CN1666579A - 使用反馈增强型发光二极管的照明器件 - Google Patents

使用反馈增强型发光二极管的照明器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1666579A
CN1666579A CN038155400A CN03815540A CN1666579A CN 1666579 A CN1666579 A CN 1666579A CN 038155400 A CN038155400 A CN 038155400A CN 03815540 A CN03815540 A CN 03815540A CN 1666579 A CN1666579 A CN 1666579A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
feedback
light
feedback layer
luminescent material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN038155400A
Other languages
English (en)
Inventor
约翰·N·马尼奥
吉恩·C·科赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZEOLUX Corp
Original Assignee
ZEOLUX Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZEOLUX Corp filed Critical ZEOLUX Corp
Publication of CN1666579A publication Critical patent/CN1666579A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/28—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels
    • G09G3/2803—Display of gradations
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/36—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/1065—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using liquid crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1686—Liquid crystal active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了使用反馈增强型发光器件的照明器件(200)。阴极(102)和阳极(104)的位置是可互换的。该器件还包括安置于与底反馈层(106)相邻的基片(106)。置于反馈元件之间的发光二极管(FE－LED)可以用作照明器件中的光发射元件。光发射元件可以耦合到配光元件。在一个方面，发光二极管可以是有机发光二极管(FE－OLED)。

Description

使用反馈增强型发光二极管的照明器件
相关申请的交叉引用
本申请要求在2002年5月8日提交的美国临时申请No.60/379,141的优先权，其整体内容在此处并入列为参考。本申请涉及在2003年5月8日提交的题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTINGDEVICE”的美国专利申请Serial No.＿＿和在2003年5月8日提交的题为“DISPLAY DEVICES USING FEEDBACK ENHANCEDLIGHTING DIODE”的美国专利申请Serial No.＿＿，该申请的整体内容在此处并入列为参考。
技术领域
本申请涉及使用反馈增强型发光二极管的照明器件。
背景技术
提供室内和户外照明的传统的照明器件典型地使用白炽电灯泡、荧光灯或者卤素灯。然而，现存的照明器件具有短的寿命、高的成本和/或与之相关的危害。近来，发光二极管(LED)灯已被用于提供日常照明，用以克服现存照明器件的某些缺点。然而，即使在操作于LED的灯中，许多光被吸收或者作为热损失掉了，浪费了大量的可以作为光提供的能量。因此，所需的是，提供更加高效的照明器件，其能够消除或者减小能量损失并且更加高效地提供照明。
发明内容
提供了使用反馈增强型发光器件的照明器件。在一个方面，照明器件包括光源，其包括至少一个安置在两个反馈层之间的发光材料层。该两个反馈层中的至少一个具有周期性变化的折射率分布。
光源可以安装在具有至少一个开口的壳体中。配光元件可以安装在该壳体中并且置于光源和该开口之间，用于分送从光源向该开口发射的光。在另一方面，诸如前向散射体的第二配光元件可以安装在壳体中，位于该开口和该配光元件之间。在另一方面，可以安装第二配光元件以便于覆盖该壳体的开口。
在一个方面，反馈层中的一个或者两个包括至少全息记录材料层。该全息记录材料层可以包括在该材料中构图的平面波干涉图形。在另一方面，两个反馈层中的一个或者两个可以包括具有多个对应于不同波长的光的平面波干涉图形的全息记录材料。
在另一方面，照明器件可以包括至少一个置于两个反馈层之间的光发射材料层。该光发射材料可以是有机材料。两个反馈层中的至少一个具有周期性变化的折射率分布。诸如分光屏或者散射体的配光元件可以附装到光源上，用于散射从发射层发射的光。在一个方面，反馈层中的一个或者两个包括至少全息记录材料层。该全息记录材料层可以包括在该材料上构图的平面波干涉图形。在另一方面，两个反馈层中的一个或者两个可以包括具有多个对应于不同波长的光的平面波干涉图形的全息记录材料。
通过参考附图，在下文中详细描述了另外的特征以及多种实施例的结构和操作。在附图中，相似的参考数字表相同或者功能相似的元件。
附图简述
图1说明了一个实施例中的可用于本公开内容的照明器件的发射器件。
图2说明了一个实施例中的反馈增强型发光二极管，其用于本公开内容的照明器件中。
图3说明了根据一个实施例的灯。
图4说明了根据另一实施例的构造灯。
图5说明了单模FE-OLED和多模FE-OLED的结构的对比。
图6说明了一个实施例中的配光器。
具体实施方式
公开了使用反馈增强型发光二极管的照明器件，诸如灯。在本申请中，所使用的术语“发光材料”、“发射材料”和“发射体材料”是可互换的，并且指那些具有发光属性的材料。在题为“FEEDBACKENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.＿＿中完整地公开了反馈增强型发光二极管的结构和操作。例如，图1和2说明了可用于本公开内容的照明器件中的反馈增强型发光二极管。
图1说明了一个实施例中的可用于本公开内容的照明器件的发射器件。器件1包括发射层2和反馈元件4。反馈元件4可以是具有周期性折射率变化的层，其允许某些光透射通过反馈元件4。在另一方面，反馈元件4可以是具有周期性和连续的折射率变化的层。在题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.＿＿中详细描述了具有周期性和连续的折射率变化的反馈元件层。
还可以包括第二反馈元件6，使得发射层位于两个反馈元件4、6之间。第二反馈元件6可以允许某些光透射通过第二反馈元件6，或者基本上反射入射到其上的光。在一个实施例中，可以将具有周期性折射率变化的结构、平面镜、分布布拉格反射体(DBR)或者另外的反射体用作第二反馈元件6。发射层2可以包括有机材料。发射层2也可以是有机发光二极管。
反馈增强型发光二极管在一方面还可以包括其他的元件，诸如位于反馈层和发射层之间的透明缓冲层、扩散体、阳极、阴极或者其他元件。图2说明了具有额外的元件的发射器件200。例如，诸如阴极102和阳极104的电极对可以分别安置在发射层2与顶反馈层4和底反馈层6之间。
阴极102可以包括与发射层2相邻的具有低功函数表面的透明传导结构，使得其能够将电子注入到发射层2中。在一个方面，为了提供具有所需透明度的阴极102，提供了双层阴极。该双层阴极可以包括非常薄(例如，5纳米(nm))的金属阴极，使得该金属是基本透明的。然后该金属可以通过类似氧化铟锡(ITO)的透明导体支撑到例如反馈层侧上，用于产生足够高的传导率以得到低阻抗器件。阳极104可以包括透明传导材料，选择该透明传导材料使其具有高的功函数，使得其能够将空穴注入到发射层2中。
发射层2可以包括有机电致发光材料，其光谱发射频带与顶反馈层4和底反馈层6的反射带重叠。在一个方面中，发射层2还可以是荧光或者磷光发射材料、诸如GaAs、AlGaAs或者InGaN的无机半导体发射材料。
顶反馈层4和/或底反馈层6可以包括具有周期性变化的折射率的不吸光材料。顶反馈层4和底反馈层6可以用作光子晶体，其反射沿标注为“光输出”110的轴线传播的给定波长频带的光。
沿层的垂直轴线进入反馈层材料的光在每当其通过折射率振荡的一个周期时会经历小的反射。当反馈元件足够厚时，反馈元件在谐振波长2d处可以用作近似完美的反射体，其中d是折射率空间振荡的强度。
在一个方面反馈层可以通过平面波全息图制造，其具有处于所需发射波长的峰值反射率。在一个方面，图2中所示的器件200可以倒转。即，阴极102和阳极104的位置可以互换。
该器件还可以包括基片106，其与底反馈层6相邻安置。基片106用作可以使该器件建构于其上的层。在一个方面，基片106可以包括透明材料。在一个方面，可以将该材料粘附于该器件上以用作封盖108。例如，封盖108用于密封封装以抵御周围的水和氧，或者另外用以保护器件不受化学作用或者其他降解作用的影响。
该器件的其他元件可以包括在阳极104和发射层2之间的空穴输运层。该空穴输运层可以用于允许更多的电子/空穴复合出现在发射层2中。例如，在具有不平衡的电子和空穴迁移率的发射层中，其通常具有低的空穴迁移率，电子/空穴复合趋向于出现在阳极。相似地，具有直接的阳极/发射体界面的器件趋向于是低效率的，这是因为许多陷阱，即发生了发射体的非辐射去激发的位置，存在于发射体/阳极界面处。例如，使用具有高的空穴迁移率的空穴输运层使出现在阳极处的电子/空穴复合的问题减到最小。还可以选择空穴输运层以使得空穴的导带位于阳极104的导带和发射层2的导带的中间，由此提供了从阳极到发射体的更加有效的空穴注入。
还可以在阳极104和空穴输运层之间提供空穴注入层。例如，如果使用了类似于缺乏良好定义的带结构的氧化铟锡(ITO)的阳极材料(其可能导致对器件的低效率的空穴注入)，则可以提供类似铜酞菁的空穴注入层用以通过位于ITO和空穴输运材料中间的能级较好地定义带结构。因此提供该额外的空穴注入层可以有助于空穴注入，并且产生了更加有效率的器件。
在另一个实施例中，额外的空穴输运层可以插入在空穴注入层和发射体之间，用以进一步消除该带的能量差别。如果与发射体相邻的空穴输运层具有处于近似与发射体相同的能级处的电子导带，则电子可能“超越”该发射体，且在输运层中发生复合而不是在发射体中。通过在发射体和输运层之间插入具有高能量和良好空穴传导性的电子导带的电子阻挡层，可以消除该超越。
在另一个实施例中，可以在阴极102和发射层2之间提供电子输运层。电子输运层针对电子执行与空穴输运层针对空穴而执行的功能相似的功能。如同空穴输运层，可以添加另外的电子输运层以帮助带能量匹配。
在另一实施例中，可以在阴极102和电子输运层之间提供电子注入层。理想的是，使尽可能低的功函数材料用于阴极，使得能量不会被消耗于将电子注入到器件中。可以使用具有非常低的功函数的金属，诸如钙。然而，钙可能是易起化学反应的并且对湿气和氧是非常敏感的。还可以使用铝。尽管铝具有较高的功函数，但是已经发现，给铝涂敷非常薄的类似于氟化锂或者氟化镁材料的膜提供了“带偏移”效应，其有助于缓解带能量失配。
在另一实施例中，可以在发射体和空穴输运层之间提供空穴阻挡层以消除“超越”发射体的空穴。上文所述的载流子输运层、注入层和阻挡层还典型地用于传统的OLED器件。因此，此处将不再描述这些元件的进一步的特征。
在一个实施例中，器件200还可以包括缓冲层，例如，置于电极和反馈层之间的纯净电介质。当缓冲层安置在阴极102和顶反馈层4之间时，其可以用作阴极同外部环境之间的密封势垒，特别是在随后的工艺过程中。缓冲层还提供了反馈层4和6之间的正确的尺寸间隙，使得该间隙中的有害的光干涉不会发生。为了获得该功能，缓冲层可以插入到反馈层和电极之间以调节器件的光学厚度。缓冲层还可以用于维持该两个反馈层中的折射率分布之间的适当相位关系。此外，缓冲层可以用于调节反馈层之间的间隙厚度，由此调节在该间隙中谐振的光模的波长。
图1和2中所示器件基本上减小或者消除了全内反射，该全内反射可能出现于边界处的折射率失配处。通过基本上消除器件内部的光吸收损耗，可以使从器件中提取的光近似成倍增加。
在一个方面，回来参考图1，位于发射层2两侧的反馈元件4、6形成了谐振腔。反馈元件4、6将光反射回发射层2的材料中，并且允许在足够的光反射到发射层2中时发生受激发射。例如，光子和激子之间相互作用的数目调节了受激发射的速率。这样，通过将光定位于谐振腔中并且由此在发射层2中引发了高密度的光子，可以产生非常快速的受激发射转换。
典型地，在没有引入受激发射的情况中，自发发射主导了在发射材料中的光产生过程，该自发发射是相对慢的并且是纯粹的统计过程。快速转换为受激发射使得自发发射过程具有很少的或者不具有激发态能量以转换为光。甚至更慢的过程，即非辐射去激发，将激发态能量转换为热。这样，由于热形成的机制在慢于受激发射的量级上，因此受激发射取代了激发态能量到热的转换。因此，器件1的激发态能量主要被转换为光，而不是热。随之而来的发热的减少还可以导致器件中降低的温度，其允许器件中更长的寿命和更高的效率。
图3说明了根据本公开内容的一个实施例的灯300。灯300可以取代标准的荧光管灯。灯300的能量转换效率导致了减小的电量消耗和/或较大的照明度。灯300包括：反馈增强型发光二极管(FE-LED)或反馈增强型有机发光二极管(FE-OLED)光源302、配光元件304、壳体306和诸如前向散射体的第二配光元件308。FE-LED或FE-OLED光源302可以被设置为使用现存在荧光灯固定装置，例如，安装在用于荧光灯照明器件的固定装置上。配光元件304可以具有配光屏，其可以相对与光源302分立形成，或者可以集成在光源302中以便于减少形成灯300的部件数目。
在2002年12月16日提交的题为“ILLUMINANT ANDMETHOD”的共同未决的美国专利申请Serial No.10/319,631中描述了配光屏的实施例的结构和操作，其整体内容在此处并入列为参考。例如，图5说明了根据本公开内容的实施例的光源/配光元件的组合的示例。组合发光体500包括反馈增强型LED或者OLED光源502，分光部件504和位于非光发射区域的装饰性或者功能性表面部件506。有机发光二极管光源可以包括灌注材料508、后玻璃510、后反馈层512、前反馈层514、有机发光二极管(OLED)516、阳极总线518、阴极总线520和前玻璃522。前反馈层514和后反馈层512可以形成谐振腔524，其在有机发光二极管516中激发增强型光发射，并且可以使光线基本平行。分光部件504可以通过粘合剂530粘着地接合到光产生部件502。来自光源502地光入射到分光部件504上。分光部件504包括锥形光导532，其将接收自光产生部件502的光引导至小的孔隙534。然后该光在一定的角度范围中发射，如果该光是平行的或者基本平行的，则使得该光散射到一定的角度范围中，由此提供了在该角度范围中可以看到的光源，并且其对该角度范围进行了照明。在美国专利No.5,563,738和5,481,385中进一步讨论了锥形光导532的配置，其在此处并入列为参考。区域506可以由具有低于光导532的折射率的纯净材料538填充，或者它可以包括彩色材料或者反射材料或者这些材料的组合。
在另一实施例中，在灯300中可以使用两个配光元件用于提供更好的光散射。壳体306可以具有用于壳体的传统的设计或者具有任何其他的适当的设计。前向散射体308也可以具有传统的设计，或者具有任何其他的适当的设计。具有上面设计的灯的照明效率约为标准荧光灯的照明效率的两倍，并且约为白炽灯的10倍。
图4说明了根据本公开内容的另一个实施例的构造灯。该构造灯400包括直接接合到FE-LED或者FE-OLED 402前面的屏或者散射体404。灯400可以安置在墙上、天花板上、地板上或者其他表面上，用以提供美观的舒适的照明。
当在相同的基片上以具有小几何区域的图形制造分别发射不同波长频带的光的两个、三个、四个或者更多个反馈增强型OLED或者LED，使得观察者的眼睛将其合在一起以产生白光或者其他所需颜色的光时，可以产生具有宽带光谱分布的灯。例如，在三色示例中，可以利用与VGA显示中的垂直彩色条带非常相似重复的红/蓝/绿的配置来对FE-OLED发射体的条带进行构图。当该条带足够窄时，灯的输出呈现出白光，且每个图中合成的光谱输出像是合成线。
在一个实施例中，例如，使用如上文所述用于发射层的红/蓝/绿的配置来对两个反馈层进行构图。在该实施例中，还可以对发射层进行构图，使得具有不同波长频带的发射体对应于反馈层图形。例如，在具有窄带发射体的实施例中，每当改变反馈层的间距时，改变发射体使得发射带和反射带重叠。
在第二实施例中可以使用宽带发射体，使得其发射带在两个或者更多的构图区域中与反馈层的反射带重叠。例如，通过分别被设置用于红色和绿色的反馈层间距，一个发射体可以提供红光和绿光用于构图的区域。在该实施例中，例如，当使用足够宽的宽带发射体时，可以不需要对发射层进行构图用于所需的效果。
根据本公开内容的发射器件可以是单模或者多模器件。通过制造带有具有由发射体所发射光的近似波长的宽度的谐振腔(反馈层之间的距离)的器件，可以制造单模器件，而多模器件带有具有至少数倍大于由发射体所发射光的波长的宽度的谐振腔。例如，图5对比了单模FE-OLED 802和多模FE-OLED 804的结构。单模FE-OLED 802具有处于玻璃封装中的全息反馈层806、808，其具有宽约400nm的谐振腔，约0.5μm的模间距和约1.5nm的光谱线宽。
多模FE-OLED 804具有位于玻璃封装外部的全息反馈层810、812。例如，约0.2nm的模间距出现于反馈层处，该反馈层隔开1mm并且使用500nm波长的光。光谱线宽由反馈层810、812的反射带宽确定，并且其约100nm。在多模器件804中，因为可以在OLED组装之后使用全息图，因此他们更容易制造。
在另一实施例中，多模器件可以具有位于玻璃封装中的反馈层或者具有一个位于玻璃封装中的反馈层和一个位于玻璃封装外的反馈层。包括相对厚的透明间隔层的透明空间可被用于填充发射器件和反馈层之间的空间，由此建立了所需的谐振腔厚度。该方法的优点在于，腔厚度可以独立于器件封装中的机械考虑而建立，并且其可以用于提供像素化的多模器件而不会带来视差问题。
对于一阶近似，对于具有反馈层的单模器件的理想设计具有所需输出光波长的1/2的谐振腔厚度，并且其具有与处于反馈层内表面的周期性折射率变化的相位相同的相位。也可以使用相同量级的厚度和其他的相位关系。
本发明的另一实施例可以使用缺陷模FE-OLED，如题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.＿＿中所公开的。
本发明的另一实施例可以使用带边光激射FE-OLED，如题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.＿＿中所公开的。
上文所述的实施例是说明性的示例，并且不应被解释为本发明限于这些具体的实施例。在不偏离附属权利要求中限定的本发明的精神或者范围的前提下，本领域的技术人员可以进行不同的变化和修改。

Claims (67)

1.一种照明器件，包括：
光源，其包括至少：
第一反馈层，其适于接收和反射光；
第一电极，其形成于第一反馈层上；
一个或者多个半传导层，其形成于第一电极上，该一个或者多个半传导层中的至少一个包括发光材料；
第二电极，其安置于所述一个或者多个半传导层上；和
第二反馈层，其适于接收和反射光，且置于第二电极上；
和；
配光元件，其安置在与第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个相邻，并且适于分送发射自它们的光。
2.权利要求1的器件，进一步包括：
具有至少一个开口的壳体，光源安装在该壳体中并且被安置用以基本在开口方向发射光，并且该配光元件安装在该壳体中并且置于该光源和该开口之间，用于分送光源朝向开口的光。
3.权利要求1的器件，其中配光元件附装到光源。
4.权利要求1的器件，其中配光元件安置于与光源直接相邻。
5.权利要求1的器件，其中配光元件包括分光屏。
6.权利要求5的器件，其中分光屏包括多个锥形光导。
7.权利要求2的器件，进一步包括：
第二配光元件，其安装在壳体中，位于开口和配光元件之间。
8.权利要求7的器件，其中第二配光元件安装成覆盖壳体的开口。
9.权利要求1的器件，其中配光元件包括散射体，用于散射从光源发射的光。
10.权利要求1的器件，其中光源和配光元件的形状基本是平的和细长的。
11.权利要求1的器件，其中光源和配光元件彼此直接接合。
12.权利要求1的器件，其中该器件适于附装到墙壁或者天花板上，或者附装到这两者上。
13.权利要求1的器件，其中该器件包括多个配光元件。
14.权利要求1的器件，其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括具有光子晶体结构的层。
15.权利要求1的器件，其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括全息记录材料层。
16.权利要求1的器件，其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括具有平面波干涉图形的材料层。
17.权利要求1的器件，其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括具有对应于不同波长的光的平面波干涉图形的材料层。
18.权利要求17的器件，其中对应于每个波长的光的平面波干涉图形被分别限制于材料层平面中的分立的几何形状的域或区域。
19.权利要求18的器件，其中几何形状的区域包括平行的带。
20.权利要求18的器件，其中第一反馈材料层中的分立的几何形状域或区域具有基本相同的几何形状，并且在第二反馈材料层的平面中占据基本相同的位置。
21.权利要求17的器件，其中一个或者多个反馈材料层包括至少全息记录材料层。
22.权利要求17的器件，其中一个或者多个反馈材料层包括至少光子晶体材料层。
23.权利要求16的器件，其中一个或者多个反馈材料层包括至少全息记录材料层。
24.权利要求16的器件，其中一个或者多个反馈材料层包括至少光子晶体材料层。
25.权利要求1的器件，其中发光材料层包括两个或者更多的发光材料，该每一发光材料被分立地构图为在发光材料平面中的几何形状的域或区域。
26.权利要求25的器件，其中发光材料平面中的几何形状的域或区域具有基本相同的形状，并且在第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者的平面中占据基本相同的位置。
27.权利要求26的器件，其中每个发光材料具有光谱发射带，其与第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者中的对应域或区域中的干涉图形的反射带基本重叠。
28.权利要求27的器件，其中一个或者多个发光材料具有宽的光谱带发射，其可以用于发光材料的域或区域中，该发光材料的域或区域位于对应于第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者中的、具有对应于不同波长的光的平面波干涉图形的域或区域中。
29.权利要求1的器件，其中第一反馈层和第二反馈层之间的距离是处于约为发射光的一个半波长的级中。
30.权利要求1的器件，其中第一反馈层和第二反馈层之间的距离是处于约为发射光的两个或者更多个半波长的级中。
31.权利要求1的器件，其中配光元件与光源是一体的。
32.权利要求1的器件，其中发光材料包括电致发光材料，其光谱发射带与第一反馈层和第二反馈层的反射带重叠。
33.权利要求1的器件，其中第一和第二电极，以及一个或者多个半传导层形成于由第一反馈层和第二反馈层形成的连续光子晶体的缺陷中。
34.权利要求33的器件，其中该缺陷包括在具有小于发射光一个波长的光子晶体的空间相位中的相滑移。
35.权利要求33的器件，其中从发光材料层发射的光以缺陷模发出。
36.权利要求1的器件，其中第一反馈层和第二反馈层在它们的光谱反射带的峰值波长处均不透射光，并且发光材料将光辐射成为带边光激射模。
37.权利要求1的器件，其中光源进一步包括空穴注入层，其置于第一反馈层和所述一个或者多个半传导层之间。
38.权利要求1的器件，其中光源进一步包括电子注入层，其置于第二反馈层和所述一个或者多个半传导层之间。
39.权利要求1的器件，其中光源进一步包括空穴输运层，其置于空穴注入层和所述一个或者多个半传导层之间。
40.权利要求1的器件，其中光源进一步包括电子输入层，其置于电子注入层和所述一个或者多个半传导层之间。
41.权利要求14的器件，其中光子晶体结构包括一维、二维或者三维光子晶体结构或者它们的组合。
42.权利要求1的器件，其中第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个具有的折射率分布至少部分沿垂直于或者基本垂直于各自反馈层平面的轴方向周期性变化。
43.权利要求42的器件，其中具有周期性变化的折射率分布的第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个具有至少部分连续变化的折射率分布。
44.权利要求1的器件，其中第一反馈层和第二反馈层之间的距离使得反馈层之间的空间组成腔，其中具有一个或者多个所需波长的光相长地发生干涉。
45.权利要求1的器件，其中由第一反馈层和第二反馈层反射中的一个或者两个反射的光激发所述一个或者多个发光材料层的光发射。
46.权利要求45的器件，其中光的受激发射导致由器件发射的光的基本平行。
47.权利要求45的器件，其中光的受激发射导致光激射行为。
48.权利要求33的器件，其中光子晶体结构包括一维、二维或者三维光子晶体结构或者它们的组合。
49.权利要求1的器件，其中发光材料包括纯净的材料、固体溶液、合金、异质混合物或者它们的组合。
50.权利要求1的器件，其中发光材料包括聚合物发光材料。
51.权利要求1的器件，其中发光材料包括交联有机发光材料。
52.权利要求1的器件，其中发光材料包括包含具有在小分子分子量到聚合物分子量之间的分子量范围的分子的发光材料。
53.权利要求1的器件，其中发光材料包括溶解在聚合物主体中的小分子发光材料。
54.权利要求1的器件，其中发光材料包括荧光材料。
55.权利要求1的器件，其中发光材料包括磷光材料。
56.权利要求1的器件，其中发光材料包括有机和无机化合物发光材料。
57.权利要求1的器件，其中发光材料包括无机发光材料。
58.权利要求1的器件，其中发光材料包括液晶材料。
59.权利要求2的器件，其中配光元件包括分光屏。
60.权利要求59的器件，其中分光屏包括多个锥形光导。
61.权利要求1的器件，其中由器件发射的所有光占用单一的光传播模。
62.权利要求61的器件，其中第一反馈层和第二反馈层之间的间距等于排除了由于反射而引起的相移的λ/2，其中λ是光在单一的光传播模中的波长。
63.权利要求1的器件，其中由器件发射的光占用两个或者更多个光传播模。
64.权利要求1的器件，其中第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个包括叠加了多个周期性空间频率变化的折射率分布。
65.权利要求1的器件，进一步包括基片，在该基片上安置有第一反馈层。
66.权利要求65的器件，其中该基片包括玻璃基片。
67.权利要求65的器件，其中该基片包括挠性塑料基片、金属基片、半导体基片中的一个或者多个。
CN038155400A 2002-05-08 2003-05-08 使用反馈增强型发光二极管的照明器件 Pending CN1666579A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37914102P 2002-05-08 2002-05-08
US60/379,141 2002-05-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1666579A true CN1666579A (zh) 2005-09-07

Family

ID=29420495

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN038155400A Pending CN1666579A (zh) 2002-05-08 2003-05-08 使用反馈增强型发光二极管的照明器件
CN038155036A Pending CN1666578A (zh) 2002-05-08 2003-05-08 反馈增强型光发射器件
CN038155362A Pending CN1666576A (zh) 2002-05-08 2003-05-08 使用反馈增强型发光二极管的显示器件

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN038155036A Pending CN1666578A (zh) 2002-05-08 2003-05-08 反馈增强型光发射器件
CN038155362A Pending CN1666576A (zh) 2002-05-08 2003-05-08 使用反馈增强型发光二极管的显示器件

Country Status (7)

Country Link
US (6) US9129552B2 (zh)
EP (3) EP1504633A1 (zh)
JP (3) JP2005524958A (zh)
KR (2) KR20050027983A (zh)
CN (3) CN1666579A (zh)
AU (3) AU2003249618A1 (zh)
WO (3) WO2003096757A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640308A (zh) * 2010-09-14 2012-08-15 松下电器产业株式会社 背光源装置、使用该背光源装置的液晶显示装置和在它们中使用的发光二极管
CN103094836A (zh) * 2011-10-27 2013-05-08 密执安州立大学董事会 用三重态管理器的有机半导体激光器
CN108779396A (zh) * 2016-03-10 2018-11-09 雷德班克技术有限责任公司 利用手性液晶发射体的带边缘发射增强有机发光二极管
CN113574317A (zh) * 2019-03-18 2021-10-29 周志源 光学装置以及照明装置

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003079449A1 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
CA2443206A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
WO2005036704A1 (ja) * 2003-10-10 2005-04-21 Nippon Oil Corporation レーザ発振素子
JP2007511889A (ja) * 2003-11-18 2007-05-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー カラーフィルタを含むエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法
CN1898993A (zh) * 2003-11-18 2007-01-17 3M创新有限公司 电致发光器件以及制造具有色彩转换元件的电致发光器件的方法
KR100563059B1 (ko) * 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름
JP4475942B2 (ja) * 2003-12-26 2010-06-09 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2005197009A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及びその製造方法及び製造装置
JP4439260B2 (ja) * 2003-12-26 2010-03-24 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
EP1759145A1 (en) * 2004-05-28 2007-03-07 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
US7997771B2 (en) * 2004-06-01 2011-08-16 3M Innovative Properties Company LED array systems
TWI227094B (en) * 2004-06-03 2005-01-21 Au Optronics Corp Organic light-emitting display device and fabricating thereof
US20060011929A1 (en) * 2004-06-29 2006-01-19 Shuji Inaba Rotating display device
DE102004035965B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
DE102004037096A1 (de) * 2004-07-26 2006-03-23 Novaled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
DE102004042461A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-30 Novaled Gmbh Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren
US7407716B2 (en) * 2004-09-01 2008-08-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light emitting devices with multiple light emitting layers to achieve broad spectrum
US7452613B2 (en) * 2004-09-01 2008-11-18 Osram Opto-Semiconductors, Gmbh White organic electroluminescent device
EP1648042B1 (en) * 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG A method for doping a semiconductor material with cesium
KR100683711B1 (ko) * 2004-11-22 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR100601381B1 (ko) 2004-11-29 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
WO2006067200A2 (fr) * 2004-12-21 2006-06-29 Thomson Licensing Diode organique electroluminescente a emission double-face, a couche dielectrique d'extraction de lumiere
US7242703B2 (en) * 2004-12-21 2007-07-10 The Trustees Of Princeton University Organic injection laser
US8569948B2 (en) * 2004-12-28 2013-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer
TWI245587B (en) 2005-02-17 2005-12-11 Au Optronics Corp Organic electro luminescence devices, flat panel displays, and portable electronics using the same
EP1701395B1 (de) * 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
US7304795B2 (en) * 2005-04-28 2007-12-04 Symbol Technologies, Inc. Image projection with reduced speckle noise
DE502005009415D1 (de) * 2005-05-27 2010-05-27 Novaled Ag Transparente organische Leuchtdiode
EP1729346A1 (de) * 2005-06-01 2006-12-06 Novaled AG Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung
EP1739765A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
DE102005039608A1 (de) * 2005-08-19 2007-03-01 Ormecon Gmbh Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer
KR20070034280A (ko) * 2005-09-23 2007-03-28 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치용 표시판의 제조 방법
US7506985B2 (en) 2005-10-26 2009-03-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Projection light source having multiple light emitting diodes
US20070128465A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 General Electric Company Transparent electrode for organic electronic devices
JP4251329B2 (ja) * 2005-12-20 2009-04-08 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
EP1808909A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
JP2008004645A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Harison Toshiba Lighting Corp 発光デバイス
JP4291837B2 (ja) * 2006-08-30 2009-07-08 株式会社沖データ 投写型表示装置および画像形成装置
EP1895608A3 (de) * 2006-09-04 2011-01-05 Novaled AG Organisches lichtemittierendes Bauteil und Verfahren zum Herstellen
US7710017B2 (en) * 2006-09-08 2010-05-04 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a transparent microcavity
EP1903610A3 (de) * 2006-09-21 2012-03-28 OPTREX EUROPE GmbH OLED-Anzeige
KR20160140979A (ko) 2006-09-29 2016-12-07 오스람 실바니아 인코포레이티드 유기 발광 소자 및 조명 장치
US8026512B2 (en) * 2006-11-16 2011-09-27 Panasonic Corporation Mobility engineered electroluminescent devices
DE102008054435A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Universität Zu Köln Organische Leuchtdiode mit optischem Resonator nebst Herstellungsverfahren
IT1392881B1 (it) * 2009-02-13 2012-04-02 Deltae Srl Laser senza specchi accordabile a tre strati
US9270086B2 (en) * 2009-07-29 2016-02-23 The Regents Of The University Of Michigan Organic laser
KR20110040308A (ko) * 2009-10-14 2011-04-20 순천향대학교 산학협력단 발광 소자, 이를 구비하는 표시 장치 및 조명 유닛
GB201015417D0 (en) * 2010-09-15 2010-10-27 Lomox Ltd Organic light emitting diode devices
JP5591052B2 (ja) * 2010-09-30 2014-09-17 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
EP2458412A1 (en) 2010-11-24 2012-05-30 Université de Liège Method for manufacturing an improved optical layer of a light emitting device, and light emitting device with surface nano-micro texturation based on radiation speckle lithography.
US8919999B2 (en) 2011-04-29 2014-12-30 Joy Mm Delaware, Inc. Flat panel light with clear potting material
JP5776426B2 (ja) * 2011-08-03 2015-09-09 大日本印刷株式会社 ホログラムシート
KR101920766B1 (ko) * 2011-08-09 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9459512B2 (en) * 2013-04-09 2016-10-04 Vizio, Inc FIPEL backlight panel with pixel color film for displays
KR20150019145A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6158248B2 (ja) 2014-05-27 2017-07-05 ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイＴｈｅ Ｂｏａｒｄ Ｏｆ Ｔｒｕｓｔｅｅｓ Ｏｆ Ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｉｌｌｉｎｏｉｓ ナノ構造材料の方法および素子
TWI549330B (zh) * 2014-06-04 2016-09-11 群創光電股份有限公司 有機發光二極體顯示器
KR102305143B1 (ko) 2014-08-20 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107110432B (zh) 2014-10-07 2020-02-04 飞利浦照明控股有限公司 用于发光光导的颜色控制
US20220052295A1 (en) * 2014-11-19 2022-02-17 Mitchell C. Nelson Quarter-wave oled
CN104867961B (zh) * 2015-04-24 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法及显示装置
KR20180021843A (ko) * 2015-06-24 2018-03-05 레드 뱅크 테크놀로지스 엘엘씨 국한된 이미터를 갖는 밴드-에지 방출 강화 유기 발광 다이오드
US11398614B2 (en) * 2015-07-01 2022-07-26 Red Bank Technologies Llc Active matrix enhanced organic light emitting diode displays for large screen graphic display application
CN105280685B (zh) * 2015-09-15 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
KR102604993B1 (ko) * 2016-05-17 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6695785B2 (ja) * 2016-11-29 2020-05-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光装置、表示装置および照明装置
US11588139B2 (en) * 2017-02-17 2023-02-21 Red Bank Technologies, LLC Circularly polarized light emitting organic light emitting diodes
US11506893B2 (en) 2017-03-23 2022-11-22 Red Bank Technologies Llc Head-mounted and head-up displays utilizing organic light emitting diodes that emit by stimulated emission
KR102167215B1 (ko) * 2018-01-03 2020-10-20 주식회사 엘지화학 광학 필름
US10680185B2 (en) 2018-01-04 2020-06-09 Red Bank Technologies Llc Active matrix enhanced organic light emitting diode displays for large screen graphic display applications
US10586833B2 (en) * 2018-05-09 2020-03-10 Microsoft Technology Licensing, Llc OLED display color compensation
CN110379938B (zh) * 2019-07-26 2020-12-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种非对称紫外微腔有机发光二极管及其制备方法
US11360346B2 (en) 2020-08-27 2022-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical lens having a tunable focal length and display device including the same
EP4218065A1 (en) * 2020-09-25 2023-08-02 Red Bank Technologies LLC Band edge emission enhanced organic light emitting diode-based devices that emit multiple light wavelengths
CN112954164B (zh) * 2021-02-08 2022-09-30 维沃移动通信有限公司 电子设备

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3771065A (en) 1972-08-09 1973-11-06 Us Navy Tunable internal-feedback liquid crystal-dye laser
US5142192A (en) * 1988-09-20 1992-08-25 Ricoh Company, Ltd. Thin film electroluminescent element
US5365541A (en) * 1992-01-29 1994-11-15 Trw Inc. Mirror with photonic band structure
JP3274527B2 (ja) * 1992-09-22 2002-04-15 株式会社日立製作所 有機発光素子とその基板
US5406573A (en) 1992-12-22 1995-04-11 Iowa State University Research Foundation Periodic dielectric structure for production of photonic band gap and method for fabricating the same
US6404127B2 (en) * 1993-07-20 2002-06-11 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Multi-color microcavity resonant display
US5469018A (en) * 1993-07-20 1995-11-21 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Resonant microcavity display
US5804919A (en) * 1994-07-20 1998-09-08 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Resonant microcavity display
JP3276745B2 (ja) 1993-11-15 2002-04-22 株式会社日立製作所 可変波長発光素子とその制御方法
US5479275A (en) * 1993-12-03 1995-12-26 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Backlit liquid crystal display with integral collimating, refracting, and reflecting means which refracts and collimates light from a first light source and reflects light from a second light source
US5537000A (en) 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
US5559825A (en) 1995-04-25 1996-09-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Photonic band edge optical diode
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
JP3528470B2 (ja) * 1995-10-27 2004-05-17 株式会社豊田中央研究所 微小光共振器型有機電界発光素子
US6433355B1 (en) * 1996-06-05 2002-08-13 International Business Machines Corporation Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices
JPH10143098A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 自発光可能な再帰性反射シートおよび反射性標識
JP3970965B2 (ja) 1996-11-15 2007-09-05 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド膜を有する発光素子及び平面パネルディスプレイ
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6160828A (en) * 1997-07-18 2000-12-12 The Trustees Of Princeton University Organic vertical-cavity surface-emitting laser
JPH118070A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JPH1167448A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ディスプレイ装置
CA2319056C (en) * 1998-02-05 2007-09-18 Zumtobel Staff Gmbh Lighting fixture
WO1999049358A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Afficheur d'images et dispositif emettant de la lumiere
JP2991183B2 (ja) * 1998-03-27 1999-12-20 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6304366B1 (en) 1998-04-02 2001-10-16 Michael Scalora Photonic signal frequency conversion using a photonic band gap structure
US6330265B1 (en) * 1998-04-21 2001-12-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical functional element and transmission device
US20020003827A1 (en) * 1998-05-01 2002-01-10 Genack Azriel Zelig Stop band laser apparatus and method
US6091197A (en) 1998-06-12 2000-07-18 Xerox Corporation Full color tunable resonant cavity organic light emitting diode
US6280559B1 (en) * 1998-06-24 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates
US6075317A (en) * 1998-07-30 2000-06-13 Alliedsignal Inc. Electroluminescent device having increased brightness and resolution and method of fabrication
US6352359B1 (en) * 1998-08-25 2002-03-05 Physical Optics Corporation Vehicle light assembly including a diffuser surface structure
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP4270529B2 (ja) * 1998-10-19 2009-06-03 ローム株式会社 面発光装置、および面発光装置を有する画像表示装置
US6429461B1 (en) * 1998-10-19 2002-08-06 Rohm Co., Ltd. Surface light emitting devices
AU2206700A (en) 1998-12-21 2000-07-12 Chiral Photonics, Inc. Chiral laser apparatus and method
WO2000039247A1 (fr) * 1998-12-28 2000-07-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique
CA2327662C (en) 1999-02-04 2009-06-09 Chiral Photonics, Inc. Chiral twist laser and filter apparatus and method
JP3887984B2 (ja) * 1999-02-05 2007-02-28 松下電器産業株式会社 多色発光分散型ｅｌランプ
US6411635B1 (en) 1999-03-31 2002-06-25 Chiral Photonics, Inc. Apparatus and method for mode selection in a photonic band edge laser
GB2351840A (en) * 1999-06-02 2001-01-10 Seiko Epson Corp Multicolour light emitting devices.
GB2353400B (en) * 1999-08-20 2004-01-14 Cambridge Display Tech Ltd Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
GB2356713A (en) * 1999-11-26 2001-05-30 Seiko Epson Corp Distributed Bragg reflector
WO2001051984A1 (en) 2000-01-07 2001-07-19 Chiral Photonics, Inc. Thin-film large-area coherent light source, filter and amplifier apparatus and method
JP2001244066A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Seiko Epson Corp 発光装置
US6665479B2 (en) 2000-03-06 2003-12-16 Shayda Technologies, Inc. Polymeric devices including optical waveguide laser and optical amplifier
JP2001264754A (ja) * 2000-03-15 2001-09-26 Nec Corp 液晶表示装置及びそれに用いられる光源装置
US6678297B2 (en) * 2000-03-20 2004-01-13 Chiral Photonics, Inc. Chiral laser utilizing a quarter wave plate
GB2361355B (en) * 2000-04-14 2004-06-23 Seiko Epson Corp Light emitting device
GB2361356B (en) * 2000-04-14 2005-01-05 Seiko Epson Corp Light emitting device
US6330111B1 (en) * 2000-06-13 2001-12-11 Kenneth J. Myers, Edward Greenberg Lighting elements including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
JP2001357979A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Toshiba Corp Ｅｌ素子
JP2002008868A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Seiko Epson Corp 面発光装置
JP2002056989A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Seiko Epson Corp 発光装置
JP2002063990A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Seiko Epson Corp 発光装置
JP2002075656A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Mitsubishi Chemicals Corp Ｅｌ素子
JP4053260B2 (ja) * 2000-10-18 2008-02-27 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子
US6710541B2 (en) * 2000-12-22 2004-03-23 Reveo, Inc. Polarized light sources and methods for making the same
JP5265840B2 (ja) * 2001-03-14 2013-08-14 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機発光ダイオード類に基づく青色リン光用の材料および素子
ATE399998T1 (de) 2001-03-14 2008-07-15 Chiral Photonics Inc Chirales faser-bragg-gitter
TWI257828B (en) * 2001-05-31 2006-07-01 Seiko Epson Corp EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus
US6875276B2 (en) 2001-06-15 2005-04-05 Chiral Photonics, Inc. Apparatus and method for fabricating layered periodic media
US6867243B2 (en) 2001-06-29 2005-03-15 University Of Hull Light emitting polymer
US20030018097A1 (en) 2001-07-03 2003-01-23 O'neill Mary Light emitting polymer
US6830831B2 (en) 2001-06-29 2004-12-14 University Of Hull Light emitter for a display
US20030027017A1 (en) 2001-07-03 2003-02-06 O'neill Mary Light emitter for a display
US20030021913A1 (en) 2001-07-03 2003-01-30 O'neill Mary Liquid crystal alignment layer
US6888305B2 (en) 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
US6671293B2 (en) 2001-11-19 2003-12-30 Chiral Photonics, Inc. Chiral fiber laser apparatus and method
WO2003047316A1 (en) * 2001-11-29 2003-06-05 The Trustees Of Princeton University Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640308A (zh) * 2010-09-14 2012-08-15 松下电器产业株式会社 背光源装置、使用该背光源装置的液晶显示装置和在它们中使用的发光二极管
US8860907B2 (en) 2010-09-14 2014-10-14 Panasonic Corporation Backlight unit, liquid crystal display apparatus using the same, and light-emitting diode used therefor
CN102640308B (zh) * 2010-09-14 2015-05-27 松下电器产业株式会社 背光源装置、使用该背光源装置的液晶显示装置和在它们中使用的发光二极管
CN103094836A (zh) * 2011-10-27 2013-05-08 密执安州立大学董事会 用三重态管理器的有机半导体激光器
CN103094836B (zh) * 2011-10-27 2017-07-21 密执安州立大学董事会 用三重态管理器的有机半导体激光器
CN108779396A (zh) * 2016-03-10 2018-11-09 雷德班克技术有限责任公司 利用手性液晶发射体的带边缘发射增强有机发光二极管
CN108779396B (zh) * 2016-03-10 2022-11-04 雷德班克技术有限责任公司 利用手性液晶发射体的带边缘发射增强有机发光二极管
CN113574317A (zh) * 2019-03-18 2021-10-29 周志源 光学装置以及照明装置
CN113574317B (zh) * 2019-03-18 2022-07-19 周志源 光学装置以及照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1504633A1 (en) 2005-02-09
EP1504632A1 (en) 2005-02-09
WO2003096757A1 (en) 2003-11-20
WO2003101157A1 (en) 2003-12-04
US20170324064A1 (en) 2017-11-09
US20030214691A1 (en) 2003-11-20
JP2005524958A (ja) 2005-08-18
US7335921B2 (en) 2008-02-26
AU2003273161A1 (en) 2003-12-12
EP1504634A4 (en) 2007-07-18
EP1504634A1 (en) 2005-02-09
CN1666576A (zh) 2005-09-07
WO2003101156A1 (en) 2003-12-04
EP1504632A4 (en) 2008-01-02
US20160013446A1 (en) 2016-01-14
US9660221B2 (en) 2017-05-23
JP2005524964A (ja) 2005-08-18
CN1666578A (zh) 2005-09-07
US20160343989A1 (en) 2016-11-24
US9761839B2 (en) 2017-09-12
KR20050027982A (ko) 2005-03-21
AU2003249618A1 (en) 2003-12-12
KR20050027983A (ko) 2005-03-21
US9985249B2 (en) 2018-05-29
JP2005524965A (ja) 2005-08-18
US20040069995A1 (en) 2004-04-15
AU2003233516A1 (en) 2003-11-11
US9129552B2 (en) 2015-09-08
US20040066824A1 (en) 2004-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1666579A (zh) 使用反馈增强型发光二极管的照明器件
KR100779440B1 (ko) 유기 ｅｌ 장치
KR101370317B1 (ko) 유기 전계 발광원
US20110303906A1 (en) Transparent organic light emitting diode
JP2001345483A (ja) 発光ダイオード
CN1933689A (zh) 面发光装置
KR20010107695A (ko) 유기 발광 소자에서의 주위광 반사율 저하법
RU2301475C1 (ru) Светоизлучающий узел, способ создания свечения светоизлучающего узла и устройство для осуществления способа создания свечения светоизлучающего узла
JP2002299057A (ja) 有機発光装置
JP2007059864A (ja) 照明装置および発光ダイオード装置
JP2003123987A (ja) 光共振器
KR20050086626A (ko) 콘트라스트 인핸스먼트 특성을 갖는 유기발광다이오드
KR101237589B1 (ko) 조명장치
WO2011107904A1 (en) Lighting device with lamp and oled
JP5598633B1 (ja) 照明装置
KR101268543B1 (ko) 유기 발광 소자
US7838889B2 (en) Solid-state area illumination system
WO2024022057A1 (zh) 发光模组和发光装置
TW201636703A (zh) 無電極ｏｌｅｄ照明器具及使用相同物的ｌｃｄ系統
US20100237333A1 (en) Organic component vertically emitting white light
KR101057349B1 (ko) 휘도가 강화된 백색광원
JP3898163B2 (ja) 有機発光表示装置
JP2002083507A (ja) 副光源を備えた灯具
JP2004349221A (ja) 平面発光装置及び透光体の製造方法
CN109698265A (zh) 一种具有反射腔结构的发光模组

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication