JP2001345483A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JP2001345483A JP2001345483A JP2000163055A JP2000163055A JP2001345483A JP 2001345483 A JP2001345483 A JP 2001345483A JP 2000163055 A JP2000163055 A JP 2000163055A JP 2000163055 A JP2000163055 A JP 2000163055A JP 2001345483 A JP2001345483 A JP 2001345483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- light emitting
- diode element
- radiant flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光ダイオード素子からの放射束の紫外域を有
効に活用するとともに太陽光からの紫外線による光透過
性部材の劣化および黄変を防止する。 【解決手段】このような発光ダイオード１０では、発光
ダイオード素子１１からの放射される放射束は、その一
部が前記発光ダイオード素子１１の発光面側の前記発光
ダイオード素子１１と対向する反射面１６に、また一部
は直接光透過性部材１７を透過し出射面１８に向かう。
反射面１６では、前記発光ダイオード素子１１からの放
射束を受けることで可視光を放射する蛍光体により、主
に５００ｎｍ以上の可視域光の発光を行う。また、直接
光透過性部材１７の表面に向かった放射束の中で、４０
０ｎｍ以下の紫外域の成分は干渉膜２０で反射され、再
び透明樹脂材内に戻り、反射面１６の蛍光体に当たり、
可視光に変換され、直接または反射面１６に反射して出
射面１８から干渉膜２０から出射する。
効に活用するとともに太陽光からの紫外線による光透過
性部材の劣化および黄変を防止する。 【解決手段】このような発光ダイオード１０では、発光
ダイオード素子１１からの放射される放射束は、その一
部が前記発光ダイオード素子１１の発光面側の前記発光
ダイオード素子１１と対向する反射面１６に、また一部
は直接光透過性部材１７を透過し出射面１８に向かう。
反射面１６では、前記発光ダイオード素子１１からの放
射束を受けることで可視光を放射する蛍光体により、主
に５００ｎｍ以上の可視域光の発光を行う。また、直接
光透過性部材１７の表面に向かった放射束の中で、４０
０ｎｍ以下の紫外域の成分は干渉膜２０で反射され、再
び透明樹脂材内に戻り、反射面１６の蛍光体に当たり、
可視光に変換され、直接または反射面１６に反射して出
射面１８から干渉膜２０から出射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードを用
いた発光ダイオードに関する。
いた発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、特開平２−１９１３７９
号公報に記載の発光ダイオードは、発光ダイオード素子
の発光面に対向する双曲線の回転形状の鏡面反射面を設
けた構造をしている。これは、従来の発光ダイオード素
子全体を樹脂でモールドし、樹脂の外形形状により配光
制御していたものに対してより効率良く配光制御する発
明である。ここで、従来、発光ダイオード素子単独で白
色発光するものは極めて少なく、また効率も低く、演色
性も低い。しかしながら、特開平２−１９１３７９号公
報に記載の発明は発光ダイオード素子の放射束を反射面
で反射し配光制御するものであって、発光ダイオード素
子の波長を変換するものではない。発光ダイオード素子
の波長を変換する発光ダイオードとしては、日経エレク
トロニクス９９，５，１７号の４６頁に、ＧａＮ系白色
発光ダイオードとして、主に青色発光する発光ダイオー
ド素子を青色光で励起発光する蛍光体を含む樹脂層で充
填した白色発光ダイオードが記載されている。
号公報に記載の発光ダイオードは、発光ダイオード素子
の発光面に対向する双曲線の回転形状の鏡面反射面を設
けた構造をしている。これは、従来の発光ダイオード素
子全体を樹脂でモールドし、樹脂の外形形状により配光
制御していたものに対してより効率良く配光制御する発
明である。ここで、従来、発光ダイオード素子単独で白
色発光するものは極めて少なく、また効率も低く、演色
性も低い。しかしながら、特開平２−１９１３７９号公
報に記載の発明は発光ダイオード素子の放射束を反射面
で反射し配光制御するものであって、発光ダイオード素
子の波長を変換するものではない。発光ダイオード素子
の波長を変換する発光ダイオードとしては、日経エレク
トロニクス９９，５，１７号の４６頁に、ＧａＮ系白色
発光ダイオードとして、主に青色発光する発光ダイオー
ド素子を青色光で励起発光する蛍光体を含む樹脂層で充
填した白色発光ダイオードが記載されている。
【０００３】図６はこのような双曲線の回転形状の鏡面
反射面と蛍光体を含む樹脂層を組み合わせた従来の発光
ダイオードを示す断面図である。
反射面と蛍光体を含む樹脂層を組み合わせた従来の発光
ダイオードを示す断面図である。
【０００４】図６において、符号８０は発光ダイオー
ド、符号８１は主に青色発光する発光ダイオード素子で
あり、この発光ダイオード素子８１は、一方のリード線
部８２にマウントされ、他方のリード線部８３とはワイ
ヤ８４により電気的に接続されている。このような構造
によりリード線部８２，８３は、前記発光ダイオード素
子８１に電力を供給する。
ド、符号８１は主に青色発光する発光ダイオード素子で
あり、この発光ダイオード素子８１は、一方のリード線
部８２にマウントされ、他方のリード線部８３とはワイ
ヤ８４により電気的に接続されている。このような構造
によりリード線部８２，８３は、前記発光ダイオード素
子８１に電力を供給する。
【０００５】一方、外郭８５は、双曲線の回転形状の鏡
面反射面８６を有する。鏡面反射面８６は可視から紫外
域にわたって高い反射領域を有する反射膜のコーティン
グにより形成されている。発光ダイオード素子８１、リ
ード線部８３及びワイヤ８４は、発光ダイオード素子８
１から放射される青色光の放射束を受けることで可視光
を放射する蛍光体を含む透明樹脂材料により形成された
光透過性部材８７により一体的にモールドされ、前記外
郭８５の前記反射面８６内に固定されている。光透過性
部材８７の反射面８６の反対側は照明光を出射する出射
面８８となっている。
面反射面８６を有する。鏡面反射面８６は可視から紫外
域にわたって高い反射領域を有する反射膜のコーティン
グにより形成されている。発光ダイオード素子８１、リ
ード線部８３及びワイヤ８４は、発光ダイオード素子８
１から放射される青色光の放射束を受けることで可視光
を放射する蛍光体を含む透明樹脂材料により形成された
光透過性部材８７により一体的にモールドされ、前記外
郭８５の前記反射面８６内に固定されている。光透過性
部材８７の反射面８６の反対側は照明光を出射する出射
面８８となっている。
【０００６】このような従来の発光ダイオード８０で
は、発光ダイオード素子８１からの青色光は、一部が光
透過性部材８７を透過し直接または反射面８６に反射し
て出射面８８から出射し、他の一部が光透過性部材８７
に含まれる蛍光体に照射し、これにより蛍光体が可視光
を放射して直接または反射面８６に反射して出射面８８
から出射する。このような発光ダイオード素子８１から
の青色光と蛍光体からの可視光が重なり合うことによ
り、発光ダイオード８０は、白色光を出射することにな
る。
は、発光ダイオード素子８１からの青色光は、一部が光
透過性部材８７を透過し直接または反射面８６に反射し
て出射面８８から出射し、他の一部が光透過性部材８７
に含まれる蛍光体に照射し、これにより蛍光体が可視光
を放射して直接または反射面８６に反射して出射面８８
から出射する。このような発光ダイオード素子８１から
の青色光と蛍光体からの可視光が重なり合うことによ
り、発光ダイオード８０は、白色光を出射することにな
る。
【０００７】このような従来の発光ダイオード８０は、
蛍光体と青色の発光ダイオード素子８１の発光スペクト
ルを調整することでダイオード素子単独で白色発光もの
に比べて効率と演色性が高い白色光が得られる。しか
し、発光ダイオード８０から直接光透過性部材８７の出
射面８８に向かう放射束の内、紫外域は発光に寄与する
効果が少ないまま外部に放射されていた。また、このよ
うな従来の発光ダイオード８０は、反射面と発光ダイオ
ード素子８１との位置を固定するため、透明樹脂材料の
光透過性部材８７を充填するが、屋外などで太陽光が注
ぐところでは、紫外線などで光透過性部材が劣化および
黄変により、発光効率の低下や変色の原因となってい
た。また、リード線部に光が吸収され、発光効率が低下
していた。さらに、発光色は青色の発光ダイオード素子
８１の発光スペクトルを基本に蛍光体で赤から緑（５０
０ｎｍ以上の可視域光）を発光させて白色光とするた
め、効率を上げるためには青色光を活かした高色温度
（６０００Ｋ以上）の白色光となり、色温度を低くした
場合、発光効率を下げることになっていた。
蛍光体と青色の発光ダイオード素子８１の発光スペクト
ルを調整することでダイオード素子単独で白色発光もの
に比べて効率と演色性が高い白色光が得られる。しか
し、発光ダイオード８０から直接光透過性部材８７の出
射面８８に向かう放射束の内、紫外域は発光に寄与する
効果が少ないまま外部に放射されていた。また、このよ
うな従来の発光ダイオード８０は、反射面と発光ダイオ
ード素子８１との位置を固定するため、透明樹脂材料の
光透過性部材８７を充填するが、屋外などで太陽光が注
ぐところでは、紫外線などで光透過性部材が劣化および
黄変により、発光効率の低下や変色の原因となってい
た。また、リード線部に光が吸収され、発光効率が低下
していた。さらに、発光色は青色の発光ダイオード素子
８１の発光スペクトルを基本に蛍光体で赤から緑（５０
０ｎｍ以上の可視域光）を発光させて白色光とするた
め、効率を上げるためには青色光を活かした高色温度
（６０００Ｋ以上）の白色光となり、色温度を低くした
場合、発光効率を下げることになっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の発光ダ
イオードでは、発光ダイオードから直接光透過性部材の
出射面に向かう放射束の内、紫外域は発光に寄与する効
果が少ないまま外部に放射されていた。また、このよう
な従来の発光ダイオードは、反射面と発光ダイオード素
子との位置を固定するため、透明樹脂材料の光透過性部
材により充填するが、屋外などで太陽光が注ぐところで
は、紫外線などで光透過性部材が劣化および黄変によ
り、発光効率の低下や変色の原因となっていた。
イオードでは、発光ダイオードから直接光透過性部材の
出射面に向かう放射束の内、紫外域は発光に寄与する効
果が少ないまま外部に放射されていた。また、このよう
な従来の発光ダイオードは、反射面と発光ダイオード素
子との位置を固定するため、透明樹脂材料の光透過性部
材により充填するが、屋外などで太陽光が注ぐところで
は、紫外線などで光透過性部材が劣化および黄変によ
り、発光効率の低下や変色の原因となっていた。
【０００９】そこで本発明は発光ダイオード素子からの
放射束の紫外域を有効に活用できるとともに太陽光から
の紫外線による光透過性部材の劣化および黄変を防止で
きる発光ダイオードの提供を目的とする。
放射束の紫外域を有効に活用できるとともに太陽光から
の紫外線による光透過性部材の劣化および黄変を防止で
きる発光ダイオードの提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発光ダイ
オードは、少なくとも１つのピーク波長を５００ｎｍ以
下に有する発光ダイオード素子と、この発光ダイオード
素子に電力を供給するリード線部と、前記発光ダイオー
ド素子の発光面側と対向し、前記発光ダイオード素子か
ら放射される放射束を受けることで可視光を放射する蛍
光体を塗布した反射面を有する外郭と、前記発光ダイオ
ード素子を前記外郭の反射面内に固定し、この反射面の
反対側が放射束を出射する出射面となる光透過性部材
と、この光透過性部材の出射面に設けられ、前記発光ダ
イオード素子から放射された放射束から波長が約４００
ｎｍ以下の放射束を反射する干渉膜と、を具備したこと
を特徴とする。
オードは、少なくとも１つのピーク波長を５００ｎｍ以
下に有する発光ダイオード素子と、この発光ダイオード
素子に電力を供給するリード線部と、前記発光ダイオー
ド素子の発光面側と対向し、前記発光ダイオード素子か
ら放射される放射束を受けることで可視光を放射する蛍
光体を塗布した反射面を有する外郭と、前記発光ダイオ
ード素子を前記外郭の反射面内に固定し、この反射面の
反対側が放射束を出射する出射面となる光透過性部材
と、この光透過性部材の出射面に設けられ、前記発光ダ
イオード素子から放射された放射束から波長が約４００
ｎｍ以下の放射束を反射する干渉膜と、を具備したこと
を特徴とする。
【００１１】請求項２記載の発光ダイオードは、少なく
とも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発光ダ
イオード素子と、この発光ダイオード素子に電力を供給
するリード線部と、前記発光ダイオード素子の発光面側
と対向し、前記発光ダイオード素子から放射される放射
束を反射する反射面を有する外郭と、前記発光ダイオー
ド素子から放射される放射束を受けることで可視光を放
射する蛍光体を含有し、前記発光ダイオード素子を前記
外郭の反射面内に固定し、この反射面の反対側が放射束
を出射する出射面となる光透過性部材と、この光透過性
部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオード素子から
放射された放射束から波長が約４００ｎｍ以下の放射束
を反射する干渉膜と、を具備したことを特徴とする発光
ダイオード。
とも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発光ダ
イオード素子と、この発光ダイオード素子に電力を供給
するリード線部と、前記発光ダイオード素子の発光面側
と対向し、前記発光ダイオード素子から放射される放射
束を反射する反射面を有する外郭と、前記発光ダイオー
ド素子から放射される放射束を受けることで可視光を放
射する蛍光体を含有し、前記発光ダイオード素子を前記
外郭の反射面内に固定し、この反射面の反対側が放射束
を出射する出射面となる光透過性部材と、この光透過性
部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオード素子から
放射された放射束から波長が約４００ｎｍ以下の放射束
を反射する干渉膜と、を具備したことを特徴とする発光
ダイオード。
【００１２】請求項３記載の発光ダイオードは、少なく
とも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発光ダ
イオード素子と、この発光ダイオード素子に電力を供給
するリード線部と、前記発光ダイオード素子の発光面側
と対向し、前記発光ダイオード素子から放射される放射
束を受けることで可視光を放射する蛍光体を塗布した反
射面を有する外郭と、前記発光ダイオード素子を前記外
郭の反射面内に固定し、この反射面の反対側が放射束を
出射する出射面となる光透過性部材と、この光透過性部
材の出射面に設けられ、前記発光ダイオード素子から放
射された放射束から波長が約４００ｎｍ以下の放射束を
反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放射束の一部を反射す
る干渉膜と、を具備したことを特徴とする。
とも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発光ダ
イオード素子と、この発光ダイオード素子に電力を供給
するリード線部と、前記発光ダイオード素子の発光面側
と対向し、前記発光ダイオード素子から放射される放射
束を受けることで可視光を放射する蛍光体を塗布した反
射面を有する外郭と、前記発光ダイオード素子を前記外
郭の反射面内に固定し、この反射面の反対側が放射束を
出射する出射面となる光透過性部材と、この光透過性部
材の出射面に設けられ、前記発光ダイオード素子から放
射された放射束から波長が約４００ｎｍ以下の放射束を
反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放射束の一部を反射す
る干渉膜と、を具備したことを特徴とする。
【００１３】請求項４記載の発光ダイオードは、少なく
とも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発光ダ
イオード素子と、この発光ダイオード素子に電力を供給
するリード線部と、前記発光ダイオード素子の発光面側
と対向し、前記発光ダイオード素子から放射される放射
束を反射する反射面を有する外郭と、前記発光ダイオー
ド素子から放射される放射束を受けることで可視光を放
射する蛍光体を含有し、前記発光ダイオード素子を前記
外郭の反射面内に固定し、この反射面の反対側が放射束
を出射する出射面となる光透過性部材と、この光透過性
部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオード素子から
放射された放射束から波長が約４００ｎｍ以下の放射束
を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放射束の一部を反射
する干渉膜と、を具備したことを特徴とする。
とも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発光ダ
イオード素子と、この発光ダイオード素子に電力を供給
するリード線部と、前記発光ダイオード素子の発光面側
と対向し、前記発光ダイオード素子から放射される放射
束を反射する反射面を有する外郭と、前記発光ダイオー
ド素子から放射される放射束を受けることで可視光を放
射する蛍光体を含有し、前記発光ダイオード素子を前記
外郭の反射面内に固定し、この反射面の反対側が放射束
を出射する出射面となる光透過性部材と、この光透過性
部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオード素子から
放射された放射束から波長が約４００ｎｍ以下の放射束
を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放射束の一部を反射
する干渉膜と、を具備したことを特徴とする。
【００１４】請求項５記載の発光ダイオードは、請求項
１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオードであって、
前記発光ダイオード素子とワイヤを前記光透過性部材に
より一体的にモールドしたことを特徴とする。
１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオードであって、
前記発光ダイオード素子とワイヤを前記光透過性部材に
より一体的にモールドしたことを特徴とする。
【００１５】請求項１及び５記載の構成によれば、光透
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射して外郭の反射面に塗布された蛍光
体に照射し、反射面蛍光体を発光させるので、発光ダイ
オード素子からの放射束の紫外域を有効に活用できる。
また、前記干渉膜により太陽光からの紫外線による光透
過性部材の劣化および黄変を防止できる。
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射して外郭の反射面に塗布された蛍光
体に照射し、反射面蛍光体を発光させるので、発光ダイ
オード素子からの放射束の紫外域を有効に活用できる。
また、前記干渉膜により太陽光からの紫外線による光透
過性部材の劣化および黄変を防止できる。
【００１６】請求項２及び５記載の構成によれば、光透
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射して光透過性部材に含有する蛍光体
に照射し、蛍光体を発光させるので、発光ダイオード素
子からの放射束の紫外域を有効に活用できる。また、前
記干渉膜により太陽光からの紫外線による光透過性部材
の劣化および黄変を防止できる。
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射して光透過性部材に含有する蛍光体
に照射し、蛍光体を発光させるので、発光ダイオード素
子からの放射束の紫外域を有効に活用できる。また、前
記干渉膜により太陽光からの紫外線による光透過性部材
の劣化および黄変を防止できる。
【００１７】請求項３及び５記載の構成によれば、光透
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射し、さらに約５００ｎｍ以下の放射
束の一部を反射して外郭の反射面に塗布された蛍光体に
照射し、反射面の蛍光体を発光させるので、発光ダイオ
ード素子からの放射束の紫外域を有効に活用できるとと
もに、青色域を有効に活用して色温度を低くした場合の
効率低下を防止できる。また、前記干渉膜により太陽光
からの紫外線による光透過性部材の劣化および黄変を防
止できる。
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射し、さらに約５００ｎｍ以下の放射
束の一部を反射して外郭の反射面に塗布された蛍光体に
照射し、反射面の蛍光体を発光させるので、発光ダイオ
ード素子からの放射束の紫外域を有効に活用できるとと
もに、青色域を有効に活用して色温度を低くした場合の
効率低下を防止できる。また、前記干渉膜により太陽光
からの紫外線による光透過性部材の劣化および黄変を防
止できる。
【００１８】請求項４及び５記載の構成によれば、光透
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射し、さらに約５００ｎｍ以下の放射
束の一部を反射して光透過性部材に含有する蛍光体に照
射し、蛍光体を発光させるので、発光ダイオード素子か
らの放射束の紫外域を有効に活用できるとともに、青色
域を有効に活用して色温度を低くした場合の効率低下を
防止できる。また、前記干渉膜により太陽光からの紫外
線による光透過性部材の劣化および黄変を防止できる。
過性部材の出射面に設けられ干渉膜が、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射し、さらに約５００ｎｍ以下の放射
束の一部を反射して光透過性部材に含有する蛍光体に照
射し、蛍光体を発光させるので、発光ダイオード素子か
らの放射束の紫外域を有効に活用できるとともに、青色
域を有効に活用して色温度を低くした場合の効率低下を
防止できる。また、前記干渉膜により太陽光からの紫外
線による光透過性部材の劣化および黄変を防止できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明に係る発光ダイオード
の第１の実施の形態を示す断面図である。
参照して説明する。図１は本発明に係る発光ダイオード
の第１の実施の形態を示す断面図である。
【００２０】図１において、発光ダイオード１０は、少
なくとも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発
光ダイオード素子１１と、この発光ダイオード素子１１
に電力を供給するリード線部１２，１３と、前記発光ダ
イオード素子１１の発光面１９側と対向し、前記発光ダ
イオード素子１１から放射される放射束を受けることで
可視光を放射する蛍光体を塗布した反射面１６を有する
外郭１５と、前記発光ダイオード素子１１を前記外郭１
５の反射面１６内に固定し、この反射面１６の反対側が
放射束を出射する出射面１８となる光透過性部材１７
と、この光透過性部材１７の出射面１８に設けられ、前
記発光ダイオード素子１１から放射された放射束から波
長が約４００ｎｍ以下の放射束を反射する干渉膜２０
と、を具備して成る。
なくとも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発
光ダイオード素子１１と、この発光ダイオード素子１１
に電力を供給するリード線部１２，１３と、前記発光ダ
イオード素子１１の発光面１９側と対向し、前記発光ダ
イオード素子１１から放射される放射束を受けることで
可視光を放射する蛍光体を塗布した反射面１６を有する
外郭１５と、前記発光ダイオード素子１１を前記外郭１
５の反射面１６内に固定し、この反射面１６の反対側が
放射束を出射する出射面１８となる光透過性部材１７
と、この光透過性部材１７の出射面１８に設けられ、前
記発光ダイオード素子１１から放射された放射束から波
長が約４００ｎｍ以下の放射束を反射する干渉膜２０
と、を具備して成る。
【００２１】前記外郭１５の反射面１６は、平面状の底
面２１に円錐面状の側面２２を組み合わせた台形の回転
形状の鏡面反射面となっている。
面２１に円錐面状の側面２２を組み合わせた台形の回転
形状の鏡面反射面となっている。
【００２２】リード線部１２，１３は、それぞれ一端側
が互いに対向し、それぞれ他端が反射面１６の開口部か
ら若干内側の位置より外郭１５を貫通して外郭１５の一
方及び他方の側方に延出している。リード線部１２は、
一面が反射面１６の底面２１と対向し、他面が出射面１
８と対向している。
が互いに対向し、それぞれ他端が反射面１６の開口部か
ら若干内側の位置より外郭１５を貫通して外郭１５の一
方及び他方の側方に延出している。リード線部１２は、
一面が反射面１６の底面２１と対向し、他面が出射面１
８と対向している。
【００２３】この発光ダイオード素子１１は、一方のリ
ード線部１２の一端側にマウントされ、他方のリード線
部１３の一端側とワイヤ１４を介して電気的に接続され
ている。このような構造によりリード線部１２，１３
は、前記発光ダイオード素子１１に電力を供給する。
ード線部１２の一端側にマウントされ、他方のリード線
部１３の一端側とワイヤ１４を介して電気的に接続され
ている。このような構造によりリード線部１２，１３
は、前記発光ダイオード素子１１に電力を供給する。
【００２４】発光ダイオード素子１１、リード線部１３
及びワイヤ１４は、光透過性部材１７により一体的にモ
ールドされ、前記外郭１５の前記反射面１６内に固定さ
れている。
及びワイヤ１４は、光透過性部材１７により一体的にモ
ールドされ、前記外郭１５の前記反射面１６内に固定さ
れている。
【００２５】このような発光ダイオード１０では、発光
ダイオード素子１１からの放射される放射束は、その一
部が前記発光ダイオード素子１１の発光面側の前記発光
ダイオード素子１１と対向する反射面１６に、また残り
の一部は直接光透過性部材１７を透過し出射面１８に向
かう。反射面１６では、前記発光ダイオード素子１１か
らの放射束を受けることで可視光を放射する蛍光体によ
り、主に波長が５００ｎｍ以上の可視域光の発光を行
う。また、直接光透過性部材１７の表面に向かった放射
束の中で、４００ｎｍ以下の紫外域の成分は干渉膜２０
で反射され、再び透明樹脂材内に戻り、反射面１６の蛍
光体に当たり、可視光に変換され、直接または反射面１
６に反射して出射面１８から干渉膜２０から出射する。
ダイオード素子１１からの放射される放射束は、その一
部が前記発光ダイオード素子１１の発光面側の前記発光
ダイオード素子１１と対向する反射面１６に、また残り
の一部は直接光透過性部材１７を透過し出射面１８に向
かう。反射面１６では、前記発光ダイオード素子１１か
らの放射束を受けることで可視光を放射する蛍光体によ
り、主に波長が５００ｎｍ以上の可視域光の発光を行
う。また、直接光透過性部材１７の表面に向かった放射
束の中で、４００ｎｍ以下の紫外域の成分は干渉膜２０
で反射され、再び透明樹脂材内に戻り、反射面１６の蛍
光体に当たり、可視光に変換され、直接または反射面１
６に反射して出射面１８から干渉膜２０から出射する。
【００２６】このような実施の形態によれば、光透過性
部材１７の出射面に設けられ干渉膜２０が、前記発光ダ
イオード素子１１から放射された放射束から波長が約４
００ｎｍ以下の放射束を反射して外郭１５の反射面に塗
布された蛍光体に照射し、この蛍光体を発光させるの
で、発光ダイオード素子１１からの放射束の紫外域を有
効に活用でき、これにより発光ダイオードの発光効率を
向上することができ、このような発光ダイオードを用い
た装置の高性能化及び省エネルギー化が可能になる。ま
た、前記干渉膜２０により太陽光からの紫外線による光
透過性部材１７の劣化および黄変を防止できる。これに
より発光ダイオードを屋外で使用する場合の寿命を高め
ることができ、屋外用映像表示装置用として非常に好適
なものとなる。
部材１７の出射面に設けられ干渉膜２０が、前記発光ダ
イオード素子１１から放射された放射束から波長が約４
００ｎｍ以下の放射束を反射して外郭１５の反射面に塗
布された蛍光体に照射し、この蛍光体を発光させるの
で、発光ダイオード素子１１からの放射束の紫外域を有
効に活用でき、これにより発光ダイオードの発光効率を
向上することができ、このような発光ダイオードを用い
た装置の高性能化及び省エネルギー化が可能になる。ま
た、前記干渉膜２０により太陽光からの紫外線による光
透過性部材１７の劣化および黄変を防止できる。これに
より発光ダイオードを屋外で使用する場合の寿命を高め
ることができ、屋外用映像表示装置用として非常に好適
なものとなる。
【００２７】図２は本発明に係る発光ダイオードの第２
の実施の形態を示す断面図であり、図１の発明の実施の
形態と同じ構成要素は同じ符号を付して説明を省略して
いる。
の実施の形態を示す断面図であり、図１の発明の実施の
形態と同じ構成要素は同じ符号を付して説明を省略して
いる。
【００２８】図２において、発光ダイオード３０は、少
なくとも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発
光ダイオード素子１１と、この発光ダイオード素子１１
に電力を供給するリード線部１２，１３と、前記発光ダ
イオード素子１１の発光面側と対向し、前記発光ダイオ
ード素子から放射される放射束を反射する反射面３６を
有する外郭３５と、前記発光ダイオード素子１１から放
射される放射束を受けることで可視光を放射する蛍光体
を含有し、前記発光ダイオード素子１１を前記外郭の反
射面３６内に固定し、この反射面３６の反対側が放射束
を出射する出射面３８となる光透過性部材３７と、この
光透過性部材３７の出射面に設けられ、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射する干渉膜２０と、を具備して成
る。
なくとも１つのピーク波長を５００ｎｍ以下に有する発
光ダイオード素子１１と、この発光ダイオード素子１１
に電力を供給するリード線部１２，１３と、前記発光ダ
イオード素子１１の発光面側と対向し、前記発光ダイオ
ード素子から放射される放射束を反射する反射面３６を
有する外郭３５と、前記発光ダイオード素子１１から放
射される放射束を受けることで可視光を放射する蛍光体
を含有し、前記発光ダイオード素子１１を前記外郭の反
射面３６内に固定し、この反射面３６の反対側が放射束
を出射する出射面３８となる光透過性部材３７と、この
光透過性部材３７の出射面に設けられ、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射する干渉膜２０と、を具備して成
る。
【００２９】このような発光ダイオード３０では、発光
ダイオード素子１１からの放射される放射束は、光透過
性部材３７を進む際に樹脂材に含有された蛍光体により
一部が可視光に変換され、残りの一部は干渉膜２０に向
かい、一部は反射面３６に向かう。それぞれの放射束は
反射面および干渉膜２０により少なくとも紫外域放射束
は樹脂内に再帰し、再び蛍光体に当たることで可視光に
変換され、可視光に変換され、直接または反射面３６に
反射して出射面３８から干渉膜２０から出射する。
ダイオード素子１１からの放射される放射束は、光透過
性部材３７を進む際に樹脂材に含有された蛍光体により
一部が可視光に変換され、残りの一部は干渉膜２０に向
かい、一部は反射面３６に向かう。それぞれの放射束は
反射面および干渉膜２０により少なくとも紫外域放射束
は樹脂内に再帰し、再び蛍光体に当たることで可視光に
変換され、可視光に変換され、直接または反射面３６に
反射して出射面３８から干渉膜２０から出射する。
【００３０】このような実施の形態によれば、光透過性
部材３７の出射面に設けられ干渉膜２０が、前記発光ダ
イオード素子１１から放射された放射束から波長が約４
００ｎｍ以下の放射束を反射して光透過性部材３７に含
有する蛍光体に照射し、この蛍光体を発光させるので、
発光ダイオード素子１１からの放射束の紫外域を有効に
活用できる。また、前記干渉膜２０により太陽光からの
紫外線による光透過性部材３７の劣化および黄変を防止
できる。
部材３７の出射面に設けられ干渉膜２０が、前記発光ダ
イオード素子１１から放射された放射束から波長が約４
００ｎｍ以下の放射束を反射して光透過性部材３７に含
有する蛍光体に照射し、この蛍光体を発光させるので、
発光ダイオード素子１１からの放射束の紫外域を有効に
活用できる。また、前記干渉膜２０により太陽光からの
紫外線による光透過性部材３７の劣化および黄変を防止
できる。
【００３１】次に、第３の発明の実施の形態について、
図１を代用して説明する。第３の発明の実施の形態の発
光ダイオード１１は、干渉膜２０として、前記発光ダイ
オード素子１１から放射された放射束から波長が約４０
０ｎｍ以下の放射束を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の
放射束の一部を反射するものを用いて、干渉膜２０から
出射する照明光の色温度を低下させるものである。
図１を代用して説明する。第３の発明の実施の形態の発
光ダイオード１１は、干渉膜２０として、前記発光ダイ
オード素子１１から放射された放射束から波長が約４０
０ｎｍ以下の放射束を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の
放射束の一部を反射するものを用いて、干渉膜２０から
出射する照明光の色温度を低下させるものである。
【００３２】この発明の実施の形態の場合、発光ダイオ
ード素子１１から直接光透過性部材１７の表面に向かっ
た放射束の中で、４００ｎｍ以下の紫外域の成分は干渉
膜２０で反射され、また５００ｎｍ以下の青色成分につ
いても一部は外部へ透過されるが、一部は反射され、再
び透明樹脂材内に戻り、反射面１６の蛍光体に当たり、
可視光に変換され、直接または反射面１６に反射して出
射面１８から干渉膜２０から出射する。
ード素子１１から直接光透過性部材１７の表面に向かっ
た放射束の中で、４００ｎｍ以下の紫外域の成分は干渉
膜２０で反射され、また５００ｎｍ以下の青色成分につ
いても一部は外部へ透過されるが、一部は反射され、再
び透明樹脂材内に戻り、反射面１６の蛍光体に当たり、
可視光に変換され、直接または反射面１６に反射して出
射面１８から干渉膜２０から出射する。
【００３３】このような発明の実施の形態によれば、光
透過性部材１７の出射面１８に設けられ干渉膜が、前記
発光ダイオード素子１１から放射された放射束から波長
が約４００ｎｍ以下の放射束を反射し、さらに約５００
ｎｍ以下の放射束の一部を反射して外郭１５の反射面に
塗布された蛍光体に照射し、反射面の蛍光体を発光させ
るので、発光ダイオード素子１１からの放射束の紫外域
を有効に活用できるとともに、青色域を有効に活用して
色温度を低くした場合の効率低下を防止できる。また、
前記干渉膜２０により太陽光からの紫外線による光透過
性部材１７の劣化および黄変を防止できる。
透過性部材１７の出射面１８に設けられ干渉膜が、前記
発光ダイオード素子１１から放射された放射束から波長
が約４００ｎｍ以下の放射束を反射し、さらに約５００
ｎｍ以下の放射束の一部を反射して外郭１５の反射面に
塗布された蛍光体に照射し、反射面の蛍光体を発光させ
るので、発光ダイオード素子１１からの放射束の紫外域
を有効に活用できるとともに、青色域を有効に活用して
色温度を低くした場合の効率低下を防止できる。また、
前記干渉膜２０により太陽光からの紫外線による光透過
性部材１７の劣化および黄変を防止できる。
【００３４】次に、第４の発明の実施の形態について、
図１を代用して説明する。第４の発明の実施の形態の発
光ダイオード３１では、干渉膜２０として、前記発光ダ
イオード素子から放射された放射束から波長が約４００
ｎｍ以下の放射束を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放
射束の一部を反射するものを用いて、干渉膜２０から出
射する照明光の色温度を低下させるものである。
図１を代用して説明する。第４の発明の実施の形態の発
光ダイオード３１では、干渉膜２０として、前記発光ダ
イオード素子から放射された放射束から波長が約４００
ｎｍ以下の放射束を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放
射束の一部を反射するものを用いて、干渉膜２０から出
射する照明光の色温度を低下させるものである。
【００３５】このような発明の実施の形態によれば、光
透過性部材３７の出射面に設けられ干渉膜２０が、前記
発光ダイオード素子１１から放射された放射束から波長
が約４００ｎｍ以下の放射束を反射し、さらに青色域を
含む約５００ｎｍ以下の放射束の一部を反射して光透過
性部材３７に含有する蛍光体に照射し、蛍光体を発光さ
せるので、第４の発明の実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
透過性部材３７の出射面に設けられ干渉膜２０が、前記
発光ダイオード素子１１から放射された放射束から波長
が約４００ｎｍ以下の放射束を反射し、さらに青色域を
含む約５００ｎｍ以下の放射束の一部を反射して光透過
性部材３７に含有する蛍光体に照射し、蛍光体を発光さ
せるので、第４の発明の実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
【００３６】図３は本発明に係る発光ダイオードの第５
の実施の形態を示す断面図である。図３において、符号
４０は主に青色発光する発光ダイオード素子４１を用い
た発光ダイオードである。発光ダイオード素子４１は、
リード線部４２にマウントされ、一方の電極がリード線
部４２に電気的に接続されている。
の実施の形態を示す断面図である。図３において、符号
４０は主に青色発光する発光ダイオード素子４１を用い
た発光ダイオードである。発光ダイオード素子４１は、
リード線部４２にマウントされ、一方の電極がリード線
部４２に電気的に接続されている。
【００３７】外郭４５は、非伝導性の樹脂で形成され、
前記発光ダイオード素子４１から放射される放射束を受
けることで可視光を放射する蛍光体を塗布した反射面４
６を有している。反射面４６は、平面状の底面５１に円
錐面状の側面５２を組み合わせた台形の回転形状の反射
面となっており、光軸上に発光ダイオード素子４１が配
置される。
前記発光ダイオード素子４１から放射される放射束を受
けることで可視光を放射する蛍光体を塗布した反射面４
６を有している。反射面４６は、平面状の底面５１に円
錐面状の側面５２を組み合わせた台形の回転形状の反射
面となっており、光軸上に発光ダイオード素子４１が配
置される。
【００３８】一方のリード線部４２は、一端側の一面が
反射面４６の底面５１と対向し、他端側が一端側が反射
面４６の開口部から若干内側の位置より外郭４５を貫通
して外郭４５の側方に延出している。
反射面４６の底面５１と対向し、他端側が一端側が反射
面４６の開口部から若干内側の位置より外郭４５を貫通
して外郭４５の側方に延出している。
【００３９】リード線部４３は、反射面４６の光軸上に
設けられており、一端が発光ダイオード素子４１に接触
して他方の電極に電気的に接続され、他端が反射面４６
の底面の中心の位置より外郭４５を貫通して外郭４５の
裏側に延出している。
設けられており、一端が発光ダイオード素子４１に接触
して他方の電極に電気的に接続され、他端が反射面４６
の底面の中心の位置より外郭４５を貫通して外郭４５の
裏側に延出している。
【００４０】このような構造によりリード線部４２及び
リード線部４３は、前記発光ダイオード素子４１に電力
を供給する。
リード線部４３は、前記発光ダイオード素子４１に電力
を供給する。
【００４１】発光ダイオード素子４１、リード線部４３
及びワイヤ４４は、透明樹脂材料の光透過性部材４７に
より一体的にモールドされ、前記外郭４５の前記反射面
４６内に固定されている。光透過性部材４７の反射面４
６の反対側は照明光を出射する出射面４８となってい
る。
及びワイヤ４４は、透明樹脂材料の光透過性部材４７に
より一体的にモールドされ、前記外郭４５の前記反射面
４６内に固定されている。光透過性部材４７の反射面４
６の反対側は照明光を出射する出射面４８となってい
る。
【００４２】ここで、従来の発光ダイオードでは、発光
ダイオード素子に電力を供給するリード線部が反射面の
開口部を略一直線上に覆っており、反射面から反射され
た光を遮光し、効率低下させる要因となっている。
ダイオード素子に電力を供給するリード線部が反射面の
開口部を略一直線上に覆っており、反射面から反射され
た光を遮光し、効率低下させる要因となっている。
【００４３】一方、本実施の形態においては、他方のリ
ード線部４３の反射面４６の開口部を覆っていないた
め、発光ダイオード４１の発光効率が従来よりも向上す
る。
ード線部４３の反射面４６の開口部を覆っていないた
め、発光ダイオード４１の発光効率が従来よりも向上す
る。
【００４４】ここで、本実施の形態の場合、他方のリー
ド線部４３を反射面４６の光軸上に配設したことによる
影響も考えられるが、発光ダイオード素子から反射面４
６の光軸上に放射された放射束は、反射面４６で正反射
されても発光ダイオード素子自体で遮光されるため、外
部に放射されず発光効率にあまり寄与しない。
ド線部４３を反射面４６の光軸上に配設したことによる
影響も考えられるが、発光ダイオード素子から反射面４
６の光軸上に放射された放射束は、反射面４６で正反射
されても発光ダイオード素子自体で遮光されるため、外
部に放射されず発光効率にあまり寄与しない。
【００４５】図４は本発明に係る発光ダイオードの第６
の実施の形態を示す断面図であり、図３の実施の形態と
同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略してい
る。
の実施の形態を示す断面図であり、図３の実施の形態と
同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略してい
る。
【００４６】図４において、発光ダイオード６０の外郭
６１は、導電性の金属で形成されている。他方のリード
線部６３は、反射面４６の光軸上に設けられており、一
端が発光ダイオード素子４１に接触して他方の電極に電
気的に接続され、他端が反射面４６の底面５１の中心の
位置より反射面４６を形成する蛍光体の膜を貫通して外
郭６５の開口部の底面６６に接触している。リード線部
４２と外郭６５との間は、絶縁部６７によって絶縁され
ている。この発光ダイオード６０は、リード線部４２と
外郭６５がそれぞれ一方及び他方の電極となっている。
６１は、導電性の金属で形成されている。他方のリード
線部６３は、反射面４６の光軸上に設けられており、一
端が発光ダイオード素子４１に接触して他方の電極に電
気的に接続され、他端が反射面４６の底面５１の中心の
位置より反射面４６を形成する蛍光体の膜を貫通して外
郭６５の開口部の底面６６に接触している。リード線部
４２と外郭６５との間は、絶縁部６７によって絶縁され
ている。この発光ダイオード６０は、リード線部４２と
外郭６５がそれぞれ一方及び他方の電極となっている。
【００４７】このような発明の実施の形態によれば、図
１の発明の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、他方の電極を外郭６５としたことにより、印刷配線
板に実装に適したものとなっている。
１の発明の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、他方の電極を外郭６５としたことにより、印刷配線
板に実装に適したものとなっている。
【００４８】図５は本発明に係る発光ダイオードの第７
の実施の形態を示す断面図であり、図３の実施の形態と
同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略してい
る。
の実施の形態を示す断面図であり、図３の実施の形態と
同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略してい
る。
【００４９】図５において、発光ダイオード７０の外郭
７１は、絶縁性の樹脂で形成されるとともに、底面７２
に貫通孔７３が形成され、この貫通孔７３に導電性の金
属で形成された導電部７４が挿入されている。他方のリ
ード線部７５は、発光ダイオード素子４１の外形形状内
の断面積を有するとともに、図３に実施例に比べて太径
に形成され、反射面４６の光軸上に設けられており、一
端が発光ダイオード素子４１に接触して他方の電極に電
気的に接続され、他端が反射面４６の底面５１の中心の
位置より反射面４６を形成する蛍光体の膜を貫通して導
電部７４に接触している。リード線部７５は、発光ダイ
オード素子４１との接合面７６を鏡面反射面としてい
る。
７１は、絶縁性の樹脂で形成されるとともに、底面７２
に貫通孔７３が形成され、この貫通孔７３に導電性の金
属で形成された導電部７４が挿入されている。他方のリ
ード線部７５は、発光ダイオード素子４１の外形形状内
の断面積を有するとともに、図３に実施例に比べて太径
に形成され、反射面４６の光軸上に設けられており、一
端が発光ダイオード素子４１に接触して他方の電極に電
気的に接続され、他端が反射面４６の底面５１の中心の
位置より反射面４６を形成する蛍光体の膜を貫通して導
電部７４に接触している。リード線部７５は、発光ダイ
オード素子４１との接合面７６を鏡面反射面としてい
る。
【００５０】この発光ダイオード７０は、リード線部４
２と導電部６５がそれぞれ一方及び他方の電極となって
いる。
２と導電部６５がそれぞれ一方及び他方の電極となって
いる。
【００５１】このような発明の実施の形態によれば、図
３の発明の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、リード線部７５を発光ダイオード素子４１の外形形
状内の断面積ではあるが太径に形成したことにより、図
３に比べて、発光ダイオード素子４１の発熱を外部に多
く放熱することができ、これにより、発光ダイオードの
温度を低減し、発光効率の低下を防ぐことができる。
３の発明の実施の形態と同様の効果が得られるととも
に、リード線部７５を発光ダイオード素子４１の外形形
状内の断面積ではあるが太径に形成したことにより、図
３に比べて、発光ダイオード素子４１の発熱を外部に多
く放熱することができ、これにより、発光ダイオードの
温度を低減し、発光効率の低下を防ぐことができる。
【００５２】尚、図１乃至図５に示した発光ダイオード
素子１１，４１は、その発光ピーク波長を５００ｎｍ以
下としており、例えばＧａＮ系（ＩｎＧａＮ）、ＺｎＳ
ｅ系、ＺｎＳ系、ＺｎＯ系、ＡｌＮ系等を用いることが
出来るとともに、今後開発される素子でも上記条件に合
えば用いることができる。
素子１１，４１は、その発光ピーク波長を５００ｎｍ以
下としており、例えばＧａＮ系（ＩｎＧａＮ）、ＺｎＳ
ｅ系、ＺｎＳ系、ＺｎＯ系、ＡｌＮ系等を用いることが
出来るとともに、今後開発される素子でも上記条件に合
えば用いることができる。
【００５３】図１乃至図５に示した光透過性部材１７，
３７，４７の透明樹脂材料としては、エポキシが多く使
われるが、透明性（直線透過率）や成形性や成形温度の
点で問題を生じなければ、その他の材料でも良い。
３７，４７の透明樹脂材料としては、エポキシが多く使
われるが、透明性（直線透過率）や成形性や成形温度の
点で問題を生じなければ、その他の材料でも良い。
【００５４】図１乃至図５に示した反射面１６，４６に
塗布する、あるいは光透過性部材３７に含有される蛍光
体としてはＹＡＧ（イットリウム・アルミニューム・ガ
ーネット）系蛍光体や、あるいは紫外域にピーク波長を
有するＬＥＤではハロリン酸カルシウム系などがある。
図１乃至図２に示した干渉膜２０としては、ＴｉＯやＳ
ｉＯ２等を多層に蒸着し光干渉作用により紫外域におい
て高反射率を有する反射膜とする。また、図３乃至図５
に示した実施の形態では、光透過性部材の出射面に干渉
膜を設けなかったが、図１乃至図２に示した干渉膜２０
を設けることにより、図１乃至図２に示した実施の形態
と同様の効果が得られる。
塗布する、あるいは光透過性部材３７に含有される蛍光
体としてはＹＡＧ（イットリウム・アルミニューム・ガ
ーネット）系蛍光体や、あるいは紫外域にピーク波長を
有するＬＥＤではハロリン酸カルシウム系などがある。
図１乃至図２に示した干渉膜２０としては、ＴｉＯやＳ
ｉＯ２等を多層に蒸着し光干渉作用により紫外域におい
て高反射率を有する反射膜とする。また、図３乃至図５
に示した実施の形態では、光透過性部材の出射面に干渉
膜を設けなかったが、図１乃至図２に示した干渉膜２０
を設けることにより、図１乃至図２に示した実施の形態
と同様の効果が得られる。
【００５５】図１乃至図５に示した反射面１６の形状と
しては、台形の回転形状としたが、双曲線の回転形状
等、各種適用できる。
しては、台形の回転形状としたが、双曲線の回転形状
等、各種適用できる。
【００５６】
【発明の効果】このような発明によれば、発光ダイオー
ド素子からの放射束の紫外域を有効に活用できるので、
発光ダイオードを用いた装置の高性能化及び省エネルギ
ー化が可能になる。また、太陽光からの紫外線による光
透過性部材の劣化および黄変を防止できるので、発光ダ
イオードを屋外で使用する場合の寿命を高めることがで
き、屋外用映像表示装置用として非常に好適なものとな
る。
ド素子からの放射束の紫外域を有効に活用できるので、
発光ダイオードを用いた装置の高性能化及び省エネルギ
ー化が可能になる。また、太陽光からの紫外線による光
透過性部材の劣化および黄変を防止できるので、発光ダ
イオードを屋外で使用する場合の寿命を高めることがで
き、屋外用映像表示装置用として非常に好適なものとな
る。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの第１の実施の形
態を示すブロック図。
態を示すブロック図。
【図２】本発明に係る発光ダイオードの第２の実施の形
態を示すブロック図。
態を示すブロック図。
【図３】本発明に係る発光ダイオードの第５の実施の形
態を示すブロック図。
態を示すブロック図。
【図４】本発明に係る発光ダイオードの第６の実施の形
態を示すブロック図。
態を示すブロック図。
【図５】本発明に係る発光ダイオードの第７の実施の形
態を示すブロック図。
態を示すブロック図。
【図６】従来の発光ダイオードを示す断面図。
１０ 発光ダイオード １１ 発光ダイオード素子 １２，１３ リード線部 １５ 外郭 １６ 反射面 １７ 光透過性部材 １９ 発光面 ２０ 干渉膜
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも１つのピーク波長を５００ｎ
ｍ以下に有する発光ダイオード素子と、 この発光ダイオード素子に電力を供給するリード線部
と、 前記発光ダイオード素子の発光面側と対向し、前記発光
ダイオード素子から放射される放射束を受けることで可
視光を放射する蛍光体を塗布した反射面を有する外郭
と、 前記発光ダイオード素子を前記外郭の反射面内に固定
し、この反射面の反対側が放射束を出射する出射面とな
る光透過性部材と、 この光透過性部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射する干渉膜と、 を具備したことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 少なくとも１つのピーク波長を５００ｎ
ｍ以下に有する発光ダイオード素子と、 この発光ダイオード素子に電力を供給するリード線部
と、 前記発光ダイオード素子の発光面側と対向し、前記発光
ダイオード素子から放射される放射束を反射する反射面
を有する外郭と、 前記発光ダイオード素子から放射される放射束を受ける
ことで可視光を放射する蛍光体を含有し、前記発光ダイ
オード素子を前記外郭の反射面内に固定し、この反射面
の反対側が放射束を出射する出射面となる光透過性部材
と、 この光透過性部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射する干渉膜と、 を具備したことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項３】 少なくとも１つのピーク波長を５００ｎ
ｍ以下に有する発光ダイオード素子と、 この発光ダイオード素子に電力を供給するリード線部
と、 前記発光ダイオード素子の発光面側と対向し、前記発光
ダイオード素子から放射される放射束を受けることで可
視光を放射する蛍光体を塗布した反射面を有する外郭
と、 前記発光ダイオード素子を前記外郭の反射面内に固定
し、この反射面の反対側が放射束を出射する出射面とな
る光透過性部材と、 この光透過性部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放射束
の一部を反射する干渉膜と、 を具備したことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項４】 少なくとも１つのピーク波長を５００ｎ
ｍ以下に有する発光ダイオード素子と、 この発光ダイオード素子に電力を供給するリード線部
と、 前記発光ダイオード素子の発光面側と対向し、前記発光
ダイオード素子から放射される放射束を反射する反射面
を有する外郭と、 前記発光ダイオード素子から放射される放射束を受ける
ことで可視光を放射する蛍光体を含有し、前記発光ダイ
オード素子を前記外郭の反射面内に固定し、この反射面
の反対側が放射束を出射する出射面となる光透過性部材
と、 この光透過性部材の出射面に設けられ、前記発光ダイオ
ード素子から放射された放射束から波長が約４００ｎｍ
以下の放射束を反射し、かつ約５００ｎｍ以下の放射束
の一部を反射する干渉膜と、 を具備したことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記発光ダイオード素子とワイヤを前記
光透過性部材により一体的にモールドしたことを特徴と
する請求項１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163055A JP2001345483A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163055A JP2001345483A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345483A true JP2001345483A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18666872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163055A Pending JP2001345483A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001345483A (ja) |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809342B2 (en) | 2002-05-31 | 2004-10-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2005055328A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 発光装置及びこれを用いた照明器具 |
| JP2005191483A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sharp Corp | 発光素子 |
| US7221003B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-05-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7246930B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-07-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7260123B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-08-21 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same |
| JP2007300138A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置及びこれを用いた照明器具 |
| US7300326B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-11-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED device and method for manufacturing the same |
| US7309881B2 (en) | 2003-08-12 | 2007-12-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Wavelength-converting LED |
| US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
| US7371593B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-05-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| US7411220B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-08-12 | Stanley Electric Co. Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2008102287A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A led luminaire |
| US7442563B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-10-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing and semiconductor light emitting device |
| US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
| US7508129B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-03-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mount LED |
| JP2009135306A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| US7586127B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-09-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode |
| US7605405B2 (en) | 2004-03-22 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having first and second resins |
| US7605403B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and fabrication method of the same |
| US7635873B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-12-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7728508B2 (en) | 2004-06-11 | 2010-06-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode with fluorescent material |
| US7754527B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED and method of manufacturing the same |
| US7763906B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-07-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method |
| US7781958B2 (en) * | 2007-01-16 | 2010-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7932523B2 (en) | 2004-07-30 | 2011-04-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source of lighting device |
| JP2011159809A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 白色発光装置 |
| KR101072143B1 (ko) | 2009-02-20 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
| US8614451B2 (en) | 2004-09-24 | 2013-12-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode device |
| US8884315B2 (en) | 2004-04-23 | 2014-11-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000163055A patent/JP2001345483A/ja active Pending
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809342B2 (en) | 2002-05-31 | 2004-10-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
| US7622748B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-11-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source and method |
| US8093613B2 (en) | 2003-06-13 | 2012-01-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source |
| US7309881B2 (en) | 2003-08-12 | 2007-12-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Wavelength-converting LED |
| US7246930B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-07-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7753573B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7950837B2 (en) | 2003-10-24 | 2011-05-31 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
| US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
| JP2007300138A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置及びこれを用いた照明器具 |
| JPWO2005055328A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-28 | 三菱電機株式会社 | 発光装置及びこれを用いた照明器具 |
| WO2005055328A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 発光装置及びこれを用いた照明器具 |
| US7260123B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-08-21 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same |
| JP4572071B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | 発光素子 |
| JP2005191483A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sharp Corp | 発光素子 |
| US7605405B2 (en) | 2004-03-22 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having first and second resins |
| US7586127B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-09-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode |
| US7955878B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-06-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7635873B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-12-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8884315B2 (en) | 2004-04-23 | 2014-11-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7605403B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and fabrication method of the same |
| US7728508B2 (en) | 2004-06-11 | 2010-06-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode with fluorescent material |
| US7411220B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-08-12 | Stanley Electric Co. Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7595206B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-09-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor light emitting device |
| US7932523B2 (en) | 2004-07-30 | 2011-04-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source of lighting device |
| US7754527B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED and method of manufacturing the same |
| US8648366B2 (en) | 2004-08-09 | 2014-02-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED and method of manufacturing the same |
| US8614451B2 (en) | 2004-09-24 | 2013-12-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode device |
| US7442563B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-10-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing and semiconductor light emitting device |
| US8481349B2 (en) | 2004-10-04 | 2013-07-09 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| US7371593B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-05-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| US7300326B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-11-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED device and method for manufacturing the same |
| US7508129B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-03-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mount LED |
| US7221003B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-05-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7763906B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-07-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method |
| US8178895B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-05-15 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emiting device and method |
| US7781958B2 (en) * | 2007-01-16 | 2010-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| WO2008102287A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A led luminaire |
| JP2009135306A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
| US8587016B2 (en) | 2009-02-20 | 2013-11-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package having light emitting device on inclined side surface and lighting system including the same |
| KR101072143B1 (ko) | 2009-02-20 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2011159809A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 白色発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001345483A (ja) | 発光ダイオード | |
| US7279719B2 (en) | Light emitting diode | |
| CN1220284C (zh) | 使用led的发光装置 | |
| JP4829230B2 (ja) | 光エンジン | |
| JP5056064B2 (ja) | Ｌｅｄ装置及びそれを備えた照明装置 | |
| TWI520383B (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
| JP2003529889A (ja) | 照明装置 | |
| JP2007059864A (ja) | 照明装置および発光ダイオード装置 | |
| CN1666579A (zh) | 使用反馈增强型发光二极管的照明器件 | |
| JP2001148512A (ja) | 照明光源 | |
| JP2010016029A (ja) | Ｌｅｄ光源 | |
| JP2009193994A (ja) | Ｌｅｄ光源およびその色度調整方法 | |
| EP2791573A1 (en) | Side-emitting guidepipe technology on led lamp to make filament effect | |
| US8546823B2 (en) | Light emitting device and illumination apparatus including same | |
| JP2009193995A (ja) | Ｌｅｄ光源およびその色度調整方法 | |
| JPH1139917A (ja) | 高演色性光源 | |
| KR20130112577A (ko) | 발광 다이오드 조명 장치 | |
| JP2005166733A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008091855A (ja) | 照明装置 | |
| US7530715B2 (en) | Luminescent assembly with shortwave and visible light source | |
| JP2001148509A (ja) | 照明光源 | |
| JP2005347467A (ja) | 発光デバイス及び照明装置 | |
| JP2007150255A (ja) | 発光ダイオード照明モジュールおよび照明装置 | |
| JP3126565U (ja) | Ｌｅｄを具えた発光部品の輝度向上構造 | |
| CN210325851U (zh) | Led封装结构 |