素A、B之偏差而在像素A、B間會殘留汲極－源極間電流Ids之差。
再者，藉由臨限值校正及遷移率校正均進行，如圖10(C)所示，幾乎可將起因於臨限電壓Vth及遷移率μ之每像素A、B之偏差而在像素A、B間汲極－源極間電流Ids之差予以消除，因此無論在哪一灰階都不會產生有機EL元件21之亮度偏差，而可獲得良好之畫質之顯示圖像。
(本實施形態之作用效果) 如上所述，在具有臨限值校正及遷移率校正之各校正功 能之有機EL顯示裝置10中，於依校正對象像素列，以1H之周期執行臨限值校正及遷移率校正之各校正動作之際，藉由使分別將驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs固定於特定之電位，例如將閘極電位Vg固定於偏移電壓Vofs、將源極電位Vs固定於低電位Vini之臨限值校正準備之動作，在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行，藉此在校正對象像素列之1H期間內不再需要確保臨限值校正準備期間，而隨之可將臨限值校正及遷移率校正之各校正期間設定成較長。
藉此，可確保用以確實地執行各校正動作之充分之時間而作為臨限值校正及遷移率校正之各校正期間，因此可將起因於驅動電晶體22之製造過程之偏差或經時變化之驅動電晶體22之臨限電壓Vth及遷移率μ等之電晶體特性之每像素之偏差、或有機EL元件21之經時劣化加以充分地抑制，因此可獲得沒有不均或不一致之均勻之畫質之顯示圖像。
尤其在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行臨限值校正準備之動作之驅動，係使用於以下之顯示裝置之驅動最為適合。
舉其一例，作為搭載在用以顯示微細地圖或文字之行動電話等之可移動(mobile)機器之顯示裝置，高精細之顯示裝置之需求已日益提高。再者，若繼續將顯示裝置高精細化，則水平掃描期間(1H)即隨之縮短，因此將無法充分確保臨限值校正及遷移率校正之各校正時間。
如此，像素數即與顯示裝置之高精細化對應而增加，且 即使是1H之時間隨之變為較謀求高精細化之前更短之有機EL顯示裝置，藉由使用在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行臨限值校正準備之動作之驅動法，來確保充分之時間作為臨限值校正及遷移率校正之各校正期間，亦可抑制有機EL元件21之經時劣化、及驅動電晶體22之特性偏差，因此可獲得良好之畫質之顯示圖像。
再者，以低成本化為目的，即使在具有使用了如a－Si(非晶矽)之遷移率μ較小之電晶體之像素20之有機EL顯示裝置中，藉由使用在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行臨限值校正準備之動作之驅動法，來確保充分之時間作為臨限值校正及遷移率校正之各校正期間，亦可抑制有機EL元件21之經時劣化、及驅動電晶體22之特性偏差，因此可獲得良好之畫質之顯示圖像。
然而，在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行臨限值校正準備之動作之情形下，可考慮跨越進入該1H期間之前之複數個H期間而連續地，在上述例中係在從圖4之時刻t2至時刻t7之期間中連續地執行臨限值校正準備之動作。然而，此情形下，會產生下列之缺失。
亦即，在使用a－Si等之遷移率μ較小之電晶體之像素電路中，由於驅動電晶體22之流通之電流量較少，因此在臨限值校正準備期間中要耗費時間來將驅動電晶體22之源極電位Vs固定於低電位Vini。因此，在使用a－Si等之遷移率μ較小之電晶體之像素電路中，需設定非常長之時間作為臨限值校正準備期間。
藉此，作為臨限值校正之準備，雖可分別將驅動電晶體22之閘極電位Vg固定於偏移電壓Vofs、且將源極電位Vs固定於低電位Vini，惟如圖11所示，在信號線33(33－l~33－n)中，於同一時序將會存在多數個掃描線31(31－l~31一m)之電位WS(WSl~WSm)為高電位WS_H之狀態(以下稱「ON狀態」)之像素。將此表示為模式性圖者乃為圖12。
如此，將臨限值校正準備期間取得較長時間之情形下，在同一信號線上將存在多數個掃描線31之電位WS為ON狀態之像素，其結果，各像素20之保持電容24即附加於信號線33(33－l~33－n)之電容。藉此，信號線33之電容即增加，而信號線33之暫態(transient)即增加，因此施加於信號線33之輸入信號電壓Vsig之上升波形/下降波形即變緩。
尤其在1H期間較短之高精細化之顯示裝置中，由於臨限值校正準備期間所需之時間與1H期間較長之顯示裝置並無不同，因此在同一信號線上將會存在多數個掃描線31之電位WS為ON狀態之像素，而信號線33之電容會大幅增加，因此輸入信號電壓Vsig之波形變緩即惡化。
例如，若輸入信號電壓Vsig之上升之波形變緩惡化，則在與寫入輸入信號電壓Vsig之同時進行遷移率校正之情形下，輸入信號電壓Vsig之寫入會在不充分之狀態下開始遷移率校正，因此在像素間於遷移率校正產生偏差，而使畫質惡化。
相對於此，在本實施形態之有機EL顯示裝置10中，並非跨越進入關於校正對象像素列之1H期間之前之複數個H期 間而連續地執行臨限值校正準備之動作，尤其從圖4之時序圖可明瞭，而是採用跨越進入關於校正對象像素列之1H期間之前之複數個H期間而在影像信號之信號電壓Vsig未賦予信號線33之期間，換言之在偏移電壓Vofs未賦予信號線33之期間間歇性地執行之構成。
如此，藉由跨越進入關於校正對象像素列之1H期間之前之複數個H期間，而於信號線33之電位處於偏移電壓Vofs時(在輸入信號電壓Vsig未賦予信號線33時)間歇性地進行臨限值校正準備之動作，即可如圖13所示，防止在校正對象像素列之信號線33之電位從偏移電壓Vofs遷移至影像信號之信號電壓Vsig時，其他像素列之掃描線31之電位WS全部都處於低電位WS_L之狀態(OFF狀態)，亦即校正對象像素列處於影像信號之信號電壓Vsig之寫入狀態時，由於其他像素列全部處於非寫入狀態，因此信號線33之電容會如跨越複數個H期間而連續地執行臨限值校正準備之動作之情形增加。
藉此，以低成本化為目的，即使在具有使用了如a－Si之遷移率μ較小之電晶體之像素20之有機EL顯示裝置、或與高精細化對應而1H期間較短之有機EL顯示裝置中，亦可一面防止信號線33之電容之增加，一面充分確保臨限值校正準備期間而確實地進行臨限值校正準備之動作，因此可抑制有機EL元件21之經時劣化、及驅動電晶體22之特性偏差，而可獲得良好之畫質之顯示圖像。
<選擇器(selector)方式之有機EL顯示裝置> 在上述實施形態之有機EL顯示裝置10中，雖係以將水平驅動電路60安裝於顯示面板70上之構成之情形為例，惟亦可採用將水平驅動電路60設於顯示面板70外，並從面板外部透過外部布線而將影像信號供給至顯示面板70上之信號線30(30－l~30－n)之構成。
如此，在採用從面板外部輸入影像信號之構成之情形下，若將外部布線與信號線分別布線為R(紅)、G(綠)、B(藍)，則在(1920×1080)解析度之FulHD(High Definition，高解析度)中，需要5760(＝1920×3)條之布線作為外部布線，因此外部布線之布線數要多條數。
相對於此，為了謀求外部布線之布線數之削減，係採用將顯示面板上之信號線，相對於面板外部之驅動器(driver)IC之1個輸出，以複數條為單位(組)進行分配，並依時分割依序選擇該複數條之信號線，另一方面對於該所選擇之信號線將依驅動器IC之各輸出而以時序列輸出之影像信號，以時分割分配而進行供給，藉此以驅動各信號線之所謂選擇器驅動方式(或時分割驅動方式)。
具體而言，選擇器驅動方式係為以1對x(x係2以上之整數)之對應關係來設定驅動器IC之輸出與顯示面板上之信號線之關係，且將相對於驅動器IC之1個輸出所分配之x條信號線，以x時分割來選擇並驅動之.驅動方式。藉由採用此選擇器驅動方式，即可將驅動器IC之輸出數及外部布線之布線數削減至信號線之條數之1/x。
舉其一例，如圖14所示，係採用以橫向並排之3個顏色 R、G、B為單位，將與此等3色對應之影像信號Datal、…、Datap在1H期間內依時序列輸入，另一方面將以3像素為單位所配置之選擇器開關SEL_R、SEL_G、SEL_B以3像素單位依序進行開關驅動並將影像信號Datal、…、Datap寫入之選擇器驅動方式，藉此而具有可將外部布線80-1、…、80-p之布線數p削減至信號線33-1~33-n之條數n之1/x之利益。
然而，在採用選擇器驅動方式(時分割驅動方式)之有機EL顯示裝置之情形下，由於需對於作為單位之R、G、B之3像素在1H期間內寫入影像信號，因此更加難以充分確保臨限值校正及遷移率校正之各校正時間。
如此，在採用例如對於R、G、B之3像素在1H期間內將影像信號寫入之選擇器驅動方式之有機EL顯示裝置10’中，即使需設定用以寫入R、G、B之影像信號之信號電壓Vsig之信號線電位寫入期間，亦可使用在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行臨限值校正準備之動作之驅動法，而且，跨越進入關於校正對象像素列之1H期間之前之複數個H期間，而於信號線33之電位處於偏移電壓Vofs時間歇性地進行臨限值校正準備之動作，藉此而可確保充分之時間作為臨限值校正及遷移率校正之各校正期間，因此可抑制有機EL元件21之經時劣化、及驅動電晶體22之特性偏差，而可獲得良好之畫質之顯示圖像。
(變形例)
在上述實施形態中，雖係舉適用於具備臨限值校正及遷 移率校正之兩校正功能之有機EL顯示裝置之情形為例進行了說明，惟即使是不具備遷移率校正功能，而僅具備臨限值校正功能之有機EL顯示裝置，亦可藉由在進入關於校正對象像素列之1H期間之前執行臨限值校正準備之動作，而可相較於在校正對象像素列之1H期間內執行臨限值校正準備之動作之情形將臨限值校正期間確保為較長，因此可更確實地執行臨限值校正。
此外，在上述實施形態中，雖係舉適用於像素20具有驅動電晶體22與寫入電晶體23之2個電晶體，且在輸入信號電壓Vsig之寫入期間中遷移率校正之構成之有機EL顯示裝置之情形為例進行了說明，惟本發明不以該適用例為限，例如專利文獻1所記載，對於進一步具有直接連接於驅動電晶體22之開關電晶體，且藉由該開關電晶體進行有機EL元件21之發光/非發光之控制，並且在輸入信號電壓Vsig之寫入之前就先進行遷移率校正之構成之有機EL顯示裝置亦同樣適用。
惟如本實施形態之有機EL顯示裝置之情形，以採用在輸入信號電壓Vsig之寫入期間中進行遷移率校正之構成，不需除遷移率校正期間之外另確保信號寫入期間，而具有隨之可將臨限值校正及遷移率校正之各校正期間設定成較長之優點。
此外，在上述實施形態中，作為像素電路20之光電元件，雖係舉適用於使用有機EL元件之有機EL顯示裝置之情形為例進行了說明，惟本發明並不以該適用例為限，對 於使用依據流通於器件之電流值而使發光亮度變化之電流驅動型之光電元件(發光元件)之顯示裝置全面均可適用。
[適用例] 以上所說明之本發明之顯示裝置，舉其一例，可將圖15~圖19所示之各式各樣之電子機器，例如數位相機(digital camera)、筆記型個人電腦、行動電話等之行動末端裝置、攝錄影機(video camera)等、輸入於電子機器之影像信號，或是在電子機器內所產生之影像信號，適用於作為圖像或影像所顯示之所有領域之電子機器之顯示裝置。以下說明適用本發明之電子機器之一例。
另外，本發明之顯示裝置亦包括經密封之構成之模組形狀者。例如，在像素陣列部30貼附於透明之玻璃等之對向部所形成之顯示模組即屬之。在該透明之對向部亦可設有彩色濾光片(color filter)、保護膜等，再者為上述之遮光膜。另外，在顯示模組中亦可設有用以輸出入從外部對於像素陣列部之信號等之電路部或FPC(flexible print circuit：軟性印刷電路)等。
圖15係為表示適用本發明之電視之立體圖。本適用例之電視係包括由前面板(front panel)102及濾光片玻璃103等所構成之影像顯示畫面部101，且藉由使用本發明之顯示裝置作為該影像顯示畫面部101而作成。
圖16係為表示適用本發明之數位相機之立體圖，(A)係從表側觀看之立體圖，(B)係為從背側觀看之立體圖。本適用例之數位相機係包括閃光用之發光部111、顯示部 112、選單開關(menu switch)113、快門鍵(shutter button)114等，且藉由使用本發明之顯示裝置作為該顯示部112而製作。
圖17係為表示適用本發明之筆記型個人電腦之立體圖。本適用例之筆記型個人電腦係於本體121包括輸入文字等時所操作之鍵盤122、顯示圖像之顯示部123等，且藉由使用本發明之顯示裝置作為該顯示部123而製作。
圖18係為表示適用本發明之攝錄影機。本適用例之攝錄影機係包括本體部131、在朝向前方之側面作為被攝體攝影用之透鏡132、攝影時之啟動/停止開關133、顯示部134等，且藉由使用本發明之顯示裝置作為該顯示部134而製作。
圖19係為表示適用本發明之行動末端裝置，例如行動電話之立體圖，(A)係為打開狀態下之俯視圖，(B)係為其側視圖，(C)係為關閉狀態下之俯視圖，(D)係為左側視圖，(E)係為右側視圖，(F)係為頂視圖，(G)係為底視圖。本適用例之行動電話係包括上側框體141、下側框體142、連結部(在此係鉸鏈(hinge)部)143、顯示器144、副顯示器145、圖像燈(picture light)146、相機147等，且藉由使用本發明之顯示裝置作為該顯示器144及副顯示器145而製作。
10、10'‧‧‧有機EL顯示裝置
20‧‧‧像素(像素電路)
21‧‧‧有機EL元件
22‧‧‧驅動電晶體
23‧‧‧寫入電晶體
24‧‧‧保持電容
30‧‧‧像素陣列部
31(31－l~31－m)‧‧‧掃描線
32(32－l~32－m)‧‧‧電源供給線
33(33－l~33－n)‧‧‧信號線
34‧‧‧共通電源供給線
40‧‧‧寫入掃描電路
50‧‧‧電源供給掃描電路
60‧‧‧水平驅動電路
70‧‧‧顯示面板
80-1~80-p‧‧‧外部布線
101‧‧‧影像顯示畫面部
102‧‧‧前面板(front panel)
103‧‧‧濾光片玻璃
111‧‧‧發光部
112‧‧‧顯示部
113‧‧‧選單開關(menu switch)
114‧‧‧快門鍵(shutter button)
121‧‧‧本體
122‧‧‧鍵盤
123‧‧‧顯示部
131‧‧‧本體部
132‧‧‧透鏡
133‧‧‧啟動/停止開關
134‧‧‧顯示部
141‧‧‧上側框體
142‧‧‧下側框體
143‧‧‧連結部
144‧‧‧顯示器
145‧‧‧副顯示器
146‧‧‧圖像燈(picture light)
147‧‧‧相機
201‧‧‧玻璃基板
202‧‧‧絕緣膜
203‧‧‧窗絕緣膜
203A‧‧‧凹部
204‧‧‧陽極電極
205‧‧‧有機層
2051‧‧‧電洞傳輸層/電洞注入層
2052‧‧‧發光層
2053‧‧‧電子傳輸層
206‧‧‧陰極電極
207‧‧‧覆層(passivation)膜
208‧‧‧密封基板
209‧‧‧接著劑
210‧‧‧信號布線
211‧‧‧補助布線
212‧‧‧絕緣膜
213‧‧‧閘極電極
214‧‧‧通道層
圖1係為表示本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置之構成之概略之系統構成圖。
圖2係為表示像素(像素電路)之具體之構成例之電路 圖。
圖3係為表示像素之剖面結構之一例之剖面圖。
圖4係為供本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置之動作說明之時序圖。
圖5(A)-(C)係為本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置之電路動作之說明圖(其1)。
圖6(A)-(C)係為本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置之電路動作之說明圖(其2)。
圖7(A)-(C)係為本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置之電路動作之說明圖(其3)。
圖8係為供起因於驅動電晶體之臨限電壓Vth之偏差之問題之說明之特性圖。
圖9係為供起因於驅動電晶體之遷移率μ之偏差之問題之說明之特性圖。
圖10(A)-(C)係為供臨限值校正、遷移率校正之有無之影像信號之信號電壓Vsig與驅動電晶體之汲極-源極間電流Ids之關係之說明之特性圖。圖10(A)-臨限值校正：無，遷移率校正：無。圖10(B)-臨限值校正：有，遷移率校正：無。圖10(C)-臨限值校正：有，遷移率校正：有。
圖11係為供跨越複數個H期間而連續地執行臨限值校正準備之動作之情形之動作說明之時序圖。
圖12係為將跨越複數個H期間而連續地執行臨限值校正準備之動作時予以模式性表示之圖。
圖13係為供跨越複數個H期間而在信號線之電位處於偏移電壓Vofs時間歇性地執行臨限值校正準備之動作之情形之動作說明之時序圖。
圖14係為表示採用選擇器驅動方式之有機EL顯示裝置之構成之概略之系統構成圖。
圖15係為表示適用本發明之電視之立體圖。
圖16係為表示適用本發明之數位相機之立體圖，(A)係從表側觀看之立體圖，(B)係為從背側觀看之立體圖。
圖17係為表示適用本發明之筆記型個人電腦之立體圖。
圖18係為表示適用本發明之攝錄影機之立體圖。
圖19係為表示適用本發明之行動電話之立體圖，(A)係為打開狀態下之俯視圖，(B)係為其側視圖，(C)係為關閉狀態下之俯視圖，(D)係為左側視圖，(E)係為右側視圖，(F)係為頂視圖，(G)係為底視圖。
DS‧‧‧電源供給線電位
Vccp‧‧‧第1電位
Vg‧‧‧閘極電位
Vini‧‧‧第2電位
Vofs‧‧‧偏移電壓
Vs‧‧‧源極電位
Vsig‧‧‧信號電壓
Vofs/Vsig‧‧‧信號線電位
Vth‧‧‧臨限電壓
WS‧‧‧掃描線電位
WS_H‧‧‧高電位
WS L‧‧‧低電位

Claims (5)

  1. 一種顯示裝置，其特徵為其包括：像素陣列部，其係由像素配置成行列狀而成，該像素包含：光電元件；寫入電晶體，其係將透過信號線所賦予之輸入信號電壓進行取樣並寫入；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入之前述輸入信號電壓；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述輸入信號電壓來驅動前述光電元件；及驅動電路，其係以列單位選擇掃描前述像素陣列部之各像素，且以1水平掃描期間之周期執行下述動作：對於各選擇列進行對於前述驅動電晶體之臨限電壓變動之臨限值校正；前述驅動電路係在遍及進入關於前述校正對象像素列之1水平掃描期間前之複數個水平掃描期間，未將前述輸入信號電壓賦予前述信號線之期間執行準備動作，該準備動作係在關於校正對象像素列之前述臨限值校正動作之前，將前述驅動電晶體之閘極電位及源極電位分別固定於特定電位者。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述驅動電路係在前述校正對象像素列之1水平掃描期間內，執行下述動作：於前述臨限值校正動作後進行對於前述驅動電晶體之遷移率變動之遷移率校正。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中前述驅動電路係在藉由前述寫入電晶體所進行之前述 輸入信號電壓之寫入期間，執行前述遷移率校正之動作。
  4. 一種顯示裝置之驅動方法，其特徵在於：該顯示裝置係包括：像素陣列部，其係由像素配置成行列狀而成，該像素包含：光電元件；寫入電晶體，其係將透過信號線所賦予之輸入信號電壓進行取樣並寫入；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入之前述輸入信號電壓；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述輸入信號電壓來驅動前述光電元件；及驅動電路，其係以列單位選擇掃描前述像素陣列部之各像素，且以1水平掃描期間之周期執行下述動作：對於各選擇列進行對於前述驅動電晶體之臨限電壓變動之臨限值校正；該驅動方法係在遍及進入關於前述校正對象像素列之1水平掃描期間前之複數個水平掃描期間，在未將前述輸入信號電壓賦予前述信號線之期間執行準備動作，該準備動作係在關於校正對象像素列之前述臨限值校正動作之前，將前述驅動電晶體之閘極電位及源極電位分別固定於特定電位者。
  5. 一種電子機器，其特徵在於：包括顯示裝置，而該顯示裝置係包括：像素陣列部，其係由像素配置成行列狀而成，該像素包含：光電元件；寫入電晶體，其係將透過信號線所賦 予之輸入信號電壓進行取樣並寫入；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入之前述輸入信號電壓；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述輸入信號電壓來驅動前述光電元件；及驅動電路，其係以列單位選擇掃描前述像素陣列部之各像素，且以1水平掃描期間之周期執行下述動作：對於各選擇列進行對於前述驅動電晶體之臨限電壓變動之臨限值校正，並且在遍及進入關於前述校正對象像素列之1水平掃描期間前之複數個水平掃描期間，在未將前述輸入信號電壓賦予前述信號線之期間執行準備動作，該準備動作係在關於校正對象像素列之前述臨限值校正動作之前，將前述驅動電晶體之閘極電位及源極電位分別固定於特定電位者。
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