JP2010145578A - 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】映像信号の信号電圧の低減を行うことで、表示装置全体の低消費電力化を実現可能にする。
【解決手段】書込みトランジスタ23によって映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、スイッチングトランジスタ25によってノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにしている。これにより、移動度補正処理を行わないようにする。
【選択図】図11
【解決手段】書込みトランジスタ23によって映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、スイッチングトランジスタ25によってノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにしている。これにより、移動度補正処理を行わないようにする。
【選択図】図11
Description
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状(マトリクス状)に2次元配置された平面型(フラットパネル型)の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素(以下、「画素回路」と記述する場合もある)が行列状に2次元配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子を画素の発光素子として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機EL(Electro Luminescence)素子が知られている。
この有機EL素子を画素の発光素子として用いた有機EL表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機EL素子は、10V以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機EL素子は、自発光素子であるために、画素ごとに液晶にて光源からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかもバックライト等の光源を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機EL素子の応答速度が数μsec程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
有機EL表示装置では、液晶表示装置と同様に、その駆動方式として単純(パッシブ)マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線(即ち、画素数)の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、一般には、TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が用いられる。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が1フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
ところで、一般的に、有機EL素子のI(電流)−V(電圧)特性は、時間が経過すると劣化(いわゆる、経時劣化)することが知られている。有機EL素子を電流駆動するトランジスタ(以下、「駆動トランジスタ」と記述する)として特にNチャネル型のTFTを用いた画素回路では、有機EL素子のI−V特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Vgsが変化する。その結果、有機EL素子の発光輝度が変化する。これは、有機EL素子が駆動トランジスタのソース電極側に接続されることに起因する。
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電圧は、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点で決まる。そして、有機EL素子のI−V特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電圧が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Vgsが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機EL素子に流れる電流値も変化するために、有機EL素子の発光輝度が変化することになる。
また、特にポリシリコンTFTを用いた画素回路では、有機EL素子のI−V特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタのトランジスタ特性が経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによってトランジスタ特性が画素ごとに異なったりする。すなわち、画素個々に駆動トランジスタのトランジスタ特性にばらつきがある。トランジスタ特性としては、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μ(以下、単に「駆動トランジスタの移動度μ」と記述する)等が挙げられる。
駆動トランジスタのトランジスタ特性が画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲート電極に画素間で同じ電圧を印加しても、有機EL素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じる。その結果、画面のユニフォーミティ(一様性)が損なわれる。
そこで、有機EL素子のI−V特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化等の影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に維持するために、各種の補正(補償)機能を画素回路に持たせる技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
補正機能としては、有機EL素子のI−V特性の変動に対する補償機能、駆動トランジスタの閾値電圧Vthの変動に対する補正機能、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正機能などが挙げられる。以下、駆動トランジスタの閾値電圧Vthの変動に対する補正を「閾値補正」と呼び、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正を「移動度補正」と呼ぶこととする。
このように、画素回路の各々に、各種の補正機能を持たせることで、有機EL素子のI−V特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化の影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つことができる。その結果、有機EL表示装置の表示品質を向上できる。
ところで、特許文献1記載の表示装置において、移動度補正処理は、駆動トランジスタのソース電圧Vsを上昇させながら行われる(その詳細については後述する)。したがって、所望の発光輝度を得るためには、駆動トランジスタのゲート電極に印加される映像信号の信号電圧をソース電圧Vsの上昇分だけ高くする必要がある。何故ならば、有機EL素子の発光輝度は、駆動トランジスタのゲート−ソース間の電圧に応じた駆動電流で決まるからである。
映像信号の信号電圧は、例えばパネル外部の信号源であるドライバから信号線に書き込まれ、当該信号線を通して選択行の画素に書き込まれる。ここで、信号線は寄生容量をもっている。この信号線に対して映像信号の信号電圧を書き込む際に、ドライバで消費する電力が信号電圧の自乗に比例する。したがって、映像信号の信号電圧が高くなると、当該信号電圧が高くなった分だけドライバの消費電力、ひいては表示装置全体の消費電力が増大する。
一方、特許文献1記載の表示装置では、駆動トランジスタの移動度μに画素ごとにばらつきがあることを前提に、映像信号の信号電圧の書込み処理と並行して移動度補正処理を実行するようにしている。しかし、近年のプロセス技術の向上により、駆動トランジスタの移動度μのばらつきが抑えられる(ばらつきが小さくなる)傾向にある。そして、移動度μのばらつきが小さいにも拘わらず、移動度補正処理を行う構成を採ると、映像信号の信号電圧を高くせざるを得なく、当該信号電圧を書き込むドライバにおいて無駄に電力を消費することになる。
そこで、本発明は、映像信号の信号電圧の低減を行うことで、低消費電力化を実現可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、
電気光学素子と、映像信号を書き込む書込みトランジスタと、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量とを有する画素が行列状に配置された表示装置において、
前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタに電流が流れないようにする。
電気光学素子と、映像信号を書き込む書込みトランジスタと、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量とを有する画素が行列状に配置された表示装置において、
前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタに電流が流れないようにする。
映像信号を書き込むときに、駆動トランジスタに電流が流れないようにすると、映像信号が書き込まれても、駆動トランジスタに電流が流れないことによって駆動トランジスタのソース電圧が上昇しない。これにより、駆動トランジスタに流れる電流に応じた帰還量で駆動トランジスタのゲート‐ソース間電圧に負帰還をかけることで、駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消す移動度補正処理が行われない。そして、映像信号の書込み時に駆動トランジスタのソース電圧が上昇しないことで、移動度補正処理が行われるときよりも映像信号の信号電圧を低減できる。
本発明によれば、移動度補正処理を行う場合に比べて映像信号の信号電圧を低減できるために、当該信号電圧を書き込むドライバ、ひいては表示装置全体の低消費電力化を実現できる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、「実施形態」と記述する)について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.参考例(移動度補正処理:有り)
2.実施形態(移動度補正処理:無し)
3.変形例
3−1.画素構成の変形例1
3−2.画素構成の変形例2
4.適用例(電子機器)
1.参考例(移動度補正処理:有り)
2.実施形態(移動度補正処理:無し)
3.変形例
3−1.画素構成の変形例1
3−2.画素構成の変形例2
4.適用例(電子機器)
<1.参考例>
[システム構成]
図1は、参考例に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。この参考例に係る表示装置は、特許文献1記載の表示装置に対応している。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子を画素(画素回路)の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
[システム構成]
図1は、参考例に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。この参考例に係る表示装置は、特許文献1記載の表示装置に対応している。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子を画素(画素回路)の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
図1に示すように、本参考例に係る有機EL表示装置10Aは、発光素子を含む複数の画素20と、当該画素20が行列状に2次元配置された画素アレイ部30と、当該画素アレイ部30の周辺に配置された駆動部とを有する構成となっている。駆動部は、画素アレイ部30の各画素20を発光駆動する。
画素20の駆動部としては、例えば、書込み走査回路40および電源供給走査回路50からなる走査駆動系と、信号出力回路60からなる信号供給系とが設けられている。本適用例に係る有機EL表示装置10Aの場合には、画素アレイ部30が形成された表示パネル70上に信号出力回路60が設けられているのに対して、走査駆動系である書込み走査回路40および電源供給走査回路50はそれぞれ、表示パネル(基板)70の外部に設けられている。
ここで、有機EL表示装置10Aが白黒表示対応の場合は、白黒画像を形成する単位となる1つの画素が画素20に相当する。一方、有機EL表示装置10Aがカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる1つの画素は複数の副画素(サブピクセル)から構成され、この副画素が画素20に相当する。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、1つの画素は、例えば、赤色(R)光を発光する副画素、緑色(G)光を発光する副画素、青色(B)光を発光する副画素の3つの副画素から構成される。
ただし、1つの画素としては、RGBの3原色の副画素の組み合わせに限られるものではない。すなわち、3原色の副画素にさらに1色あるいは複数色の副画素を加えて1つの画素を構成するようにすることも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色(W)光を発光する副画素を加えて1つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも1つの副画素を加えて1つの画素を構成したりすることも可能である。
画素アレイ部30には、m行n列の画素20の配列に対して、行方向(画素行の画素の配列方向)に沿って走査線31−1〜31−mと電源供給線32−1〜32−mとが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向(画素列の画素の配列方向)に沿って信号線33−1〜33−nが画素列ごとに配線されている。
走査線31−1〜31−mは、書込み走査回路40の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線32−1〜32−mは、電源供給走査回路50の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線33−1〜33−nは、信号出力回路60の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
画素アレイ部30は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機EL表示装置10Aは、平面型(フラット型)のパネル構造となっている。画素アレイ部30の各画素20の駆動回路は、アモルファスシリコンTFTまたは低温ポリシリコンTFTを用いて形成することができる。低温ポリシリコンTFTを用いる場合には、書込み走査回路40および電源供給走査回路50についても、表示パネル70上に実装することができる。
書込み走査回路40は、クロックパルスckに同期してスタートパルスspを順にシフト(転送)するシフトレジスタ等によって構成されている。この書込み走査回路40は、画素アレイ部30の各画素20への映像信号の書込みに際して、走査線31−1〜31−mに順次書込み走査信号WS(WS1〜WSm)を供給することによって画素アレイ部30の各画素20を行単位で順番に走査する(線順次走査)。
電源供給走査回路50は、クロックパルスckに同期してスタートパルスspを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この電源供給走査回路50は、書込み走査回路40による線順次走査に同期して、第1電源電位Vccpと当該第1電源電位Vccpよりも低い第2電源電位Viniで切り替わる電源電位DS(DS1〜DSm)を電源供給線32−1〜32−mに供給する。この電源電位DSのVccp/Viniの切替えにより、画素20の発光/非発光の制御が行なわれる。
信号出力回路60は、信号供給源(図示せず)から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧(以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある)Vsigと基準電位Vofsのいずれか一方を適宜選択して出力する。ここで、信号出力回路60から選択的に出力される基準電位Vofsは、映像信号の信号電圧Vsigの基準となる電位(例えば、映像信号の黒レベルに相当する電位)である。
信号出力回路60としては、例えば、周知の時分割駆動方式の回路構成を用いることができる。時分割駆動方式は、セレクタ方式とも呼ばれ、信号供給源であるドライバ(図示せず)の1つの出力端に対して複数の信号線を単位(組)として割り当る。そして、この複数の信号線を時分割にて順次選択する一方、その選択した信号線に対してドライバの各出力端ごとに時系列で出力される映像信号を時分割で振り分けて供給することによって各信号線を駆動する方式である。
一例として、カラー表示対応の場合を例に挙げると、隣り合うR,G,Bの3つの画素列を単位とし、ドライバからは1水平期間内にR,G,Bの各映像信号が時系列で信号出力回路60に入力するようにする。信号出力回路60は、R,G,Bの3つの画素列に対応して設けられたセレクタ(選択スイッチ)によって構成され、当該セレクタが時分割にて順次オン動作を行うことで、R,G,Bの各映像信号を対応する信号線に対して時分割で書き込む。
ここでは、R,G,Bの3つの画素列(信号線)を単位としたが、これに限られるものではない。そして、この時分割駆動方式(セレクタ方式)を採用することで、時分割数をx(xは2以上の整数)とすると、ドライバの出力数および当該ドライバと信号出力回路60、ひいては表示パネル70との間の配線数を、信号線の本数の1/xに削減できる利点がある。
信号出力回路60から選択的に出力される信号電圧Vsig/基準電位Vofsは、信号線33−1〜33−nを介して画素アレイ部30の各画素20に対して行単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路60は、信号電圧Vsigを行(ライン)単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
(画素回路)
図2は、参考例に係る有機EL表示装置10Aに用いられる画素(画素回路)20Aの構成例を示す回路図である。
図2は、参考例に係る有機EL表示装置10Aに用いられる画素(画素回路)20Aの構成例を示す回路図である。
図2に示すように、画素20Aは、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子21と、当該有機EL素子21を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機EL素子21は、全ての画素20Aに対して共通に配線(いわゆる、ベタ配線)された共通電源供給線34にカソード電極が接続されている。
有機EL素子21を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ22、書込みトランジスタ(サンプリングトランジスタ)23および保持容量24を有する構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23としてNチャネル型のTFTを用いている。ただし、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
なお、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23としてNチャネル型のTFTを用いると、アモルファスシリコン(a−Si)プロセスを用いることができる。a−Siプロセスを用いることで、TFTを作成する基板の低コスト化、ひいては本有機EL表示装置10Aの低コスト化を図ることが可能になる。また、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23を同じ導電型の組み合わせにすると、両トランジスタ22,23を同じプロセスで作成することができるため低コスト化に寄与できる。
駆動トランジスタ22は、一方の電極(ソース/ドレイン電極)が有機EL素子21のアノード電極に接続され、他方の電極(ドレイン/ソース電極)が電源供給線32(32−1〜32−m)に接続されている。
書込みトランジスタ23は、ゲート電極が走査線31(31−1〜31−m)に接続され、一方の電極(ソース/ドレイン電極)が信号線33(33−1〜33−n)に接続され、他方の電極(ドレイン/ソース電極)が駆動トランジスタ22のゲート電極に接続されている。
駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23において、一方の電極とは、ソース/ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン/ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
保持容量24は、一方の電極が駆動トランジスタ22のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ22の他方の電極および有機EL素子21のアノード電極に接続されている。
なお、有機EL素子21の駆動回路としては、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23の2つのトランジスタと保持容量24の1つの容量素子とからなる回路構成のものに限られるものではない。例えば、一方の電極が有機EL素子21のアノード電極に、他方の電極が固定電位にそれぞれ接続されることで、有機EL素子21の容量不足分を補う補助容量を必要に応じて設けた回路構成を採ることも可能である。
上記構成の画素20Aにおいて、書込みトランジスタ23は、書込み走査回路40から走査線31を通してゲート電極に印加されるHighアクティブの書込み走査信号WSに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ23は、信号線33を通して信号出力回路60から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Vsigまたは基準電位Vofsをサンプリングして画素20A内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Vsigまたは基準電位Vofsは、駆動トランジスタ22のゲート電極に印加されるとともに保持容量24に保持される。
駆動トランジスタ22は、電源供給線32(32−1〜32−m)の電位(以下、「電源電位」と記述する場合もある)DSが第1電源電位Vccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ22は、電源供給線32から電流の供給を受けて有機EL素子21を電流駆動にて発光駆動する。
より具体的には、駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作することにより、保持容量24に保持されている信号電圧Vsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機EL素子21に供給する。これにより、有機EL素子21は、駆動トランジスタ22から供給される駆動電流の電流値(電流量)に応じた発光輝度で発光する。
駆動トランジスタ22はさらに、電源電位DSが第1電源電位Vccpから第2電源電位Viniに切り替わったときは、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。そして、駆動トランジスタ22は、スイッチング動作によって有機EL素子21への駆動電流の供給を停止し、有機EL素子21を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ22は、有機EL素子21の発光/非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
このようにして、駆動トランジスタ22のスイッチング動作により、有機EL素子21が非発光状態となる期間(非発光期間)を設け、有機EL素子21の発光期間と非発光期間との割合を制御する(いわゆる、デューティ制御)。このデューティ制御により、1フレーム期間に亘って画素20Aが発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
電源供給走査回路50から電源供給線32を通して選択的に供給される第1,第2電源電位Vccp,Viniのうち、第1電源電位Vccpは有機EL素子21を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ22に供給するための電源電位である。また、第2電源電位Viniは、有機EL素子21に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第2電源電位Viniは、信号電圧の基準となる基準電位Vofsよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ22の閾値電圧をVthとするときVofs−Vthよりも低い電位、好ましくはVofs−Vthよりも十分に低い電位に設定される。
(画素構造)
図3は、画素20Aの断面構造の一例を示す断面図である。図3に示すように、画素20Aは、駆動トランジスタ22等を含む駆動回路が形成されたガラス基板201上に形成されている。具体的には、ガラス基板201上に絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204がその順に形成され、当該ウインド絶縁膜204の凹部204Aに有機EL素子21が設けられた構成となっている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、駆動トランジスタ22のみを図示し、他の構成素子については省略している。
図3は、画素20Aの断面構造の一例を示す断面図である。図3に示すように、画素20Aは、駆動トランジスタ22等を含む駆動回路が形成されたガラス基板201上に形成されている。具体的には、ガラス基板201上に絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204がその順に形成され、当該ウインド絶縁膜204の凹部204Aに有機EL素子21が設けられた構成となっている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、駆動トランジスタ22のみを図示し、他の構成素子については省略している。
有機EL素子21は、金属等からなるアノード電極205と、当該アノード電極205上に形成された有機層206と、当該有機層206上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極207とから構成されている。アノード電極205は、上記ウインド絶縁膜204の凹部204Aの底部に形成されている。
この有機EL素子21において、有機層206は、アノード電極205上にホール輸送層/ホール注入層2061、発光層2062、電子輸送層2063および電子注入層(図示せず)が順次堆積されることによって形成される。そして、図2の駆動トランジスタ22による電流駆動の下に、駆動トランジスタ22からアノード電極205を通して有機層206に電流が流れることで、当該有機層206内の発光層2062において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
駆動トランジスタ22は、ゲート電極221と、半導体層222のゲート電極221と対向する部分のチャネル形成領域225と、半導体層222のチャネル形成領域225の両側のドレイン/ソース領域223,224とから構成されている。ソース/ドレイン領域223は、コンタクトホールを介して有機EL素子21のアノード電極205と電気的に接続されている。
そして、図3に示すように、駆動トランジスタ22を含む駆動回路が形成されたガラス基板201上に、絶縁膜202、絶縁平坦化膜203およびウインド絶縁膜204を介して有機EL素子21が画素単位で形成される。そして、パッシベーション膜208を介して封止基板209が接着剤210によって接合され、当該封止基板209によって有機EL素子21が封止されることによって表示パネル70が形成される。
[参考例に係る有機EL表示装置の回路動作]
次に、上記構成の画素20Aが行列状に2次元配置されてなる参考例に係る有機EL表示装置10Aの回路動作について、図4のタイミング波形図を基に図5および図6の動作説明図を用いて説明する。
次に、上記構成の画素20Aが行列状に2次元配置されてなる参考例に係る有機EL表示装置10Aの回路動作について、図4のタイミング波形図を基に図5および図6の動作説明図を用いて説明する。
なお、図5および図6の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ23をスイッチのシンボルで図示している。また、周知の通り、有機EL素子21は等価容量(寄生容量)Celを持っている。したがって、ここでは、等価容量Celについても図示している。
図4のタイミング波形図には、走査線31(31−1〜31−m)の電位(書込み走査信号)WSの変化、電源供給線32(32−1〜32−m)の電位(電源電位)DSの変化、ならびに駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgおよびソース電圧Vsの変化を示している。
〔前フレームの発光期間〕
図4のタイミング波形図において、時刻t1以前は、前のフレーム(フィールド)における有機EL素子21の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線32の電位DSが第1電源電位(以下、「高電位」と記述する)Vccpにあり、また、書込みトランジスタ23が非導通状態にある。
図4のタイミング波形図において、時刻t1以前は、前のフレーム(フィールド)における有機EL素子21の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線32の電位DSが第1電源電位(以下、「高電位」と記述する)Vccpにあり、また、書込みトランジスタ23が非導通状態にある。
このとき、駆動トランジスタ22は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図5(A)に示すように、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsに応じた駆動電流(ドレイン−ソース間電流)Idsが、電源供給線32から駆動トランジスタ22を通して有機EL素子21に供給される。よって、有機EL素子21が駆動電流Idsの電流値に応じた輝度で発光する。
〔閾値補正準備期間〕
時刻t1になると、線順次走査の新しいフレーム(現フレーム)に入る。そして、図5(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから、信号線33の基準電位Vofsに対してVofs−Vthよりも十分に低い第2電源電位(以下、「低電位」と記述する)Viniに切り替わる。
時刻t1になると、線順次走査の新しいフレーム(現フレーム)に入る。そして、図5(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから、信号線33の基準電位Vofsに対してVofs−Vthよりも十分に低い第2電源電位(以下、「低電位」と記述する)Viniに切り替わる。
ここで、有機EL素子21の閾値電圧をVthel、共通電源供給線34の電位(カソード電位)をVcathとする。このとき、低電位ViniをVini<Vthel+Vcathとすると、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが低電位Viniにほぼ等しくなるために、有機EL素子21は逆バイアス状態となる。したがって、有機EL素子21は消光する。
次に、時刻t2で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、図5(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態となる。このとき、信号出力回路60から信号線33に対して基準電位Vofsが供給されているために、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgが基準電位Vofsになる。また、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsは、基準電位Vofsよりも十分に低い電位Viniにある。
このとき、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧VgsはVofs−Viniとなる。ここで、Vofs−Viniが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Vofs−Vini>Vthなる電位関係に設定する必要がある。
このように、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgを基準電位Vofsに、ソース電圧Vsを低電位Viniにそれぞれ固定して(確定させて)初期化する処理が、後述する閾値補正処理を行う前段階の準備(閾値補正準備)の処理である。したがって、基準電位Vofsおよび低電位Viniは、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgおよびソース電圧Vsの各初期化電位となる。
〔閾値補正期間〕
次に、時刻t3で、図5(D)に示すように、電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電圧Vgから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向けて駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが上昇を開始する。
次に、時刻t3で、図5(D)に示すように、電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電圧Vgから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向けて駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが上昇を開始する。
ここでは、駆動トランジスタ22のゲート電極の初期化電位Vofsを基準として、当該初期化電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向けてソース電圧Vsを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに収束する。この閾値電圧Vthに相当する電圧は保持容量24に保持される。
なお、閾値補正処理を行う期間(閾値補正期間)において、電流が専ら保持容量24側に流れ、有機EL素子21側には流れないようにする必要がある。そのために、有機EL素子21がカットオフ状態となるように共通電源供給線34の電位Vcathを設定しておくこととする。
次に、時刻t4で走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図6(A)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ22のゲート電極が信号線33から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Vgsが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに等しいために、当該駆動トランジスタ22はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ22にドレイン−ソース間電流Idsは殆ど流れない。
〔信号書込み&移動度補正期間〕
次に、時刻t5で、図6(B)に示すように、信号線33の電位が基準電位Vofsから映像信号の信号電圧Vsigに切り替わる。続いて、時刻t6で、走査線31の電位WSが高電位側に遷移することで、図6(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態になって映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングし、当該信号電圧Vsigを画素20A内に書き込む。
次に、時刻t5で、図6(B)に示すように、信号線33の電位が基準電位Vofsから映像信号の信号電圧Vsigに切り替わる。続いて、時刻t6で、走査線31の電位WSが高電位側に遷移することで、図6(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態になって映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングし、当該信号電圧Vsigを画素20A内に書き込む。
この書込みトランジスタ23による信号電圧Vsigの書込みにより、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgが信号電圧Vsigとなる。そして、映像信号の信号電圧Vsigによる駆動トランジスタ22の駆動の際に、当該駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが保持容量24に保持された閾値電圧Vthに相当する電圧とキャンセルされる。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
このとき、有機EL素子21はカットオフ状態(ハイインピーダンス状態)にある。したがって、映像信号の信号電圧Vsigに応じて電源供給線32から駆動トランジスタ22に流れる電流(ドレイン−ソース間電流Ids)は有機EL素子21の等価容量Celに流れ込む。このドレイン−ソース間電流Idsにより、有機EL素子21の等価容量Celの充電が開始される。
この等価容量Celの充電により、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsは当該駆動トランジスタ22の移動度μに依存したものとなる。
ここで、映像信号の信号電圧Vsigに対する保持容量24の保持電圧Vgsの比率が1(理想値)であると仮定する。この信号電圧Vsigに対する保持電圧Vgsの比率を書込みゲインと呼ぶ場合もある。すると、駆動トランジスタ22のソース電圧VsがVofs−Vth+ΔVの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig−Vofs+Vth−ΔVとなる。
すなわち、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの上昇分ΔVは、保持容量24に保持された電圧(Vsig−Vofs+Vth)から差し引かれるように作用する。換言すれば、ソース電圧Vsの上昇分ΔVは、保持容量24の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの上昇分ΔVは負帰還の帰還量となる。
このように、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsに応じた帰還量ΔVでゲート‐ソース間電圧Vgsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この移動度μに対する依存性を打ち消す処理が、駆動トランジスタ22の移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正処理である。
より具体的には、駆動トランジスタ22のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Vin(=Vsig−Vofs)が高いほどドレイン−ソース間電流Idsが大きくなるために、負帰還の帰還量ΔVの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
また、映像信号の信号振幅Vinを一定とした場合、駆動トランジスタ22の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔVの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。したがって、負帰還の帰還量ΔVは移動度補正の補正量とも言える。
〔発光期間〕
次に、時刻t7で走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図6(D)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電極は、信号線33から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
次に、時刻t7で走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図6(D)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電極は、信号線33から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
ここで、駆動トランジスタ22のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間に保持容量24が接続されていることにより、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの変動に連動して(追従して)ゲート電圧Vgも変動する。このように、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgがソース電圧Vsの変動に連動して変動する動作を、本明細書では保持容量24によるブートストラップ動作と呼ぶこととする。
駆動トランジスタ22のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsが有機EL素子21に流れ始めることにより、当該ドレイン−ソース間電流Idsに応じて有機EL素子21のアノード電位が上昇する。
そして、有機EL素子21のアノード電位がVthel+Vcathを越えると、有機EL素子21に駆動電流が流れ始めるため有機EL素子21が発光を開始する。また、有機EL素子21のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの上昇に他ならない。駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが上昇すると、保持容量24のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgも連動して上昇する。
このとき、ブートストラップゲインが1(理想値)であると仮定した場合、ゲート電圧Vgの上昇量はソース電圧Vsの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig−Vofs+Vth−ΔVで一定に保持される。そして、時刻t8で信号線33の電位が映像信号の信号電圧Vsigから基準電位Vofsに切り替わる。
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Vsigの書込み(信号書込み)および移動度補正の各処理動作は、1水平走査期間(1H)において実行される。また、信号書込みおよび移動度補正の各処理動作は、時刻t6−t7の期間において並行して実行される。
(閾値キャンセルの原理)
ここで、駆動トランジスタ22の閾値補正(即ち、閾値キャンセル)の原理について説明する。閾値補正処理は、先述したように、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgの初期化電位Vofsを基準として当該電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向かって、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsを変化させる処理である。
ここで、駆動トランジスタ22の閾値補正(即ち、閾値キャンセル)の原理について説明する。閾値補正処理は、先述したように、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgの初期化電位Vofsを基準として当該電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向かって、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsを変化させる処理である。
駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。定電流源として動作することで、有機EL素子21に対して駆動トランジスタ22から、次式(1)で与えられる一定のドレイン−ソース間電流(駆動電流)Idsが供給される。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここで、Wは駆動トランジスタ22のチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量である。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここで、Wは駆動トランジスタ22のチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量である。
図7に、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Ids対ゲート−ソース間電圧Vgsの特性を示す。
この特性図に示すように、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧VthがVth1のとき、ゲート−ソース間電圧Vgsに対応するドレイン−ソース間電流IdsがIds1になる。
これに対して、閾値電圧VthがVth2(Vth2>Vth1)のとき、同じゲート−ソース間電圧Vgsに対応するドレイン−ソース間電流IdsがIds2(Ids2<Ids)になる。すなわち、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが変動すると、当該駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsが一定であってもドレイン−ソース間電流Idsが変動する。
一方、上記構成の画素(画素回路)20では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧VgsがVsig−Vofs+Vth−ΔVであるために、これを式(1)に代入すると、ドレイン−ソース間電流Idsは、次式(2)で表される。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vsig−Vofs−ΔV)2
……(2)
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vsig−Vofs−ΔV)2
……(2)
すなわち、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ22から有機EL素子21に供給されるドレイン−ソース間電流Idsは、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに依存しない。その結果、駆動トランジスタ22の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthが画素ごとに変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Idsが変動しないために、有機EL素子21の発光輝度を一定に保つことができる。
(移動度補正の原理)
続いて、駆動トランジスタ22の移動度補正の原理について説明する。移動度補正処理は、先述したように、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsに応じた補正量ΔVで駆動トランジスタ22のゲート−ソース間の電位差に負帰還をかける処理である。この移動度補正処理により、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。
続いて、駆動トランジスタ22の移動度補正の原理について説明する。移動度補正処理は、先述したように、駆動トランジスタ22に流れるドレイン−ソース間電流Idsに応じた補正量ΔVで駆動トランジスタ22のゲート−ソース間の電位差に負帰還をかける処理である。この移動度補正処理により、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。
図8に、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に大きい画素Aと、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に小さい画素Bとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ22をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Aや画素Bのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
画素Aと画素Bで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ22のゲート電極に例えば両画素A,Bに対して同レベルの信号振幅Vin(=Vsig−Vofs)を書き込んだ場合を考える。この場合、移動度μの補正を何ら行わないと、移動度μの大きい画素Aに流れるドレイン−ソース間電流Ids1′と移動度μの小さい画素Bに流れるドレイン−ソース間電流Ids2′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Idsに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれる。
ここで、先述した式(1)のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Idsが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔVは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図8に示すように、移動度μの大きな画素Aの帰還量ΔV1は、移動度の小さな画素Bの帰還量ΔV2に比べて大きい。
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsに応じた帰還量ΔVでゲート−ソース間電圧Vgsに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。
具体的には、移動度μの大きな画素Aで帰還量ΔV1の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流IdsはIds1′からIds1まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Bの帰還量ΔV2は小さいために、ドレイン−ソース間電流IdsはIds2′からIds2までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Aのドレイン−ソース間電流Ids1と画素Bのドレイン−ソース間電流Ids2とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素ごとのばらつきが補正される。
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Aと画素Bがあった場合、移動度μの大きい画素Aの帰還量ΔV1は移動度μの小さい画素Bの帰還量ΔV2に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔVが大きく、ドレイン−ソース間電流Idsの減少量が大きくなる。
したがって、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsに応じた帰還量ΔVで、ゲート−ソース間電圧Vgsに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Idsの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ22に流れる電流(ドレイン−ソース間電流Ids)に応じた帰還量ΔVで、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsに負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
ここで、図2に示した画素(画素回路)20Aにおいて、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位(サンプリング電位)Vsigと駆動トランジスタ22のドレイン・ソース間電流Idsとの関係について図9を用いて説明する。
図9において、(A)は閾値補正処理および移動度補正処理を共に行わない場合、(B)は移動度補正処理を行わず、閾値補正処理のみを行った場合、(C)は閾値補正処理および移動度補正処理を共に行った場合をそれぞれ示している。図9(A)に示すように、閾値補正処理および移動度補正処理を共に行わない場合には、閾値電圧Vthおよび移動度μの画素A,Bごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Idsに画素A,B間で大きな差が生じることになる。
これに対して、閾値補正処理のみを行った場合は、図9(B)に示すように、ドレイン−ソース間電流Idsのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素A,Bごとのばらつきに起因する画素A,B間でのドレイン−ソース間電流Idsの差は残る。そして、閾値補正処理および移動度補正処理を共に行うことで、図9(C)に示すように、閾値電圧Vthおよび移動度μの画素A,Bごとのばらつきに起因する画素A,B間でのドレイン−ソース間電流Idsの差をほぼ無くすことができる。したがって、どの階調においても有機EL素子21の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
また、図2に示した画素20Aは、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述した保持容量24によるブートストラップ動作の機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。
すなわち、有機EL素子21のI−V特性の経時変化に伴って駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが変化したとしても、保持容量24によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電位Vgsを一定に維持することができる。したがって、有機EL素子21に流れる電流は変化せず一定となる。その結果、有機EL素子21の発光輝度も一定に保たれるために、有機EL素子21のI−V特性が経時変化したとしても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
(移動度補正処理に伴う不具合について)
上述したように、参考例に係る有機EL表示装置10Aは、駆動トランジスタ22の移動度μが画素ごとにばらつきを持つことを前提に、当該移動度μのばらつきを補正するために、信号書込み処理と並行して移動度補正処理を実行するようにしている。
上述したように、参考例に係る有機EL表示装置10Aは、駆動トランジスタ22の移動度μが画素ごとにばらつきを持つことを前提に、当該移動度μのばらつきを補正するために、信号書込み処理と並行して移動度補正処理を実行するようにしている。
この移動度補正処理は、先述した回路動作から明らかなように、駆動トランジスタのソース電圧Vsを上昇させながら行われる。したがって、前にも述べたように、所望の発光輝度を得るためには、駆動トランジスタ22のゲート電極に印加される映像信号の信号電圧Vsigをソース電圧Vsの上昇分だけ高くする必要がある。
一方、近年、駆動トランジスタ22の移動度μのばらつきを小さくするように、プロセス技術の開発が進められている。そして、駆動トランジスタ22の移動度μのばらつきを小さくなると、移動度補正処理を行う必要がなくなる。しかし、参考例に係る有機EL表示装置10Aでは、信号書込み処理と並行して移動度補正処理を実行する画素構成となっている。
上述したように、移動度補正処理を実行するには、映像信号の信号電圧Vsigを、移動度補正処理を行わない場合に比べて、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの上昇分だけ高くする必要がある。すると、駆動トランジスタ22の移動度μのばらつきが小さい表示装置にあっては、移動度補正処理を行う必要が無いにも拘わらず、信号電圧Vsigを扱うドライバにおいて無駄に電力を消費することになり、表示装置全体の低消費電力化の妨げとなる。
<2.実施形態>
本実施形態では、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにすることで、閾値補正処理については実行するが、移動度補正処理については実行しないようにすることを特徴としている。これにより、移動度補正処理を行う構成を採る場合に比べて、映像信号の信号電圧Vsigを低減できるために、当該信号電圧Vsigを書き込むドライバ、ひいては表示装置全体の低消費電力化を図ることができる。以下に、本実施形態について具体的に説明する。
本実施形態では、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにすることで、閾値補正処理については実行するが、移動度補正処理については実行しないようにすることを特徴としている。これにより、移動度補正処理を行う構成を採る場合に比べて、映像信号の信号電圧Vsigを低減できるために、当該信号電圧Vsigを書き込むドライバ、ひいては表示装置全体の低消費電力化を図ることができる。以下に、本実施形態について具体的に説明する。
[システム構成]
図10は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。ここでも、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子を画素(画素回路)の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
図10は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。ここでも、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子を画素(画素回路)の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
図10に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置10は、発光素子を含む複数の画素20と、当該画素20が行列状に2次元配置された画素アレイ部30と、当該画素アレイ部30の周辺に配置された駆動部とを有する構成となっている。
そして、本実施形態では、駆動部の走査駆動系として、書込み走査回路40および電源供給走査回路50に加えて、制御走査回路80を有している。この制御走査回路80も、書込み走査回路40および電源供給走査回路50と同様に、表示パネル70の外部に設けられている。書込み走査回路40および電源供給走査回路50、さらには信号出力回路60の構成については、参考例の場合と同じであり、重複するので、ここではその説明を省略する。
なお、本実施形態に係る画素20においても、参考例の場合と同様に、電源供給線32の電源電位(Vccp/Vini)DSの切り替えによって有機EL素子21の発光/非発光の制御が行なわれる。また、信号線33は、階調を反映した信号電位Vsigと駆動トランジスタ22のゲート電位Vgを初期化する基準電位Vofsの少なくとも2値をとる。ただし、2値に限られるものではない。
制御走査回路80は、クロックパルスckに同期してスタートパルスspを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この制御走査回路80は、書込み走査回路40による線順次走査に同期して、制御走査信号AZ(AZ1〜AZm)を順次出力する。この制御走査信号AZは、画素アレイ部30に行方向に沿って画素行ごとに配線された制御走査線35−1〜35−mを通して行単位で画素20に供給される。
(画素回路)
図11は、本実施形態に係る有機EL表示装置10に用いられる画素(画素回路)20の構成例を示す回路図である。図11において、図2と同等部分には同一符号を付して示している。
図11は、本実施形態に係る有機EL表示装置10に用いられる画素(画素回路)20の構成例を示す回路図である。図11において、図2と同等部分には同一符号を付して示している。
図11に示すように、本例に係る画素20は、有機EL素子21の駆動回路として、駆動トランジスタ22、書込みトランジスタ23および保持容量24に加えて、スイッチングトランジスタ25を有する構成となっている。
すなわち、画素20は、スイッチングトランジスタ25が追加された以外は、図2に示す画素20Aと同じ構成となっている。したがって、駆動トランジスタ22、書込みトランジスタ23および保持容量24の接続関係および機能の説明については、ここでは省略する。
スイッチングトランジスタ25としては、一例として、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23と同じ導電型のトランジスタであるNチャネル型のTFTを用いている。ただし、駆動トランジスタ22、書込みトランジスタ23およびのスイッチングトランジスタ25導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
スイッチングトランジスタ25は、書込みトランジスタ23および保持容量24の各電極の共通接続ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間に接続されている。このスイッチングトランジスタ25は、制御走査回路80から与えられる制御走査信号AZによって導通(オン)/非導通(オフ)の制御が行われる。制御走査信号AZは、少なくとも、書込みトランジスタ23による信号電圧Vsigの書込み期間に非アクティブ(本例では、“L”レベル)状態になり、それ以外はアクティブ(本例では、“H”レベル)状態になる。
この制御走査信号AZによる制御により、スイッチングトランジスタ25は、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにする。すなわち、スイッチングトランジスタ25は、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないように制御する制御素子として機能する。
なお、制御素子としてはトランジスタに限られるものではなく、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を選択的に遮断できる構成のものであれば良い。また、画素20の構造については、基本的に、図3に示す参考例に係る画素20Aの場合と同じであり、画素20を構成するトランジスタとしてスイッチングトランジスタ25が増えるだけの違いである。
[本実施形態に係る有機EL表示装置の回路動作]
次に、上記構成の画素20が行列状に2次元配置されてなる本実施形態に係る有機EL表示装置10の回路動作について、図12のタイミング波形図を基に図13および図14の動作説明図を用いて説明する。
次に、上記構成の画素20が行列状に2次元配置されてなる本実施形態に係る有機EL表示装置10の回路動作について、図12のタイミング波形図を基に図13および図14の動作説明図を用いて説明する。
なお、図13および図14の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ23およびスイッチングトランジスタ25をスイッチのシンボルで図示している。また、有機EL素子21の等価容量Celについても図示している。
図12のタイミング波形図には、走査線31の電位(書込み走査信号)WSの変化、制御走査線35の電位(制御走査信号)AZの変化、電源供給線32の電位DSの変化、ノードNの電位の変化および駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの変化を示している。
先述した参考例に係る回路動作では、閾値補正処理を1回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明した。これに対して、本実施形態に係る回路動作では、閾値補正処理を信号書込み処理と共に行う1水平走査期間に加えて、当該水平走査期間に先行する複数の水平走査期間に分割して複数回実行する、いわゆる分割閾値補正を行う駆動法を採るものとする。ただし、閾値補正処理を1回だけ実行する駆動法を採っても良いことは勿論である。
分割閾値補正の駆動法を採用することにより、高精細化に伴う多画素化によって1水平走査期間に割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平走査期間に亘って十分な時間を確保することができるために、閾値補正処理を確実に行うことができる利点がある。
〔前フレームの発光期間〕
図12のタイミング波形図において、時刻t11以前は、前のフレーム(フィールド)における有機EL素子21の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpにある。また、書込みトランジスタ23が非導通状態に、スイッチングトランジスタ25が導通状態にある。
図12のタイミング波形図において、時刻t11以前は、前のフレーム(フィールド)における有機EL素子21の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpにある。また、書込みトランジスタ23が非導通状態に、スイッチングトランジスタ25が導通状態にある。
このとき、駆動トランジスタ22は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図13(A)に示すように、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsに応じた駆動電流(ドレイン−ソース間電流)Idsが、電源供給線32から駆動トランジスタ22を通して有機EL素子21に供給される。よって、有機EL素子21が駆動電流Idsの電流値に応じた輝度で発光する。
〔閾値補正準備期間〕
時刻t11になると、線順次走査の新しいフレーム(現フレーム)に入る。そして、図13(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから低電位Viniに切り替わる。このとき、低電位Viniが有機EL素子21の閾値電圧Vthelとカソード電位Vcathの和よりも小さければ、即ちVini<Vthel+Vcathであれば有機EL素子21は逆バイアス状態となる。したがって、有機EL素子21は消光する。このとき、有機EL素子21のアノード電位は低電位Viniなる。
時刻t11になると、線順次走査の新しいフレーム(現フレーム)に入る。そして、図13(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから低電位Viniに切り替わる。このとき、低電位Viniが有機EL素子21の閾値電圧Vthelとカソード電位Vcathの和よりも小さければ、即ちVini<Vthel+Vcathであれば有機EL素子21は逆バイアス状態となる。したがって、有機EL素子21は消光する。このとき、有機EL素子21のアノード電位は低電位Viniなる。
次に、信号線33の電位が基準電位Vofsにある時刻t12で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、図13(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgが基準電位Vofsになるため、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧VgsはVofs−Viniとなる。
ここで、Vofs−Viniが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Vofs−Vini>Vthなる電位関係に設定する必要がある。
このようにして、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgを基準電位Vofsに、ソース電圧Vsを低電位Viniにそれぞれ確定させる初期化により、後述する閾値補正処理に先立っての閾値補正準備の処理が行なわれる。この閾値補正準備は、走査線31の電位WSが高電位(書込み走査信号WSがアクティブ状態)にある時刻t12から時刻t13までの期間となる。
〔分割Vth補正期間〕
次に、時刻t14で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、書込みトランジスタ23が再び導通状態となる。このとき、スイッチングトランジスタ25は引き続き導通状態にある。そして、時刻t15で電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、図13(D)に示すように、電源供給線32→駆動トランジスタ22→有機EL素子21のアノード→保持容量24の経路で電流が流れる。
次に、時刻t14で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、書込みトランジスタ23が再び導通状態となる。このとき、スイッチングトランジスタ25は引き続き導通状態にある。そして、時刻t15で電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、図13(D)に示すように、電源供給線32→駆動トランジスタ22→有機EL素子21のアノード→保持容量24の経路で電流が流れる。
ここで、有機EL素子21はダイオードと容量(等価容量)で表わされるために、有機EL素子21のアノード電圧VelがVel≦Vcath+Vthelである限り、駆動トランジスタ22を流れる電流は保持容量24と等価容量Celの充電に使われる。ここで、Vel≦Vcath+Vthelということは、有機EL素子21のリーク電流が駆動トランジスタ22を流れる電流よりもかなり小さいということである。
この充電動作により、有機EL素子21のアノード電圧Vel、即ち駆動トランジスタ22のソース電圧Vsは、図15に示すように、時間の経過とともに上昇してゆく。すなわち、駆動トランジスタ22のゲート電極の初期化電位Vofsを基準として、当該初期化電位Vofsから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向けてソース電圧Vsを変化させる閾値補正処理が行われる。
時刻t15から一定時間が経過した時刻t16で、走査線31の電位WSが高電位側から低電位側に遷移することで、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。このとき、スイッチングトランジスタ25は導通状態のままである。この時刻t15から時刻t16までの期間が1回目の閾値補正期間となる。
このとき、駆動トランジスタ22のゲート−スース間電圧Vgsが閾値電圧Vthよりも大きいために、図14(A)に示すように、電源供給線32→駆動トランジスタ22→有機EL素子21のアノード→保持容量24の経路で電流が流れる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgおよびソース電圧Vsが上昇してゆく。このとき、有機EL素子21には逆バイアスがかかっているために当該有機EL素子21が発光することはない。
そして再び信号線33の電位が基準電位Vofsにある時刻17で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、書込みトランジスタ23が再び導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgが基準電位Vofsに初期化され、2回目の閾値補正処理が開始される。この2回目の閾値補正処理は、時刻t18で走査線31の電位WSが高電位側から低電位側に遷移し、書込みトランジスタ23が非導通状態になるまで行われる。
以降、時刻t19から時刻t20までの期間で3回目の閾値補正処理が行われる。本回路動作例では、閾値補正処理を3H期間に亘って3分割して行うとしているが、これは一例に過ぎず、分割Vth補正としては3分割に限られるものではない。
この分割閾値補正の処理動作を繰り返すことで、駆動トランジスタ22のゲート−スース間電圧Vgsは、最終的に、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに収束する。この閾値電圧Vthに相当する電圧は保持容量24に保持される。
なお、閾値補正処理において、電流が専ら保持容量24側に流れ、有機EL素子21側には流れないようにする必要がある。そのために、有機EL素子21がカットオフ状態となるように共通電源供給線34の電位Vcathを設定しておくこととする。
時刻t20で走査線31の電位WSが高電位側から低電位側に遷移することで、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ22のゲート電極が信号線33から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Vgsが駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthに等しいために、当該駆動トランジスタ22はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ22にドレイン−ソース間電流Idsは殆ど流れない。
〔信号書込み期間〕
次に、時刻t21で制御走査線35の電位(制御走査信号)AZが高電位側から低電位側に遷移することで、図14(B)に示すように、スイッチングトランジスタ25が非導通状態になる。そして、信号線33の電位が映像信号の信号電圧Vsigの状態にある時刻t22で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、図14(C)に示すように、書込みトランジスタ23が再び導通状態となる。これにより、映像信号の信号電圧Vsigが書き込まれる。
次に、時刻t21で制御走査線35の電位(制御走査信号)AZが高電位側から低電位側に遷移することで、図14(B)に示すように、スイッチングトランジスタ25が非導通状態になる。そして、信号線33の電位が映像信号の信号電圧Vsigの状態にある時刻t22で走査線31の電位WSが低電位側から高電位側に遷移することで、図14(C)に示すように、書込みトランジスタ23が再び導通状態となる。これにより、映像信号の信号電圧Vsigが書き込まれる。
ここで、映像信号の信号電圧Vsigは、階調を反映した電圧である。この映像信号の信号電圧Vsigの書込み時に、スイッチングトランジスタ25が非導通状態になっているために、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgは基準電位Vofsのままとなる。また、ノードNの電位は、基準電位Vofsから信号電圧Vsigへ変化する。そして、このノードNの電位変化が保持容量24を通じて有機EL素子21のアノード電極に入力される。
このときのノードAの電圧変化分をΔVgとすると、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの変化分ΔVsは、次式(3)のように表わされる。
ΔVs={Ccs/(Ccs+Cel)}・ΔVg ……(3)
このとき、有機EL素子21の容量値Celに比べて保持容量24の容量値Ccsが非常に小さければ、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの変化は殆ど無視することができる。
ΔVs={Ccs/(Ccs+Cel)}・ΔVg ……(3)
このとき、有機EL素子21の容量値Celに比べて保持容量24の容量値Ccsが非常に小さければ、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの変化は殆ど無視することができる。
映像信号の信号電圧VsigをノードNに書き込んだ後、時刻t23走査線31の電位WSが高電位側から低電位側に遷移することで、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。これにより、信号電圧Vsigの書込みが終了する。このとき、駆動トランジスタ22のゲート電極は、信号線33から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
〔発光期間〕
次に、時刻t24で制御走査線35の電位が低電位側から高電位側に遷移することで、スイッチングトランジスタ25が導通状態になる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsは、図14(D)に示すように、ほぼ(Vsig−Vofs+Vth)という値になり、先述した式(1)に応じた電流Ids´が駆動トランジスタ22に流れ始める。すると、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsに応じて有機EL素子21のアノード電位が上昇する。
次に、時刻t24で制御走査線35の電位が低電位側から高電位側に遷移することで、スイッチングトランジスタ25が導通状態になる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート−ソース間電圧Vgsは、図14(D)に示すように、ほぼ(Vsig−Vofs+Vth)という値になり、先述した式(1)に応じた電流Ids´が駆動トランジスタ22に流れ始める。すると、駆動トランジスタ22のドレイン−ソース間電流Idsに応じて有機EL素子21のアノード電位が上昇する。
そして、有機EL素子21のアノード電位がVthel+Vcathを越えると、有機EL素子21に駆動電流(ドレイン−ソース間電流)Ids´が流れ始めるために、当該駆動電流Ids´の電流量に応じた輝度で有機EL素子21が発光する。また、有機EL素子21のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ22のソース電圧Vsの上昇に他ならない。
駆動トランジスタ22のソース電圧Vsが上昇すると、保持容量24のブートストラップ動作によって、駆動トランジスタ22のゲート電圧Vgも連動して(追従して)上昇する。このとき、ブートストラップゲインが1(理想値)であると仮定した場合、ゲート電圧Vgの上昇量はソース電圧Vsの上昇量に等しくなる。したがって、発光期間中駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧VgsはVsig−Vofs+Vthで一定に保持される。
上述した一連の回路動作において、映像信号の信号電圧Vsigの書込み処理が1水平走査期間(1H)において実行され、当該1H期間に先行する2H期間の計3H期間に亘って閾値補正処理が分割して3回実行される。なお、本回路動作例では、書込みトランジスタ22を非導通状態にすることで閾値補正処理を終了するとしたが、制御素子であるスイッチングトランジスタ28によって駆動トランジスタ22に電流が流れないようにすることで閾値補正処理を終了することができる。
有機EL素子21は、発光時間が長くなるとそのI−V特性が変化してしまう。そのため、有機EL素子21のアノード電位も変化する。しかしながら、上述したように、駆動トランジスタ22のゲート‐ソース間電圧Vgsは一定に保たれているために、I−V特性が変化しても有機EL素子21に流れる電流は変化しない。よって、I−V特性が劣化しても、一定電流が常に流れ続けるために、有機EL素子21の発光輝度が変化することはない。
本実施形態に係る有機EL表示装置10によれば、駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthの画素ごとのばらつきを補正しながら、有機EL素子21のI−V特性変動についても補償することができるために、輝度ムラのない均一な画質を得ることができる。また、画素20のトランジスタ22,23,25として全てNチャネル型トランジスタを用いることで、アモルファスシリコンプロセスが適用できるために、本有機EL表示装置10の低コスト化を実現できる。
加えて、本実施形態に係る有機EL表示装置10では、参考例に係る有機EL表示装置10Aで信号書込み処理と並行して実行していた移動度補正処理を行わない構成を採っている。具体的には、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、スイッチングトランジスタ25によってノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにしている。
信号電圧Vsigの書込みのときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないと、ドレイン−ソース間電流Idsに応じた帰還量ΔVでゲート‐ソース間電圧Vgsに負帰還をかけることで、移動度μのばらつきを補正する移動度補正処理が行われないことになる。このことは、先述した参考例に係る有機EL表示装置10Aの回路動作の説明から明らかである。
移動度補正処理は、駆動トランジスタ22にドレイン−ソース間電流Idsが流れることで、図4のタイミング波形図から明らかなように、駆動トランジスタ22のソース電圧Vsを上昇させながら行われる。したがって、移動度補正処理を行う構成を採ると、先述したように、映像信号の信号電圧Vsigを、移動度補正処理を行わない場合よりも高く設定せざるを得ない。
信号線33に対して映像信号を書き込むドライバの消費電力Pは、信号線33の寄生容量をC、映像信号の電圧をV、駆動周波数をfとすると、
P=C・V2 ・f ……(4)
なる式で与えられる。
P=C・V2 ・f ……(4)
なる式で与えられる。
すなわち、ドライバの消費電力Pは、映像信号の電圧Vの自乗に比例する。このことから、駆動トランジスタ22の移動度μのばらつきが小さい表示装置にあっては、移動度補正処理を行わないようにすることで、映像信号の信号電圧Vsigを低く設定できるために、ドライバ、ひいては表示装置全体の低消費電力化を実現できる。
なお、駆動トランジスタ22の移動度μのばらつきが大きい表示装置にあっては、制御走査信号AZを常時アクティブ状態とし、スイッチングトランジスタ25を導通状態のままにすることで、信号書込み処理と並行して移動度補正処理を実行することができる。このときの回路動作は、基本的に、参考例に係る有機EL表示装置10Aの回路動作の場合と同じである。
<3.変形例>
上記実施形態では、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないように制御する制御素子として、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間に接続されたスイッチングトランジスタ25を用いるとした。しかし、これは一例に過ぎず、制御素子としては、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断する構成のものに限られない。以下に、その変形例を示す。
上記実施形態では、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないように制御する制御素子として、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間に接続されたスイッチングトランジスタ25を用いるとした。しかし、これは一例に過ぎず、制御素子としては、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断する構成のものに限られない。以下に、その変形例を示す。
(画素構成の変形例1)
図16は、変形例1に係る画素の構成例を示す回路図であり、図中、図11と同等部分には同一符号を付して示している。
図16は、変形例1に係る画素の構成例を示す回路図であり、図中、図11と同等部分には同一符号を付して示している。
図16に示すように、本変形例1に係る画素20−1は、電源供給線32と駆動トランジスタ22のドレイン電極との間に接続されたスイッチングトランジスタ26を制御素子として用いている。このスイッチングトランジスタ26は、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、制御走査信号AZに応答して電源供給線32と駆動トランジスタ22のドレイン電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにする。
スイッチングトランジスタ26の導電型は問わない。ただし、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23と同じNチャネル型トランジスタを用いることで、アモルファスシリコンプロセスが適用できるために、有機EL表示装置10の低コスト化に寄与できる利点がある。
(画素構成の変形例2)
図17は、変形例2に係る画素の構成例を示す回路図であり、図中、図11と同等部分には同一符号を付して示している。
図17は、変形例2に係る画素の構成例を示す回路図であり、図中、図11と同等部分には同一符号を付して示している。
図17に示すように、本変形例2に係る画素20−2は、駆動トランジスタ22のソース電極と有機EL素子21のアノード電極との間に接続されたスイッチングトランジスタ27を制御素子として用いている。このスイッチングトランジスタ27は、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、制御走査信号AZに応答して駆動トランジスタ22のソース電極と有機EL素子21のアノード電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにする。
スイッチングトランジスタ27の導電型は問わない。ただし、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23と同じNチャネル型トランジスタを用いることで、アモルファスシリコンプロセスが適用できるために、有機EL表示装置10の低コスト化に寄与できる利点がある。
これら変形例1,2に係る画素20−1,20−2を用いても、映像信号の信号電圧Vsigを書き込むときに、駆動トランジスタ22に電流が流れないようにすることができる。したがって、先の実施形態の場合と同様に、移動度補正処理を行わないようにすることができる。
ただし、先の実施形態の場合のように、ノードNと駆動トランジスタ22のゲート電極との間を遮断する構成の方が、電源供給線32と有機EL素子21との間の電流経路に制御素子が入らないために好ましい。電源供給線32と有機EL素子21との間の電流経路に制御素子が入ると、当該制御素子にて電圧降下が発生するために、その分だけ電源電圧を高く設定しなければならなくなる。
なお、上記実施形態では、画素の電気光学素子として、有機EL素子を用いた有機EL表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。具体的には、本発明は、無機EL素子、LED素子、半導体レーザ素子等、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子(発光素子)を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
<4.適用例>
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
本発明による表示装置によれば、映像信号の信号電圧を低減できることによって表示装置の低消費電力化が実現可能である。したがって、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることで、当該電子機器の低消費電力化を図ることができる。
本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。このモジュール形状のものとしては、例えば、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、さらには、上記した遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やFPC(フレキシブルプリントサーキット)等が設けられていてもよい。
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。一例として、図18〜図22に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に本発明を適用することが可能である。
図18は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含んでいる。そして、映像表示画面部101として本発明による表示装置を用いることにより、本適用例に係るテレビジョンセットが作製される。
図19は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含んでいる。そして、表示部112として本発明による表示装置を用いることにより、本適用例に係るデジタルカメラが作製される。
図20は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するときに操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含んでいる。そして、表示部123として本発明による表示装置を用いることにより、本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータが作製される。
図21は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含んでいる。そして、表示部134として本発明による表示装置を用いることにより、本適用例に係るビデオカメラが作製される。
図22は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。
本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含んでいる。そして、ディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明による表示装置を用いることにより、本適用例に係る携帯電話機が作製される。
10,10A…有機EL表示装置、20,20−1,20−2,20A…画素(画素回路)、21…有機EL素子、22…駆動トランジスタ、23…書込みトランジスタ、24…保持容量、25,26,27…スイッチングトランジスタ(制御素子)、30…画素アレイ部、31(31−1〜31−m)…走査線、32(32−1〜32−m)…電源供給線、33(33−1〜33−n)…信号線、34…共通電源供給線、35…制御走査線、40…書込み走査回路、40B…出力バッファ部、50…電源供給走査回路、60…信号出力回路、70…表示パネル、80…制御走査回路、WS(WS1〜WSm)…走査線の電位(書込み走査信号)、DS(DS1〜DSm)…電源供給線の電位、AZ…制御走査線の電位(制御走査信号)
Claims (10)
- 電気光学素子と、
映像信号を書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、
前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタに電流が流れないように制御する制御素子と
を有する画素が行列状に配置された
表示装置。 - 前記画素は、前記駆動トランジスタに駆動電流を供給する電源供給線の電源電位の切り替えによって前記電気光学素子の発光/非発光の制御が行なわれる
請求項1記載の表示装置。 - 前記制御素子は、前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタのゲート電極と前記書込みトランジスタおよび前記保持容量との間を遮断する
請求項2記載の表示装置。 - 前記制御素子は、前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタと前記電源供給線との間を遮断する
請求項2記載の表示装置。 - 前記制御素子は、前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタと前記電気光学素子との間を遮断する
請求項2記載の表示装置。 - 前記映像信号を供給する信号線は、階調を反映した信号電位と前記駆動トランジスタのゲート電圧を初期化する基準電位との少なくとも2値をとる
請求項1記載の表示装置。 - 前記信号線が前記基準電位にあるときに、前記制御素子によって前記駆動トランジスタに電流が流れる状態にし、前記書込みトランジスタによって前記基準電位を書き込むことによって前記駆動トランジスタのゲート電圧を初期化し、当該初期化電位から前記駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、前記駆動トランジスタのソース電圧を変化させる閾値補正処理を行う
請求項6記載の表示装置。 - 前記書込みトランジスタを非導通状態にするか、または、前記制御素子によって前記駆動トランジスタに電流が流れないようにするかのいずれかによって前記閾値補正処理を終了する
請求項7記載の表示装置。 - 電気光学素子と、映像信号を書き込む書込みトランジスタと、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量とを有する画素が行列状に配置された表示装置の駆動に当たって、
前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタに電流が流れないようにする
表示装置の駆動方法。 - 電気光学素子と、
映像信号を書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号に応じて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、前記書込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、
前記書込みトランジスタによって前記映像信号を書き込むときに、前記駆動トランジスタに電流が流れないように制御する制御素子と
を有する画素が行列状に配置された
表示装置を有する電子機器。
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