KR100999713B1 - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
발광소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100999713B1 KR100999713B1 KR1020090022549A KR20090022549A KR100999713B1 KR 100999713 B1 KR100999713 B1 KR 100999713B1 KR 1020090022549 A KR1020090022549 A KR 1020090022549A KR 20090022549 A KR20090022549 A KR 20090022549A KR 100999713 B1 KR100999713 B1 KR 100999713B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- photonic crystal
- crystal structure
- emitting device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Bicetyl cyclopentadienyl magnesium Chemical compound 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013079 quasicrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (16)
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 형성된 제1 광결정 구조;상기 제1 광결정 구조 상에 형성된 하부 배경물질; 및상기 하부 배경물질 상에 형성된 제2 광결정 구조;를 포함하고,상기 제1 광결정 구조 또는 상기 제2 광결정 구조의 패턴 주기는 λ/n~10×λ/n 인 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 하부 배경물질은 상기 발광구조물의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 발광소자.
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 형성된 제1 광결정 구조;상기 제1 광결정 구조 상에 형성된 하부 배경물질; 및상기 하부 배경물질 상에 형성된 제2 광결정 구조;를 포함하고,상기 제1 광결정 구조의 주기와 상기 제2 광결정 구조의 주기는 서로 다른 발광소자.
- 제1 항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 광결정 구조와 상기 제2 광결정 구조는 상하간에 공간적으로 대응하거나 일부 겹치거나 엇갈리는 발광소자.
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 형성된 제1 광결정 구조;상기 제1 광결정 구조 상에 형성된 하부 배경물질; 및상기 하부 배경물질 상에 형성된 제2 광결정 구조;를 포함하고,상기 제2 광결정 구조 상에 상부 배경물질을 포함하는 발광소자.
- 제5 항에 있어서,상기 상부 배경물질은 상기 발광구조물의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 가지는 발광소자.
- 제1 항, 제3항 및 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제2 광결정 구조의 굴절률은 상기 발광구조물의 굴절률 이상인 발광소자.
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 발광구조물 상에 제1 층을 형성하는 단계;상기 제1 층 상에 제2 층을 형성하는 단계;상기 제2 층, 상기 제1 층 및 상기 발광구조물의 일부를 제거하여 상기 발광구조물과 상기 제2 층에 각각 제1 광결정 구조와 제2 광결정 구조를 형성하는 단계; 및상기 잔존하는 제1 층을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 층은유전체층 또는 반도체물질을 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 잔존하는 제1 층을 제거하는 단계는,습식식각에 의해 진행하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 광결정 구조 또는 상기 제2 광결정 구조의 패턴 주기는 λ/n~10×λ/n 인 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 광결정 구조의 주기와 상기 제2 광결정 구조의 주기는 서로 다른 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 광결정 구조와 상기 제2 광결정 구조는 상하간에 공간적으로 대응하거나 일부 겹치거나 엇갈리는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 층을 제거하는 단계 후에 배경물질을 채우는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제14 항에 있어서,상기 배경물질은 상기 발광구조물의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 가지는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제2 층의 굴절률은 상기 발광구조물의 굴절률 이상인 발광소자의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090022549A KR100999713B1 (ko) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 발광소자 및 그 제조방법 |
EP10150900.8A EP2230698B1 (en) | 2009-03-17 | 2010-01-15 | Light emitting device |
CN2010100044340A CN101840978B (zh) | 2009-03-17 | 2010-01-15 | 发光器件 |
US12/693,263 US8618563B2 (en) | 2009-03-17 | 2010-01-25 | Light emitting device with vertically adjustable light emitting pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090022549A KR100999713B1 (ko) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100104255A KR20100104255A (ko) | 2010-09-29 |
KR100999713B1 true KR100999713B1 (ko) | 2010-12-08 |
Family
ID=42008557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090022549A KR100999713B1 (ko) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8618563B2 (ko) |
EP (1) | EP2230698B1 (ko) |
KR (1) | KR100999713B1 (ko) |
CN (1) | CN101840978B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2733752B1 (en) * | 2011-07-12 | 2016-10-05 | Marubun Corporation | Light emitting element and method for manufacturing the same |
JP5765865B2 (ja) | 2013-07-17 | 2015-08-19 | 丸文株式会社 | 半導体発光素子及びフォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法 |
KR101648079B1 (ko) | 2014-03-06 | 2016-08-12 | 마루분 가부시키가이샤 | 심자외 led 및 그 제조 방법 |
CN107210336B (zh) | 2015-01-16 | 2019-05-10 | 丸文株式会社 | 深紫外led及其制造方法 |
EP3346509B1 (en) | 2015-09-03 | 2021-06-30 | Marubun Corporation | Deep-ultraviolet led and method for manufacturing same |
CN107534072B (zh) | 2016-03-30 | 2019-04-19 | 丸文株式会社 | 深紫外led及其制造方法 |
WO2019146737A1 (ja) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 丸文株式会社 | 深紫外led及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100730537B1 (ko) | 2004-06-25 | 2007-06-20 | 학교법인 성균관대학 | 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 |
KR100743468B1 (ko) | 2006-03-31 | 2007-07-30 | 에피밸리 주식회사 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
KR100801617B1 (ko) | 2006-02-24 | 2008-02-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002008868A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Seiko Epson Corp | 面発光装置 |
US6947215B2 (en) * | 2001-12-27 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical functional device, polarization conversion device, image display apparatus, and image display system |
US6778581B1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-08-17 | Finisar Corporation | Tunable vertical cavity surface emitting laser |
US7255805B2 (en) * | 2004-01-12 | 2007-08-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photonic structures, devices, and methods |
US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
US7502393B2 (en) * | 2004-12-02 | 2009-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device having resonator and light source unit including the light-emitting device |
US20060204865A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light-emitting devices |
US7483466B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Vertical cavity surface emitting laser device |
JP4677276B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶の作製方法 |
KR100862505B1 (ko) | 2006-02-01 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
JP2007251020A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | レーザ装置、レーザ装置の製造方法 |
US7692203B2 (en) | 2006-10-20 | 2010-04-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP4835377B2 (ja) | 2006-10-20 | 2011-12-14 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
KR101337616B1 (ko) | 2006-12-28 | 2013-12-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 다수의 절연층이 적층된 산란 중심을 구비하는 발광 소자제조방법 및 그 발광 소자 |
KR100892664B1 (ko) | 2007-06-29 | 2009-04-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직형 발광 다이오드와 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광다이오드 |
JP4347369B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-10-21 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
DE102008030751A1 (de) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
KR101040462B1 (ko) | 2008-12-04 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-03-17 KR KR1020090022549A patent/KR100999713B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-01-15 CN CN2010100044340A patent/CN101840978B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-15 EP EP10150900.8A patent/EP2230698B1/en not_active Not-in-force
- 2010-01-25 US US12/693,263 patent/US8618563B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100730537B1 (ko) | 2004-06-25 | 2007-06-20 | 학교법인 성균관대학 | 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 |
KR100801617B1 (ko) | 2006-02-24 | 2008-02-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법 |
KR100743468B1 (ko) | 2006-03-31 | 2007-07-30 | 에피밸리 주식회사 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100237372A1 (en) | 2010-09-23 |
EP2230698A1 (en) | 2010-09-22 |
CN101840978A (zh) | 2010-09-22 |
EP2230698B1 (en) | 2014-10-08 |
CN101840978B (zh) | 2012-09-05 |
KR20100104255A (ko) | 2010-09-29 |
US8618563B2 (en) | 2013-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10403796B2 (en) | Light emitting device and method of fabricating the same | |
KR102427642B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR101064053B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101898680B1 (ko) | 나노구조 발광 소자 | |
US10763397B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
KR101134810B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100999713B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101007139B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101047720B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
CN106098889A (zh) | 发光二极管及制造该发光二极管的方法 | |
KR20110094810A (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
KR20110096680A (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
KR100999756B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
US20100224897A1 (en) | Semiconductor optoelectronic device and method for forming the same | |
JP5989318B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2008198876A (ja) | GaN系LED素子および発光装置 | |
US9306120B2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
JP2012178453A (ja) | GaN系LED素子 | |
CN111697114A (zh) | 一种垂直结构led芯片及其制备方法 | |
KR101039948B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
KR20110043282A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
US20140159083A1 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
JP2009135192A (ja) | 発光素子 | |
JP5165668B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
CN111106212A (zh) | 垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131105 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141106 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161104 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171107 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181112 Year of fee payment: 9 |