TWI417840B - 畫素電路、主動式矩陣有機發光二極體顯示器及畫素電路之驅動方法 - Google Patents

畫素電路、主動式矩陣有機發光二極體顯示器及畫素電路之驅動方法 Download PDF

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Description

畫素電路、主動式矩陣有機發光二極體顯示器及畫素電路之驅動方法
本發明是有關於一種有機發光二極體顯示技術領域，且特別是有關於一種畫素電路、主動式矩陣有機發光二極體顯示器以及畫素電路之驅動方法。
主動式矩陣有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器之畫素一般係以電晶體搭配儲存電容來儲存電荷，以控制有機發光二極體的亮度表現。請參見圖1，其為傳統畫素電路之示意圖。畫素電路200包括P型驅動電晶體202、N型開關電晶體204、儲存電容Cst以及有機發光二極體210。驅動電晶體202之源極S電性耦接至電源電壓OVDD；開關電晶體204之閘極G因電性耦接關係而接收掃描訊號SCAN，汲極D因電性耦接關係而接收資料電壓Vdata，源極S電性耦接至驅動電晶體202之閘極；儲存電容Cst之兩端跨接於驅動電晶體202之閘極G與源極S之間，其電容跨壓係標示為Vsg ；有機發光二極體210之陽極電性耦接至驅動電晶體202之汲極D，陰極電性耦接至另一電源電壓OVSS。前述畫素結構係藉由電容跨壓Vsg 控制流過驅動電晶體202之電流大小，即流過有機發光二極體210之畫素電流Ioled =K*(Vsg -VTH )2 ；其中，K為常數，Vsg 之大小係相關於電源電壓OVDD及資料電壓Vdata之大小，VTH 為驅動電晶體202之臨界電壓。
由於主動式矩陣有機發光二極體顯示器上的電源電壓OVDD於每個畫素間都相連接在一起，當驅動有機發光二極體210發亮時，電源電壓OVDD金屬線上會有電流流過，而由於本身OVDD金屬線上具有阻抗，所以會有電源電壓降(IR-drop)存在，使得每一顆畫素的電源電壓OVDD會有差異，造成畫素與畫素之間會有畫素電流Ioled 差異，流過OLED的電流不同其所產生的亮度就會不同，造成面板顯示不均勻。另外，由於製程的影響，每一個畫素的驅動電晶體202的臨界電壓VTH 均不相同，導致即使給予相同的資料電壓Vdata，其所產生的畫素電流仍然會有差異，造成面板顯示不均勻。此外，有機發光二極體210隨著使用時間增加會產生材料衰減問題以致於機發光二極體210的跨壓上升，如此便會造成畫素電流Ioled 下降，進而導致面板之整體顯示亮度下降。
本發明的目的之一就是在提供一種畫素電路，以改善面板顯示不均勻的問題以及有機發光二極體之材料衰減問題。
本發明的再一目的是提供一種主動式矩陣有機發光二極體顯示器，以改善面板顯示不均勻的問題以及有機發光二極體之材料衰減問題。
本發明的又一目的是提供一種畫素電路之驅動方法，以改善面板顯示不均勻的問題以及有機發光二極體之材料衰減問題。
本發明一實施例提出的一種畫素電路，其包括：有機發光二極體、儲存電容、驅動電晶體、第一開關電晶體、第二開關電晶體、第三開關電晶體以及第四開關電晶體。其中，儲存電容包括第一端及第二端；驅動電晶體用以驅動有機發光二極體發亮，其之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第一端，第二源/汲極電性耦接至有機發光二極體；第一開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收掃描訊號，其之第一源/汲極電性耦接至預設電壓，第二源/汲極電性耦接至儲存電容之第一端；第二開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收前述掃描訊號，其之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第二端，第二源/汲極電性耦接至驅動電晶體之閘極；第三開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收前述掃描訊號，其之第一源/汲極電性耦接至驅動電晶體之第二源/汲極，第二源/汲極電性耦接至驅動電晶體之閘極；第四開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收前述掃描訊號，其之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第二端，第二源/汲極因電性耦接關係而接收資料電壓。
在本發明的一實施例中，前述之第一開關電晶體及第二開關電晶體之導通/截止狀態與第三開關電晶體及第四開關電晶體之導通/截止狀態相反。進一步地，第一開關電晶體及第二開關電晶體可為P型電晶體，第三開關電晶體及第四開關電晶體可為N型電晶體。
本發明再一實施例提出的一種主動式矩陣有機發光二極體顯示器，其包括：資料驅動電路、掃描驅動電路以及至少一畫素。其中，畫素包括：有機發光二極體、儲存電容、驅動電晶體、第一開關電晶體、第二開關電晶體、第三開關電晶體及第四開關電晶體。儲存電容包括第一端及第二端；驅動電晶體用以驅動有機發光二極體發亮，其之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第一端，第二源/汲極電性耦接至有機發光二極體；第一開關電晶體之閘極透過掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/汲極電性耦接至預設電壓，第二源/汲極電性耦接至儲存電容之第一端；第二開關電晶體之閘極透過前述掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第二端，第二源/汲極電性耦接至驅動電晶體之閘極；第三開關電晶體之閘極透過前述掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/汲極電性耦接至驅動電晶體之第二源/汲極，第二源/汲極電性耦接至驅動電晶體之閘極；第四開關電晶體之閘極透過前述掃描線電性耦接至掃描驅動電路，第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第二端，第二源/汲極透過資料線電性耦接至資料驅動電路。再者，第一開關電晶體及第二開關電晶體之閘極開啟電壓與第三開關電晶體及第四開關電晶體之閘極開啟電壓互為反相。進一步地，第一開關電晶體及第二開關電晶體可為P型電晶體，第三開關電晶體及第四開關電晶體可為N型電晶體。
本發明又一實施例提出一種畫素電路之驅動方法，此畫素電路包括有機發光二極體、儲存電容及驅動電晶體；驅動電晶體用以驅動有機發光二極體發亮，其之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第一端，第二源/汲極電性耦接至有機發光二極體。其中，驅動方法包括步驟：提供預設電壓至儲存電容之第一端，並使儲存電容之第二端與驅動電晶體之閘極相通；提供資料電壓至儲存電容之第二端，並使儲存電容之第一端透過驅動電晶體及有機發光二極體放電至有機發光二極體之導通電流幾乎為零為止，以使儲存電容存有一電荷量；以及再提供預設電壓至儲存電容之第一端以及使儲存電容之第二端與驅動電晶體之閘極相通，以致於驅動電晶體根據儲存電容上之電荷量產生畫素電流驅動有機發光二極體發亮。
在本發明的一實施例中，當畫素更包括第一開關電晶體及第二開關電晶體，且第一開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至預設電壓，第一開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至儲存電容之第一端，第二開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第二端，第二開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至驅動電晶體之閘極時，前述提供預設電壓至儲存電容之第一端，並使儲存電容之第二端與驅動電晶體之閘極相通之步驟包括：導通第一開關電晶體及第二開關電晶體。
在本發明的一實施例中，當畫素更包括第三開關電晶體及第四開關電晶體，且第三開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至驅動電晶體之第二源/汲極，第三開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至驅動電晶體之閘極，第四開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至儲存電容之第二端，第四開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至資料電壓時，前述提供資料電壓至儲存電容之第二端，並使儲存電容之第一端透過驅動電晶體及有機發光二極體放電至有機發光二極體之導通電流幾乎為零為止，以使儲存電容存有電荷量之步驟包括：截止第一開關電晶體及第二開關電晶體，並導通第三開關電晶體及第四開關電晶體。進一步地，前述提供預設電壓至儲存電容之第一端，並使儲存電容之第二端與驅動電晶體之閘極相通之步驟更可包括：截止第三開關電晶體及第四開關電晶體。
在本發明的一實施例中，前述之第一開關電晶體、第二開關電晶體、第三開關電晶體及第四開關電晶體之導通/截止狀態係由同一控制訊號決定。
在本發明的一實施例中，前述再提供預設電壓至儲存電容之第一端以及使儲存電容之第二端與驅動電晶體之閘極相通，以致於驅動電晶體根據儲存電容上之電荷量產生畫素電流驅動有機發光二極體之步驟包括：導通第一開關電晶體及第二開關電晶體，並截止第三開關電晶體及第四開關電晶體。
本發明實施例藉由對畫素之電路結構進行設計，可使得流過有機發光二極體的畫素電流之大小相關於資料電壓及有機發光二極體之跨壓，而與預設電壓及驅動電晶體之臨界電壓無關。因此，本發明實施例提出的畫素電路、主動式矩陣有機發光二極體顯示器以及畫素電路之驅動方法可有效改善面板顯示不均勻的問題以及有機發光二極體之材料衰減問題，以提供高質量的顯示畫面，進而達成本發明的目的。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
參見圖2，其繪示出相關於本發明實施例之一種主動式矩陣有機發光二極體顯示器。主動式矩陣有機發光二極體顯示器100包括資料驅動電路102、掃描驅動電路104以及多個畫素電路P，圖2中僅示出一個畫素電路P作為舉例，但並非用來限制本發明。如圖2所示，資料驅動電路102用以提供資料電壓Vdata，掃描驅動電路104用以提供掃描訊號SCAN；畫素電路P包括儲存電容Cst、驅動電晶體M1、開關電晶體M2~M5以及有機發光二極體110。驅動電晶體M1用以驅動有機發光二極體110發亮，驅動電晶體M1之源極S1電性耦接至儲存電容Cst之A端，驅動電晶體M1之汲極D1電性耦接至有機發光二極體110之陽極，而有機發光二極體110的陰極電性耦接至電源電壓OVSS。開關電晶體M2之閘極G2電性耦接至掃描線105(圖2中僅示出一個作為舉例，但並非用來限制本發明)以透過掃描線105從掃描驅動電路104接收掃描訊號SCAN，開關電晶體M2之源極S2電性耦接至另一電源電壓OVDD，開關電晶體M2之汲極D2電性耦接至儲存電容Cst之A端。開關電晶體M3之閘極G3電性耦接至掃描線105以透過掃描線105從掃描驅動電路104接收掃描訊號SCAN，開關電晶體M3之源極S3電性耦接至儲存電容Cst之B端，開關電晶體M3之汲極D3電性耦接至驅動電晶體M1之閘極G1。開關電晶體M4之閘極G4電性耦接至掃描線105以透過掃描線105從掃描驅動電路104接收掃描訊號SCAN，開關電晶體M4之源極S4電性耦接至驅動電晶體M1之汲極D1，開關電晶體M4之汲極D4電性耦接至驅動電晶體M1之閘極G1。開關電晶體M5之閘極G5電性耦接至掃描線105以透過掃描線105從掃描驅動電路104接收掃描訊號SCAN，開關電晶體M5之源極S5電性耦接至儲存電容之B端，開關電晶體M5之汲極D5電性耦接至資料線103(圖2中僅示出一個作為舉例，但並非用來限制本發明)以透過資料線103從資料驅動電路102接收資料電壓Vdata。此外，開關電晶體M2及M3之閘極開啟電壓(Gate-On Voltage)與開關電晶體M4及M5之閘極開啟電壓互為反相，例如開關電晶體M2及M3為P型電晶體，而開關電晶體M4及M5為N型電晶體；相應地，開關電晶體M2及M3的導通/截止狀態與開關電晶體M4及M5的導通/截止狀態相反。
下面將結合圖2及圖3詳細描述主動式矩陣有機發光二極體顯示器100的畫素電路之驅動方法，其中圖3繪示出相關於本發明實施例的畫素P之驅動方法的時序圖，從圖3中可以得知，驅動畫素P之過程包括第一階段S1、第二階段S2及第三階段S3。
具體地，於畫素P之驅動方法的第一階段S1，掃描驅動電路104提供之掃描訊號SCAN為低電壓位準L，使得開關電晶體M2及M3導通且開關電晶體M4及M5處於截止狀態。如此一來，電源電壓OVDD便透過導通的開關電晶體M2使儲存電容Cst之A端的電壓位準為OVDD，儲存電容Cst之B端因開關電晶體M3導通而與驅動電晶體M1之閘極G1相通。
接著於第二階段S2，掃描驅動電路104提供之掃描訊號SCAN的電壓位準轉變為使開關電晶體M2及M3截止之高電壓位準H，此時開關電晶體M4及M5導通。如此，儲存電容Cst之A端便透過驅動電晶體M1之源-汲極S1-D1與有機發光二極體110對電源電壓OVSS放電，直到有機發光二極體之導通電流幾乎為零為止，此時有機發光二極體110之陽極具有一電壓位準Voled(亦即，有機發光二極體110之跨壓與電源電壓OVSS之和)，使得儲存電容Cst之A端的電壓位準為(Voled+VTH)；其中VTH為驅動電晶體M1之臨界電壓。此電壓位準Voled會隨著有機發光二極體210的材料衰減特性而變動，即有機發光二極體110操作時間越久，其電壓位準Voled會越高。再回到電路上來看，此時資料驅動電路102提供之資料電壓Vdata透過導通的開關電晶體M5使儲存電容Cst之B端的電壓位準為Vdata，以致於儲存電容Cst上存儲有電荷量(Voled+VTH-Vdata)。
然後於第三階段S3，掃描驅動電路104提供之掃描訊號SCAN的電壓位準轉變為使開關電晶體M2及M3導通之低電壓位準L，此時開關電晶體M4及M5截止。如此一來，驅動電晶體M1便能根據此時儲存電容Cst上之電荷量(即電容跨壓Vs1g1)產生畫素電流Ioled驅動有機發光二極體110產生對應的亮度。此時，儲存電容Cst之B端因開關電晶體M3導通而與驅動電晶體M1之閘極G1相通，電源電壓OVDD再次透過導通的開關電晶體M2提供至儲存電容Cst之A端使得儲存 電容Cst之A端的電壓位準改變為OVDD，且因電容兩端電壓連續之特性，儲存電容Cst之B端的電壓位準亦隨之增加電壓△V。此電壓△V等於A端之電壓位準從(Voled+VTH)改變至OVDD之變化量，即△V=OVDD-Voled-VTH。故，儲存電容Cst之B端的電壓位準最終會改變為(Vdata+△V)，即(Vdata+OVDD-Voled-VTH)。
承上述，流過有機發光二極體110之畫素電流Ioled=K*(Vs1g1-VTH)2，閘極G1之電壓位準即為B端之電壓位準(Vdata+OVDD-Voled-VTH)，而源極S1之電壓位準即為A端之電壓位準OVDD，故畫素電流Ioled=K*[(OVDD-Vdata-OVDD+Voled+VTH)-VTH]2=K*(Voled-Vdata)2。至此可以得知，於第三階段S3(亦即顯示階段)中，流過有機發光二極體110之畫素電流Ioled之大小僅與電壓位準Voled及資料電壓Vdata有關，而與臨界電壓VTH及電源電壓OVDD無關；且當有機發光二極體110之陽極上的電壓準位Voled因有機發光二極體110操作時間增加而上升時，會提高畫素電流Ioled以補償當有機發光二極體110之亮度下降情況。如此一來，有機發光二極體之材料衰減問題以及因電源電壓降(IR-drop)影響及製程對驅動電晶體M1的臨界電壓之影響而造成的面板顯示不均勻之問題可以得到有效改善，從而使得主動式矩陣有機發光二極體顯示器100長時間使用下仍能保持較佳的顯示品質。
綜上所述，本發明實施例藉由對畫素之電路結構進行設計，可使得流過有機發光二極體的畫素電流之大小相關於資料電壓及有機發光二極體之跨壓，而與預設電壓及驅動電晶體之臨界電壓無關。因此，本發明實施例提出的畫素電路、主動式 矩陣有機發光二極體顯示器以及畫素電路之驅動方法可有效改善面板顯示不均勻的問題以及有機發光二極體之材料衰減問題，以提供高質量的顯示畫面，進而達成本發明的目的。
此外，任何熟習此技藝者還可對本發明上述實施例提出的主動式矩陣發光二極體顯示器及畫素電路之驅動方法作適當變更，例如適當變更畫素電路的電路結構、主動式矩陣有機發光二極體顯示器之像素數量、各個電晶體之種類(P型或N型)、將各個電晶體的源極與汲極之電連接關係互換等等。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧畫素電路
202‧‧‧P型驅動電晶體
204‧‧‧N型開關電晶體
210‧‧‧有機發光二極體
Cst‧‧‧儲存電容
G‧‧‧閘極
D‧‧‧汲極
S‧‧‧源極
Vsg‧‧‧電容跨壓
SCAN‧‧‧掃描訊號
Vdata‧‧‧資料電壓
Ioled‧‧‧畫素電流
OVDD、OVSS‧‧‧電源電壓
100‧‧‧主動式矩陣有機發光二極體顯示器
102‧‧‧資料驅動電路
103‧‧‧資料線
104‧‧‧掃描驅動電路
105‧‧‧掃描線
110‧‧‧有機發光二極體
M1‧‧‧驅動電晶體
M2~M5‧‧‧開關電晶體
Vs1g1‧‧‧電容跨壓
G1~G5‧‧‧閘極
D1~D5‧‧‧汲極
S1~S5‧‧‧源極
S1‧‧‧第一階段
S2‧‧‧第二階段
S3‧‧‧第三階段
L‧‧‧低電壓位準
H‧‧‧高電壓位準
圖1繪示出傳統畫素電路之示意圖。
圖2繪示出相關於本發明實施例之主動式矩陣有機發光二極體顯示器。
圖3繪示出相關於本發明實施例的像素電路之驅動方法之時序圖。
Cst．．．儲存電容
Vs1g1 ．．．電容跨壓
SCAN．．．掃描訊號
Vdata．．．資料電壓
Ioled ．．．畫素電流
OVDD、OVSS．．．電源電壓
100．．．主動式矩陣有機發光二極體顯示器
102．．．資料驅動電路
103．．．資料線
104．．．掃描驅動電路
105．．．掃描線
110．．．有機發光二極體
M1．．．驅動電晶體
M2~M5．．．開關電晶體
G1~G5．．．閘極
D1~D5．．．汲極
S1~S5．．．源極

Claims (8)

  1. 一種畫素電路，包括：一有機發光二極體；一儲存電容，包括一第一端及一第二端；一驅動電晶體，用以驅動該有機發光二極體發亮，該驅動電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第一端，該驅動電晶體之第二源/汲極電性耦接至該有機發光二極體；一第一開關電晶體，該第一開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收一掃描訊號，該第一開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至一預設電壓，該第一開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第一端；一第二開關電晶體，該第二開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收該掃描訊號，該第二開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第二端，該第二開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之閘極；一第三開關電晶體，該第三開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收該掃描訊號，該第三開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之該第二源/汲極，該第三開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之該閘極；以及一第四開關電晶體，該第四開關電晶體之閘極因電性耦接關係而接收該掃描訊號，該第四開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第二端，該第四開關電晶體之第二源/汲極因電性耦接關係而接收一資料電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素電路，其中該第一開關電晶體及該第二開關電晶體之導通/截止狀態與該第三開關電晶體及該第四開關電晶體之導通/截止狀態相反。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之畫素電路，其中該第一開 關電晶體及該第二開關電晶體為P型電晶體，該第三開關電晶體及該第四開關電晶體為N型電晶體。
  4. 一種主動式矩陣有機發光二極體顯示器，包括：一資料驅動電路；一掃描驅動電路；以及至少一畫素，包括：一有機發光二極體；一儲存電容，包括一第一端及一第二端；一驅動電晶體，用以驅動該有機發光二極體發亮，該驅動電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第一端，該驅動電晶體之第二源/汲極電性耦接至該有機發光二極體；一第一開關電晶體，該第一開關電晶體之閘極透過一掃描線電性耦接至該掃描驅動電路，該第一開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至一預設電壓，該第一開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第一端；一第二開關電晶體，該第二開關電晶體之閘極透過該掃描線電性耦接至該掃描驅動電路，該第二開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第二端，該第二開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之閘極；一第三開關電晶體，該第三開關電晶體之閘極透過該掃描線電性耦接至該掃描驅動電路，該第三開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之該第二源/汲極，該第三開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之該閘極；以及一第四開關電晶體，該第四開關電晶體之閘極透過該 掃描線電性耦接至該掃描驅動電路，該第四開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第二端，該第四開關電晶體之第二源/汲極透過一資料線電性耦接至該資料驅動電路；其中，該第一開關電晶體及該第二開關電晶體之閘極開啟電壓與該第三開關電晶體及該第四開關電晶體之閘極開啟電壓互為反相。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之主動式矩陣有機發光二極體顯示器，其中該第一開關電晶體及該第二開關電晶體為P型電晶體，該第三開關電晶體及該第四開關電晶體為N型電晶體。
  6. 一種畫素電路之驅動方法，該畫素電路包括一有機發光二極體、一儲存電容、一驅動電晶體、一第一開關電晶體、一第二開關電晶體、一第三開關電晶體及一第四開關電晶體，該驅動電晶體用以驅動該有機發光二極體發亮，該驅動電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之一第一端，該驅動電晶體之第二源/汲極電性耦接至該有機發光二極體，該第一開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至一預設電壓，該第一開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第一端，該第二開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之一第二端，該第二開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之閘極，該第三開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之該第二源/汲極，該第三開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至該驅動電晶體之該閘極，該第四開關電晶體之第一源/汲極電性耦接至該儲存電容之該第二端，該第四開關電晶體之第二源/汲極電性耦接至一資料電壓；該驅動方法包括步驟： 導通該第一開關電晶體及該第二開關電晶體，並截止該第三開關電晶體及該第四開關電晶體，提供該預設電壓至該儲存電容之該第一端，並使該儲存電容之該第二端與該驅動電晶體之該閘極相通；截止該第一開關電晶體及該第二開關電晶體，並導通該第三開關電晶體及該第四開關電晶體，提供該資料電壓至該儲存電容之該第二端，並使該儲存電容之該第一端透過該驅動電晶體及該有機發光二極體放電至該有機發光二極體之導通電流幾乎為零為止，以使該儲存電容存有一電荷量；以及再提供該預設電壓至該儲存電容之該第一端以及使該儲存電容之該第二端與該驅動電晶體之該閘極相通，以致於該驅動電晶體根據該儲存電容之該電荷量產生一畫素電流驅動該有機發光二極體發亮。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之驅動方法，其中該第一開關電晶體、該第二開關電晶體、該第三開關電晶體及該第四開關電晶體之導通/截止狀態係由同一控制訊號決定。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之驅動方法，其中再提供該預設電壓至該儲存電容之該第一端以及使該儲存電容之該第二端與該驅動電晶體之該閘極相通，以致於該驅動電晶體根據該儲存電容之該電荷量產生該畫素電流驅動該有機發光二極體發亮之步驟包括：導通該第一開關電晶體及該第二開關電晶體，並截止該第三開關電晶體及該第四開關電晶體。
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