JP2008191296A - 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】移動度補正動作に必要な移動度補正時間を延ばすことにより、当該補正時間のばらつきを相対的に小さくし、輝度ばらつきを抑えることができるようにするとともに、書き込みパルスのパルス幅を最適なパルス幅に設定できるようにする。
【解決手段】サンプリングする入力信号電圧の電圧値を段階的に高くし、所望の電圧値の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むのに先立って、それよりも低い電圧値のプリチャージ電圧Ｖｐｒｅを書き込んで駆動トランジスタのゲートにあらかじめ印加するプリチャージを行うことで、信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むときの駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を小さくし、移動度補正動作に必要な移動度補正時間を延ばす。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器に関する。

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置、例えば、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。

この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。

有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。

ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。

このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機ＥＬ素子との動作点で決まる。有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子との動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。

また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なったりする（個々のトランジスタ特性にばらつきがある）。

駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが異なると、駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。

そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正（以下、「閾値補正」と記述する）や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正（以下、「移動度補正」と記述する）の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−１３３５４２号公報

特許文献１記載の従来技術では、画素回路の各々に、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができるが、その反面、画素回路を構成する素子数が多く、画素サイズの微細化の妨げとなる。

これに対して、画素回路を構成する素子数や配線数の削減を目的として、例えば、画素回路の駆動トランジスタに供給する電源電位を切り替え可能な構成とし、当該電源電位の切り替えによって有機ＥＬ素子の発光期間／非発光期間を制御する機能を駆動トランジスタに持たせ、発光期間／非発光期間を制御するトランジスタを省略する手法を採ることが考えられる。

かかる手法を採ることにより、必要最小限の素子数、具体的には、入力信号電圧をサンプリングして画素内に書き込む書き込みトランジスタと、この書き込みトランジスタによって書き込まれた入力信号電圧を保持する保持容量と、この保持容量に保持された入力信号電圧に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとによって画素回路を構成できる。

このように、有機ＥＬ素子の発光期間／非発光期間を制御するトランジスタとして駆動トランジスタを兼用して画素回路を構成する素子数の削減を図る構成を採る場合、書き込みトランジスタによって入力信号電圧を書き込むと同時に、上記移動度補正を行うことになる。因みに、特許文献１記載の従来技術では、入力信号電圧の書き込み期間が終わった後に移動度補正が行われる。

ここで、移動度補正の動作は、補正開始時の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとその動作時間（移動度補正時間）で決まる。そして、移動度補正によって画質が最も良くなる最適な移動度補正時間と補正開始時の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとの間には、当該ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高いほど最適な移動度補正時間が短いという関係がある。

また、移動度補正時間は、入力信号電圧をサンプリングして画素内に書き込むための書き込みパルス（書き込みトランジスタを駆動するパルス）のパルス幅のみで決まる。したがって、最適な移動度補正時間が長いときと短いときで書き込みパルスのパルス幅に同じ量（時間）のばらつきがあっても、最適な移動度補正時間が短いときの書き込みパルスのパルス幅のばらつきは相対的に大きくなってしまい、当該パルス幅のばらつきが輝度ばらつきとなって画質を悪化させる。

また、最適な移動度補正時間が短い場合、書き込みパルスのパルス幅を決めるシステムの関係上、パルス幅を非連続的にしか決められない、具体的には、システムの動作の基準となるマスタークロックのパルス幅の単位でしか書き込みパルスのパルス幅を決められないために、最適な設定ポイントを逃してしまうことも考えられる。

そこで、本発明は、移動度補正動作に必要な移動度補正時間を延ばすことにより、当該補正時間のばらつきを相対的に小さくし、輝度ばらつきを抑えることができるとともに、書き込みパルスのパルス幅を最適なパルス幅に設定可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明では、電気光学素子と、入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素に対して行単位で前記書き込みトランジスタを駆動する書き込みパルスを与える書き込み走査回路とを備えた表示装置において、前記書き込み走査回路によって走査された行の各画素に対して前記入力信号電圧を供給するとともに、当該入力信号電圧の電圧値を段階的に高くするようにする。

上記構成の表示装置および当該表示装置を用いた電子機器において、移動度補正によって画質が最も良くなる最適な移動度補正時間と補正開始時の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧との間には、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高いほど最適な移動度補正時間が短い、換言すれば、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが低いほど最適な移動度補正時間が長いという関係がある。

このことから、入力信号電圧の電圧値を段階的に高くし、所望の電圧値の信号電圧を書き込むのに先立って、それよりも低い電圧値をあらかじめ書き込む（プリチャージとも言う）ことで、駆動トランジスタのゲート電位が上昇し、それに伴ってソース電位も上昇する。これにより、所望の電圧値の入力信号電圧の書き込み時、即ち移動度補正期間の開始時の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を、プリチャージを行わない場合よりも低く抑えることができるために、最適な移動度補正時間を長くできる（プリチャージを行わない場合よりも移動度補正時間を延ばすことができる）。

本発明によれば、最適な移動度補正時間が長くなることで、移動度補正時間のばらつきが相対的に小さくなるために、移動度補正時間のばらつきに起因する輝度ばらつきを抑えることができるとともに、書き込みパルスのパルス幅を最適なパルス幅に設定できる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、画素（ＰＸＬＣ）２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部、例えば書き込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０とを有する構成となっている。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが配線され、画素列ごとに信号線３３−１〜３３−ｎが配線されている。

画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０は、アモルファスシリコンＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。

書き込み走査回路４０は、シフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書き込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに順次走査信号ＷＳ１〜ＷＳｍを供給して画素２０を行単位で線順次走査する。

電源供給走査回路５０は、シフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電位Ｖｃｃｐと当該第１電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源供給線電位ＤＳ１〜ＤＳｍを電源供給線３２−１〜３２−ｍに供給する。ここで、第２電位Ｖｉｎｉは、水平駆動回路６０から与えられるオフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位である。

水平駆動回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと、基準電圧であるオフセット電圧Ｖｏｆｓのいずれか一方を適宜選択し、信号線３３−１〜３３−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して例えば行単位で一斉に書き込む。すなわち、水平駆動回路６０は、入力信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で一斉に書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。

（水平駆動回路）
図２は、水平駆動回路６０の出力部分の具体的な構成の一例を示す回路図である。ここでは、ある１列に対応する回路部分のみを示している。

水平駆動回路６０は、少なくとも１本のプリチャージ信号線６１と、各々１本の映像信号線６２および基準電位線６２と、これら配線６１，６２，６３の各々と画素アレイ部３０の信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）との間に接続された水平セレクタスイッチ６４，６５，６６を有する構成となっている。水平セレクタスイッチ６４，６５，６６は、例えば、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタとが並列に接続されてなるＣＭＯＳスイッチによって構成されている。

そして、水平セレクタスイッチ６４は、制御線６７−１，６７−２を通して与えられる互いに逆相のスイッチ制御信号ＰＲＥ，ｘＰＲＥによってオン／オフ制御される。水平セレクタスイッチ６５は、制御線６８−１，６８−２を通して与えられる互いに逆相のスイッチ制御信号ＳＩＧ，ｘＳＩＧによってオン／オフ制御される。水平セレクタスイッチ６６は、制御線６９−１，６９−２を通して与えられる互いに逆相のスイッチ制御信号ＯＦＳ，ｘＯＦＳによってオン／オフ制御される。

上記構成の水平駆動回路６０において、水平セレクタスイッチ６５は、書き込み走査回路４０による選択走査に同期するスイッチ制御信号ＳＩＧ，ｘＳＩＧに応答してオン状態になることにより、映像信号線６２によって伝送される映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを信号線３３に供給する。

水平セレクタスイッチ６４は、水平セレクタスイッチ６５による信号線３３への信号電圧Ｖｓｉｇの供給に先立ってスイッチ制御信号ＰＲＥ，ｘＰＲＥに応答してオン状態になることにより、プリチャージ信号線６１によって伝送される、信号電圧Ｖｓｉｇよりも低い電圧値のプリチャージ電圧Ｖｐｒｅを信号電圧Ｖｓｉｇに先立って信号線３３に供給する。

水平セレクタスイッチ６６は、水平セレクタスイッチ６４および水平セレクタスイッチ６５のオン期間以外の期間において、スイッチ制御信号ＯＦＳ，ｘＯＦＳに応答してオン状態になることにより、基準電位線６２によって伝送される基準電圧であるオフセット電圧Ｖｏｆｓを信号線３３に供給する。

上述したことから明らかなように、水平駆動回路６０は、書き込み走査回路４０によって走査された行の各画素に対して、信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）を通して入力信号電圧を供給するとともに、当該入力信号電圧の電圧値を段階的（本例では、２段階）に高くする、具体的には、所望の電圧値の信号電圧Ｖｓｉｇを供給するのに先立って、当該信号電圧Ｖｓｉｇよりも低い電圧値のプリチャージ電圧Ｖｐｒｅを供給する。

なお、本例に係る水平駆動回路６０では、１段階目でプリチャージ電圧Ｖｐｒｅを、２段階目で信号電圧Ｖｓｉｇをという具合に、力信号電圧の電圧値を２段階で高くするとしたが、２段階に限られるものではなく、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅとして複数の電圧値を設定し、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅの供給を多段階にすることも可能である。

（画素回路）
図３は、画素（画素回路）２０の具体的な構成の一例を示す回路図である。図３に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１を発光素子として有し、当該有機ＥＬ素子２１に加えて、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３、保持容量２４および補助容量２５を有する構成となっている。

ここで、駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。

有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ２２は、ソースが有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、ドレインが電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。

書き込みトランジスタ２３は、ゲートが走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続され、ソースが信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、ドレインが駆動トランジスタ２２のゲートに接続されている。保持容量２４は、一端が駆動トランジスタ２２のゲートに接続され、他端が駆動トランジスタ２２のソース（有機ＥＬ素子２１のアノード電極）に接続されている。

補助容量２５は、一端が駆動トランジスタ２２のソースに接続され、他端が有機ＥＬ素子２１のカソード電極（共通電位供給線３４）に接続されている。この補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されることで、当該有機ＥＬ素子２１の容量不足を補う作用をなす。すなわち、補助容量２５は必須の構成要素ではなく、有機ＥＬ素子２１の容量が十分である場合は補助容量２５を省略することが可能である。

かかる構成の画素２０において、書き込みトランジスタ２３は、書き込み走査回路４０から走査線３１を通してゲートに印加される走査信号ＷＳに応答して導通状態となることにより、信号線３３を通して水平駆動回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の入力信号電圧Ｖｓｉｇまたはオフセット電圧Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた入力信号電圧Ｖｓｉｇまたはオフセット電圧Ｖｏｆｓは保持容量２４に保持される。

駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳが第１電位Ｖｃｃｐにあるときに、電源供給線３２から電流の供給を受けて、保持容量２４に保持された入力信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動する。

（画素構造）
図４に、画素２０の断面構造の一例を示す。図４に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３等の画素回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３が形成され、当該ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。

有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０４と、当該アノード電極２０４上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０５と、当該有機層２０５上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０６とから構成されている。

この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０８は、アノード電極２０４上にホール輸送層/ホール注入層２０５１、発光層２０５２、電子輸送層２０５３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０４を通して有機層２０５に電流が流れることで、当該有機層２０５内の発光層２０５２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。

図４に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０７を介して封止基板２０８が接着剤２０９によって接合され、当該封止基板２０８によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、表示パネル７０が形成される。

（閾値補正機能）
ここで、電源供給走査回路５０は、書き込みトランジスタ２３が導通した後で、水平駆動回路６０が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）にオフセット電圧Ｖｏｆｓを供給している間に、電源供給線３２の電位ＤＳを第１電位Ｖｃｃｐと第２電位Ｖｉｎｉとの間で切り替える。この電源供給線３２の電位ＤＳの切り替えにより、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に保持される。

保持容量２４に駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持するのは次の理由による。駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μなどのトランジスタ特性の変動がある。このトランジスタ特性の変動により、駆動トランジスタ２２に同一のゲート電位を与えても、画素ごとにドレイン・ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが変動し、発光輝度のばらつきとなって現れる。この閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきの影響をキャンセル（補正）するために、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に保持するのである。

駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの補正は次のようにして行われる。すなわち、保持容量２４にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、入力信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持した閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される、換言すれば、閾値電圧Ｖｔｈの補正が行われる。

これが閾値補正機能である。この閾値補正機能により、画素ごとに閾値電圧Ｖｔｈにばらつきや経時変化があったとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができることになる。閾値補正の原理については後で詳細に説明する。

（移動度補正機能）
図３に示した画素２０は、上述した閾値補正機能に加えて、移動度補正機能を備えている。すなわち、水平駆動回路６０が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に供給している期間で、かつ、書き込み走査回路４０から出力される走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）に応答して書き込みトランジスタ２３が導通する期間、即ち移動度補正期間において、保持容量２４に入力信号電圧Ｖｓｉｇを保持する際に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す移動度補正が行われる。この移動度補正の具体的な原理および動作については後述する。

（ブートストラップ機能）
図３に示した画素２０はさらにブートストラップ機能も備えている。すなわち、水平駆動回路６０は、保持容量２４に入力信号電圧Ｖｓｉｇが保持された段階で走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に対する走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）の供給を解除し、書き込みトランジスタ２３を非導通状態にして駆動トランジスタ２２のゲートを信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）から電気的に切り離す。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがソース電位Ｖｓの変動に連動するために、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に維持することができる。

（回路動作）
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図５のタイミングチャートを基に、図６および図７の動作説明図を用いて説明する。なお、図６および図７の動作説明図では、図面の簡略化のために、書き込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１は寄生容量を持っており、当該寄生容量と補助容量２５を合成容量Ｃｓｕｂとして図示している。

図５のタイミングチャートでは、時間軸を共通にして、１Ｈ（Ｈは水平走査時間）における走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位（走査信号）ＷＳの変化、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳの変化、信号線３３（３３-1〜３３-ｎ）の電位（Ｖｐｒｅ／Ｖｓｉｇ／Ｖｏｆｓ）の変化、水平セレクタスイッチ６４，６５，６６のスイッチ制御信号（ＰＲＥ，ＳＩＧ．ＯＦＳ）、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化を表している。

＜発光期間＞
図５のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１以前は有機ＥＬ素子２１が発光状態にある（発光期間）。この発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐ（第１電位）にあり、図６（Ａ）に示すように、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に駆動電流（ドレイン・ソース間電流）Ｉｄｓが供給されるため、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓに応じた輝度で発光する。

＜閾値補正準備期間＞
そして、時刻ｔ１になると線順次走査の新しいフィールドに入り、図６（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐから信号線３３のオフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉ（第２電位）に遷移すると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓも低電位Ｖｉｎｉに向けて下降を開始する。

次に、時刻ｔ２で書き込み走査回路４０から走査信号ＷＳが出力され、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図６（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、スイッチ制御信号ＯＦＳがアクティブ（高電位）状態にあり、水平セレクタスイッチ６６がオン状態になることで、水平駆動回路６０から信号線３３に対してオフセット電圧Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがオフセット電圧Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。

ここで、低電位Ｖｉｎｉについては、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなるように設定しておくこととする。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓ、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ初期化することで、閾値電圧補正動作の準備が完了する。

＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ３で、図６（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈになり、当該閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に書き込まれる。

ここでは、便宜上、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に書き込む期間を閾値補正期間と呼んでいる。なお、この閾値補正期間において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。

次に、時刻ｔ４で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、書き込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲートがフローティング状態になるが、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。

＜プリチャージ期間＞
閾値補正期間が終了した後、時刻ｔ５でスイッチ制御信号ＯＦＳが非アクティブ（低電位）状態になり、続いて、時刻ｔ６でスイッチ制御信号ＰＲＥがアクティブ状態になり、水平セレクタスイッチ６７がオン状態になることにより、図７（Ａ）に示すように、水平駆動回路６０から信号線３３に対してプリチャージ電圧Ｖｐｒｅが供給される。これにより、信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓからプリチャージ電圧Ｖｐｒｅに切り替わる。

次に、時刻ｔ７で走査信号ＷＳがアクティブ状態になる、即ち走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図７（Ｂ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態になる。これにより、入力信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして書き込むのに先立って、プリチャージ電圧Ｖｐｒｅをサンプリングしてあらかじめ書き込んで駆動トランジスタ２２のゲートに印加するプリチャージが行われる。そして、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがプリチャージ電圧Ｖｐｒｅになることで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。

＜書き込み期間／移動度補正期間＞
次に、時刻ｔ８でスイッチ制御信号ＰＲＥが非アクティブ状態、水平セレクタスイッチ６７がオフ状態になり、続いて、時刻ｔ９でスイッチ制御信号ＳＩＧがアクティブ状態、水平セレクタスイッチ６５がオン状態になることにより、図７（Ｃ）に示すように、水平駆動回路６０から信号線３３に対して映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが供給される。これにより、信号線３３の電位がプリチャージ電圧Ｖｐｒｅから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わる。

そして、この信号電圧Ｖｓｉｇは、導通状態にある書き込みトランジスタ２３を介して駆動トランジスタ２２のゲートに印加される。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇとなる。このとき、有機ＥＬ素子２１は始めカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にあるために、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは有機ＥＬ素子２１に並列に接続された合成容量Ｃｓｕｂに流れ込み、よって当該合成容量Ｃｓｕｂの充電が開始される。

この合成容量Ｃｓｕｂの充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始し、やがて駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。すなわち、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。

このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを当該駆動トランジスタ２２のゲート入力に、即ちゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還することにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。

より具体的には、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量（補正量）ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。また、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。

＜発光期間＞
次に、時刻ｔ１０で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移する（同時もしくはそれ以降に、スイッチ制御信号ＳＩＧが非アクティブ状態になる）ことで、図７（Ｄ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲートは信号線３３から切り離される。これと同時に、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電位はドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じて上昇する。

有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。このとき、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。

そして、時刻ｔ１１でスイッチ制御信号ＯＦＳがアクティブ状態になり、水平セレクタスイッチ６６がオン状態になることで、水平駆動回路６０から信号線３３に対してオフセット電圧Ｖｏｆｓが供給される。これにより、信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇからオフセット電圧Ｖｏｆｓに切り替わる。

（閾値補正の原理）
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値補正の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン・ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）² ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。

図８に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート・ソース電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になるのに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。

これに対し、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ΔＶであるために、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−ΔＶ）² ……（２）
で表される。

すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動しても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も変動しない。

（移動度補正の原理）
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図９に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。

画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの入力信号電圧Ｖｓｉｇを書き込んだ場合に、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティを損なうことになる。

ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図８に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｖの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。そこで、移動度補正動作によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになるために、移動度μのばらつきを抑制することができる。

具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μのばらつきが補正される。

以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて小さくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。すなわち、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化され、その結果、移動度μのばらつきを補正することができる。

ここで、図３に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位（サンプリング電位）Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図１０を用いて説明する。

図１０において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図１０（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン・ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。

これに対して、閾値補正のみを行った場合は、図１０（Ｂ）に示すように、当該閾値補正によってドレイン・ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図１０（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができるために、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。

（本実施形態の作用効果）
以上説明した本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０において、移動度補正によって画質が最も良くなる最適な移動度補正時間と補正開始時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとの間には、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高いほど最適な移動度補正時間が短い、換言すれば、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが低いほど最適な移動度補正時間が長いという関係がある。

この最適な移動度補正時間と補正開始時のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとの関係を考慮して、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０においては、サンプリングする入力信号電圧（信号線３３の電圧）の電圧値を段階的に高くし、所望の電圧値の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むのに先立って、それよりも低い電圧値のプリチャージ電圧Ｖｐｒｅを書き込んで駆動トランジスタ２２のゲートにあらかじめ印加するプリチャージを行うことを特徴としている。

このように、信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むのに先立ってプリチャージ電圧Ｖｐｒｅをプリチャージすることにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがプリチャージ電圧Ｖｐｒｅに向けて上昇し、それに伴ってソース電位Ｖｓも上昇する。ソース電位Ｖｓの上昇により、信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み時、即ち移動度補正期間の開始時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを、プリチャージを行わない場合よりも低く（小さく）抑えることができる。

そして、移動度補正期間の開始時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが小さくなることで、最適な移動度補正時間を長くできる。すなわち、プリチャージを行わない場合よりも移動度補正時間を延ばすことができる。最適な移動度補正時間が長くなることで、移動度補正時間のばらつきが相対的に小さくなるために、移動度補正時間のばらつきに起因する輝度ばらつきを抑えることができる。

また、最適な移動度補正時間が長くなることにより、当該移動度補正時間をシステムの動作の基準となるマスタークロックのパルス幅の単位で決めるシステム構成を採った場合であっても、書き込みパルスとなる走査信号ＷＳのパルス幅（図５の時刻ｔ９から時刻ｔ１０の期間）を最適なポイント（パルス幅）に設定できる。

なお、上記実施形態では、画素（画素回路）２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。

［適用例］
以上説明した本発明に係る表示装置は、図１１〜図１５に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

なお、本発明に係る表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。

図１１は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。

図１２は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１３は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１４は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１５は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 水平駆動回路の出力部分の具体的な構成の一例を示す回路図である。 画素（画素回路）の具体的な構成の一例を示す回路図である。 画素の断面構造の一例を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明に供するタイミングチャートである。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その１）である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その２）である。 駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。 駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。 閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。 本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。 本発明が適用される携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書き込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…補助容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書き込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…水平駆動回路、７０…表示パネル

Claims (4)

1. 電気光学素子と、入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各画素に対して行単位で前記書き込みトランジスタを駆動する書き込みパルスを与える書き込み走査回路と、
   前記書き込み走査回路によって走査された行の各画素に対して前記入力信号電圧を供給するとともに、当該入力信号電圧の電圧値を段階的に高くする駆動回路と
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 前記画素アレイ部の各画素は、前記書き込みトランジスタによる前記入力信号電圧の書き込み期間において、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流をゲート入力側に負帰還することによって当該駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消す補正動作を行う
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 電気光学素子と、入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各画素に対して行単位で前記書き込みトランジスタを駆動する書き込みパルスを与える書き込み走査回路とを備えた表示装置の駆動方法であって、
   前記書き込み走査回路によって走査された行の各画素に対して前記入力信号電圧を供給するとともに、当該入力信号電圧の電圧値を段階的に高くする
   ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
4. 電気光学素子と、入力信号電圧をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた入力信号電圧を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された入力信号電圧に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記画素アレイ部の各画素に対して行単位で前記書き込みトランジスタを駆動する書き込みパルスを与える書き込み走査回路と、
   前記書き込み走査回路によって走査された行の各画素に対して前記入力信号電圧を供給するとともに、当該入力信号電圧の電圧値を段階的に高くする駆動回路と
   を備えた表示装置を有することを特徴とする電子機器。

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