JP5179581B2 - 表示装置及び表示装置の制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は表示装置及び表示装置の制御方法に関し、特に電流駆動型の発光素子を用いた表示装置及び表示装置の制御方法に関する。
電流量に応じて発光強度が制御される電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置として、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いた画像表示装置（有機ＥＬディスプレイ）が知られている。この有機ＥＬディスプレイは、薄型軽量であるとともに高速応答が可能であることから、視野角特性が良好で、消費電力が少ない高画質・高性能の薄型表示装置として注目されている。
しかし、この電流駆動型の有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子への電流印加につれてトラップ準位が形成され、有機ＥＬ素子の輝度が劣化する。そこで、従来、有機ＥＬ素子の輝度劣化が回復するように、有機ＥＬ素子に逆バイアスの電圧を印加する方法などが用いられている。そして、この逆バイアス電圧を印加する方法として、有機ＥＬ素子の輝度劣化が回復する逆バイアス電圧の印加条件を設定し、設定された条件の逆バイアス電圧を印加する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この逆バイアス電圧を印加する方法によれば、一定の印加条件を設定し、その印加条件に従って逆バイアス電圧を印加することで、有機ＥＬ素子の輝度劣化を回復することができる。
特開２００５−３０１０８４号公報
しかしながら、従来の方法では、有機ＥＬ素子の輝度劣化の回復を適切に行うことができない場合があるという問題がある。この場合、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができない。
すなわち、従来の方法では、一定の印加条件に従って常に同量の逆バイアス電圧を印加すれば、場合によっては異常に高い逆バイアス電圧を印加してしまう可能性がある。そして、異常に高い逆バイアス電圧を印加することで、高順方向電位から高逆方向電位に一気に切り替わると、瞬間的に強い突入電流が有機ＥＬ素子に流れ、有機ＥＬ素子の劣化もしくは破壊を引き起こしてしまうおそれがある。また、逆バイアス電圧を印加するたびに印加条件を設定し直すと、計算量が多くなり制御系に大きな負荷をかけてしまう。
このため、従来の方法では、逆バイアス電圧を適切に印加することができないために、有機ＥＬ素子の輝度劣化の回復を最適に行うことができない場合があるという問題がある。そして、この場合は、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができない。
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子のような発光素子の輝度劣化の回復を適切に行うことで発光素子の長寿命化を図ることができる表示装置及び表示装置の制御方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させることを特徴とする。
本発明によれば、発光素子の輝度の劣化の回復を適切に行うことができ、発光素子の長寿命化を図ることができる。
図１は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２は、実施の形態１に係る表示部の有する一画素部の回路構成及びその周辺回路との接続を示す図である。 図３Ａは、トラップ準位の形成により発光素子の輝度が劣化することを説明する図である。 図３Ｂは、トラップ準位の形成により発光素子の輝度が劣化することを説明する図である。 図４は、実施の形態１に係るトラップ準位テーブルの一例を示す図である。 図５は、使用時間ごとの発光素子の発光電圧と発光電流との関係を示す図である。 図６は、実施の形態１に係るトラップバイアステーブルの一例を示す図である。 図７は、実施の形態１に係るトラップ準位と逆バイアス電圧の電圧値との関係の一例を示す図である。 図８は、本発明の実施の形態１における発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図９は、実施の形態１に係る使用時間テーブルの一例を示す図である。 図１０は、実施の形態１に係る温度テーブルの一例を示す図である。 図１１は、実施の形態１の変形例１に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図１２は、実施の形態１の変形例１に係る画素部の回路構成及びその周辺回路との接続を示す図である。 図１３は、実施の形態１の変形例１に係るトラップ短絡テーブルの一例を示す図である。 図１４は、実施の形態１の変形例１に係るトラップ準位と短絡時間との関係の一例を示す図である。 図１５は、実施の形態１の変形例１に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図１６は、実施の形態１の変形例２に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図１７は、実施の形態１の変形例２に係るトラップ準位テーブルの一例を示す図である。 図１８は、実施の形態１の変形例２に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図１９は、実施の形態１の変形例３に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２０は、実施の形態１の変形例３に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図２１は、実施の形態２に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２２は、実施の形態２に係る逆バイアステーブルの一例を示す図である。 図２３は、実施の形態２に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図２４は、実施の形態２の変形例１に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２５は、実施の形態２の変形例１に係る短絡時間テーブルの一例を示す図である。 図２６は、実施の形態２の変形例１に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図２７は、実施の形態２の変形例２に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２８は、実施の形態２の変形例２に係る逆バイアステーブルの一例を示す図である。 図２９は、実施の形態２の変形例２に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図３０は、実施の形態２の変形例３に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図３１は、実施の形態２の変形例３に係る短絡時間テーブルの一例を示す図である。 図３２は、実施の形態２の変形例３に係る発光素子の輝度劣化を回復する表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図３３は、本発明の表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に基づいて、前記トラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、前記トラップ準位に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を判断するのに、前記発光素子の使用時間に着目することにより、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるトラップ準位を簡易かつ適正に判断できる。そのため、前記発光素子の使用時間に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを確実に防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、好ましくは、前記メモリは、前記発光素子の使用時間及び前記発光素子の温度に対応させて前記発光素子のトラップ準位を記憶しており、前記表示装置は、さらに、前記発光素子の温度を計測する第２取得部を有し、前記制御部は、前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間及び前記第２取得部から取得した前記発光素子の温度に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間及び前記発光素子の温度に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加し、前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子の温度も考慮したトラップ準位に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、好ましくは、前記発光素子の使用時間は、前回前記発光素子に逆バイアスを印加したときから今回前記発光素子に逆バイアスを印加するときまでに対応する時間であることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子の使用時間は、前記発光素子に逆バイアスが印加されてからの時間である。つまり、前記発光素子の使用時間は、発光素子の輝度回復が行われてからの時間である。このため、適切な使用時間に対応した電圧量の逆バイアスが発光素子に印加されるので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、前記発光素子のアノードとカソードとを短絡させる短絡トランジスタと、前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した短絡時間の間、前記短絡トランジスタで短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が長くなるように、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に基づいて、前記トラップ準位に対応した短絡時間の間、前記短絡トランジスタで前記発光素子のアノードとカソードとを短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、前記トラップ準位に対応して、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が変動するので、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を判断するのに、前記発光素子の使用時間に着目することにより、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるトラップ準位を簡易かつ適正に判断できる。そのため、前記発光素子の使用時間に対応して、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が変動するので、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、好ましくは、前記発光素子の使用時間は、前回前記短絡トランジスタによる短絡を終了したときから今回前記短絡トランジスタによる短絡を開始するときまでに対応する時間であることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子の使用時間は、前記発光素子のアノードとカソードとが短絡されてからの時間である。つまり、前記発光素子の使用時間は、発光素子の輝度回復が行われてからの時間である。このため、適切な使用時間に対応した短絡時間の間、短絡が行われるので、発光素子の輝度回復を適切な時間で行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、前記算出した輝度劣化度合に対応する前記発光素子のトラップ準位を前記メモリから読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に基づいて、前記トラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、前記トラップ準位に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を判断するのに、前記発光素子の輝度劣化度合に着目することにより、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるトラップ準位を適正に判断できる。そのため、前記発光素子の輝度劣化度合に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを確実に防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、好ましくは、前記発光素子の輝度劣化度合は、前記発光素子の所定の使用時間に対応したものであることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子の輝度劣化度合は、前記発光素子の所定の使用時間に対応している。つまり、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子の輝度劣化度合は大きくなる。そのため、前記発光素子の使用時間に対応して、前記発光素子の輝度劣化度合は変動し、前記発光素子の輝度劣化度合に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを確実に防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子のアノードとカソードとを短絡させる短絡トランジスタと、前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、前記算出した輝度劣化度合に対応する前記発光素子のトラップ準位を前記メモリから読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した短絡時間の間、前記短絡トランジスタで短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が長くなるように、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に基づいて、前記トラップ準位に対応した短絡時間の間、前記短絡トランジスタで前記発光素子のアノードとカソードとを短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、前記トラップ準位に対応して、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が変動するので、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を判断するのに、前記発光素子の輝度劣化度合に着目することにより、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるトラップ準位を適正に判断できる。そのため、前記発光素子の輝度劣化度合に対応して、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が変動するので、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、好ましくは、前記発光素子の輝度劣化度合は、前記発光素子の所定の使用時間に対応したものであることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子の輝度劣化度合は、前記発光素子の所定の使用時間に対応している。つまり、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子の輝度劣化度合は大きくなる。そのため、前記発光素子の使用時間に対応して、前記発光素子の輝度劣化度合は変動し、前記発光素子の輝度劣化度合に対応して、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が変動するので、発光素子の輝度回復を適切な時間で行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応した逆バイアス電圧量を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応する電圧量の逆バイアスを、前記発光素子の使用時間に応じて変動させて前記発光素子に印加し、トラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、前記発光素子の使用時間に対応して、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を反映させて、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。そのため、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を判断するのに、前記発光素子の使用時間に着目することにより、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるトラップ準位を簡易かつ適正に判断できる。そのため、前記発光素子の使用時間に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを確実に防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、発光素子と、前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応する逆バイアス電圧量を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、前記メモリを参照して、前記算出した輝度劣化度合に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させることを特徴とする。
本態様によると、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応する電圧量の逆バイアスを、前記発光素子の輝度劣化度合に応じて変動させて前記発光素子に印加し、トラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、前記発光素子の輝度劣化度合に対応して、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を反映させて、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。そのため、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を判断するのに、前記発光素子の輝度劣化度合に着目することにより、前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるトラップ準位を適正に判断できる。そのため、前記発光素子の輝度劣化度合に対応して、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が変動するので、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破壊するのを確実に防止し、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化を図ることができる。
なお、本発明は、このような表示装置として実現することができるだけでなく、その表示装置を制御するための制御方法やプログラム、そのプログラムを格納する記憶媒体としても実現することができる。
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態１に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、素子温度取得部６０、及び回復措置部９０を備えている。
また、表示部１０は、マトリクス状に配置された複数の画素部１００を備えている。また、回復措置部９０は、電圧印加部４０、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。
図２は、本実施の形態１に係る表示部１０の有する一画素部の回路構成及びその周辺回路との接続を示す図である。
画素部１００は、表示部１０の有する一画素部であり、データ線を介して供給された信号電圧により発光する機能を有する。同図に示すように、画素部１００は、発光素子１１０、駆動トランジスタ１２０、スイッチングトランジスタ１３０、保持容量１４０、走査線２１、データ線３１、電圧印加線４１、スイッチ１２１、及び電源線１５１を備えている。
また、画素部１００の周辺回路は、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、電圧印加部４０、電源１５０、及び電源１６０を備えている。
まず、画素部１００の内部回路構成について、図２を用いて説明する。
発光素子１１０は、アノードが駆動トランジスタ１２０のソースおよびドレインの一方に接続され、カソードが電源１６０に接続されたＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子である。発光素子１１０は、駆動トランジスタ１２０によって駆動された電流が流れることにより発光する機能を有する。つまり、電源線１５１によって発光素子１１０に電流が供給され、発光素子１１０が発光する。なお、発光素子１１０は、例えば、有機ＥＬ素子である。
駆動トランジスタ１２０は、ゲートがスイッチングトランジスタ１３０を介してデータ線３１に接続され、ソースおよびドレインの他方がスイッチ１２１に接続されている。駆動トランジスタ１２０は、このスイッチ１２１を介して、電源１５０又は電圧印加部４０に接続される。また、駆動トランジスタ１２０は、データ線３１から供給された信号電圧を、その大きさに応じた信号電流に変換する機能を有する。
スイッチングトランジスタ１３０は、ゲートが走査線２１に接続され、ソース及びドレインの一方がデータ線３１に接続され、ソース及びドレインの他方が駆動トランジスタ１２０のゲートに接続されている。スイッチングトランジスタ１３０は、データ線３１と駆動トランジスタ１２０のゲートとの導通及び非導通を切り換える。つまり、スイッチングトランジスタ１３０は、画素部１００に対しデータ線３１の信号電圧値を、走査線２１がハイレベルの期間供給する機能を有する。
保持容量１４０は、電荷を蓄積するコンデンサである。保持容量１４０は、駆動トランジスタ１２０のソースおよびドレインの一方と駆動トランジスタ１２０のゲート端子との間に接続されている。つまり、保持容量１４０に蓄積された電荷に応じた電流が、駆動トランジスタ１２０によって、電源線１５１から発光素子１１０に流される。
電源１５０は、電源線１５１に接続された、駆動トランジスタ１２０の定電圧源であり、例えば、１０Ｖに設定されている。
電源１６０は、発光素子１１０の定電圧源であり、例えば、アースされている。本実施の形態の場合、電源１５０の電位は、電源１６０の電位よりも高く設定されている。
次に、図１に記載された構成要素について、その機能を説明する。
走査線駆動回路２０は、走査線２１に接続されており、画素部１００のスイッチングトランジスタ１３０の導通・非導通を制御する機能を有する。
データ線駆動回路３０は、データ線３１に接続されており、信号電圧を出力して、駆動トランジスタ１２０に流れる信号電流を決定する機能を有する。
使用時間取得部５０は、画素部１００ごとに、発光素子１１０が使用された時間である使用時間を取得する機能を有する。ここで、使用時間とは、発光素子１１０が発光した発光時間の累積値である。
例えば、６０Ｈｚで発光素子１１０が発光している場合、１回のサイクル（以下、１フィールドという）は１ｓ／６０＝約１６．６ｍｓｅｃである。そして、使用時間とは、この１フィールドの時間内に発光素子１１０が発光している時間を、対象のフィールドについて累積した値である。ここで、対象のフィールドとは、前回、回復措置部９０が発光素子１１０の輝度の劣化を回復させたときから、今回、回復措置部９０が発光素子１１０の輝度の劣化を回復させるときまでの全フィールドである。
このため、回復措置部９０が発光素子１１０の輝度の劣化を回復させた場合、発光素子１１０の使用時間はリセットされる。
素子温度取得部６０は、画素部１００ごとに、発光素子１１０の温度である素子温度を取得する機能を有する。なお、素子温度取得部６０が発光素子１１０の素子温度を取得する詳細については、後述する。
回復措置部９０は、使用時間取得部５０が取得した使用時間の大きさに応じて、発光素子１１０の輝度の劣化を回復させる回復条件を変更して、変更された回復条件に従って発光素子１１０の輝度の劣化を回復させる機能を有する。ここでの回復条件は、発光素子１１０のアノード及びカソードの少なくとも一方にバイアス電圧を印加して発光素子１１０の輝度の劣化を回復させる場合の、バイアス電圧の電圧値の大きさである。
具体的には、回復措置部９０は、電圧印加部４０、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。
電圧印加部４０は、制御部８０の指示に従って、発光素子１１０のアノード及びカソードの少なくとも一方に、バイアス電圧を印加する機能を有する。具体的には、電圧印加部４０は、電圧印加線４１に接続されており、発光素子１１０に逆バイアスがかかるように、スイッチ１２１を介して発光素子１１０のアノードにバイアス電圧を印加することで、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する。
記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間及び素子温度ごとのトラップ準位、及びトラップ準位に対応した逆バイアス電圧を記憶する機能を有する。つまり、記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間及び素子温度ごとの、発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係から予め算出された発光素子１１０のトラップ準位を記憶している。また、記憶部７０は、トラップ準位と逆バイアス電圧との関係から予め算出されたトラップ準位に対応した逆バイアス電圧を記憶している。
ここで、発光電流は、発光素子１１０を発光するために発光素子１１０に流れる電流であり、駆動トランジスタ１２０に流れる信号電流と同じ電流値である。また、発光電圧は、発光素子１１０に発光電流が流れたときの発光素子１１０のアノードとカソードの間の電圧である。
具体的には、記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間、素子温度、及びトラップ準位が対応付けられたトラップ準位テーブル７１と、トラップ準位と逆バイアス電圧とが対応付けられたトラップバイアステーブル７２とを記憶している。なお、トラップ準位とは、発光素子１１０に電流が供給されるに従って発光素子１１０に形成されるエネルギー準位であり、このトラップ準位の形成により、発光素子１１０の輝度が劣化する。
以下に、このトラップ準位について、詳細に説明する。
図３Ａ及び図３Ｂは、トラップ準位の形成により発光素子１１０の輝度が劣化することを説明する図である。
具体的には、図３Ａは、電圧が印加される発光素子１１０の構成を示す模式図であり、図３Ｂは、発光素子１１０を発光するための電圧値を示すグラフである。また、これらの図の（ａ）は、発光素子１１０に電圧を印加する前の初期状態を示しており、これらの図の（ｂ）は、発光素子１１０に電圧が印加された後のトラップ準位が形成された状態を示している。
これらの図に示すように、発光素子１１０は、ホール注入電極１１１、電子注入電極１１２、及び、ホール注入電極１１１と電子注入電極１１２との間に配置された有機発光層１１３を備えている。
まず、図３Ａの（ａ）に示される状態から、発光素子１１０に電圧が印加される。
すると、有機発光層１１３の層界面付近（同図の（ｂ）に示されるＡの部分）の電子注入電極１１２側に電子が蓄積する。また、有機発光層１１３の層界面付近（同図の（ｂ）に示されるＡの部分）のホール注入電極１１１側にホールが蓄積する。
これにより、同図の（ｂ）に示されるように、有機発光層１１３にトラップ準位が形成され、電位障害が高くなる。この電位障害は、発光素子１１０の輝度の劣化の要因となる。また、電圧が多く印加されるほど、深いトラップ準位が形成され、発光素子１１０の輝度の劣化は大きくなる。
具体的には、図３Ｂの（ａ）に示すように、初期状態では、発光素子１１０を発光させるために必要な電圧は、同図に示す電圧ａである。そして、発光素子１１０に電圧が印加されて発光した後、トラップ準位が形成され、電位障害が高くなる。このため、同図の（ｂ）に示すように、発光素子１１０を発光させるために必要な電圧の閾値が上昇し、同じ輝度を得るために電圧ａよりも大きな電圧ｂを印加する必要が生じる。
つまり、発光素子１１０が使用されるのに伴い、トラップ準位が形成され、電荷がトラップされることにより、電圧ロスが生じ、発光素子１１０の輝度低下（素子劣化）が起こる。
また、発光素子１１０に逆バイアス電圧を印加することで、有機発光層１１３の層界面付近の電子注入電極１１２側に蓄積した電子及びホール注入電極１１１側に蓄積したホールが放電され、電位障壁が下がる。つまり、逆バイアス電圧を印加することで、トラップ準位にたまった電荷を抜き去ることにより、発光素子１１０の劣化をもとに戻らせることができる。
これにより、同図の（ａ）に示されるような初期状態に近い状態に戻ることで、発光素子１１０の輝度の劣化は回復する。なお、発光素子１１０の劣化度合いが進む（使用時間が進む）につれて、トラップ準位が深くなり、そこにトラップされた電荷を抜くために、より大きな量の逆バイアス電圧を印加すること必要となる。
次に、記憶部７０が記憶しているトラップ準位テーブル７１について説明する。
図４は、本実施の形態１に係るトラップ準位テーブル７１の一例を示す図である。
同図に示すように、トラップ準位テーブル７１は、使用時間、素子温度、及びトラップ準位などからなる。ここで、使用時間は、発光素子１１０の使用時間であり、素子温度は、発光素子１１０の素子温度である。また、トラップ準位は、発光素子１１０の使用時間及び素子温度ごとのトラップ準位である。
次に、トラップ準位テーブル７１のトラップ準位は、発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係から算出されることについて説明する。
図５は、使用時間ごとの発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係を示す図である。
同図は、発光素子１１０に一定の発光電圧を印加して発光させた場合の、使用時間ｔ経過後の発光素子１１０に流れる発光電流を測定して、グラフに示したものである。ここで、グラフの横軸は発光電圧の対数値、縦軸は発光電流の対数値である。つまり、同図は、使用時間ｔが０時間から３１３時間にかけて大きくなっていく際の、使用時間ｔごとの発光電圧と発光電流との関係を示したグラフである。また、発光電流の計測と同時に、発光素子１１０の素子温度を計測することで、各使用時間における発光素子１１０の平均的な素子温度が算出される。
ここで、使用時間ｔ経過後の、発光電流をＩ、発光電圧をＶ、素子温度をＴ、トラップ準位をＥｔ、ボルツマン定数をＫとすると、以下の式１が成り立つ。
Ｉ∝Ｖ（Ｅｔ/ＫＴ+１） （式１）
そして、同図に示された使用時間ｔごとの発光電圧Ｖと発光電流Ｉとの関係と、算出された素子温度Ｔと、式１とから、トラップ準位Ｅｔが算出される。具体的には、同図は発光電圧Ｖと発光電流Ｉの両対数グラフであるため、グラフの傾きが式１のＥｔ／ＫＴ＋１である。また、同図に示されたグラフは、使用時間ｔが大きくなるほど傾きも大きくなっている。つまり、使用時間ｔが大きくなるほどトラップ準位Ｅｔは深くなる。
このようにして、発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係から、発光素子１１０の使用時間ｔ及び素子温度Ｔごとのトラップ準位Ｅｔが算出される。
そして、このようにして作成されたトラップ準位テーブル７１は、予め記憶部７０に記憶されている。なお、トラップ準位テーブル７１は、画素部１００ごとに作成されていてもよいし、全ての画素部１００共通の１つのトラップ準位テーブル７１が作成されていてもよい。
次に、記憶部７０が記憶しているトラップバイアステーブル７２について説明する。
図６は、本実施の形態１に係るトラップバイアステーブル７２の一例を示す図である。
同図に示すように、トラップバイアステーブル７２は、トラップ準位及び逆バイアス電圧などからなる。トラップ準位は、発光素子１１０のトラップ準位であり、逆バイアス電圧は、発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧の電圧値である。ここで、トラップ準位と逆バイアス電圧との関係について、以下に説明する。
図７は、本実施の形態１に係るトラップ準位と逆バイアス電圧の電圧値との関係の一例を示す図である。
同図に示された横軸は発光素子１１０のトラップ準位であり、縦軸は、発光素子１１０に印加することで発光素子１１０の輝度の劣化を回復することができる最小の逆バイアス電圧の電圧値である。
具体的には、縦軸の最小逆バイアス電圧とは、発光素子１１０の輝度の劣化を回復することができる逆バイアス電圧のうちの、最小の電圧値である。つまり、最小逆バイアス電圧よりも大きな電圧を印加しても、発光素子１１０の輝度の劣化の回復は、最小逆バイアス電圧を印加した場合と同等である。この最小逆バイアス電圧を発光素子１１０に印加することで、発光素子１１０に電圧を印加し過ぎることがないため、発光素子１１０の長寿命化に寄与する。
また、同図に示すように、トラップ準位が深くなるほど、最小逆バイアス電圧の電圧量は大きくなる。これは、例えば、トラップ準位を変化させて逆バイアス電圧を印加する実験などから、トラップ準位に対応した最小逆バイアス電圧の電圧量が算出される。なお、同図では、トラップ準位が深くなるほど最小逆バイアス電圧の電圧量は直線的に増えているが、最小逆バイアス電圧の電圧量の増え方は直線的に限られない。
そして、このトラップ準位に対応する最小逆バイアス電圧が、トラップバイアステーブル７２の逆バイアス電圧に記憶されている。
図１に戻り、制御部８０は、使用時間が大きくなるほど、発光素子１１０のカソードの電圧値からアノードの電圧値を減じた値が大きくなるように、回復条件としてのバイアス電圧の電圧値を変更して、変更された電圧値のバイアス電圧を印加するように電圧印加部４０を制御する。
具体的には、制御部８０は、使用時間取得部５０が取得した発光素子１１０の使用時間と素子温度取得部６０が取得した発光素子１１０の素子温度とに基づいて、記憶部７０が記憶しているトラップ準位テーブル７１を参照して、発光素子１１０の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発光素子１１０に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。
次に、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する表示装置１の駆動方法について説明する。
図８は、本発明の実施の形態１における発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、使用時間取得部５０は、発光素子１１０の使用時間を取得する（Ｓ１０２）。ここで、発光素子１１０の使用時間は、電圧印加部４０が前回発光素子１１０に逆バイアスを印加したときから、今回発光素子１１０に逆バイアスを印加するときまでに対応する時間である。つまり、この間に発光素子１１０が発光した時間の累積値が、発光素子１１０の使用時間である。
また、この使用時間は、表示装置１に内蔵されたタイマーなどから算出された値である。つまり、使用時間取得部５０は、発光素子１１０の発光時にのみ計時される蓄積型カウンタなどから、使用時間を取得する。
ここでは、制御部８０が当該カウンタを保持するとともに、記憶部７０が記憶している図９に示すような使用時間テーブル７３に、制御部８０が発光素子１１０ごとの使用時間を書き込むこととする。図９は、本実施の形態１に係る使用時間テーブル７３の一例を示す図である。なお、同図に示される発光素子の（ｉ，ｊ）は、座標が（ｉ，ｊ）の位置にある発光素子１１０を指し、使用時間のｔ（ｉ，ｊ）は、当該発光素子１１０の使用時間を示している。
そして、電圧印加部４０が発光素子１１０に逆バイアスを印加した場合、制御部８０が当該カウンタをリセットする。つまり、使用時間テーブル７３の逆バイアスを印加された発光素子１１０の使用時間は、「０」に書き換えられる。使用時間取得部５０は、使用時間テーブル７３から、取得対象の発光素子１１０の使用時間を取得する。
そして、図８に戻り、素子温度取得部６０は、発光素子１１０の素子温度を取得する（Ｓ１０４）。具体的には、制御部８０が、駆動トランジスタ１２０の特性から駆動トランジスタ１２０の温度を算出し、素子温度取得部６０は、駆動トランジスタ１２０の温度を発光素子１１０の素子温度として取得する。
以下に、素子温度取得部６０が発光素子１１０の素子温度を取得する方法について、詳細に説明する。
まず、制御部８０は、駆動トランジスタ１２０のソース−ドレイン間にテスト電流Ｉtestを流し、駆動トランジスタ１２０のゲートの電圧であるゲート電圧Ｖgを測定することで、駆動トランジスタ１２０の移動度βを算出する。駆動トランジスタ１２０のソースに印加された電圧であるソース電圧をＶsとすると、以下の式２が成り立つ。
Ｉtest＝（β／２）（Ｖg−Ｖs−Ｖth）2 （式２）
ここで、Ｖthは、駆動トランジスタ１２０の閾値電圧である。つまり、テスト電流Ｉtest、ゲート電圧Ｖg及びソース電圧Ｖsから、移動度βと閾値電圧Ｖthとを算出することができる。
具体的には、式２より、大きさの異なる２種類のテスト電流Ｉ1及びＩ2を与えたときの、駆動トランジスタ１２０のゲート電圧の測定値をそれぞれＶg1及びＶg2とすると、以下のような連立方程式が得られる。
Ｉ1＝（β／２）（Ｖg1−Ｖs−Ｖth）2 （式３）
Ｉ2＝（β／２）（Ｖg2−Ｖs−Ｖth）2 （式４）
この連立方程式を解くことで、移動度βと閾値電圧Ｖthとを算出することができる。
次に、制御部８０は、駆動トランジスタ１２０の移動度βから、駆動トランジスタ１２０の温度Ｔを、係数ｋを用いて以下の式５により算出する。
β∝ｅｘｐ（１／ｋＴ） （式５）
なお、式５に示された駆動トランジスタ１２０の移動度βと温度Ｔとの関係が、図１０に示すような温度テーブル７４として、予め記憶部７０に記憶されていてもよい。図１０は、本実施の形態１に係る温度テーブル７４の一例を示す図である。つまり、制御部８０は、温度テーブル７４を参照することで、駆動トランジスタ１２０の移動度βから、駆動トランジスタ１２０の温度Ｔを取得する。
そして、素子温度取得部６０は、制御部８０が算出した駆動トランジスタ１２０の温度Ｔを、発光素子１１０の素子温度として取得する。
次に、制御部８０は、取得された使用時間及び素子温度と、記憶部７０に予め記憶されているトラップ準位テーブル７１とから、トラップ準位を取得する（Ｓ１０６）。具体的には、制御部８０は、トラップ準位テーブル７１の使用時間、素子温度及びトラップ準位を参照することで、取得された使用時間及び素子温度から、トラップ準位を取得する。
そして、制御部８０は、取得されたトラップ準位から、バイアス電圧の電圧値を決定する（Ｓ１０８）。ここで、発光素子１１０にトラップ準位が生じた場合に、発光素子１１０に逆バイアス電圧を印加することで、発光素子１１０の輝度の劣化を回復することができる。
具体的には、制御部８０は、記憶部７０に記憶されているトラップバイアステーブル７２を参照して、取得されたトラップ準位に対応した逆バイアス電圧の電圧値を取得することで、バイアス電圧の電圧値を決定する。
なお、使用時間が長くなるほどトラップ準位は深くなる。また、トラップ準位が深くなるほど逆バイアス電圧の電圧量は大きくなる。つまり、使用時間が長くなるほど、逆バイアス電圧の電圧量は大きくなる。
そして、制御部８０は、決定されたバイアス電圧の電圧値を発光素子１１０のアノードに印加するように電圧印加部４０を制御し、電圧印加部４０は、バイアス電圧を印加する（Ｓ１１０）。つまり、電圧印加部４０は、０Ｖ以上の逆バイアス電圧を発光素子１１０に印加する。
具体的には、図２に示されたように、発光素子１１０が発光する際には、スイッチ１２１が電源線１５１に接続されている。このため、発光素子１１０が発光しなくてよい短い時間内に、スイッチ１２１が、電圧印加線４１に接続されるように切り替えられる。これによって、電圧印加部４０が発光素子１１０のアノードと接続される。そして、制御部８０は、電圧印加部４０に、決定されたバイアス電圧の電圧値の指示を与える。これにより、電圧印加部４０は、発光素子１１０のアノードに、決定された電圧値のバイアス電圧を印加する。
つまり、制御部８０は、使用時間が大きくなるほど、発光素子１１０のカソードの電圧値からアノードの電圧値を減じた値が大きくなるように、バイアス電圧の電圧値を変更して、変更された電圧値のバイアス電圧を印加するように電圧印加部４０を制御する。そして、電圧印加部４０は、制御部８０の制御に従って、バイアス電圧を印加する。
これにより、使用時間及び素子温度に応じたバイアス電圧が印加されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
つまり、トラップ準位に基づいて、トラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発光素子１１０に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、トラップ準位に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。また、トラップ準位を判断するのに、発光素子１１０の使用時間に着目することにより、トラップ準位を簡易かつ適正に判断できる。そのため、発光素子１１０の使用時間に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。また、発光素子１１０の使用時間は、発光素子１１０の輝度回復が行われてからの時間であるため、適切な使用時間に対応した電圧量の逆バイアスが発光素子１１０に印加される。
これらにより、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子１１０を破壊するのを防止し、発光素子１１０の輝度回復を適切に行い、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態１の変形例１）
ここで、本実施の形態１における第１の変形例について説明する。上記実施の形態１では、発光素子１１０に逆バイアス電圧を印加することで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、本変形例１では、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡することで、発光素子１１０の輝度劣化を回復する。
図１１は、本実施の形態１の変形例１に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、素子温度取得部６０、及び回復措置部９０を備えている。
また、表示部１０は、マトリクス状に配置された複数の画素部１００を備えている。また、回復措置部９０は、短絡部４５、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。
図１２は、本実施の形態１の変形例１に係る画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続を示す図である。
同図に示すように、画素部１００は、発光素子１１０、駆動トランジスタ１２０、スイッチングトランジスタ１３０、保持容量１４０、走査線２１、データ線３１、電源線１５１、及び短絡用トランジスタ１７０を備えている。
また、画素部１００の周辺回路は、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、短絡部４５、電源１５０、及び電源１６０を備えている。
なお、図１及び図２での説明と同じ機能を有するものについては、以下説明を省略する。
回復措置部９０は、使用時間取得部５０が取得した使用時間の大きさに応じて、発光素子１１０の輝度の劣化を回復させる回復条件を変更して、変更された回復条件に従って発光素子１１０の輝度の劣化を回復させる機能を有する。ここでの回復条件は、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡して、発光素子１１０の輝度の劣化を回復させる場合の短絡時間の長さである。
そして、回復措置部９０が備える短絡部４５は、制御部８０の指示に従って、画素部１００の短絡用トランジスタ１７０の導通・非導通を制御する機能を有する。つまり、短絡部４５は、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する機能を有する。
短絡用トランジスタ１７０は、ゲートが短絡部４５に接続され、ソースおよびドレインの一方が発光素子１１０のアノードに、他方が発光素子１１０のカソードに接続されている。短絡用トランジスタ１７０は、第２のスイッチングトランジスタであり、発光素子１１０のアノードとカソードとの導通及び非導通を切り換える。つまり、短絡用トランジスタ１７０は、短絡部４５から電圧が供給されて、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する。
制御部８０は、使用時間が長くなるほど短絡時間が長くなるように、回復条件としての短絡時間を変更して、変更された短絡時間の間発光素子のアノードとカソードとを短絡するように短絡部４５を制御する。
具体的には、制御部８０は、使用時間取得部５０が取得した発光素子１１０の使用時間と素子温度取得部６０が取得した発光素子１１０の素子温度とに基づいて、記憶部７０が記憶しているトラップ準位テーブル７１を参照して、発光素子１１０の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、読み出したトラップ準位に対応した短絡時間の間、短絡用トランジスタ１７０で短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が長くなるように、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間を変動させる。
ここで、発光素子１１０の使用時間は、前回短絡用トランジスタ１７０による短絡を終了したときから、今回短絡用トランジスタ１７０による短絡を開始するときまでに対応する時間である。つまり、この間に発光素子１１０が発光した時間の累積値が、発光素子１１０の使用時間である。
記憶部７０は、図４に示されたトラップ準位テーブル７１と、トラップ準位と短絡時間とが対応付けられたトラップ短絡テーブル７５とを記憶している。以下に、記憶部７０が記憶しているトラップ短絡テーブル７５について説明する。
図１３は、本実施の形態１の変形例１に係るトラップ短絡テーブル７５の一例を示す図である。
同図に示すように、トラップ短絡テーブル７５は、トラップ準位及び短絡時間などからなる。トラップ準位は、発光素子１１０のトラップ準位であり、短絡時間は、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する時間である。ここで、トラップ準位と短絡時間との関係について、以下に説明する。
図１４は、本実施の形態１の変形例１に係るトラップ準位と短絡時間との関係の一例を示す図である。
同図に示された横軸は発光素子１１０のトラップ準位であり、縦軸は、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する短絡時間である。
具体的には、縦軸の短絡時間とは、発光素子１１０の輝度の劣化を回復することができる短絡時間のうちの、最小の短絡時間である。この短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡することで、最小の時間で発光素子１１０の輝度の劣化を回復することができる。
また、同図に示すように、トラップ準位が深くなるほど、短絡時間は長くなる。これは、例えば、トラップ準位を変化させて、所定の短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する実験などから、トラップ準位に対応した最小の短絡時間が算出される。なお、同図では、トラップ準位が深くなるほど短絡時間は直線的に増えているが、短絡時間の増え方は直線的に限られない。
そして、このトラップ準位に対応する短絡時間が、トラップ短絡テーブル７５に記憶されている。
次に、変形例１に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法について、説明する。
図１５は、本実施の形態１の変形例１に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、使用時間取得部５０は、発光素子１１０の使用時間を取得し（Ｓ２０２）、素子温度取得部６０は、発光素子１１０の素子温度を取得する（Ｓ２０４）。そして、制御部８０は、取得された使用時間及び素子温度とトラップ準位テーブル７１とから、トラップ準位を取得する（Ｓ２０６）。なお、使用時間、素子温度及びトラップ準位の取得の詳細は、図８での説明と同様であるため、省略する。
次に、制御部８０は、取得されたトラップ準位から、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する短絡時間を決定する（Ｓ２０８）。ここで、発光素子１１０にトラップ準位が生じた場合に、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡することで、発光素子１１０の輝度の劣化を回復することができる。
具体的には、制御部８０は、記憶部７０に記憶されているトラップ短絡テーブル７５を参照して、取得されたトラップ準位に対応した短絡時間を取得することで、短絡時間を決定する。
なお、使用時間が長くなるほどトラップ準位は深くなる。また、トラップ準位が深くなると短絡時間が長くなる。つまり、使用時間が長くなるほど、短絡時間も長くなる。
そして、制御部８０は、決定された短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡するように短絡部４５を制御し、短絡部４５は短絡を行う（Ｓ２１０）。
具体的には、制御部８０は、短絡部４５に短絡時間の間短絡するように指示を与える。そして、図８に示されたように、短絡部４５が短絡用トランジスタ１７０を短絡時間の間オンにすることで、発光素子１１０のアノードとカソードとが導通され、短絡時間の間短絡される。
制御部８０は、使用時間が長くなるほど短絡時間が長くなるように、短絡時間を変更して、変更された短絡時間の間発光素子のアノードとカソードとを短絡するように短絡部４５を制御する。そして、短絡部４５は、制御部８０の制御に従って、変更された短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する。
これにより、使用時間及び素子温度に応じた短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
つまり、トラップ準位に基づいて、トラップ準位に対応した短絡時間の間、短絡用トランジスタ１７０で発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、トラップ準位に対応して、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が変動する。また、トラップ準位を判断するのに、発光素子１１０の使用時間に着目することにより、トラップ準位を簡易かつ適正に判断できる。そのため、発光素子１１０の使用時間に対応して、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が変動する。また、発光素子１１０の使用時間は、発光素子１１０の輝度回復が行われてからの時間であるため、適切な使用時間に対応した短絡時間の間、短絡が行われる。
これらにより、発光素子１１０の輝度回復を適切に行い、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態１の変形例２）
ここで、本実施の形態１における第２の変形例について説明する。上記実施の形態１及び変形例１では、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、印加する逆バイアス電圧を大きく又は短絡時間を長くしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、本変形例２では、発光素子１１０の輝度の劣化度合が大きくなるほど、発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧を大きくしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復する。
図１６は、本実施の形態１の変形例２に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、電圧電流取得部６５、及び回復措置部９０を備えている。回復措置部９０は、電圧印加部４０、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。また、画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続は、図２に示した構成と同様である。なお、図１及び図２での説明と同じ機能を有するものについては、以下説明を省略する。
電圧電流取得部６５は、発光素子１１０の発光電圧と発光電流とを取得する機能を有する。
記憶部７０は、使用時間に対応した発光素子１１０の輝度の劣化度合ごとの発光素子１１０のトラップ準位、及びトラップ準位に対応した逆バイアス電圧を記憶する機能を有する。具体的には、記憶部７０は、輝度劣化度合及びトラップ準位が対応付けられたトラップ準位テーブル７１ａと、図６に示されたトラップバイアステーブル７２とを記憶している。
図１７は、本実施の形態１の変形例２に係るトラップ準位テーブル７１ａの一例を示す図である。
同図に示すように、トラップ準位テーブル７１ａは、輝度劣化度合及びトラップ準位などからなる。ここで、輝度劣化度合は、発光素子１１０の所定の使用時間に対応した発光素子１１０の輝度の劣化度合である。具体的には、輝度劣化度合は、データ線駆動回路３０が同じ電圧をデータ線に供給した場合の発光素子１１０に流れる発光電流の低下度合、または、発光素子１１０に同じ電流を流すために必要なデータ線に供給する電圧の増加度合である。また、発光電流の低下度合とは、低下前の発光電流に対する発光電流の低下量の割り合いである。また、電圧の増加度合とは、増加前の電圧に対する電圧の増加量の割り合いである。つまり、発光素子１１０の輝度劣化度合は、使用時間における発光素子１１０の発光電圧と発光電流とから算出される。
また、図５での説明で、発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係から、発光素子１１０の使用時間ごとのトラップ準位が算出されることを示した。そして、この発光素子１１０の使用時間ごとのトラップ準位の算出と同様にして、発光素子１１０の輝度劣化度合ごとの発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係から、発光素子１１０の輝度劣化度合ごとの発光素子１１０のトラップ準位が算出される。
また、図５での説明で、使用時間が大きくなるほどトラップ準位は深くなることを示した。そして、使用時間が大きくなるほど、発光素子１１０の輝度劣化度合は大きくなる。つまり、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほどトラップ準位は深くなる。
このようにして、発光素子１１０の発光電圧と発光電流との関係から、発光素子１１０の輝度劣化度合ごとのトラップ準位が算出される。
なお、発光素子１１０の輝度の劣化度合に対応したトラップ準位は、発光素子１１０の素子温度又は輝度に依存しない。つまり、素子温度又は輝度が変化しても、発光素子１１０の輝度の劣化度合に対応したトラップ準位は変化しない。このため、トラップ準位を算出する際に素子温度や輝度を考慮に入れる必要がなく、精度の良いトラップ準位が算出される。
そして、このようにして作成されたトラップ準位テーブル７１ａは、予め記憶部７０に記憶されている。なお、トラップ準位テーブル７１ａは、画素部１００ごとに作成されていてもよいし、全ての画素部１００共通の１つのトラップ準位テーブル７１ａが作成されていてもよい。
図１６に戻り、制御部８０は、発光素子１１０の発光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出し、記憶部７０が記憶しているトラップ準位テーブル７１ａを参照して、算出した輝度劣化度合に対応する発光素子１１０のトラップ準位を読み出し、読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発光素子１１０に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほど、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。
次に、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する表示装置１の駆動方法について説明する。
図１８は、本実施の形態１の変形例２に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、電圧電流取得部６５は、発光素子１１０の発光電圧と発光電流とを取得する（Ｓ３０２）。この発光電圧と発光電流は、実際に計測された値でも、また算出された値でもよい。
次に、制御部８０は、電圧電流取得部６５が取得した発光素子１１０の発光電圧と発光電流とから、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出する（Ｓ３０４）。
そして、制御部８０は、算出された発光素子１１０の輝度劣化度合と、記憶部７０に記憶されているトラップ準位テーブル７１ａとから、トラップ準位を取得する（Ｓ３０６）。具体的には、制御部８０は、トラップ準位テーブル７１ａの輝度劣化度合及びトラップ準位を参照することで、算出された輝度劣化度合から、トラップ準位を取得する。
そして、制御部８０は、トラップバイアステーブル７２を参照して、取得されたトラップ準位に対応した逆バイアス電圧の電圧値を取得することで、バイアス電圧の電圧値を決定する（Ｓ３０８）。
ここで、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほどトラップ準位は深くなる。また、トラップ準位が深くなると逆バイアス電圧の電圧量は大きくなることが分かっている。つまり、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほど、逆バイアス電圧の電圧量も大きくなる。
このように、制御部８０は、トラップ準位に対応したバイアス電圧の電圧値を算出することで、バイアス電圧の電圧値を決定する。
そして、制御部８０は、決定されたバイアス電圧の電圧値を発光素子１１０のアノードに印加するように電圧印加部４０を制御し、電圧印加部４０は、バイアス電圧を印加する（Ｓ３１０）。
これにより、発光素子１１０の輝度劣化度合に応じたバイアス電圧が印加されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
つまり、トラップ準位に基づいて、トラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発光素子１１０に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、トラップ準位に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。また、トラップ準位を判断するのに、発光素子１１０の輝度劣化度合に着目することにより、トラップ準位を適正に判断できる。そのため、発光素子１１０の輝度劣化度合に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。
また、発光素子１１０の輝度劣化度合は、発光素子１１０の所定の使用時間に対応している。つまり、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、発光素子１１０の輝度劣化度合は大きくなる。そのため、発光素子１１０の使用時間に対応して、発光素子１１０の輝度劣化度合は変動し、発光素子１１０の輝度劣化度合に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。
これらにより、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子１１０を破壊するのを確実に防止し、発光素子１１０の輝度回復を適切に行い、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態１の変形例３）
ここで、本実施の形態１における第３の変形例について説明する。上記実施の形態１及び変形例１では、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど印加する逆バイアス電圧を大きく又は短絡時間を長くしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。また、変形例２では、発光素子１１０の輝度の劣化度合が大きくなるほど発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧を大きくしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、本変形例３では、発光素子１１０の輝度の劣化度合が大きくなるほど、発光素子１１０の短絡時間を長くしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復する。
図１９は、本実施の形態１の変形例３に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、電圧電流取得部６５、及び回復措置部９０を備えている。回復措置部９０は、短絡部４５、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。また、画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続は、図１２に示した構成と同様である。
なお、変形例３に係る表示装置１の構成は、図１１及び図１２に示した構成の素子温度取得部６０及びトラップ準位テーブル７１を、図１６に示した電圧電流取得部６５及びトラップ準位テーブル７１ａに変更したものである。このため、変形例３に係る表示装置１の構成はすべて、図１１、図１２及び図１６に示したものと同じ機能を有するため、詳細の説明は省略する。
ここで、制御部８０は、発光素子１１０の発光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出し、記憶部７０が記憶しているトラップ準位テーブル７１ａを参照して、算出した輝度劣化度合に対応する発光素子１１０のトラップ準位を読み出し、読み出したトラップ準位に対応した短絡時間の間、短絡用トランジスタ１７０で短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほど、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が長くなるように、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間を変動させる。
図２０は、本実施の形態１の変形例３に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、電圧電流取得部６５は、発光素子１１０の発光電圧と発光電流とを取得し（Ｓ４０２）、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出し（Ｓ４０４）、また、制御部８０は、トラップ準位を取得する（Ｓ４０６）。なお詳細は、図１８での説明と同様であるため、省略する。
次に、制御部８０は、取得されたトラップ準位から、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する短絡時間を決定する（Ｓ４０８）。
ここで、トラップ準位が深くなると短絡時間が長くなることが分かっている。つまり、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほど、短絡時間も長くなる。
このように、制御部８０は、トラップ準位に対応した短絡時間を算出することで、短絡時間を決定する。
そして、制御部８０は、決定された短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡するように短絡部４５を制御し、短絡部４５は短絡を行う（Ｓ４１０）。
これにより、発光素子１１０の輝度劣化度合に応じた短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
つまり、トラップ準位に基づいて、トラップ準位に対応した短絡時間の間、短絡用トランジスタ１７０で発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、トラップ準位に対応して、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が変動する。また、トラップ準位を判断するのに、発光素子１１０の輝度劣化度合に着目することにより、トラップ準位を適正に判断できる。そのため、発光素子１１０の輝度劣化度合に対応して、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が変動する。
また、発光素子１１０の輝度劣化度合は、発光素子１１０の所定の使用時間に対応している。つまり、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、発光素子１１０の輝度劣化度合は大きくなる。そのため、発光素子１１０の使用時間に対応して、発光素子１１０の輝度劣化度合は変動し、発光素子１１０の輝度劣化度合に対応して、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が変動する。
これらにより、発光素子１１０の輝度回復を適切な時間で行い、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態２）
上記実施の形態１では、制御部８０は、使用時間及び素子温度から、トラップ準位テーブル７１を参照してトラップ準位を取得し、取得したトラップ準位から、トラップバイアステーブル７２を参照して逆バイアス電圧の電圧値を取得することとした。しかし、本実施の形態２では、制御部８０は、トラップ準位を取得することなく、逆バイアス電圧の電圧値を取得する。
図２１は、本実施の形態２に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、素子温度取得部６０、及び回復措置部９０を備えている。回復措置部９０は、電圧印加部４０、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。また、画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続は、図２に示した構成と同様である。なお、図１及び図２での説明と同じ機能を有するものについては、以下説明を省略する。
記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間及び素子温度ごとの逆バイアス電圧を記憶する機能を有する。具体的には、記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間、素子温度、及び逆バイアス電圧とが対応付けられた逆バイアステーブル７６を記憶している。
図２２は、本実施の形態２に係る逆バイアステーブル７６の一例を示す図である。
同図に示すように、逆バイアステーブル７６は、使用時間、素子温度、及び逆バイアス電圧などからなる。ここで、使用時間は、発光素子１１０の使用時間であり、素子温度は、発光素子１１０の素子温度である。また、逆バイアス電圧は、発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧の電圧値である。
つまり、逆バイアステーブル７６は、図４に示されたトラップ準位テーブル７１と、図６に示されたトラップバイアステーブル７２とを１つにまとめたテーブルである。このため、逆バイアステーブル７６は、トラップ準位テーブル７１とトラップバイアステーブル７２とから作成することができるため、詳細な説明は省略する。
なお、逆バイアステーブル７６は、画素部１００ごとに作成されていてもよいし、全ての画素部１００共通の１つの逆バイアステーブル７６が作成されていてもよい。
図２１に戻り、制御部８０は、使用時間取得部５０が取得した発光素子１１０の使用時間に基づいて、記憶部７０が記憶している逆バイアステーブル７６を参照して、発光素子１１０の使用時間に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、読み出した電圧量の逆バイアスを発光素子１１０に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。
次に、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する表示装置１の駆動方法について説明する。
図２３は、本実施の形態２に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、使用時間取得部５０は、発光素子１１０の使用時間を取得し（Ｓ５０２）、素子温度取得部６０は、発光素子１１０の素子温度を取得する（Ｓ５０４）。なお、使用時間及び素子温度を取得する処理の詳細は、実施の形態１における図８での説明と同様であるため、省略する。
そして、制御部８０は、取得された使用時間及び素子温度から、逆バイアステーブル７６を参照し、逆バイアス電圧の電圧値を取得することで、バイアス電圧の電圧値を決定する（Ｓ５０８）。
そして、制御部８０は、決定したバイアス電圧の電圧値を発光素子１１０のアノードに印加するように電圧印加部４０を制御し、電圧印加部４０は、バイアス電圧を印加する（Ｓ５１０）。つまり、電圧印加部４０は、制御部８０が取得した逆バイアス電圧を発光素子１１０に印加する。なお、この逆バイアス電圧を印加する処理の詳細は、実施の形態１における図８での説明と同様であるため、省略する。
これにより、制御部８０は、トラップ準位を取得することなく、逆バイアス電圧の電圧値を取得し、当該逆バイアス電圧が発光素子１１０に印加される。このため、使用時間及び素子温度に応じたバイアス電圧が印加されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
つまり、トラップ準位に対応する電圧量の逆バイアスを、発光素子１１０の使用時間に応じて変動させて発光素子１１０に印加し、トラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、発光素子１１０の使用時間に対応して、トラップ準位を反映させて、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。また、トラップ準位を判断するのに、発光素子１１０の使用時間に着目することにより、トラップ準位を簡易かつ適正に判断できる。そのため、発光素子１１０の使用時間に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。
これらにより、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子１１０を破壊するのを確実に防止し、発光素子１１０の輝度回復を適切に行い、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態２の変形例１）
ここで、本実施の形態２における第１の変形例について説明する。上記実施の形態２では、発光素子１１０に逆バイアス電圧を印加することで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、本変形例１では、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡することで、発光素子１１０の輝度劣化を回復する。
図２４は、本実施の形態２の変形例１に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、素子温度取得部６０、及び回復措置部９０を備えている。また、回復措置部９０は、短絡部４５、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。また、画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続は、図１２に示した構成と同様である。なお、図１１及び図１２での説明と同じ機能を有するものについては、以下説明を省略する。
記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間及び素子温度ごとの短絡時間を記憶する機能を有する。具体的には、記憶部７０は、発光素子１１０の使用時間、素子温度、及び短絡時間とが対応付けられた短絡時間テーブル７７を記憶している。
図２５は、本実施の形態２の変形例１に係る短絡時間テーブル７７の一例を示す図である。
同図に示すように、短絡時間テーブル７７は、使用時間、素子温度、及び短絡時間などからなる。ここで、使用時間は、発光素子１１０の使用時間であり、素子温度は、発光素子１１０の素子温度である。また、短絡時間は、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する時間である。
つまり、短絡時間テーブル７７は、図４に示されたトラップ準位テーブル７１と、図１３に示されたトラップ短絡テーブル７５とを１つにまとめたテーブルである。このため、短絡時間テーブル７７は、トラップ準位テーブル７１とトラップ短絡テーブル７５とから作成することができるため、詳細な説明は省略する。
なお、短絡時間テーブル７７は、画素部１００ごとに作成されていてもよいし、全ての画素部１００共通の１つの短絡時間テーブル７７が作成されていてもよい。
図２４に戻り、制御部８０は、使用時間取得部５０が取得した発光素子１１０の使用時間と素子温度取得部６０が取得した発光素子１１０の素子温度とに基づいて、記憶部７０が記憶している短絡時間テーブル７７を参照して、短絡時間を読み出し、読み出した短絡時間の間、短絡用トランジスタ１７０で短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が長くなるように、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間を変動させる。
次に、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する表示装置１の駆動方法について説明する。
図２６は、本実施の形態２の変形例１に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、使用時間取得部５０は、発光素子１１０の使用時間を取得し（Ｓ６０２）、素子温度取得部６０は、発光素子１１０の素子温度を取得する（Ｓ６０４）。なお、使用時間及び素子温度を取得する処理の詳細は、実施の形態１における図１５での説明と同様であるため、省略する。
そして、制御部８０は、取得された使用時間及び素子温度から、短絡時間テーブル７７を参照し、短絡時間を取得することで、短絡時間を決定する（Ｓ６０８）。
そして、制御部８０は、決定された短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡するように短絡部４５を制御し、短絡部４５は短絡を行う（Ｓ６１０）。なお、この短絡を行う処理の詳細は、実施の形態１における図１５での説明と同様であるため、省略する。
これにより、制御部８０は、トラップ準位を取得することなく、短絡時間を取得し、当該短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡される。このため、使用時間及び素子温度に応じた短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態２の変形例２）
ここで、本実施の形態２における第２の変形例について説明する。上記実施の形態２及びその変形例１では、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど、印加する逆バイアス電圧を大きく又は短絡時間を長くしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、本変形例２では、発光素子１１０の輝度の劣化度合が大きくなるほど、発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧を大きくしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復する。
図２７は、本実施の形態２の変形例２に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、電圧電流取得部６５、及び回復措置部９０を備えている。回復措置部９０は、電圧印加部４０、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。また、画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続は、図２に示した構成と同様である。なお、図２及び図１６での説明と同じ機能を有するものについては、以下説明を省略する。
記憶部７０は、使用時間に対応した発光素子１１０の輝度の劣化度合ごとの逆バイアス電圧を記憶する機能を有する。具体的には、記憶部７０は、発光素子１１０の輝度の劣化度合と逆バイアス電圧とが対応付けられた逆バイアステーブル７６ａを記憶している。
図２８は、本実施の形態２の変形例２に係る逆バイアステーブル７６ａの一例を示す図である。
同図に示すように、逆バイアステーブル７６ａは、輝度劣化度合及び逆バイアス電圧などからなる。ここで、輝度劣化度合は、使用時間に対応した発光素子１１０の輝度の劣化度合である。また、逆バイアス電圧は、発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧の電圧値である。
つまり、逆バイアステーブル７６ａは、図１７に示されたトラップ準位テーブル７１ａと、図６に示されたトラップバイアステーブル７２とを１つにまとめたテーブルである。このため、逆バイアステーブル７６ａは、トラップ準位テーブル７１ａとトラップバイアステーブル７２とから作成することができるため、詳細な説明は省略する。
なお、逆バイアステーブル７６ａは、画素部１００ごとに作成されていてもよいし、全ての画素部１００共通の１つの逆バイアステーブル７６ａが作成されていてもよい。
図２７に戻り、制御部８０は、発光素子１１０の発光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出し、記憶部７０が記憶している逆バイアステーブル７６ａを参照して、算出した輝度劣化度合に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、読み出した電圧量の逆バイアスを発光素子１１０に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほど、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。
次に、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する表示装置１の駆動方法について説明する。
図２９は、本実施の形態２の変形例２に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、電圧電流取得部６５は、発光素子１１０の発光電圧と発光電流とを取得し（Ｓ７０２）、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出する（Ｓ７０４）。なお、発光電圧と発光電流とを取得し輝度劣化度合を算出する処理の詳細は、実施の形態１における図１８での説明と同様であるため、省略する。
そして、制御部８０は、算出された発光素子１１０の輝度劣化度合から、逆バイアステーブル７６ａを参照し、逆バイアス電圧の電圧値を取得することで、バイアス電圧の電圧値を決定する（Ｓ７０８）。
そして、制御部８０は、決定したバイアス電圧の電圧値を発光素子１１０のアノードに印加するように電圧印加部４０を制御し、電圧印加部４０は、バイアス電圧を印加する（Ｓ７１０）。つまり、電圧印加部４０は、制御部８０が取得した逆バイアス電圧を発光素子１１０に印加する。なお、この逆バイアス電圧を印加する処理の詳細は、実施の形態１における図１８での説明と同様であるため、省略する。
これにより、制御部８０は、トラップ準位を取得することなく、逆バイアス電圧の電圧値を取得し、当該逆バイアス電圧が発光素子１１０に印加される。このため、発光素子１１０の輝度劣化度合に応じたバイアス電圧が印加されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
つまり、トラップ準位に対応する電圧量の逆バイアスを、発光素子１１０の輝度劣化度合に応じて変動させて発光素子１１０に印加し、トラップ準位にたまった電荷を抜き去る。これにより、発光素子１１０の輝度劣化度合に対応して、トラップ準位を反映させて、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる。また、トラップ準位を判断するのに、発光素子１１０の輝度劣化度合に着目することにより、トラップ準位を適正に判断できる。そのため、発光素子１１０の輝度劣化度合に対応して、発光素子１１０に印加する逆バイアスの電圧量が変動する。
これらにより、異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光素子１１０を破壊するのを確実に防止し、発光素子１１０の輝度回復を適切に行い、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
（実施の形態２の変形例３）
ここで、本実施の形態２における第３の変形例について説明する。上記実施の形態２及びその変形例１では、発光素子１１０の使用時間が長くなるほど印加する逆バイアス電圧を大きく又は短絡時間を長くしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。また、その変形例２では、発光素子１１０の輝度の劣化度合が大きくなるほど発光素子１１０に印加する逆バイアス電圧を大きくしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、本変形例３では、発光素子１１０の輝度の劣化度合が大きくなるほど、発光素子１１０の短絡時間を長くしていくことで、発光素子１１０の輝度劣化を回復する。
図３０は、本実施の形態２の変形例３に係る表示装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、表示装置１は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、使用時間取得部５０、電圧電流取得部６５、及び回復措置部９０を備えている。回復措置部９０は、短絡部４５、記憶部７０、及び制御部８０を備えている。また、画素部１００の回路構成及びその周辺回路との接続は、図１２に示した構成と同様である。なお、図１２及び図１９での説明と同じ機能を有するものについては、以下説明を省略する。
記憶部７０は、使用時間に対応した発光素子１１０の輝度の劣化度合ごとの短絡時間を記憶する機能を有する。具体的には、記憶部７０は、発光素子１１０の輝度の劣化度合と短絡時間とが対応付けられた短絡時間テーブル７７ａを記憶している。
図３１は、本実施の形態２の変形例３に係る短絡時間テーブル７７ａの一例を示す図である。
同図に示すように、短絡時間テーブル７７ａは、輝度劣化度合及び短絡時間などからなる。ここで、輝度劣化度合は、使用時間に対応した発光素子１１０の輝度の劣化度合である。また、短絡時間は、発光素子１１０のアノードとカソードとを短絡する時間である。
つまり、短絡時間テーブル７７ａは、図１７に示されたトラップ準位テーブル７１ａと、図１３に示されたトラップ短絡テーブル７５とを１つにまとめたテーブルである。このため、短絡時間テーブル７７ａは、トラップ準位テーブル７１ａとトラップ短絡テーブル７５とから作成することができるため、詳細な説明は省略する。
なお、短絡時間テーブル７７ａは、画素部１００ごとに作成されていてもよいし、全ての画素部１００共通の１つの短絡時間テーブル７７ａが作成されていてもよい。
図３０に戻り、制御部８０は、発光素子１１０の発光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出し、記憶部７０が記憶している短絡時間テーブル７７ａを参照して、算出した輝度劣化度合に対応する短絡時間を読み出し、当該短絡時間の間、短絡用トランジスタ１７０で短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る。
また、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合が大きくなるほど、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間が長くなるように、短絡用トランジスタ１７０で短絡させる短絡時間を変動させる。
次に、発光素子１１０の輝度の劣化を回復する表示装置１の駆動方法について説明する。
図３２は、本実施の形態２の変形例３に係る発光素子１１０の輝度劣化を回復する表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。
まず、電圧電流取得部６５は、発光素子１１０の発光電圧と発光電流とを取得し（Ｓ８０２）、制御部８０は、発光素子１１０の輝度劣化度合を算出する（Ｓ８０４）。なお、発光電圧と発光電流とを取得し輝度劣化度合を算出する処理の詳細は、実施の形態１における図２０での説明と同様であるため、省略する。
そして、制御部８０は、算出された発光素子１１０の輝度劣化度合から、短絡時間テーブル７７ａを参照し、短絡時間を取得することで、短絡時間を決定する（Ｓ８０８）。
そして、制御部８０は、決定された短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡するように短絡部４５を制御し、短絡部４５は短絡を行う（Ｓ８１０）。なお、この短絡を行う処理の詳細は、実施の形態１における図２０での説明と同様であるため、省略する。
これにより、制御部８０は、トラップ準位を取得することなく、短絡時間を取得し、当該短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡される。このため、発光素子１１０の輝度劣化度合に応じた短絡時間の間、発光素子１１０のアノードとカソードとが短絡されるため、発光素子１１０の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素子１１０の長寿命化を図ることができる。
また、例えば、本発明に係る表示装置１は、図３３に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本発明に係る表示装置１により、発光素子１１０の輝度劣化の回復を最適に行うことができるディスプレイを備えた薄型フラットＴＶが実現される。
以上、本発明に係る表示装置１について、上記実施の形態およびその変形例を用いて説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
つまり、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせても良い。
例えば、本実施の形態１、２及びその変形例では、使用時間取得部５０は、発光素子１１０が発光した発光時間の累積値を使用時間として取得することとした。しかし、使用時間取得部５０は、表示装置１が駆動した時間の累積値、又は発光素子１１０の発光電圧の電圧値と発光時間とを乗じて累積した値を使用時間として取得することにしてもよい。
また、本実施の形態１、２及びその変形例１では、素子温度取得部６０は、駆動トランジスタ１２０の特性から、発光素子１１０の素子温度を取得することとした。しかし、素子温度取得部６０は、温度センサによって発光素子１１０の素子温度を計測することで、発光素子１１０の素子温度を取得することにしてもよい。
また、本実施の形態１、２及びその変形例１では、素子温度取得部６０は、画素部１００ごとに、発光素子１１０の素子温度を取得することとした。しかし、素子温度取得部６０は、複数の画素部１００の中から、代表的な１つの発光素子１１０の素子温度を取得し、当該素子温度を他の全ての発光素子１１０の素子温度に適用することにしてもよい。
また、本実施の形態１、２及びその変形例１では、制御部８０は、素子温度取得部６０が取得した素子温度から、バイアス電圧の電圧値や短絡時間を決定することとした。しかし、制御部８０は、予め素子温度を典型的な値に定めておくことで、素子温度取得部６０によって素子温度を取得することなく、バイアス電圧の電圧値や短絡時間を決定することにしてもよい。
また、本実施の形態１、２及びその変形例２では、制御部８０は、使用時間又は輝度の劣化度合が大きくなるほど、バイアス電圧の電圧値が大きくなるように制御することとした。しかし、制御部８０は、使用時間又は輝度の劣化度合が大きくなるほど、バイアス電圧の電圧値が大きくなり、かつ、バイアス電圧の印加時間も長くなるように制御することにしてもよい。
また、本実施の形態１、２の変形例１及び変形例３では、制御部８０は、使用時間又は輝度の劣化度合が大きくなるほど、短絡時間が長くなるように制御することとした。しかし、制御部８０は、発光素子１１０のアノードとカソードの間が短絡されておらず、発光素子１１０に一定の逆バイアス電圧が印加されている場合でも、使用時間又は輝度の劣化度合が大きくなるほど、一定の逆バイアス電圧の印加時間が長くなるように制御することにしてもよい。
また、本実施の形態１、２及びその変形例２では、制御部８０は、発光素子１１０のアノードにバイアス電圧を印加することで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することとした。しかし、制御部８０は、発光素子１１０のカソードの方がアノードより電位が高くなるように、カソードの一方又はアノード及びカソードの双方にバイアス電圧を印加することで、発光素子１１０の輝度劣化を回復することにしてもよい。また、発光素子１１０のアノードがカソードと同じか少し高い電位であっても、発光素子１１０の輝度劣化を回復することができるのであれば、制御部８０は、当該電位になるように、バイアス電圧を印加することにしてもよい。
また、本実施の形態１及びその変形例では、制御部８０は、記憶部７０に予め記憶されたトラップ準位テーブル７１又は７１ａからトラップ準位を取得することとした。しかし、制御部８０は、計測された発光素子１１０の発光電圧及び発光電流から算出されるトラップ準位に基づいて更新されるトラップ準位テーブル７１又は７１ａから、トラップ準位を取得することにしてもよい。
また、本実施の形態２及びその変形例２では、制御部８０は、記憶部７０に予め記憶された逆バイアステーブル７６又は７６ａから逆バイアス電圧の電圧値を取得することとした。しかし、制御部８０は、計測された発光素子１１０の発光電圧及び発光電流から算出されるトラップ準位に基づいて更新される逆バイアステーブル７６又は７６ａから、逆バイアス電圧の電圧値を取得することにしてもよい。
また、本実施の形態２の変形例１及びその変形例３では、制御部８０は、記憶部７０に予め記憶された短絡時間テーブル７７又は７７ａから短絡時間を取得することとした。しかし、制御部８０は、計測された発光素子１１０の発光電圧及び発光電流から算出されるトラップ準位に基づいて更新される短絡時間テーブル７７又は７７ａから、短絡時間を取得することにしてもよい。
本発明は、特に表示装置を内蔵する有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用であり、有機ＥＬ素子のような発光素子の輝度劣化の回復を最適に行うことができ、発光素子の長寿命化を図ることができる表示装置等として用いるのに最適である。
１ 表示装置
１０ 表示部
２０ 走査線駆動回路
２１ 走査線
３０ データ線駆動回路
３１ データ線
４０ 電圧印加部
４１ 電圧印加線
４５ 短絡部
５０ 使用時間取得部
６０ 素子温度取得部
６５ 電圧電流取得部
７０ 記憶部
７１、７１ａ トラップ準位テーブル
７２ トラップバイアステーブル
７３ 使用時間テーブル
７４ 温度テーブル
７５ トラップ短絡テーブル
７６、７６ａ 逆バイアステーブル
７７、７７ａ 短絡時間テーブル
８０ 制御部
９０ 回復措置部
１００ 画素部
１１０ 発光素子
１１１ ホール注入電極
１１２ 電子注入電極
１１３ 有機発光層
１２０ 駆動トランジスタ
１２１ スイッチ
１３０ スイッチングトランジスタ
１４０ 保持容量
１５０、１６０ 電源
１５１ 電源線
１７０ 短絡用トランジスタ

Claims (15)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、
    前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置。
  2. 前記メモリは、前記発光素子の使用時間及び前記発光素子の温度に対応させて前記発光素子のトラップ準位を記憶しており、
    前記表示装置は、さらに、
    前記発光素子の温度を計測する第２取得部を有し、
    前記制御部は、
    前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間及び前記第２取得部から取得した前記発光素子の温度に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間及び前記発光素子の温度に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加し、
    前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
  3. 前記発光素子の使用時間は、前回前記発光素子に逆バイアスを印加したときから今回前記発光素子に逆バイアスを印加するときまでに対応する時間である
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
  4. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、
    前記発光素子のアノードとカソードとを短絡させる短絡トランジスタと、
    前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した短絡時間の間、前記短絡トランジスタで短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が長くなるように、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間を変動させる
    ことを特徴とする表示装置。
  5. 前記発光素子の使用時間は、前回前記短絡トランジスタによる短絡を終了したときから今回前記短絡トランジスタによる短絡を開始するときまでに対応する時間である
    ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、
    前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、前記算出した輝度劣化度合に対応する前記発光素子のトラップ準位を前記メモリから読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置。
  7. 前記発光素子の輝度劣化度合は、前記発光素子の所定の使用時間に対応したものである
    ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
  8. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、
    前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子のアノードとカソードとを短絡させる短絡トランジスタと、
    前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、前記算出した輝度劣化度合に対応する前記発光素子のトラップ準位を前記メモリから読み出し、前記読み出したトラップ準位に対応した短絡時間の間、前記短絡トランジスタで短絡させてトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間が長くなるように、前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時間を変動させる
    ことを特徴とする表示装置。
  9. 前記発光素子の輝度劣化度合は、前記発光素子の所定の使用時間に対応したものである
    ことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
  10. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応した逆バイアス電圧量を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、
    前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、
    前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応する逆バイアス電圧量を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、前記メモリを参照して、前記算出した輝度劣化度合に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置。
  12. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、を具備した表示装置の制御方法であって、
    前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応するトラップ準位を読み出し、
    前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去り、
    前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置の制御方法。
  13. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、
    前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、を具備した表示装置の制御方法であって、
    前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、
    前記算出した輝度劣化度合に対応する前記発光素子のトラップ準位を前記メモリから読み出し、
    前記読み出したトラップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去り、
    前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置の制御方法。
  14. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応した逆バイアス電圧量を、前記発光素子の使用時間に対応させて記憶しているメモリと、
    前記発光素子の使用時間を計測する取得部と、を具備した表示装置の制御方法であって、
    前記取得部から取得した前記発光素子の使用時間に基づいて、前記メモリを参照して、前記発光素子の使用時間に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、
    前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去り、
    前記発光素子の使用時間が長くなるほど、前記発光素子に印加される逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加される逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置の制御方法。
  15. 発光素子と、
    前記発光素子に電流を供給して前記発光素子を発光させる電源線と、
    電荷を蓄積するコンデンサと、
    前記コンデンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記電源線から前記発光素子に流させる駆動素子と、
    前記発光素子の発光電圧を取得する第１取得部と、
    前記発光素子の発光電流を取得する第２取得部と、
    前記発光素子に電流を供給するに従って前記発光素子に形成されるエネルギー準位であるトラップ準位に対応する逆バイアス電圧量を、前記発光素子の輝度劣化度合に対応させて記憶しているメモリと、を具備した表示装置の制御方法であって、
    前記発光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて、同一電圧により前記発光素子に流れる発光電流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流を流すために必要とされる電圧の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、
    前記メモリを参照して、前記算出した輝度劣化度合に対応する逆バイアス電圧量を読み出し、前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記発光素子に印加してトラップ準位にたまった電荷を抜き去り、
    前記発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量が大きくなるように、前記発光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動させる
    ことを特徴とする表示装置の制御方法。
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