JP4583076B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
本実施の形態の発光素子は、図1に示したように、基板5と、基板5の中央に配置された青色発光ダイオード2と、青色発光ダイオード2を取り囲むように基板5上に搭載されたケース1と、ケース1内の空間に充填された例えばエポキシ等の樹脂8とを有する。樹脂8には、青色発光ダイオード2が発した青色光の一部を吸収し、黄色光を発する蛍光体10が分散されている。青色発光ダイオード2の発光主波長は、465nmである。基板5は樹脂製であり、基板5上には銅に銀メッキ処理を施すことにより形成された電極6,7が配置されている。電極6,7は、金線3,4により青色発光ダイオード2の電極端子と接合されている。ケース1は、反射率の高い樹脂で形成されており、青色発光ダイオード2が発した青色光及び蛍光体10が発した黄色光を反射し、樹脂8の上面から外部に出射するように構成されている。これにより、樹脂8の上面からは青色光と黄色光とが混合された白色光が発せられる。蛍光体10は、(Y、Gd)3Al5O12:Ceを用いている。これは、一般にYAG(ヤグ)として知られるY3Al5O12結晶のY原子の一部をGdで置換した構造であり、微量のCeがドープされたものである。
予めアルミ板に銀メッキ処理により電極6,7が形成された基板6に、反射率の高い樹脂で形成されたケース1を取り付け、ケース1の中心に発光主波長465nmの青色発光ダイオード2を固定して、金線3,4により電極6,7に接合した。
Claims (6)
- 所望の蛍光体の組成比となるように配合した原料を溶媒中に溶解して溶液を作製する工程と、
前記溶液に高分子材料を含有させることにより、ポリマー含有原料溶液を作製する工程と、
前記ポリマー含有原料溶液を所定の温度で加熱して所望の蛍光体の微粒子を生成する工程と、
前記蛍光体の微粒子を透明な樹脂中に分散する工程と、
前記透明な樹脂で発光ダイオードを覆う工程と、
を含む発光素子の製造方法。 - 前記所望の蛍光体は、(Y,Gd) 3 Al 5 O 12 :Ceであり、前記溶液は、硝酸イットリウム、硝酸ガドリニウム、硝酸アルミニウムおよび硝酸セリウムを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記溶媒は、水であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子の製造方法。
- 前記高分子材料は、分子量400〜4,000,000の、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、デキストランおよびプルランのいずれかを含むことを特徴とする請求項1から3に記載の発光素子の製造方法。
- 前記ポリマー含有原料溶液の加熱の温度は、1000〜1500℃であることを特徴とする請求項1から4に記載の発光素子の製造方法。
- 前記蛍光体の微粒子は、一次粒子の流径が1μm以下の単結晶微粒子であり、前記透明な樹脂中に分散したときに粒径が5μm以上の二次粒子を形成することを特徴とする請求項1から5に記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004173845A JP4583076B2 (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | 発光素子 |
| CNB2005100719307A CN100452451C (zh) | 2004-06-11 | 2005-05-23 | 发光元件 |
| CN2008101340861A CN101334141B (zh) | 2004-06-11 | 2005-05-23 | 发光元件 |
| US11/146,354 US7728508B2 (en) | 2004-06-11 | 2005-06-07 | Light emitting diode with fluorescent material |
| DE102005026948A DE102005026948A1 (de) | 2004-06-11 | 2005-06-10 | Leuchtvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004173845A JP4583076B2 (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005353888A JP2005353888A (ja) | 2005-12-22 |
| JP4583076B2 true JP4583076B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=35460910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004173845A Expired - Fee Related JP4583076B2 (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | 発光素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7728508B2 (ja) |
| JP (1) | JP4583076B2 (ja) |
| CN (2) | CN100452451C (ja) |
| DE (1) | DE102005026948A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI286393B (en) * | 2004-03-24 | 2007-09-01 | Toshiba Lighting & Technology | Lighting apparatus |
| JP4524607B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2010-08-18 | 豊田合成株式会社 | 改善されたシリケート系蛍光体及びそれを用いたledランプ |
| FR2901561B1 (fr) * | 2006-05-29 | 2012-06-15 | Pierre Dumoux | Substances transparentes ou translucides et photoluminescentes |
| DE602007006952D1 (de) * | 2006-06-21 | 2010-07-15 | Philips Intellectual Property | Lichtemittierende vorrichtung mit mindestens einem keramischen sphärischen farbwandlermaterial |
| US7902564B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-03-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices |
| US20090173958A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-09 | Cree, Inc. | Light emitting devices with high efficiency phospor structures |
| WO2009153940A1 (ja) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | パナソニック株式会社 | 表示装置及び表示装置の制御方法 |
| JP5461910B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微粒子の凝集抑制方法及び保存液 |
| KR102045349B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2019-11-15 | 쇼오트 아게 | 형광체 조성물 및 그의 제조 방법 |
| KR101873221B1 (ko) | 2011-12-09 | 2018-07-06 | 삼성전자주식회사 | 형광체 및 발광장치 |
| JP5649202B2 (ja) | 2012-04-24 | 2015-01-07 | 株式会社光波 | 蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置 |
| KR20140113046A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN105684170B (zh) * | 2013-08-09 | 2019-09-03 | 株式会社光波 | 发光装置 |
| JP6397282B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2018-09-26 | 積水化学工業株式会社 | ランタノイド含有酸化物微粒子の製造方法 |
| JP6384893B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2018-09-05 | 株式会社光波 | 単結晶蛍光体及び発光装置 |
| JP6955704B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2021-10-27 | 株式会社光波 | 発光装置 |
| JP6871665B2 (ja) | 2016-02-02 | 2021-05-12 | 株式会社タムラ製作所 | 蛍光体含有部材及びその製造方法、及び発光装置又はプロジェクター |
| CA3022990C (en) * | 2016-05-09 | 2024-02-20 | General Electric Company | Manganese-doped phosphor materials for high power density applications |
| JP6428813B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2018-11-28 | 信越化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US12509630B2 (en) * | 2018-11-21 | 2025-12-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a ceramic converter element, ceramic converter element, and optoelectronic component |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2746861B2 (ja) * | 1995-11-20 | 1998-05-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化セリウム超微粒子の製造方法 |
| BRPI9715293B1 (pt) | 1996-06-26 | 2016-11-01 | Osram Ag | elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico |
| DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| US6613247B1 (en) | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| JP3065263B2 (ja) | 1996-12-27 | 2000-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたled表示器 |
| JP3797812B2 (ja) * | 1999-01-11 | 2006-07-19 | 日立マクセル株式会社 | 無機蛍光体およびその製造方法 |
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| DE50004145D1 (de) | 1999-07-23 | 2003-11-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle |
| JP2001127346A (ja) | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2001196639A (ja) | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Led発光素子及びその製造方法 |
| JP2001210872A (ja) | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2001345483A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード |
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| DE10223988A1 (de) * | 2002-05-29 | 2003-12-18 | Siemens Ag | Leuchtstoffpulver, Verfahren zum Herstellen des Leuchtstoffpulvers und Leuchtstoffkörper mit dem Leuchtstoffpulver |
| JP3707688B2 (ja) | 2002-05-31 | 2005-10-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2004047748A (ja) | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2004115621A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Nec Lighting Ltd | フッ化物蛍光材料、その製造方法およびその材料を用いた発光素子 |
| JP2004162057A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-06-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体 |
| JP3921545B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2007-05-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法 |
-
2004
- 2004-06-11 JP JP2004173845A patent/JP4583076B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-23 CN CNB2005100719307A patent/CN100452451C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-23 CN CN2008101340861A patent/CN101334141B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-07 US US11/146,354 patent/US7728508B2/en active Active
- 2005-06-10 DE DE102005026948A patent/DE102005026948A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102005026948A1 (de) | 2006-03-23 |
| CN101334141B (zh) | 2010-12-15 |
| CN1707822A (zh) | 2005-12-14 |
| CN100452451C (zh) | 2009-01-14 |
| US20050276995A1 (en) | 2005-12-15 |
| JP2005353888A (ja) | 2005-12-22 |
| CN101334141A (zh) | 2008-12-31 |
| US7728508B2 (en) | 2010-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070501 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090924 |
|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100831 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100831 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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