JP2002358049A - 発光素子の駆動回路、及びアクティブマトリクス型表示パネル - Google Patents

発光素子の駆動回路、及びアクティブマトリクス型表示パネル

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JP2002358049A
JP2002358049A JP2001164349A JP2001164349A JP2002358049A JP 2002358049 A JP2002358049 A JP 2002358049A JP 2001164349 A JP2001164349 A JP 2001164349A JP 2001164349 A JP2001164349 A JP 2001164349A JP 2002358049 A JP2002358049 A JP 2002358049A
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light emitting
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Shigeki Kondo
茂樹 近藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＥＬ素子に代表される電流制御型の発光
素子の駆動回路の高性能化、低コスト化を目的とする。 【解決手段】 第１トランジスタのゲート電極が前記走
査線に接続され、前記第１トランジスタの第１主電極が
第２トランジスタのゲート電極及び第１主電極と前記信
号線とに接続され、前記第１トランジスタの第２主電極
が第３トランジスタのゲート電極と前記蓄積容量の第１
電極とに接続され、前記第２トランジスタの第２主電極
が前記発光素子の第１電極と前記第３トランジスタの第
２主電極とに接続され、前記第３トランジスタの第１主
電極が第１電源と前記蓄積容量の第２電極とに接続さ
れ、前記発光素子の第２電極が第２電源に接続された構
成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビ、携帯端
末、車載用ディスプレイなどに用いられる表示パネル、
該表示パネルに用いられる電流制御型の発光素子の駆動
回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子（有
機ＥＬ素子）等の電流制御型の発光素子を用いた表示パ
ネルは、陰極線管（ＣＲＴ）やプラズマディスプレイパ
ネルと同様、自発光型の表示デバイスである。液晶ディ
スプレイと異なり、照明のためのバックライトを必要と
せず、低消費電力化が可能なこと、また視野角依存が少
ないという特徴もあり、フラットパネルディスプレイ
（ＦＰＤ）として、テレビ、携帯端末、車載用ディスプ
レイへ広く応用され、今後の発展も期待されている。駆
動方式には、パッシブ方式とアクティブ方式があるが、
カラー表示、解像度、低消費電力を実現する上でアクテ
ィブ方式が優れている。
【０００３】図９は従来例として、発光素子として有機
ＥＬ素子を用いた、アクティブマトリクス駆動における
最も単純な、一画素あたり２ヶの薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）による、アナログ階調方式の駆動回路である。
【０００４】図９において、２０１は有機ＥＬ素子、２
０２、２０３はＴＦＴ、２０４は信号線、２０５は走査
線、２０７は電源線、２０８は接地、２０９は蓄積容量
である。
【０００５】図９の動作を以下に説明する。
【０００６】走査線２０５に印加される電圧によってＴ
ＦＴ２０２がオン状態となると、信号線２０４からの電
圧が２０９の蓄積容量に印加され、ＴＦＴ２０２がオフ
状態になっても蓄積容量２０９によってＴＦＴ２０３の
ゲート電極は電圧を印加され続ける為、ＴＦＴ２０３は
オン状態を続け、有機ＥＬ素子２０１は発光状態のまま
となる。ここで、ＴＦＴ２０３に印加する電圧に応じ
て、即ち、信号線２０４から与えられるアナログ電圧に
応じてＴＦＴ２０３のゲート電極は電圧を与えられ、電
源線２０７からＴＦＴ２０３に供給される電流は制御さ
れる。この結果、発光状態は制御され、中間調表示を行
う。
【０００７】また、時間階調方式は階調を有機ＥＬ素子
の点灯時間によって制御する方式であり、２０００ＳＩ
Ｄ ３６．１で報告されている。アナログ諧調方式との
違いは、有機ＥＬ素子は発光時は最高輝度で発光し、発
光時間によって階調を表現する点である。
【０００８】このように、画像に階調性を出すために、
従来、アナログ階調方式、時間階調方式等が知られてい
る。
【０００９】アナログ階調方式では、有機ＥＬ素子に電
流を供給するＴＦＴのゲート電位を、ビデオ信号に応じ
て制御する、即ち、ＴＦＴのコンダクタンスを制御する
必要がある。しかしながら、ＴＦＴの特性のバラツキに
より、信号線を介して画素に転送されるビデオ信号が均
一であっても、表示にムラが生じてしまうことがある。
例えば、図９の駆動回路において、駆動ＴＦＴ２０３の
Ｖth特性にばらつきがあると（図１０実線と点線）、同
じ信号（ゲート）電圧ＶAによって駆動されたとして
も、発光素子に供給される電流値がＩA、ＩBのように異
なってしまい、表示時に輝度ムラが生じて表示品位を落
とすことになる。
【００１０】これに対して、特許第２９５３４６５号や
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆ．（ＩＤＲＣ）２０００ Ｄｉｇ
ｅｓｔ 頁３５８、などに記載されている、カレントミ
ラー回路が提案されている。
【００１１】図８に、特許第２９５３４６５号に記載さ
れている駆動回路図を示した。この駆動回路は、３個の
Ｐch−ＴＦＴ、及び、１個の蓄積容量からなっており、
また、トランジスタ１０５のドレインには、負荷１０８
が接続されている。負荷１０８は、例えば定電流駆動を
要する有機ＥＬ素子である。このようにして構成された
駆動回路には、トランジスタ１０４及び１０５からなる
カレントミラー回路が含まれている。
【００１２】このように構成された駆動回路の動作につ
いて説明する。
【００１３】入力端子１０１に画像信号等の入力信号が
入力されると、この信号の電圧に応じて抵抗１０３に電
流が流れる。そして、抵抗１０３に流れる電流は、ドレ
イン及びソースが相互に接続されたトランジスタ１０４
に流れ、トランジスタ１０４にゲート−ソース間電圧が
発生する。
【００１４】そして、制御端子１０２に入力されたアド
レス信号がロウレベルでスイッチ用トランジスタ１０６
が導通状態の場合には、トランジスタ１０４に発生した
ゲート−ソース間電圧は、スイッチ用トランジスタ１０
６を介して電荷保持容量素子１０７及びトランジスタ１
０５のゲートに印加される。このとき、トランジスタ１
０４及び１０５はカレントミラー回路を構成しているた
め、抵抗１０３に流れる電流に比例した電流がトランジ
スタ１０５のドレイン電流として流れる。即ち、トラン
ジスタ１０４とトランジスタ１０５とのパターンサイズ
の比によって決定される電流、例えばトランジスタ１０
４及び１０５が同一パターンサイズで構成されている場
合には、抵抗１０３に流れる電流と等しい電流がトラン
ジスタ１０５のドレインとソースとの間を流れる。これ
により、負荷１０８が駆動される。
【００１５】次に、制御端子１０２に入力されたアドレ
ス信号がハイレベルでスイッチ用トランジスタ１０６が
遮断状態となると、トランジスタ１０４及び１０５から
なるカレントミラー回路も遮断される。しかし、スイッ
チ用トランジスタ１０６が導通状態の時に、入力端子１
０１の信号電圧に応じた電流がトランジスタ１０４に流
れ、その電流に応じたトランジスタ１０４のゲート−ソ
ース間電圧が電荷保持容量素子１０７に印加されてい
る。このため、スイッチ用トランジスタ１０６が遮断さ
れた後にも、この電圧がトランジスタ１０５のゲートに
印加されるので、このゲート電圧に応じた電流が負荷１
０８に供給される。即ち、スイッチ用トランジスタ１０
６が遮断状態でも、負荷１０８には入力端子１０１の信
号電圧に応じた電流が供給され続ける。
【００１６】この回路をアクティブマトリクス方式の有
機ＥＬ素子の駆動回路に適用した場合、入力端子１０１
には入力画像信号が入力され、その階調データによって
発光輝度が変化する。また、制御端子１０２にはアドレ
ス信号が入力され、入力端子１０１からの画像信号に対
応する画素が電荷保持容量素子１０７に選択的に読み込
まれ、次の新しい画像信号が入力されるまで電荷が保持
され、画素は発光し続ける。
【００１７】このように、カレントミラー回路は、外部
定電流源（図８では、入力端子に印加される電圧により
抵抗１０３を流れる電流）の電流に応じたゲート電圧が
立ち上がるので、基本的にＶthなどＴＦＴ特性のばらつ
きの影響を受けない回路といえる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
カレントミラー回路を発光素子の駆動回路として用いて
表示パネルを作製しようとした場合、回路に流れる電流
を制御する外部定電流源に大きな出力能力が要求される
ことになる。従来は、図８における抵抗１０３のような
定電流源を各画素毎に設けるとそのばらつきの影響が生
じるため、駆動回路とは別に共通の定電流源を、比較的
精度良く、かつ高集積に作成できるバイポーラトランジ
スタやＭＯＳトランジスタなどのトランジスタ回路を用
いて設けるのが一般的である。例えば、図５に示すよう
に、全画素共通の定電流源１５を設け、それを各画素毎
に転送する方式である。有機ＥＬ素子などの電流制御型
の発光素子を各画素に持つ表示パネルの場合、その外部
定電流源からの電流により発光輝度が制御される。図５
のような構成をとり、駆動回路として図８のような回路
を用いた場合、外部定電流源の電流出力能力は、１回の
走査で選択される画素数（通常は、１本の走査線に接続
されている画素数）分の電流供給能力が必要になる。例
えば、有機ＥＬ素子を発光素子とした場合、画素として
必要な白輝度を得るための電流量は、１００μｍ×１０
０μｍの大きさの画素を想定した場合、約２〜３μＡ程
度である。表示パネルとして、カラーでＶＧＡの解像度
を持つものを考えると、１本の走査線に接続されている
総画素数は、６４０×３＝１９２０画素となり、外部定
電流源の電流供給能力は、 ２〜３μＡ×１９２０＝３８４０〜５７６０μＡ だけ必要になる。これだけの電流が、実際には、わずか
数μｍ〜数１０μｍの大きさのトランジスタのエミッタ
・ベース接合面、或いは、ドレイン・ウエル接合面を流
れることになり、そのトランジスタの発熱等による信頼
性の低下が問題となる。この問題を避けるためにはトラ
ンジスタのサイズを充分大きくすれば良いが、素子面積
の増大を招きコストアップの要因ともなってしまう。
【００１９】また、現在、長寿命化、低消費電力化の観
点から発光効率を上げるための研究開発が盛んに行われ
ているが、現状での有機ＥＬ素子の最大効率を得る為の
駆動電流値は、１００μｍ×１００μｍの画素サイズに
対しておよそ２〜３μＡである。
【００２０】一方、有機ＥＬ素子は、通常、発光層を含
む複数の材料層の積層により構成される（例えば、ＳＩ
Ｄ９６、Ｄｉｇｅｓｔ ｐ．１８１、月刊ディスプレイ
１９９８、１０月号、ｐ．９など）。これらの層は、キ
ャリアである電子、正孔の注入効率や輸送効率、発光層
での発光効率を向上させる目的で、異なるエネルギーバ
ンド構造を持つ材料が選択される。これら異なるエネル
ギーバンド構造を持つ材料の接合により材料の接合界面
には必ず接合容量が存在する。この各界面での接合容量
の合成容量として、有機ＥＬ素子の接合容量はおよそ２
５ｎＦ／ｃｍ2であり、１００μｍ×１００μｍの画素
は２．５ｐＦの容量を持つことになる。本発明者らは、
発光素子に実質的に存在するこの接合容量が、発光素子
の実質的な応答速度に影響することを見出した。
【００２１】アナログ階調方式で８ビット階調を得よう
とすると、最小電流は ２〜３μＡ÷２８≒８〜１２ｎＡ となる。
【００２２】一般的に有機ＥＬ素子の発光閾値電圧は２
〜３Ｖであり、８ビット階調を得る為の最小電流で発光
させる為には接合容量Ｃ×閾値電圧Ｖｔｈ＝最小電流Ｉ
ｍｉｎ×時間ｔより 時間ｔ＝２．５ｐＦ×２〜３Ｖ／８〜１２ｎＡ ≒４２０μｓ〜９４０μｓ となり、ＶＧＡクラスの画像表示装置においても動画の
表示ができないことになる。
【００２３】時間階調方式は、最高輝度での発光時間を
１フレーム内でオン・オフさせて階調を得る方式である
が、８ビット階調を得ようとすると、最小オン時間は １／６０÷２８≒６５μＳ となる。
【００２４】画素サイズを同様に考えると、発光までに
要する時間ｔは ｔ＝２．５ｐＦ×２〜３Ｖ÷２〜３μＡ ≒１．７〜３．７５μＡ となり、発光時間に対して重大な影響は与えない。
【００２５】しかしながら、前述のように長寿命、低消
費電力化のために発光効率向上の研究開発がなされてお
り、現在での目標値は１００〜２００ｎＡで最大効率を
得ることにある。
【００２６】この場合、発光までに要する時間ｔは ｔ＝２５〜７５μＳ となり、時間階調方式では発光効率向上に対応できない
ことになる。
【００２７】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、具体的な解決手段を提供することを目的とするも
のである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、複数のトランジスタと、蓄積容量と、電
流制御型の発光素子と、走査線及び信号線と、を少なく
とも備えた発光素子の駆動回路において、第１トランジ
スタのゲート電極が前記走査線に接続され、前記第１ト
ランジスタの第１主電極が第２トランジスタのゲート電
極及び第１主電極と前記信号線とに接続され、前記第１
トランジスタの第２主電極が第３トランジスタのゲート
電極と前記蓄積容量の第１電極とに接続され、前記第２
トランジスタの第２主電極が前記発光素子の第１電極と
前記第３トランジスタの第２主電極とに接続され、前記
第３トランジスタの第１主電極が第１電源と前記蓄積容
量の第２電極とに接続され、前記発光素子の第２電極が
第２電源に接続されたことを特徴とする発光素子の駆動
回路を提供する。
【００２９】また、複数のトランジスタと、蓄積容量
と、電流制御型の発光素子と、走査線及び信号線と制御
信号線と、を少なくとも備えた発光素子の駆動回路にお
いて、第１トランジスタのゲート電極が前記走査線に接
続され、前記第１トランジスタの第１主電極が第２トラ
ンジスタのゲート電極及び第１主電極と前記信号線とに
接続され、前記第１トランジスタの第２主電極が第３ト
ランジスタのゲート電極と前記蓄積容量の第１電極とに
接続され、前記第２トランジスタの第２主電極が第４ト
ランジスタの第１主電極に接続され、前記第３トランジ
スタの第１主電極が第１電源と前記蓄積容量の第２電極
とに接続され、前記第３トランジスタの第２主電極が前
記発光素子の第１電極と前記第４トランジスタの第２主
電極とに接続され、第４トランジスタのゲート電極が前
記制御信号線に接続され、前記発光素子の第２電極が第
２電源に接続されたことを特徴とする発光素子の駆動回
路を提供する。
【００３０】また本発明は、上述の発光素子の駆動回路
において、更に第５トランジスタと、リセット線と、を
有し、該第５トランジスタの第１主電極が前記蓄積容量
の第１電極及び第２電極のうちのどちらか一方に接続さ
れ、前記第５トランジスタの第２主電極が前記蓄積容量
の残りの電極に接続され、前記第５トランジスタのゲー
ト電極は前記リセット線に接続されたこと、さらには、
前記トランジスタが薄膜トランジスタであること、さら
には、前記第３トランジスタのゲート幅Ｗとゲート長Ｌ
との比Ｗ／Ｌが、前記第２トランジスタのＷ／Ｌより大
きいこと、さらには、前記信号線が、外部定電流源に接
続されていること、さらには、前記外部定電流源から前
記信号線を介して前記第２トランジスタに供給される電
流が、前記発光素子の発光閾値電流より小さい電流であ
ること、さらには、前記発光素子が有機エレクトロルミ
ネセンス素子であることを特徴とする発光素子の駆動回
路を含むものである。
【００３１】さらに本発明は、少なくとも複数の走査線
及び信号線がマトリクス状に配置された基板と、該基板
上に配置された各々の走査線と信号線との対に接続され
た上述の発光素子の駆動回路を備えた画素と、を有する
ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示パネルを
も提供するものである。
【００３２】本発明において、トランジスタの第１主電
極、第２主電極とは、ゲート電極以外の２電極を表し、
例えば、第１主電極がドレイン電極であれば、第２主電
極はソース電極となる。
【００３３】本発明において、発光素子の第１電極、第
２電極とは、それぞれ２つの電極のうちのどちらか一方
の電極を表しており、本発明の範囲の中で駆動回路の設
計を行った結果の電流の流れる向きを考慮して適切な接
続を選択すればよい。
【００３４】本発明において、蓄積容量の第１電極、第
２電極とは、それぞれ２つの電極のうちのどちらか一方
の電極を表しており、一般に蓄積容量には極性はないの
で、これらが入れ替わることに意味はない。すなわち、
本発明はこれらが入れ替わった場合をも当然に含むもの
である。
【００３５】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に、本発明の
発光素子の駆動回路の一実施形態を表す回路図を示す。
【００３６】本実施形態の駆動回路は、３個のＴＦＴと
１個の蓄積容量からなっている。本実施形態において
は、第１〜第３トランジスタが、ＴＦＴ１〜３にそれぞ
れ対応し、第１、第２主電極はドレイン電極、ソース電
極にそれぞれ対応している。また、本発明において使用
する発光素子としては、発光閾値電流が存在する電流制
御型の発光素子であれば制限はないが、後述のように本
発明は、本実施形態に限らず、発光素子を等価回路で表
した際に直列に接続された状態の接合容量を有し、発光
させるために該容量を充電する必要がある型の発光素子
を用いる際に特に顕著な効果を発揮するものである。こ
のような発光素子としては、従来の技術においても例示
した有機ＥＬ素子が挙げられ、本実施形態においてもこ
れを使用している。さらに本発明における、第１電源、
第２電源とは、電流を供給する目的で設けられた端子と
いう意味であり、例えば第１電源側に電池などの電力源
を接続し、第２電源は接地にする場合や、その逆、或い
は第１電源、第２電源の両方に電力源を接続するといっ
た形態でも良い。本実施形態においては、第１電源が電
源線６に対応し、第２電源が接地８に対応する。
【００３７】ＴＦＴ１のゲート電極が走査線４に接続さ
れ、ＴＦＴ１のドレイン電極がＴＦＴ２のゲート電極及
びドレイン電極と信号線５を介して定電流源１５とに接
続され、ＴＦＴ１のソース電極がＴＦＴ３のゲート電極
と蓄積容量９の第１電極とに接続され、ＴＦＴ２のソー
ス電極が有機ＥＬ素子７のアノード電極とＴＦＴ３のソ
ース電極とに接続され、ＴＦＴ３のドレイン電極が電源
線６と蓄積容量９の第２電極とに接続され、有機ＥＬ素
子７のカソード電極が接地８に接続されている。
【００３８】図８の従来例の駆動回路との違いは、図８
では負荷（有機ＥＬ素子）を駆動するためにＴＦＴ１０
５のみが接続されているが、本実施形態では、ＴＦＴ２
およびＴＦＴ３の２個のＴＦＴが有機ＥＬ素子７の駆動
を行うために接続されている点である。この２つのＴＦ
Ｔの機能については後述する。
【００３９】定電流源１５から映像情報に基づいた信号
電流がＴＦＴ２に流れ、それに応じてＴＦＴ２にゲート
−ソース間電圧が発生する。この信号電流は、ＴＦＴ２
のソースから有機ＥＬ素子にも流れる。このとき定電流
源の電流値を有機ＥＬ素子の発光閾値電流以下に設定し
ておけば有機ＥＬ素子７は発光しない。
【００４０】次に走査線４が選択されるとＴＦＴ１がオ
ンし、ＴＦＴ２に発生したソース−ゲート間電圧がＴＦ
Ｔ１を介して蓄積容量９及びＴＦＴ３のゲート電極に印
加される。このときＴＦＴ２及びＴＦＴ３はカレントミ
ラー回路を構成しているため、定電流源１５の信号電流
に比例した電流がＴＦＴ３に流れる。結果、有機ＥＬ素
子７には、ＴＦＴ２に流れる電流とＴＦＴ３に流れる電
流の和が流れる。この電流量の和を有機ＥＬ素子の発光
輝度に合わせた値に調整することで有機ＥＬ素子は所定
輝度で発光する。
【００４１】次に走査線４が非選択状態になると、ＴＦ
Ｔ１がオフし、ＴＦＴ２及びＴＦＴ３からなるカレント
ミラー回路も遮断される。しかし、ＴＦＴ１がオンの時
にＴＦＴ２に流れる電流に対応した電圧が蓄積容量９に
保持されているため、この電圧に応じた電流が、電源線
６からＴＦＴ３を介して有機ＥＬ素子７に供給される。
次に走査線４が選択され新たな信号電流が定電流源６か
らＴＦＴ３に供給されるまで有機ＥＬ素子７は所定輝度
で発光しつづける。
【００４２】ここで、ＴＦＴ２およびＴＦＴ３の機能、
すなわち、外部定電流源１５からＴＦＴ２を介して有機
ＥＬ素子７に供給される電流、電源線６からＴＦＴ３を
介して有機ＥＬ素子に供給される電流の役割について述
べる。
【００４３】先述したように、定電流源１５の出力電流
値、言い換えれば、ＴＦＴ２を介して有機ＥＬ素子７に
流れる電流は、有機ＥＬ素子の発光閾値電流よりも低い
電流値に調整されている。一方、ＴＦＴ３を介して有機
ＥＬ素子７に流れる電流により有機ＥＬ素子は発光す
る。
【００４４】ここで、ＴＦＴ２及びＴＦＴ３はカレント
ミラー回路を構成しており、ＴＦＴ３を介して有機ＥＬ
素子に流れる電流値は、ＴＦＴ３とＴＦＴ２のサイズ比
（Ｗ／Ｌ比、Ｗ：ゲート幅、Ｌ：ゲート長）により決定
される。ここで、サイズ比は、ＴＦＴ３から流れる電流
により有機ＥＬ素子７が発光するように、ＴＦＴ３のＷ
／ＬをＴＦＴ２のＷ／Ｌより大きく設定する。例えば、
有機ＥＬ素子の発光閾値電流を約１０ｎＡ、映像表示時
に必要な有機ＥＬ素子の電流範囲を約２μＡ（階調１０
０％白）〜２０ｎＡ（階調最小ビットに相当する輝度）
とする。このとき、外部定電流源１５の出力電流、すな
わちＴＦＴ２に流れる電流値を１０ｎＡ〜０．１ｎＡ、
ＴＦＴ３のＷ／ＬをＴＦＴ２のＷ／Ｌの２００倍、に設
定すれば、ＴＦＴ３を介して有機ＥＬ素子に流れる電流
値は２μＡ〜２０ｎＡとなり、有機ＥＬ素子は所定の輝
度で発光する。
【００４５】一方、ＴＦＴ２を介して有機ＥＬ素子７に
流れる電流値は、１０ｎＡの発光閾値電流以下であり、
この電流が流れても有機ＥＬ素子７が発光することはな
い。このように設定することで、ＴＦＴ２から流れてく
る電流は、まず初期段階で、有機ＥＬ素子に実質的に存
在する接合容量を充電する。初期の接合容量の充電が完
了すると、電流は有機ＥＬ素子（単純にはダイオードと
考えられる）に流れ始める。この後、有機ＥＬ素子ダイ
オードの電圧は、外部定電流源１５で制限された電流値
に応じた電圧で一定になる。
【００４６】図７に有機ＥＬ素子の電流−電圧特性の模
式図を示した。図中、Ｉth、Ｖthは有機ＥＬ素子の発光
閾値を示す。本実施形態では、外部定電流源によりＴＦ
Ｔ２を流れる電流を、発光閾値電流値以下（Ｉr値）に
制限している。この制限された電流が有機ＥＬ素子側に
流れ始め、その結果、ダイオードのインピーダンスが徐
々に低下していく。最終的には、有機ＥＬ素子の電圧
は、図で示すＶr値で一定になるまで、徐々にダイオー
ドのインピーダンスが低下し、Ｖrで一定になる。その
後、ダイオード電圧が変動することがあっても、常にＴ
ＦＴ２を介して電流が供給されつづけるので、接合容量
は常に充電されつづけ、かつ、有機ＥＬ素子ダイオード
電圧はＶrに落ち着く。
【００４７】発光素子を発光させることなく、電流Ｉr
により接合容量は常に発光閾値以下の電荷が注入され
る。有機ＥＬ素子のＶthは２Ｖ程度であり、Ｉthは、１
００μｍ角の画素サイズを想定した場合、１０ｎＡ程度
である。例えば、Ｉr値設定として、Ｖr値電圧が発光閾
値電圧の４分の１まで余裕を見て設定するなどが適切と
思われるが、余裕値としてどこまで見るかは、作製プロ
セス等のばらつき、消費電力等の仕様、で決められるべ
きである。
【００４８】このように設定した駆動回路において、有
機ＥＬ素子の発光閾値をＶth、有機ＥＬ素子に実質的に
存在する接合容量をＣ，発光に必要な電流をＩ、プリ設
定電圧値をＶr、とすると、発光までに要する時間ｔ
は、以下のように示される。
【００４９】ｔ＝（Ｖth−Ｖr）×Ｃ／Ｉ ここで、前述したように、発光電流が１００ｎＡの場合
を想定する。
【００５０】例えばＶth−Ｖr＝２−０．５＝１．５Ｖ
となるように、Ｉr値を設定するし、接合容量は、１０
０μｍ角の素子サイズを想定して、２．５ｐＦであると
すると、発光までに要する時間ｔ は、 ｔ＝１．５×２．５ｐＦ／１００ｎＡ ＝３７．５μＳ となり、８ビット階調に必要な最小時間６５μＳを実現
することが可能となる。
【００５１】また、本実施形態においては、駆動回路に
共通接続される外部定電流源は、各画素毎に有機ＥＬ素
子の発行閾値電流以下の電流を供給するだけでよく、例
えば、１画素当り１０ｎＡの電流供給能力があれば良
い。ＶＧＡの解像度を持つ場合、外部定電流源として
は、 １０ｎＡ×１９２０＝１．９２μＡ の能力を持てばよい。この値は、先述した従来の定電流
源能力の２０００〜３０００分の１であり、外部定電流
源回路を構成するトランジスタ素子のサイズを充分小さ
くすることが可能である。
【００５２】（実施形態２）図２に、本発明の第２の実
施形態の回路図を示す。図１と同じ機能を持つ素子には
同一の番号を付与してある。本実施形態では、ＴＦＴ２
のソース電極は、有機ＥＬ素子７のアノード電極、及
び、抵抗１４を介して接地に接続されている。
【００５３】本実施形態では、ＴＦＴ２を介して流れる
電流は、抵抗１４と有機ＥＬ素子７の両方に流れる。有
機ＥＬ素子に流れる電流は、第１の実施形態と同様、発
光閾値電流以下に制限されるが、抵抗１４に流れる電流
値には基本的に制限はない。したがって、ＴＦＴ２に流
れる電流量を実施形態１より多くすることができるた
め、カレントミラー回路のミラー比（ＴＦＴ３とＴＦＴ
２のサイズ比）を実施形態１ほど大きくとらなくてもよ
くなる。すなわち、ＴＦＴ３のサイズをより小さくする
ことができる。たとえば、抵抗に流れる電流を発光閾値
電流の１０倍となるように設定する。もともと発光閾値
電流は、前述のように約２０ｎＡと非常に小さい。した
がって、抵抗に流れる電流を１０倍に設定しても消費電
流の上昇は低く抑えられる。有機ＥＬ素子の発光制御に
必要な電流値が最大２μＡとすると、ＴＦＴ３のサイズ
はＴＦＴ２に比べ、約１０倍あればよくなる。これは、
画素サイズが小さくなってくると大きなメリットとな
る。
【００５４】（実施形態３）図３に、本発明の第３の実
施形態による回路図を示す。図１と同じ機能を持つ素子
には同一の番号を付与してある。本実施形態では、ＴＦ
Ｔ２と有機ＥＬ素子７との間に第４のＴＦＴ１０を挿入
した。
【００５５】第１の実施形態では、ＴＦＴ２を介して有
機ＥＬ素子には常時電流が供給される構成であったが、
本実施形態では、ＴＦＴ１０の開閉を制御することでＴ
ＦＴ２から有機ＥＬ素子に流れる電流量を制御できる。
ＴＦＴ１０の開閉を制御する制御信号線１１は、全画素
共通に接続されている。第１の実施形態でも示したよう
にＴＦＴ２を介してまず有機ＥＬ素子の接合容量を充電
する。このタイミングは、全ての行の走査が終了し、次
の画面走査が始まるまでの、いわゆる垂直ブランキング
期間内に行う。その後の動作は実施形態１と同様であ
る。
【００５６】本実施形態によれば、ＴＦＴ２を介して有
機ＥＬ素子に流れる、発光閾値以下の電流においても常
時流れるのではなく、有機ＥＬ素子に実質的に存在する
接合容量を充電するだけの必要最小限の電流消費に抑え
られる。また、その時間については、先述の数値例を用
いるならば、Ｖr＝０．５Ｖ、Ｉr＝１０ｎＡ、接合容量
２．５ｐＦとして、 ｔ＝２．５ｐＦ×０．５Ｖ／１０ｎＡ ＝１２５μｓｅｃ． であり、垂直ブランキング期間（ＮＴＳＣ規格では数ｍ
ｓｅｃ．）内であれば十分充電可能である。
【００５７】（実施形態４）図４に、本発明の第４の実
施形態による回路図を示す。図１〜３と同じ機能を持つ
素子には同一の番号を付与してある。本実施形態では、
ＴＦＴ２と有機ＥＬ素子７との間に第４のＴＦＴ１０を
挿入し、かつ、蓄積容量の電荷を制御できるようにＴＦ
Ｔ１２及びリセット線１３を追加した。
【００５８】リセット線１３からの信号によって蓄積容
量９の電荷を放電し、ＴＦＴ３のゲート電圧を閾値電圧
以下にすることで、ＴＦＴ３を介した定電流の有機ＥＬ
素子への供給を禁止することができ、確実に有機ＥＬ素
子の発光を停止させることができる。
【００５９】また、ＴＦＴ１２を動作させることによ
り、常に蓄積容量９の電荷を電源線６の一定電圧にリセ
ットすることができ、ＴＦＴ２から信号電圧を蓄積容量
９にチャージするときに、常に同じソース電圧でＴＦＴ
２を動作させることができ、電荷の蓄積動作を安定させ
ることができるようになる。
【００６０】（実施形態５）少なくとも複数の走査線及
び信号線がマトリクス状に配置された基板と、該基板上
に配置された各々の走査線と信号線との対に接続された
上述の発光素子の駆動回路を備えた画素と、を有するア
クティブマトリクス型表示パネルを作製した。回路ブロ
ックは、図５に示したような従来のものと同じ構成が可
能である。図５において、１６は走査ドライバ、１７は
信号ドライバである。これらを含め、上記の走査線、信
号線や、制御信号線、リセット線に駆動信号を与えるド
ライバには、既存のドライバを上記本発明に合わせて適
宜設計変更することで容易に適用可能である。
【００６１】なお、定電流源は図５に示すように全画素
共通に設けても良いし、図６に示すように各信号線毎に
設けても良い。
【００６２】ＴＦＴの特性ばらつきに影響されない、階
調性に優れた、かつ、画像の切れの良い（発光素子の応
答速度を感じさせない）画像表示を得ることができた。
【００６３】また、外部定電流源を構成する回路規模も
従来に比べ小さくすることができ、表示パネル全体の大
きさを小さくすることができた。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＴＦＴの特性ばらつきに影響されない、優れた階調性を
持つ表示パネルを実現できる。
【００６５】また、本発明によれば、定電流源の信号電
流を有機ＥＬ素子の接合容量の充電に用いる構成とする
ことで、素子の応答速度を動画表示可能な速度に引き上
げることができる。
【００６６】また、更に、本発明によれば、外部定電流
源を構成する回路規模を従来に比べ大幅に小さくするこ
とができ、その分回路面積を小さくでき、コストを低減
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子の駆動回路の一実施形態を表
す回路図である。
【図２】本発明の発光素子の駆動回路の一実施形態を表
す回路図である。
【図３】本発明の発光素子の駆動回路の一実施形態を表
す回路図である。
【図４】本発明の発光素子の駆動回路の一実施形態を表
す回路図である。
【図５】複数の発光素子の駆動回路を組み込んだ表示パ
ネルの概念図である。
【図６】複数の発光素子の駆動回路を組み込んだ表示パ
ネルの概念図である。
【図７】有機ＥＬ素子の電流−電圧特性を示す模式図で
ある。
【図８】従来の駆動回路の一例を表す回路図である。
【図９】従来の駆動回路の一例を表す回路図である。
【図１０】２つの薄膜トランジスタの特性差を示す模式
図である。
【符号の説明】
１〜３，１０，１２ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ４ 走査線 ５ 信号線 ６ 電源線 ７ 発光素子 ８ 接地 ９ 蓄積容量 １１ 制御信号線 １３ リセット線 １４ 抵抗 １５ 定電流源 １６ 走査ドライバ １７ 信号ドライバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１Ｆ ６２１Ｍ ６２４ ６２４Ｂ ６４１ ６４１Ｅ Ｈ０４Ｎ 5/70 Ｈ０４Ｎ 5/70 Ａ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB05 AB11 BA06 BB07 DA01 DB03 EB00 GA04 5C058 AA12 BA02 BA35 BB25 5C080 AA06 BB05 DD03 DD08 DD22 DD26 DD27 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ05 5C094 AA05 AA10 AA13 AA15 AA22 AA31 AA45 AA53 AA56 BA03 BA27 CA19 CA25 DA09 DB01 DB04 EA04 EA07 EB02 FA01 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のトランジスタと、蓄積容量と、電
    流制御型の発光素子と、走査線及び信号線と、を少なく
    とも備えた発光素子の駆動回路において、第１トランジ
    スタのゲート電極が前記走査線に接続され、前記第１ト
    ランジスタの第１主電極が第２トランジスタのゲート電
    極及び第１主電極と前記信号線とに接続され、前記第１
    トランジスタの第２主電極が第３トランジスタのゲート
    電極と前記蓄積容量の第１電極とに接続され、前記第２
    トランジスタの第２主電極が前記発光素子の第１電極と
    前記第３トランジスタの第２主電極とに接続され、前記
    第３トランジスタの第１主電極が第１電源と前記蓄積容
    量の第２電極とに接続され、前記発光素子の第２電極が
    第２電源に接続されたことを特徴とする発光素子の駆動
    回路。
  2. 【請求項２】 複数のトランジスタと、蓄積容量と、電
    流制御型の発光素子と、走査線及び信号線及び制御信号
    線と、を少なくとも備えた発光素子の駆動回路におい
    て、第１トランジスタのゲート電極が前記走査線に接続
    され、前記第１トランジスタの第１主電極が第２トラン
    ジスタのゲート電極及び第１主電極と前記信号線とに接
    続され、前記第１トランジスタの第２主電極が第３トラ
    ンジスタのゲート電極と前記蓄積容量の第１電極とに接
    続され、前記第２トランジスタの第２主電極が第４トラ
    ンジスタの第１主電極に接続され、前記第３トランジス
    タの第１主電極が第１電源と前記蓄積容量の第２電極と
    に接続され、前記第３トランジスタの第２主電極が前記
    発光素子の第１電極と前記第４トランジスタの第２主電
    極とに接続され、第４トランジスタのゲート電極が前記
    制御信号線に接続され、前記発光素子の第２電極が第２
    電源に接続されたことを特徴とする発光素子の駆動回
    路。
  3. 【請求項３】 更に第５トランジスタと、リセット線
    と、を有し、該第５トランジスタの第１主電極が前記蓄
    積容量の第１電極及び第２電極のうちのどちらか一方に
    接続され、前記第５トランジスタの第２主電極が前記蓄
    積容量の残りの電極に接続され、前記第５トランジスタ
    のゲート電極は前記リセット線に接続されたことを特徴
    とする請求項１又は２に記載の発光素子の駆動回路。
  4. 【請求項４】 前記トランジスタが薄膜トランジスタで
    あることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか
    １項に記載の発光素子の駆動回路。
  5. 【請求項５】 前記第３トランジスタのゲート幅Ｗとゲ
    ート長Ｌとの比Ｗ／Ｌが、前記第２トランジスタのＷ／
    Ｌより大きいことを特徴とする請求項４に記載の発光素
    子の駆動回路。
  6. 【請求項６】 前記信号線が、定電流源に接続されてい
    ることを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか１
    項に記載の発光素子の駆動回路。
  7. 【請求項７】 前記定電流源から前記信号線を介して前
    記第２トランジスタに供給される電流が、前記発光素子
    の発光閾値電流より小さい電流であることを特徴とする
    請求項６に記載の発光素子の駆動回路。
  8. 【請求項８】 前記発光素子が有機エレクトロルミネセ
    ンス素子であることを特徴とする請求項１から７のうち
    のいずれか１項に記載の発光素子の駆動回路。
  9. 【請求項９】 少なくとも複数の走査線及び信号線がマ
    トリクス状に配置された基板と、該基板上に配置された
    各々の走査線と信号線との対に接続された請求項１から
    ８のうちのいずれか１項に記載の発光素子の駆動回路を
    備えた画素と、を有することを特徴とするアクティブマ
    トリクス型表示パネル。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003063124A1 (fr) * 2002-01-17 2003-07-31 Nec Corporation Dispositif a semi-conducteur comprenant des circuits d'attaque a charge de courant de type reseau et procede d'attaque
JP2004109991A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 表示駆動回路
JP2004341312A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
US7046240B2 (en) 2001-08-29 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment
JP2007506144A (ja) * 2003-09-23 2007-03-15 イグニス イノベーション インコーポレーテッド ピクセルドライバ回路
JP2008090276A (ja) * 2006-09-05 2008-04-17 Canon Inc 発光表示デバイス
JP2009003477A (ja) * 2001-09-21 2009-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法
US7804467B2 (en) 2001-08-10 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic equipment using the same
US7928945B2 (en) 2003-05-16 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9552766B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with light emission control and driving method thereof
CN113593471A (zh) * 2021-07-29 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板、显示装置

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7804467B2 (en) 2001-08-10 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic equipment using the same
US8749455B2 (en) 2001-08-10 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic equipment using the same
US8232937B2 (en) 2001-08-10 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic equipment using the same
US8482491B2 (en) 2001-08-29 2013-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment
US7046240B2 (en) 2001-08-29 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment
US8982021B2 (en) 2001-08-29 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment
US8704736B2 (en) 2001-08-29 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment
US7411586B2 (en) 2001-08-29 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment
US8227807B2 (en) 2001-09-21 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2009003477A (ja) * 2001-09-21 2009-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法
US9876063B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9165952B2 (en) 2001-09-21 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9847381B2 (en) 2001-09-21 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8519392B2 (en) 2001-09-21 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9368527B2 (en) 2001-09-21 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9876062B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8895983B2 (en) 2001-09-21 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US10068953B2 (en) 2001-09-21 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US7133012B2 (en) 2002-01-17 2006-11-07 Nec Corporation Semiconductor device provided with matrix type current load driving circuits, and driving method thereof
WO2003063124A1 (fr) * 2002-01-17 2003-07-31 Nec Corporation Dispositif a semi-conducteur comprenant des circuits d'attaque a charge de courant de type reseau et procede d'attaque
JP2004109991A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 表示駆動回路
JP4618986B2 (ja) * 2003-05-16 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8643591B2 (en) 2003-05-16 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2004341312A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
US7928945B2 (en) 2003-05-16 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2007506144A (ja) * 2003-09-23 2007-03-15 イグニス イノベーション インコーポレーテッド ピクセルドライバ回路
JP2008090276A (ja) * 2006-09-05 2008-04-17 Canon Inc 発光表示デバイス
US9552766B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with light emission control and driving method thereof
CN113593471A (zh) * 2021-07-29 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板、显示装置
CN113593471B (zh) * 2021-07-29 2022-12-02 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板、显示装置

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