TWI478128B - 發光二極體顯示面板 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種發光二極體顯示面板，尤指一種發光二極體顯示面板的電源傳輸結構。
發光二極體(light emitting diode，LED)顯示面板因具有外型輕薄、省電以及無輻射等優點，目前已被普遍地應用於多媒體播放器、行動電話、個人數位助理(PDA)、電腦顯示器(monitor)、或平面電視等電子產品上。在習知技術顯示面板中，由於電源走線上，流過的電流太大而導致電壓降，電壓降會使每個畫素接收到的電壓源降低，進而使得提供至畫素的電流降低，進而導致發光亮度衰退或是不均勻。對大尺寸的面板(如32吋以上)而言，由於內部走線及元件數量皆較多，內阻抗會變得更大，所以電壓降更大，上述問題會更加嚴重。
本發明之一實施例提供一種發光二極體顯示面板，包含複數個畫素單元、複數條沿第一方向排列之第一條狀電極層及複數條沿第二方向排列之第二條狀電極層。該些第一條狀電極層電性耦接於第一電壓源及該些畫素單元，且該些第二條狀電極層電性耦接於該第一電壓源。在每一該些第一條狀電極層與每一第二條狀電極層之多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有導電路徑設置以電性耦接該第一條狀電極層與相應的第二條狀電極層。
透過本發明實施例，在第一條狀電極層與第二條狀電極層之多個
重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有導電路徑設置以電性耦接相應的第一條狀電極層與第二條狀電極層，因此可減少顯示面板因走線上的大電流而造成畫素接收的電壓衰減進而導致電流衰減的情形，進而改善面板發光亮度衰退或不均勻的問題。
10‧‧‧第一條狀電極層
20‧‧‧第二條狀電極層
30‧‧‧第三條狀電極層
40‧‧‧第四條狀電極層
50‧‧‧畫素單元
52‧‧‧儲存電容
54‧‧‧發光二極體
60、70‧‧‧重疊位置
80‧‧‧導電路徑
100、200、299、300‧‧‧發光二極體顯示面板
310‧‧‧第一電極
312‧‧‧上基板
314‧‧‧封裝層
328‧‧‧下基板
330‧‧‧導電層
338‧‧‧擋牆
338a‧‧‧開口
340‧‧‧發光二極體層
348‧‧‧主動元件
350‧‧‧第一平坦層
350a‧‧‧貫孔
355‧‧‧第二平坦層
363‧‧‧間隙層
370‧‧‧彩色濾光片層
380‧‧‧黑色矩陣
390‧‧‧保護層
500、550‧‧‧電路
DL1至DL8、DLM‧‧‧資料線
GL1至GL3、GLN‧‧‧掃描線
T1、T3‧‧‧N型薄膜電晶體
T2‧‧‧P型薄膜電晶體
VDD‧‧‧第一電壓源
VSS‧‧‧第二電壓源
第1A圖係為本發明第一實施例發光二極體顯示面板之示意圖。
第1B圖係為本發明第二實施例發光二極體顯示面板之示意圖。
第2A圖係為第1A圖中畫素單元之示意圖。
第2B圖係為本發明第1A圖中畫素單元之另一示意圖。
第3A圖係為本發明第三實施例發光二極體顯示面板之示意圖。
第3B圖係為本發明第四實施例發光二極體顯示面板之示意圖。
第4圖係為第3A圖發光二極體顯示面板之結構示意圖。
第5A圖係為本發明第五實施例發光二極體顯示面板位於薄膜電晶體陣列一側之電路示意圖。
第5B圖係為本發明第六實施例發光二極體顯示面板位於彩色濾光片一側之電路示意圖。
第6圖係為第5B圖發光二極體顯示面板之結構示意圖。
第7圖係為第6圖發光二極體顯示面板之佈局示意圖。
本揭露特別以下述例子加以描述，這些例子僅係用以舉例說明而已，因為對於熟習此技藝者而言，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
在通篇說明書與申請專利範圍中，在此所使用的用詞「實質上(substantially)」、「大約(around)」、「約(about)」或「近乎(approximately)」應大體上意味在給定值或範圍的20%以內，較佳係在10%以內。此外，若使用「電(性)耦接」或「電(性)連接」一詞在此係包含任何直接及間接的電氣連接手段。舉例而言，若文中描述一第一裝置電性耦接於一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接於該第二裝置，或透過其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。
在通篇說明書與申請專利範圍中，若有類似「根據參數A而影響結果B的的描述」，無特別註明時，參數A可以僅為影響結果B的多個參數其中之一或者參數A可以是影響結果B的唯一參數。在通篇說明書與申請專利範圍中，若使用「設置以/用以執行某功能」來形容一元件，並非指該元件僅具有所述的功能，換言之，所述的功能可能僅為該元件的多個功能之一。
下文依本發明特舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。
請參考第1A圖，第1A圖係為本發明第一實施例發光二極體顯示面板100之示意圖。如第1A圖所示，發光二極體顯示面板100包含複數個畫素單元50、複數條沿第一方向排列之第一條狀電極層10及複數條沿第二方向排列之第二條狀電極層20，第一方向及第二方向可例如分別是垂直方向及水平方向，但並不以此為限。畫素單元50可以是矩陣(matrix)的方式排列，並耦接於發光二極體顯示面板100中複數條資料線DL1至DL8與掃描線GL1至GL3。第一條狀電極層10係電性耦接於第一電壓源VDD及畫素單元50，且第二條狀電極層20係電性耦接於第一電壓源VDD，且第二條狀電極層20還透過第一條狀電極層10電性耦接到對應的畫素單元50，第一條狀電極層10與第二條狀電極層20係設置以將第一電壓源VDD之電壓提供給對應的畫
素單元50，第一電壓源VDD可例如是具有高準位的電壓源。
在第一條狀電極層10與第二條狀電極層多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有導電路徑80設置以電性耦接相應的第一條狀電極層10與第二條狀電極層20。例如重疊位置60內係具有導電路徑80，重疊位置70內則無導電路徑。導電路徑可例如為貫孔(via hole)，設置以電性耦接相應的第一條狀電極層10與第二條狀電極層20。或者，每一第一條狀電極層10與其他第二條狀電極層形成多個重疊位置，具有導電路徑80的重疊位置60與無導電路徑80的重疊位置70係交錯排列或者多個具有導電路徑80的重疊位置60形成的群組係與多個不具導電路徑80的重疊位置70交錯排列。
由於在第一條狀電極層10與第二條狀電極層多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置60內具有導電路徑80，所以每一第二條狀電極層20係設置以提供與其交錯的多條第一條狀電極層10中僅僅部份第一條狀電極層10之電流。即只對與相應之第二條狀電極層20間具有導電路徑80的第一條狀電極層10提供電流。舉例而言，以第1A圖中由上而下數來第二條的第二條狀電極層20為例，因為所述的第二條狀電極層20僅透過導電路徑80在重疊位置電性耦接由左而右的第一、三條第一條狀電極層10，因此由發光二極體顯示面板100外側透過所述的第二條狀電極層20提供的電流僅提供給由左而右的第一、三條第一條狀電極層10，然後再流入對應的畫素單元50(即第一、三條第一條狀電極層10所各別電性耦接的畫素單元50)。
因此，相較於在每一個重疊位置都設置導電路徑80電性耦接第一條狀電極層10與第二條狀電極層20，發光二極體顯示面板100的第二條狀電極20流過的電流較小，在第二條狀電極20的傳輸的阻抗不變的情況下，流過電流減小，可以使得傳輸時由傳輸的阻抗乘以流過電流所造成的電壓降
減小，進而使得畫素單元50所接收到的電壓更接近由發光二極體顯示面板100外部所提供的第一電壓源VDD。
此外，畫素單元50可包含紅色、綠色及藍色畫素單元，或包含紅色、綠色、藍色及白色畫素單元，須視顯示器類型而定，例如三原色顯示器或四色顯示器。在第1A圖中，畫素單元50、資料線DL1至DL8、掃描線GL1至GL3、第一條狀電極層10及第二條狀電極層20的數量僅用以舉例，並非用以限定本發明之範疇。
在第1A圖的架構下，第一條狀電極層10與第二條狀電極層20實質上有一半重疊位置具有導電路徑80，且實質上有一半重疊位置不具導電路徑，重疊位置60及70係依序交錯排列，而本發明不限於此，亦可如第1B圖之設置。
第1B圖係為本發明第二實施例發光二極體顯示面板200之示意圖。發光二極體顯示面板200與100的差別在於導電路徑80設置上的不同，在發光二極體顯示面板200的同一列畫素50中，連續二重疊位置60具有導電路徑80，接著連續二重疊位置70不具有導電路徑80。在第1A圖及第1B圖的設置下，發光二極體顯示面板100、200係為網格架構設置(mesh layout)，相較於習知技術中每一重疊位置均具有導電路徑，在發光二極體顯示面板100、200中，每一走線上僅有一半的電流流過，因此大幅改善電壓降的情形，進而使提供至畫素的電流不致大幅下降。
請參考第2A圖，第2A圖係為第1A圖中畫素單元50一實施例之示意圖。如第2A圖所示，畫素單元50包含N型薄膜電晶體T1、P型薄膜電晶體T2、儲存電容52及發光二極體54。N型薄膜電晶體T1的閘極係耦接
於相應之掃描線GLN、汲極係耦接於相應之資料線DLM。P型薄膜電晶體T2的閘極係耦接於N型薄膜電晶體T1之源極。儲存電容52的第一端係耦接於N型薄膜電晶體T1之閘極，第二端係耦接於P型薄膜電晶體T2之源極。發光二極體54的陽極(anode)係耦接於P型薄膜電晶體T2之汲極，陰極(cathode)係耦接於第二電壓源VSS，第二電壓源VSS可例如是具有低準位的電壓源，第一電壓源VDD可例如是具有高準位的電壓源，第二電壓源VSS可例如是具有低準位的電壓源。此外，流過發光二極體54的電流係根據P型薄膜電晶體T2的閘源極電壓差而調變，因此，第一電壓源VDD的變動會影響到流過發光二極體54的電流。
請參考第2B圖，第2B圖係為本發明第1A圖中畫素單元50之另一實施例示意圖。如第2B圖所示，畫素單元50包含N型薄膜電晶體T1及T3、儲存電容52及發光二極體54。N型薄膜電晶體T1的閘極係耦接於相應之掃描線GLN、汲極係耦接於相應之資料線DLM。N型薄膜電晶體T3的閘極係耦接於N型薄膜電晶體T1之源極。儲存電容52的第一端係耦接於N型薄膜電晶體T1之閘極，第二端係耦接於N型薄膜電晶體T3之源極。發光二極體54的陽極係耦接於N型薄膜電晶體T3之源極，陰極係耦接於第二電壓源VSS，第一電壓源VDD可例如是具有高準位的電壓源，第二電壓源VSS可例如是具有低準位的電壓源。此外，流過發光二極體54的電流係根據N型薄膜電晶體T3的閘源極電壓差而調變，因此，第二電壓源VSS的變動會影響到流過發光二極體54的電流。然而第2A及2B圖中的畫素50僅為舉例，並非用以限定。
請參考第3A圖，第3A圖係為本發明第三實施例發光二極體顯示面板299之示意圖。如第3A圖所示，發光二極體顯示面板299包含複數個畫素單元50、複數條沿第一方向排列之第三條狀電極層30及複數條沿第二
方向排列之第四條狀電極層40，第一方向及第二方向可例如分別是垂直方向及水平方向，但並不以此為限。畫素單元50可以是矩陣的方式排列，並耦接於發光二極體顯示面板299中複數條資料線DL1至DL8與掃描線GL1至GL3。第一條狀電極層10係電性耦接於第二電壓源VSS及畫素單元50，且第四條狀電極層40係電性耦接於第二電壓源VSS，且第四條狀電極層40還透過第三條狀電極層30電性耦接到對應的畫素單元50，第二電壓源VSS可例如是具有低準位的電壓源。
除此之外，在第三條狀電極層30與第四條狀電極層40多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有導電路徑80設置以電性耦接相應的第三條狀電極層30與第四條狀電極層40。例如重疊位置60內係具有導電路徑80，重疊位置70內則無導電路徑。導電路徑80可例如為貫孔，設置以電性耦接相應的第三條狀電極層30與第四條狀電極層40。或者，每一第三條狀電極層30與其他第四條狀電極層40形成多個重疊位置，具有導電路徑80的重疊位置60與無導電路徑80的重疊位置70係交錯排列或者多個具有導電路徑80的重疊位置60形成的群組係與多個不具導電路徑80的重疊位置70交錯排列。
由於在第三條狀電極層30與第四條狀電極層40多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置60內具有導電路徑80，所以每一第四條狀電極層40只會與相應之第二條狀電極層40間具有導電路徑80的第三條狀電極層30有電流導通。舉例而言，以第3A圖中由上而下數來第二條的第四條狀電極層40為例，因為所述的第四條狀電極層40僅透過導電路徑80在重疊位置電性耦接由左而右的第一、三條第三條狀電極層30，因此所述的第四條狀電極層40僅會接收導電路徑與其電性耦接的第一、三條第三條狀電極層30的電流。
因此相較於在每一個重疊位置都設置導電路徑80電性耦接第三條狀電極層30與第四條狀電極層40，發光二極體顯示面板299的第四條狀電極40流過的電流較小，在第四條狀電極40的傳輸的阻抗不變的情況下，流過電流減小，可以使得傳輸時，由傳輸的阻抗乘以流過電流所造成的電壓升小，進而使得畫素單元50的電壓更接近由發光二極體顯示面板299外部所提供的第二電壓源VSS。
請參考第3B圖，第3B圖係為本發明第四實施例發光二極體顯示面板300之示意圖。如第3B圖所示，發光二極體顯示面板300與100的差別在於，發光二極體顯示面板300另包含複數條沿垂直方向設置之第三條狀電極層30以及沿水平方向設置之第四條狀電極層40。第三條狀電極層30係電性耦接於第二電壓源VSS及畫素單元50，更近一步，畫素單元50的電流係透過第三條狀電極層30流出，第四條狀電極層40係電性耦接於第二電壓源VSS。在每一第三條狀電極層30與第四條狀電極層40之多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有導電路徑80設置以電性耦接第三條狀電極層30與相應的第四條狀電極層40。
在此設置下，每一第二條狀電極層20係設置以提供與其交錯的多條第一條狀電極層10中僅僅部份第一條狀電極層10之電流，即只提供與相應之第二條狀電極20間具有導電路徑80的第一條狀電極層10所提供的電流。每一第三條狀電極層30係設置以接收與其交錯的多條第四條狀電極層40中僅僅部份第四條狀電極層40之電流。此外，第三條狀電極層30與第四條狀電極層40之間的導電路徑80也可設置如第1B圖，不再贅述。
請一併參考第3A、4圖，第4圖係為第3A圖發光二極體顯示面
板299之結構示意圖。如第4圖所示，發光二極體顯示面板300包含上基板312、封裝層314、導電層330、發光二極體層340、擋牆338、第一電極310、第三條狀電極層30、第一平坦層350、主動元件348及下基板328。導電層330係覆蓋第三條狀電極層30及第四條狀電極層40(第四條狀電極層40未示於第4圖)並且電性耦接畫素單元50，導電層330可以例如為覆蓋整面發光二極體顯示面板299，設置以作為低準位電壓源(例如接地)。主動元件348透過貫孔350a及第一電極310電性耦接發光二極體層340，設置以提供發光二極體層340發光所需要的電流，而此電流由貫孔350a進入第一電極310，電流再由第一電極310留過發光二極體層340之後進入導電層330。
畫素單元50中每一畫素單元皆包含發光二極體層340，且發光二極體層340係經由導電層330電性耦接相應之第三條狀電極層30。在發光二極體顯示面板299中，在導電材料的選用上，第三條狀電極層30與第四條狀電極層40的電導率係大於導電層330的電導率，發光二極體顯示面板299的第三條狀電極層30與第四條狀電極層40係例如為兩種延不同方向延伸的輔助電極(auxiliary electrode)，由於輔助電極的電導率大於導電層330的電導率，流出畫素單元50的電流會有特定的部份選擇通過第三條狀電極層30及第四條狀電極層40流回第二電壓源VSS。
擋牆338與發光二極體層340之間具有開口338a，且根據第3A圖中僅部份重疊位置具有導電路徑80，兩種輔助電極僅有部分重疊的地方耦接。主動元件348包含N型及/或P型薄膜電晶體，例如為第2B圖的N型薄膜電晶體T1、T3。上基板312及下基板328可例如為玻璃、強化玻璃、塑膠、藍寶石或石英等透明基板，且可為硬質基板、軟性基板或是可撓性基板。封裝層314包含封裝膠(glue)。
請一併參考第5A、5B及6圖，第5A圖係為本發明第五實施例發光二極體顯示面板位於薄膜電晶體陣列(thin film transistor array)一側之電路500示意圖，且第5B圖係為本發明第六實施例發光二極體顯示面板位於彩色濾光片(color filter,CF)一側之電路550示意圖。請注意，在第5B圖中並無貫孔的設置，走線之間係透過間隙層接觸(PS contact)的方式來耦接。此外，第一條狀電極層10在此例中可作為電性相接點之用途。
第6圖係為第5B圖之結構示意圖。如第6圖所示，發光二極體顯示面板300包含上基板312、黑色矩陣380、彩色濾光片層370、第二平坦層355、保護層390、第三條狀電極層30、第四條狀電極層40、間隙層(spacer)363、封裝層314、導電層330、發光二極體層340、擋牆338、第一電極310、第一平坦層350、主動元件348及下基板328。在此設置下，每一畫素單元50另包含第一電極310及彩色濾光片層370，第一電極310係位於發光二極體層340相對於導電層330的一側，設置以搭配導電層330驅動發光二極體層340而發光，彩色濾光片層370係位於第三條狀電極層30、第四條狀電極層40相對於發光二極體層340的一側。
具體而言，主動元件348透過貫孔350a及第一電極310電性耦接發光二極體層340，設置以提供發光二極體層340發光所需要的電流，而此電流由貫孔350a進入第一電極310，電流再由第一電極310留過發光二極體層340之後進入導電層330。
在第6圖中，僅部份第三條狀電極層30及第四條狀電極層40之間具有間隙層363，其餘第三條狀電極層30及第四條狀電極層40之間不具有間隙層363，間隙層363設置以使得第三條狀電極層30及第四條狀電極層40在該重疊位置不電性耦接，而沒有間隙層363的重疊位置的第三條狀電極層30及第四條狀電極層40則相互電性耦接。發光二極體顯示面板300的第
三條狀電極層30與第四條狀電極層40係例如為兩種延不同方向延伸的輔助電極(auxiliary electrode)，由於輔助電極的電導率(conductivity)大於導電層330的電導率，流出畫素單元50的電流會有特定的部份選擇通過第三條狀電極層30及第四條狀電極層40流回第二電壓源VSS。
黑色矩陣380係分別覆蓋每一第四條狀電極層40。黑色矩陣380係根據微影製程而形成，且可用於遮蔽不透光元件，例如主動元件348。在上述設置下，第一電壓源VDD係耦接於導電層330相對於封裝層314之另一側，但第二電壓源VSS係耦接於導電層330相對於第一平坦層350之另一側。相較於第4圖，第6圖中發光二極體層340可為整片式的設置。
舉例來說，本發明第6圖的第三條狀電極層30、第四條狀電極層40係透過間隙層363達到耦接的效果，並據以對發光二極體顯示面板進行如第5B圖網格架構之設置。此外，第5A圖也可參照如第1A圖雙網格走線的設計。本發明諸實施例之技術手段係著重於雙圖雙網格走線設計上，以降低流經每一走線上之電流。
請參考第7圖，第7圖係為第6圖發光二極體顯示面板300之佈局示意圖。在第7圖中，複數條第四條狀電極層40中每一第四條狀電極層40係設置為疊於複數第三條狀電極層30的一側，且與部分的第三條狀電極層30之間設置有間隙層363。第三條狀電極層30可例如是氧化銦錫(Indium Tin Oxide)或採用其他材質，第四條狀電極層40可例如是鋁或其他不透明的材質。
綜上所述，本發明各實施例提供了發光二極體顯示面板以及相關製程結構。在發光二極體顯示面板的兩朝不同方向延伸的條狀電極層的之多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有導電路徑設置以電性耦接相應兩
條狀電極層，因而降低流經每一走線上之電流，故可減少顯示面板因走線的電壓降而導致的電流衰減，進而改善面板發光亮度衰退或不均勻的問題。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10‧‧‧第一條狀電極層
20‧‧‧第二條狀電極層
50‧‧‧畫素單元
52‧‧‧儲存電容
54‧‧‧發光二極體
60、70‧‧‧重疊位置
80‧‧‧導電路徑
100‧‧‧二極體顯示面板
DL1至DL8‧‧‧資料線
GL1至GL3‧‧‧掃描線
VDD‧‧‧第一電壓源
Claims (11)
- 一種發光二極體顯示面板，包含：複數個畫素單元；複數條沿第一方向排列之第一條狀電極層，該些第一條狀電極層電性耦接於一第一電壓源及該些畫素單元；及複數條沿第二方向排列之第二條狀電極層，該些第二條狀電極層電性耦接於該第一電壓源；其中，在每一第一條狀電極層與該些第二條狀電極層之多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有一導電路徑設置以電性耦接相應的第一條狀電極層與第二條狀電極層。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板，其中該導電路徑係為一貫孔。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板，其中每一第二條狀電極層設置以提供及/或接收與該第二條狀電極層交錯的多條第一條狀電極層中僅有部份第一條狀電極層的電流。
- 如請求項1至3任一項所述之發光二極體顯示面板，其中該第一電壓源係為一高準位電壓源，且每一畫素單元具有一發光二極體及一P型電晶體，該P型電晶體係設置以根據該P型電晶體閘源極的電壓差而調變流過該發光二極體的電流大小。
- 如請求項1至3任一項所述之發光二極體顯示面板，其中該第一電壓源係為一低準位電壓源，且每一畫素單元具有一發光二極體及一N型電晶體，該N型電晶體係設置以根據該N型電晶體閘源極的電壓差而調變流過該發光二極體的電流大小。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板，還包含：複數條沿該第一方向設置之第三條狀電極層，且電性耦接於一第二電壓源及該些畫素單元；及複數條沿該第二方向設置之第四條狀電極層，且電性耦接於該第二電壓源；其中，在每一第三條狀電極層與該些第四條狀電極層多個重疊位置內，僅有部分的重疊位置內具有一導電路徑設置以電性耦接該第三條狀電極層與相應的第四條狀電極層。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板，還包含一導電層，該導電層覆蓋該些第一條狀電極層及該些第二條狀電極層並且電性耦接該些畫素單元，其中該些畫素單元中每一畫素單元包含一發光二極體層，該發光二極體層經由該導電層電性耦接一相應之第一條狀電極層。
- 如請求項7所述之發光二極體顯示面板，其中該些第一條狀電極層與該些第二條狀電極層的電導率大於該導電層的電導率。
- 如請求項1所述之發光二極體顯示面板，還包含一導電層及一發光二極體層，該導電層覆蓋該發光二極體層，該發光二極體層經由該導電層電性耦接該些第一條狀電極層，每一畫素單元還包含一第一電極及一彩色濾光片層，該第一電極係位於該發光二極體層相對於該導電層的一側，設置以搭配該導電層驅動該發光二極體層而發光，該彩色濾光片層係位於該第一條狀電極與該第二條狀電極相對於該發光二極體層的一側。
- 如請求項9所述之發光二極體顯示面板，其中在該些重疊位置中未具有 該導電路徑的重疊位置內，該第一條狀電極層與該第二條狀電極層之間具有一間隙層(spacer)。
- 如請求項9或10所述之發光二極體顯示面板，還包含多個黑色矩陣，分別覆蓋該些第二條狀電極層。
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