JP2002008868A - 面発光装置 - Google Patents

面発光装置

Info

Publication number
JP2002008868A
JP2002008868A JP2000182135A JP2000182135A JP2002008868A JP 2002008868 A JP2002008868 A JP 2002008868A JP 2000182135 A JP2000182135 A JP 2000182135A JP 2000182135 A JP2000182135 A JP 2000182135A JP 2002008868 A JP2002008868 A JP 2002008868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting device
diffraction grating
light emitting
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000182135A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoko Koyama
智子 小山
Takeo Kaneko
丈夫 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000182135A priority Critical patent/JP2002008868A/ja
Priority to US09/878,994 priority patent/US6587620B2/en
Publication of JP2002008868A publication Critical patent/JP2002008868A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083Constructional arrangements
    • G02B2006/12107Grating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/405Reflective materials

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特定の方向における光の強度を大きくし、光
を効率よく利用することができる面発光装置を提供す
る。 【解決手段】 面発光装置1000は、基板10と、基
板10上に形成された発光素子部100とを含み、かつ
基板10と交差する方向に光を出射する。発光素子部1
00は、発光層40と、発光層40に電界を印加するた
めの陽極30および陰極50と、回折格子12とを含
む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、EL(エレクトロ
ルミネッセンス)を用いた面発光装置に関する。
【0002】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】EL
(エレクトロルミネッセンス)を用いたEL発光素子に
おいては、発光が等方的に行われて指向性が悪いため、
特定の方向についてみると、光の強度が弱く、出射光を
高い効率で利用することができないという難点を有す
る。
【0003】本発明の目的は、特定の方向における光の
強度を大きくし、光を効率よく利用することができる面
発光装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の面発光装置は、
基板と、前記基板上に形成された発光素子部とを含み、
かつ前記基板と交差する方向に光を出射する面発光装置
であって、前記発光素子部は、エレクトロルミネッセン
スによって発光可能な発光層と、前記発光層に電界を印
加するための一対の電極層と、2次以上のオーダの回折
格子と、を含む。
【0005】本発明の面発光装置によれば、一対の電極
層、すなわち陰極と陽極とからそれぞれ電子とホールと
が発光層内に注入され、この電子とホールとが発光層で
再結合して、分子が励起状態から基底状態に戻るときに
光が発生する。本発明の面発光装置によれば、2次以上
のオーダの回折格子を含むため、発光層にて発生した光
は前記回折格子によって前記基板と交差する方向にも出
射するように制御される。
【0006】ここで、2次以上のオーダの回折格子と
は、たとえば回折格子の周期方向のピッチが(a+1)
λ/2n(aは1以上の整数、nは平均屈折率)である
回折格子をいう。特に、2次オーダ(a=1)の回折格
子の場合、基板10ののびる方向(図1のX方向)のみ
ならず、基板10の膜厚方向(図1のY方向)に光を出
射する面発光装置を得ることができる。
【0007】また、回折格子とは、光の回折を利用して
所定のスペクトルを得るために一般的に用いられる光学
素子をいう。
【0008】この場合、前述した本発明の面発光装置に
おいては、前記回折格子がフォトニックバンドギャップ
またはそれに近似するフォトニックバンドを構成するこ
とができる。ここで、フォトニックバンドギャップに近
似するフォトニックバンドとは、完全なフォトニックバ
ンドギャップが形成されない場合に形成されるバンドを
いう。たとえば、回折格子が第1の媒質層および第2の
媒質層が交互に配列されて形成されている場合に、第1
の媒質層と第2の媒質層との間の屈折率差が小さい場合
には、フォトニックバンドギャップが完全に形成されな
い場合が生じる。
【0009】この構成によれば、一対の電極層、すなわ
ち陰極と陽極とからそれぞれ電子とホールとが発光層内
に注入され、この電子とホールとが発光層で再結合し
て、分子が励起状態から基底状態に戻るときに光が発生
する。すなわち、発光層内で、この電子とホールとが再
結合されることにより励起子が生成され、この励起子が
失活する際に蛍光や燐光などの光が発生する。これによ
り、発光スペクトル幅の非常に狭い光を高効率で得るこ
とができる。
【0010】また、上述した回折格子を含む面発光装置
としては、以下に示す第1および第2の面発光装置が例
示できる。
【0011】(第1の面発光装置)第1の面発光装置
は、前述した本発明の面発光装置において、前記発光層
の発光スペクトルのエネルギー準位が、前記回折格子に
よって形成されるバンドに含まれるバンドエッジのエネ
ルギー準位を含むように前記回折格子が構成される。
【0012】第1の面発光装置によれば、前記回折格子
によって、光に対してのバンドが形成される。このバン
ドは、あるバンドエッジのエネルギーにおいて、状態密
度が高い状態が得られる。ここで、前記発光層において
発光する光のスペクトルのエネルギー準位が、このバン
ドエッジのエネルギー準位を含むように前記回折格子が
構成されることにより、発光層での発光がこのバンドエ
ッジのエネルギー準位で起こりやすくなる。このため、
このバンドエッジのエネルギー準位に対応する波長を有
し、かつスペクトル幅が狭い光を発光することができ、
高収率の素子が得られる。
【0013】(第2の面発光装置)第2の面発光装置に
おいては、前記回折格子の一部に形成され、欠陥に起因
するエネルギー準位が所定の発光スペクトル内に存在す
るように設定された欠陥部を含む。この構成によれば、
前記発光層で発生した光のうち、その欠陥に起因するエ
ネルギー準位に相当する波長帯域の光のみが回折格子内
を伝搬できる。したがって、前記欠陥に起因するエネル
ギー準位の幅を規定することにより、所定の方向におい
て自然放出が制約された発光スペクトル幅が非常に狭く
かつ指向性がある光を高収率で得ることができる。
【0014】この場合、前記発光層は、前記回折格子の
少なくとも一部として機能することができる。また、こ
の場合、前記発光層は、前記欠陥部の少なくとも一部と
して機能することができる。
【0015】前述した第1および第2の面発光装置にお
いては、たとえば、以下の態様をとることができる。
【0016】(1)前記回折格子が、分布帰還型の回折
格子、あるいは分布ブラッグ反射型であることが望まし
く、さらに、利得結合型構造あるいは屈折率結合型構造
を有することが望ましい。
【0017】(2)前記回折格子が、絶縁性の第1の媒
質層と第2の媒質層とが周期的に配列されることが望ま
しく、少なくとも一方向に周期的な屈折率分布を有する
ことが望ましい。たとえば、一方向、所定の二方向(第
1および第2の方向)、あるいは所定の三方向(第1、
第2および第3の方向)に周期性をもたせることができ
る。
【0018】また、この場合、前記第1の媒質層は、柱
状であり、かつ格子状に配列され、前記第2の媒質層
は、該第1の媒質層の間に配置されていることが望まし
い。さらにこの場合、前記回折格子は、その周期方向の
ピッチが(a+1)λ/2n(aは1以上の整数、nは
平均屈折率)であることが望ましい。
【0019】(3)さらに、ホール輸送層および電子輸
送層の少なくとも一方が設けられていることが望まし
い。
【0020】この場合、前記回折格子は、ホール輸送層
または電子輸送層がひとつの媒質を構成することができ
る。
【0021】(4)前記発光層は、前記回折格子の少な
くとも一部として機能することができる。
【0022】(5)前記電極層の少なくとも一方の層上
に、該光の伝播を規制する層を設けることができる。
【0023】この場合、前記光の伝播を規制する層は、
クラッド層または誘電体多層膜であることが望ましい。
【0024】(6)前記発光層を、前記回折格子と異な
る領域に形成することができる。
【0025】(7)前記発光層は、発光材料として有機
発光材料を含むことが望ましい。有機発光材料を用いる
ことにより、例えば半導体材料や無機材料を用いた場合
に比べて材料の選択の幅が広がり、種々の波長の光を発
光することが可能となる。
【0026】前述した本発明の面発光装置は、ディスプ
レイに用いることができる。
【0027】次に、本発明にかかる面発光装置の各部分
に用いることができる材料の一部を例示する。これらの
材料は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示した
もの以外の材料を選択できることはもちろんである。
【0028】(発光層)発光層の材料は、所定の波長の
光を得るために公知の化合物から選択される。発光層の
材料としては、有機化合物および無機化合物のいずれで
もよいが、種類の豊富さや成膜性の点から有機発光材料
であることが望ましい。
【0029】このような有機発光材料としては、例え
ば、特開平10−153967号公報に開示された、ア
ロマティックジアミン誘導体(TPD)、オキシジアゾ
ール誘導体(PBD)、オキシジアゾールダイマー(O
XD−8)、ジスチルアリーレン誘導体(DSA)、ベ
リリウム−ベンゾキノリノール錯体(Bebq)、トリ
フェニルアミン誘導体(MTDATA)、ルブレン、キ
ナクリドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポ
リアルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾ
メチン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサ
ゾール亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体な
どが使用できる。
【0030】また、発光層の材料としては、特開昭63
−70257号公報、同63−175860号公報、特
開平2−135361号公報、同2−135359号公
報、同3−152184号公報、さらに、同8−248
276号公報および同10−153967号公報に記載
されているものなど、公知のものが使用できる。これら
の化合物は単独で用いてもよく、2種類以上を混合して
用いてもよい。
【0031】無機化合物としては、ZnS:Mn(赤色
領域)、ZnS:TbOF(緑色領域)、SrS:C
u、SrS:Ag、SrS:Ce(青色領域)などが例
示できる。
【0032】(ホール輸送層)発光素子部において有機
化合物からなる発光層を用いる場合、必要に応じて電極
層(陽極)と発光層との間にホール輸送層を設けること
ができる。ホール輸送層の材料としては、公知の光伝導
材料のホール注入材料として用いられているもの、ある
いは有機面発光装置のホール注入層に使用されている公
知のものの中から選択して用いることができる。ホール
輸送層の材料は、ホールの注入あるいは電子の障壁性の
いずれかの機能を有するものであり、有機物あるいは無
機物のいずれでもよい。その具体例としては、例えば、
特開平8−248276号公報に開示されているものを
例示することができる。
【0033】(電子輸送層)発光素子部において有機化
合物からなる発光層を用いる場合、必要に応じて電極層
(陰極)と発光層との間に電子輸送層を設けることがで
きる。電子輸送層の材料としては、陰極より注入された
電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その
材料は公知の物質から選択することができる。その具体
例としては、例えば、特開平8−248276号公報に
開示されたものを例示することができる。
【0034】(電極層)陰極としては、仕事関数の小さ
い(例えば4eV以下)電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平8−248
276号公報に開示されたものを用いることができる。
【0035】陽極としては、仕事関数の大きい(例えば
4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、CuI,ITO,SnO
2,ZnOなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。
【0036】本発明において、回折格子の形成方法は特
に限定されるものではなく、公知の方法を用いることが
できる。その代表例を以下に例示する。
【0037】リソブラフィーによる方法 ポジまたはネガレジストを紫外線やX線などで露光およ
び現像して、レジスト層をパターニングすることによ
り、回折格子を作成する。ポリメチルメタクリレートあ
るいはノボラック系樹脂などのレジストを用いたパター
ニングの技術としては、例えば特開平6−224115
号公報、同7−20637号公報などがある。
【0038】また、ポリイミドをフォトリソブラフィー
によりパターニングする技術としては、例えば特開平7
−181689号公報および同1−221741号公報
などがある。さらに、レーザアブレーションを利用し
て、ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは
酸化チタンの回折格子を形成する技術として、例えば特
開平10−59743号公報がある。
【0039】光照射による屈折率分布の形成による方
法 光導波路の光導波部に屈折率変化を生じさせる波長の光
を照射して、光導波部に屈折率の異なる部分を周期的に
形成することにより回折格子を形成する。このような方
法としては、特に、ポリマーあるいはポリマー前駆体の
層を形成し、光照射などにより部分的に重合を行い、屈
折率の異なる領域を周期的に形成させて回折格子とする
ことが好ましい。この種の技術として、例えば、特開平
9−311238号公報、同9−178901号公報、
同8−15506号公報、同5−297202号公報、
同5−32523号公報、同5−39480号公報、同
9−211728号公報、同10−26702号公報、
同10−8300号公報、および同2−51101号公
報などがある。
【0040】スタンピングによる方法 熱可塑性樹脂を用いたホットスタンピング(特開平6−
201907号公報)、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング(特願平10−279439号)、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング(特開平7−235075
号公報)などのスタンピングによって回折格子を形成す
る。
【0041】エッチングによる方法 リソグラフィーおよびエッチング技術を用いて、薄膜を
選択的に除去してパターニングし、回折格子を形成す
る。
【0042】以上、回折格子の形成方法について述べた
が、要するに、回折格子は互いに異なる屈折率を有する
少なくとも2領域から構成されていればよく、例えば、
屈折率の異なる2種の材料により2領域を形成する方
法、一種の材料を部分的に変性させるなどして、屈折率
の異なる2領域を形成する方法、などにより形成するこ
とができる。
【0043】また、面発光装置の各層は、公知の方法で
形成することができる。たとえば、面発光装置の各層
は、その材質によって好適な成膜方法が選択され、具体
的には、蒸着法、スピンコート法、LB法、インクジェ
ット法などを例示できる。
【0044】
【発明の実施の形態】[第1の実施の形態] (デバイスの構造)図1は、本実施の形態にかかる面発
光装置1000を模式的に示す断面図であり、図2は、
図1におけるA−A線に沿った断面図である。図3〜図
7はそれぞれ、図1に示す面発光装置の一変形例を示す
断面図である。
【0045】面発光装置1000は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部100とを含む。発光素
子部100は、陽極30、発光層40、陰極50および
回折格子12を含む。発光層40は、エレクトロルミネ
ッセンスによって発光可能な材料から形成される。陽極
30および陰極50は、発光層40に電界を印加するた
めに設けられる。
【0046】陽極30は透明な導電材料で構成される。
このような透明電極の材料としては、ITOなど前述し
た材料を用いることができる。
【0047】回折格子12は、一方向に周期的な屈折率
分布を有する。ここで、回折格子とは、光の回折を利用
して所定のスペクトルを得るために一般的に用いられる
光学素子をいい、2つの媒質層が交互に配列して構成さ
れているものをいう。回折格子12では、図2に示すよ
うに、屈折率の異なる第1の媒質層12aと第2の媒質
層12bとが交互にX方向に配列している。第2の媒質
層12bは、発光層40に連続している。すなわち、発
光層40は回折格子12の一部(第2の媒質層12b)
として機能する。
【0048】回折格子12は、その周期方向のピッチ
が、 (a+1)λ/2n (aは1以上の整
数、nは平均屈折率) となるように形成されている。この場合、回折格子12
は(a+1)次オーダとなる。図1および図2において
は、回折格子12の周期方向のピッチがλ/n(上記式
においてa=1)であるため、回折格子12が2次のオ
ーダとなる。図2において、回折格子12の周期方向の
ピッチとは、1組の隣接する第1の媒質層12aおよび
第2の媒質層12bの幅の合計をいう。
【0049】回折格子12が2次以上のオーダの場合、
基板10がのびる方向だけでなく、基板10と交差する
方向へも光が出射する。特に、図2に示すように、回折
格子12が2次のオーダである場合、基板10がのびる
方向(図1に示すX方向)、ならびに基板10の膜厚方
向(図1に示すY方向)へも光が出射する。前述した式
に基づいて、回折格子12の周期方向のピッチを所定の
値にすることにより、回折格子12のオーダを設定する
ことができる。
【0050】回折格子12を構成する第1の媒質層12
aの材質は特に限定されず、面発光装置に用いる一般的
な材料の選択範囲のものから第1の媒質層12aを形成
する。たとえば、第1の媒質層12aは空気などの気体
の層であってもよい。このように、気体の層で光学部材
を形成する場合には、面発光装置に用いる一般的な材料
の選択範囲で、光学部材を構成する二媒質の屈折率差を
大きくすることができ、所望の光の波長に対して効率の
よい回折格子を得ることができる。この変形例は、他の
実施の形態についても同様に適用できる。
【0051】本実施の形態にかかる面発光装置1000
に用いられる回折格子12は、フォトニックバンドギャ
ップに近似するフォトニックバンドを構成する。さら
に、発光層40の発光スペクトルのエネルギー準位が、
回折格子12によって形成されるバンドに含まれるバン
ドエッジのエネルギー準位を含むように回折格子12が
構成される。すなわち、回折格子12によって、光に対
してのバンドが形成される。このバンドは、あるバンド
エッジのエネルギーにおいて、状態密度が高い状態が得
られる。また、発光層40において、発光する光のスペ
クトルが、このバンドエッジのエネルギー準位を含むよ
うに回折格子12が構成されている。したがって、発光
層40での発光がこのバンドエッジのエネルギー準位で
起こりやすくなる。これにより、このバンドエッジのエ
ネルギー準位に対応する波長を有し、スペクトル幅が狭
い光を発光し、かつ高収率の素子を得ることができる。
【0052】また、回折格子12は、分布帰還型の回折
格子を用いている。波長選択性および指向性に優れ、発
光スペクトル幅の狭い光を得ることができる。さらに、
回折格子12は、屈折率結合型構造または利得結合型構
造を有することが望ましい。図1においては、回折格子
12が利得結合型構造である場合を示す。
【0053】陰極50は、発光層40の表面を覆うよう
に形成される。このように、陰極50を発光層40上に
形成することにより、電流を発光層40に集中して供給
することができ、電流の損失を小さくできる。
【0054】なお、回折格子12ののびる方向(図1に
おけるX方向)および回折格子12と交差する方向(図
1におけるY方向)以外の方向には漏れモードの光の伝
搬が許容される。たとえば、回折格子12ののびる方向
(図1におけるX方向)への光の伝搬を抑制するため
に、必要に応じて、たとえば、図示しない反射層を設け
ることもできる。このことは、以下に述べる変形例およ
び他の実施の形態でも同様である。
【0055】面発光装置1000の回折格子12の製造
方法および各層を構成する材料などについては、前述し
た方法あるいは材料などを適宜用いることができる。こ
れらの製造方法および材料については、以下に述べる変
形例および他の実施の形態でも同様である。
【0056】(デバイスの動作)次に、この面発光装置
1000の動作および作用について説明する。
【0057】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子が、陽極30から
ホールが、それぞれ発光層40内に注入される。発光層
40内では、この電子とホールとが再結合されることに
より励起子が生成され、この励起子が失活する際に蛍光
や燐光などの光が発生する。発光層40において発生し
た光は、回折格子12によって分布帰還型の伝搬が行な
われ、基板10がのびる方向(X方向)、ならびに発光
層40から基板10表面とほぼ垂直な方向(Y方向)へ
と出射する。
【0058】(作用および効果)本発明によれば、2次
以上のオーダの回折格子を含むことにより、発光層にて
発生した光が、基板10がのびる方向だけでなく、回折
格子12によって基板10と交差する方向にも出射する
ように制御される。
【0059】特に、本実施の形態にかかる面発光装置1
000のように、回折格子12が2次のオーダである場
合には、回折格子12ののびる方向(図1においてX方
向)のみならず、基板10上に層が積層される方向(図
1においてY方向)とに同程度に光が伝播する。これに
より、いわゆる面発光を達成することができる。
【0060】(変形例)図1および図2に示す面発光装
置1000において、回折格子12や発光層40の形成
位置を変えたり、あるいはさらに他の層を設けることに
より、図3〜図7に例示する構造を含む面発光装置を採
用することもできる。これらの図において、面発光装置
1000の構成要素と同様な部材には同一符号を付し、
詳細な説明は省略する。なお、これらの変形例は、他の
実施の形態についても同様に適用できる。
【0061】図3〜図7はそれぞれ、本実施の形態にか
かる面発光装置の一変形例(面発光装置1001〜10
05)を模式的に示す断面図である。
【0062】(a)図3に示す面発光装置1001は、
発光素子部101にホール輸送層70を含む点で、その
ようなホール輸送層が設けられていない面発光装置10
00と異なる。
【0063】面発光装置1001は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部101とを含む。発光素
子部101は、陽極30、ホール輸送層70、発光層4
0、および陰極50がこの順序で基板10上に積層され
ることにより形成される。また、回折格子12はホール
輸送層70上に形成されている。
【0064】次に、この面発光装置1001の動作につ
いて説明する。
【0065】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から発光層40内に電子が
注入され、さらに、陽極30からホール輸送層70を介
して発光層40内にホールが注入される。発光層40内
では、この電子とホールとが再結合されることにより励
起子が生成され、この励起子が失活する際に蛍光や燐光
などの光が発生する。これ以降の動作は、第1の実施の
形態にかかる面発光装置1000とほぼ同様であるた
め、説明は省略する。
【0066】面発光装置1001は、図1に示す面発光
装置1000と同様の作用および効果を有するのに加
え、ホール輸送層70が設けられているため、ホールの
輸送能の向上を図ることができる。
【0067】(b)図4に示す面発光装置1002は、
発光素子部102にホール輸送層70を含む点、および
回折格子112を構成する第2の媒質層112bがホー
ル輸送層70に連続している点で、図1に示す面発光装
置1000と異なる。
【0068】面発光装置1002は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部102とを含む。発光素
子部102は、陽極30、ホール輸送層70、発光層4
0、および陰極50がこの順序で基板10上に積層され
ることにより形成される。
【0069】また、回折格子112bは陽極30上に形
成されている。回折格子112を構成する第2の媒質層
112bはホール輸送層70に連続して形成されてい
る。すなわち、ホール輸送層70が、回折格子112の
一部(第2の媒質層112b)として機能する。
【0070】次に、この面発光装置1002の動作につ
いて説明する。
【0071】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から発光層40内に電子が
注入され、さらに、陽極30からホール輸送層70を介
して発光層40内にホールが注入される。発光層40内
では、この電子とホールとが再結合されることにより励
起子が生成され、この励起子が失活する際に蛍光や燐光
などの光が発生する。これ以降の動作は、第1の実施の
形態にかかる面発光装置1000とほぼ同様である。
【0072】面発光装置1002は、図3に示す面発光
装置1001とほぼ同様の作用および効果を有する。
【0073】なお、図4においては、ホール輸送層70
内に回折格子112を設けた例を示したが、陽極30が
金属以外の材料で形成される場合、たとえばITOで形
成する場合には、ホール輸送層70および陽極30から
回折格子を形成してもよい。
【0074】(c)図5に示す面発光装置1003は、
ホール輸送層70および電子輸送層80を発光素子部1
03に含む点、および回折格子212を構成する第2の
媒質層212bが電子輸送層80に連続している点で、
図1に示す面発光装置1000と異なる。
【0075】面発光装置1003は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部103とを含む。発光素
子部103は、陽極30、ホール輸送層70、発光層4
0、電子輸送層80、および陰極50がこの順序で積層
されることにより形成される。また、回折格子212は
発光層40上に形成され、かつ回折格子212を構成す
る第2の媒質層212bは電子輸送層80に連続して形
成されている。すなわち、電子輸送層80が、回折格子
212の一部(第2の媒質層212b)として機能す
る。
【0076】次に、この面発光装置1003の動作につ
いて説明する。
【0077】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子輸送層80を介し
て発光層40内に電子が注入され、さらに、陽極30か
らホール輸送層70を介して発光層40内にホールが注
入される。発光層40内では、この電子とホールとが再
結合されることにより励起子が生成され、この励起子が
失活する際に蛍光や燐光などの光が発生する。これ以降
の動作は、第1の実施の形態にかかる面発光装置100
0とほぼ同様である。
【0078】面発光装置1003は、図1に示す面発光
装置1000と同様の作用および効果を有するうえに、
ホール輸送層70および電子輸送層80が設けられてい
るため、ホールおよび電子の輸送能の向上を図ることが
できる。
【0079】なお、図5においては、電子輸送層80内
に回折格子212を設けた例を示したが、陰極50を金
属以外の材料、たとえばダイヤモンド等で形成する場合
には、電子輸送層80および陰極50により回折格子を
形成することができる。また、電子輸送層80を形成し
ない場合には、陰極50と発光層40とによって回折格
子を形成することもできる。
【0080】(d)図6に示す面発光装置1004は、
発光素子部104にホール輸送層170を含む点で、図
1に示す面発光装置1000と異なる。また、ホール輸
送層170を発光素子部104に含む点、および回折格
子312を構成する第2の媒質層312bが発光層14
0に連続している点で、図3に示す面発光装置1001
と同様の構成を有する。一方、回折格子312を構成す
る第1の媒質層312aがホール輸送層170に連続し
ている点で、図3に示す面発光装置1001と異なる。
【0081】面発光装置1004は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部104とを含む。発光素
子部104は、陽極30、ホール輸送層170、発光層
140、および陰極50がこの順序で積層されることに
より形成される。また、回折格子312は、発光層14
0とホール輸送層170との境界領域に形成されてい
る。すなわち、回折格子312は、ホール輸送層170
の上面に設けられた溝13に発光層140を形成するた
めの材料を埋め込むことによって形成される。したがっ
て、回折格子312を構成する第1の媒質層312aは
ホール輸送層170に連続する。したがって、ホール輸
送層170が、回折格子312の一部(第1の媒質層3
12a)として機能する。また、回折格子312を構成
する第2の媒質層312bは発光層140に連続する。
したがって、発光層140が回折格子312の一部(第
2の媒質層312b)として機能する。
【0082】この面発光装置1004の動作、作用、お
よび効果は、図3に示す面発光装置1001と同様であ
るので、説明は省略する。
【0083】(e)図7に示す面発光装置1005は、
回折格子412が屈折率分布型構造を有する点で、前述
した面発光装置1000〜1004とは異なる。また、
面発光装置1005は、発光素子部105にホール輸送
層70を含む点で、図3に示す面発光装置1001と同
様の構成を有する。一方、回折格子412が基板10上
に形成されている点で、図3に示す面発光装置1001
と異なる。
【0084】面発光装置1005は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部105とを含む。発光素
子部105は、絶縁層60、陽極30、ホール輸送層7
0、発光層40、および陰極50がこの順序で積層され
ることにより形成される。
【0085】また、回折格子412は、第1の媒質層4
12aおよび第2の媒質層412bから構成され、かつ
屈折率結合型構造を有する。第1の媒質層412aは、
図1に示す回折格子12を構成する第1の媒質層12a
と同様の材料にて形成される。第2の媒質層412bは
絶縁層60に連続する。すなわち、絶縁層60が、回折
格子412の一部(第2の媒質層412b)として機能
する。
【0086】この面発光装置1005の動作、作用、お
よび効果は、図3に示す面発光装置1001とほぼ同様
である。
【0087】[第2の実施の形態] (デバイスの構造)図8は、本実施の形態にかかる面発
光装置2000を模式的に示す断面図であり、図9
(a)は、図8におけるB−B線に沿った断面図であ
り、図9(b),図9(c)はそれぞれ、図9(a)に
示す回折格子22の一変形例を示す図である。
【0088】面発光装置2000は、回折格子22が第
1、第2、および第3の方向に周期的な屈折率分布を有
する点で、一方向に周期的な屈折率分布を有する回折格
子12を含む面発光装置1000(第1の実施形態)と
異なる。そのほかの構成要素は第1の実施の形態にかか
る面発光装置1000とほぼ同様であるため、当該構成
要素については説明を省略する。
【0089】回折格子22は、前述したように、第1、
第2、および第3の方向に周期的な屈折率分布を有す
る。すなわち、回折格子22では、図9(a)に示すよ
うに、屈折率の異なる第1の媒質層22aが三角格子状
に配列している。第1の媒質層22aは柱状であり、第
2の媒質層22bは、第1の媒質層22bの間に配置さ
れている。また、第2の媒質層22bは、第1の実施の
形態にかかる第2の媒質層22bと同様に、発光層40
に連続している。
【0090】また、本実施の形態にかかる面発光装置2
000においては、回折格子22の周期方向のピッチが
λ/n(nは平均屈折率)である。なお、図9(a)の
に示すように、回折格子22がa,b,およびc方向
に周期的な屈折率分布を有する場合、そのピッチは、1
つ挟んで隣接する第1の媒質層22aの中心間の距離を
λ/nとする。また、なお、図9(a)のに示すよう
に、回折格子22がa'',b'',およびc''方向に周期
的な屈折率分布を有する場合、そのピッチは、隣接する
第1の媒質層22aの中心間の距離をλ/nとする。
【0091】回折格子22は、第1の実施の形態にかか
る回折格子12と同様に、2次オーダの回折格子であ
る。
【0092】なお、回折格子22の一変形例を図9
(b)および図9(c)に示す。図9(b)は、図9
(a)に示す第1の媒質層22aを正方格子状に配置し
た例である。この場合、第1および第2の方向(a’お
よびb’方向)に周期的な屈折率分布を有する。 図9
(a)の、および図9(b)において、回折格子22
の周期方向のピッチとは、隣接する第1の媒質層22a
の中心間の距離をいう。
【0093】また、図9(c)は、図9(a)における
第1の媒質層22aを蜂の巣状に配置した例である。
【0094】図9(b)および図9(c)に示すいずれ
の場合においても、2次オーダの回折格子である。ま
た、図9(b)では、隣接する第1の媒質層22aの中
心間の距離がλ/nである。図9(c)においては、1
つ挟んで隣接する第1の媒質層22aの中心間の距離が
λ/nである。
【0095】(デバイスの動作)この面発光装置200
0の動作は、図1に示す面発光装置1000と同様であ
るので、説明は省略する。
【0096】(作用および効果)面発光装置2000
は、第1の実施の形態にかかる面発光装置1000と同
様の作用および効果を有するのに加えて、面発光装置2
000は、回折格子22が第1、第2および第3の方向
に周期的な屈折率分布を有することから、当該3方向へ
の光の伝搬が規制される。したがって、一方向にのみ光
の伝搬を規制する第1の実施の形態にかかる面発光装置
1000よりも光の伝搬がさらに規制されるので、発光
スペクトル幅の非常に狭い光を高効率で得ることができ
る。
【0097】図9(b)および図9(c)に示す回折格
子を含む場合においても、上述したものとほぼ同様の作
用および効果を有する。
【0098】[第3の実施の形態](デバイスの構造)
図10は、本実施の形態にかかる面発光装置3000を
模式的に示す断面図である。
【0099】面発光装置3000は、第1および第2の
誘電体多層膜90a,90bを発光素子部300に含
む。図10に示すように、基板10上に、第1の誘電体
多層膜90a、陽極30、回折格子12、発光層40、
陰極50、および第2の誘電体多層膜90bが、この順
序で配置されている。すなわち、基板10と陽極30と
の間、ならびに陰極50において発光層40が形成され
ている面と反対側の面にはそれぞれ、第1および第2誘
電体多層膜90a,90bが形成されている。なお、図
10では、第1および第2の誘電体多層膜90a,90
bを強調して示している。第1および第2の誘電体多層
膜90a,90b以外の構成要素は第1の実施の形態に
かかる面発光装置1000とほぼ同様であるため、当該
構成要素については説明を省略する。
【0100】(デバイスの動作)この面発光装置300
0の動作は、図1に示す面発光装置1000とほぼ同様
である。すなわち、陽極30と陰極50とに所定の電圧
が印加されることにより、陰極50から電子が、陽極3
0からホールが、それぞれ発光層40内に注入される。
発光層40内では、この電子とホールとが再結合される
ことにより励起子が生成され、この励起子が失活する際
に蛍光や燐光などの光が発生する。この発生した光が、
基板10がのびる方向(図10のX方向)のみならず、
発光層40から基板10の膜厚方向(図10のY方向)
へと出射する。
【0101】(作用および効果)第1および第2の誘電
体多層膜90a,90bによって、図10のY方向への
光伝播が制御される。すなわち、第1および第2の誘電
体多層膜90a,90bによって、基板10の膜厚方向
の光を制御することができる。本実施の形態では、回折
格子12に加えて、第1,第2の誘電体多層膜90a,
90bによって光の伝播が制御され、自然放出が制約さ
れるため、基板10の膜厚方向においても発光スペクト
ル幅の非常に狭い光を高効率で得ることができる。
【0102】本実施の形態では、陽極30および陰極5
0の外側に第1および第2の誘電体多層膜90a,90
bが形成された例を示したが、これらの誘電体多層膜9
0a,90bに限定されるわけではなく、反射率の大き
な層であればよい。
【0103】また、本発明の面発光装置をたとえばディ
スプレイに用いる場合には、光の利用効率を向上させる
ため、基板10側へと光を出射させる必要がある。この
場合、本実施の形態にかかる面発光装置3000では、
陰極50上に誘電体多層膜90bが形成されているの
で、陰極50側へ出射する光を誘電体多層膜90bで反
射させることができる。このため、陰極50側から出射
する光を低減し、基板10側から優先的に光を出射させ
ることができるため、光の利用効率を高めることができ
る。
【0104】この場合、陰極50側で反射する光と、基
板10側に直接出射する光の位相を合わせることが望ま
しい。
【0105】また、面発光装置3000において、金属
材料からなる陰極50のかわりに、CuPc層(Copper
phthalocyanine)を用いることもできる。この場合に
は、CuPc層と誘電体多層膜90bとの間に、ITO
からなる層を設ける。
【0106】なお、回折格子12は、第1の実施の形態
の面発光装置1000に形成された回折格子12と同様
のものであるが、第2の実施の形態の面発光装置200
0に形成された回折格子22(図9(a)〜図9(c)
参照)と同様のものを用いることもできる。
【0107】[第4の実施の形態](デバイスの構造)
図11は、本実施の形態にかかる面発光装置4000を
模式的に示す断面図であり、図12は、図11における
C−C線に沿った断面図である。面発光装置4000
は、分布ブラッグ反射型の回折格子を有する点で、上述
の面発光装置と異なる。
【0108】面発光装置4000は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部400とを含む。発光素
子部400は、陽極30、発光層40および陰極50
が、この順序によって積層されることにより形成され
る。
【0109】回折格子32は、陰極30と発光層40と
の境界領域に形成され、かつ分布ブラッグ型の回折格子
を構成する。このように分布ブラッグ型の回折格子32
を形成することによっても、光を共振させ、波長選択性
および指向性に優れた光を得ることができる。
【0110】(デバイスの動作、作用および効果)この
面発光装置4000の動作、作用および効果は、図1に
示す面発光装置1000とほぼ同様である。
【0111】[第5の実施の形態] (デバイスの構造)図13は、本実施の形態にかかる面
発光装置5000を模式的に示す断面図であり、図14
は、図13におけるD−D線に沿った断面図である。面
発光装置5000は、回折格子42が欠陥部14を含む
点で、上述の第1〜第4の実施の形態にかかる面発光装
置と異なる。
【0112】面発光装置5000は、基板10と、基板
10上に形成された発光素子部500とを含む。発光素
子部500は、陽極30、発光層40、陰極50および
回折格子42を含む。なお、これらの構成要素のうち、
符号が同じものは、第1の実施の形態にかかる面発光装
置1000の構成要素と同じであるため、説明は省略す
る。
【0113】本実施の形態にかかる面発光装置5000
は、欠陥部14がその一部に形成された回折格子42を
含む。
【0114】回折格子42は、一方向に周期的な屈折率
分布を有する点で、第1の実施の形態にかかる面発光装
置1000の回折格子12と同様である。すなわち、屈
折率の異なる第1の媒質層42aと第2の媒質層42b
とが交互に配列して回折格子42を構成する。
【0115】また、回折格子42は、第1の実施の形態
にかかる面発光装置1000の回折格子12と同様に、
その周期方向のピッチがλ/n(前述した式においてa
=1)であることから、回折格子42は2次のオーダと
なる。
【0116】回折格子42は、第1の実施の形態にかか
る面発光装置1000の回折格子12と同様に、屈折率
の異なる第1の媒質層42aと第2の媒質層42bと
が、交互に配列しており、かつ、発光層40が、回折格
子42の一部(第2の媒質層42b)として機能する。
【0117】また、回折格子42は欠陥部14を含む。
この欠陥部14の両側に第1の媒質層42aが形成され
ている。回折格子42は、その形状(寸法)や媒質の組
合せに基づいて、所定の波長帯域に対してフォトニック
バンドギャップを形成しうる。
【0118】欠陥部14は、その欠陥に起因するエネル
ギー準位が、発光層40の電流励起による発光スペクト
ル内に存在するように形成される。
【0119】本実施の形態においては、この欠陥部14
が、回折格子42を構成する第1の媒質層42aと同じ
材料で形成された例を示したが、第1の媒質層42a
は、第2の媒質42bとの周期的な分布によってフォト
ニックバンドギャップを形成しうる物質であればよく、
その材質は特に限定されない。たとえば、第2の媒質層
として空気などの気体であってもよい。このように、気
体の層でいわゆるエアギャップ構造の回折格子を形成す
る場合には、面発光装置に用いる一般的な材料の選択範
囲で、回折格子を構成する2媒質の屈折率差を大きくす
ることができる。
【0120】また、欠陥部14が、第2の媒質層42b
によって形成されたものであってもよい。たとえば、図
13に示す面発光装置5000において、欠陥部14を
設けるかわりに欠陥部14が形成されている領域に発光
層40を埋め込んで欠陥を形成することもできる。この
場合、発光層40が、欠陥部の一部として機能する。
【0121】本実施の形態の面発光装置5000は、回
折格子42によって光を制御するので、回折格子12の
のびる方向(図1におけるX方向)および基板10の膜
厚方向(図1におけるY方向)の両方向における光伝搬
が制御される。
【0122】なお、本実施の形態の面発光装置5000
のみならず、第1の実施の形態の一変形例にかかる面発
光装置(図3〜図7参照)、第2〜第4の実施の形態に
かかる面発光装置(図8〜図12参照)において、欠陥
部をその一部に含む回折格子を形成することにより面発
光装置を形成することもできる。
【0123】たとえば、図4に示す面発光装置4000
に、回折格子中に欠陥部を設けることができる。この場
合、ホール輸送層70が回折格子の一部として機能して
いるため、発光層40は回折格子とは異なる領域に形成
される。
【0124】(デバイスの動作、作用および効果)次
に、この面発光装置5000の動作、作用および効果に
ついて説明する。
【0125】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子が、陽極30から
ホールが、それぞれ発光層40内に注入される。発光層
40内では、この電子とホールとが再結合されることに
より励起子が生成される。そして、回折格子42のフォ
トニックバンドギャップに相当する波長帯域の光は、回
折格子42内を伝搬できないので、励起子は、欠陥に起
因するエネルギー準位で基底状態に戻り、このエネルギ
ー準位に相当する波長帯域の光のみが発生する。したが
って、前記欠陥に起因するエネルギー準位によって規定
された、発光スペクトル幅の非常に狭い光を高効率で得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる面発光装置
を模式的に示す断面図である。
【図2】図1のA−A線に沿った断面図である。
【図3】第1の実施の形態にかかる面発光装置の一変形
例を模式的に示す断面図である。
【図4】第1の実施の形態にかかる面発光装置の一変形
例を模式的に示す断面図である。
【図5】第1の実施の形態にかかる面発光装置の一変形
例を模式的に示す断面図である。
【図6】第1の実施の形態にかかる面発光装置の一変形
例を模式的に示す断面図である。
【図7】第1の実施の形態にかかる面発光装置の一変形
例を模式的に示す断面図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態にかかる面発光装置
を模式的に示す断面図である。
【図9】図8のB−B線に沿った断面図である。
【図10】本発明の第3の実施の形態にかかる面発光装
置を模式的に示す断面図である。
【図11】本発明の第4の実施の形態にかかる面発光装
置を模式的に示す断面図である。
【図12】図11のC−C線に沿った断面図である。
【図13】本発明の第5の実施の形態にかかる面発光装
置を模式的に示す断面図である。
【図14】図11のD−D線に沿った断面図である。
【符号の説明】
10 基板 12,22,32,42,112,212,312 回
折格子 12a,22a,32a,42a,112a,212
a,312a,412a第1の媒質層 12b,22b,32b,42b,112b,212
b,312b,412b第2の媒質層 13 溝 14 欠陥部 30 陽極 40,140 発光層 50 陰極 60 絶縁物 70,170 ホール輸送層 80 電子輸送層 90a 第1の誘電体多層膜 90b 第2の誘電体多層膜 100,101,102,103,104,105,2
00,300,400,500 発光素子部 1000,1001,1002,1003,1004,
1005,2000,3000,4000,5000
EL装置

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、前記基板上に形成された発光素
    子部とを含み、かつ前記基板と交差する方向に光を出射
    する面発光装置であって、 前記発光素子部は、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
    と、 前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、 2次以上のオーダの回折格子と、を含む、面発光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記回折格子は、フォトニックバンドギャップまたはそ
    れに近似するフォトニックバンドを構成しうる、面発光
    装置。
  3. 【請求項3】 請求項2において、 前記発光層の発光スペクトルのエネルギー準位が、前記
    回折格子によって形成されるバンドに含まれるバンドエ
    ッジのエネルギー準位を含むように前記回折格子が構成
    される、面発光装置。
  4. 【請求項4】 請求項2において、 前記回折格子の一部に形成され、欠陥に起因するエネル
    ギー準位が所定の発光スペクトル内に存在するように設
    定された欠陥部を含む、面発光装置。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかにおいて、 前記回折格子は、分布帰還型の回折格子である、面発光
    装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜4のいずれかにおいて、 前記回折格子は、分布ブラッグ反射型の回折格子であ
    る、面発光装置。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記回折格子は、利得結合型構造を有する、面発光装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記回折格子は、屈折率結合型構造を有する、面発光装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかにおいて、 前記発光層は、発光材料として有機発光材料を含む、面
    発光装置。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかにおいて、 前記発光層は、前記回折格子の少なくとも一部として機
    能する、面発光装置。
  11. 【請求項11】 請求項4〜10のいずれかにおいて、 前記発光層は、前記欠陥部の少なくとも一部として機能
    する、面発光装置。
  12. 【請求項12】 請求項1〜9のいずれかにおいて、 前記発光層は、前記回折格子と異なる領域に形成され
    る、面発光装置。
  13. 【請求項13】 請求項1〜12のいずれかにおいて、 さらに、ホール輸送層および電子輸送層の少なくとも一
    方を有する、面発光装置。
  14. 【請求項14】 請求項13において、 前記回折格子は、ホール輸送層または電子輸送層がひと
    つの媒質を構成する、面発光装置。
  15. 【請求項15】 請求項1〜14のいずれかにおいて、 前記回折格子は、絶縁性の第1の媒質層と第2の媒質層
    とが周期的に配列された、面発光装置。
  16. 【請求項16】 請求項15において、 前記第1の媒質層は、柱状であり、かつ格子状に配列さ
    れ、 前記第2の媒質層は、該第1の媒質層の間に配置され
    た、面発光装置。
  17. 【請求項17】 請求項16において、 前記回折格子は、その周期方向のピッチが(a+1)λ
    /2n(aは1以上の整数、nは平均屈折率)である、
    面発光装置。
  18. 【請求項18】 請求項15〜17のいずれかにおい
    て、 前記回折格子は、少なくとも一方向に周期的な屈折率分
    布を有する、面発光装置。
  19. 【請求項19】 請求項15〜18のいずれかにおい
    て、 前記回折格子は、第1および第2の方向に周期的な屈折
    率分布を有する、面発光装置。
  20. 【請求項20】 請求項15〜18のいずれかにおい
    て、 前記回折格子は、第1、第2および第3の方向に周期的
    な屈折率分布を有する、面発光装置。
  21. 【請求項21】 請求項1〜20のいずれかにおいて、 前記電極層の少なくとも一方の層上に、該光の伝播を規
    制する層が設けられた、面発光装置。
  22. 【請求項22】 請求項21において、 前記光の伝播を規制する層は、クラッド層または誘電体
    多層膜である、面発光装置。
  23. 【請求項23】 請求項1〜22のいずれかの面発光装
    置であって、 ディスプレイに用いられる、面発光装置。
JP2000182135A 2000-06-16 2000-06-16 面発光装置 Withdrawn JP2002008868A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000182135A JP2002008868A (ja) 2000-06-16 2000-06-16 面発光装置
US09/878,994 US6587620B2 (en) 2000-06-16 2001-06-13 Surface emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000182135A JP2002008868A (ja) 2000-06-16 2000-06-16 面発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002008868A true JP2002008868A (ja) 2002-01-11

Family

ID=18682957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000182135A Withdrawn JP2002008868A (ja) 2000-06-16 2000-06-16 面発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6587620B2 (ja)
JP (1) JP2002008868A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005017861A1 (ja) * 2003-08-13 2005-02-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 光学デバイス及び有機elディスプレイ
KR100691702B1 (ko) * 2004-02-26 2007-03-09 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기
JP2007258113A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 発光装置
US7579775B2 (en) 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
US7589461B2 (en) 2003-11-28 2009-09-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device having a photonic crystal layer provided over electroluminescent stack
WO2010032651A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Fujifilm Corporation Light-emitting device, production method therefor, and display containing the same
JP2010198974A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光素子
WO2010140383A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 パナソニック株式会社 有機el表示装置
WO2011024753A1 (ja) * 2009-08-25 2011-03-03 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011058957A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2012004600A (ja) * 2006-07-03 2012-01-05 Samsung Led Co Ltd 偏光性を有する半導体発光素子
JP2013543214A (ja) * 2010-09-15 2013-11-28 ロモックス リミテッド 有機発光ダイオードデバイス

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056989A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Seiko Epson Corp 発光装置
US20030007736A1 (en) * 2001-07-04 2003-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical transmission module and optical transceiver
AU2003273161A1 (en) 2002-05-08 2003-12-12 Zeolux Corporation Display devices using feedback enhanced light emitting diode
CN1781339A (zh) * 2003-03-25 2006-05-31 国立大学法人京都大学 发光元件以及有机电致发光元件
CN1813382A (zh) * 2003-06-27 2006-08-02 株式会社半导体能源研究所 有机激光器件
GB0424294D0 (en) * 2004-11-03 2004-12-01 Elam T Ltd Buffer layer
US20060226429A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Sigalas Mihail M Method and apparatus for directional organic light emitting diodes
WO2006134218A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Braggone Oy Optical device structure
US7639911B2 (en) * 2005-12-08 2009-12-29 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical device having optical waveguide including organic Bragg grating sheet
KR100862505B1 (ko) 2006-02-01 2008-10-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
US20080117362A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 3M Innovative Properties Company Organic Light Emitting Diode Devices With Optical Microstructures
KR100900288B1 (ko) * 2007-10-29 2009-05-29 엘지전자 주식회사 발광 소자
KR100999713B1 (ko) * 2009-03-17 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8000571B2 (en) * 2009-04-29 2011-08-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Light emitting device and planar waveguide with single-sided periodically stacked interface
CN103460797B (zh) 2010-11-02 2016-03-02 王子控股株式会社 有机发光二极管及其制造方法、图像显示装置及照明装置
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP6050333B2 (ja) 2011-05-25 2016-12-21 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 改善された光抽出を有する有機発光デバイス
KR20140033636A (ko) * 2012-09-10 2014-03-19 삼성디스플레이 주식회사 발광보조층의 구조가 개선된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
DE102013110024B9 (de) * 2013-09-12 2023-11-09 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel
US9851577B2 (en) * 2015-07-17 2017-12-26 Dicon Fiberoptics, Inc. Nano-structured lens for collimating light from surface emitters
FR3065584B1 (fr) * 2017-04-25 2019-05-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente organique a rendement optimise par suppression de plasmons
WO2019217771A1 (en) * 2018-05-11 2019-11-14 University Of Washington Laser with perovskite gain layer
CN110265563B (zh) * 2019-06-20 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 用于在其上喷墨打印发光层的基板、发光器件、和用于制备基板的方法
KR102268603B1 (ko) * 2019-07-10 2021-06-22 세메스 주식회사 기판, 디스플레이 패널 및 기판 제조 방법
US10768364B1 (en) * 2019-07-15 2020-09-08 Honeywell International Inc. High-efficiency, high-divergence chip-scale emitter using a waveguide defect between resonant gratings

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372665A (ja) 1986-09-12 1988-04-02 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料の製造方法
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JP2559614B2 (ja) 1988-03-01 1996-12-04 宇部興産株式会社 ポリイミドパターン層の形成法およびその方法に使用するリンス液
JP2717274B2 (ja) 1988-08-12 1998-02-18 住友化学工業株式会社 光制御板及びその製造方法
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜el素子
JPH0539480A (ja) 1991-08-05 1993-02-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フオトリフラクテイブ組成物
JP3197609B2 (ja) 1992-04-17 2001-08-13 日東電工株式会社 液晶表示装置
JPH06201907A (ja) 1992-12-29 1994-07-22 Olympus Optical Co Ltd ブレーズ格子製造方法
JPH06224115A (ja) 1993-01-25 1994-08-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd レジストパターン形成方法
JP2947694B2 (ja) 1993-07-02 1999-09-13 株式会社日立製作所 レジストパターン形成方法
JPH07181689A (ja) 1993-12-22 1995-07-21 Du Pont Kk 基板上にパターン化されたポリイミド被膜を形成させる方法
JPH07235075A (ja) 1994-02-23 1995-09-05 Dainippon Printing Co Ltd 光ヘッド用回折格子とその作製方法
GB2287553A (en) 1994-03-10 1995-09-20 Sharp Kk A method of manufacturing a diffuser
JPH08248276A (ja) 1995-03-07 1996-09-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 光ファイバーと有機el素子との結合構造
GB9520912D0 (en) 1995-10-12 1995-12-13 Nashua Corp Improvements in or relating to projection screens and the like
JP2914486B2 (ja) 1995-12-26 1999-06-28 清藏 宮田 光ファイバ、及びその製造方法
JPH09311238A (ja) 1996-05-22 1997-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路型回折格子の作成方法
JPH108300A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Acs:Kk 電解脱脂装置
JPH1026702A (ja) 1996-07-12 1998-01-27 Nikon Corp フォトクロミックプラスチックレンズ
JP3452733B2 (ja) 1996-08-13 2003-09-29 日本板硝子株式会社 回折型の光学素子の製造方法
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP3931936B2 (ja) 1998-05-11 2007-06-20 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置
JP2001196162A (ja) * 1999-10-25 2001-07-19 Seiko Epson Corp 発光装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7375463B2 (en) 2003-08-13 2008-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical device and organic EL display
WO2005017861A1 (ja) * 2003-08-13 2005-02-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 光学デバイス及び有機elディスプレイ
US8013514B2 (en) 2003-11-28 2011-09-06 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescent display device provided with a photonic crystal layer incorporating voids in a vacuum state
US7589461B2 (en) 2003-11-28 2009-09-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device having a photonic crystal layer provided over electroluminescent stack
KR100691702B1 (ko) * 2004-02-26 2007-03-09 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기
US7501754B2 (en) 2004-02-26 2009-03-10 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
US7579775B2 (en) 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
JP2007258113A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 発光装置
JP2012004600A (ja) * 2006-07-03 2012-01-05 Samsung Led Co Ltd 偏光性を有する半導体発光素子
WO2010032651A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Fujifilm Corporation Light-emitting device, production method therefor, and display containing the same
JP2010198974A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光素子
WO2010140383A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 パナソニック株式会社 有機el表示装置
JP2011049199A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011024753A1 (ja) * 2009-08-25 2011-03-03 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011058957A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8773015B2 (en) 2009-11-10 2014-07-08 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing organic electroluminescent element having organic layers with periodic structure
JP2013543214A (ja) * 2010-09-15 2013-11-28 ロモックス リミテッド 有機発光ダイオードデバイス

Also Published As

Publication number Publication date
US6587620B2 (en) 2003-07-01
US20020018620A1 (en) 2002-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002008868A (ja) 面発光装置
US6704335B1 (en) Light-emitting device
JP5132014B2 (ja) 電磁放射ソースを提供するレーザ構造体を含む物品
US7965037B2 (en) Organic electroluminescence device and organic laser diode
JP2002056989A (ja) 発光装置
KR100507393B1 (ko) 발광 장치
JP3951109B2 (ja) 発光装置
WO2011004421A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2002110362A (ja) 面発光装置
JP3786160B2 (ja) El装置
KR100403682B1 (ko) 발광 장치
JP2000200687A (ja) El装置
JP2002110361A (ja) 発光装置
JP2001244066A (ja) 発光装置
JP2002056968A (ja) 発光装置
JP2000182764A (ja) El装置
JP3832542B2 (ja) 発光装置
JP2002056988A (ja) 発光装置
JP3800284B2 (ja) 発光装置
JP2002063990A (ja) 発光装置
JP2001297875A (ja) 発光装置
JP2000200679A (ja) El装置
JP2001297874A (ja) 発光装置
JP2003157965A (ja) 発光装置
JP3944348B2 (ja) 有機発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070904