JP5602881B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、共通配線と共通電極とを接続するコンタクトホールが形成された液晶表示装置に関する。

近年では、従来主流であったブラウン管を使用した表示装置から、薄型のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表示装置が広く利用されるようになっている。ＦＰＤには、表示素子として液晶、発光ダイオード（ＬＥＤ）、または、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）等を利用したものがある。中でも液晶を利用した表示装置は、薄型、軽量、および、低消費電力という利点から、その研究開発が盛んに行われている。

このような液晶表示装置の画素の概略構成を図６に示す。図６に示すように、一般的に画素４１には、ゲートバスライン７と、ソースバスライン８とが直交して設けられており、補助容量（Ｃｓ）を形成するための配線である共通配線９がゲートバスライン７と平行に設けられている。一方、共通電極４と画素電極６とは重畳して設けられ、ゲートバスライン７およびソースバスライン８の交差部には、スイッチング素子（アクティブ素子）として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられている。ここで、共通電極４の配線に比較的抵抗の高い材料を用いた場合、クロストーク等の表示不良が懸念される。

そこで、上記の表示不良を解決するために、共通電極と共通配線とを接続するコンタクトホールを設けることによって、共通電極の配線抵抗を低減する技術が開発されている。例えば、特許文献１には、共通電極と共通配線とを接続するコンタクトホールを、複数の画素に対して１つの割合で千鳥状に配置する構成が開示されている。これによって、高抵抗な共通電極と低抵抗な共通配線とを接続することで配線抵抗を低減していると共に、コンタクトホールを介してバスラインと共通電極とがショートする確率を低減している。

日本国公開特許公報「特開２００４−１０９２４８号公報（２００４年４月８日公開）」

共通電極と共通配線とを接続するコンタクトホールをすべての画素に設けてしまうと、表示パネルの開口率が低下することによる輝度の低下等の表示不良が生じてしまう。これに対して、上述した特許文献１には、すべての画素にコンタクトホールを設けず、４つの画素に対して１つの割合でコンタクトホールを千鳥状に配置する構成が開示されている。しかしながら、コンタクトホールが設けられている画素の距離、ならびに、その位置関係の周期性によっては、コンタクトホールが設けられている画素部分がスジに見えてしまう場合がある。例えば、図７に示すような周期性を持ってコンタクトホール１２を配置した場合、表示パネル１５上では斜め方向（図中の矢印Ｎ方向）にスジが見えてしまい、見栄えが悪くなってしまう。これは、コンタクトホールの形成による開口率の低下の度合いが大きいほど、より顕著になる。

そこで、本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、共通電極の配線抵抗を低減すると共に、表示品位の低減を防ぐことが可能な液晶表示装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、第１基板上にマトリクス状に配置された複数の画素と、複数の上記画素の各列に対応して配置された複数のソースバスラインと、複数の上記画素の各行に対応して配置された複数のゲートバスラインと、上記画素ごとに、上記第１基板上に形成された画素電極と、上記第１基板上に形成され、上記画素電極と重畳する共通電極と、複数の上記画素のいずれかに形成されたコンタクトホールを介して上記共通電極と接続された共通配線と、上記第１基板と、該第１基板と対向する第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、一定の区画領域に含まれる複数の上記画素を繰り返し配列してなる液晶表示装置であって、上記区画領域に含まれる任意の１つの上記コンタクトホールは、他の上記コンタクトホールに最も近接する４つの上記コンタクトホールのいずれかであるか、他の上記コンタクトホールに最も近接する４つの上記コンタクトホールのいずれかであると共に、自身に最も近接する４つの上記コンタクトホールによって形成される四角形であって、上記四角形の２つの対角線と、上記ゲートバスラインとがなす２つの角度の差が３０度未満である上記四角形に含まれる上記コンタクトホールであり、上記区画領域内において、各上記ソースバスラインには、１つの上記コンタクトホールが形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、上記の２つの角度の差を３０度未満とすることによって、コンタクトホールをそれぞれ縦方向あるいは横方向に配列するよりも、斜め方向に配列した方が表示画面の視認性を妨げない。さらに、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、１つのソースバスラインにつき、１つのコンタクトホールが配置されている。これは、区画領域内において、すべてのソースバスラインにコンタクトホールを同じ数だけ配置しなかった場合、バスライン同士に負荷の差が発生し、液晶表示装置の表示品位を落とす可能性がある。そのため、区画領域内におけるすべてのソースバスラインに１つ（同数）のコンタクトホールを配置している。

したがって、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、コンタクトホールは上記の２つの要件を満たすような位置に配置されている。これによって、コンタクトホール画素が適宜分散されることになるので、コンタクトホールが表示画面上にスジ等になって見えてしまうのを防ぐことができる。また、そもそもコンタクトホールは共通電極と共通配線とを接続するためのものであるので、共通電極の配線抵抗を低抵抗にすることが可能である。すなわち、本発明の一態様によれば、コンタクトホールに起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。

本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。

本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、区画領域内において、１つのコンタクトホールに最も近接する４つのコンタクトホールによって形成される四角形の２つ対角線と、ゲートバスラインとがなす２つの角度の差を３０度未満とし、なおかつ、区画領域内におけるすべてのソースバスラインに１つのコンタクトホール画素を配置することによって、コンタクトホール画素が適宜分散されることになるので、コンタクトホールが表示画面上にスジ等になって見えてしまうのを防ぐことができる。また、そもそもコンタクトホールは共通電極と共通配線とを接続するためのものであるので、共通電極の配線抵抗を低抵抗にすることが可能である。すなわち、本発明の一態様によれば、コンタクトホールに起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。

本発明の一実施形態に係るコンタクトホールの配置位置を概略的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の画素の概略構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る画素の断面を示す図である。 本発明の一実施形態に係る画素アレイを概略的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る画素アレイを概略的に示す図である。 従来の液晶表示装置の画素の概略構成を示す図である。 従来の画素アレイを概略的に示す図である。

以下では、本発明に係る液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

（液晶表示装置の構成）
まず、本実施形態に係る液晶表示装置における画素アレイを構成する画素について、図２および図３を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る液晶表示装置の画素１の概略構成を示す図である。図３は、図２に示す画素１のＡ−Ａ’矢視断面図である。

画素アレイは、複数の画素をマトリクス状に配置して構成されており、複数の画素の各列に対応して複数のソースバスラインが配置されると共に、複数の画素の各行に対応して配置された複数のゲートバスラインが配置されている。

より詳細には、図２に示すように、走査信号を供給するゲートバスライン７と、データ信号を供給するソースバスライン８とが直交して設けられており、補助容量（Ｃｓ）を形成するための配線である共通配線９がゲートバスライン７と平行に設けられている。一方、共通電極４と画素電極６とは重畳して設けられており、本実施形態に係る液晶表示装置は横電界モードの液晶表示装置である。また、ゲートバスライン７およびソースバスライン８の交差部には、スイッチング素子（アクティブ素子）として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられている。ＴＦＴのゲート電極がゲートバスライン７に接続され、ドレイン電極が画素電極６に接続され、ソース電極がソースバスライン８に接続されている。

図３に示すように、画素１においては、配向膜１７およびＴＦＴを備えた透明基板２１からなるＴＦＴ基板３２（第１基板）と、配向膜１７を備えた透明基板３１からなる対向基板３３（第２基板）とが互いに対向して配置され、これら一対の基板間に液晶層４０が配向膜１７を介して挟持された構成を有している。これら一対の基板の外側（両基板の対向面とは反対側の面）には、図示しない位相差板および偏光板等が必要に応じて各々設けられている。

ＴＦＴ基板３２は、透明基板上における対向基板３３との対向面上に、ＴＦＴを備えている。ＴＦＴは、半導体層２２、ゲート絶縁膜２３、ゲート電極２６、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２５、画素電極６、ドレイン電極２７、および、ソース電極２８を有している。ＴＦＴ基板３２におけるＴＦＴのゲート電極２６は、ゲートバスライン７の一部からなっており、ＴＦＴのソース電極２８は、ソースバスライン８の一部からなっている。また、半導体層２２は、不純物が注入されていない真性半導体からなるチャネル領域２２ａと、不純物が注入された外因性半導体（Ｐ形半導体あるいはＮ形半導体）からなる不純物注入領域２２ｂとを備えている。不純物注入領域２２ｂには、ドレイン領域２９およびソース領域３０が形成されている。

半導体層２２におけるドレイン領域２９には、半導体層２２を覆うゲート絶縁膜２３および第１層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール１１を介して、ドレイン電極２７が接続されている。同様に、ソース領域３０には、ゲート絶縁膜２３および第１層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール１２を介して、ソース電極２８が接続されている。また、ドレイン電極２７は、ゲートバスライン７およびソースバスライン８を覆う第２層間絶縁膜２５に設けられたスルーホール１０を介して画素電極６に電気的に接続されている。この際、ＴＦＴ基板３２上において、画素電極６は共通電極４と重畳されて配置されているが、両電極間には絶縁膜１４が設けられている。ここで、共通電極４を透明導電体によって形成すると、画素電極６と重畳する共通電極４が光を透過することから、透過開口率が拡大し、全体的な透過率の向上に寄与することができる。なお、対向基板３３側にも、他の共通電極４が形成されている構成にしてもよい。このように対向基板３３側に他の共通電極４を形成した場合、画素電極６との間に垂直方向の電界を形成することができるため、液晶モードに垂直配向モードを適用することができる。

ここで、本実施形態に係る画素１においては、共通電極４と共通配線９とを第２層間絶縁膜２５に形成されたスルーホール１０’を介して接続するためのコンタクトホール２が、第１層間絶縁膜２４に形成されている。このコンタクトホール２は必ずしもすべての画素１に形成されているわけではなく、一部の画素１に形成されており、ある程度間引いて形成されている。コンタクトホール２の詳しい形成位置については、以下に説明する。

（コンタクトホール２の配置）
画素１の共通電極４に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極等の透明電極を用いる場合、ゲート電極２６等の他の電極と比較して配線抵抗値が高くなり、クロストーク等の表示品位の低下を引き起こす可能性がある。ここで、共通配線９は、ゲート電極メタル等のゲート電極レイヤで形成しているため、共通電極４と比較して低抵抗である。そこで、本実施形態では、コンタクトホール２を介して共通電極４と共通配線９とを接続している。これによって、共通電極４の配線抵抗を下げることによって、表示品位の低下を軽減させることが可能である。しかし、この場合、コンタクトホール２を形成することによる画素開口率の低下、および、コンタクトホール２に起因する歩留まりの低下等が懸念される。さらには、コンタクトホール２の配置位置によっては、コンタクトホール２が形成されている画素１がスジ等になって見えてしまう虞がある。そのため、コンタクトホール２は適当に分散させ、間引いて形成することが好ましい。

そこで、本発明者らは、コンタクトホール２の配置位置に応じた表示品位について種々調査したところ、以下の形態が最も表示品位を損ねず、共通電極４の配線抵抗を低抵抗化することができることを見出した。その形態について、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態におけるコンタクトホール２の配置位置を概略的に示す図である。

図１に示すように、本実施形態に係る画素アレイ５は、一定の矩形の区画領域２０に含まれる複数の画素１を繰り返し配列してなる。したがって、区画領域２０が画素アレイ５の構成単位である。ここで、図に示す１３は、コンタクトホール２が形成された画素１（以下、コンタクトホール画素と称す）であり、これに対して図に示す３は、コンタクトホール２が形成されていない画素１である。本実施形態では、図４に示すように、１つの画素１は３つの副画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）から構成されており、コンタクトホール画素１３においてはコンタクトホール２を副画素のいずれか１つに形成している（本図の場合は、Ｂ画素）。このように、コンタクトホール２は、コンタクトホール画素１３全体に渡って形成する必要はなく、画素１を構成する副画素のいずれか１つに形成すればよい。また、副画素は、Ｒ画素、Ｇ画素、および、Ｂ画素に限らず、４つ以上の副画素であってもよく、特に限定はない。

本実施形態に係る画素アレイ５におけるコンタクトホール画素１３の配置位置の要件は２つある。まず、１つ目について説明する。図１に示すように、区画領域２０内の１つのコンタクトホール画素１３である画素Ｐに最も近接する４つのコンタクトホール画素１３である画素Ｑ１〜Ｑ４を特定する。それら４つの画素Ｑ１〜Ｑ４によって形成される四角形に上記の画素Ｐが含まれている。本実施形態に係る区画領域２０に含まれる任意の１つのコンタクトホール画素１３は、画素Ｐに最も近接する４つの画素Ｑ１〜Ｑ４のいずれかであるか、画素Ｑ１〜Ｑ４のいずれかであると共に他の画素Ｐである。すなわち、区画領域２０に含まれる任意の１つのコンタクトホール画素１３は、他のコンタクトホール画素１３に最も近接する４つのコンタクトホール画素１３のいずれかであるか、他のコンタクトホール画素１３に最も近接する４つのコンタクトホール画素１３のいずれかであると共に、自身に最も近接する４つのコンタクトホール画素１３によって形成される四角形に含まれるコンタクトホール画素１３である。

さらに、本実施形態においては、上記の４つの画素Ｑ１〜Ｑ４によって形成される四角形の２つの対角線と、ゲートバスライン（線分ＡＢ）とがなす２つの角度の差が３０度未満である。すなわち、ａｂｓ{∠ＡＢＱ１（＝∠ＡＢＱ４）−∠ＢＡＱ２（＝∠ＢＡＱ３）}＜３０度を満たすように、画素Ｑ１〜Ｑ４は画素Ｐの周囲に配置されている。このように、∠ＡＢＱ１および∠ＢＡＱ２の差が３０度未満であれば、コンタクトホール画素１３は画素アレイ５上を斜め方向に配置されることになる。これは、コンタクトホール画素１３をそれぞれ縦方向あるいは横方向に配列するよりも、斜め方向に配列した方が表示画面の視認性を妨げないためである。以上が、コンタクトホール画素１３の配置位置の１つ目の要件である。

続いて、２つ目の要件について説明する。図１に示すように、区画領域２０内の任意の１つのコンタクトホール画素１３は、区画領域２０内において、いずれかのソースバスライン８に個別に配置されている。これについて、図５を参照して分かりやすく説明する。図５は、画素アレイ５を概略的に示す図である。本図では、コンタクトホール画素１３の配置位置を分かりやすくするために画素間隔を縮めて図示しているのであって、画素間隔は特にこれに限定されるわけではない。

図５に示すように、区画領域２０内においては、ソースバスラインＳ１にはゲートバスラインＧ９上にコンタクトホール画素１３が配置されており、該ソースバスラインＳ１には１つのコンタクトホール画素１３が配置されているのみである。また、ソースバスラインＳ２にはゲートバスラインＧ３上にコンタクトホール画素１３が配置されており、該ソースバスラインＳ２には１つのコンタクトホール画素１３が配置されているのみである。ソースバスラインＳ３〜Ｓ９においても同様にして、いずれか１つのゲートバスライン上にコンタクトホール画素１３が配置されているのみである。このように、区画領域２０内においては、１つのソースバスライン８につき、１つのコンタクトホール画素１３が配置されている。これは、区画領域２０内において、すべてのソースバスライン８にコンタクトホール画素１３を同じ数だけ配置しなかった場合、バスライン同士に負荷の差が発生し、液晶表示装置の表示品位を落とす可能性がある。そのため、区画領域２０内におけるすべてのソースバスライン８に１つのコンタクトホール画素１３を配置することが好ましい。以上が、コンタクトホール画素１３の配置位置の２つ目の要件である。

したがって、本実施形態に係る画素アレイ５においては、コンタクトホール画素１３は上記の２つの要件を満たすような位置に配置されている。これによって、コンタクトホール画素１３が画素アレイ５上に適宜分散されることになるので、コンタクトホール画素１３が表示画面上にスジ等になって見えてしまうのを防ぐことができる。また、そもそもコンタクトホール２は共通電極４と共通配線９とを接続するためのものであるので、共通電極４の配線抵抗を低抵抗にすることが可能である。すなわち、本実施形態によれば、コンタクトホール２に起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極４の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。

ところで、行方向に隣接するコンタクトホール画素１３同士の間隔（図１に示した間隔Ｄ）は、共通電極４の配線抵抗の下げ幅、および、コンタクトホール画素１３を配置することによる開口率の低下の許容量、ならびに、表示品位をそれぞれ鑑みて決定される。これは、１つのコンタクトホール画素１３と、それに最も近接する４つのコンタクトホール画素１３との距離についても同様である。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

〔実施形態の総括〕
以上のように、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記区画領域は、上記列の方向の長さが４０個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが４０個分の上記画素の長さである矩形領域であることが好ましい。

また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記区画領域は、上記列の方向の長さが８０個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが８０個分の上記画素の長さである矩形領域であることが好ましい。

上記の構成によれば、コンタクトホールが適宜分散されている一定の区画領域を繰り返し配列することによって、上記のコンタクトホールが適宜分散された液晶表示装置が得られる。

また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記画素は、複数の副画素から構成されており、上記コンタクトホールは、複数の上記副画素のいずれかに形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、画素を構成する複数の副画素のいずれかにコンタクトホールを形成することで十分にコンタクトホールに起因する表示品位の低下の抑制と、共通電極の配線抵抗の低減との双方を実現することができる。

また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記共通電極は、透明導電体により形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、画素電極と重畳する共通電極は光が透過する透明導電体であるため、透過開口率が拡大し、全体的な透過率の向上に寄与することができる。

また、本発明の一態様に係る液晶表示装置においては、上記第２基板には、他の上記共通電極が形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、第２基板側に共通電極を形成した場合、画素電極との間に垂直方向の電界を形成することができるため、液晶モードに垂直配向モードを適用することができる。

発明の詳細な説明の項においてなされた具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。

以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これら実施例に限定されるものではない。

上述のコンタクトホール画素（コンタクトホールが形成されている画素）の配置位置の２つの要件を遵守して２つの液晶表示装置を作製した。まず、１つ目の液晶表示装置においては、４０画素×４０画素の区画領域を繰り返し配列してなる液晶表示装置を作製した。区画領域内においては、１つのコンタクトホール画素に最も近接する４つのコンタクトホール画素によって形成される四角形の２つ対角線と、ゲートバスラインとがなす２つの角度が、それぞれ４５度となるようにコンタクトホール画素を配置した。また、隣り合う２つのゲートバスラインに配置されているコンタクトホール画素同士の間隔を９画素とした。作製した液晶表示装置の開口率を１５％低下させたところ、表示画面上にスジ等は認められず、良好な表示品位が得られた。さらに、作製した液晶表示装置の開口率を３０％低下させたところ、表示画面上のスジ等はほとんど認められず、良好な表示品位が得られた。

続いて、２つ目の液晶表示装置においては、８０画素×８０画素の区画領域を繰り返し配列してなる液晶表示装置を作製した。区画領域内においては、１つのコンタクトホール画素に最も近接する４つのコンタクトホール画素によって形成される四角形の２つの対角線と、ゲートバスラインとがなす２つの角度が、それぞれ４５度と６６．８度となるようにコンタクトホール画素を配置した。また、隣り合う２つのゲートバスラインに配置されているコンタクトホール画素同士の間隔を１１画素とした。作製した液晶表示装置の開口率を１５％低下させたところ、表示画面上のスジ等はほとんど目立たず、良好な表示品位が得られた。さらに、作製した液晶表示装置の開口率を３０％低下させたところ、表示画面上のスジ等はほとんど目立たず、良好な表示品位が得られた。

以上のように、区画領域内において、１つのコンタクトホール画素に最も近接する４つのコンタクトホール画素によって形成される四角形の２つ対角線と、ゲートバスラインとがなす２つの角度の差を３０度未満とし、なおかつ、区画領域内におけるすべてのソースバスラインに１つのコンタクトホール画素を配置することによって、表示画面上のスジ等は目立たず、良好な表示品位を持つ液晶表示装置が得られる。特に、前者の液晶表示装置の方が表示画面上にスジ等がほとんど認められず、より良好な表示品位が得られたことから、上記の２つの角度をそれぞれ４５度、あるいは、４５度に近い角度とすることが好ましいことが分かった。

本発明に係る液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話、携帯情報端末、携帯音楽再生機、または、デジタルカメラ等の電子機器の表示装置に好適に用いることができる。

１ 画素
２ コンタクトホール
３ コンタクトホールが形成されていない画素
４ 共通電極
５ 画素アレイ
６ 画素電極
７ ゲートバスライン
８ ソースバスライン
９ 共通配線
１０ スルーホール
１０’ スルーホール
１１ コンタクトホール
１２ コンタクトホール
１３ コンタクトホールが形成されている画素
１４ 絶縁膜
１５ 表示パネル
１７ 配向膜
２０ 区画領域
２１ 透明基板
２２ 半導体層
２２ａ チャネル領域
２２ｂ 不純物注入領域
２３ ゲート絶縁膜
２４ 第１層間絶縁膜
２５ 第２層間絶縁膜
２６ ゲート電極
２７ ドレイン電極
２８ ソース電極
２９ ドレイン領域
３０ ソース領域
３１ 透明基板
３２ ＴＦＴ基板
３３ 対向基板
４０ 液晶層
４１ 画素

Claims (6)

1. 第１基板上にマトリクス状に配置された複数の画素からなる画素アレイと、
   複数の上記画素の各列に対応して配置された複数のソースバスラインと、
   複数の上記画素の各行に対応して配置された複数のゲートバスラインと、
   上記画素ごとに、上記第１基板上に形成された画素電極と、
   上記第１基板上に形成され、上記画素電極と重畳する共通電極と、
   複数の上記画素のいずれかに形成されたコンタクトホールを介して上記共通電極と接続された共通配線と、
   上記第１基板と、該第１基板と対向する第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、
   上記画素アレイの構成単位である一定の区画領域に含まれる上記コンタクトホールは、上記区画領域において、１つのコンタクトホールを囲むように当該１つのコンタクトホールに近い順に選んだ４つのコンタクトホールを頂点とする四角形を形成するように配置されており、
   各上記コンタクトホールは、当該四角形の頂点をなすコンタクトホール、および当該四角形に囲まれる上記１つのコンタクトホールの少なくともいずれかであり、
   上記四角形の２つの対角線と、上記ゲートバスラインとがなす２つの角度の差が３０度未満であり、
   上記区画領域内において、各上記ソースバスラインには、１つの上記コンタクトホールが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 上記区画領域は、上記列の方向の長さが４０個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが４０個分の上記画素の長さである矩形領域であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 上記区画領域は、上記列の方向の長さが８０個分の上記画素の長さであり、上記行の方向の長さが８０個分の上記画素の長さである矩形領域であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 上記画素は、複数の副画素から構成されており、
   上記コンタクトホールは、複数の上記副画素のいずれかに形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 上記共通電極は、透明導電体により形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 上記第２基板には、他の上記共通電極が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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