JP3931936B2 - マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 - Google Patents
マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3931936B2 JP3931936B2 JP27943998A JP27943998A JP3931936B2 JP 3931936 B2 JP3931936 B2 JP 3931936B2 JP 27943998 A JP27943998 A JP 27943998A JP 27943998 A JP27943998 A JP 27943998A JP 3931936 B2 JP3931936 B2 JP 3931936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array substrate
- microlens array
- manufacturing
- light
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 157
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 80
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 67
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 54
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 41
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- -1 benzophenone Chemical class 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 3
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 3
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- DKJCSMHIPYRALV-UHFFFAOYSA-N methoxymethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCOC DKJCSMHIPYRALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNNLYDWXTKOQQX-UHFFFAOYSA-N 1,1-di(prop-2-enoyloxy)propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(CC)(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C NNNLYDWXTKOQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMDHDEPPVWETOI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)-2,2,2-trichloroethanone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(=O)C(Cl)(Cl)Cl)C=C1 IMDHDEPPVWETOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERJZAHSUZVMCH-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1-phenylethanone Chemical compound ClC(Cl)C(=O)C1=CC=CC=C1 CERJZAHSUZVMCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-oxo-3h-naphthalen-1-olate Chemical class C1=CC=C2C(=O)C(=[N+]=[N-])CC(=O)C2=C1 UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylprop-2-enoyloxy)hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)=C SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N [2,2-bis(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxypropyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N [2,2-dimethyl-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C(C)=C ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N butane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(O)CCO OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical class CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 150000007964 xanthones Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0031—Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置に関する。
【0002】
【発明の背景】
これまでに、複数の微小なレンズが並べられて構成されるマイクロレンズアレイが、例えば液晶パネルに適用されてきた。マイクロレンズアレイを適用することで、各レンズによって各画素に入射する光が集光するので、表示画面を明るくすることができる。
【0003】
また、マイクロレンズアレイを製造する方法として、ドライエッチング法又はウェットエッチング法を適用する方法が知られている。しかし、これらの方法によれば、個々のマイクロレンズアレイを製造する毎に、リソグラフィ工程が必要であってコストが高くなる。
【0004】
そこで、特開平3−198003号公報に開示されるように、レンズに対応する曲面が形成された原盤に樹脂を滴下し、この樹脂を固化させて剥離することで、マイクロレンズアレイを製造する方法が開発されてきた。
【0005】
マイクロレンズアレイは表示画面を明るくするものであるが、画素間のコントラストを向上させるものではない。したがって、明るくて鮮やかな画面を表示するには、マイクロレンズアレイに加えて、コントラストを向上させる手段が必要となる。従来のマイクロレンズアレイの製造方法では、コントラストを向上させることが考慮されていなかった。
【0006】
本発明は、このような問題点を解決するもので、その目的は、画面を明るくすることに加えてコントラストを向上させることもできるマイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、複数の曲面部を有する第1の原盤と、複数の凸部を有する第2の原盤と、の間に基板前駆体を密着させて、前記曲面部にて形成された複数のレンズと、前記凸部にて形成された複数の凹部とを有する基板を形成する工程と、
前記基板から前記第1及び第2の原盤を剥離する工程と、
少なくとも前記第2の原盤が剥離された後に、前記凹部に遮光性材料を充填する工程と、
を含む。
【0008】
本発明によれば、第1及び第2の原盤の間に基板前駆体を密着させて、第1の原盤の曲面部を転写してレンズを形成する。こうして、複数のレンズが形成されたマイクロレンズアレイ基板を簡単に製造することができる。各レンズによって入射光が集光するので画面を明るくすることができる。また、第1及び第2の原盤は、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため、2枚目以降のマイクロレンズアレイ基板の製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0009】
さらに、このマイクロレンズアレイ基板には、第2の原盤の凸部によって、凹部が転写形成されており、この凹部に遮光性材料が充填される。この遮光性材料は、ブラックマトリクスを構成し、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0010】
このように、本発明によれば、画面を明るくすることに加えてコントラストを向上させることもできるマイクロレンズアレイ基板を、転写法によって簡単に製造することができる。
【0011】
(2)この製造方法において、
前記曲面部の中心を避けた領域に前記凸部を対向させて、前記第1及び第2の原盤の間に、前記基板前駆体を密着させてもよい。
【0012】
こうすることで、マイクロレンズアレイ基板に形成される凹部は、レンズの中心を避けた領域に形成されるので、レンズの中心を避けてブラックマトリクスを形成することができる。
【0013】
(3)この製造方法は、
前記凹部に充填された前記遮光性材料及び前記レンズのうち少なくとも一方の上に、保護膜前駆体を載せて、前記保護膜前駆体を固化して保護層を形成する工程を含んでもよい。
【0014】
(4)前記保護膜前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能な物質であってもよい。
【0015】
(5)前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方であってもよい。
【0016】
(6)前記保護膜前駆体は、紫外線硬化型樹脂であってもよい。
【0017】
(7)この製造方法において、
前記保護膜前駆体上に補強板を載せてから前記保護膜前駆体を固化してもよい。
【0018】
(8)前記基板前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能な物質であってもよい。
【0019】
このような物質を利用することで、第1及び第2の原盤上の微細部にまで基板前駆体を容易に充填することができ、したがって、第1及び第2原盤上の曲面部及び凸部の形状を精密に転写したマイクロレンズアレイ基板を製造することが可能となる。
【0020】
(9)前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方であってもよい。
【0021】
こうすることで、汎用の露光装置やベイク炉、ホットプレートが利用でき、低設備コスト化、省スペース化が可能である。
【0022】
(10)前記基板前駆体は、紫外線硬化型樹脂であってもよい。
【0023】
紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系樹脂が透明性に優れ、様々な市販の樹脂や感光剤を利用することができるため好適である。
【0024】
(11)この製造方法において、
前記凹部に、前記遮光性材料をインクジェット方式によって充填してもよい。
【0025】
インクジェット方式によれば、遮光性材料の充填を高速化できるとともに無駄にすることがない。
【0026】
(12)この製造方法において、
前記凹部は、底面よりも開口部の面積が大きくなるように、少なくとも内側面の一部がテーパにて形成されていてもよい。
【0027】
このように凹部をテーパ状に形成すれば、遮光性材料を確実に凹部に導くことができるため、製造されるマイクロレンズアレイ基板は、特に高解像度の液晶パネルに適している。
【0028】
(13)この製造方法において、
前記テーパは、内側面の開口端部のみに形成されていてもよい。
【0029】
このように凹部を形成すれば、遮光性材料の厚さの差が小さいため、遮光性能が均一化されるので、製造されるマイクロレンズアレイは、鮮明な画像を提供することができる。
【0030】
(14)本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、一方の面に複数のレンズが形成されるとともに、他方の面において前記レンズの少なくとも中心を避ける位置に対応して複数の凹部が形成され、前記凹部に遮光性層が形成される。
【0031】
本発明によれば、各レンズによって入射光が集光するので画面を明るくできることに加えて、凹部に形成される遮光性層がブラックマトリクスとなって、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0032】
(15)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記レンズ及び前記遮光性層の少なくとも一方の上に保護膜を有してもよい。
【0033】
(16)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記保護膜上に補強板を有してもよい。
【0034】
(17)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記凹部は、底面よりも開口部の面積が大きくなるように、少なくとも内側面の一部がテーパにて形成されていてもよい。
【0035】
このマイクロレンズアレイ基板は、凹部の開口部の面積が底面より大きくなっていることから、遮光性材料が確実に凹部に導かれるので、特に高解像度の液晶パネルに適している。
【0036】
(18)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記テーパは、内側面の開口端部のみに形成されていてもよい。
【0037】
このように凹部を形成すれば、遮光性材料の厚さの差が小さいために、遮光性能が均一化されるので、鮮明な画像を提供することができる。
【0038】
(19)本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、上記方法により製造される。
【0039】
(20)本発明に係る表示装置は、上記マイクロレンズアレイ基板と、前記マイクロレンズアレイ基板に向けて光を照射する光源と、を有し、
前記マイクロレンズアレイ基板は、前記レンズが形成された面を前記光源に向けて配置される。
【0040】
(21)前記マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、前記レンズの外側における光屈折率nb とは、na >nb の関係にあり、前記レンズは凸レンズであってもよい。
【0041】
屈折率の小さい媒質から、屈折率の大きい媒質に光が入射すると、光は両媒質の界面の法線に近づくように屈折する。したがって、マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、レンズの外側における光屈折率nb とが、
na > nb
の関係にある場合には、レンズを凸レンズにすることで入射した光を集光させることができる。
【0042】
(22)前記マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、前記レンズの外側における光屈折率nb とは、na <nb の関係にあり、前記レンズは凹レンズであってもよい。
【0043】
屈折率の大きい媒質から、屈折率の小さい媒質に光が入射すると、光は両媒質の界面の法線から遠ざかるように屈折する。したがって、マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、レンズの外側における光屈折率nb とが、
na < nb
の関係にある場合には、レンズを凹レンズにすることで入射した光を集光させることができる。
【0044】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照にして説明する。
【0045】
(第1の実施形態)
図1(A)〜図4(B)は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【0046】
まず、図1(A)に示すように、第1の原盤10及び第2の原盤20を用意する。第1の原盤10には、複数の曲面部12が形成されており、各曲面部12は、凸レンズの反転パターンとなるように凹状をなしている。一方、第2の原盤20には、複数の凸部22が形成されている。複数の凸部22は、図示しない平面視において、ブラックマトリクスの形状をなす。
【0047】
第1及び第2の原盤10、20は、それぞれの曲面部12及び凸部22を対向させて、かつ、各凸部22が曲面部12の中心を避けて対向するように配置されている。
【0048】
そして、原盤10と原盤20との間に、基板前駆体30(第1の光透過性層前駆体)を密着させる。基板前駆体30は、図1(C)に示すマイクロレンズアレイ基板32の材料となる。なお、図1(A)では、原盤10が下に位置しているが、原盤20が下であってもよい。
【0049】
基板前駆体30としては、マイクロレンズアレイ基板32となった際に、必要とされる光透過性を有していれば特に限定されるものでなく、種々の物質が利用できるが、エネルギーの付与により硬化可能な物質であることが好ましい。このような物質は、マイクロレンズアレイ基板32の形成時には低粘性の液状で取り扱うことが可能となり、常温、常圧下あるいはその近傍においても容易に第1及び第2の原盤10、20の微細部にまで容易に充填することができる。
【0050】
エネルギーとしては、光及び熱の少なくともいずれか一方であることが好ましい。こうすることで、汎用の露光装置やベイク炉、ホットプレートが利用でき、低設備コスト、省スペース化を図ることができる。
【0051】
このような物質としては、例えば、紫外線硬化型樹脂がある。紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系樹脂が好適である。様々な市販の樹脂や感光剤を利用することで、透明性に優れ、また、短時間の処理で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得ることができる。
【0052】
紫外線硬化型のアクリル系樹脂の基本組成の具体例としては、プレポリマーまたはオリゴマー、モノマー、光重合開始剤があげられる。
【0053】
プレポリマーまたはオリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアクリレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のアクリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメタクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリエーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利用できる。
【0054】
モノマーとしては、例えば、2−エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリドン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアクリレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の二官能性モノマー、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが利用できる。
【0055】
光重合開始剤としては、例えば、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン等のブチルフェノン類、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、α,α−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン等のハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフェノン、N,N−テトラエチル−4,4−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジルジメチルケタール等のベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾイン類、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム等のオキシム類、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等のキサントン類、ミヒラーケトン等のラジカル発生化合物が利用できる。
【0056】
なお、必要に応じて、酸素による硬化阻害を防止する目的でアミン類等の化合物を添加したり、塗布を容易にする目的で溶剤成分を添加してもよい。
【0057】
溶剤成分としては、特に限定されるものではなく、種々の有機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、ブチルアセテート等から選ばれる一種または複数種の利用が可能である。
【0058】
このような紫外線硬化型のアクリル系樹脂等からなる基板前駆体30を、図1(A)に示すように、原盤10上に所定量滴下する。
【0059】
そして、図1(B)に示すように、基板前駆体30を所定領域まで拡げ、続いて、図1(C)に示すように、原盤10、20の少なくともいずれか一方から紫外線40を所定量照射して基板前駆体30を硬化させて、原盤10、20の間にマイクロレンズアレイ基板32(第1の光透過性層)を形成する。マイクロレンズアレイ基板32の一方の面には、複数の曲面部12から転写された複数のレンズ34が形成され、他方の面には、複数の凸部22から転写された複数の凹部36が形成されている。複数の凹部36は、図示しない平面視において、ブラックマトリクスの形状をなす。また、凹部36は、レンズ34の中心を避ける領域に対応して形成されている。
【0060】
基板前駆体30を所定領域まで拡げるにあたって、必要に応じて所定の圧力を原盤10、20の少なくとも一方に加えてもよい。ここでは、基板前駆体30を原盤10上に滴下したが、原盤20に滴下するか、原盤10、20の両方に滴下してもよい。また、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法等の方法を用いて、原盤10、20のいずれか一方、または、両方に基板前駆体30を塗布してもよい。
【0061】
そして、図2(A)に示すように、原盤20を、マイクロレンズアレイ基板32から剥離して、凸部22から転写された凹部36を開口させる。
【0062】
次に、図2(B)に示すように、マイクロレンズアレイ基板32の凹部36に遮光性材料42を充填し、遮光性層38を形成する。この遮光性層38は、ブラックマトリクスとなる。
【0063】
遮光性材料42は、光透過性のない材料であって耐久性があれば種々の材料を適用可能である。例えば、黒色染料あるいは黒色顔料をバインダー樹脂とともに溶剤に溶かしたものを、遮光性材料42として用いる。溶剤としては、特にその種類に限定されるものではなく、水あるいは種々の有機溶剤を適用することが可能である。有機溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、ブチルアセテート等のうち一種または複数種の混合溶液を利用することができる。
【0064】
凹部36への遮光性材料42の充填方法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット方式が好適である。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつインクを無駄なく経済的に充填するとが可能である。
【0065】
図2(B)には、インクジェットヘッド44によって、遮光性材料42を凹部36に充填する様子を示してある。詳しくは、凹部36に対向させてインクジェットヘッド44を配置し、各遮光性材料42を各凹部36に吐出する。
【0066】
インクジェットヘッド44は、例えばインクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子の体積変化を利用してインクに圧力を加えて吐出させるピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いて、インクの体積を膨張させたり気化させ、その圧力でインクを吐出するタイプ等が使用可能であり、射出面積および射出パターンは任意に設定することが可能である。
【0067】
本実施形態では、インクジェットヘッド44から遮光性材料42を吐出させる。そのため、遮光性材料42には、インクジェットヘッド44からの吐出を可能とするため、流動性を確保する必要がある。
【0068】
遮光性材料42を充填するときには、マイクロレンズアレイ基板32に形成された凹部36に均一な量で充填されるように、インクジェットヘッド44を動かす等の制御を行って、打ち込み位置を制御する。凹部36の隅々にまで均一に遮光性材料42が満たされたら、充填を完了する。溶剤成分が含まれている場合には、熱処理により遮光性材料42から溶剤成分を除去する。なお遮光性材料42は、溶剤成分を除去すると収縮するため、必要な遮光性が確保できる厚みが収縮後でも残される量を充填しておくことが必要である。
【0069】
次に、図3(A)に示すように、マイクロレンズアレイ基板32上に保護膜前駆体46(接着層前駆体)を滴下する。保護膜前駆体46は、上述した基板前駆体30として使用できる材料から選ぶことができる。そして、補強板48を保護膜前駆体46に密着させて、この保護膜前駆体46を押し拡げる。なお、保護膜前駆体46は、スピンコート法、ロールコート法等の方法により、マイクロレンズアレイ基板32上に、或いは補強板48上に塗り拡げてから、補強板48を密着させてもよい。
【0070】
補強板48としては一般にガラス基板が用いられるが、光透過性や機械的強度等の特性を満足するものであれば特に限定されるものではない。例えば、補強板48として、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、アモルファスポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート等のプラスチック製の基板あるいはフィルム基板を用いてもよい。
【0071】
そして、保護膜前駆体46の組成に応じた硬化処理をすることにより、これを硬化させて、図3(B)に示すように保護膜50(接着層)を形成する。紫外線硬化型のアクリル系樹脂が用いられる場合には、紫外線を所定の条件により照射することにより、保護膜前駆体46を硬化させる。
【0072】
続いて、図3(C)に示すように、原盤10をマイクロレンズアレイ基板32から剥離する。マイクロレンズアレイ基板32には、原盤10の曲面部12によって、レンズ34が形成されている。レンズ34は、凸レンズである。
【0073】
さらに、図4(A)に示すように、マイクロレンズアレイ基板32のレンズ34を有する面と、補強板54との間に保護膜前駆体52を密着させる。その工程は、図3(A)に示す工程と同様であり、保護膜前駆体52(第2の光透過性層前駆体)は、保護膜前駆体46として選択可能な物質の中から選択できる。
【0074】
こうして、図4(B)に示すように、両面に、保護膜50、56及び補強板48、54を備えるマイクロレンズアレイ基板32が得られる。これによれば、レンズ34側から入射する光が集光するようになっている。
【0075】
なお、保護膜50、56が、マイクロレンズアレイ基板として要求される機械的強度やガスバリア性、耐薬品性等の特性を満足することが可能であれば、対応する補強板48、54は不要である。さらに、マイクロレンズアレイ基板32自体が十分な強度を有し、遮光性層38が破損することがなければ、保護膜50、56を省略することも可能である。
【0076】
保護膜50が形成される場合には、マイクロレンズアレイ基板32の光屈折率na と、レンズ34の外側に位置する保護膜56を構成する保護膜前駆体52の光屈折率nb とは、
na >nb
の関係にあることが必要である。この条件を満たすことで、屈折率の小さい媒質から、屈折率の大きい媒質に光が入射することになり、光58は両媒質の界面の法線に近づくように屈折して集光する。そして、画面を明るくすることができる。
【0077】
本実施形態によれば、第1及び第2の原盤10、20の間に基板前駆体30を密着させて、第1の原盤10の曲面部12を転写してレンズ34を形成する。こうして、複数のレンズ34を有するマイクロレンズアレイ基板32を簡単に製造することができる。この製造方法によれば、材料の使用効率が高く、かつ工程数の短縮を図ることができ、コストダウンを図ることができる。また、第1及び第2の原盤10、20は、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため、2枚目以降のマイクロレンズアレイ基板の製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0078】
さらに、このマイクロレンズアレイ基板には、第2の原盤20の凸部22によって、凹部36が転写形成されており、この凹部36に遮光性材料42が充填される。この遮光性材料42からなる遮光性層38は、ブラックマトリクスを構成し、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0079】
このように、本実施形態によれば、画面を明るくすることに加えてコントラストを向上させることもできるマイクロレンズアレイ基板を、転写法によって簡単に製造することができる。
【0080】
(第2の実施形態)
図5(A)〜図6(C)は、第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【0081】
まず、図5(A)に示すように、第1の原盤110及び第2の原盤20の間に、基板前駆体130を密着させる。第1の原盤110には、複数の曲面部112が形成されている。曲面部112は、凹レンズの反転パターンとなるように凸状をなしている。本実施形態は、曲面部112の形状において第1の実施形態と異なる。一方、第2の原盤20は、第1の実施形態で使用したものであり、基板前駆体130も第1実施形態で使用可能な物質から選択することができる。そして、図1(C)と同様の工程を経て、マイクロレンズアレイ基板132を形成する。マイクロレンズアレイ基板132には、凸部22から凹部136が転写され、曲面部112からレンズ134が転写されている。レンズ134は、凹レンズである。
【0082】
次に、図5(B)に示すように、第2の原盤20をマイクロレンズアレイ基板132から剥離して、図5(C)に示すように、凹部136に遮光性材料を充填して遮光性層138を形成する。これらの工程は、図2(A)及び図2(B)に示す工程と同様である。
【0083】
続いて、図6(A)に示すように、マイクロレンズアレイ基板132における遮光性層138を有する面と補強板148との間に保護膜前駆体(接着層前駆体)からなる保護膜150(接着層)を形成して、図6(B)に示すように、第1の原盤110をマイクロレンズアレイ基板132から剥離する。そして、図4(A)の工程と同様にして、レンズ134上に保護膜156(第2の光透過性層)及び補強板154を形成する。
【0084】
以上の工程により、図6(C)に示すように、両面に、保護膜150、156及び補強板148、154を備えるマイクロレンズアレイ基板132が得られる。これによれば、レンズ34側から入射する光が集光するようになっている。
【0085】
なお、その前提として、マイクロレンズアレイ基板132の光屈折率 na′と、レンズ134の外側に位置する保護膜156を構成する保護膜前駆体の光屈折率 nb′とは、
na′< nb′
の関係にあることが必要である。この条件を満たすことで、屈折率の大きい媒質から、屈折率の小さい媒質に光が入射することになり、光158は両媒質の界面の法線から離れるように屈折して集光する。そして、画面を明るくすることができる。
【0086】
本実施形態によっても、凸レンズと凹レンズの違いがあるだけで、第1の実施形態と同じ効果を達成することができる。
【0087】
(第3の実施形態)
図7〜図9(B)は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板及びその製造方法を示す図である。本実施形態では、図7に示すマイクロレンズアレイ基板200を製造する。マイクロレンズアレイ基板200は、凹部202の形状において、図2(B)に示すマイクロレンズアレイ基板32と異なる。すなわち、凹部202は、内側面が傾斜したテーパ形状に形成されている。この凹部202によれば、底面に比べ開口部が広くなっているので、画素密度が高くなっても、遮光性材料42(図2(B)参照)を確実に充填することができる。この形状の凹部202を形成するには、断面において台形をなす凸部を有する原盤を使用する。
【0088】
図8(A)〜図9(B)は、凹部202を形成するための原盤を形成する工程を示す図である。
【0089】
まず、図8(A)に示すように、基材212上にレジスト層214を形成する。基材212は、表面をエッチングして原盤とするためのもので、エッチング可能な材料であれば特に限定されるものではないが、シリコン又は石英は、エッチングにより高精度の凸部の形成が容易であるため、好適である。
【0090】
レジスト層214を形成する物質としては、例えば、半導体デバイス製造において一般的に用いられている、クレゾールノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン誘導体を配合した市販のポジ型のレジストをそのまま利用できる。ここで、ポジ型のレジストとは、所定のパターンに応じて放射線に暴露することにより、放射線によって暴露された領域が現像液により選択的に除去可能となる物質のことである。
【0091】
レジスト層214を形成する方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法等の方法を用いることが可能である。
【0092】
次に、図8(B)に示すように、マスク216をレジスト層214の上に配置し、マスク216を介してレジスト層214の所定領域のみを放射線218によって暴露する。マスク216は、凸部222(図9(B)参照)の形成に必要とされる領域において、放射線218が透過しないようにパターン形成されたものである。マスク216における放射線遮蔽部は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。
【0093】
放射線としては波長200nm〜500nmの領域の光を用いることが好ましい。この波長領域の光の利用は、液晶パネルの製造プロセス等で確立されているフォトリソグラフィの技術及びそれに利用されている設備の利用が可能となり、低コスト化を図ることができる。
【0094】
そして、レジスト層214を放射線218によって暴露した後に所定の条件により現像処理を行うと、放射線218の暴露領域217において、レジスト層214が選択的に除去され、図8(C)に示すように、基材212の表面が露出し、それ以外の領域はレジスト層214により覆われたままの状態となる。
【0095】
続いて、パターン化されたレジスト層214を、加熱して軟化させ、その表面張力によって、図8(D)に示すように側面を傾斜させる。
【0096】
次に、図8(D)に示すように、このレジスト層214をマスクとして、エッチャント220によって、基材212を所定の深さエッチングを行う。詳しくは、異方性エッチング、例えば反応性イオンエッチング(RIE)などのドライエッチングを行う。
【0097】
ここで、レジスト層214は側面が傾斜しているので、エッチングにより、この形状のレジスト層214が徐々に小さくなって、基材212は徐々に露出していく。この露出した領域が連続的に徐々にエッチングされていく。こうして、基材212が連続的に徐々にエッチングされるので、エッチング後の基材212の表面には、図9(A)に示すように、台形の凸部222が形成される。
【0098】
そして、凸部222上のレジスト層214を、必要であれば除去して、原盤224が得られる。
【0099】
本実施形態によれば、原盤224の凸部222の断面が台形をなす。この原盤224を、図1に示す原盤20の代わりに使用すれば、開口部が底面よりも大きくなるように側面を傾斜させた凹部202を形成することができる。この凹部202によれば、遮光性材料42を容易に確実に導き入れることができる。したがって、インクジェットヘッドの制御が容易で、製造上の歩留まりが良くなるという効果を奏する。
【0100】
この原盤224は、本実施形態では、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的である。また、原盤224の製造工程は、2枚目以降のマイクロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0101】
上記実施の形態では、基材212上に凹部222を形成するに際し、ポジ型のレジストを用いたが、放射線に暴露された領域が現像液に対して不溶化し、放射線に暴露されていない領域が現像液により選択的に除去可能となるネガ型のレジストを用いても良く、この場合には、上記マスク216とはパターンが反転したマスクが用いられる。あるいは、マスクを使用せずに、レーザ光あるいは電子線によって直接レジストをパターン状に暴露しても良い。
【0102】
また、現像処理条件を調整することにより、図8(D)に示すように、パターン化されたレジスト層214の側面を傾斜させることが可能な場合には、レジスト層214を加熱する工程を省略してもよい。
【0103】
あるいは、図10に、マスクの変形例を示す。同図に示すマスク240は、放射線238の透過部242と、遮蔽部244と、半透過部246とを有するハーフトーンマスクである。半透過部246は、遮蔽部244から離れるに従って徐々に放射線238の透過率が高くなるように形成されている。同図では、半透過部246を形成する遮蔽材の厚みを変化させることで、透過率を変化させているが、濃淡によって透過率を変化させてもよい。このマスク240を使用すると、放射線238が、半透過部246を減衰されながらも通過して、レジスト層234を暴露する。詳しくは、透過部242から遮蔽部244に向けて、減衰率が高くなるように、放射線238が半透過部246を透過する。その結果、遮蔽部244に近づくに従って、放射線238による暴露が浅くなり、図10に示すように、側面が傾斜したレジスト層234を残す領域が暴露領域237となる。こうすることでも、側面が傾斜したレジスト層のパターン化を行うことができる。
【0104】
(第4の実施形態)
図11〜図14(C)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板及びその製造方法を示す図である。本実施形態では、図11に示すマイクロレンズアレイ基板300を製造する。マイクロレンズアレイ基板300は、凹部302の形状において、図2(B)に示すマイクロレンズアレイ基板32と異なる。すなわち、凹部302は、内側面のうち開口端部のみがテーパ形状に形成されている。このように開口端部がテーパ形状となった凹部302によれば、底面に比べ開口部が広くなっているので、画素密度が高くなっても、遮光性材料42(図2(B)参照)を確実に充填することができる。この形状の凹部202を形成するには、立ち上がりの基端部において台形と同様に傾斜した側面を有する凸部を有する原盤を使用する。
【0105】
図12(A)〜図14(C)は、凹部302を形成するための原盤を形成する工程を示す図である。
【0106】
まず、図12(A)に示すように、基材312上にマスク層314を形成する。基材312は、エッチング可能な材料であれば特に限定されるものではないが、シリコン又は石英は、高精度のエッチングが容易であるため好適である。
【0107】
マスク層314は、基材312に強固に一体化して剥離しにくいものが好ましい。例えば、基材312がシリコンで形成されている場合には、その表面を熱酸化させて形成したシリコン酸化膜(SiO2 )をマスク層314とすることができる。これによれば、マスク層314は、基材312と強固に一体化する。あるいは、基材312が金属、石英、ガラス又はシリコンである場合には、その表面にAl、Ni、Cr、W、Pt、Au、Ir、Tiのいずれかで膜を形成し、これをマスク層314としてもよい。
【0108】
次に、図12(B)に示すように、基材312上に形成されたマスク層314上にレジスト層316を形成する。レジスト層316の材料及びその形成方法は、上述した第3の実施形態で適用できるものを選択できる。
【0109】
続いて、図12(C)に示すように、マスク318をレジスト層316の上に配置し、マスク318を介してレジスト層316の所定領域のみを放射線320によって暴露する。マスク318は、最終的に製造される原盤332の凸部334(図14(C)参照)の形成に必要とされる領域において、放射線320が透過するようにパターン形成されたものである。マスク318における放射線透過部は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。放射線としては波長200nm〜500nmの領域の光を用いることが好ましい。
【0110】
そして、レジスト層316を放射線320によって暴露した後に所定の条件により現像処理を行うと、放射線320の暴露領域317において、レジスト層316が選択的に除去され、図12(D)に示すように、基材312の表面が露出し、それ以外の領域はレジスト層316により覆われたままの状態となる。
【0111】
続いて、パターン化されたレジスト層316を、加熱して軟化させ、その表面張力によって、図12(E)に示すように側面を傾斜させる。
【0112】
次に、図12(E)に示すように、側面が傾斜したレジスト層316をマスクとして、エッチャント322によって、マスク層314をエッチングする。詳しくは、異方性エッチング、例えば反応性イオンエッチング(RIE)などのドライエッチングを行う。
【0113】
ここで、レジスト層316は側面が傾斜しているので、エッチングにより、この形状のレジスト層316が徐々に小さくなって、基材312は徐々に露出していく。この露出した領域が連続的に徐々にエッチングされていく。こうして、基材312が連続的に徐々にエッチングされるので、マスク層314は、図13(A)に示すように台形をなす。マスク層314からは、基材312の表面の一部が露出する。詳しくは、マスク層314の周囲を囲んで、基材312の表面の一部が露出する。この露出部は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。また、基材312の表面の一部が露出した時点で、エッチングを停止することが好ましい。
【0114】
そして、マスク層314上のレジスト層316を必要であれば除去し、図13(B)に示すように、エッチャント324によって、基材312におけるマスク層314から露出した部分をエッチングする。
【0115】
ここでは、基材312の表面に垂直にエッチングが進む高異方性エッチングであって、基材312をエッチングするがマスク層314をエッチングしにくい高選択性エッチングが行われる。
【0116】
こうして、エッチングがされると、図13(C)に示すように、基材312に原盤形成用凹部326が形成される。原盤形成用凹部326は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。
【0117】
また、原盤形成用凹部326にて囲まれる凸部325上には、台形のマスク層314が残されている。ここで、凸部325の側面は垂直に立ち上がり、マスク層314の側面は傾斜してテーパ状をなしている。このことから、原盤形成用凹部326の側面は、底面から垂直に立ち上がり、開口端部において徐々に径が大きくなる方向に拡がって傾斜するテーパ面となっている。
【0118】
続いて、図14(A)に示すように、基材312における原盤形成用凹部326が形成されている面上に、金属膜328を形成して、その表面を導電(体)化する。金属膜328としては、例えば、ニッケル(Ni)を500〜1000オングストローム(10-10m )の厚みで形成すればよい。金属膜328の形成方法としては、スパッタリング、CVD、蒸着、無電解メッキ法等の方法を用いることが可能である。なお、基材312の表面が、この後の電気鋳造法による金属層の形成において必要な導電性を有していれば、この導電化は不要である。
【0119】
そして、金属膜328を陰極とし、チップ状あるいはボール状のNiを陽極として電気鋳造法によりさらにNiを電着させて、図14(B)に示すように、厚い金属層330を形成する。電気メッキ液の一例を以下に示す。
【0120】
スルファミン酸ニッケル:550g/l
ホウ酸 : 35g/l
塩化ニッケル : 5g/l
レベリング剤 :20mg/l
続いて、図14(C)に示すように、金属膜328及び金属層330を、基材312から剥離し、必要があれば洗浄する等して、原盤332が得られる。金属膜328は、必要に応じて剥離処理を施して、原盤332から除去してもよい。
【0121】
原盤332には、基材312の原盤形成用凹部326に対応して、凸部334が形成されている。詳しくは、原盤形成用凹部326が、開口端部において、外方向に向けて径が大きくなるように傾斜するテーパ状をなしているので、これに対応して、凸部334には、基端部において、先端方向に向けて徐々に径が小さくなる方向に傾斜するテーパ面が形成されている。
【0122】
本実施形態によれば、原盤332の凸部334が上述した形状をなす。この原盤332を、図1に示す原盤20の代わりに使用すれば、開口端部において径が大きくなるように傾斜した凹部302を形成することができる。この凹部302によれば、遮光性材料42を容易に確実に導き入れることができる。したがって、インクジェットヘッドの制御が容易で、製造上の歩留まりが良くなるという効果を奏する。
【0123】
この原盤332は、本実施形態では、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的である。また、原盤332の製造工程は、2枚目以降のマイクロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0124】
図15は、本発明を適用した液晶プロジェクタの一部を示す図である。この液晶プロジェクタは、上述した第2の実施形態に係る方法により製造されたマイクロレンズアレイ基板132を組み込んだライトバルブ1と、光源としてのランプ2とを有する。
【0125】
マイクロレンズアレイ基板132は、レンズ134はランプ2から見て凹状になるように配置されている。そして、ブラックマトリクスとなる遮光層138側の補強板148上には、透明な共通電極162及び配向膜164が積層されている。
【0126】
ライトバルブ1には、配向膜164からギャップをあけて、TFT基板174が設けられている。TFT基板174には、透明な個別電極170及び薄膜トランジスタ172が設けられており、これらの上に配向膜168が形成されている。また、TFT基板174は、配向膜168を配向膜164に対向させて配置されている。
【0127】
配向膜164、168間には、液晶166が封入されており、薄膜トランジスタ172によって制御される電圧によって、液晶166が駆動されるようになっている。
【0128】
この液晶プロジェクタによれば、ランプ2から照射された光3が、各画素毎にレンズ134にて集光するので、明るい画面を表示することができる。また、遮光層138がブラックマトリクスとなるので、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0129】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜図1(C)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図2】図2(A)及び図2(B)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図3】図3(A)〜図3(C)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図4】図4(A)及び図4(B)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図5】図5(A)〜図5(C)は、第2実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図6】図6(A)〜図6(C)は、第2実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図7】図7は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板を示す図である。
【図8】図8(A)〜図8(D)は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図9】図9(A)及び図9(B)は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図10】図10は、第3の実施形態で使用されるマスクの変形例を示す図である。
【図11】図11は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板を示す図である。
【図12】図12(A)〜図12(E)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図13】図13(A)〜図13(C)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図14】図14(A)〜図14(C)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図15】図15は、本発明を適用して製造されたマイクロレンズアレイ基板が組み込まれた液晶プロジェクタを示す図である。
【符号の説明】
10 原盤
12 曲面部
20 原盤
30 基板前駆体
32 マイクロレンズアレイ基板
34 レンズ
36 凹部
38 遮光性層
42 遮光性材料
48、54 補強板
50、56 保護膜
58 光
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置に関する。
【0002】
【発明の背景】
これまでに、複数の微小なレンズが並べられて構成されるマイクロレンズアレイが、例えば液晶パネルに適用されてきた。マイクロレンズアレイを適用することで、各レンズによって各画素に入射する光が集光するので、表示画面を明るくすることができる。
【0003】
また、マイクロレンズアレイを製造する方法として、ドライエッチング法又はウェットエッチング法を適用する方法が知られている。しかし、これらの方法によれば、個々のマイクロレンズアレイを製造する毎に、リソグラフィ工程が必要であってコストが高くなる。
【0004】
そこで、特開平3−198003号公報に開示されるように、レンズに対応する曲面が形成された原盤に樹脂を滴下し、この樹脂を固化させて剥離することで、マイクロレンズアレイを製造する方法が開発されてきた。
【0005】
マイクロレンズアレイは表示画面を明るくするものであるが、画素間のコントラストを向上させるものではない。したがって、明るくて鮮やかな画面を表示するには、マイクロレンズアレイに加えて、コントラストを向上させる手段が必要となる。従来のマイクロレンズアレイの製造方法では、コントラストを向上させることが考慮されていなかった。
【0006】
本発明は、このような問題点を解決するもので、その目的は、画面を明るくすることに加えてコントラストを向上させることもできるマイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、複数の曲面部を有する第1の原盤と、複数の凸部を有する第2の原盤と、の間に基板前駆体を密着させて、前記曲面部にて形成された複数のレンズと、前記凸部にて形成された複数の凹部とを有する基板を形成する工程と、
前記基板から前記第1及び第2の原盤を剥離する工程と、
少なくとも前記第2の原盤が剥離された後に、前記凹部に遮光性材料を充填する工程と、
を含む。
【0008】
本発明によれば、第1及び第2の原盤の間に基板前駆体を密着させて、第1の原盤の曲面部を転写してレンズを形成する。こうして、複数のレンズが形成されたマイクロレンズアレイ基板を簡単に製造することができる。各レンズによって入射光が集光するので画面を明るくすることができる。また、第1及び第2の原盤は、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため、2枚目以降のマイクロレンズアレイ基板の製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0009】
さらに、このマイクロレンズアレイ基板には、第2の原盤の凸部によって、凹部が転写形成されており、この凹部に遮光性材料が充填される。この遮光性材料は、ブラックマトリクスを構成し、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0010】
このように、本発明によれば、画面を明るくすることに加えてコントラストを向上させることもできるマイクロレンズアレイ基板を、転写法によって簡単に製造することができる。
【0011】
(2)この製造方法において、
前記曲面部の中心を避けた領域に前記凸部を対向させて、前記第1及び第2の原盤の間に、前記基板前駆体を密着させてもよい。
【0012】
こうすることで、マイクロレンズアレイ基板に形成される凹部は、レンズの中心を避けた領域に形成されるので、レンズの中心を避けてブラックマトリクスを形成することができる。
【0013】
(3)この製造方法は、
前記凹部に充填された前記遮光性材料及び前記レンズのうち少なくとも一方の上に、保護膜前駆体を載せて、前記保護膜前駆体を固化して保護層を形成する工程を含んでもよい。
【0014】
(4)前記保護膜前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能な物質であってもよい。
【0015】
(5)前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方であってもよい。
【0016】
(6)前記保護膜前駆体は、紫外線硬化型樹脂であってもよい。
【0017】
(7)この製造方法において、
前記保護膜前駆体上に補強板を載せてから前記保護膜前駆体を固化してもよい。
【0018】
(8)前記基板前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能な物質であってもよい。
【0019】
このような物質を利用することで、第1及び第2の原盤上の微細部にまで基板前駆体を容易に充填することができ、したがって、第1及び第2原盤上の曲面部及び凸部の形状を精密に転写したマイクロレンズアレイ基板を製造することが可能となる。
【0020】
(9)前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方であってもよい。
【0021】
こうすることで、汎用の露光装置やベイク炉、ホットプレートが利用でき、低設備コスト化、省スペース化が可能である。
【0022】
(10)前記基板前駆体は、紫外線硬化型樹脂であってもよい。
【0023】
紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系樹脂が透明性に優れ、様々な市販の樹脂や感光剤を利用することができるため好適である。
【0024】
(11)この製造方法において、
前記凹部に、前記遮光性材料をインクジェット方式によって充填してもよい。
【0025】
インクジェット方式によれば、遮光性材料の充填を高速化できるとともに無駄にすることがない。
【0026】
(12)この製造方法において、
前記凹部は、底面よりも開口部の面積が大きくなるように、少なくとも内側面の一部がテーパにて形成されていてもよい。
【0027】
このように凹部をテーパ状に形成すれば、遮光性材料を確実に凹部に導くことができるため、製造されるマイクロレンズアレイ基板は、特に高解像度の液晶パネルに適している。
【0028】
(13)この製造方法において、
前記テーパは、内側面の開口端部のみに形成されていてもよい。
【0029】
このように凹部を形成すれば、遮光性材料の厚さの差が小さいため、遮光性能が均一化されるので、製造されるマイクロレンズアレイは、鮮明な画像を提供することができる。
【0030】
(14)本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、一方の面に複数のレンズが形成されるとともに、他方の面において前記レンズの少なくとも中心を避ける位置に対応して複数の凹部が形成され、前記凹部に遮光性層が形成される。
【0031】
本発明によれば、各レンズによって入射光が集光するので画面を明るくできることに加えて、凹部に形成される遮光性層がブラックマトリクスとなって、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0032】
(15)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記レンズ及び前記遮光性層の少なくとも一方の上に保護膜を有してもよい。
【0033】
(16)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記保護膜上に補強板を有してもよい。
【0034】
(17)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記凹部は、底面よりも開口部の面積が大きくなるように、少なくとも内側面の一部がテーパにて形成されていてもよい。
【0035】
このマイクロレンズアレイ基板は、凹部の開口部の面積が底面より大きくなっていることから、遮光性材料が確実に凹部に導かれるので、特に高解像度の液晶パネルに適している。
【0036】
(18)このマイクロレンズアレイ基板において、
前記テーパは、内側面の開口端部のみに形成されていてもよい。
【0037】
このように凹部を形成すれば、遮光性材料の厚さの差が小さいために、遮光性能が均一化されるので、鮮明な画像を提供することができる。
【0038】
(19)本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、上記方法により製造される。
【0039】
(20)本発明に係る表示装置は、上記マイクロレンズアレイ基板と、前記マイクロレンズアレイ基板に向けて光を照射する光源と、を有し、
前記マイクロレンズアレイ基板は、前記レンズが形成された面を前記光源に向けて配置される。
【0040】
(21)前記マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、前記レンズの外側における光屈折率nb とは、na >nb の関係にあり、前記レンズは凸レンズであってもよい。
【0041】
屈折率の小さい媒質から、屈折率の大きい媒質に光が入射すると、光は両媒質の界面の法線に近づくように屈折する。したがって、マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、レンズの外側における光屈折率nb とが、
na > nb
の関係にある場合には、レンズを凸レンズにすることで入射した光を集光させることができる。
【0042】
(22)前記マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、前記レンズの外側における光屈折率nb とは、na <nb の関係にあり、前記レンズは凹レンズであってもよい。
【0043】
屈折率の大きい媒質から、屈折率の小さい媒質に光が入射すると、光は両媒質の界面の法線から遠ざかるように屈折する。したがって、マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、レンズの外側における光屈折率nb とが、
na < nb
の関係にある場合には、レンズを凹レンズにすることで入射した光を集光させることができる。
【0044】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照にして説明する。
【0045】
(第1の実施形態)
図1(A)〜図4(B)は、第1の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【0046】
まず、図1(A)に示すように、第1の原盤10及び第2の原盤20を用意する。第1の原盤10には、複数の曲面部12が形成されており、各曲面部12は、凸レンズの反転パターンとなるように凹状をなしている。一方、第2の原盤20には、複数の凸部22が形成されている。複数の凸部22は、図示しない平面視において、ブラックマトリクスの形状をなす。
【0047】
第1及び第2の原盤10、20は、それぞれの曲面部12及び凸部22を対向させて、かつ、各凸部22が曲面部12の中心を避けて対向するように配置されている。
【0048】
そして、原盤10と原盤20との間に、基板前駆体30(第1の光透過性層前駆体)を密着させる。基板前駆体30は、図1(C)に示すマイクロレンズアレイ基板32の材料となる。なお、図1(A)では、原盤10が下に位置しているが、原盤20が下であってもよい。
【0049】
基板前駆体30としては、マイクロレンズアレイ基板32となった際に、必要とされる光透過性を有していれば特に限定されるものでなく、種々の物質が利用できるが、エネルギーの付与により硬化可能な物質であることが好ましい。このような物質は、マイクロレンズアレイ基板32の形成時には低粘性の液状で取り扱うことが可能となり、常温、常圧下あるいはその近傍においても容易に第1及び第2の原盤10、20の微細部にまで容易に充填することができる。
【0050】
エネルギーとしては、光及び熱の少なくともいずれか一方であることが好ましい。こうすることで、汎用の露光装置やベイク炉、ホットプレートが利用でき、低設備コスト、省スペース化を図ることができる。
【0051】
このような物質としては、例えば、紫外線硬化型樹脂がある。紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系樹脂が好適である。様々な市販の樹脂や感光剤を利用することで、透明性に優れ、また、短時間の処理で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得ることができる。
【0052】
紫外線硬化型のアクリル系樹脂の基本組成の具体例としては、プレポリマーまたはオリゴマー、モノマー、光重合開始剤があげられる。
【0053】
プレポリマーまたはオリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアクリレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のアクリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメタクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリエーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利用できる。
【0054】
モノマーとしては、例えば、2−エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリドン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアクリレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の二官能性モノマー、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが利用できる。
【0055】
光重合開始剤としては、例えば、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン等のブチルフェノン類、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、α,α−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン等のハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフェノン、N,N−テトラエチル−4,4−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジルジメチルケタール等のベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾイン類、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム等のオキシム類、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン等のキサントン類、ミヒラーケトン等のラジカル発生化合物が利用できる。
【0056】
なお、必要に応じて、酸素による硬化阻害を防止する目的でアミン類等の化合物を添加したり、塗布を容易にする目的で溶剤成分を添加してもよい。
【0057】
溶剤成分としては、特に限定されるものではなく、種々の有機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、ブチルアセテート等から選ばれる一種または複数種の利用が可能である。
【0058】
このような紫外線硬化型のアクリル系樹脂等からなる基板前駆体30を、図1(A)に示すように、原盤10上に所定量滴下する。
【0059】
そして、図1(B)に示すように、基板前駆体30を所定領域まで拡げ、続いて、図1(C)に示すように、原盤10、20の少なくともいずれか一方から紫外線40を所定量照射して基板前駆体30を硬化させて、原盤10、20の間にマイクロレンズアレイ基板32(第1の光透過性層)を形成する。マイクロレンズアレイ基板32の一方の面には、複数の曲面部12から転写された複数のレンズ34が形成され、他方の面には、複数の凸部22から転写された複数の凹部36が形成されている。複数の凹部36は、図示しない平面視において、ブラックマトリクスの形状をなす。また、凹部36は、レンズ34の中心を避ける領域に対応して形成されている。
【0060】
基板前駆体30を所定領域まで拡げるにあたって、必要に応じて所定の圧力を原盤10、20の少なくとも一方に加えてもよい。ここでは、基板前駆体30を原盤10上に滴下したが、原盤20に滴下するか、原盤10、20の両方に滴下してもよい。また、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法等の方法を用いて、原盤10、20のいずれか一方、または、両方に基板前駆体30を塗布してもよい。
【0061】
そして、図2(A)に示すように、原盤20を、マイクロレンズアレイ基板32から剥離して、凸部22から転写された凹部36を開口させる。
【0062】
次に、図2(B)に示すように、マイクロレンズアレイ基板32の凹部36に遮光性材料42を充填し、遮光性層38を形成する。この遮光性層38は、ブラックマトリクスとなる。
【0063】
遮光性材料42は、光透過性のない材料であって耐久性があれば種々の材料を適用可能である。例えば、黒色染料あるいは黒色顔料をバインダー樹脂とともに溶剤に溶かしたものを、遮光性材料42として用いる。溶剤としては、特にその種類に限定されるものではなく、水あるいは種々の有機溶剤を適用することが可能である。有機溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、ブチルアセテート等のうち一種または複数種の混合溶液を利用することができる。
【0064】
凹部36への遮光性材料42の充填方法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット方式が好適である。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつインクを無駄なく経済的に充填するとが可能である。
【0065】
図2(B)には、インクジェットヘッド44によって、遮光性材料42を凹部36に充填する様子を示してある。詳しくは、凹部36に対向させてインクジェットヘッド44を配置し、各遮光性材料42を各凹部36に吐出する。
【0066】
インクジェットヘッド44は、例えばインクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子の体積変化を利用してインクに圧力を加えて吐出させるピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いて、インクの体積を膨張させたり気化させ、その圧力でインクを吐出するタイプ等が使用可能であり、射出面積および射出パターンは任意に設定することが可能である。
【0067】
本実施形態では、インクジェットヘッド44から遮光性材料42を吐出させる。そのため、遮光性材料42には、インクジェットヘッド44からの吐出を可能とするため、流動性を確保する必要がある。
【0068】
遮光性材料42を充填するときには、マイクロレンズアレイ基板32に形成された凹部36に均一な量で充填されるように、インクジェットヘッド44を動かす等の制御を行って、打ち込み位置を制御する。凹部36の隅々にまで均一に遮光性材料42が満たされたら、充填を完了する。溶剤成分が含まれている場合には、熱処理により遮光性材料42から溶剤成分を除去する。なお遮光性材料42は、溶剤成分を除去すると収縮するため、必要な遮光性が確保できる厚みが収縮後でも残される量を充填しておくことが必要である。
【0069】
次に、図3(A)に示すように、マイクロレンズアレイ基板32上に保護膜前駆体46(接着層前駆体)を滴下する。保護膜前駆体46は、上述した基板前駆体30として使用できる材料から選ぶことができる。そして、補強板48を保護膜前駆体46に密着させて、この保護膜前駆体46を押し拡げる。なお、保護膜前駆体46は、スピンコート法、ロールコート法等の方法により、マイクロレンズアレイ基板32上に、或いは補強板48上に塗り拡げてから、補強板48を密着させてもよい。
【0070】
補強板48としては一般にガラス基板が用いられるが、光透過性や機械的強度等の特性を満足するものであれば特に限定されるものではない。例えば、補強板48として、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、アモルファスポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート等のプラスチック製の基板あるいはフィルム基板を用いてもよい。
【0071】
そして、保護膜前駆体46の組成に応じた硬化処理をすることにより、これを硬化させて、図3(B)に示すように保護膜50(接着層)を形成する。紫外線硬化型のアクリル系樹脂が用いられる場合には、紫外線を所定の条件により照射することにより、保護膜前駆体46を硬化させる。
【0072】
続いて、図3(C)に示すように、原盤10をマイクロレンズアレイ基板32から剥離する。マイクロレンズアレイ基板32には、原盤10の曲面部12によって、レンズ34が形成されている。レンズ34は、凸レンズである。
【0073】
さらに、図4(A)に示すように、マイクロレンズアレイ基板32のレンズ34を有する面と、補強板54との間に保護膜前駆体52を密着させる。その工程は、図3(A)に示す工程と同様であり、保護膜前駆体52(第2の光透過性層前駆体)は、保護膜前駆体46として選択可能な物質の中から選択できる。
【0074】
こうして、図4(B)に示すように、両面に、保護膜50、56及び補強板48、54を備えるマイクロレンズアレイ基板32が得られる。これによれば、レンズ34側から入射する光が集光するようになっている。
【0075】
なお、保護膜50、56が、マイクロレンズアレイ基板として要求される機械的強度やガスバリア性、耐薬品性等の特性を満足することが可能であれば、対応する補強板48、54は不要である。さらに、マイクロレンズアレイ基板32自体が十分な強度を有し、遮光性層38が破損することがなければ、保護膜50、56を省略することも可能である。
【0076】
保護膜50が形成される場合には、マイクロレンズアレイ基板32の光屈折率na と、レンズ34の外側に位置する保護膜56を構成する保護膜前駆体52の光屈折率nb とは、
na >nb
の関係にあることが必要である。この条件を満たすことで、屈折率の小さい媒質から、屈折率の大きい媒質に光が入射することになり、光58は両媒質の界面の法線に近づくように屈折して集光する。そして、画面を明るくすることができる。
【0077】
本実施形態によれば、第1及び第2の原盤10、20の間に基板前駆体30を密着させて、第1の原盤10の曲面部12を転写してレンズ34を形成する。こうして、複数のレンズ34を有するマイクロレンズアレイ基板32を簡単に製造することができる。この製造方法によれば、材料の使用効率が高く、かつ工程数の短縮を図ることができ、コストダウンを図ることができる。また、第1及び第2の原盤10、20は、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため、2枚目以降のマイクロレンズアレイ基板の製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0078】
さらに、このマイクロレンズアレイ基板には、第2の原盤20の凸部22によって、凹部36が転写形成されており、この凹部36に遮光性材料42が充填される。この遮光性材料42からなる遮光性層38は、ブラックマトリクスを構成し、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0079】
このように、本実施形態によれば、画面を明るくすることに加えてコントラストを向上させることもできるマイクロレンズアレイ基板を、転写法によって簡単に製造することができる。
【0080】
(第2の実施形態)
図5(A)〜図6(C)は、第2の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【0081】
まず、図5(A)に示すように、第1の原盤110及び第2の原盤20の間に、基板前駆体130を密着させる。第1の原盤110には、複数の曲面部112が形成されている。曲面部112は、凹レンズの反転パターンとなるように凸状をなしている。本実施形態は、曲面部112の形状において第1の実施形態と異なる。一方、第2の原盤20は、第1の実施形態で使用したものであり、基板前駆体130も第1実施形態で使用可能な物質から選択することができる。そして、図1(C)と同様の工程を経て、マイクロレンズアレイ基板132を形成する。マイクロレンズアレイ基板132には、凸部22から凹部136が転写され、曲面部112からレンズ134が転写されている。レンズ134は、凹レンズである。
【0082】
次に、図5(B)に示すように、第2の原盤20をマイクロレンズアレイ基板132から剥離して、図5(C)に示すように、凹部136に遮光性材料を充填して遮光性層138を形成する。これらの工程は、図2(A)及び図2(B)に示す工程と同様である。
【0083】
続いて、図6(A)に示すように、マイクロレンズアレイ基板132における遮光性層138を有する面と補強板148との間に保護膜前駆体(接着層前駆体)からなる保護膜150(接着層)を形成して、図6(B)に示すように、第1の原盤110をマイクロレンズアレイ基板132から剥離する。そして、図4(A)の工程と同様にして、レンズ134上に保護膜156(第2の光透過性層)及び補強板154を形成する。
【0084】
以上の工程により、図6(C)に示すように、両面に、保護膜150、156及び補強板148、154を備えるマイクロレンズアレイ基板132が得られる。これによれば、レンズ34側から入射する光が集光するようになっている。
【0085】
なお、その前提として、マイクロレンズアレイ基板132の光屈折率 na′と、レンズ134の外側に位置する保護膜156を構成する保護膜前駆体の光屈折率 nb′とは、
na′< nb′
の関係にあることが必要である。この条件を満たすことで、屈折率の大きい媒質から、屈折率の小さい媒質に光が入射することになり、光158は両媒質の界面の法線から離れるように屈折して集光する。そして、画面を明るくすることができる。
【0086】
本実施形態によっても、凸レンズと凹レンズの違いがあるだけで、第1の実施形態と同じ効果を達成することができる。
【0087】
(第3の実施形態)
図7〜図9(B)は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板及びその製造方法を示す図である。本実施形態では、図7に示すマイクロレンズアレイ基板200を製造する。マイクロレンズアレイ基板200は、凹部202の形状において、図2(B)に示すマイクロレンズアレイ基板32と異なる。すなわち、凹部202は、内側面が傾斜したテーパ形状に形成されている。この凹部202によれば、底面に比べ開口部が広くなっているので、画素密度が高くなっても、遮光性材料42(図2(B)参照)を確実に充填することができる。この形状の凹部202を形成するには、断面において台形をなす凸部を有する原盤を使用する。
【0088】
図8(A)〜図9(B)は、凹部202を形成するための原盤を形成する工程を示す図である。
【0089】
まず、図8(A)に示すように、基材212上にレジスト層214を形成する。基材212は、表面をエッチングして原盤とするためのもので、エッチング可能な材料であれば特に限定されるものではないが、シリコン又は石英は、エッチングにより高精度の凸部の形成が容易であるため、好適である。
【0090】
レジスト層214を形成する物質としては、例えば、半導体デバイス製造において一般的に用いられている、クレゾールノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン誘導体を配合した市販のポジ型のレジストをそのまま利用できる。ここで、ポジ型のレジストとは、所定のパターンに応じて放射線に暴露することにより、放射線によって暴露された領域が現像液により選択的に除去可能となる物質のことである。
【0091】
レジスト層214を形成する方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法等の方法を用いることが可能である。
【0092】
次に、図8(B)に示すように、マスク216をレジスト層214の上に配置し、マスク216を介してレジスト層214の所定領域のみを放射線218によって暴露する。マスク216は、凸部222(図9(B)参照)の形成に必要とされる領域において、放射線218が透過しないようにパターン形成されたものである。マスク216における放射線遮蔽部は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。
【0093】
放射線としては波長200nm〜500nmの領域の光を用いることが好ましい。この波長領域の光の利用は、液晶パネルの製造プロセス等で確立されているフォトリソグラフィの技術及びそれに利用されている設備の利用が可能となり、低コスト化を図ることができる。
【0094】
そして、レジスト層214を放射線218によって暴露した後に所定の条件により現像処理を行うと、放射線218の暴露領域217において、レジスト層214が選択的に除去され、図8(C)に示すように、基材212の表面が露出し、それ以外の領域はレジスト層214により覆われたままの状態となる。
【0095】
続いて、パターン化されたレジスト層214を、加熱して軟化させ、その表面張力によって、図8(D)に示すように側面を傾斜させる。
【0096】
次に、図8(D)に示すように、このレジスト層214をマスクとして、エッチャント220によって、基材212を所定の深さエッチングを行う。詳しくは、異方性エッチング、例えば反応性イオンエッチング(RIE)などのドライエッチングを行う。
【0097】
ここで、レジスト層214は側面が傾斜しているので、エッチングにより、この形状のレジスト層214が徐々に小さくなって、基材212は徐々に露出していく。この露出した領域が連続的に徐々にエッチングされていく。こうして、基材212が連続的に徐々にエッチングされるので、エッチング後の基材212の表面には、図9(A)に示すように、台形の凸部222が形成される。
【0098】
そして、凸部222上のレジスト層214を、必要であれば除去して、原盤224が得られる。
【0099】
本実施形態によれば、原盤224の凸部222の断面が台形をなす。この原盤224を、図1に示す原盤20の代わりに使用すれば、開口部が底面よりも大きくなるように側面を傾斜させた凹部202を形成することができる。この凹部202によれば、遮光性材料42を容易に確実に導き入れることができる。したがって、インクジェットヘッドの制御が容易で、製造上の歩留まりが良くなるという効果を奏する。
【0100】
この原盤224は、本実施形態では、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的である。また、原盤224の製造工程は、2枚目以降のマイクロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0101】
上記実施の形態では、基材212上に凹部222を形成するに際し、ポジ型のレジストを用いたが、放射線に暴露された領域が現像液に対して不溶化し、放射線に暴露されていない領域が現像液により選択的に除去可能となるネガ型のレジストを用いても良く、この場合には、上記マスク216とはパターンが反転したマスクが用いられる。あるいは、マスクを使用せずに、レーザ光あるいは電子線によって直接レジストをパターン状に暴露しても良い。
【0102】
また、現像処理条件を調整することにより、図8(D)に示すように、パターン化されたレジスト層214の側面を傾斜させることが可能な場合には、レジスト層214を加熱する工程を省略してもよい。
【0103】
あるいは、図10に、マスクの変形例を示す。同図に示すマスク240は、放射線238の透過部242と、遮蔽部244と、半透過部246とを有するハーフトーンマスクである。半透過部246は、遮蔽部244から離れるに従って徐々に放射線238の透過率が高くなるように形成されている。同図では、半透過部246を形成する遮蔽材の厚みを変化させることで、透過率を変化させているが、濃淡によって透過率を変化させてもよい。このマスク240を使用すると、放射線238が、半透過部246を減衰されながらも通過して、レジスト層234を暴露する。詳しくは、透過部242から遮蔽部244に向けて、減衰率が高くなるように、放射線238が半透過部246を透過する。その結果、遮蔽部244に近づくに従って、放射線238による暴露が浅くなり、図10に示すように、側面が傾斜したレジスト層234を残す領域が暴露領域237となる。こうすることでも、側面が傾斜したレジスト層のパターン化を行うことができる。
【0104】
(第4の実施形態)
図11〜図14(C)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板及びその製造方法を示す図である。本実施形態では、図11に示すマイクロレンズアレイ基板300を製造する。マイクロレンズアレイ基板300は、凹部302の形状において、図2(B)に示すマイクロレンズアレイ基板32と異なる。すなわち、凹部302は、内側面のうち開口端部のみがテーパ形状に形成されている。このように開口端部がテーパ形状となった凹部302によれば、底面に比べ開口部が広くなっているので、画素密度が高くなっても、遮光性材料42(図2(B)参照)を確実に充填することができる。この形状の凹部202を形成するには、立ち上がりの基端部において台形と同様に傾斜した側面を有する凸部を有する原盤を使用する。
【0105】
図12(A)〜図14(C)は、凹部302を形成するための原盤を形成する工程を示す図である。
【0106】
まず、図12(A)に示すように、基材312上にマスク層314を形成する。基材312は、エッチング可能な材料であれば特に限定されるものではないが、シリコン又は石英は、高精度のエッチングが容易であるため好適である。
【0107】
マスク層314は、基材312に強固に一体化して剥離しにくいものが好ましい。例えば、基材312がシリコンで形成されている場合には、その表面を熱酸化させて形成したシリコン酸化膜(SiO2 )をマスク層314とすることができる。これによれば、マスク層314は、基材312と強固に一体化する。あるいは、基材312が金属、石英、ガラス又はシリコンである場合には、その表面にAl、Ni、Cr、W、Pt、Au、Ir、Tiのいずれかで膜を形成し、これをマスク層314としてもよい。
【0108】
次に、図12(B)に示すように、基材312上に形成されたマスク層314上にレジスト層316を形成する。レジスト層316の材料及びその形成方法は、上述した第3の実施形態で適用できるものを選択できる。
【0109】
続いて、図12(C)に示すように、マスク318をレジスト層316の上に配置し、マスク318を介してレジスト層316の所定領域のみを放射線320によって暴露する。マスク318は、最終的に製造される原盤332の凸部334(図14(C)参照)の形成に必要とされる領域において、放射線320が透過するようにパターン形成されたものである。マスク318における放射線透過部は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。放射線としては波長200nm〜500nmの領域の光を用いることが好ましい。
【0110】
そして、レジスト層316を放射線320によって暴露した後に所定の条件により現像処理を行うと、放射線320の暴露領域317において、レジスト層316が選択的に除去され、図12(D)に示すように、基材312の表面が露出し、それ以外の領域はレジスト層316により覆われたままの状態となる。
【0111】
続いて、パターン化されたレジスト層316を、加熱して軟化させ、その表面張力によって、図12(E)に示すように側面を傾斜させる。
【0112】
次に、図12(E)に示すように、側面が傾斜したレジスト層316をマスクとして、エッチャント322によって、マスク層314をエッチングする。詳しくは、異方性エッチング、例えば反応性イオンエッチング(RIE)などのドライエッチングを行う。
【0113】
ここで、レジスト層316は側面が傾斜しているので、エッチングにより、この形状のレジスト層316が徐々に小さくなって、基材312は徐々に露出していく。この露出した領域が連続的に徐々にエッチングされていく。こうして、基材312が連続的に徐々にエッチングされるので、マスク層314は、図13(A)に示すように台形をなす。マスク層314からは、基材312の表面の一部が露出する。詳しくは、マスク層314の周囲を囲んで、基材312の表面の一部が露出する。この露出部は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。また、基材312の表面の一部が露出した時点で、エッチングを停止することが好ましい。
【0114】
そして、マスク層314上のレジスト層316を必要であれば除去し、図13(B)に示すように、エッチャント324によって、基材312におけるマスク層314から露出した部分をエッチングする。
【0115】
ここでは、基材312の表面に垂直にエッチングが進む高異方性エッチングであって、基材312をエッチングするがマスク層314をエッチングしにくい高選択性エッチングが行われる。
【0116】
こうして、エッチングがされると、図13(C)に示すように、基材312に原盤形成用凹部326が形成される。原盤形成用凹部326は、ブラックマトリクスの形状に応じた枠状をなしている。ブラックマトリクスの形状は、モザイク配列、デルタ配列又はストライプ配列などの画素配列に応じたものである。
【0117】
また、原盤形成用凹部326にて囲まれる凸部325上には、台形のマスク層314が残されている。ここで、凸部325の側面は垂直に立ち上がり、マスク層314の側面は傾斜してテーパ状をなしている。このことから、原盤形成用凹部326の側面は、底面から垂直に立ち上がり、開口端部において徐々に径が大きくなる方向に拡がって傾斜するテーパ面となっている。
【0118】
続いて、図14(A)に示すように、基材312における原盤形成用凹部326が形成されている面上に、金属膜328を形成して、その表面を導電(体)化する。金属膜328としては、例えば、ニッケル(Ni)を500〜1000オングストローム(10-10m )の厚みで形成すればよい。金属膜328の形成方法としては、スパッタリング、CVD、蒸着、無電解メッキ法等の方法を用いることが可能である。なお、基材312の表面が、この後の電気鋳造法による金属層の形成において必要な導電性を有していれば、この導電化は不要である。
【0119】
そして、金属膜328を陰極とし、チップ状あるいはボール状のNiを陽極として電気鋳造法によりさらにNiを電着させて、図14(B)に示すように、厚い金属層330を形成する。電気メッキ液の一例を以下に示す。
【0120】
スルファミン酸ニッケル:550g/l
ホウ酸 : 35g/l
塩化ニッケル : 5g/l
レベリング剤 :20mg/l
続いて、図14(C)に示すように、金属膜328及び金属層330を、基材312から剥離し、必要があれば洗浄する等して、原盤332が得られる。金属膜328は、必要に応じて剥離処理を施して、原盤332から除去してもよい。
【0121】
原盤332には、基材312の原盤形成用凹部326に対応して、凸部334が形成されている。詳しくは、原盤形成用凹部326が、開口端部において、外方向に向けて径が大きくなるように傾斜するテーパ状をなしているので、これに対応して、凸部334には、基端部において、先端方向に向けて徐々に径が小さくなる方向に傾斜するテーパ面が形成されている。
【0122】
本実施形態によれば、原盤332の凸部334が上述した形状をなす。この原盤332を、図1に示す原盤20の代わりに使用すれば、開口端部において径が大きくなるように傾斜した凹部302を形成することができる。この凹部302によれば、遮光性材料42を容易に確実に導き入れることができる。したがって、インクジェットヘッドの制御が容易で、製造上の歩留まりが良くなるという効果を奏する。
【0123】
この原盤332は、本実施形態では、一旦製造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的である。また、原盤332の製造工程は、2枚目以降のマイクロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0124】
図15は、本発明を適用した液晶プロジェクタの一部を示す図である。この液晶プロジェクタは、上述した第2の実施形態に係る方法により製造されたマイクロレンズアレイ基板132を組み込んだライトバルブ1と、光源としてのランプ2とを有する。
【0125】
マイクロレンズアレイ基板132は、レンズ134はランプ2から見て凹状になるように配置されている。そして、ブラックマトリクスとなる遮光層138側の補強板148上には、透明な共通電極162及び配向膜164が積層されている。
【0126】
ライトバルブ1には、配向膜164からギャップをあけて、TFT基板174が設けられている。TFT基板174には、透明な個別電極170及び薄膜トランジスタ172が設けられており、これらの上に配向膜168が形成されている。また、TFT基板174は、配向膜168を配向膜164に対向させて配置されている。
【0127】
配向膜164、168間には、液晶166が封入されており、薄膜トランジスタ172によって制御される電圧によって、液晶166が駆動されるようになっている。
【0128】
この液晶プロジェクタによれば、ランプ2から照射された光3が、各画素毎にレンズ134にて集光するので、明るい画面を表示することができる。また、遮光層138がブラックマトリクスとなるので、画素間のコントラストを向上させることができる。
【0129】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜図1(C)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図2】図2(A)及び図2(B)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図3】図3(A)〜図3(C)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図4】図4(A)及び図4(B)は、第1実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図5】図5(A)〜図5(C)は、第2実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図6】図6(A)〜図6(C)は、第2実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図7】図7は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板を示す図である。
【図8】図8(A)〜図8(D)は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図9】図9(A)及び図9(B)は、第3の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図10】図10は、第3の実施形態で使用されるマスクの変形例を示す図である。
【図11】図11は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板を示す図である。
【図12】図12(A)〜図12(E)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図13】図13(A)〜図13(C)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図14】図14(A)〜図14(C)は、第4の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す図である。
【図15】図15は、本発明を適用して製造されたマイクロレンズアレイ基板が組み込まれた液晶プロジェクタを示す図である。
【符号の説明】
10 原盤
12 曲面部
20 原盤
30 基板前駆体
32 マイクロレンズアレイ基板
34 レンズ
36 凹部
38 遮光性層
42 遮光性材料
48、54 補強板
50、56 保護膜
58 光
Claims (22)
- 複数の曲面部を有する第1の原盤と、複数の凸部を有する第2の原盤と、の間に基板前駆体を密着させて、前記曲面部にて形成された複数のレンズと、前記凸部にて形成された複数の凹部とを有する基板を形成する工程と、
前記基板から前記第1及び第2の原盤を剥離する工程と、
少なくとも前記第2の原盤が剥離された後に、前記凹部に遮光性材料を充填する工程と、
を含むマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記曲面部の中心を避けた領域に前記凸部を対向させて、前記第1及び第2の原盤の間に、前記基板前駆体を密着させるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記凹部に充填された前記遮光性材料及び前記レンズのうち少なくとも一方の上に、保護膜前駆体を載せて、前記保護膜前駆体を固化して保護層を形成する工程を含むマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項3記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記保護膜前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能な物質であるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項4記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方であるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項5記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記保護膜前駆体は、紫外線硬化型樹脂であるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項3から請求項6のいずれかに記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記保護膜前駆体上に補強板を載せてから前記保護膜前駆体を固化するマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記基板前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能な物質であるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項8記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方であるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項9記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記基板前駆体は、紫外線硬化型樹脂であるマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から請求項10のいずれかに記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記凹部に、前記遮光性材料をインクジェット方式によって充填するマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項1から請求項11のいずれかに記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記凹部は、底面よりも開口部の面積が大きくなるように、少なくとも内側面の一部がテーパにて形成されているマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 請求項12記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法において、
前記テーパは、内側面の開口端部のみに形成されているマイクロレンズアレイ基板の製造方法。 - 一方の面に複数のレンズが形成されるとともに、他方の面において前記レンズの少なくとも中心を避ける位置に対応して複数の凹部が形成され、前記凹部に遮光性層が形成されたマイクロレンズアレイ基板。
- 請求項14記載のマイクロレンズアレイ基板において、
前記レンズ及び前記遮光性層の少なくとも一方の上に保護膜を有するマイクロレンズアレイ基板。 - 請求項15記載のマイクロレンズアレイ基板において、
前記保護膜上に補強板を有するマイクロレンズアレイ基板。 - 請求項14から請求項16のいずれかに記載のマイクロレンズアレイ基板において、
前記凹部は、底面よりも開口部の面積が大きくなるように、少なくとも内側面の一部がテーパにて形成されているマイクロレンズアレイ基板。 - 請求項17記載のマイクロレンズアレイ基板において、
前記テーパは、内側面の開口端部のみに形成されているマイクロレンズアレイ基板。 - 請求項1から請求項13のいずれかに記載の方法により製造されるマイクロレンズアレイ基板。
- 請求項14から請求項19のいずれかに記載のマイクロレンズアレイ基板と、前記マイクロレンズアレイ基板に向けて光を照射する光源と、を有し、
前記マイクロレンズアレイ基板は、前記レンズが形成された面を前記光源に向けて配置される表示装置。 - 請求項20記載の表示装置において、
前記マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、前記レンズの外側における光屈折率nb とは、na >nb の関係にあり、前記レンズは凸レンズである表示装置。 - 請求項20記載の表示装置において、
前記マイクロレンズアレイ基板を構成する材料の光屈折率na と、前記レンズの外側における光屈折率nb とは、na <nb の関係にあり、前記レンズは凹レンズである表示装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27943998A JP3931936B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-09-14 | マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
PCT/JP1999/002409 WO1999059004A1 (fr) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Plaque matrice a micro-lentilles, fabrication de ladite plaque et unite d'affichage |
CNB998007218A CN100409034C (zh) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | 微透镜阵列基片及其制造方法和显示器 |
EP99921154A EP1014114B1 (en) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Microlens array plate, manufacture thereof, and display device |
TW088107547A TW416008B (en) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Micro lens array base board and production method and display device therefor |
KR10-1999-7012451A KR100508197B1 (ko) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | 마이크로 렌즈 어레이 기판의 제조 방법 |
US09/462,733 US6623999B1 (en) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Microlens array substrate, method of manufacturing the same, and display device |
DE69934768T DE69934768T2 (de) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Mikrolinsen array platte, ihre herstellung und anzeigevorrichtung |
US10/406,963 US6909121B2 (en) | 1998-05-11 | 2003-04-04 | Microlens array substrate, method of manufacturing the same, and display device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14510898 | 1998-05-11 | ||
JP10-145108 | 1998-05-11 | ||
JP27943998A JP3931936B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-09-14 | マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000035504A JP2000035504A (ja) | 2000-02-02 |
JP3931936B2 true JP3931936B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=26476339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27943998A Expired - Fee Related JP3931936B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-09-14 | マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6623999B1 (ja) |
EP (1) | EP1014114B1 (ja) |
JP (1) | JP3931936B2 (ja) |
KR (1) | KR100508197B1 (ja) |
CN (1) | CN100409034C (ja) |
DE (1) | DE69934768T2 (ja) |
TW (1) | TW416008B (ja) |
WO (1) | WO1999059004A1 (ja) |
Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000036664A2 (en) | 1998-12-17 | 2000-06-22 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
JP2000277260A (ja) | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP2001059923A (ja) | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、半導体装置並びに光伝達装置 |
JP2001196162A (ja) | 1999-10-25 | 2001-07-19 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP2001244066A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP4112776B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2008-07-02 | ローム株式会社 | レンズアレイの製造方法、およびレンズアレイの遮光処理方法 |
JP2002008868A (ja) | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Seiko Epson Corp | 面発光装置 |
FR2811476B1 (fr) * | 2000-07-07 | 2002-12-06 | Thomson Csf | Dispositif electronique avec encapsulant thermiquement conducteur |
JP2002056989A (ja) | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP4651826B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-03-16 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 反射型表示装置及びその製造方法 |
JP2002283360A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに光学装置 |
JP2002283362A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに光学装置 |
KR100490873B1 (ko) * | 2001-05-17 | 2005-05-23 | 한국과학기술연구원 | 초소형 렌즈 어레이 제조방법 |
JP2003167534A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-06-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US20030063241A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Hoya Corporation | Opposite substrate for liquid crystal display panel, liquid crystal display panel, and method of fabricating them |
US6917402B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-07-12 | Hoya Corporation | Opposite substrate for liquid crystal display panel with particular microlenses and layered light shields, and method of fabricating the same |
JP4224963B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2009-02-18 | オムロン株式会社 | レンズアレイ基板及び液晶表示装置 |
US7344786B2 (en) * | 2001-10-29 | 2008-03-18 | Fujifilm Corporation | Magnetic recording medium including a smooth coating layer on one side of the support |
JP2003218658A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Nec Corp | 弾性表面波素子及び半導体装置の製造方法 |
KR100559528B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2006-03-10 | 일진디스플레이(주) | 투과율이 향상된 액정디스플레이 패널 |
JP3888223B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2007-02-28 | ソニー株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
US6750073B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-06-15 | Minuta Technology Co., Ltd. | Method for forming a mask pattern |
JP2004171613A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2004198536A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Three M Innovative Properties Co | レンズアレイシート及び成形方法 |
US7245435B2 (en) | 2002-12-16 | 2007-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Lens array sheet and molding method |
JP4232541B2 (ja) | 2003-06-04 | 2009-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ装置の製造方法 |
US20050002204A1 (en) * | 2003-07-04 | 2005-01-06 | Kun-Lung Lin | Module for uniforming light |
US7119962B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-10-10 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a molded lenslet array |
JP4239750B2 (ja) | 2003-08-13 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ及びマイクロレンズの製造方法、光学装置、光伝送装置、レーザプリンタ用ヘッド、並びにレーザプリンタ |
EP1512993A1 (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-09 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA | Method for replication of thin-film structures |
US6895875B1 (en) * | 2003-11-18 | 2005-05-24 | General Electric Company | Mercury reduction system and method in combustion flue gas using staging |
US8867134B2 (en) | 2003-11-21 | 2014-10-21 | Visual Physics, Llc | Optical system demonstrating improved resistance to optically degrading external effects |
JP3859158B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ用凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーン、およびリア型プロジェクタ |
US20050151285A1 (en) * | 2004-01-12 | 2005-07-14 | Grot Annette C. | Method for manufacturing micromechanical structures |
KR101043671B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자와 그 제조방법 |
US20060062922A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
KR20060078405A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 렌즈 기판 어레이, 그를 포함하는 입체 영상디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101183928B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2012-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR100742987B1 (ko) | 2005-10-10 | 2007-07-26 | (주)더리즈 | 고효율의 발광다이오드 및 패키지와 그 제조방법 |
JP2007148297A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Hitachi Maxell Ltd | バックライト用光学シート、バックライト及び表示装置 |
JP4687468B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2011-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ |
EP2087981A4 (en) * | 2006-10-31 | 2013-01-02 | Konica Minolta Opto Inc | TEMPLATE AND MICRORACTOR |
US8013289B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-09-06 | Ether Precision, Inc. | Lens array block for image capturing unit and methods of fabrication |
US7656493B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-02-02 | Arthur Alan R | Pixel well electrodes |
KR100986386B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈 유닛의 제조방법 및 렌즈 유닛 제조 장치 |
EP2237945B1 (en) * | 2008-01-08 | 2020-04-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Camera module and method of fabricating a camera module |
US8866920B2 (en) | 2008-05-20 | 2014-10-21 | Pelican Imaging Corporation | Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers |
US11792538B2 (en) | 2008-05-20 | 2023-10-17 | Adeia Imaging Llc | Capturing and processing of images including occlusions focused on an image sensor by a lens stack array |
EP3328048B1 (en) | 2008-05-20 | 2021-04-21 | FotoNation Limited | Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers |
TWI370264B (en) * | 2008-06-16 | 2012-08-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | Method for manufacturing microlens array |
EP2502115A4 (en) | 2009-11-20 | 2013-11-06 | Pelican Imaging Corp | RECORDING AND PROCESSING IMAGES THROUGH A MONOLITHIC CAMERA ARRAY WITH HETEROGENIC IMAGE CONVERTER |
WO2011109442A2 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Oliver Steven D | Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same |
JP2013522681A (ja) * | 2010-03-17 | 2013-06-13 | ペリカン イメージング コーポレーション | 結像レンズアレイのマスタを作製する方法 |
SG10201503516VA (en) | 2010-05-12 | 2015-06-29 | Pelican Imaging Corp | Architectures for imager arrays and array cameras |
US8878950B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-11-04 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for synthesizing high resolution images using super-resolution processes |
US8591785B2 (en) * | 2011-01-10 | 2013-11-26 | Xerox Corporation | Digitally prepared stamp masters and methods of making the same |
KR101973822B1 (ko) | 2011-05-11 | 2019-04-29 | 포토네이션 케이맨 리미티드 | 어레이 카메라 이미지 데이터를 송신 및 수신하기 위한 시스템들 및 방법들 |
US20130265459A1 (en) | 2011-06-28 | 2013-10-10 | Pelican Imaging Corporation | Optical arrangements for use with an array camera |
JP2014521117A (ja) | 2011-06-28 | 2014-08-25 | ペリカン イメージング コーポレイション | アレイカメラで使用するための光学配列 |
WO2013043751A1 (en) | 2011-09-19 | 2013-03-28 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for controlling aliasing in images captured by an array camera for use in super resolution processing using pixel apertures |
IN2014CN02708A (ja) | 2011-09-28 | 2015-08-07 | Pelican Imaging Corp | |
WO2013126578A1 (en) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for the manipulation of captured light field image data |
US9210392B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-12-08 | Pelican Imaging Coporation | Camera modules patterned with pi filter groups |
WO2014005123A1 (en) | 2012-06-28 | 2014-01-03 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for detecting defective camera arrays, optic arrays, and sensors |
KR101393905B1 (ko) * | 2012-06-28 | 2014-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈 유닛 제조 장치, 렌즈 유닛의 제조 방법 및 렌즈 유닛 |
US20140002674A1 (en) | 2012-06-30 | 2014-01-02 | Pelican Imaging Corporation | Systems and Methods for Manufacturing Camera Modules Using Active Alignment of Lens Stack Arrays and Sensors |
KR102019181B1 (ko) | 2012-07-27 | 2019-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈 유닛 제조 장치, 렌즈 유닛의 제조 방법 및 렌즈 유닛 |
WO2014031795A1 (en) | 2012-08-21 | 2014-02-27 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for parallax detection and correction in images captured using array cameras |
US20140055632A1 (en) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Pelican Imaging Corporation | Feature based high resolution motion estimation from low resolution images captured using an array source |
US9214013B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-12-15 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for correcting user identified artifacts in light field images |
EP2901671A4 (en) | 2012-09-28 | 2016-08-24 | Pelican Imaging Corp | CREATING IMAGES FROM LIGHT FIELDS USING VIRTUAL POINTS OF VIEW |
WO2014078443A1 (en) | 2012-11-13 | 2014-05-22 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for array camera focal plane control |
US9462164B2 (en) | 2013-02-21 | 2016-10-04 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for generating compressed light field representation data using captured light fields, array geometry, and parallax information |
US9374512B2 (en) | 2013-02-24 | 2016-06-21 | Pelican Imaging Corporation | Thin form factor computational array cameras and modular array cameras |
US9638883B1 (en) | 2013-03-04 | 2017-05-02 | Fotonation Cayman Limited | Passive alignment of array camera modules constructed from lens stack arrays and sensors based upon alignment information obtained during manufacture of array camera modules using an active alignment process |
WO2014138697A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for high dynamic range imaging using array cameras |
US8866912B2 (en) | 2013-03-10 | 2014-10-21 | Pelican Imaging Corporation | System and methods for calibration of an array camera using a single captured image |
US9521416B1 (en) | 2013-03-11 | 2016-12-13 | Kip Peli P1 Lp | Systems and methods for image data compression |
US9888194B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-02-06 | Fotonation Cayman Limited | Array camera architecture implementing quantum film image sensors |
US9519972B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-12-13 | Kip Peli P1 Lp | Systems and methods for synthesizing images from image data captured by an array camera using restricted depth of field depth maps in which depth estimation precision varies |
US9106784B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-08-11 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for controlling aliasing in images captured by an array camera for use in super-resolution processing |
WO2014164550A2 (en) | 2013-03-13 | 2014-10-09 | Pelican Imaging Corporation | System and methods for calibration of an array camera |
US9100586B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-04 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for photometric normalization in array cameras |
WO2014159779A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for reducing motion blur in images or video in ultra low light with array cameras |
EP2973476A4 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-18 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for stereo imaging with camera arrays |
US10122993B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-11-06 | Fotonation Limited | Autofocus system for a conventional camera that uses depth information from an array camera |
US9445003B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-13 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for synthesizing high resolution images using image deconvolution based on motion and depth information |
US9497429B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-15 | Pelican Imaging Corporation | Extended color processing on pelican array cameras |
US9633442B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-04-25 | Fotonation Cayman Limited | Array cameras including an array camera module augmented with a separate camera |
US9497370B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-15 | Pelican Imaging Corporation | Array camera architecture implementing quantum dot color filters |
US9898856B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-02-20 | Fotonation Cayman Limited | Systems and methods for depth-assisted perspective distortion correction |
US9185276B2 (en) | 2013-11-07 | 2015-11-10 | Pelican Imaging Corporation | Methods of manufacturing array camera modules incorporating independently aligned lens stacks |
KR102130712B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2020-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US10119808B2 (en) | 2013-11-18 | 2018-11-06 | Fotonation Limited | Systems and methods for estimating depth from projected texture using camera arrays |
WO2015081279A1 (en) | 2013-11-26 | 2015-06-04 | Pelican Imaging Corporation | Array camera configurations incorporating multiple constituent array cameras |
US10089740B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-10-02 | Fotonation Limited | System and methods for depth regularization and semiautomatic interactive matting using RGB-D images |
US9247117B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-01-26 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for correcting for warpage of a sensor array in an array camera module by introducing warpage into a focal plane of a lens stack array |
US9521319B2 (en) | 2014-06-18 | 2016-12-13 | Pelican Imaging Corporation | Array cameras and array camera modules including spectral filters disposed outside of a constituent image sensor |
DE102014112725A1 (de) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Verfahren zur Herstellung eines Mikrolinsenarrays |
JP2017531976A (ja) | 2014-09-29 | 2017-10-26 | フォトネイション ケイマン リミテッド | アレイカメラを動的に較正するためのシステム及び方法 |
US9942474B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-04-10 | Fotonation Cayman Limited | Systems and methods for performing high speed video capture and depth estimation using array cameras |
EP3096167A1 (en) * | 2015-05-18 | 2016-11-23 | OSRAM GmbH | A method of producing lighting devices and optical component for use therein |
CA3013206A1 (en) | 2016-01-28 | 2017-08-03 | Tracer Imaging Llc | Product alignment using a printed relief |
US10482618B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-11-19 | Fotonation Limited | Systems and methods for hybrid depth regularization |
CN107738036B (zh) * | 2017-11-08 | 2019-03-12 | 西安交通大学 | 一种利用飞秒激光制备均匀、可控微透镜结构的方法 |
KR102544722B1 (ko) * | 2017-11-14 | 2023-06-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
MX2022003020A (es) | 2019-09-17 | 2022-06-14 | Boston Polarimetrics Inc | Sistemas y metodos para modelado de superficie usando se?ales de polarizacion. |
DE112020004813B4 (de) | 2019-10-07 | 2023-02-09 | Boston Polarimetrics, Inc. | System zur Erweiterung von Sensorsystemen und Bildgebungssystemen mit Polarisation |
CN114787648B (zh) | 2019-11-30 | 2023-11-10 | 波士顿偏振测定公司 | 用于使用偏振提示进行透明对象分段的系统和方法 |
US11195303B2 (en) | 2020-01-29 | 2021-12-07 | Boston Polarimetrics, Inc. | Systems and methods for characterizing object pose detection and measurement systems |
JP2023511747A (ja) | 2020-01-30 | 2023-03-22 | イントリンジック イノベーション エルエルシー | 偏光画像を含む異なる撮像モダリティで統計モデルを訓練するためのデータを合成するためのシステムおよび方法 |
US11953700B2 (en) | 2020-05-27 | 2024-04-09 | Intrinsic Innovation Llc | Multi-aperture polarization optical systems using beam splitters |
US11757074B2 (en) * | 2020-06-12 | 2023-09-12 | Apple Inc. | Light-emitting diode display pixels with microlens stacks over light-emitting diodes |
US11954886B2 (en) | 2021-04-15 | 2024-04-09 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for six-degree of freedom pose estimation of deformable objects |
US11290658B1 (en) | 2021-04-15 | 2022-03-29 | Boston Polarimetrics, Inc. | Systems and methods for camera exposure control |
US11689813B2 (en) | 2021-07-01 | 2023-06-27 | Intrinsic Innovation Llc | Systems and methods for high dynamic range imaging using crossed polarizers |
DE102022127905A1 (de) | 2022-10-21 | 2024-05-02 | FEV Group GmbH | Mikrolinsenarray für einen bildprojektor |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE792745A (fr) * | 1971-12-15 | 1973-03-30 | Freen Ltd | Ecran pour projection par transparence |
US5225935A (en) * | 1989-10-30 | 1993-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device having a microlens and a process for making microlenses |
JPH03198003A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Ricoh Co Ltd | マイクロレンズアレイの製造方法 |
US5239412A (en) * | 1990-02-05 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid image pickup device having microlenses |
JPH0812904B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1996-02-07 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
KR960011399B1 (ko) * | 1991-04-03 | 1996-08-22 | 샤프 가부시끼가이샤 | 광학 소자 조립 장치 |
JP2566087B2 (ja) * | 1992-01-27 | 1996-12-25 | 株式会社東芝 | 有色マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
US5359454A (en) * | 1992-08-18 | 1994-10-25 | Applied Physics Research, L.P. | Apparatus for providing autostereoscopic and dynamic images |
US5506701A (en) * | 1993-01-28 | 1996-04-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram color filter, liquid crystal display device using the same, and fabrication process of hologram color filter |
JP3198003B2 (ja) | 1993-12-24 | 2001-08-13 | 学校法人桐蔭学園 | 耐光性フィブロイン−天然色素複合体 |
JPH07281181A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Toray Ind Inc | 面状光学素子の製造方法 |
JPH0990337A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | 透過型液晶表示装置 |
JP3335082B2 (ja) | 1996-07-22 | 2002-10-15 | 日本板硝子株式会社 | 平板型マイクロレンズ |
JPH10104405A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Sony Corp | 光学基板およびその製造方法 |
JP3461680B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2003-10-27 | シャープ株式会社 | 光学素子の製造方法および画像表示装置 |
US5990992A (en) * | 1997-03-18 | 1999-11-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Image display device with plural planar microlens arrays |
US6137555A (en) * | 1997-03-26 | 2000-10-24 | Matsushita Electronics Corporation | Liquid crystal panel with uniform adhesive layer and method of manufacturing |
JP3298451B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2002-07-02 | 三菱電機株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP27943998A patent/JP3931936B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-10 TW TW088107547A patent/TW416008B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-10 WO PCT/JP1999/002409 patent/WO1999059004A1/ja active IP Right Grant
- 1999-05-10 US US09/462,733 patent/US6623999B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-10 DE DE69934768T patent/DE69934768T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-10 CN CNB998007218A patent/CN100409034C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-10 EP EP99921154A patent/EP1014114B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-10 KR KR10-1999-7012451A patent/KR100508197B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-04-04 US US10/406,963 patent/US6909121B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1999059004A1 (fr) | 1999-11-18 |
EP1014114B1 (en) | 2007-01-10 |
CN1269018A (zh) | 2000-10-04 |
US20030207484A1 (en) | 2003-11-06 |
DE69934768D1 (de) | 2007-02-22 |
KR20010014313A (ko) | 2001-02-26 |
EP1014114A1 (en) | 2000-06-28 |
US6623999B1 (en) | 2003-09-23 |
TW416008B (en) | 2000-12-21 |
JP2000035504A (ja) | 2000-02-02 |
CN100409034C (zh) | 2008-08-06 |
DE69934768T2 (de) | 2007-10-31 |
EP1014114A4 (en) | 2005-05-11 |
US6909121B2 (en) | 2005-06-21 |
KR100508197B1 (ko) | 2005-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3931936B2 (ja) | マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
JP3968545B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
US6404555B1 (en) | Micro lens array, method of fabricating the same and display | |
US6297911B1 (en) | Micro lens array, method of fabricating the same, and display device | |
JP3687366B2 (ja) | 光学基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
US6618201B2 (en) | Micro lens array, method of fabricating the same, and display device | |
US6426166B2 (en) | Color filter and method of making the same | |
JP3824042B2 (ja) | 光学基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
JP2001277260A (ja) | マイクロレンズアレイ、その製造方法及びその製造用原盤並びに表示装置 | |
US6730459B2 (en) | Microlens array, method for fabricating the same and optical devices | |
JP3965541B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
JP4069337B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
JP3968548B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
JP2001096636A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに光学装置 | |
JP2000131504A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 | |
KR100531975B1 (ko) | 마이크로 렌즈 어레이 기판 및 표시 장치 | |
JP3684804B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
JP4196139B2 (ja) | 光学基板の製造方法 | |
JPH11271775A (ja) | カラーフィルタ及びその製造方法 | |
JP3692785B2 (ja) | 光学基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
JPH11295710A (ja) | カラー表示装置、カラー表示装置用基板及びその製造方法 | |
JP2001042104A (ja) | マイクロレンズアレイ、その製造方法及びその製造用原盤並びに表示装置 | |
JPH11295519A (ja) | カラーフィルタ及びその製造方法 | |
JPH11271523A (ja) | カラーフィルタ及びその製造方法 | |
JP2001215305A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |