CN103996388B - 信号校正方法和信号校正装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种信号校正方法，所述信号校正方法包括：在不同时刻对信号进行采样；将一个信号周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值进行比较，当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值相等时，所述采样点的信号值不变；当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值不相等时，将所述采样点的信号值校正为相对应的预设信号值。相应地，本发明还提供一种信号校正装置。本发明能够将受到干扰的采样点的信号值校正为相对应的预设信号值，因而能够从整体上减少信号波形的时序错位现象的发生，进而提高信号的防干扰能力。

Description

信号校正方法和信号校正装置
技术领域
本发明涉及受干扰信号的校正领域，具体地，涉及一种信号校
正方法和信号校正装置。
背景技术
随着液晶显示技术的发展，驱动电路的集成度越来越高，而集成电路的体积也要求越来越小，这就导致其防静电能力下降，如在工控领域的液晶显示的应用中，所有的信号及地面会一直受到各种干扰。如图1所示，当栅极控制信号(包括时钟脉冲信号(CPV)和输出使能信号(OE))受到干扰时会发生时序错位，而时钟脉冲信号和输出使能信号同时为高电平时才能控制栅极输出，因此如果时钟脉冲信号和输出使能信号发生时序错位，则会导致薄膜晶体管的栅极不能正常打开，并影响显示装置的正常显示(例如，出现横纹不良)。
因此，如何防止时钟脉冲信号和输出使能信号发生时序错位成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种信号校正方法和信号校正装置，以对受到干扰的信号进行校正。
为了实现上述目的，本发明提供一种信号校正方法，所述信号校正方法包括：
S10、在不同时刻对信号进行采样；
S20、将一个信号周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值进行比较，当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值相等时，所述采样点的信号值不变；当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值不相等时，执行步骤S30；
S30、将所述采样点的信号值校正为相对应的预设信号值。
优选地，所述信号校正方法还包括在执行所述步骤S20之前进行的：
S15、存储与每个所述采样点相对应的预设信号值。
优选地，所述步骤S20从所述信号的第二个周期开始，所述预设信号值为所述信号的第一个周期的采样点对应的信号值。
优选地，所述信号校正方法还包括在所述步骤S30之后进行的：
S40、对所述采样点之间的信号值进行填充，以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同。
优选地，所述步骤S10中的采样频率为信号频率的5～10倍。
相应地，本发明还提供一种信号校正装置，其中，所述信号校正装置包括：
采样模块，用于对信号进行采样；
检测模块，用于比较一个采样周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值，以判断每个所述采样点是否受到干扰；
校正模块，用于将所述检测模块测得的受到干扰的所述采样点的信号值校正为与该采样点相对应的预设信号值。
优选地，所述检测模块包括电压比较器件，该电压比较器件用于比较每个所述采样点的信号值与相对应的预设信号值。
优选地，所述信号校正装置还包括存储模块，用于存储与每个所述采样点相对应的预设信号值。
优选地，所述预设信号值为所述信号的第一个周期的采样点对应的信号值。
优选地，所述校正模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极均与所述电压比较器件的输出端相连，所述第一三极管的集电极与所述信号校正装置的输入端相连，所述第一三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连，所述第二三极管的集电极与所述存储模块的输出端相连，所述第二三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；当所述电压比较器件的输出为零时，所述第一三极管导通，当所述电压比较器件的输出不为零时，所述第二三极管导通。
优选地，所述信号校正装置还包括填充模块，用于填充所述采样点之间的信号值，以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同。
优选地，所述填充模块包括第三三极管和第四三极管，所述第三三极管的基极与所述第二三极管的发射极相连，所述第三三极管的集电极与所述存储模块相连，所述第三三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；所述第四三极管的基极与所述第二三极管的发射极相连，所述第四三极管的集电极与所述存储模块相连，所述第四三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；当所述第二三极管导通且所述第二三极管的集电极输入高电平时，所述第三三极管导通，当所述第二三极管导通且所述第二三极管的集电极输入低电平时，所述第四三极管导通。
可以看出，本发明可以检测信号的采样点是否受到干扰，并将受到干扰的采样点的信号值校正为相对应的预设信号值，因而可以从整体上减少信号波形的时序错位现象的发生，减少外部干扰对信号的影响，进而提高了利用所述信号的驱动模块的防干扰能力。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1所示的是CPV信号和OE信号受到干扰而产生时序错位的波形示意图；
图2所示的是本发明所提供的信号校正方法的步骤示意图；
图3所示的是信号的采样点和相对应的预设信号值的对应关系示意图；
图4所示的是本发明所提供的信号校正装置的结构示意图。
附图标记说明
100：采样模块；200：检测模块；300：校正模块；400：存储模块；500：填充模块；M1：第一三极管；M2：第二三极管；M3：第三三极管；M4：第四三极管。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的一方面，提供一种信号校正方法，如图2所示，所述信号校正方法可以包括：
S10、在不同时刻对信号进行采样，采样数量不限定，根据情况而定；
S20、将一个信号周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值进行比较，当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值相等时，所述采样点的信号值不变；当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值不相等时，执行步骤S30；
S30、将所述采样点的信号值校正为相对应的预设信号值。
上述一个信号周期为发射信号的一个周期，如图3所示，波形a为受到干扰后时序发生错位的信号波形，波形b为正常的信号波形。以T2周期为例，a1、a2、a3、a4、a5和a6分别为受到干扰的信号在T2周期内的采样点，b1、b2、b3、b4、b5和b6处的信号值分别为相对应的预设信号值。对采样点的信号值与相对应的预设信号值进行比较，当采样点的信号值与相对应的预设信号值相等时，即，图中a1、a3、a4和a5处的信号值分别与b1、b3、b4和b5处的信号值相等，则判断采样点a1、a3、a4和a5未受到干扰，a1、a3、a4和a5的信号值不变；当采样点的信号值与相对应的预设信号值不相等时，即，图中a2和a6处的信号值分别与b2和b6处的信号值不相等，则判断采样点a2和a6受到干扰，将a2和a6处的信号值分别校正为b2和b6处的信号值。
通过对采样点处的信号值进行校正，使得受到干扰的采样点的信号值与相对应的预设信号值相等，因而从整体上减少了信号波形的时序错位现象的发生，减少外部干扰对信号的影响，进而提高了利用所述信号的驱动模块的防干扰能力。
为了便于将所述采样点的信号值与相对应的预设信号值进行比较，更进一步地，所述信号校正方法还可以包括在执行步骤S20之前进行的：
S15、存储与每个所述采样点相对应的预设信号值。
在本发明中，可以由不同方式确定所述预设信号值，例如，当所述信号为显示装置的阵列基板的栅极控制信号时，可以通过试验的方法在薄膜晶体管的栅极正常打开的情况下对每个采样点相对应的预设信号值进行记录。
作为本发明的一种具体实施方式，步骤S20从所述信号的第二个周期开始，所述预设信号值为所述信号的第一个周期的采样点对应的信号值。即，将所述信号的第n(n为大于1的整数)个周期的采样点分别与第一个周期的采样点进行比较。具体地，以信号的第二个周期为例，将信号的第二个周期的第一个采样点的信号值与第一个周期的第一个采样点的信号值进行比较，将信号的第二个周期的第二个采样点的信号值与第一个周期的第二个采样点的信号值进行比较，依次类推，直至完成第二个周期内所有采样点与第一周期内的采样点的比较；各周期的比较过程与第二周期类似。通常来讲，信号的第一个周期不易受到影响，时序是基本准确的，利用第一周期中的各采样点的信号值对其余周期的信号值进行校正，可以使得其余周期的各采样点与第一周期的各采样点对应相等，从而使得其余周期的信号波形与第一周期的信号波形相同，因而可以使得其余周期的时序与第一周期相同，即校正为正确状态。
为了对所述采样点之间的信号值进行校正，更进一步地，如图2所示，所述信号校正方法还可以包括在步骤S30之后进行的：
S40、对所述采样点之间的信号值之间进行填充，以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同。本发明对所述填充方式不作具体限定，只要可以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同即可。例如，以常见的方波信号为例，当两个相邻的采样点的校正后的信号值相等时，将采样点之间的信号值确定为与两个采样点的信号值相等的值；当两个相邻的采样点的校正后的信号值不相等时，使得两个采样点及两个采样点之间的信号值按照固定的速率增大或减小。
可以理解的是，为了便于信号的校正，可以减少用于对比的采样点，具体地，当检测到某一周期上的采样点的信号值与相对应的预设信号值不相等时，直接将所述采样点的信号值以及所述采样点之后的信号值校正为与所述采样点以及所述采样点之后的所有点相对应的预设信号值即可。以图3为例，当比较得到a2点的信号值与对应的b2点的信号值不相等时，将a2点的信号值校正为b2点的信号值，且将T2周期内a2点之后的所有信号值校正为b2点之后的信号值，同时将T2周期之后的所有周期内的所有信号值校正为相对应的第一周期内的预设信号值，以使得所有周期的信号波形与第一周期内的信号波形相同。
为了准确地对信号进行校正，同时提高校正效率，优选地，所述步骤S10中的采样频率可以为信号频率的5～10倍，即，每个信号周期内均匀采样5～10个点。
以上为对本发明所提供的信号校正方法的描述，可以看出，通过所述信号校正方法能够对受到干扰的采样点处的信号值进行校正，使得受到干扰的采样点处的信号值与相应的预设信号值相等，因而减少了信号波形时序错位现象的发生，减少了外部干扰对信号的影响，提高了产品的抗干扰能力。
作为本发明的另一方面，提供一种信号校正装置，如图4所示，所述信号校正装置可以包括采样模块100、检测模块200和校正模块300。采样模块100用于对信号进行采样；检测模块200用于比较一个采样周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值，以判断每个所述采样点是否受到干扰；校正模块300用于将检测模块200测得的受到干扰的所述采样点的信号值校正为与该采样点相对应的预设信号值。
更进一步地，如图4所示，检测模块200可以包括电压比较器件，该电压比较器件用于比较每个所述采样点的信号值与相对应的预设信号值，从而判断每个所述采样点是否受到干扰，以对受到干扰的采样点和未受到干扰的采样点分别进行相应的处理。图4中，Uin和Uref为电压比较器件的两个输入端，Uo为电压比较器件的输出端，Uin端输入的是每个所述采样点的信号值，Uref端输入的是与每个采样点相对应的预设信号值。
需要说明的是，所述电压比较器件所比较的是两个输入电压之间的差值，该差值为不小于零的值。即，当所述电压比较器件的两个输入电压相等时，输出低电平；当所述电压比较器件的两个输入电压不相等时，输出高电平。
更进一步地，如图4所示，所述信号校正装置还可以包括存储模块400，用于存储与每个所述采样点相对应的预设信号值。
为了便于所示预设信号值的设置，更进一步地，所述预设信号值可以为所述信号的第一个周期的采样点对应的信号值，存储模块400与采样模块100相连，采样模块100将信号的第一个周期内的采样值传送至存储模块400进行存储。
为了便于分别对未受到干扰的采样点和受到干扰的信号点进行相应的处理，更进一步地，如图4所示，校正模块300可以包括第一三极管M1和第二三极管M2，第一三极管M1的基极和第二三极管M2的基极均与所述电压比较器件的输出端相连，第一三极管M1的集电极与所述信号校正装置的输入端相连，第一三极管M1的发射极与所述信号校正装置的输出端相连，第二三极管M2的集电极与存储模块400的输出端相连，第二三极管M2的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；当所述电压比较器件的输出为零(即，低电平)时，第一三极管M1导通，当所述电压比较器件的输出不为零(即，高电平)时，第二三极管M2导通。例如，第一三极管M1可以为P型三极管，第二三极管M2可以为N型三极管，当所述电压比较器件的输出为低电平，即，采样点的信号值与相对应的预设信号值相等时，所述P型三极管打开，输入信号直接由所述信号校正装置的输出端输出；当所述电压比较器件的输出为高电平，即，采样点的信号值与相对应的预设信号值不相等时，所述N型三极管打开，存储模块400内所存储的预设信号值作为相对应的采样点校正后的信号值输出。
更进一步地，如图4所示，所述信号校正装置还可以包括填充模块500，该填充模块500连接在第二三极管M2与所述信号校正装置的输出端之间，用于填充所述采样点之间的信号值，以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同。
作为本发明的一种具体实施方式，如图4所示，填充模块500可以包括第三三极管M3和第四三极管M4，第三三极管M3的基极与第二三极管M2的发射极相连，第三三极管M3的集电极与存储模块400相连，第三三极管M3的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；第四三极管M4的基极与第二三极管M2的发射极相连，第四三极管M4的集电极与存储模块400相连，第四三极管M4的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；当第二三极管M2导通且第二三极管M2的集电极输入高电平时，第三三极管M3导通，当第二三极管M2导通且第二三极管M2的集电极输入低电平时，第四三极管M4导通。
例如，第三三极管M3可以为N型三极管，第四三极管M4可以为P型三极管。当所述电压比较器件的输出不为零(即，高电平)时，第二三极管M2导通，此时，当第二三极管M2的集电极的输入值为高电平时，第三三极管M3导通，且所述高电平作为校正后的值输出；当第二三极管M2的集电极的输入值为低电平时，第四三极管M4导通，且所述低电平作为校正后的值输出。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种信号校正方法，其特征在于，所述信号包括多个周期，所述信号校正方法包括从第二个周期开始的每一个周期内进行的：
S10、在不同时刻对信号进行采样；
S20、将一个信号周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值进行比较，当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值相等时，所述采样点的信号值不变；当所述采样点的信号值与相对应的所述预设信号值不相等时，执行步骤S30；
S30、将所述采样点的信号值校正为相对应的预设信号值。
2.根据权利要求1所述的信号校正方法，其特征在于，所述信号校正方法还包括在执行所述步骤S20之前进行的：
S15、存储与每个所述采样点相对应的预设信号值。
3.根据权利要求1所述的信号校正方法，其特征在于，所述步骤S20从所述信号的第二个周期开始，所述预设信号值为所述信号的第一个周期的采样点对应的信号值。
4.根据权利要求1所述的信号校正方法，其特征在于，所述信号校正方法还包括在所述步骤S30之后进行的：
S40、对所述采样点之间的信号值进行填充，以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的信号校正方法，其特征在于，所述步骤S10中的采样频率为信号频率的5～10倍。
6.一种信号校正装置，其特征在于，所述信号包括多个周期，所述信号校正装置包括：
采样模块，用于从第二个周期开始的每一个周期内对信号进行采样；
检测模块，用于比较一个采样周期内的每个采样点的信号值与和该采样点相对应的预设信号值，以判断每个所述采样点是否受到干扰；
校正模块，用于将所述检测模块测得的受到干扰的所述采样点的信号值校正为与该采样点相对应的预设信号值。
7.根据权利要求6所述的信号校正装置，其特征在于，所述检测模块包括电压比较器件，该电压比较器件用于比较每个所述采样点的信号值与相对应的预设信号值。
8.根据权利要求7所述的信号校正装置，其特征在于，所述信号校正装置还包括存储模块，用于存储与每个所述采样点相对应的预设信号值。
9.根据权利要求7所述的信号校正装置，其特征在于，所述预设信号值为所述信号的第一个周期的采样点对应的信号值。
10.根据权利要求8所述的信号校正装置，其特征在于，所述校正模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极均与所述电压比较器件的输出端相连，所述第一三极管的集电极与所述信号校正装置的输入端相连，所述第一三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连，所述第二三极管的集电极与所述存储模块的输出端相连，所述第二三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；当所述电压比较器件的输出为零时，所述第一三极管导通，当所述电压比较器件的输出不为零时，所述第二三极管导通。
11.根据权利要求10所述的信号校正装置，其特征在于，所述信号校正装置还包括填充模块，用于填充所述采样点之间的信号值，以使调整后的每个周期的信号波形与第一个周期的信号波形相同。
12.根据权利要求11所述的信号校正装置，其特征在于，所述填充模块包括第三三极管和第四三极管，所述第三三极管的基极与所述第二三极管的发射极相连，所述第三三极管的集电极与所述存储模块相连，所述第三三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；所述第四三极管的基极与所述第二三极管的发射极相连，所述第四三极管的集电极与所述存储模块相连，所述第四三极管的发射极与所述信号校正装置的输出端相连；当所述第二三极管导通且所述第二三极管的集电极输入高电平时，所述第三三极管导通，当所述第二三极管导通且所述第二三极管的集电极输入低电平时，所述第四三极管导通。
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