JP2003150105A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JP2003150105A JP2003150105A JP2001344663A JP2001344663A JP2003150105A JP 2003150105 A JP2003150105 A JP 2003150105A JP 2001344663 A JP2001344663 A JP 2001344663A JP 2001344663 A JP2001344663 A JP 2001344663A JP 2003150105 A JP2003150105 A JP 2003150105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- optical element
- power cutoff
- data
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 17
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い輝度データが設定されている光学素子
を、低い輝度データに書き換えるとき残像現象が見られ
ることがある。 【解決手段】 輝度データを書き込むため走査線ＳＬが
ハイになると、トランジスタＴｒ１がオン、トランジス
タＴｒ３がオフとなり、データ線ＤＬよりデータ電圧が
供給され、保持容量ＳＣとトランジスタＴｒ２のゲート
電極に輝度データに応じたデータ電位が設定される。こ
こで、有機発光ダイオードＯＬＥＤはトランジスタＴｒ
３により電源供給線Ｖｄｄと遮断されているため、有機
発光ダイオードＯＬＥＤの両端の電位差は、その遮断の
期間と有機発光ダイオードＯＬＥＤの持つ時定数と直前
の電位差によって決まる値に下がる。
を、低い輝度データに書き換えるとき残像現象が見られ
ることがある。 【解決手段】 輝度データを書き込むため走査線ＳＬが
ハイになると、トランジスタＴｒ１がオン、トランジス
タＴｒ３がオフとなり、データ線ＤＬよりデータ電圧が
供給され、保持容量ＳＣとトランジスタＴｒ２のゲート
電極に輝度データに応じたデータ電位が設定される。こ
こで、有機発光ダイオードＯＬＥＤはトランジスタＴｒ
３により電源供給線Ｖｄｄと遮断されているため、有機
発光ダイオードＯＬＥＤの両端の電位差は、その遮断の
期間と有機発光ダイオードＯＬＥＤの持つ時定数と直前
の電位差によって決まる値に下がる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
にアクティブマトリックス型表示装置の画素の表示品位
を改善する技術に関する。
にアクティブマトリックス型表示装置の画素の表示品位
を改善する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ノート型パーソナルコンピュータや携帯
端末の普及が急激に進んでいる。現在、これらの表示装
置に主に使用されているのが液晶ディスプレイであり、
次世代平面表示パネルとして期待されているのが有機Ｅ
Ｌ（Electro Luminescence）ディスプレイである。これ
らディスプレイの表示方法として中心に位置するのがア
クティブマトリックス駆動方式である。この方式を用い
たディスプレイは、アクティブマトリックス型ディスプ
レイと呼ばれ、画素は縦横に多数配置されマトリックス
形状を示し、各画素にはスイッチング素子が配置され
る。映像データはスイッチング素子によって画素毎に順
次書き込まれる。
端末の普及が急激に進んでいる。現在、これらの表示装
置に主に使用されているのが液晶ディスプレイであり、
次世代平面表示パネルとして期待されているのが有機Ｅ
Ｌ（Electro Luminescence）ディスプレイである。これ
らディスプレイの表示方法として中心に位置するのがア
クティブマトリックス駆動方式である。この方式を用い
たディスプレイは、アクティブマトリックス型ディスプ
レイと呼ばれ、画素は縦横に多数配置されマトリックス
形状を示し、各画素にはスイッチング素子が配置され
る。映像データはスイッチング素子によって画素毎に順
次書き込まれる。
【０００３】有機ＥＬディスプレイの研究開発は草創期
にあり、様々な画素回路が提案されている。そのような
回路の一例として、特開平１１-２１９１４６に開示さ
れている画素回路について図６をもとに簡単に説明す
る。
にあり、様々な画素回路が提案されている。そのような
回路の一例として、特開平１１-２１９１４６に開示さ
れている画素回路について図６をもとに簡単に説明す
る。
【０００４】この回路は、２個のｎチャネルトランジス
タであるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２と、光学素子
である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、保持容量ＳＣ１
１と、走査線ＳＬと、電源供給線Ｖｄｄと、輝度データ
を入力するデータ線ＤＬを備える。
タであるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２と、光学素子
である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、保持容量ＳＣ１
１と、走査線ＳＬと、電源供給線Ｖｄｄと、輝度データ
を入力するデータ線ＤＬを備える。
【０００５】この回路の動作は、有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤの輝度データの書込のために、走査線ＳＬがハイ
になり、Ｔｒ１１がオンとなり、データ線ＤＬに入力さ
れた輝度データがトランジスタＴｒ１２および保持容量
ＳＣ１１に設定される。発光のタイミングとなり走査線
ＳＬがローとなることでトランジスタＴｒ１１がオフと
なり、トランジスタＴｒ１２のゲート電圧は維持され設
定された輝度データで発光する。
ＬＥＤの輝度データの書込のために、走査線ＳＬがハイ
になり、Ｔｒ１１がオンとなり、データ線ＤＬに入力さ
れた輝度データがトランジスタＴｒ１２および保持容量
ＳＣ１１に設定される。発光のタイミングとなり走査線
ＳＬがローとなることでトランジスタＴｒ１１がオフと
なり、トランジスタＴｒ１２のゲート電圧は維持され設
定された輝度データで発光する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】駆動用トランジスタに
設定されている輝度データが大きい場合、次の輝度デー
タの書き換えの際、小さな輝度データを設定しようとし
ても、前の大きな輝度データに対応する電荷が抜けず残
ってしまい、正確な輝度データの設定ができず残像現象
が起きることがある。
設定されている輝度データが大きい場合、次の輝度デー
タの書き換えの際、小さな輝度データを設定しようとし
ても、前の大きな輝度データに対応する電荷が抜けず残
ってしまい、正確な輝度データの設定ができず残像現象
が起きることがある。
【０００７】本発明はこうした状況に鑑みなされたもの
であり、その目的は残像現象を低減する新たな回路を提
案するものである。また、別の目的は、表示装置の消費
電力の低減を実現する新たな回路を提案するものであ
る。
であり、その目的は残像現象を低減する新たな回路を提
案するものである。また、別の目的は、表示装置の消費
電力の低減を実現する新たな回路を提案するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のある態様は表示
装置に関する。この装置は、光学素子とその駆動回路が
直列に接続された経路にスイッチング素子を入れ、輝度
データを駆動回路において設定する動作に応じて、スイ
ッチング素子を制御し前記経路を開閉する。輝度データ
を設定するためのデータ更新指示信号をスイッチング素
子に接続し、輝度データの設定期間中、そのスイッチン
グ素子をオフにしてもよい。
装置に関する。この装置は、光学素子とその駆動回路が
直列に接続された経路にスイッチング素子を入れ、輝度
データを駆動回路において設定する動作に応じて、スイ
ッチング素子を制御し前記経路を開閉する。輝度データ
を設定するためのデータ更新指示信号をスイッチング素
子に接続し、輝度データの設定期間中、そのスイッチン
グ素子をオフにしてもよい。
【０００９】例えば、固定電位、一般には電源電圧か
ら、駆動回路、光学素子、接地電位と直列に接続された
経路にスイッチング素子を設ける。スイッチング素子は
光学素子と駆動回路の間でも、固定電位と駆動回路の間
のいずれに設けられてもよい。接続の順は、電源電圧か
ら光学素子、駆動回路、接地電位であってもよく、その
際、スイッチング素子は電源電圧と光学素子の間に設け
られてもよい。
ら、駆動回路、光学素子、接地電位と直列に接続された
経路にスイッチング素子を設ける。スイッチング素子は
光学素子と駆動回路の間でも、固定電位と駆動回路の間
のいずれに設けられてもよい。接続の順は、電源電圧か
ら光学素子、駆動回路、接地電位であってもよく、その
際、スイッチング素子は電源電圧と光学素子の間に設け
られてもよい。
【００１０】ここで、光学素子として、有機発光ダイオ
ード（Organic Light Emitting Diode）が想定できるが
これに限る趣旨ではない。また、スイッチング素子とし
て、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）トランジス
タや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transisto
r）が想定できるが、これに限る趣旨ではない。また、
データ更新指示信号は、一般には輝度データを書き込む
画素を選択する信号であって走査線に入力される。ま
た、「輝度データ」とは駆動用トランジスタに設定され
る輝度情報に関するデータであって、光学素子が放つ光
強度とは区別する。
ード（Organic Light Emitting Diode）が想定できるが
これに限る趣旨ではない。また、スイッチング素子とし
て、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）トランジス
タや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transisto
r）が想定できるが、これに限る趣旨ではない。また、
データ更新指示信号は、一般には輝度データを書き込む
画素を選択する信号であって走査線に入力される。ま
た、「輝度データ」とは駆動用トランジスタに設定され
る輝度情報に関するデータであって、光学素子が放つ光
強度とは区別する。
【００１１】本発明の別の態様も表示装置に関する。こ
の装置は、一画素が、光学素子と、駆動用トランジスタ
と、電源遮断トランジスタとを含み、光学素子、駆動用
トランジスタ、電源遮断トランジスタは直列に接続さ
れ、この直列の系の起点は光学素子に電流を供給するた
めの固定電位に接続され、かつ、電源遮断トランジスタ
が光学素子より当該固定電位側に配置されている。
の装置は、一画素が、光学素子と、駆動用トランジスタ
と、電源遮断トランジスタとを含み、光学素子、駆動用
トランジスタ、電源遮断トランジスタは直列に接続さ
れ、この直列の系の起点は光学素子に電流を供給するた
めの固定電位に接続され、かつ、電源遮断トランジスタ
が光学素子より当該固定電位側に配置されている。
【００１２】本発明の別の態様も表示装置に関する。こ
の装置は、一画素が、光学素子と、駆動用トランジスタ
と、電源遮断トランジスタとを含み、駆動用トランジス
タと、電源遮断トランジスタはｐチャネルトランジスタ
であり、光学素子、駆動用トランジスタ、電源遮断トラ
ンジスタは直列に接続され、この直列の系の起点は光学
素子に電流を供給するための固定電位に接続され、か
つ、電源遮断トランジスタが光学素子より当該固定電位
側に配置されている。
の装置は、一画素が、光学素子と、駆動用トランジスタ
と、電源遮断トランジスタとを含み、駆動用トランジス
タと、電源遮断トランジスタはｐチャネルトランジスタ
であり、光学素子、駆動用トランジスタ、電源遮断トラ
ンジスタは直列に接続され、この直列の系の起点は光学
素子に電流を供給するための固定電位に接続され、か
つ、電源遮断トランジスタが光学素子より当該固定電位
側に配置されている。
【００１３】また、駆動用トランジスタと電源遮断トラ
ンジスタの組み合わせは、ｎチャネルトランジスタとｐ
チャネルトランジスタであってもよい。電源遮断トラン
ジスタがｐチャネルトランジスタであると、これをオン
オフする制御信号を駆動回路に輝度データを入力するス
イッチング素子を制御する信号と共有できる。
ンジスタの組み合わせは、ｎチャネルトランジスタとｐ
チャネルトランジスタであってもよい。電源遮断トラン
ジスタがｐチャネルトランジスタであると、これをオン
オフする制御信号を駆動回路に輝度データを入力するス
イッチング素子を制御する信号と共有できる。
【００１４】本発明のまた別の態様も表示装置に関す
る。この装置は、電流の入り口に当たる第１の端子と、
電流の出口に当たる第２の端子を有する光学素子と、そ
の光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期間、
第１の端子の側に蓄積された電荷の放電を促進する初期
化素子とを備える。光学素子は、第１の端子へ流れ込む
電流の経路を遮断することにより、光学素子が自ら前記
電荷の放電するよう作用してもよい。その放電により、
光学素子の両端の電位差は、経路を遮断する期間と素子
の持つ時定数と直前の電位差によって決まる電圧にな
る。その電圧値は映像表示に支障のないレベルとなれば
よい。
る。この装置は、電流の入り口に当たる第１の端子と、
電流の出口に当たる第２の端子を有する光学素子と、そ
の光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期間、
第１の端子の側に蓄積された電荷の放電を促進する初期
化素子とを備える。光学素子は、第１の端子へ流れ込む
電流の経路を遮断することにより、光学素子が自ら前記
電荷の放電するよう作用してもよい。その放電により、
光学素子の両端の電位差は、経路を遮断する期間と素子
の持つ時定数と直前の電位差によって決まる電圧にな
る。その電圧値は映像表示に支障のないレベルとなれば
よい。
【００１５】なお、以上の構成要素の任意の組合せや組
み替え、本発明を方法と表現したものもまた、本発明の
態様として有効である。
み替え、本発明を方法と表現したものもまた、本発明の
態様として有効である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下の実施の形態では、表示装置
としてアクティブマトリックス型有機ＥＬディスプレイ
を想定する。実施の形態では、前述の残像現象の原因と
なっている光学素子の電荷を放電し、光学素子の両端の
電位差を残像現象の影響が出ないレベルに引き下げる新
しい回路を提案する。このために、電源電圧と光学素子
を切り離すためのスイッチング素子を設ける。
としてアクティブマトリックス型有機ＥＬディスプレイ
を想定する。実施の形態では、前述の残像現象の原因と
なっている光学素子の電荷を放電し、光学素子の両端の
電位差を残像現象の影響が出ないレベルに引き下げる新
しい回路を提案する。このために、電源電圧と光学素子
を切り離すためのスイッチング素子を設ける。
【００１７】実施の形態１：図１は、実施の形態に係る
表示装置の一画素の回路を示す。この画素は、光学素子
である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、スイッチング素
子として機能するトランジスタＴｒ１、Ｔｒ３と、輝度
データが設定される駆動用トランジスタであるトランジ
スタＴｒ２と、保持容量ＳＣと、トランジスタＴｒ１と
トランジスタＴｒ３をそれぞれオンオフする走査線ＳＬ
を備える。また、トランジスタＴｒ１はｎチャネルトラ
ンジスタであり、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３はｐチャ
ネルトランジスタである。さらに輝度データが入力され
るデータ線ＤＬと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流す
電流を供給する電源供給線Ｖｄｄを備える。走査線Ｓ
Ｌ、データ線ＤＬおよび電源供給線Ｖｄｄは他の画素と
共有される。また、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２および
保持容量ＳＣで構成される回路の一部を特に駆動回路１
０と呼ぶ。
表示装置の一画素の回路を示す。この画素は、光学素子
である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、スイッチング素
子として機能するトランジスタＴｒ１、Ｔｒ３と、輝度
データが設定される駆動用トランジスタであるトランジ
スタＴｒ２と、保持容量ＳＣと、トランジスタＴｒ１と
トランジスタＴｒ３をそれぞれオンオフする走査線ＳＬ
を備える。また、トランジスタＴｒ１はｎチャネルトラ
ンジスタであり、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３はｐチャ
ネルトランジスタである。さらに輝度データが入力され
るデータ線ＤＬと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流す
電流を供給する電源供給線Ｖｄｄを備える。走査線Ｓ
Ｌ、データ線ＤＬおよび電源供給線Ｖｄｄは他の画素と
共有される。また、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２および
保持容量ＳＣで構成される回路の一部を特に駆動回路１
０と呼ぶ。
【００１８】トランジスタＴｒ１のゲート電極と走査線
ＳＬが、トランジスタＴｒ１のドレイン電極とデータ線
ＤＬが接続される。トランジスタＴｒ１のソース電極と
トランジスタＴｒ２のゲート電極が保持容量ＳＣの一方
の電極に接続される。トランジスタＴｒ２のソース電極
と保持容量ＳＣのもう一方の電極は電源供給線Ｖｄｄ
に、トランジスタＴｒ２のドレイン電極はトランジスタ
Ｔｒ３のソース電極に接続される。トランジスタＴｒ３
のドレイン電極と、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノ
ードがノードＡで接続される。また、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤのカソードは接地電位に接続される。したが
って、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤは、この順で電源供給線Ｖｄｄから接地電圧
まで直列に接続され光学素子を発光させる経路（以下単
に主経路とも言う）を形成する。
ＳＬが、トランジスタＴｒ１のドレイン電極とデータ線
ＤＬが接続される。トランジスタＴｒ１のソース電極と
トランジスタＴｒ２のゲート電極が保持容量ＳＣの一方
の電極に接続される。トランジスタＴｒ２のソース電極
と保持容量ＳＣのもう一方の電極は電源供給線Ｖｄｄ
に、トランジスタＴｒ２のドレイン電極はトランジスタ
Ｔｒ３のソース電極に接続される。トランジスタＴｒ３
のドレイン電極と、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノ
ードがノードＡで接続される。また、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤのカソードは接地電位に接続される。したが
って、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤは、この順で電源供給線Ｖｄｄから接地電圧
まで直列に接続され光学素子を発光させる経路（以下単
に主経路とも言う）を形成する。
【００１９】以上の構成による、回路の動作を説明す
る。輝度データの書込みのため走査線ＳＬがハイになる
と、トランジスタＴｒ１がオン、トランジスタＴｒ３が
オフとなり、データ線ＤＬより輝度データに応じたデー
タ電圧が供給され、保持容量ＳＣとトランジスタＴｒ２
のゲート電極に輝度データが設定される。ここで、有機
発光ダイオードＯＬＥＤはトランジスタＴｒ３により電
源供給線Ｖｄｄと遮断されているため、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤの両端の電位差は、その遮断の期間と有機
発光ダイオードＯＬＥＤの持つ時定数と直前の電位差に
よって決まる電圧に下がる。この時のノードＡの電位は
映像表示に支障のないレベルとなればよい。
る。輝度データの書込みのため走査線ＳＬがハイになる
と、トランジスタＴｒ１がオン、トランジスタＴｒ３が
オフとなり、データ線ＤＬより輝度データに応じたデー
タ電圧が供給され、保持容量ＳＣとトランジスタＴｒ２
のゲート電極に輝度データが設定される。ここで、有機
発光ダイオードＯＬＥＤはトランジスタＴｒ３により電
源供給線Ｖｄｄと遮断されているため、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤの両端の電位差は、その遮断の期間と有機
発光ダイオードＯＬＥＤの持つ時定数と直前の電位差に
よって決まる電圧に下がる。この時のノードＡの電位は
映像表示に支障のないレベルとなればよい。
【００２０】つぎに、輝度データの書込みが終了し走査
線ＳＬがローとなり、トランジスタＴｒ１がオフ、トラ
ンジスタＴｒ３がオンになると、トランジスタＴｒ２の
ゲート電極および保持容量ＳＣに設定された電圧に応じ
た電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。
線ＳＬがローとなり、トランジスタＴｒ１がオフ、トラ
ンジスタＴｒ３がオンになると、トランジスタＴｒ２の
ゲート電極および保持容量ＳＣに設定された電圧に応じ
た電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。
【００２１】図２に示す回路のように、トランジスタＴ
ｒ３とトランジスタＴｒ２の順序を入れ替えトランジス
タＴｒ３を電源供給線Ｖｄｄ側に設け、トランジスタＴ
ｒ３、Ｔｒ２および有機発光ダイオードＯＬＥＤが電源
供給線Ｖｄｄから接地電圧までこの順に接続されてもよ
い。回路の動作は図１に示した回路による動作と同様な
ので省略する。
ｒ３とトランジスタＴｒ２の順序を入れ替えトランジス
タＴｒ３を電源供給線Ｖｄｄ側に設け、トランジスタＴ
ｒ３、Ｔｒ２および有機発光ダイオードＯＬＥＤが電源
供給線Ｖｄｄから接地電圧までこの順に接続されてもよ
い。回路の動作は図１に示した回路による動作と同様な
ので省略する。
【００２２】以上実施の形態１によれば、上述のように
ノードＡの電位が下がり、大きい輝度データが設定され
ている画素に小さい輝度データの設定を行う際にみられ
る残像現象が解消できる。また、輝度データ書込期間に
電源供給線Ｖｄｄと主経路が遮断されるため、消費電力
の削減もできる。また、保持容量ＳＣがＴｒ２のゲート
電極と電源供給線Ｖｄｄの間に設けられるため、トラン
ジスタＴｒ２のゲート電圧は安定する。
ノードＡの電位が下がり、大きい輝度データが設定され
ている画素に小さい輝度データの設定を行う際にみられ
る残像現象が解消できる。また、輝度データ書込期間に
電源供給線Ｖｄｄと主経路が遮断されるため、消費電力
の削減もできる。また、保持容量ＳＣがＴｒ２のゲート
電極と電源供給線Ｖｄｄの間に設けられるため、トラン
ジスタＴｒ２のゲート電圧は安定する。
【００２３】実施の形態２：実施の形態１で示した回路
において、駆動用トランジスタであるトランジスタＴｒ
２はｐチャネルトランジスタであったが、実施の形態２
では、ｎチャネルトランジスタを利用する。実施の形態
２と実施の形態１の回路は概ね同じであるので、異なる
部分について説明する。図３は主経路における接続の順
を、電源供給線Ｖｄｄから接地電圧に向けトランジスタ
Ｔｒ２、Ｔｒ３、有機発光ダイオードＯＬＥＤとした回
路であり、図４は接続の順をトランジスタＴｒ３、Ｔｒ
２、有機発光ダイオードＯＬＥＤとした回路である。従
って、図３、図４はそれぞれ図１、図２のトランジスタ
Ｔｒ２をｎチャネルトランジスタに変更した回路であ
る。ただし、図３、図４の回路とも保持容量ＳＣはトラ
ンジスタＴｒ２のゲート電極と有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤのアノードの間に接続される。
において、駆動用トランジスタであるトランジスタＴｒ
２はｐチャネルトランジスタであったが、実施の形態２
では、ｎチャネルトランジスタを利用する。実施の形態
２と実施の形態１の回路は概ね同じであるので、異なる
部分について説明する。図３は主経路における接続の順
を、電源供給線Ｖｄｄから接地電圧に向けトランジスタ
Ｔｒ２、Ｔｒ３、有機発光ダイオードＯＬＥＤとした回
路であり、図４は接続の順をトランジスタＴｒ３、Ｔｒ
２、有機発光ダイオードＯＬＥＤとした回路である。従
って、図３、図４はそれぞれ図１、図２のトランジスタ
Ｔｒ２をｎチャネルトランジスタに変更した回路であ
る。ただし、図３、図４の回路とも保持容量ＳＣはトラ
ンジスタＴｒ２のゲート電極と有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤのアノードの間に接続される。
【００２４】以上の図３と図４のそれぞれの構成によ
る、回路の動作を説明する。輝度データの書込みのため
走査線ＳＬがハイになると、トランジスタＴｒ１がオ
ン、トランジスタＴｒ３がオフとなり、データ線ＤＬよ
り輝度データに応じたデータ電圧が供給され、保持容量
ＳＣとトランジスタＴｒ２のゲート電極に輝度データが
設定される。ここで、有機発光ダイオードＯＬＥＤはト
ランジスタＴｒ３により電源供給線Ｖｄｄと切り離され
ているため、実施の形態１と同様に有機発光ダイオード
ＯＬＥＤの両端の電位差は、その遮断の期間と有機発光
ダイオードＯＬＥＤの持つ時定数と直前の電位差によっ
て決まる電圧に下がる。この時のノードＡの電位は映像
表示に支障のないレベルになればよい。
る、回路の動作を説明する。輝度データの書込みのため
走査線ＳＬがハイになると、トランジスタＴｒ１がオ
ン、トランジスタＴｒ３がオフとなり、データ線ＤＬよ
り輝度データに応じたデータ電圧が供給され、保持容量
ＳＣとトランジスタＴｒ２のゲート電極に輝度データが
設定される。ここで、有機発光ダイオードＯＬＥＤはト
ランジスタＴｒ３により電源供給線Ｖｄｄと切り離され
ているため、実施の形態１と同様に有機発光ダイオード
ＯＬＥＤの両端の電位差は、その遮断の期間と有機発光
ダイオードＯＬＥＤの持つ時定数と直前の電位差によっ
て決まる電圧に下がる。この時のノードＡの電位は映像
表示に支障のないレベルになればよい。
【００２５】つぎに、輝度データの書込みが終了し走査
線ＳＬがローとなり、トランジスタＴｒ１がオフ、トラ
ンジスタＴｒ３がオンになると、トランジスタＴｒ２の
ゲート電極および保持容量ＳＣに設定された電圧に応じ
た電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。
線ＳＬがローとなり、トランジスタＴｒ１がオフ、トラ
ンジスタＴｒ３がオンになると、トランジスタＴｒ２の
ゲート電極および保持容量ＳＣに設定された電圧に応じ
た電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。
【００２６】このとき、ノードＡの電圧は上昇するが、
保持容量ＳＣに蓄えられた電荷が保持されるため、ノー
ドＡの電位上昇分だけトランジスタＴｒ２のゲート電極
の電位も上昇する。したがって、ゲート電圧は所望の電
圧が維持され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電
流値は変化しない。また、何らかの理由でノードＡの電
位が変動しても、上述のように保持容量ＳＣの電荷は保
持されるので両端の電位差すなわちトランジスタＴｒ２
のゲート電圧には影響はない。さらに、保持容量ＳＣに
別途配線を用意する必要もない。
保持容量ＳＣに蓄えられた電荷が保持されるため、ノー
ドＡの電位上昇分だけトランジスタＴｒ２のゲート電極
の電位も上昇する。したがって、ゲート電圧は所望の電
圧が維持され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電
流値は変化しない。また、何らかの理由でノードＡの電
位が変動しても、上述のように保持容量ＳＣの電荷は保
持されるので両端の電位差すなわちトランジスタＴｒ２
のゲート電圧には影響はない。さらに、保持容量ＳＣに
別途配線を用意する必要もない。
【００２７】以上実施の形態２によれば、実施の形態１
同様の効果が得られる。
同様の効果が得られる。
【００２８】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。これら実施の形態は例示であり、それら各構成要素
や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能な
こと、またそうした変形例も本発明の範囲であることは
当業者に理解されるところである。そうした変形例を挙
げる。
た。これら実施の形態は例示であり、それら各構成要素
や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能な
こと、またそうした変形例も本発明の範囲であることは
当業者に理解されるところである。そうした変形例を挙
げる。
【００２９】実施の形態では、主経路に設けられたスイ
ッチング素子として機能するトランジスタＴｒ３はｐチ
ャネルトランジスタであったが、これに限らず、ｎチャ
ネルトランジスタであってもよい。ただし、走査線ＳＬ
をハイにするとき、トランジスタＴｒ３をオフにする必
要があるので、別途走査線を設け、かつ、実施の形態で
示した走査線ＳＬと活性が反転するよう設定する。
ッチング素子として機能するトランジスタＴｒ３はｐチ
ャネルトランジスタであったが、これに限らず、ｎチャ
ネルトランジスタであってもよい。ただし、走査線ＳＬ
をハイにするとき、トランジスタＴｒ３をオフにする必
要があるので、別途走査線を設け、かつ、実施の形態で
示した走査線ＳＬと活性が反転するよう設定する。
【００３０】実施の形態では、駆動用トランジスタは光
学素子である有機発光ダイオードＯＬＥＤより電源供給
線Ｖｄｄ側に設けたが、これに限らず図５に示す回路の
ように有機発光ダイオードＯＬＥＤが電源供給線Ｖｄｄ
側に設けられてもよい。
学素子である有機発光ダイオードＯＬＥＤより電源供給
線Ｖｄｄ側に設けたが、これに限らず図５に示す回路の
ように有機発光ダイオードＯＬＥＤが電源供給線Ｖｄｄ
側に設けられてもよい。
【００３１】
【発明の効果】残像現象の低減または消費電力の削減が
実現できる。
実現できる。
【図１】 実施の形態に係る画素の回路を示した図であ
る。
る。
【図２】 実施の形態に係る画素の回路を示した図であ
る。
る。
【図３】 実施の形態に係る画素の回路を示した図であ
る。
る。
【図４】 実施の形態に係る画素の回路を示した図であ
る。
る。
【図５】 変形例の画素の回路を示した図である。
【図６】 従来技術の画素の回路を示した図である。
ＤＬ データ線、 ＯＬＥＤ 有機発光ダイオード、
ＳＣ 保持容量、 ＳＬ 走査線、 Ｔｒ１，Ｔｒ２，
Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５ トランジスタ、 Ｖｄｄ 電
源供給線。
ＳＣ 保持容量、 ＳＬ 走査線、 Ｔｒ１，Ｔｒ２，
Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５ トランジスタ、 Ｖｄｄ 電
源供給線。
Claims (7)
- 【請求項１】 光学素子とその駆動回路が直列に接続さ
れた経路にスイッチング素子を入れ、輝度データを駆動
回路において設定する動作に応じて、前記スイッチング
素子を制御し前記経路を開閉することを特徴とする表示
装置。 - 【請求項２】 前記輝度データを設定するためのデータ
更新指示信号を前記スイッチング素子に接続し、前記輝
度データの設定期間中、そのスイッチング素子をオフに
することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項３】 一画素が、光学素子と、駆動用トランジ
スタと、電源遮断トランジスタとを含み、 前記光学素子、駆動用トランジスタ、電源遮断トランジ
スタは直列に接続され、この直列の系の起点は前記光学
素子に電流を供給するための固定電位に接続され、か
つ、前記電源遮断トランジスタが前記光学素子より当該
固定電位側に配置されたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項４】 一画素が、光学素子と、駆動用トランジ
スタと、電源遮断トランジスタとを含み、 前記駆動用トランジスタと、電源遮断トランジスタはｐ
チャネルトランジスタであり、 前記光学素子、駆動用トランジスタ、電源遮断トランジ
スタは直列に接続され、この直列の系の起点は前記光学
素子に電流を供給するための固定電位に接続され、か
つ、前記電源遮断トランジスタが前記光学素子より当該
固定電位側に配置されたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】 一画素が、光学素子と、駆動用トランジ
スタと、電源遮断トランジスタとを含み、 前記駆動用トランジスタはｎチャネルトランジスタ、電
源遮断トランジスタはｐチャネルトランジスタであり、 前記光学素子、駆動用トランジスタ、電源遮断トランジ
スタは直列に接続され、この直列の系の起点は前記光学
素子に電流を供給するための固定電位に接続され、か
つ、前記電源遮断トランジスタが前記光学素子より当該
固定電位側に配置されたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項６】 電流の入り口に当たる第１の端子と、前
記電流の出口に当たる第２の端子を有する光学素子と、
その光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期
間、前記第１の端子の側に蓄積された電荷の放電を促進
する初期化素子とを備えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項７】 前記初期化素子は、第１の端子へ流れ込
む電流の経路を遮断することにより、光学素子が自ら前
記電荷の放電するよう作用することを特徴とする請求項
６に記載の表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001344663A JP2003150105A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 表示装置 |
| KR1020020069103A KR20030038522A (ko) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | 광학 소자의 휘도 데이터를 초기화하는 기능을 갖는 표시장치 |
| US10/290,463 US20030103022A1 (en) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element |
| CNB021499578A CN1278297C (zh) | 2001-11-09 | 2002-11-08 | 对光学元件的亮度数据具有初始化功能的显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001344663A JP2003150105A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003150105A true JP2003150105A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19158149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001344663A Pending JP2003150105A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003150105A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003216110A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2005266309A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置 |
| JP2006301161A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
| CN100397462C (zh) * | 2003-06-03 | 2008-06-25 | 索尼株式会社 | 像素电路及显示装置 |
| US7724245B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-05-25 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2010145578A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
| JP2011090323A (ja) * | 2003-06-30 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の駆動方法 |
| US8059068B2 (en) | 2001-11-13 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| US8149185B2 (en) | 2003-05-23 | 2012-04-03 | Sony Corporation | Pixel circuit, display unit, and pixel circuit drive method |
| JP2014149532A (ja) * | 2009-10-21 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2020105310A1 (ja) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、及び、電子機器 |
-
2001
- 2001-11-09 JP JP2001344663A patent/JP2003150105A/ja active Pending
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012123405A (ja) * | 2001-11-13 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US11037964B2 (en) | 2001-11-13 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP2003216110A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8508443B2 (en) | 2001-11-13 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| US8242986B2 (en) | 2001-11-13 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP4485119B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9825068B2 (en) | 2001-11-13 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| US10128280B2 (en) | 2001-11-13 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP2020187364A (ja) * | 2001-11-13 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US8059068B2 (en) | 2001-11-13 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| US8149185B2 (en) | 2003-05-23 | 2012-04-03 | Sony Corporation | Pixel circuit, display unit, and pixel circuit drive method |
| US8988326B2 (en) | 2003-05-23 | 2015-03-24 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US9947270B2 (en) | 2003-05-23 | 2018-04-17 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US9666130B2 (en) | 2003-05-23 | 2017-05-30 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US8723761B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-13 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US8754833B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-06-17 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US8760373B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-06-24 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US9984625B2 (en) | 2003-05-23 | 2018-05-29 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| US10475383B2 (en) | 2003-05-23 | 2019-11-12 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit |
| CN100397462C (zh) * | 2003-06-03 | 2008-06-25 | 索尼株式会社 | 像素电路及显示装置 |
| JP2011090323A (ja) * | 2003-06-30 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の駆動方法 |
| US8552933B2 (en) | 2003-06-30 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and driving method of the same |
| JP4687943B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-05-25 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
| JP2005266309A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置 |
| US8913044B2 (en) | 2005-04-15 | 2014-12-16 | Intellectual Keystone Technology Llc | Electronic circuit, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US7724245B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-05-25 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2006301161A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
| JP2010145578A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
| JP2014149532A (ja) * | 2009-10-21 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US10319744B2 (en) | 2009-10-21 | 2019-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
| US10115743B2 (en) | 2009-10-21 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
| US9716109B2 (en) | 2009-10-21 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
| US10957714B2 (en) | 2009-10-21 | 2021-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
| US9419020B2 (en) | 2009-10-21 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
| WO2020105310A1 (ja) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、及び、電子機器 |
| CN113039596A (zh) * | 2018-11-21 | 2021-06-25 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置和电子装置 |
| US11615748B2 (en) | 2018-11-21 | 2023-03-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20030103022A1 (en) | Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element | |
| KR100469871B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US7616177B2 (en) | Pixel driving circuit with threshold voltage compensation | |
| US6535185B2 (en) | Active driving circuit for display panel | |
| JP2003208127A (ja) | 表示装置 | |
| US6930680B2 (en) | Pixel circuit for light emitting element | |
| EP1291839B1 (en) | Circuit for and method of driving current-driven device | |
| US20050218946A1 (en) | Electronic circuit, method of driving electronic circuit, electronic device, electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus | |
| US20030142509A1 (en) | Intermittently light emitting display apparatus | |
| US20060066254A1 (en) | Organic EL pixel circuit | |
| US7154455B2 (en) | Display driver circuit | |
| JP2005134880A (ja) | 画像表示装置，その駆動方法，及びプリチャージ電圧設定方法 | |
| US7564451B2 (en) | Organic light emitting device | |
| JP2003150106A (ja) | 表示装置 | |
| JP2003150105A (ja) | 表示装置 | |
| JP2003216109A (ja) | 表示装置およびその表示の制御方法 | |
| JP2003263129A (ja) | 表示装置 | |
| US20040263503A1 (en) | Drive devices and drive methods for light emitting display panel | |
| US20080272713A1 (en) | Driving Circuit of Organic Light Emitting Diode Display Panel and Discharging Method Using the Same | |
| JP3749992B2 (ja) | アクティブマトリックス型有機ｅｌパネルの駆動回路および有機ｅｌ表示装置 | |
| JP3671012B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2002358049A (ja) | 発光素子の駆動回路、及びアクティブマトリクス型表示パネル | |
| JP2003208124A (ja) | 表示装置 | |
| JP2003108071A (ja) | 表示装置 | |
| KR20090073688A (ko) | 발광 표시 장치 및 그 구동 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040811 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041207 |