KR101229834B1

KR101229834B1 - 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101229834B1
Application number: KR1020060092827A
Authority: KR
Inventors: 김윤구; 서원철
Original assignee: 서울옵토디바이스주식회사
Priority date: 2006-09-25
Filing date: 2006-09-25
Publication date: 2013-02-04
Also published as: KR20080027584A

Abstract

수직형 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는 도전성 기판을 포함한다. 화합물 반도체층들이 상기 도전성 기판 상에 위치한다. 상기 화합물 반도체층들은 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함한다. 한편, 상기 화합물 반도체층들과 상기 도전성 기판 사이에 금속반사층이 개재되고, 상기 화합물 반도체층들과 상기 금속반사층 사이에 서로 이격된 투명패턴들이 개재된다. 상기 투명패턴들은 금속반사층으로 입사된 광을 산란시킴으로써 내부전반사에 의한 광손실을 감소시킨다.

수직형 발광 다이오드, 내부전반사(total internal reflection), 반사층, 도전성 기판

Description

수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법{VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

도 1은 종래기술에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

본 발명은 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 내부전반사에 의한 광손실을 감소시키기 위해 금속반사층과 화합물 반도체층 사이에 투명패턴들을 채택한 수직형 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 청색 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.

이러한 III족 원소의 질화물 반도체층, 특히 GaN은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증찹법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한하며, 기계적 화학적으로 매우 안정하여 절단 및 형상화(shaping) 등의 가공이 어렵고, 열전도율이 낮다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층들을 성장시킨 후, 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 제조하는 기술이 연구되고 있다.

도 1은 종래기술에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도들이다.

도 1을 참조하면, 상기 수직형 발광 다이오드는 도전성 기판(31)을 포함한다. 상기 도전성 기판(31) 상에 제1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제2 도전형 반도체층(19)을 포함하는 화합물 반도체층들이 위치한다. 또한, 상기 화합물 반도체층들과 상기 도전성 기판(31) 사이에 금속반사층(23) 및 접착층(27)이 개재된다.

상기 화합물 반도체층들은 일반적으로 사파이어 기판과 같은 희생기판(도시하지 않음) 상에 금속유기화학기상증착법 등을 사용하여 성장된다. 그 후, 상기 화합물 반도체층들 상에 금속반사층(23) 및 접착층(27)이 형성되고, 도전성 기판(31)이 부착된다. 이어서, 레이저 리프트 오프(laser lift-off) 기술 등을 사용하여 상기 희생기판이 화합물 반도체층들로부터 분리되고, 제1 도전형 화합물 반도체층(15)이 노출된다. 그 후, 노출된 제1 도전형 화합물 반도체층(15) 상에 전극 패드(17)가 형성된다. 이에 따라, 열방출 성능이 우수한 도전성 기판(31)을 채택함으로써, 발광 다이오드의 발광 효율을 개선할 수 있으며, 수직형 구조를 갖는 도 1의 발광 다이오드가 제공될 수 있다.

그러나, GaN 계열의 화합물 반도체층들은 상대적으로 높은 굴절률을 갖기 때문에 화합물 반도체층들의 표면에서 내부 전반사에 의한 광손실이 생긴다. 내부 전반사는 표면으로 입사되는 광이 임계각보다 큰 각으로 입사될 때 발생되며, 이를 방지하기 위해 화합물 반도체층들의 상부 표면을 거친면으로 만드는 기술들이 사용되고 있다. 그러나, 금속반사층에서 반사된 후, 임계각보다 큰 각으로 화합물 반도체층들의 측면으로 입사됨으로써, 상기 화합물 반도체층들의 상부 표면에 입사하기 전에 측면들에서 내부 전반사가 발생될 수 있으며, 이에 따라 광손실이 발생된다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 화합물 반도체층들의 표면에서 발생되는 내부전반사를 감소시켜 발광효율을 개선할 수 있는 수직형 발광 다이오드를 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 화합물 반도체층들의 표면에서 발생되는 내부전반사를 감소시킬 수 있는 수직형 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명의 일 태양에 따른 수직형 발광 다이오드는 도전성 기판을 포함한다. 화합물 반도체층들이 상기 도전성 기판 상에 위치한다. 상기 화합물 반도체층들은 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함한다. 한편, 상기 화합물 반도체층들과 상기 도전성 기판 사이에 금속반사층이 개재된다. 또한, 상기 화합물 반도체층들과 상기 금속반사층 사이에 서로 이격된 투명패턴들이 개재된다. 상기 투명패턴들은 금속반사층으로 입사된 광을 산란시키거나 또는 그 입사광의 반사각을 변경시킴으로써 화합물 반도체층들 내에서 발생되는 내부 전반사를 감소시킨다.

상기 투명패턴들은 ITO 또는 Ni/Au 등의 도전성 투명 물질로 형성될 수 있다. 또한 상기 투명패턴들은 SiO₂ 또는 TiO₂ 등의 고반사 코팅층을 포함할 수 있다.

또한, 상기 투명패턴들 각각은 다층 구조를 갖는 핫미러(hot mirror) 또는 콜드미러(cold mirror)일 수 있다. 핫미러는 적외선을 반사시키고, 자외선 및 가시광선을 투과시킨다. 이와 반대로, 콜드미러는 적외선을 투과시키고, 자외선 및 가시광선을 반사시킨다. 따라서, 상기 투명패턴들이 콜드미러인 경우, 도전성 기판쪽으로 적외선을 투과시켜 열방출을 촉진할 수 있다.

한편, 상기 금속반사층과 상기 도전성 기판 사이에 접착층이 개재될 수 있다. 접착층은 도전성 기판과 금속반사층의 결합력을 향상시킨다. 또한, 상기 접착층과 상기 금속반사층 사이에 확산방지층이 개재될 수 있다. 확산방지층은 접착층 또는 도전성 기판으로부터 금속반사층으로 금속원소들이 확산되는 것을 방지한다.

본 발명의 다른 태양에 따른 수직형 발광 다이오드 제조방법은 희생 기판 상에 화합물 반도체층들을 형성하는 것을 포함한다. 상기 화합물 반도체층들은 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함한다. 상기 화합물 반도체층들 상에 서로 이격된 복수개의 투명패턴들이 형성된다. 그 후, 상기 투명패턴들이 형성된 화합물 반도체층들 상에 금속반사층이 형성되고, 상기 금속반사층 상에 도전성 기판이 형성된다. 그 후, 상기 화합물 반도체층들로부터 상기 희생 기판이 분리된다. 이에 따라, 금속반사층과 화합물 반도체층들 사이에 투명패턴들이 개재된 수직형 발광 다이오드가 제조될 수 있다.

상기 투명패턴들을 형성하는 것은 상기 화합물 반도체층들 상에 투명층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 투명층이 패터닝되어 서로 이격된 복수개의 투명패턴들이 형성된다. 상기 투명층은 단일층 또는 복수층들의 적층일 수 있다.

상기 투명패턴들은 또한 리프트-오프(lift-off) 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 감광제를 사용하여 상기 화합물 반도체층들의 상부면을 노출시키는 개구부들을 갖는 감광제 패턴을 형성하고, 그 위에 투명층을 형성한다. 상기 투명층은 상기 감광제 패턴의 개구부들을 채운다. 이어서, 상기 개구부들을 채우는 투명층을 잔류시키고, 상기 감광제와 중첩된 투명층을 감광제와 함께 제거한다. 그 결과, 상기 개구부들에 대응하는 투명패턴들이 형성된다.

한편, 상기 도전성 기판을 형성하기 전, 상기 금속반사층 상에 확산방지층 및/또는 접착층이 형성될 수 있다. 또한, 상기 도전성 기판을 형성한 후, 노출된 화합물 반도체층들의 표면 상에 전극패드가 형성될 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 2를 참조하면, 도전성 기판(71) 상에 제1 도전형 반도체층(55), 활성층(57) 및 제2 도전형 반도체층(59)을 포함하는 화합물 반도체층들이 위치한다. 상기 도전성 기판(71)은 Si, GaAs, GaP, AlGaINP, Ge, SiSe, GaN, AlInGaN 또는 InGaN 등의 기판이나, Al, Zn, Ag, W, Ti, Ni, Au, Mo, Pt, Pd, Cu, Cr 또는 Fe의 단일 금속 또는 이들의 합금 기판일 수 있다. 한편, 상기 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화합물 반도체층들이고, 상기 제1 도전형 및 제2 도전형은 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형을 나타낸다.

상기 화합물 반도체층들과 상기 도전성 기판(71) 사이에 금속반사층(63)이 개재된다. 금속반사층(63)은 반사율이 큰 금속물질, 예컨대 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성된다.

한편, 상기 화합물 반도체층들과 상기 금속반사층(63) 사이에 서로 이격된 투명패턴들(61)이 개재된다. 투명패턴들(61)은 ITO 또는 Ni/Au 등의 도전성 투명 물질로 형성될 수 있으나, 도전성 투명물질에 한정되는 것은 아니며, SiO₂ 또는 TiO₂ 등의 절연성 고반사 코팅층으로 형성될 수도 있다. 상기 투명패턴들(61)은 반구, 반타원체, 사각 기둥, 절두형 피라미드 등 다양한 형상을 가질 수 있다.

또한, 상기 금속반사층(63)과 도전성 기판(71) 사이에 접착층(67)이 개재될 수 있으며, 접착층(67)과 금속반사층(63) 사이에 확산방지층(65)이 개재될 수 있다. 접착층(67)은 도전성 기판(71)과 금속반사층(63)의 접착력을 향상시켜 도전성 기판(71)이 금속반사층(63)으로부터 분리되는 것을 방지하며, 확산방지층(65)은 접착층(67) 또는 도전성 기판(71)으로부터 금속원소들이 금속반사층(63)으로 확산되는 것을 방지하여 금속반사층(63)의 반사도를 유지시킨다.

한편, 상기 도전성 기판(71)에 대향하여 화합물 반도체층들의 상부면에 전극패드(73)가 위치한다. 이에 따라, 도전성 기판(71)과 전극 패드(73)를 통해 전류를 공급함으로써 광을 방출할 수 있다.

종래의 수직형 발광 다이오드에서는 금속반사층과 화합물 반도체층들의 계면이 평면을 이루며, 화합물 반도체층들에서 생성되어 금속반사층으로 입사된 광은 입사각과 동일한 각으로 반사된다. 따라서, 금속반사층으로 입사된 광은 입사각에 따라 반사되어 화합물 반도체층들의 측면 또는 상부면으로 향한다. 이러한 광의 일부는 화합물 반도체층들의 측면 또는 상부면을 통해 외부로 방출되나, 일부는 측면 또는 상부면에서 내부 전반사되며, 그 결과 광손실이 발생된다.

그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 금속반사층(63) 방향으로 입사된 광은 투명패턴들(61)에 의해 산란되거나, 투명패턴들(61)을 투과한 후, 투명패턴들(61)과 금속반사층(63)의 계면에서 반사됨으로써 투명패턴들(61)에 입사된 입사각보다 작은 각으로 화합물 반도체층들의 상부면으로 입사된다. 따라서, 화합물 반도체층들의 측면 또는 상부면에서 발생되는 내부 전반사를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 발광 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있다.

한편, 금속반사층(63)은 파장에 따라 반사도가 다르며, 파장이 짧아질 수록 반사도가 저하된다. 그러나, 고반사 코팅층은 파장에 관계없이 일정한 반사도를 유지할 수 있다. 따라서, 고반사 코팅층을 사용하여 투명패턴들(61)을 형성할 경우, 파장에 관계없이 높은 반사도를 유지하여 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3을 참조하면, 희생기판(51) 상에 화합물 반도체층들이 형성된다. 상기 희생기판(51)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 이종기판일 수 있다. 한편, 상기 화합물 반도체층들은 제1 도전형 화합물 반도체층(55), 활성층(57) 및 제2 도전형 화합물 반도체층(59)을 포함한다. 상기 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화합물 반도체층들로, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증찹법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정에 의해 성장될 수 있다. 상기 제1 도전형 및 제2 도전형은 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형을 나타낸다.

한편, 상기 화합물 반도체층들을 형성하기 전, 버퍼층(53)이 형성될 수 있다. 버퍼층(53)은 희생기판(51)과 화합물 반도체층들의 격자 부정합을 완화하기 위해 채택되며, 일반적으로 질화갈륨 계열의 물질층일 수 있다.

도 4를 참조하면, 상기 화합물 반도체층들 상에 서로 이격된 투명패턴들(61)이 형성된다. 상기 투명패턴들(61)은 다양한 패터닝 공정에 의해 반구, 반타원, 사각기둥 또는 절두형 피라미드 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있다.

예컨대, 상기 투명패턴들(61)은 리소그래피 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 제2 도전형 화합물 반도체층(59) 상에 투명층(도시하지 않음)을 형성하고, 상기 투명층 상에 리소그래피 기술을 사용하여 투명패턴들에 대응하는 감광제 패턴을 형성한다. 상기 투명층은 단일층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 복수층들로 이루어진 적층일 수 있다. 또한, 상기 감광제 패턴은 상기 투명층을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 이어서, 상기 감광제 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 투명층을 식각함으로써 투명패턴들이 형성된다.

이때, 상기 감광제 패턴을 리플로우(reflow)함으로써, 반구, 반타원 또는 절두형 피라미드 등의 형상을 갖는 투명패턴들을 형성할 수 있다.

상기 투명패턴들(61)은 또한 리프트-오프(lift-off) 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 감광제를 사용하여 제2 도전형 반도체층(59)의 상부면을 노출시키는 개구부들을 갖는 감광제 패턴을 형성하고, 그 위에 투명층(도시하지 않음)을 형성한다. 상기 투명층은 감광제 패턴의 개구부들을 채우고, 또한 감광제 패턴 상부에 형성된다. 이어서, 상기 개구부들을 채우는 투명층을 잔류시키고, 상기 감광제와 중첩된 투명층을 감광제와 함께 제거한다. 그 결과, 상기 개구부들에 대응하는 투명패턴들(61)이 형성된다.

도 5를 참조하면, 투명패턴들(61)이 형성된 화합물 반도체층들 상에 금속반사층(63)을 형성한다. 상기 금속반사층(63)은 예컨대, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 도금 또는 증착기술을 사용하여 형성될 수 있다.

한편, 상기 금속반사층(63) 상에 도전성 기판(71)이 형성된다. 상기 도전성 기판(61)은 Si, GaAs, GaP, AlGaINP, Ge, SiSe, GaN, AlInGaN 또는 InGaN 등의 기판이나, Al, Zn, Ag, W, Ti, Ni, Au, Mo, Pt, Pd, Cu, Cr 또는 Fe의 단일 금속 또는 이들의 합금 기판을 상기 화합물 반도체층들 상에 부착하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 도전성 기판(61)은 접착층(67)을 통해 상기 금속반사층(63)에 부착될 수 있으며, 확산방지층(65)이 접착층(67)을 형성하기 전에 상기 금속반사층(63) 상에 형성될 수 있다. 한편, 상기 도전성 기판(71)은 도금기술을 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 금속반사층(63) 상에 Cu 또는 Ni 등의 금속을 도금함으로써 도전성 기판(71)이 형성될 수 있으며, 금속원소의 확산을 방지하기 위한 확산방지층(65) 및/또는 접착력을 향상시키기 위한 접착층(67)이 추가될 수 있다.

도 6을 참조하면, 희생기판(51)이 상기 화합물 반도체층들로부터 분리된다. 희생기판(51)은 레이저 리프트 오프(LLO) 기술 또는 다른 기계적 방법이나 화학적 방법에 의해 분리될 수 있다. 이때, 상기 버퍼층(53)도 함께 제거되어 제1 도전형 화합물 반도체층(55)이 노출된다. 이어서, 전극패드(73)가 화합물 반도체층(55) 상에 형성된다. 상기 전극패들(73)는 제1 도전형 화합물 반도체층(55)에 오믹콘택된다.

본 실시예에 따르면, 금속반사층(63)과 화합물 반도체층들 사이에 서로 이격된 투명패턴들(61)이 개재된 수직형 발광 다이오드가 제조된다. 한편, 본 실시예에 있어서, 단일의 수직형 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하였으나, 일반적으로 도전성 기판(71)을 절단하여 개별 발광 다이오드 칩들로 분리함으로써 복수개의 수직형 발광 다이오드들이 제조된다. 이때, 발광 다이오드 칩 영역들 상에 각각 전극패드들(73)이 형성되고, 미리 정의된 스크라이빙 라인들을 따라 도전성 기판(71)이 절단된다.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드는 도 2를 참조하여 설명한 수직형 발광 다이오드와 비교하여, 서로 이격된 투명패턴들(81)이 복수층의 적층 구조를 갖는 것이 다르고, 다른 구성요소는 동일하다.

즉, 본 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드의 투명패턴들(81)은 서로 다른 굴절률을 갖는 층들 예컨대, SiO₂ 및 TiO₂ 의 다층 구조를 갖는다. 이러한 투명패턴들(81)은 서로 다른 굴절률응 갖는 층들을 복수층 적층한 후, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이때, 상기 복수층들의 적층 구조, 각 물질층의 굴절률 및 두께에 따라 투명패턴들(81)은 원하는 파장 영역의 광을 반사시키고 다른 파장의 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 상기 투명패턴들(81)은 적외선을 반사시키고 가시광선 및 자외선을 투과시키는 핫미러(hot mirror)가 될 수 있으며, 이와 달리 적외선을 투과시키고 가시광선 및 자외선을 반사시키는 콜드미러(cold mirror)가 될 수 있다.

상기 투명패턴들(81)이 핫미러인 경우, 적외선을 외부로 방출하는 적외선 발광 다이오드의 발광효율을 더욱 향상시킬 수 있으며, 콜드미러인 경우, 적외선을 도전성 기판(71) 쪽으로 투과시키어 열방출을 촉진시킬 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 금속반사층과 화합물 반도체층들 사이에 서로 이격된 투명패턴들을 형성함으로써, 금속반사층에서 반사된 후, 화합물 반도체층들의 표면에서 내부 전반사에 의해 손실되는 광을 감소시킴으로써 발광 효율을 개선할 수 있는 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공할 수 있다. 또한, 투명패턴들을 핫미러 또는 콜드미러로 형성함으로써 적외선 발광 다이오드 또는 열방출 성능이 우수한 발광 다이오드를 제공할 수 있다.

Claims

도전성 기판;

상기 도전성 기판 상에 위치하고, 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층들;

상기 화합물 반도체층들과 상기 도전성 기판 사이에 개재된 금속반사층; 및

상기 화합물 반도체층들과 상기 금속반사층 사이에 개재되고, 도전성 투명 물질로 형성되며, 서로 이격된 투명패턴들을 포함하는 수직형 발광 다이오드.
청구항 1에 있어서,

상기 금속반사층과 상기 도전성 기판 사이에 개재된 접착층; 및

상기 접착층과 상기 금속반사층 사이에 개재된 확산방지층을 더 포함하는 수직형 발광 다이오드.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 투명패턴들은 ITO 또는 Ni/Au로 형성된 수직형 발광 다이오드.
희생 기판 상에 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층들을 형성하고,

상기 화합물 반도체층들 상에 서로 이격된 복수개의 투명패턴들을 형성하되, 상기 투명패턴들은 도전성 투명 물질로 형성되고,

상기 투명패턴들이 형성된 화합물 반도체층들 상에 금속반사층을 형성하고,

상기 금속반사층 상에 도전성 기판을 형성하고,

상기 화합물 반도체층들로부터 상기 희생 기판을 분리하는 것을 포함하는 수직형 발광 다이오드 제조방법.
청구항 4에 있어서,

상기 투명패턴들을 형성하는 것은 리프트-오프 공정을 사용하여 수행되는 수직형 발광 다이오드 제조방법.
청구항 4에 있어서,

상기 도전성 기판을 형성하기 전, 상기 금속반사층 상에 확산방지층 및 접착층을 형성하는 것을 더 포함하는 수직형 발광 다이오드 제조방법.
청구항 4에 있어서,

상기 투명패턴들을 형성하는 것은

상기 화합물 반도체층들 상에 투명층을 형성하고,

상기 투명층을 패터닝하는 것을 포함하는 수직형 발광 다이오드 제조방법.
청구항 7에 있어서,

상기 투명층은 복수층의 적층인 수직형 발광 다이오드 제조방법.
청구항 4 내지 7의 어느 한 항에 있어서,

상기 투명 패턴들은 ITO 또는 Ni/Au로 형성되는 수직형 발광 다이오드 제조 방법.
삭제