TW416008B - Micro lens array base board and production method and display device therefor - Google Patents

Micro lens array base board and production method and display device therefor Download PDF

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TW416008B
TW416008B TW088107547A TW88107547A TW416008B TW 416008 B TW416008 B TW 416008B TW 088107547 A TW088107547 A TW 088107547A TW 88107547 A TW88107547 A TW 88107547A TW 416008 B TW416008 B TW 416008B
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Takao Nishikawa
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    • G02B3/0012Arrays characterised by the manufacturing method
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Description

416008 A7 B7 經濟部智慧財產局8工消费合作社印製 五、發明說明(1 ) 技術領域 .本發明係有關於一種微透鏡陣列基板及其製造方法以 及顯示裝置。 背景技術 目前爲止,複數個微小透鏡是並列構成的微透鏡陣列 ,例如適用於液晶面板。適用微透鏡陣列,利用各透鏡| 將射入各圖素的光做聚光,因此能讓顯示畫面明亮。 而製造微透鏡陣列的方法,就所知乃適用乾式蝕刻法 或濕刻法之方法。但利用該些方法,在製造每個微透鏡陣 列時,必需有光蝕刻工程,以致成本增高。 於是,開發出一種如揭示於日本特開平第 3 _ 1 9 8 0 0 3號公報•在形成對應透鏡的曲面之原盤 滴下樹脂,使該樹脂固化並予以剝離,而加以製造微透鏡 陣列之方法。 微透鏡陣列是讓顯示畫面變明亮之設計,但無法提升 圖素間的反差。因而,必需有在顯示鮮明的畫面加上微透 鏡陣列,來提升反差的手段。習知的微透蜓陣列製造方法 ,並未顧慮到提升反差的情形。 本發明爲解決此種問題之發明*其目的在於提供一能 增加使畫面明亮,也能提升反差之微透鏡陣列基板及其製 造方法以及顯示裝置。 本紙張尺度適用中困國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------M.---------------& (請先Μίι背面之注項#%.寫本頁) -4- A7 416008 B7_ 五、發明說明<2 ) 發明之揭示 (1 )有關本發明之微透鏡陣列基板之製造方法係包 ί請先《讀背面之注f項寫本頁> 括: 在具有複數個曲面部之第1原盤、和具有複數個凸部 之第2原盤之間,密貼基板前驅體,以形成具有形成在前 述曲面部之複數個透鏡、和形成在前述凸部之複數個凹部 的基板之工程、和 自前述基板剝離前述第1及第2原盤之工程、和 至少在剝離前述第2原盤之後,在前述凹部塡充遮光 性材料之工程。 根據本發明,將基板前驅體密貼在第1及第2原盤之 間,予以轉印第1原盤的曲面部,而形成透鏡。如此就能 簡單地製造形成複數個透鏡的微透鏡陣列。利用各透鏡會 聚射入光而讓畫面變明亮s而第1及第2原盤,一旦製造 之後,只要耐久性許可1無論使用幾次都可以的緣故,因 此可省略第2片以後的微透鏡陣列基板的製造工程,可減 少工程次數以及達成低成本化。 經濟却智慧財產局貝工消费合作社印製 甚至,在此微透鏡陣列基板,利用第2原盤的凸部, 加以轉印形成凹部,在此凹部塡充遮光性材料。此遮光性 材料係構成黑矩陣_*且可提升畫面間的反差。 因此,只要根據本發明,即可將增加畫面明亮,也能 提升反差的微透鏡陣列基板,利用轉印法而簡單地加以製 造》 (2)就此製造方法方面: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 416008 Α7 Β7 五、發明說明(3 ) 使前述凸部相對於避開前述曲面部中心的區域,在前 述第1及第2原盤之間密貼前述基板前驅體。 <請先《讀背面之#J意事項# 本莨) 如此一來,形成在微透鏡陣列基板的凹部,因是形成 在避開透鏡中心的區域,因此能避開透鏡中心來形成微透 鏡陣列。 (3 )此製造方法亦包括: 塡充在前述凹部的前述遮光性材料以及前述透鏡之中 的至少一方的上面,載置著保護膜前驅體,並將前述保護 膜前驅體加以固化而形成保護層之工程。 (4 )前述保護膜前驅體亦可爲能藉由能量的賦予, 使之硬化的物質。 (5)前述能量是光及熱之至少任一種。 (6 )前述保護膜前驅體是爲紫外線硬化型樹脂。 (7)就此製造方法方面: 在前述保護膜前驅體上載置補強板之後,可將前述保 護膜前驅體加以固化。 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 (8 )前述基板前驅體亦可爲能藉由能量的賦予,使 之硬化的物質。 利用此種物質,就能很容易地將基板前驅體塡充到第 1及第2原盤上的微細部,因而,可製造精密轉印第1及 第2原盤上的曲面部及凸部形狀的微透鏡陣列基板。 (9 )前述能量是光及熱的至少任一種。 如此一來,可廣泛的應用曝光裝置和烘爐、熱板,就 能低設備化、省空間化。 本紙張欠度適用中國困家標準(CNS)A4規格<210 X 297公« ) -6 - 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 416008 A7 ____B7__ 五、發明說明U ) (1 0 )前述基板前驅體是爲紫外線硬化型樹脂。 .、作爲紫外線硬化型樹脂,由於丙烯基系樹脂爲透明性 優,可利用各種市售的樹脂和感光劑*因此很適合。 (1 1 )就此製造方法方面: 乃利用噴墨方式將述遮光性材料塡充至前述凹部》 根據噴墨方式*就能高速化的塡充遮光性材料,且無 不合理的情形》 (1 2 )就此製造方法方面: 前述凹部是製做成開口部的面積較底面大,至少內側 面的一部份形成錐度。 如此將凹部形成錐狀,就可確實地將遮光性材料導入 凹部的緣故,所製造的微透鏡陣列基板,特別適用在高解 像度的液晶面板》 (1 3 )就此製造方法方面: 前述錐度亦可只形成在內側面的開口端部。 只要是形成此種凹部,就能縮小遮光性材料厚度差的 緣故,遮光性能就可均勻化,因此所製造的微透鏡陣列可 提供鮮明的畫面。 (1 4 )有關本發明之微透鏡陣列基板,係在其一邊 的面形成複數個透鏡的同時,在另一邊的面,對應避開前 述透鏡的至少中心的位置,以形成複數個凹部,並在前述 凹部形成遮光層。 根據本發明,利用各透鏡將射入光加以會聚,增加畫 面的明亮度,形成在凹部的遮光層就成爲微透鏡陣列’而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSXA4規格(210 X 297公釐) . — — — — —---^ - I---— It — — — — — (請先Μ讀背面之注意事項异4S'本霣) 416008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明(5 ) 能提升畫面間的反差。 (1 5 )就此微透鏡陣列基板方面: 在前述透鏡及前述遮光層的至少一方之上具有保護膜 〇 (1 6 )就此微透鏡陣列基板方面: 在前述保護膜上具有補強板。 (1 7 )就此微透鏡陣列基板方面: 前述凹部是製做成開口部的面積較底面大,至少內側 面的一部份形成錐度。 因微透鏡陣列基板,其凹部的開口部面積比底面大, 所以能磁實地將遮光性材料導入凹部•因此特別適用在高 解像度的液晶面板。 -(1 8 )就此微透鏡陣列基板方面: 前述錐度只形成在內側面的開口端部。 如此一來,因形成凹部,遮光性材料厚度差縮小的緣 故,遮光性材料被均勻化,因此能提供鮮明的畫面。 (1 9 )有關本發明之微透鏡陣列基板,係利用上述 方法製造的。 (2 0 )有關本發明之顯示裝置係具有:上述微透鏡 陣列基板、和向著前述微透鏡陣列基板照射光之光源; 前述微透鏡陣列基板,是將形成前述透鏡的面,以向 著前述光源的方式做配置。 (2 1 )構’成前述微透鏡陣列基板的材料之光折射率 n a、和前述透鏡外側中的光折射率n b,其關係爲n a 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公« ) -8 - — — — — — — — — — — — — — — 111---- ^ ------- (請先Μ讀背面之注意事項户i本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 416008 * A7 '_B7______ 五、發明說明(6 ) >nb,前述透鏡是凸透鏡》 ' 自折射率小的媒質,對折射率大的媒質射入光的話1 光是成接近媒質的界面法線做折射。因而,構成微透鏡陣 列基板的材料的折射率n a和透鏡外側中的光折射率n b ,在n a >n b關侈的情況下,因透鏡爲凸透鏡,因此能 會聚射入的光。 (2 2 )構成前述微透鏡陣列基板的材料之光折射率 n a.、和前述透鏡外側中的光折射率n b,其關係爲n a <nb,前述透鏡是凹透鏡》 自折射率小的媒質,對折射率大的媒質射入光的話, 光是成遠離媒質的界面法線做折射。因而,構成微透鏡陣 列基板的材料的折射率n a和透鏡外側中的光折射率n b ,.在n a < n b關係的情況下,因透鏡爲凸透鏡,因此能 會聚射入的光。 用以實施本發明之最佳形態 以下,就本發明之最佳實施形態方面,參照圖面做一* 番說明* (第1實施形態) 第1 A圖至第4 B圖係表示有關第1實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 '首先,如第1A圖所示,準備第1原盤10及第2原 盤20。在第1原盤10形成複數個曲面部12 ’各曲面 — I— · I — I — I — l· · — — — — — — — — (請先閱讀背面之泫*事項甬4寫本頁> 本紙張尺度適用中a a家標準(CNS)A4規格(210 X 297公« ) -9 * 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 416008 A7 __B7_ 五、發明說明(7 ) ·. 部12,爲了成爲凸透鏡的反轉圖案,做成凹狀。一方面 ,在第2原盤2 0形成複數個凸部2 2。複數個凸部2 2 ,在圖未表示的平面視野方面,是做成點矩陣的形狀。 第1及第2原盤1 0 ' 20,乃配置成使得各自的曲 面部1 2及凸部2 2相對,且各凸部2 2避開曲面部1 2 的中心而相對。 並在原盤1 0與原盤2 0之間,密貼基板前驅體3 0 (第1透光層前驅體)。基板前驅體3 0,係成爲第1C 圖所示的微透鏡陣列基板3 2的材料。再者,第1 A圖係 原盤1 0位於下方,但原盤2 0位於下方亦可。 其板前驅體3 0只要是在成爲微透鏡陣列基板之際, 具有必要的透光性即可,並未做特別的限定,能利用各種 物質,但因賦與能量,以可硬化的物質爲佳》此種物質可 在形成微透鏡陣列基板3 2時,以低粘性液狀做處理,即 使在常溫、常壓或其附近,都能夠很容易地塡充到第1及 第2原盤1 0、2 0的微細部。 能量以光及熱的至少任一種爲佳。如此一來,可利用 廣泛應用的曝光裝置和烘爐、熱板,達成低設備成本、省 空間化》 此種物質,例如爲紫外線硬化型樹脂。紫外線硬化樹 脂,以丙烯基系樹脂最適合。利用各種市售的樹脂和感光 劑,能得到透明性優,還能在短時間處理之可硬化的紫外 線硬化型之丙烯基系樹脂。 紫外線硬化型的丙烯基系樹脂的基本組成之具體例子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) -------------裝---------訂----------線 <請先«讀背面之注$項#4¾本頁} -10- 416008 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 A7 __B7__ 五、發明說明(8 ) *舉例則有預聚體或寡聚物、單體、光聚合開始劑。 作爲預聚體或寡聚物,例如可利用環氧丙烯酸酯類、 尿烷丙烯酸酯類、聚酯丙烯酸酯類、聚醚丙烯酸酯類、螺 聚甲醛系丙烯酸酯類等之環氧甲基丙烯酸酯類、尿烷甲基 丙烯酸酯類、聚酯甲基丙烯酸酯類、聚醚甲基丙烯酸酯類 等之甲基丙烯酸酯類等。 作爲單體,例如可利用2 -乙基己烷基丙烯酸酯、2 -乙基己烷基甲基丙烯酸酯、2 -羥乙基丙烯酸酯、2-羥乙基甲基丙烯酸酯、N —乙烯基_2 —毗咯烷酮、卡必 醇丙烯酸酯、四氫呋喃甲基丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯 、雙環戊烯甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇丙烯酸酯等之 官能性單體、1,6己二醇丙烯酸酯、1,6己二醇甲基 丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇甲基丙烯酸酯 、乙二醇丙二烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、季戊四醇丙烯 酸酯等之官能性單體、三甲醇烷三丙烯酸酯、三甲醇丙烯 甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯 酸酯等之多官能性單體。 作爲光聚合開始劑,例如可利用2,2 —二甲氧基一 2 —苯基苯乙酮等之苯乙酮類、α —羥基異丁基苯乙酮、 Ρ -對異丁基一 α —羥基異丁基苯乙酮等之丁基苯乙酮類 ' p — t e r t -對第三丁基二氯二苯乙酮,ρ — t e Γ t對第三丁基三氯苯乙酮、α,α —二氯—4 一苯 氧基丙酮等之鹵化苯乙酮類、二苯甲酮、Ν,Ν四乙基一 4,4_二氨基苯酮等之二苯甲酮類、苄基、苄基二甲縮 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - — — — — — — ( — — — — — » · I I 11 I I L *Γ— — — — — — — (請先閲婧背面之注意事項再故#本頁> 416008 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明(9 ) 酮等之苄基類,苯偶因、苯偶因烷基醚等之苯偶因類、1 —苯基—1 ’ 2丙二酮一 2_ (〇 —乙氧基羥基)肪等之 肪類、2 —甲氧化蒽酚、2_氯氧化蒽酚等之氧雜蒽酮酸 類、米希勒酮等之游離基發生化合物。 再者,對應需求,以防止因氧的硬化阻礙爲目的,則 可添加胺類等化合物,或以容易塗佈爲目的,則可添加溶 劑成份。 溶劑成份並未特別的限定,可利用各種有機溶劑,例 如由丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一丙醚、甲氧基甲荃丙 酸酯、乙氧基乙基丙基、乙基溶纖劑、乙基溶纖素乙酸酯 、乙基丙醇酸酯、乙基丙围酸酯、甲基戊基甲酮環己酮、 二甲苯、甲苯、丁基乙酸酯等所選擇的一種或數種。 將以此種紫外線硬化型的丙烯基系樹脂等製成的基板 前驅體3 0,如第1 A圖所示,以預定量滴在原盤1 0。 並如第1 B圖所示,將基板前驅體3 0擴大到預定區 域,接著,如第2C圖所示,從原盤10、20的至少一 任一方,將紫外線做預定量照射,以使基板前驅體3 0硬 化,並在原盤10、20之間,形成微透鏡陣列基板32 (第1透光層)。在微透鏡陣列基板32之一方的面,形 成從複數個曲面部1 2被轉印的複數個透鏡3 4 *在另一 方的面,形成從複數個曲面部1 2被轉印的複數個凹部 3 6· β複數個凹部3 6,於圖未表示的平面視野方面,做 成微透鏡陣列的形狀。而凹部3 6則形成對應到避開透鏡 3 4的中心之區域。 本紙張尺度適用t a囲家標準(CNS)A4規格<2】0 X 297公釐) -------------裝--------^訂-------線 (锖先閲讀背面之注意事項甬象*本mo 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 416008 A7 __B7 五、發明說明(10 ) 對於將基板前驅體3 0擴大到預定區域,對應需求也 可將預定的壓力,增加到原盤10、20的至少一方。此 例,是將基板前驅體3 0滴在原盤1 0 |但滴在原盤2 0 ,或滴在原盤10、20兩方均可。而用旋塗法、浸塗法 、噴塗法、滾塗法、棒塗法等之方法,在原盤10、20 的任一或兩方,塗佈基板前驅體3 0亦可。 然後,如第2Α圖所示,將原盤2 0,自微透鏡陣列 基板32剝離,打開自凸部22轉印的凹部36。 其次*如第2 Β圖所示,在微透鏡陣列基板3 2的凹 部36,塡充遮光性材料42,以形成遮光層38。此遮 光層3 8則成爲微透鏡陣列。 遮光性材料4 2只要是一種無透光性的材料,有耐久 性,就能適用各種材料。例如,將黑色染料或黑色顏料, 與黏合樹脂一同溶於溶劑中,做成遮光性材料4 2而用之 劑並未特別限定種類,可適用水或各種有機溶劑。有 機溶劑例如可利用丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一丙醚、 甲氧基甲荃丙酸酯、乙氧基乙基丙基、乙基溶纖劑、乙基 溶纖素乙酸酯、乙基丙醇酸酯、乙基丙酮酸酯、甲基戊基 甲酮環己酮、二甲苯 '甲苯、丁基乙酸酯等之中的一種或 數種之混合溶液。 對凹部3 6塡充遮光性材料4 2的方法,並未做特別 的限定,但噴墨方式是最適合的。只要按照噴墨方式,應 用實用在噴墨列印用途的技術,就能高速且合理經濟地塡 充顏料。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) -13- — — — — — — —— — — — — — — — — — — — II 11 — — — — — — I (請先W讀背面之注$項Ivi本頁> 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 416008 A7 _B7___ 五、發明說明(11 ) 於第2 B圖係表示利用噴墨頭44,將遮光性材料 4 2塡充至凹部3 6的狀態。詳細情形是相對於凹部3 6 來配置噴墨頭4 4,且將各遮光性材料4 2吐出至各凹部 3 6» 噴墨頭4 4乃例如被實用在噴墨列印用途,而能利用 壓電元件的體積變化,對顔料施加壓力,而使之吐出的電 壓噴射型,或是可使用電氣熱變換體作爲能量產生元件, 使顔料的體積膨脹或氣化,並利用其壓力吐出顔料之形式 等,任意地設定射出面積及射出圖案。 本實施形態係從噴墨頭4 4吐出遮光性材料4 2。因 此,爲了能自噴墨頭4 4吐出遮光性材料4 2,故必須確 保流動性。 當塡充遮光性材料4 2時,造成以均勻的量塡充到形 成在微透鏡陣列基板3 2的凹部3 6,藉以進行作動噴墨 頭4 4等的控制,來控制注入位置。若遮光性材料4 2均 勻地塡滿到凹部3 6的每個角落,就結束塡充。在含有溶 劑成份的情況下,可利用熱處理,自遮光性材料4 2除去 溶劑成份。再者,遮光性材料4 2,由於除去與收縮溶劑 成份,因此必須塡充收縮爲可確保必要的遮光性之厚度後 所剩的量。 其次,如第3 A圖所示,在微透鏡基板3 2上滴下保 護膜前驅體46 (接著層前驅體)。保護膜前驅體46 ’ 是由作爲上述的基板前驅體3 0所能使用的材料中選出的 。然後,將該補強扳4 8密貼在保護膜前驅體4 6 ’將此 -------------裝---- n I 1 I 訂---------線 (請先《請背面之注意事項沪4¾本頁) 本紙張尺度適用争國固家標準(CNS>A4規格<210 * 297公釐) -14- 416008 經濟部暫慧財產局貝工消费合作杜印製 A7 B7_ 五、發明說明(12 ) 保護膜前驅體4 6加以推開擴散。再者,保護k前驅體 4 6,利用旋塗法、滾塗法等方法,塗佈擴散在微透鏡陣 列基板3 2上•或是補強板4 8上之後,藉以密貼補強板 4 8亦可。 補強板4 8 —雜可用玻璃基板,但只要是能滿足透光 性和機械強度等特性,就未被特別的限定。例如,補強板 4 8可以用聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚磺基、夢幻新合 金聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸酯等之 塑膠製的基板或是薄膜基板。 然後|利用製做對應保護膜前驅體4 6的組成的硬化 處理,將此硬化,如第3 Β圖所示,形成保護膜5 0 (接 著層)。在採用紫外線硬化型的丙烯基系樹脂的情況下, 藉由根據預定的條件加以照射紫外線,以使保護膜前驅體 4 6硬化- 接著,如第3 C圖所示,將原盤1 0自微透鏡陣列基 板3 2剝離。在微透鏡陣列基板3 2 ’利用原盤1 0的曲 面部12,形成透鏡34。透鏡34爲凸透鏡》 甚至,如第4 Α圖所示,在具有微透鏡陣列基板3 2 的透鏡3 4之面、和補強板4 8之間’密貼保護膜前驅體 5 2。其工程與第3 A圖所示的工程相同’保護膜前驅體 52(第2透光層前驅體),是由作爲保護膜前驅體46 所能選擇的物質中選出的β 如此一來,如第4 Β圖所示’可得到在兩面具備有保 護膜5 0,5 6以及補強板5 4之微透鏡陣列基板3 2。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格<210 X 297公釐) •15- — — — — — —— — — — — — — ' — — — — 111· «Γ— — — — — — — (請先閲讀背面之注意事項#¾寫本頁》 416008 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(13 ) 藉此,就能會聚從透鏡3 4側所射入的光。 再者,保護膜5 0 ' 5 6只要是能滿足作爲微透鏡陣 列基板所要求的機械強度和氣體阻障性、耐藥品性等特性 ,就不需要對應的補強板48、54。甚至,微透鏡陣列 基板3 2本身具有足夠的強度,只要不損害遮光層3 8, 也能省略保護膜5 0、5 6。 在形成保護膜5 0的情況下,微透鏡陣列基板3 2的 光折射率n a、和構成位於透鏡3 4外側的保護膜5 6的 保護膜前驅體52的光折射率nb,必須爲na>nb的 關係。滿足此條件,就可從折射率小的媒質,讓光射入折 射_大的媒質•光5 8則是接近兩媒質的界面法線做折射 而加以聚光。然後,讓畫面明亮》 只要按照本實施形態,就能令基板前驅體3 0密貼在 第1及第2原盤10、20之間,藉以轉印第1原盤10 的曲面部1 2,而形成透鏡3 4。如此一來,就能簡單地 製造具有複數個透鏡3 4的微透鏡陣列基板3 2。只要按 照此製造方法,就能提高材料的使用效率,且達到縮短工 程次數,以及達成低成本。而第1及第2原.盤1 0、2 0 ,一旦製造之後,只要耐久性許可,無論使用幾次都可以 的緣故,因此可省略第2片以後的微透鏡陣列基板的製造 工程,可減少工程次數以及達成低成本化。 甚至,在此微透鏡陣列基板,利用第2原盤2 0的凸 部2 2,加以轉印形成凹部3 6,在此凹部3 6塡充遮光 性材料4 2。以此遮光性材料4 2所製成的遮光層3 8係 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 * 297公釐) -------------裝--------^訂---------線 ί請先Μ讀背面之注意事項甬$本頁> -16- 416008 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 B7 五、發明說明(14 ) 構成黑矩陣,可提升畫面間的反差。 因此,只要根據本發明,即可將增加畫面明亮,也能 提升反差的微透鏡陣列基板,利用轉印法而簡單地加以製 造。' (第2實施形態) 第5 A圖至第6 C圖係表示有關第2實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 首先,如第5Α圖所示,在第1原盤11〇及第2原 盤2 0之間,密貼基板前驅體1 3 0。在第1原盤1 1 0 形成複數個曲面部1 1 2。曲面部1 1 2爲了成爲凹透鏡 的反轉圖案,做成凸狀。本實施形態就曲面部1 1 2的形 狀而言,與第1實施形態相異。一方面,第2原盤2 0係 使用第1實施形態的,基板前驅體3 0也是由第1實施形 態所能使用的物質選出來的=然後,經過與第1 C圖同樣 的工程,而形成微透鏡陣列基板1 3 2。在微透鏡陣列基 板132,從凸部22轉印成凹部136,從曲面部 1 12轉印成透鏡134 »透鏡134爲凹透鏡》 其次,如第5 Β圖所示,將第2原盤2 0自微透鏡陣 列基板1 3 2剝離’,如第5 C圖所示,在凹部3 6塡充遮 光性材料,形成遮光層1 3 8。該些工程’與第2Α圖及 第2 Β圖所示的工程相同。 接著,如第6 Α圖所示,在具有微透鏡陣列基板 1 3 2中的遮光層1 3 8之面、和補強板1 48之間’形 I ---— — — — — — — ϋ!ιιι^·!Ι —--111 ^ (請先《讀背面之注意事項^ 4¾本頁) » 本紙張尺度適用中S國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 416008 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 成以保護前驅 接著層),如 陣列基板1 3 透鏡1 3 4上 15 4。 根據以上 備有保護膜1 微透鏡陣列基 入的光· 再者,以 率n a '、和 保護膜前驅體 的關係。滿足 折射率大的媒 折射而加以聚 就連本實 能達成與第1 五、發明說明(15 ) 體(接著層前驅體)製成之保護膜1 5 0 ( 第6B圖所示,將第1原盤11〇自微透鏡 2剝離。然後,與第4A圖的工程相同,在 形成保護膜156(第2透光層)及補強板 的工程,如第6 C圖所示,可得到在兩面具 50、156以及補強板148、154之 板1 32。藉此,就能會聚從透鏡1 34射 此爲前提,微透鏡陣列基板1 3 2的光折射 構成位於透鏡1 3 4外側的保護膜1 5 6的 的光折射率nb —,必須爲na e<nb — 此條件,就可從折射率小的媒賀,讓光射入 質,光1 5 8則是遠離雨媒質的界面法線做 光。然後,讓畫面明亮β 施形態,也僅'是凸透鏡與凹透鏡不同,還是 實施形態同樣的效果。 (第3實施形態) 第7圖至第9 Β圖係表示有關第3實施形態的微透鏡 陣列基板及其製造方法圖。本實施形態•係製造第7圖所 示的微透鏡陣列基板2 0 0。微透鏡陣列基板2 0 0 ’就 凹部2 0 2的形狀而言,是與第2 Β圖所示的微透鏡陣列 基板32相異。亦即,凹部202,係形成內側面傾斜的 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 Ά · I裝 頁 訂 本纸張尺度適用中國國家楳準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) -18- 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 416008 A7 _B7__ 五、發明說明(16 ) 錐形形狀。藉由此凹部2 0 2 ·就能讓開口部比底面大, 因此即使圖素密度提高,還是能確實地塡充遮光性材料 42 (參照第2B圖)。於形成此形狀的凹部202,使 用具有斷面做成梯形的凸部之原盤。 . 第8 A圖至第9 B圖係表示形成作爲形成凹部2 0 2 的原盤之工程圖。 首先,如第8A圖所示,在基材2 1 2上形成抗蝕層 2 1 4。基材2 1 2係爲了蝕刻表面而做的原盤,只要是 能蝕刻的材料就不做特別的限定,但矽或石英是很容易因 蝕刻形成高精度的凸部,故最爲適合《 形成抗蝕層2 1 4的物質,例如依然可利用一般用於 半導體裝置製造的甲酚酚醛淸漆系樹脂,配合作爲感光劑 的重氮跨荼醌衍生體之市售陽型抗蝕劑。此例,陽型抗触 劑,是一種可藉由對應預定的圖案,做放射線曝光,且因 放射線所曝光的區域,可利用顯影液做選擇性去除之物質 9 形成抗蝕層2 1 4的方法,可採用旋塗法、浸塗法、 滾塗法、棒塗法等方法。 其次,如第8Β圖所示,將光罩216配置在抗蝕層 2 1 4的上面,透過光罩2 1 4,只將抗蝕層2 1 4的預 定區域,利用放射線218加以曝光。光罩216,乃針 對必須形成凸部2 2 2 (參照第9 Β圖)的區域,不讓放 射線2 1 6透過去,藉以形成圖案者。光罩2 1 6中的放 射線遮蔽部,乃做成對應微透鏡陣列之形狀的框狀。微透 本紙張尺度適用中國0家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) • 19 - ------------•裝------I -------線 <請先閲讀背面之迮意事項异4¾本頁) 416008 A7 B7 經濟部智.«財產局員工消费合作社印製 五、發明說明(17 ) 鏡陣列之形狀是爲對應鑲嵌配列、三角配列或條紋配列等 之圖素配列者》 放射線乃利用波長2 0 0 nm至5 0 0 nm區域之光 爲佳。利用此波長區域的光,是能利用以液晶面板的製造 程序所確立的光蝕刻技術以及能利用此技術之設備,達成 低成本化。 然後,將抗蝕層2 1 4利用放射線2 1 8加以曝光之 後' 根據預定的條件進行顯影處理的話,就放射線2 1 8 的曝光區域2 1 7而言,可選擇性地除去抗蝕層2 1 4, 如第8 C圖所示*露出基材2 1 2的表面,除此之外的區 域,利用抗蝕層2 1 4加以覆蓋維持原狀態。 接著,將圖案化的抗蝕層2 1 4,予以加熱軟化,利 用其表面張力,如第8 D圖所示,使側面傾斜。 其次,如第8 D圖所示,以此抗蝕層2 1 4做爲光罩 利用蝕刻劑2 2 0,將基材2 1 2,進行預定深度的蝕 刻。詳細的情形,是進行各向異性蝕刻,例如反應性離子 蝕刻(R I E )等乾式蝕刻。 此例,抗蝕層2 1 4的側面爲傾斜,因此能利用蝕刻 逐漸縮小此形狀的抗蝕層2 1 4,慢慢地露出基材2 1 2 =並連續慢慢地蝕刻所露出的區域。如此一來,基材 2 1 2就會連續慢慢地被蝕刻,並在蝕刻後的基材2 1 2 的表面,如第9A圖所示,形成梯形的凸部2 2 2 « 然後,只需荽除去凸部2 2 2上的抗鈾層2 1 4,就 能得到原盤2 2 4。 I---I----------------— (猜先Hit·背面之>!-意事項乒故寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) -20- 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 416008 A7 _B7___ 五、發明說明(18 ) 按照本實施形態,將原盤2 2 4的凸部2 '2 2之斷面 做成梯形。就能將此原盤224,取代使用做第1圖所示 的原盤,做成開口部大於底部,藉以形成使側面傾斜之凹 部2 0 2。只要藉由此凹部2 0 2,就能很容易確實地導 入遮光性材料4 2。因而,很容易控制噴墨頭,藉以達成 在製造上良品率佳之效果。 此原盤224,在本實施形態,一旦製造之後,只要 耐久性許可,無論使用幾次都可以的緣故,因此很經濟。 而原盤2 2 4的製造工程,可省略第2片以後的微透鏡陣 列的製造工程•也可減少工程次數及達到低成本化。 .上述實施的形態,在基材2 1 2上形成凹部之際,使 用陽型抗蝕劑,但也可採用’被放射線曝光的區域,對顯 影液不會溶化,且未被放射線曝光的區域’能利用顯影液 做選擇性除去的陽型之抗蝕劑亦可,此情形下’上述光罩 2 1 6可使用反轉圖案的光罩。或是不用光罩’直接利用 雷射光或電子線,將抗蝕劑曝光成錐狀亦可β 而根據調整顯影處理條件|如第8 D圖所示’在能使 得被圖案化的抗蝕層2 1 4的側面傾斜的情形下’可以省 略加熱抗蝕層214的工程。 或是•在第1 0圖表示光罩的變形例β同圖所示的光 罩240,係爲具有放射線238的透過部242、和遮 蔽部2 4 4、和半透過部2 4 6之中間調光罩。半透過部 2 4 6是隨著緩緩離開遮蔽部2 4 4,藉以形成放射線 2 3 8的透過率。同圖是變化形成半透過部2 4 6的遮蔽 ! — ! -裝 ί — ί — -* 訂- I — !— · I ·線 (請先Μ讀背面之注意事項"4爲本頁> 本紙張尺度適用中a國家楳準(CNSXA4規格(210 X 297公« ) -21 · 416008 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(19 ) 材之厚度,來變化透過率,但也可利用濃淡來變化透過率 。使用此光罩2 4 0的話,放射線2 3 8即會衰減也會通 過半透過部2 4 6,加以曝光抗蝕層2 3 4。詳細的情形 ,是從透過部2 4 2向著遮蔽部2 4 4,提高衰減率,讓 放射線238透過半透過部246.其結果,隨著接近遮 蔽層2 44,而因放射線2 3 8的曝光就漸淺,如第1 0 圖所示•剩下側面傾斜的抗蝕層2 3 4的區域則爲曝光區 域2 3 7。即使如此,還是能進行側面傾斜的抗蝕層之圖 案化。 (第4實施形態) 第11圖至第14C圖係表示有關第4實施形態的微 透鏡陣列基板之製造方法圖。本實施形態係爲製造第1 1 圖所示的微透鏡陣列基板3 0 0。微透鏡陣列基板3 0 0 ,就凹部3 0 2的形狀來看,是與第2 Β.圖所示的微透鏡 陣列基板3 2相異。亦即*凹部3 0 2,僅內側面之中的 開口端部形成錐形形狀。此此一來只要開口端部做成錐形 形狀的凹部3 0 2,開口部就會比底面寬,.因此即使圖素 密度提高,還是能確實地塡充遮光性材料4 2 (參照第 2 Β圖)。對於形成此形狀的凹部2 0 2,就直立的基端 部而言|是使用具有與梯形同樣傾斜的側面之凸部的原盤 〇 第1 2Α圖至第1 4C圖係表示形成爲了形成凹部 3 0 2的原盤之工程圖· 本紙張尺度適用中圉國家標準<CNS)A4蜆格(210 * 297公釐) -22- ———---------I ·1111[11 1·1111111 <諳先W讀背面之注意事項异各寫本頁> 短濟部智慧財產局貝工消费合作社印製
41600S A7 ___B7__ 五、發明說明(2〇 ) 首先’如第1 2A圖所示,在基材3 1 2上形成光罩 層3 1 4。基材3 1 2只要是能蝕刻的材料就不做特別的 限定,但矽或石英是很容易因蝕刻形成高精度的凸部,故 最_爲適合。 光罩層314係以強固地一體形成在基材312不易 剝離者爲佳。例如在以矽形成基材3 1 2的情形下,以其 表面被熱氧化所形成的矽氧化膜(S i 〇2)做爲光罩層 341=藉此,光罩層314就可與基材312強固地形 成一體=或是,基材312爲金屬、石英、玻璃或矽的情 形下,也可以在其表面形成以A1、Ni、Cr、W、
Pt、Au、Ir、Ti之任一種所做的膜,且以此做爲 光罩層3 1 4 β 其次,如第12Β圖所示,於形成在基材312上的 光罩層3 1 4上,形成抗蝕層3 1 6。抗蝕層3 1 6的材 料及其形成方法,可選擇上述第3實施形態所適用者。 接著,如第1 2 C圖所示,將光罩3 1 8配置在抗蝕 層3 1 6上,透過光罩3 1 8,只僅抗蝕層3 1 6的預定 區域,利用放射線320加以曝光。光罩318,就形成 最後所製造的原盤332的凸部334 (參照第14C圖 )所需要的區域而言,讓放射線3 2 0透過去,藉以形成 圖案者。光罩318中的放射線透過部,乃做成對應微透 鏡陣列之形狀的框狀。微透鏡陣列之形狀是爲對應鑲嵌配 列.、三角配列或條紋配列等之圖素配列者。放射線乃利用 波長2 0 0 nm至5 0 0 nm區域之光爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公釐)~. 2〇 _ --------------裝 ^1 ^1 ^1 ^1 ^1 *1 ^1- ^1 ϋ —i tt I 線 (請先閲讀背面之注意事項乒¾寫本頁w 416008 A7 B7 五、發明說明(21 ) (請先《讀背面之注意事項#填寫本頁) 然後,將抗蝕層3 1 6利用放射線3 2 0加以曝光之 後,根據預定的條件進行顯影處理的話’就放射線3 2 0 的曝光區域3 1 7而言,可選擇性地除去抗蝕層3 1 6 ’ 如第1 2 D圖所示,露出光罩層3 1 4的表面’除此之外 的區域,利用抗蝕層3 1 6加以覆蓋維持原狀態。 接著,將圖案化的抗蝕層3 1 6,予以加熱軟化,利 用其表面張力,如第1 2 E圖所示,使側面傾斜。 '其次,如第12E圖所示,以側面傾斜的抗蝕層 3 1 6做爲光罩,利用蝕刻劑3 2 2 |加以蝕刻光罩層 3 1 4 >詳細的情形,是進行各向異性蝕刻,例如反應性 離子蝕刻(R I E)等乾式蝕刻。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 此例,抗蝕層3 1 6的側面爲傾斜,因此能利用蝕刻 逐漸縮小此形狀的抗蝕層3 1 6,慢慢地露出基材3 1 2 。並連續慢慢地蝕刻所露出的區域。如此一來,基材 3 1 2就會連續慢慢地被蝕刻,光罩層3 1 4如第1 3A 圖所示,形成梯形。自光罩層3 1 4露出基材3 1 2—部 分的表面。詳細情形是圍住光罩層3 1 4的周圍,以露出 基材3 1 2 —部分的表面。此露出部乃做成對應微透鏡陣 列之形狀的框狀》微透鏡陣列之形狀是爲對應鑲嵌配列、 三角配列或條紋配列等之圖素配列者。而在露出基材 3 1 2 —部分表面的時點,予以停止蝕刻爲佳。 .然後,只需要除去光罩層3 1 4上的抗蝕層3 1 6, 如第1 3 B圖所示,利用蝕刻劑3 2 4,來蝕刻自基材 312中的光罩層314露出的部分。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 * 297公釐> -24- 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 A7 ___B7__ 五、發明說明(22 ) 、此例,就垂直於基材32的表面,進行蝕刻的高向異 性蝕刻中,進行蝕刻基材3 1 2 *但難以蝕刻光罩層 3 1 4的高選擇性蝕刻。 如此一來,一旦被蝕刻,就如第1 3圖所示,在基材 3 1 2形成原盤形成用凹部3 2 6。原盤形成用凹部 3 2 6,是做成對應微透鏡陣列之形狀的框狀。微透鏡陣 列之形狀,是爲對應鑲嵌配列、三角配列或條紋配列等之 圖素配列者。 而於被圍在原盤形成用凹部3 2 6的凸部3 2 5上, 殘留梯形的光罩層314 »此例,凸部325的側面爲垂 直向上,光罩層3 1 4的側面爲傾斜而做成錐狀。由此可 知,原盤形成用凹部3 1 4的側面,是由底面垂直向上, 於開口端部方面,是成爲緩緩地擴大到直徑變大的方向而 予傾斜之錐面》 接著,如第14A圖所示,於形成在基材312中的 原盤形成用凹部3 2 6之面上,形成金屬膜3 2 8,並將 其表面加以導電(體)化。金屬膜328,例如以5〇〇 至1 0 0 0國際埃(1 0_1°m)之厚度形成鎳(N i ) 即可。金屬膜328的形成方法,可採用濺塗、CVD、 蒸鍍、無電電鍍法等之方法。再者,基材312的表面, 只要具有利用之後的電氣鑄造法形成金屬層所需要的導電 性,即可不需要此導電化。 然後,金屬膜3 2 8爲陰極,且片狀或球狀的N i爲 陽極,進而利用電氣鑄造法,使N i被電極沉積,如第 本紙張尺度適用中國a家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -25- -------------Μ--------- -------^ <請先閲讀背*之注意事項#4Λ本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 416008 A7 _____B7___ 五、發明說明(23 ) 1 4 B圖所示,形成厚金屬層3 3 0。電鍍液之其中一例 爲以下所示》 氨基磺酸鎳:550g/l 硼酸 : 3 5 g / 1 氯化鎳 : 5 g / 1 鍍平劑 :20mg/l 接著,如第1 4 C圖所示,將金屣膜3 2 8及金屬層 3 30,自基材312剝離,且做必要的洗淨等,而得到 原盤3 3 2。金屬膜3 2 8,對應需求而施行剝離處理, 即可自原盤3 3 2加以除去。 在原盤3 3 2,對應基材3 1 2的原盤形成用凹部 326,形成凸部334。詳細情形是原盤形成用凹部 3 2 6,於開口端部方面,做成向著外邊變大直徑加以傾 斜之錐狀,因此,對應於此,在凸部334,於基端部方 面,向著前端方向,在緩緩地縮小直徑的方向形成傾斜的 錐面》 按本實施形態,原盤3 3 2的凸部3 3 4是做成上述 的形狀。將此原盤3 3 2取代第1圖所示的原盤2 0來使 用,就能對開口端部方面,形成直徑變大加以傾之凹部 3 0 2。只要利用此凹部3 0 2,就能很容易確實地導入 遮光性材料4 2。因而,很容易控制噴墨頭,達到製造上 良品佳的效果。_ 此原盤3 3 2,在本實施形態,一旦製造之後,只要 — — — — — — — — — III — 1111111. ·1*1111111 (請先《讀背面之注意事項乒各寫本頁) 本紙張尺度適用中圉困家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) -26- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 416008 A7 B7 五、發明說明(24 ) 耐久性許可,無論使用幾次都可以的緣故,因it很經濟。 而原盤3 3 2的製造工程,可省略第2片以後的微透鏡陣 列的製造工程,也可減少工程次數及達到低成本化。 第15圖係表示適用本發明之液晶投影機之部份圖》 此液晶投影機*係晷有組裝利用有關上述的第2實施形態 的方法所製造的微透鏡陣列基板1 3 2之光閥1、和作爲 光源之燈具2。 微透鏡陣列基板1 3 2,係以由燈具2觀看爲凹狀地 配置透鏡1 3 4。然後,在成爲微透鏡陣列的遮光層 1 3 8側的補強板1 4 8上,堆積透明的共通電極1 6 2 及定向膜1 6 4。 在光閥1,係自定向膜1 6 4隔著間隙’來設置 TFT基板174。在TFT基板174,設置透明的個 別電極1 7 0及薄膜電晶體1 7 2 ’在該些上面形成定向 膜168 ,而TFT基板174,係以相對著定向膜 1 6 4來配置定向膜1 6 4的。 在定向膜164、168間’封入液晶166,藉由 利用薄膜電晶體1 7 2所控制的電壓’來驅動液晶1 6 6
Q 根據此液晶投影機,對於由燈具2所照射的光3,會 經由透鏡1 3 4而聚光到每一個圖素’因此能顯示明亮的 畫面"而遮光層1 3 8是爲微透鏡陣列,因此能提升圖素 間的反差。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -27- — — — —— —— — — — — — — · I I I I I I Γ *LI — — — — ! <請先《讀背面之注意事項兵填寫本頁) A7 416008 _____B7__ 五、發明說明(25 ) 〔圖面之簡單說明〕 第1A圖至第1 C圖係表示有關第1實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 第2 A圖及第2 B圖係表示有關第i實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖》 第3 A圖至第3 C圖係表示有關第1實施形態的微透 * 鏡陣列基板之製造方法圖。 第4 A圖及第4 B圖係表示有關第1實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 、第5 A圖至第5 C圖係表示有關第2實施形態的微透_ 鏡陣列基板之製造方法圖。 第6 A圖至第6 C圖係表示有關第2實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 第7圖係表示有關第3實施形態的微透鏡陣列基板之 製造方法圖。 第8 Α圖至第8 D圖係表示有關第3實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 第9 A圖及第9 B圖係表示有關第3實施形態的微透 鏡陣列基板之製造方法圖。 第10圖係表示第3實施形態所使用的光罩之變形例 圖。 第1 1圖係表示有關第4實施形態的微透鏡陣列基板 之製造方法圖· 第1 2A圖至第1 2E圖係表示有關第4實施形態的 -------------M.--------- ^----------0 <請先《讀背面之注+^項/本頁) 經濟部智慧財產局W工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國a家標準(CNS)A4規格(210 κ 297公釐) • 28 ·
416008 A7 五、發明說明(26 ) 微透鏡陣列基板之製造方法圖。 第1 3A圖至第1 3 C圖係表示有關第4實施形態的 微透鏡陣列基板之製造方法圖。 第14A圖至第14C圖係表示有關第4實施形態的 微透鏡陣列基板之製造方法圖。 第15圖係表示組裝適用本發明所製造的微透鏡陣列 基板之液晶投影機圖。 〔符號之說明〕 — — — — — — — — — — — — — ]111111 (請先Μ讀背面之項je4寫本頁> 1 0 原 盤 1 2 曲 面部 2 0 原 J&TL 盤 3 0 基 板前驅體 3 2 微 透 鏡陣列基板 3 4 透 鏡 3 6 凹 部 3 8 遮 光 層 4 2 遮 光材料 4 8、 5 4 補強板 5 0、 5 6 5 8 光 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -29-

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8
    416008修正 --- 六、申請專利被圍 第86 1 05652號專利申請案 中文申請專利範園修正本 民國89年6月修正 鏡陣列基板之製造方法係包括: 曲面部之第1原盤、和具有複數個凸部 密貼基板前驅體’以形成具有形成在前 透鏡、和形成在前述凸部之複數個凹部 離前述第1及第2原盤之工程、和 2原盤被剝離之後’在削述凹部塡充遮 利範圍第1項所述之微透鏡陣列基板之 前述凸部相對於避開Ml(述曲面部中心的 1及第2原盤之間密貼前述基板前驅體 3 .如申請專利範圍第1項所述之微透鏡陣列基板之 製造方法,其中包括:塡充在前述凹部的前述遮光性材料 以及前述透鏡之中的至少一方的上面,載置著保護膜前驅 Η ι·> 體,並將前述保護膜前驅體加以固化而_形,成保護層之工程 4 .如申請專利範圍第3項所述之微透鏡陣列基板之 製造方法,其中前述保護膜前驅體爲能藉由能量的賦了/ ’ 使之硬化的物質。 5 .如申請專利範圍第4項所述之微透鏡陣列基板之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I -----;------ I ^ · I I I----I ---I I I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 種微透 複數個 之間, 複數個 程、和 基板剝 前述第 工程。 申請專 其中使 前述第 在具有 之第2原盤 述曲面部之 的基板之工 自前述 至少在 光性材料之 2 .如 製造方法, 區域,並在 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8
    416008修正 --- 六、申請專利被圍 第86 1 05652號專利申請案 中文申請專利範園修正本 民國89年6月修正 鏡陣列基板之製造方法係包括: 曲面部之第1原盤、和具有複數個凸部 密貼基板前驅體’以形成具有形成在前 透鏡、和形成在前述凸部之複數個凹部 離前述第1及第2原盤之工程、和 2原盤被剝離之後’在削述凹部塡充遮 利範圍第1項所述之微透鏡陣列基板之 前述凸部相對於避開Ml(述曲面部中心的 1及第2原盤之間密貼前述基板前驅體 3 .如申請專利範圍第1項所述之微透鏡陣列基板之 製造方法,其中包括:塡充在前述凹部的前述遮光性材料 以及前述透鏡之中的至少一方的上面,載置著保護膜前驅 Η ι·> 體,並將前述保護膜前驅體加以固化而_形,成保護層之工程 4 .如申請專利範圍第3項所述之微透鏡陣列基板之 製造方法,其中前述保護膜前驅體爲能藉由能量的賦了/ ’ 使之硬化的物質。 5 .如申請專利範圍第4項所述之微透鏡陣列基板之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I -----;------ I ^ · I I I----I ---I I I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 種微透 複數個 之間, 複數個 程、和 基板剝 前述第 工程。 申請專 其中使 前述第 在具有 之第2原盤 述曲面部之 的基板之工 自前述 至少在 光性材料之 2 .如 製造方法, 區域,並在 416008 六、申請專利範圍 製造方法,其中前述能量是爲光及熱之至少任一種》 6 如申請專利軲@弟5項所述之微透鏡陣列基板之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 製造方法,其中前述保護膜前驅體是爲紫外線硬化型樹脂 0 7 .如申請專利範圍第3項至第6項之任一項所述之 微透鏡陣列基板之製造方法,其中在前述保護膜前驅體上 載置補強板之後1將前述保護膜前驅體加以固化。 8 .如申請專利範圍第1項至第6項之任一項所述之 微透鏡陣列基板之製造方法,其中前述基板前驅體爲能藉 由能量的賦予,使之硬化的物質。 9 .如申請專利範圍第8項所述之微透鏡陣列基板之 製造方法,其中前述能量是爲光及熱的至少任一種。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之微透鏡陣列基板 之製造方法,其中前述基板前驅體是爲紫外線硬化型樹脂 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 .如申請專利範圍第1項至第6項之任一項所述 之微透鏡陣列基板之製造方法,其屮利用噴墨方式將述遮 光性材料塡充至前述凹部。 1 2 .如中請專利範圍第1項至第6項之任一項所述 之微透鏡陣列基板之製造方法,其中前述凹部是製做成開 口部的面積較底面大,至少內側面的一部份形成錐度。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所述之微透鏡陣列基 板之製造方法,其中前述錐度只形成在內側面的開口端部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -2 - 41600S A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 4 . 一種微透鏡陣列基板,在其中一邊的面形成複 數個透鏡的同時’在另一邊的面,對應避開前述透鏡的至 少中心的位置,形成複數個凹部,且在前述凹部形成遮光 層。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之微透鏡陣列基 板,其中在前述透鏡及前述遮光層的至少一方之上具有保 護膜。 1 6 ,如申請專利範圍第1 5項所述之微透鏡陣列基 板,其中在前述保護膜上具有補強板。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項至第1 6項之任一項 所述之微透鏡陣列基板,其中前述凹部是製做成開口部的 面積較底面大’至少內側面的一部份形成錐度。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之微透鏡陣列基 板,其中前述錐度只形成在內側面的開口端部。 1 9 . 一種微透鏡陣列基板,係利用如申請專利範圍 第1項至第6項之任項所述的方法所製造的。 2 0 . —種顯示裝置,其具有如申請專利範圍第1 4 項至第1 6項之任一項所述之微透鏡陣列基板 '和向著前 述微透鏡陣列基板照射光之光源; 前述微透鏡陣列基板,是將形成前述透鏡的面,以向 著前述光源的方式做配置。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項所述之顯示裝置,其 中構成前述微透鏡陣列基板的材料之光折射率n a、和前 述透鏡外側中的光折射率n ,其關係爲n a > n b,前 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3- 416008 g D8 六、申請專利範圍 述透鏡是凸透鏡。 2 2 .如申請專利範圍第2 0項所述之顯示裝置,其 屮構成前述微透鏡陣列基板的材料之光折射率n a 、和前 述透鏡外側中的光折射率n b ,其關係爲n a < n b,前 述透鏡是凹透鏡。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4-
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