KR20110096680A - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 Download PDF

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KR20110096680A
KR20110096680A KR1020100016044A KR20100016044A KR20110096680A KR 20110096680 A KR20110096680 A KR 20110096680A KR 1020100016044 A KR1020100016044 A KR 1020100016044A KR 20100016044 A KR20100016044 A KR 20100016044A KR 20110096680 A KR20110096680 A KR 20110096680A
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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 반사층 및 상기 반사층 상에 비금속 패턴을 포함하는 제1 광 추출 구조; 상기 제1 광 추출 구조 상에 오믹층; 상기 오믹층 상에 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층; 및 상기 활성층 상에 제1 도전형 반도체층을 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다.
이러한 LED에 의해 방출되는 빛의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 빛의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.
최근 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 휘도를 증가시키는 연구가 활발히 진행되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용되어 지고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 LED를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 LED도 구현이 가능하다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시예는 발광 효율이 향상된 발광 소자를 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 반사층 및 상기 반사층 상에 비금속 패턴을 포함하는 제1 광 추출 구조; 상기 제1 광 추출 구조 상에 오믹층; 상기 오믹층 상에 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층; 및 상기 활성층 상에 제1 도전형 반도체층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계; 상기 오믹층 상에 비금속 패턴을 형성하는 단계; 상기 오믹층 및 상기 비금속 패턴 상에 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시예는 발광 효율이 향상된 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 2는 도 1의 발광 소자의 비금속 패턴의 굴절률에 따른 발광 소자의 반사율(Reflectivity)의 변화를 설명하는 도면
도 3은 도 1의 발광 소자의 비금속 패턴의 굴절률에 따른 발광 소자의 광 추출 효율(Extraction Efficiency)을 설명하는 도면
도 4 및 도 5는 도 1의 발광 소자의 제1 광 추출 구조를 상측에서 바라본 도면
도 6 내지 도 11은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 12는 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면
도 13은 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층(10)과, 상기 제2 전극층(10) 상에 형성된 반사층(20)과, 상기 반사층(20) 상에 형성된 비금속 패턴(80)과, 상기 반사층(20) 및 비금속 패턴(80) 상에 형성된 오믹층(25)과, 상기 오믹층(25) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(30)과, 상기 제2 도전형 반도체층(30) 상에 형성된 활성층(40)과, 상기 활성층(40) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(50)과, 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에 형성된 제1 전극층(70)을 포함한다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에는 언도프트 반도체층(60)이 형성될 수도 있다.
상세히 설명하면, 상기 제2 전극층(10)은 구리(Cu), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 텅스텐(W) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN 등) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있고, 상기 제1 전극층(70)과 함께 상기 활성층(40)에 전원을 제공한다.
상기 반사층(20)은 상기 제2 전극층(10) 상에 형성될 수 있다. 상기 반사층(20)은 부분적으로 상기 제2 도전형 반도체층(30)과 대면할 수 있으며, 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 제2 전극층(10)과 상기 반사층(20) 사이에는 두 층 사이의 계면 접합력을 강화시킬 수 있도록 니켈(Ni), 티탄(Ti) 등을 포함하는 접합 금속층(미도시)이 형성될 수도 있다.
상기 비금속 패턴(80)은 상기 반사층(20) 상에 형성되고, 상기 오믹층(25) 아래에 형성된다. 상기 비금속 패턴(80)의 측면은 적어도 일부분이 상기 반사층(20)에 의해 둘러싸여 형성될 수도 있다.
상기 비금속 패턴(80)과 상기 반사층(20)은 제1 광 추출 구조(90)를 형성한다.
상기 제1 광 추출 구조(90)는 회절 효과에 의해 상기 발광 소자의 광 추출 효율 향상에 기여할 수 있다. 즉, 상기 제1 광 추출 구조(90)는 굴절률이 상이한 상기 비금속 패턴(80)과 상기 반사층(20)이 주기를 갖고 배치된 형상을 가지므로, 광이 입사되었을 때, 상기 비금속 패턴(80)과 상기 반사층(20) 사이의 굴절률 차이에 의해 강한 회절 효과가 발생할 수 있다.
상기 비금속 패턴(80)은 비금속 물질로 형성될 수 있다. 상기 비금속 패턴(80)은 발광 소자의 제조 공정에서 상기 제2 도전형 반도체층(30) 상에 비금속층을 형성한 후, 상기 비금속층을 패터닝하여 형성할 수 있다. 또는 상기 비금속 패턴(80)에 대응하는 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 마스크 패턴을 따라 상기 비금속 패턴(80)을 증착 또는 도금 공정을 통해 형성할 수도 있다. 또는, 상기 비금속 패턴(80)은 비금속 패턴층을 습식 식각하여 러프니스의 형태로 형성할 수도 있다.
상기 비금속 패턴(80)은 투광성 전극으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, ZnO, GZO, RuOx, 또는 IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 비금속 패턴(80)은 유전체로 형성될 수 있으며, 예를 들어, SiO2, MgF2, TiO2, Al2O3, SOG, 또는 Si3N4 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. 상기 비금속 패턴(80)이 유전체로 형성되는 경우, 상기 비금속 패턴(80)을 통해 전류가 흐르지 않으므로, 상기 제2 전극층(10)과 상기 제1 전극층(70) 사이의 최단 거리로 전류가 편중되어 흐르는 현상이 완화되어 상기 발광 소자의 발광 효율이 향상될 수 있다. 이를 위해서는 상기 비금속 패턴(80)이 상기 제1 전극층(70)과 적어도 일부분이 수직 방향으로 중첩되도록 형성되는 것이 바람직하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 비금속 패턴(80)은 소정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 반사층(20)은 상기 비금속 패턴(80)과 동일 수평면 상에 배치되는 영역에서 일정 간격 이격되도록 배치되며, 이에 따라 상기 오믹층(30)과 상기 반사층(20)은 부분적으로 접촉할 수 있다.
한편, 상기 비금속 패턴(80)은 굴절율이 공기의 굴절율(n=1)보다 크고 상기 제2 도전형 반도체층(30)의 굴절율 보다 작도록 형성될 수 있다. 또한, 바람직하게는 상기 비금속 패턴(80)은 굴절율이 상기 오믹층(25)의 굴절율보다 작도록 형성될 수 있다.
도 2는 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률에 따른 실시예의 발광 소자의 반사율(Reflectivity)의 변화를 설명하는 도면이다. 도 2의 x축은 상기 비금속 패턴(80)의 주기(Lattice Constant)이고, y축은 상기 제1 광 추출 구조(90)의 반사율(Reflectivity)이며, 상기 비금속 패턴(80)의 재질을 제외한 다른 요소는 모두 동일하게 실험하였다. 구체적으로는, 상기 오믹층(25)은 100nm의 두께를 가지며, 상기 비금속 패턴(80)은 두께가 0.1㎛인 ITO로 형성된 경우를 예시로 실험하였다.
도 2를 참조하면, 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률이 낮을수록 상기 제1 광 추출 구조(90)의 반사율이 향상되는 것을 알 수 있다. 즉, 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률이 1.4일 때가 굴절률이 2.0 또는 2.5일 때에 비해 높은 반사율을 갖는 것을 알 수 있다. 따라서, 바람직하게는, 상기 비금속 패턴(80)은 상기 오믹층(25)보다 작은 굴절율을 가질 수 있다.
특히, 상기 비금속 패턴(80)의 주기가 200nm 내지 600nm 이하인 영역에 대해서 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률이 1.4 정도로 낮은 경우에 반사율이 현저히 향상되는 점이 특이할 만하다. 이것은 상기 비금속 패턴(80)을 낮은 굴절률을 갖는 재질로 선택되는 경우 낮은 파장대의 빛의 추출 효율, 즉, 저차 전송 모드(low order guided mode)가 향상될 수 있다는 것을 의미하기 때문이다. 즉, 일반적으로 낮은 파장대를 갖는 빛의 경우, 화합물 반도체층 내부에서 전반사에 의해 갇히어 손실되는 비율이 높은데, 상기 제1 광 추출 구조(90)에 의해 낮은 파장대를 갖는 빛을 효과적으로 추출시킬 수 있게 되는 것이다.
도 3은 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률에 따른 실시예의 발광 소자의 광 추출 효율(Extraction Efficiency)을 설명하는 도면이다.
도 3의 x축은 상기 비금속 패턴(80)의 주기(Lattice Constant)이고, y축은 상기 제1 광 추출 구조(90)의 광 추출 효율(Extraction Efficiency)이며, 도 2의 실험과 같은 조건으로 실험하였다.
도 3을 참조하면, 도 2의 실험 결과와 마찬가지로, 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률이 1.4로 낮은 경우가 굴절률이 2.0으로 높은 경우에 비해 광 추출 효율이 높은 것을 알 수 있다.
특히, 상기 비금속 패턴(80)의 주기가 200nm 내지 600nm 인 경우의 광 추출 효율은, 상기 비금속 패턴(80)의 굴절률이 낮은 경우가 높은 경우에 비해 현저히 높은 것을 알 수 있다. 이는, 도 2의 실험 결과와 같이, 상기 비금속 패턴(80)의 주기 및 재질에 따라 저차 전송 모드의 효율이 향상될 수 있다는 것을 의미한다.
한편, 굴절률 1.4에 가까운 값을 갖는 상기 비금속 패턴(80)의 재질로는 예를 들어 MgF2, SOG 등이 있으며, 굴절률 2.0에 가까운 값을 갖는 재질은 예를 들어 ITO가 있으며, 굴절률 2.5에 가까운 값을 갖는 재질은 예를 들어, TiO2가 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4 및 도 5는 상기 제1 광 추출 구조(90)를 상측에서 바라본 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 비금속 패턴(80)은 상기 반사층(20) 상에 이격되어 배치되어 형성될 수 있다. 또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(20)이 상기 비금속 패턴(80) 상에 이격되어 배치된 형태로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 제1 광 추출 구조(90)는 상기 비금속 패턴(80) 또는 상기 반사층(20)이 원기둥의 형태로 주기를 갖고 배치된 것으로 도시되었으나, 상기 비금속 패턴(80) 또는 상기 반사층(20)은 다각기둥, 다각뿔대, 원뿔대 등의 형상을 가질 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 제1 광 추출 구조(90) 상에는 상기 오믹층(25)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 오믹층(25)은 상기 비금속 패턴(80) 및 상기 반사층(20) 상에 형성될 수 있다.
상기 오믹층(25)은 상기 제2 전극층(10)과 상기 제2 도전형 반도체층(30) 사이에 오믹 접촉을 형성하여 두 층 사이에 전류가 원활히 흐를 수 있도록 함으로써 상기 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 오믹층(25)은 예를 들어, Ni, Pt, Cr, Ti, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx 또는 RuOx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 상기 오믹층(25)이 금속 재질로 형성되는 경우, 상기 오믹층(25)은 1nm 내지 30nm의 두께로 형성될 수 있다. 금속 재질은 얇은 박막인 경우에 투광성을 가지므로, 광이 상기 오믹층(25)에 의해 흡수되어 손실되는 것을 최소화할 수 있기 때문이다. 상기 오믹층(25)이 투광성을 갖는 비금속 재질로 형성되는 경우, 상기 오믹층(25)의 두께는 10nm 내지 300nm 일 수 있다.
상기 오믹층(25) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(30)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(30)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(30) 상에는 상기 활성층(40)이 형성될 수 있다. 상기 활성층(40)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 활성층(40)은 상기 제1 도전형 반도체층(50) 및 제2 도전형 반도체층(30)으로부터 제공되는 전자 및 정공의 재결합(recombination) 과정에서 발생되는 에너지에 의해 빛을 생성할 수 있다.
상기 활성층(40) 상에는 상기 제1 도전형 반도체층(50)이 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(50)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(30) 아래에 n형 또는 p형 반도체층이 더 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(130)이 p형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(150)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 상기 발광 소자는 np 접합, pn 접합, npn 접합 및 pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에는 상기 언도프트(Undoped) 반도체층(60)이 형성될 수 있다. 상기 언도프트 반도체층(60)은 상기 제1 도전형 반도체층(50) 및 제2 도전형 반도체층(30)에 비해 전기 전도성이 현저히 낮은 반도체층을 의미한다. 예를 들어, 상기 언도프트 반도체층(60)은 Un-doped GaN층이 될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에는 상기 제1 전극층(70)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극층(70)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 와이어 등에 의해 외부 전원으로부터 전달받은 전원을 상기 발광 소자에 제공할 수 있다.
이하에서는, 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 6 내지 도 11은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 6을 참조하면, 성장기판(15) 상에 상기 언도프트 반도체층(60), 상기 제1 도전형 반도체층(50), 상기 활성층(40) 및 상기 제2 도전형 반도체층(30)을 순차적으로 성장하여 형성할 수 있다.
상기 성장기판(15)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 층들은 예를 들어, 상기 성장기판(15) 상에 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(50)과 상기 성장기판(15) 사이에는 격자 상수 차이 완화를 위해 버퍼층(Buffer Layer)(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(30) 상에 상기 오믹층(25)을 형성할 수 있다.
상기 오믹층(25)은 예를 들어, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링 등의 증착 방식에 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 오믹층(25) 상에 상기 비금속 패턴(80)을 형성할 수 있다.
상기 비금속 패턴(80)은 비금속층을 형성한 후, 상기 비금속층을 패터닝하여 형성할 수 있다. 또는 상기 비금속 패턴(80)에 대응하는 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 마스크 패턴을 따라 상기 비금속 패턴(80)을 증착 또는 도금 공정을 통해 형성할 수도 있다.
도 9를 참조하면, 상기 오믹층(25) 및 상기 비금속 패턴(80) 상에 상기 반사층(20)을 형성하여 상기 제1 광 추출 구조(90)를 형성하고, 상기 제1 광 추출 구조(90) 상에 상기 제2 전극층(10)을 형성할 수 있다.
상기 반사층(20)은 도금 또는 증착되어 형성될 수 있다. 상기 제2 전극층(10)은 도금 또는 증착되어 형성되거나, 미리 시트(sheet) 형태로 준비된 후 상기 반사층(20) 상에 본딩될 수도 있다.
한편, 상기 제2 전극층(10)과 상기 반사층(20) 사이에는 계면 접합력 향상을 위해 접합 금속층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 성장기판(15)을 제거할 수 있다.
상기 성장기판(15)은 예를 들어, 레이저 리프트 오프(LLO, Laser Lift Off) 공정에 의해 제거되거나, 식각 공정에 의해 제거될 수 있다.
이때, 상기 성장기판(15)을 제거하는 공정 및 그 후속 공정들은 도 9의 발광 소자의 아랫면에 진행되므로, 도 9의 발광 소자를 180도 뒤집어서 설명한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(50)의 상면이 적어도 일부 노출되도록 식각 공정을 진행한 후, 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에 상기 제1 전극층(70)을 형성함으로써 제1 실시예에 따른 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 12는 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다. 다만, 제2 실시예를 설명함에 있어서 제1 실시예와 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
도 12를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층(10)과, 상기 제2 전극층(10) 상에 형성된 반사층(20)과, 상기 반사층(20) 상에 돌출 패턴(26)이 형성된 오믹층(25)과, 상기 오믹층(25) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(30)과, 상기 제2 도전형 반도체층(30) 상에 형성된 활성층(40)과, 상기 활성층(40) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(50)과, 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에 형성된 제1 전극층(70)을 포함한다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에는 언도프트 반도체층(60)이 형성될 수도 있다.
제2 실시예에 따른 발광 소자에서, 상기 오믹층(25)의 돌출 패턴(26)과 상기 반사층(20)은 제1 광 추출 구조(90)를 형성한다.
상기 돌출 패턴(26)은 상기 반사층(20) 방향으로 돌출되며, 소정 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 돌출 패턴(26)은 하면 및 측면이 상기 반사층(20)과 접촉하도록 형성된다.
상기 돌출 패턴(26)은 예를 들어, 상기 오믹층(25)을 형성한 후 선택적으로 식각하여 형성할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 돌출 패턴(26)은 제1 실시예의 비금속 패턴의 한 종류가 된다.
상기 제1 광 추출 구조(90)는 상기 오믹층(25)의 돌출 패턴(26)과, 상기 돌출 패턴(26)과 접하는 금속 거울인 반사층(20)으로 형성된다.
도 13은 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다. 다만, 제3 실시예를 설명함에 있어서 제1 실시예와 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
도 13을 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층(10)과, 상기 제2 전극층(10) 상에 형성된 반사층(20)과, 상기 반사층(20) 상에 형성된 비금속 패턴(80)과, 상기 반사층(20) 및 비금속 패턴(80) 상에 형성된 오믹층(25)과, 상기 오믹층(25) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(30)과, 상기 제2 도전형 반도체층(30) 상에 형성된 활성층(40)과, 상기 활성층(40) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(50)과, 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에 형성된 제1 전극층(70)과, 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에 형성된 언도프트 반도체층(60)을 포함한다.
상기 언도프트 반도체층(60)에는 기둥 또는 홀 형태의 제2 광 추출 구조(100)가 형성된다. 실시예에서는 홀(61)이 형성된 것이 예시되어 있다.
상기 기둥 또는 홀(61)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖고 배치되어, 소정의 파장대를 갖는 광을 선택적으로 투과 또는 반사시킴으로써 상기 발광 소자에서 방출되는 광의 추출 효율을 향상시킨다.
또는, 상기 언도프트 반도체층(60)에는 랜덤한 러프니스(roughness)가 예를 들어 습식 식각에 의해 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 제3 실시예에서는 상기 언도프트 반도체층(60) 상에 상기 제2 광 추출 구조(100)가 형성된 것이 예시되어 있으나, 제2 실시예에 따른 발광 소자에서도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 상기 언도프트 반도체층(60)을 제거하고 상기 제1 도전형 반도체층(50) 상에 상기 제2 광 추출 구조(100)를 형성하는 것도 가능하다. 이것은 제2 실시예의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 14는 실시예들에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 몸체(20)에 설치되어 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되는 실시예들에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극(31) 또는 제2 전극(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 제2 전극층 20 : 반사층
25 : 오믹층 30 : 제2 도전형 반도체층
40 : 활성층 50 : 제1 도전형 반도체층
70 : 제1 전극층 80 : 비금속 패턴

Claims (20)

  1. 반사층 및 상기 반사층 상에 비금속 패턴을 포함하는 제1 광 추출 구조;
    상기 제1 광 추출 구조 상에 오믹층;
    상기 오믹층 상에 제2 도전형 반도체층;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층; 및
    상기 활성층 상에 제1 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반사층 아래에 제2 전극층 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극층을 포함하는 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 언도프트 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 언도프트 반도체층에 기둥 또는 홀 형태의 제2 광 추출 구조를 포함하는 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 오믹층은 상기 제2 도전형 반도체층과 오믹 접촉을 형성하는 금속 재질 또는 비금속 재질로 형성된 발광 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 오믹층은 Ni, Pt, Cr, Ti, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx 또는 RuOx 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 오믹층이 금속 재질로 형성되는 경우, 상기 오믹층의 두께는 1nm 내지 30nm인 발광 소자.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 오믹층이 비금속 재질로 형성되는 경우, 상기 오믹층의 두께는 10nm 내지 300nm인 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴의 하면 및 측면은 상기 반사층에 의해 둘러싸이는 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴은 투광성 전극으로 형성되는 발광 소자.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴은 유전체로 형성되는 발광 소자.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴의 굴절률은 공기의 굴절률보다 크고, 상기 제2 도전형 반도체층의 굴절률보다 작은 발광 소자.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴의 굴절률은 상기 오믹층의 굴절률보다 작은 발광 소자.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴은 MgF2, SOG, SiO2, MgF2, TiO2, Al2O3, SOG, Si3N4 ITO, ZnO, GZO, RuOx 또는 IrOx 중 적어도 하나로 형성된 발광 소자.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 비금속 패턴의 굴절률은 1.4인 발광 소자.
  16. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;
    상기 오믹층 상에 비금속 패턴을 형성하는 단계;
    상기 오믹층 및 상기 비금속 패턴 상에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 도전형 반도체층에 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 비금속 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 오믹층 상에 비금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 비금속층을 패터닝하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 오믹층은 Ni, Pt, Cr, Ti, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx 또는 RuOx 중 적어도 하나를 포함하도록 형성되는 발광 소자 제조방법.
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 비금속 패턴의 굴절률은 상기 오믹층의 굴절률보다 작은 발광 소자 제조방법.
  20. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층은 성장기판 상에 형성되며, 상기 성장기판은 상기 제2 전극층을 형성한 후 제거되는 발광 소자 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014175564A1 (ko) * 2013-04-22 2014-10-30 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드
KR101506961B1 (ko) * 2013-05-06 2015-03-30 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법 및 수직형 발광다이오드
KR20150039147A (ko) * 2015-02-23 2015-04-09 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법 및 수직형 발광다이오드

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022311A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 大连美明外延片科技有限公司 一种GaN-LED芯片结构及其制备方法
TWI470814B (zh) * 2011-10-25 2015-01-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
FR2985609B1 (fr) * 2012-01-05 2014-02-07 Commissariat Energie Atomique Substrat structure pour leds a forte extraction de lumiere
KR102187487B1 (ko) * 2014-04-03 2020-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 장치
TWI701847B (zh) * 2015-02-19 2020-08-11 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
CN110277311B (zh) * 2018-03-14 2021-07-16 上海大学 提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用
CN108511623B (zh) * 2018-03-30 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 光取出结构、显示屏体及其制作方法、显示装置
DE102018111324A1 (de) * 2018-05-11 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN109411582B (zh) * 2018-10-31 2021-01-22 扬州乾照光电有限公司 一种表面粗化的led芯片及其制作方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5397920A (en) * 1994-03-24 1995-03-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production
US20040113168A1 (en) * 2001-02-21 2004-06-17 Ivan Eliashevich Light extraction efficiency of gan based leds
TWI230473B (en) * 2003-03-10 2005-04-01 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
US7119372B2 (en) * 2003-10-24 2006-10-10 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
US7759690B2 (en) * 2005-07-04 2010-07-20 Showa Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device
US20080042149A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Vertical nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same
US7872272B2 (en) * 2006-09-06 2011-01-18 Palo Alto Research Center Incorporated Nitride semiconductor ultraviolet LEDs with tunnel junctions and reflective contact
KR101229834B1 (ko) 2006-09-25 2013-02-04 서울옵토디바이스주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100809227B1 (ko) * 2006-10-27 2008-03-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법
TWI322522B (en) * 2006-12-18 2010-03-21 Delta Electronics Inc Electroluminescent device, and fabrication method thereof
TWI394290B (zh) * 2006-12-18 2013-04-21 Delta Electronics Inc 電激發光裝置及其製造方法
KR101308131B1 (ko) * 2006-12-23 2013-09-12 서울옵토디바이스주식회사 투광성 물질 패턴을 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그제조방법
KR101165254B1 (ko) * 2006-12-28 2012-07-19 서울옵토디바이스주식회사 다수의 절연층이 적층된 산란 중심을 구비하는 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법
CN101222009A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 清华大学 发光二极管
CN101276863B (zh) * 2007-03-29 2011-02-09 晶元光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
US7683380B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same
TWI369009B (en) * 2007-09-21 2012-07-21 Nat Univ Chung Hsing Light-emitting chip device with high thermal conductivity
KR101449030B1 (ko) 2008-04-05 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
KR101007099B1 (ko) 2008-04-21 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101064082B1 (ko) * 2009-01-21 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101210172B1 (ko) 2009-03-02 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101667815B1 (ko) * 2010-02-18 2016-10-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014175564A1 (ko) * 2013-04-22 2014-10-30 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법, 수직형 발광다이오드와 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드
US10014442B2 (en) 2013-04-22 2018-07-03 Korea Polytechnic University Industry Academic Cooperation Foundation Method for manufacturing vertical type light emitting diode, vertical type light emitting diode, method for manufacturing ultraviolet ray light emitting diode, and ultraviolet ray light emitting diode
KR101506961B1 (ko) * 2013-05-06 2015-03-30 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법 및 수직형 발광다이오드
KR20150039147A (ko) * 2015-02-23 2015-04-09 한국산업기술대학교산학협력단 수직형 발광다이오드 제조 방법 및 수직형 발광다이오드

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